JP2009216621A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の欠陥検出装置及び欠陥検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置の製造段階で周辺回路の欠陥を検出し、欠陥のある場合に製品とし
て使用する前に予め不良品として除去することを可能にする。
【解決手段】一対の基板間に液晶を保持し、一方の基板に周辺回路として走査線駆動回路
１５及びデータ線駆動回路１３が形成される電気光学装置の製造方法であり、一方の基板
に走査線駆動回路１５及びデータ線駆動回路１３を形成した後で、且つ前記一方の基板を
他方の基板に貼り合わせる前の工程で、走査線駆動回路１５に通常印加される電圧よりも
大きい検査電圧を印加して欠陥を検出すると共に、データ線駆動回路１３に通常印加され
る電圧よりも大きい検査電圧を印加して欠陥を検出する。
【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置の欠陥検出装置及び欠陥検出方法に
関する。

電気光学装置として、例えば絶縁基板上に、複数の走査線と複数のデータ線とを交差さ
せて配置し、走査線とデータ線の各交差部に、画素を駆動するスイッチング素子と、スイ
ッチング素子を介して走査線及びデータ線に電気的に接続される画素電極とを設けるアク
ティブマトリクス型の液晶装置が知られている。アクティブマトリクス型液晶装置では、
走査線とデータ線との間には絶縁層が存在するが、走査線とデータ線の交差部に於ける絶
縁層に劣化している箇所があると、長期間の使用で劣化が進行してリーク電流が生じ、表
示不良となる。そのため、製造段階で、例えば走査線とデータ線との間に通常使用される
電圧よりも大きい検査電圧を一定期間与えて欠陥箇所を検出することが行われている（特
許文献１参照）。

特開平７−２９４３７４号公報

ところで、上記アクティブマトリクス型液晶装置の様に走査線とデータ線が配置される
電気光学装置には、走査線を駆動する走査線駆動回路や、データ線を駆動するデータ線駆
動回路が周辺回路として設けられるが、前記周辺回路に欠陥箇所が存在すると、経時変化
によって欠陥が成長し、使用中に線欠陥などの機能不良を引き起こすことがある。そのた
め、周辺回路についても製造段階で欠陥を検出し、欠陥のある電気光学装置を予め不良品
として除去することが求められる。

本発明は上記課題に鑑み提案するものであって、電気光学装置の製造段階で周辺回路の
欠陥を検出し、欠陥のある場合に製品として使用する前に予め不良品として除去すること
を可能にする電気光学装置の製造方法、電気光学装置の欠陥検出装置及び欠陥検出方法を
提供することを目的とする。

本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、データ線と、該データ線と交差する走
査線と、前記走査線及び前記データ線に電気的に接続されたトランジスタとを備え、周辺
回路から前記データ線及び前記走査線にそれぞれ所定の信号を供給することにより表示を
行う電気光学装置の製造方法であって、前記周辺回路の所定部に前記所定の信号により印
加される電圧よりも大きい検査電圧を印加して欠陥を検出する工程を有することを特徴と
する。本発明によれば、検査電圧により欠陥を成長させ、電気光学装置の製造段階で周辺
回路の所定部の欠陥を検出し、欠陥のある場合に製品として使用する前に予め不良品とし
て除去することが可能となる。従って、経時変化によって使用中に生ずる線欠陥などの電
気光学装置の機能不良を予め防止することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記周辺回路の所定部である走査線駆動回路に前
記検査電圧を印加することを特徴とする。本発明によれば、走査線駆動回路に於いて絶縁
層が劣化して静電気で最も破壊されやすいバッファ回路の最終段の相補型インバータの欠
陥を検出する等、走査線駆動回路の欠陥を検出し、欠陥のある場合に予め不良品として除
去することが可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記周辺回路の所定部であるデータ線駆動回路に
前記検査電圧を印加することを特徴とする。本発明によればデータ線駆動回路に於いて絶
縁層が劣化して静電気で最も破壊されやすい選択回路のＮＡＮＤ回路の欠陥を検出する等
、データ線駆動回路の欠陥を検出し、欠陥のある場合に予め不良品として除去することが
可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、前記周辺回路の所定部に、一のパルス波形の前記
検査電圧を印加して欠陥を検出し、前記一のパルス波形の検査電圧が反転されている別の
パルス波形の検査電圧を印加して欠陥を検出する工程とを有することを特徴とする。本発
明によれば、反転以外同じパターンであるパルス波形の検査電圧を利用し、例えば相補型
インバータを構成するｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴの双方の欠陥検出を行う
等、複数の側面からの欠陥検出を効率的に行うことができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板間に電気光学物質を保持し、一方の基
板に周辺回路が形成される電気光学装置の製造方法であって、前記一方の基板に周辺回路
を形成した後で、且つ前記一方の基板を他方の基板に貼り合わせる前の工程で、前記周辺
回路の所定部に前記検査電圧を印加して欠陥を検出することを特徴とする。本発明によれ
ば、一対の基板間に電気光学装置を保持し、一方の基板に周辺回路が形成される電気光学
装置の欠陥を製造段階で検出し、欠陥のある場合に製品として使用する前に予め不良品と
して除去することが可能となる。また、前記一方の基板を他方の基板に貼り合わせる前の
工程で欠陥検出を行うことにより、不良品にコストをかけることを防止することができる
。

本発明の電気光学装置の欠陥検出装置は、基板上に、データ線と、該データ線と交差す
る走査線と、前記走査線及び前記データ線に電気的に接続されたトランジスタとを備え、
周辺回路から前記データ線及び前記走査線にそれぞれ所定の信号を供給することにより表
示を行う電気光学装置の欠陥検出装置であって、前記周辺回路の所定部に電気的に接続さ
れる接続端子と、前記周辺回路の所定部に前記所定の信号により印加される電圧よりも大
きい検査電圧を生成して前記接続端子を介して印加する検査電圧印加部と、前記検査電圧
の印加により前記周辺回路の所定部の欠陥を検出する欠陥検出部とを備えることを特徴と
する。本発明によれば、検査電圧により欠陥を成長させ、電気光学装置の製造段階で周辺
回路の所定部の欠陥を検出し、欠陥のある場合に製品として使用する前に予め不良品とし
て除去することが可能となる。従って、経時変化によって使用中に生ずる線欠陥などの電
気光学装置の機能不良を予め防止することができる。尚、本発明の電気光学装置の欠陥検
出装置には、本発明の電気光学装置の製造方法等に於ける構成を適宜用いることが可能で
ある。

本発明の電気光学装置の欠陥検出方法は、基板上に、データ線と、該データ線と交差す
る走査線と、前記走査線及び前記データ線に電気的に接続されたトランジスタとを備え、
周辺回路から前記データ線及び前記走査線にそれぞれ所定の信号を供給することにより表
示を行う電気光学装置の欠陥検出方法であって、前記周辺回路の所定部に前記所定の信号
により印加される電圧よりも大きい検査電圧を印加して欠陥を検出することを特徴とする
。本発明によれば、検査電圧により欠陥を成長させ、電気光学装置の製造段階で周辺回路
の所定部の欠陥を検出し、欠陥のある場合に製品として使用する前に予め不良品として除
去することが可能となる。従って、経時変化によって使用中に生ずる線欠陥などの電気光
学装置の機能不良を予め防止することができる。尚、本発明の電気光学装置の欠陥検出方
法には、本発明の電気光学装置の製造方法等に於ける構成を適宜用いることが可能である
。

〔実施形態の電気光学装置〕
先ず、実施形態の電気光学装置について説明する。図１は実施形態の電気光学装置の構
成を示すブロック図である。本実施形態の電気光学装置１０は、一対の基板間に液晶が保
持されるアクティブマトリクス型液晶装置であり、ＴＦＴアレイ基板１１上には、複数の
画素１２がマトリクス状に設けられている。画素１２の各々には、画素電極１２１と、画
素電極１２１を駆動するためのスイッチング素子であるＴＦＴ１２２とが形成されている
。ＴＦＴ１２２のソースは、データ線駆動回路１３から出力される画素信号Ｓ１、Ｓ２・
・・Ｓｎを供給するデータ線１４に電気的に接続されている。データ線駆動回路１３は、
画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎをこの順で線順次で供給する構成、或いは相隣接する複数
のデータ線１４同士に対してグループ毎に供給する構成とすることが可能である。また、
ＴＦＴ１２２のゲートには走査線１６が電気的に接続されており、走査線駆動回路１５は
、走査線１６にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加する。

画素電極１２１は、ＴＦＴ１２２のドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ１２２
を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線１４から供給される画素信号Ｓ１、
Ｓ２・・・Ｓｎが各画素の液晶素子に所定のタイミングで書き込まれる。画素電極１２１
を介して液晶素子に書き込まれた画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、対向基板の対向電極
（図示せず）との間で一定期間保持される。

液晶素子は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより
、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードの場合、印加された電
圧に応じて入射光の液晶素子の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモード
の場合、印加された電圧に応じて入射光の液晶素子の部分を通過する光量が増大する。そ
の結果、全体として電気光学装置１０からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコ
ントラストを持つ光が出射される。

本実施形態では、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎがリークするのを防止する
ために、画素電極１２１と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１２３
が付加されている。蓄積容量１２３の一端はＴＦＴ１２２のドレインに電気的に接続され
、その他端は容量線１７に電気的に接続されている。

走査線駆動回路１５は、図２に示すように、シフトレジスタ１８と、バッファ回路１９
とから構成されている。シフトレジスタ１８は、出力するパルス波形の転送信号を生成し
て順次出力し、バッファ回路１９に転送する。バッファ回路１９の入力端子は、シフトレ
ジスタ１９の出力端子に電気的に接続され、バッファ回路１９にはシフトレジスタ１８か
らの転送信号が入力される。

バッファ回路１９は、インバータ１９１、１９２、１９３を直列に電気的に接続して構
成され、シフトレジスタ１８から転送された転送信号に駆動能力を持たせるようになって
おり、駆動能力を得た転送信号は、最終的には走査線駆動回路１５から走査信号Ｇ１、Ｇ
２・・・Ｇｍとして走査線１６を介して画素１２に供給される。即ち、バッファ回路１９
は、複数段のインバータ１９１、１９２、１９３から構成されることで、転送信号を、駆
動能力増大、波形整形及びタイミング調整した後に、走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍとし
て出力する機能を有する。尚、各走査信号のパルス幅に制限を加えることで、相前後して
出力される走査信号間に隙間を開ける波形制限回路或いはイネーブル回路を、走査線駆動
回路１５内に設けることも可能である。また、画像表示領域を複数に分割してなる個々の
領域別に走査を行う領域走査方式で走査を行う場合等に、走査信号の出力順に変更を加え
る出力制御回路を、シフトレジスタ１８とバッファ回路１９の間等に設けてもよい。

ここで、バッファ回路１９のインバータ１９１は、図３に示すように、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ１９１ａとｐチャネル型ＴＦＴ１９１ｂとからなる相補型インバータで構成されてい
る。同様に、インバータ１９２はｎチャネル型ＴＦＴ１９２ａとｐチャネル型ＴＦＴ１９
２ｂとから構成され、インバータ１９３はｎチャネル型ＴＦＴ１９３ａとｐチャネル型Ｔ
ＦＴ１９３ｂとから構成されている。バッファ回路１９の入力端子は、ｎチャネル型ＴＦ
Ｔ１９１ａ及びｐチャネル型ＴＦＴ１９１ｂのゲートに電気的に接続されている。バッフ
ァ回路１９の出力端子は、ｎチャネル型ＴＦＴ１９３ａ及びｐチャネル型ＴＦＴ１９３ｂ
のドレインに電気的に接続されている。インバータ１９１、１９２、１９３は、走査線駆
動回路用高電位電源Ｖｄｄｉ及び低電位電源Ｖｓｓｉによって駆動される。転送信号の電
圧は、走査駆動回路用高電位電源Ｖｄｄｉの電位及び走査駆動回路用低電位電源Ｖｓｓｉ
の電位間で遷移し、徐々に駆動能力を高められ、走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍとして出力
される。

データ線駆動回路１３は、図４に示すように、シフトレジスタ２０と、選択回路２１と
、バッファ回路２２と、サンプリング回路２３とから構成されている。シフトレジスタ２
０は、出力する転送信号のパルス波形を生成して選択回路２１に出力する。選択回路２１
は、ＮＡＮＤ回路２１１で構成され、シフトレジスタ２０から入力される隣接する転送信
号が共にハイレベルの期間だけを選択してバッファ回路２２に供給する。バッファ回路２
２は、相補型のインバータ２２１で構成され、選択回路２１から入力される転送信号の駆
動能力を増大して出力する。サンプリング回路２３は、バッファ回路２２から入力される
転送信号をサンプリングし、画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎとしてデータ線１４に供給
する。

〔実施形態の欠陥検出装置〕
次に、実施形態の欠陥検出装置について説明する。図５は実施形態の欠陥検出装置の構
成を示すブロック図である。欠陥検査装置３００は、図５に示すように、検査電圧印加部
３０１と、接続端子３０２と、電流計３０３と、欠陥検出部３０４と、表示制御部３０５
と、液晶ディスプレイ等の表示部３０６を備える。

検査電圧印加部３０１は、電位差Ｖｄｄ−Ｖｓｓであるパルス波形の検査電圧を生成し
て供給し、前記電位差Ｖｄｄ−Ｖｓｓは周辺回路に印加される通常電圧の電位差よりも大
きく設定される。接続端子３０２は、走査線駆動回路１５或いはデータ線駆動回路１３等
の周辺回路に電気的に接続され、検査電圧印加部３０１から供給される検査電圧を周辺回
路に出力する。電流計３０３は、検査電圧を供給する検査電圧印加部３０１と接続端子３
０２との間、即ち検査電圧印加部３０１と走査線駆動回路１５或いはデータ線駆動回路１
３等の周辺回路との間に設けられ、走査線駆動回路１５或いはデータ線駆動回路１３等の
周辺回路に流れる電流を測定する。欠陥検出部３０４は、電流計３０３が測定する測定電
流値を取得し、欠陥検出部３０４内の記憶部に設定されている閾値と前記測定電流値とを
対比し、前記測定電流値が前記閾値を超えた場合にリーク電流が流れていることを検出し
て電気光学装置１０の欠陥を検出する。表示制御部３０５は、欠陥検出部３０４からの欠
陥検出の入力に応じて、その記憶部に記憶している欠陥を検出した旨の表示データを抽出
し、表示部３０６により欠陥を検出した旨の表示を行う。

〔実施形態の欠陥検出方法〕
次に、実施形態の欠陥検出装置３００により、電気光学装置１０の周辺回路である走査
線駆動回路１５及びデータ線駆動回路１３の欠陥を検出する方法について説明する。尚、
電気光学装置１０の走査線駆動回路１５及びデータ線駆動回路１３に対する欠陥検出は、
ＴＦＴアレイ基板１１上にスイッチング素子及びスイッチング素子に電気的に接続される
データ線等の配線等の形成後で、ＴＦＴアレイ基板１１を貼り合わせる前の工程で行うこ
とが好ましく、又、ＴＦＴアレイ基板１１上に配向膜を形成する前或いは後の工程で行う
ことが可能である。

走査線駆動回路１５の欠陥検出を行う場合には、欠陥検出装置３００の接続端子３０２
を電気光学装置１０の検査用の接続端子及び配線を介して走査線駆動回路１５に電気的に
接続させる。そして、検査電圧印加部３０１により、Ｈレベルの短いパルス波形の第１の
検査電圧を生成し、第１の検査電圧を接続端子３０２を介して走査線駆動回路１５に印加
し、数秒〜数十秒に亘って第１の検査電圧を印加する。第１の検査電圧の電位差Ｖｄｄ１
−Ｖｓｓ１は、走査線駆動回路１５に印加される通常電圧の電位差Ｖｄｄｉ−Ｖｓｓｉよ
りも大きく設定されており、例えば図６（ａ）の走査線駆動回路１５に印加される通常電
圧の電位差Ｖｄｄｉ−Ｖｓｓｉが８．５Ｖである場合に、図６（ｂ）に示すように第１の
検査電圧の電位差Ｖｄｄ１−Ｖｓｓ１は１６Ｖに設定される。尚、図示例ではＶｄｄ１＝
１６Ｖ、Ｖｓｓ１＝０Ｖとしているが、欠陥検出に必要な電位差Ｖｄｄ１−Ｖｓｓ１が得
られれば第１の検査電圧の電圧Ｖｄｄ１、Ｖｓｓ１の値は適宜である。

第１の検査電圧の印加中には、欠陥検出装置３００の電流計３０３が走査線駆動回路１
５を流れる電流を測定する。欠陥検出部３０４は、電流計３０３の測定電流値を取り込ん
で、設定記憶されている閾値と前記測定電流値とを対比する。欠陥のある液晶装置ＤＰは
、図８に示すように、検査電圧の印加に伴ってリーク電流が生じ、測定電流値が増大する
ので、前記閾値と前記測定電流値との対比により欠陥のある液晶装置ＤＰを検出すること
ができる。また、走査線駆動回路１５に於いては、バッファ回路１９の最終段のインバー
タ１９３で最も絶縁破壊による欠陥が生じやすため、前記第１の検査電圧の印加による対
比により、インバータ１９３のｎチャネル型ＴＦＴ１９３ａのゲート・ドレイン間にリー
ク電流が流れて欠陥が生じているか否かを検出することができる。

そして、前記対比の結果、前記測定電流値が前記閾値を超えた場合には、欠陥検出部３
０４は、走査線駆動回路１５にリーク電流が流れて欠陥が生じていることを検出し、欠陥
検出データを表示制御部３０５に出力する。表示制御部３０５は、欠陥検出部３０４から
の欠陥検出データの入力に応じて、その記憶部に記憶している欠陥を検出した旨の表示デ
ータを抽出し、表示部３０６により欠陥を検出した旨の表示を行う。欠陥が検出された電
気光学装置１０は不良品として処理される。

第１の検査電圧の印加によって欠陥を検出しなかった場合、検査電圧印加部３０１は、
図７に示すように、第１の検査電圧を反転させて、Ｌレベルの短いパルス波形の第２の検
査電圧を生成し、第２の検査電圧を接続端子３０２を介して走査線駆動回路１５に印加し
、数秒〜数十秒に亘って第２の検査電圧を印加する。第２の検査電圧はパルス波形の第１
の検査電圧を反転させたものであるから、その電位差Ｖｄｄ２−Ｖｓｓ２は第１の検査電
圧と同様に、走査線駆動回路１５に印加される通常電圧の電位差Ｖｄｄｉ−Ｖｓｓｉより
も大きく設定された１６Ｖである。尚、図示例ではＶｄｄ２＝１２Ｖ、Ｖｓｓ２＝−４Ｖ
としているが、欠陥検出に必要な電位差Ｖｄｄ２−Ｖｓｓ２が得られれば第２の検査電圧
の電圧Ｖｄｄ２、Ｖｓｓ２の値は適宜である。

第２の検査電圧の印加中にも、欠陥検出部３０４は、電流計３０３が測定している測定
電流値を取り込み、設定記憶されている閾値と前記測定電流値とを対比する。前記第２の
検査電圧の印加による対比では、インバータ１９３のｐチャネル型ＴＦＴ１９３ｂのゲー
ト・ドレイン間にリーク電流が流れて欠陥が生じているか否かを検出することができる。
そして、前記対比の結果、前記測定電流値が前記閾値を超えた場合には、欠陥検出部３０
４は、走査線駆動回路１５にリーク電流が流れて欠陥が生じていることを検出し、上記と
同様に表示制御部３０５が表示部３０６により欠陥を検出した旨の表示を行う。欠陥が検
出された電気光学装置１０は不良品として処理される。

走査線駆動回路１５の欠陥を検出しなかった場合には、データ線駆動回路１３の欠陥検
出を行う。データ線駆動回路１３の欠陥検出を行う場合には、欠陥検出装置３００の接続
端子３０２を走査線駆動回路１５を検査するための接続端子から取り外し、データ線駆動
回路１３を検査するための接続端子に電気的に接続する。そして、検査電圧印加部３０１
により、Ｈレベルの短いパルス波形の第３の検査電圧を生成し、第３の検査電圧を接続端
子３０２を介してデータ線駆動回路１３に印加し、数秒〜数十秒に亘って第３の検査電圧
を印加する。第３の検査電圧の電位差Ｖｄｄ３−Ｖｓｓ３は、データ線駆動回路１３に印
加される通常電圧の電位差Ｖｄｄｊ−Ｖｓｓｊよりも大きく設定されている。また、第３
の検査電圧の電圧Ｖｄｄ３、Ｖｓｓ３の値は欠陥検出に必要な電位差Ｖｄｄ３−Ｖｓｓ３
が得られれば適宜である。

第３の検査電圧の印加中にも、欠陥検出部３０４は、電流計３０３で測定している測定
電流値を取り込み、設定記憶されている閾値と前記測定電流値とを対比する。前記対比の
結果、前記測定電流値が前記閾値を超えた場合には、欠陥検出部３０４は、データ線駆動
回路１３にリーク電流が流れて欠陥が生じていることを検出し、上記と同様に表示制御部
３０５が表示部３０６により欠陥を検出した旨の表示を行う。欠陥が検出された電気光学
装置１０は不良品として処理される。

第３の検査電圧の印加によって欠陥を検出しなった場合、検査電圧印加部３０１は、第
３の検査電圧を反転させて、Ｌレベルの短いパルス波形の第４の検査電圧を生成し、第４
の検査電圧を接続端子３０２を介してデータ線駆動回路１３に印加し、数秒〜数十秒に亘
って第４の検査電圧を印加する。第４の検査電圧はパルス波形の第３の検査電圧を反転さ
せたものであるから、その電位差Ｖｄｄ４−Ｖｓｓ４は第３の検査電圧と同様の値で、デ
ータ線駆動回路１３に印加される通常電圧の電位差Ｖｄｄｊ−Ｖｓｓｊよりも大きく設定
されている。また、第４の検査電圧の電圧Ｖｄｄ４、Ｖｓｓ４の値は欠陥検出に必要な電
位差Ｖｄｄ４−Ｖｓｓ４が得られれば適宜である。

第４の検査電圧の印加中にも、欠陥検出部３０４は、電流計３０３で測定している測定
電流値を取り込み、設定記憶されている閾値と前記測定電流値とを対比する。前記対比の
結果、前記測定電流値が前記閾値を超えた場合には、欠陥検出部３０４は、データ線駆動
回路１３にリーク電流が流れて欠陥が生じていることを検出し、上記と同様に表示制御部
３０５が表示部３０６により欠陥を検出した旨の表示を行う。欠陥が検出された電気光学
装置１０は不良品として処理される。尚、データ線駆動回路１３では、選択回路２１のＮ
ＡＮＤ回路２１１が最も絶縁破壊で欠陥が生じやすいため、第３、第４の検査電圧印加に
よる欠陥検出により、ＮＡＮＤ回路２１１に欠陥があるか否かが検出される。

上記実施形態によれば、電気光学装置の製造段階で走査線駆動回路１５及びデータ線駆
動回路１３の欠陥を検出し、欠陥のある場合に製品として使用する前に予め不良品として
除去することが可能となる。従って、経時変化によって使用中に生ずる線欠陥などの電気
光学装置の機能不良を予め防止することができる。また、反転以外同じパターンであるパ
ルス波形の第１と第２の検査電圧、或いは第３と第４の検査電圧を利用して、走査線駆動
回路１５及びデータ線駆動回路１３の複数の側面からの欠陥検出を効率的に行うことがで
きる。

〔実施形態の変形例等〕
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲内で
変形、改良等したものも本発明に含まれる。例えば、上記実施形態では、電気光学装置１
０の周辺回路である走査線駆動回路１５とデータ線駆動回路１３について第１〜第４の検
査電圧で欠陥検出を行ったが、本発明は、走査線駆動回路１５のみ或いはデータ線駆動回
路１３のみなど周辺回路の一部について欠陥検出を行う構成を包含し、又、走査線駆動回
路１５に対して第１の検査電圧による欠陥検出だけを行うなど、少なくとも一つの検査電
圧で欠陥検出を行う構成も包含する。また、上記実施形態に於ける欠陥検出は、データ線
駆動回路１３の欠陥検出を行った後に走査線駆動回路１５の欠陥検出を行うようにしても
よい。

また、本発明の検査電圧は上記実施形態のパルス波形の検査電圧に限定されず、走査線
駆動回路１５或いはデータ線駆動回路１３など欠陥検出対象とする周辺回路部分で、最も
絶縁破壊されやすい回路構成部の絶縁耐圧以内である適宜の検査電圧を用いることが可能
である。例えば、欠陥検出装置３００により、パルス波形ではない延べでＤＣ１６Ｖの直
流電圧を走査線駆動回路１５に印加する等、検査電圧として直流電圧を印加する構成とす
ると、より大きな電位差の検査電圧を長時間印加することが可能となるので好ましい。ま
た、検査電圧を流す時間は、周辺回路の欠陥を検出可能であり、且つ周辺回路に不要な負
荷をかけない範囲で適宜である。

また、本発明を適用可能な電気光学装置は、液晶装置以外にも適宜であり、例えばエレ
クトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子放出装置、電気泳
動装置、プラズマディスプレイ装置等、周辺回路を備える各種の電気光学装置において本
発明を適用することが可能である。

実施形態の電気光学装置の構成を示すブロック図。 実施形態の電気光学装置に於ける走査線駆動回路の構成を示す回路図。 走査線駆動回路のバッファ回路の具体的構成を示す回路説明図。 実施形態の電気光学装置に於けるデータ線駆動回路の構成を示す回路図。 実施形態の欠陥検出装置の構成を示すブロック図。 （ａ）は走査線駆動回路に印加される通常電圧のパルス波形を示す図、（ｂ）は走査線駆動回路に印加される第１の検査電圧のパルス波形を示す図。 走査線駆動回路に印加される第２の検査電圧のパルス波形を示す図。 欠陥のない液晶装置ＦＰと欠陥のある液晶装置ＤＰに対する検査電圧と測定電流との関係を示す図。

符号の説明

１０…電気光学装置 １１…ＴＦＴアレイ基板 １２…画素 １２１…画素電極 １２２
…ＴＦＴ １２３…蓄積容量 １３…データ線駆動回路 １４…データ線 １５…走査線
駆動回路 １６…走査線 １７…容量線 １８…シフトレジスタ １９…バッファ回路
１９１、１９２、１９３…インバータ ２０…シフトレジスタ ２１…選択回路 ２１１
…ＮＡＮＤ回路 ２２…バッファ回路 ２３…サンプリング回路 ３００…欠陥検出装置
３０１…検査電圧印加部 ３０２…接続端子 ３０３…電流計 ３０４…欠陥検出部
３０５…表示制御部 ３０６…表示部

Claims (7)

1. 基板上に、データ線と、該データ線と交差する走査線と、前記走査線及び前記データ線
   に電気的に接続されたトランジスタとを備え、周辺回路から前記データ線及び前記走査線
   にそれぞれ所定の信号を供給することにより表示を行う電気光学装置の製造方法であって
   、
   前記周辺回路の所定部に前記所定の信号により印加される電圧よりも大きい検査電圧を
   印加して欠陥を検出する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記周辺回路の所定部である走査線駆動回路に前記検査電圧を印加することを特徴とす
   る請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記周辺回路の所定部であるデータ線駆動回路に前記検査電圧を印加することを特徴と
   する請求項１又は２記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記周辺回路の所定部に、一のパルス波形の前記検査電圧を印加して欠陥を検出し、前
   記一のパルス波形の検査電圧が反転されている別のパルス波形の検査電圧を印加して欠陥
   を検出する工程とを有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電気光学装置
   の製造方法。
5. 一対の基板間に電気光学物質を保持し、一方の基板に周辺回路が形成される電気光学装
   置の製造方法であって、
   前記一方の基板に周辺回路を形成した後で、且つ前記一方の基板を他方の基板に貼り合
   わせる前の工程で、
   前記周辺回路の所定部に前記検査電圧を印加して欠陥を検出することを特徴とする請求
   項１〜４の何れかに記載の電気光学装置の製造方法。
6. 基板上に、データ線と、該データ線と交差する走査線と、前記走査線及び前記データ線
   に電気的に接続されたトランジスタとを備え、周辺回路から前記データ線及び前記走査線
   にそれぞれ所定の信号を供給することにより表示を行う電気光学装置の欠陥検出装置であ
   って、
   前記周辺回路の所定部に電気的に接続される接続端子と、
   前記周辺回路の所定部に前記所定の信号により印加される電圧よりも大きい検査電圧を
   生成して前記接続端子を介して印加する検査電圧印加部と、
   前記検査電圧の印加により前記周辺回路の所定部の欠陥を検出する欠陥検出部とを備え
   ることを特徴とする電気光学装置の欠陥検出装置。
7. 基板上に、データ線と、該データ線と交差する走査線と、前記走査線及び前記データ線
   に電気的に接続されたトランジスタとを備え、周辺回路から前記データ線及び前記走査線
   にそれぞれ所定の信号を供給することにより表示を行う電気光学装置の欠陥検出方法であ
   って、
   前記周辺回路の所定部に前記所定の信号により印加される電圧よりも大きい検査電圧を
   印加して欠陥を検出することを特徴とする電気光学装置の欠陥検出方法。

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