JP2009212107A - Method and device for removing residual dross - Google Patents

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美和 生田
Satonari Asano
聡也 浅野
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拓嗣 小田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for removing a residual dross capable of satisfactorily removing a flux residual dross in a short period of time. <P>SOLUTION: A heating part 13 for spurting a gas to the flux residual dross 20 so as to be able to heat the surface of the flux residual dross 20 is arranged. The flux residual dross 20 is melted by heating the flux residual dross 20 with the use of the heating part 13 so that the temperature of the surface of it exceeds 250°C, and the melted flux residual dross 20 is flowed by the gas. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、フラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置に関し、たとえばフラックスを用いて半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去するフラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置に関するものである。   The present invention relates to a flux residue removal method and a flux residue removal device, and more particularly to a flux residue removal method and a flux residue removal device that removes a flux residue generated when soldering using a flux.

一般的に、半田付けプロセスでは、半田付けを行なう基板表面の酸化皮膜を除去するためにフラックスが用いられている。半田を溶融させるために加熱を行なうと、このフラックス内の固形成分(たとえばロジンなど)が気化する。雰囲気の温度が下がると、気化したフラックスが固化し、白色のフラックス残渣となって、たとえば半田付けを行なう台座、基板などに付着する。この付着したフラックス残渣は、粘着性を有している。このため、基板が接触する台座および基板の少なくとも一方にフラックス残渣が付着すると、このフラックス残渣は基板と台座とを固着する。   Generally, in the soldering process, a flux is used to remove an oxide film on the surface of the substrate to be soldered. When heating is performed to melt the solder, a solid component (for example, rosin) in the flux is vaporized. When the temperature of the atmosphere is lowered, the vaporized flux is solidified and becomes a white flux residue, which adheres to, for example, a pedestal or a substrate to be soldered. This adhered flux residue has adhesiveness. For this reason, when a flux residue adheres to at least one of the pedestal and the substrate that are in contact with the substrate, the flux residue adheres the substrate and the pedestal.

フラックス残渣が基板および台座の少なくとも一方に付着すると、以下の3つの問題が生じる。1つ目として、基板が脆弱な場合、半田付け後の基板の搬送時に、基板が破損するという問題があった。2つ目として、台座からフラックス残渣が異物として基板に転写されることにより、基板の外観不良を発生させるという問題があった。3つ目として、台座に付着したフラックス残渣を定期的に手作業で除去する必要があるので、基板の生産性が低下する要因になるという問題があった。   When the flux residue adheres to at least one of the substrate and the pedestal, the following three problems arise. First, when the board is fragile, there is a problem that the board is damaged when the board is transferred after soldering. Secondly, there is a problem in that the appearance of the substrate is deteriorated by transferring the flux residue from the pedestal to the substrate as a foreign substance. The third problem is that it is necessary to periodically remove the flux residue adhering to the pedestal manually, which causes a reduction in substrate productivity.

フラックス残渣が基板に付着することによる外観不良の低下を抑制するための技術が、たとえば特開平6−326444号公報(特許文献1)に開示されている。この特許文献1には、熱風吹出器を用いて、プリント基板上に残留する白濁残渣を加熱して溶融し、白濁残渣から白濁状態を除去する方法が開示されている。   For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326444 (Patent Document 1) discloses a technique for suppressing a decrease in appearance defect due to adhesion of a flux residue to a substrate. This Patent Document 1 discloses a method of using a hot air blower to heat and melt a white turbid residue remaining on a printed circuit board to remove the white turbid state from the white turbid residue.

また、台座に付着したフラックス残渣を除去するための技術が、たとえば特開平10−173333号公報(特許文献2)に開示されている。この特許文献2には、リフロー炉の温度が低い冷却ゾーンや出入口に電熱ヒータを設置し、半田付け終了後に該電熱ヒータに通電して付着したフラックスを150〜250℃に加熱し溶融して下方のフラックス溜めに受ける方法が開示されている。
特開平6−326444号公報 特開平10−173333号公報
A technique for removing the flux residue adhering to the pedestal is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-173333 (Patent Document 2). In this Patent Document 2, an electric heater is installed in a cooling zone or an inlet / outlet where the temperature of the reflow furnace is low, and after adhering to the electric heater, the attached flux is heated to 150 to 250 ° C. and melted to lower the temperature. A method for receiving the flux in the reservoir is disclosed.
JP-A-6-326444 Japanese Patent Laid-Open No. 10-173333

しかしながら、上記特許文献1で白濁残渣を加熱して溶融しているのは、フラックス残渣の表面の平滑化と内包気泡の滅却とを目的としている。このため、フラックス残渣自体をプリント基板上から充分に除去できないという問題があった。   However, the reason why the cloudy residue is heated and melted in Patent Document 1 is intended to smooth the surface of the flux residue and destroy the encapsulated bubbles. For this reason, there was a problem that the flux residue itself could not be sufficiently removed from the printed circuit board.

また、上記特許文献2では、電熱ヒータで加熱して溶融したフラックスが自重にてフラックス溜めへ移動する。このため、水平に設置した台座の上面(基板を載置する面)からフラックス残渣を充分に除去することができないという問題があった。   In Patent Document 2, the flux heated and melted by the electric heater moves to the flux reservoir by its own weight. For this reason, there has been a problem that the flux residue cannot be sufficiently removed from the upper surface (surface on which the substrate is placed) of the pedestal installed horizontally.

また、付着したフラックスを再度溶融したフラックス残渣は、一般的に粘度が1000cP以上と高い。このため、溶融したフラックス残渣を自重を利用して下方へ滴下させる方法では、フラックス残渣を除去するために長時間要するという問題があった。   Moreover, the flux residue obtained by remelting the attached flux generally has a high viscosity of 1000 cP or more. For this reason, the method of dripping molten flux residue downward using its own weight has a problem that it takes a long time to remove the flux residue.

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、フラックス残渣を短時間で充分に除去できる、フラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置を提供することである。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides a flux residue removal method and a flux residue removal device that can sufficiently remove flux residues in a short time.

本発明のフラックス残渣除去方法は、フラックスを用いて半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去する方法であって、以下の工程を備えている。まず、フラックス残渣の表面を加熱できるように、かつフラックス残渣に向けて気体を噴出するように加熱部が配置される。そして、加熱部を用いて、フラックス残渣の表面が250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣を溶融し、気体により溶融したフラックス残渣が流動される。   The flux residue removing method of the present invention is a method for removing flux residue generated when soldering is performed using a flux, and includes the following steps. First, a heating unit is arranged so that the surface of the flux residue can be heated and gas is ejected toward the flux residue. And using a heating part, the flux residue is melted by heating so that the surface of the flux residue exceeds 250 ° C., and the flux residue melted by gas flows.

本発明のフラックス残渣除去装置は、フラックスを用いて基板に半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去するための装置であり、台座と、加熱部とを備えている。台座は、半田付けを行なう基板を載置するための載置面を有している。加熱部は、台座の載置面および基板の少なくとも一方上に付着したフラックス残渣の表面の温度が250℃を超えるように加熱し、かつ溶融したフラックス残渣を台座の下方に向けて流動するように気体を噴出する。   The flux residue removal apparatus of the present invention is an apparatus for removing flux residue generated when soldering a substrate using a flux, and includes a pedestal and a heating unit. The pedestal has a mounting surface for mounting a substrate to be soldered. The heating unit heats the surface of the flux residue adhering to at least one of the mounting surface of the pedestal and the substrate so that the temperature exceeds 250 ° C., and flows the molten flux residue toward the bottom of the pedestal. A gas is blown out.

本発明のフラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置によれば、フラックス残渣の表面を250℃を超える温度に加熱している。フラックス残渣が250℃を超えると、炭化水素および二酸化炭素への分解が始まる。フラックス残渣において、炭化水素および二酸化炭素へ分解されなかった炭素は固着成分となる。フラックス残渣がこの固着成分を生成する前であれば、フラックス残渣の表面が250℃を超える温度に加熱されることにより、フラックス残渣の粘度を下げることができる。フラックス残渣の粘度が低い程、フラックス残渣は流動しやすくなる。このため、粘度の下がった状態のフラックス残渣に気体を噴出することにより、フラックス残渣が固着成分を生成する前に、溶融したフラックス残渣を台座の下方などの所定の位置に一気に移動することができる。したがって、フラックス残渣を短時間で充分に除去することができる。   According to the flux residue removing method and the flux residue removing apparatus of the present invention, the surface of the flux residue is heated to a temperature exceeding 250 ° C. When the flux residue exceeds 250 ° C., decomposition into hydrocarbons and carbon dioxide begins. In the flux residue, carbon that has not been decomposed into hydrocarbons and carbon dioxide becomes a fixing component. If the flux residue is before producing this fixing component, the flux residue viscosity can be lowered by heating the surface of the flux residue to a temperature exceeding 250 ° C. The lower the viscosity of the flux residue, the easier it is for the flux residue to flow. For this reason, by blowing the gas to the flux residue in a state where the viscosity is lowered, the melted flux residue can be moved to a predetermined position such as below the pedestal before the flux residue generates a fixing component. . Therefore, the flux residue can be sufficiently removed in a short time.

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の一実施の形態におけるフラックス残渣除去装置を概略的に示す側面図である。最初に、図1を参照して、本実施の形態におけるフラックス残渣除去装置について説明する。本実施の形態におけるフラックス残渣除去装置10aは、図1に示すように、フラックスを用いて基板に半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去するための装置である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a side view schematically showing a flux residue removing apparatus according to an embodiment of the present invention. Initially, with reference to FIG. 1, the flux residue removal apparatus in this Embodiment is demonstrated. As shown in FIG. 1, a flux residue removing apparatus 10a in the present embodiment is an apparatus for removing flux residues generated when soldering a substrate using a flux.

フラックス残渣除去装置10aは、台座11と、加熱部13とを備えている。加熱部13は、台座11の載置面11aに向けて気体を噴出することができるように台座11の上方に配置されている。   The flux residue removing apparatus 10 a includes a pedestal 11 and a heating unit 13. The heating unit 13 is disposed above the pedestal 11 so that gas can be ejected toward the placement surface 11 a of the pedestal 11.

台座11は、半田付けを行なう基板を載置するための載置面11aを有している。載置面11aは、半田付けを行なう際に基板を保持するように、または、半田付けを行なう前後の基板を搬送する際に基板を保持するように構成されている。   The pedestal 11 has a mounting surface 11a for mounting a substrate to be soldered. The mounting surface 11a is configured to hold the substrate when performing soldering, or to hold the substrate when transporting the substrate before and after performing soldering.

この台座11の上方に配置された加熱部13は、台座11の載置面11aおよび基板の少なくとも一方上に付着したフラックス残渣20の表面の温度が250℃を超えるように加熱し、かつ溶融したフラックス残渣を台座11の下方に向けて流動するように気体を噴出するように構成されている。つまり、加熱部13は、フラックス残渣20を加熱する機能と、噴出する気体の圧力または風量にてフラックス残渣20を流動させる機能とを有している。   The heating unit 13 disposed above the pedestal 11 is heated and melted so that the temperature of the surface of the flux residue 20 attached on at least one of the mounting surface 11a of the pedestal 11 and the substrate exceeds 250 ° C. It is comprised so that a gas may be ejected so that a flux residue may flow toward the downward direction of the base 11. FIG. That is, the heating unit 13 has a function of heating the flux residue 20 and a function of causing the flux residue 20 to flow with the pressure of the gas to be ejected or the air volume.

本実施の形態の加熱部13は、フラックス残渣20を加熱する機能と、気体の圧力にてフラックス残渣を流動させる機能とを兼ね備えた1つの部材で構成されている。加熱部13は、たとえばエアヒータなどを用いることができる。なお、加熱部13から台座11の載置面11aに向けて噴出する気体は空気に限定されず、たとえば窒素などの不活性ガスであってもよい。   The heating unit 13 of the present embodiment is composed of a single member that has both a function of heating the flux residue 20 and a function of flowing the flux residue with gas pressure. For example, an air heater can be used as the heating unit 13. The gas ejected from the heating unit 13 toward the mounting surface 11a of the base 11 is not limited to air, and may be an inert gas such as nitrogen, for example.

加熱部13は、気体を噴出するための噴出口13aを有している。この噴出口13aは、台座11の載置面11aおよび基板の少なくとも一方に向けて気体を噴出するように構成されている。フラックス残渣20の表面20aが250℃を超えるように加熱できる温度の気体をこの噴出口13aから噴出する。気体の温度は、噴出口13aの形状、噴出口13aとフラックス残渣20の表面までの距離などに応じて決められる。このような気体の温度は、たとえば250℃を超え、700℃以下である。   The heating unit 13 has an ejection port 13a for ejecting gas. The ejection port 13a is configured to eject gas toward at least one of the mounting surface 11a of the base 11 and the substrate. A gas having a temperature capable of being heated so that the surface 20a of the flux residue 20 exceeds 250 ° C. is ejected from the ejection port 13a. The temperature of the gas is determined according to the shape of the ejection port 13a, the distance between the ejection port 13a and the surface of the flux residue 20, and the like. The temperature of such a gas is, for example, more than 250 ° C. and 700 ° C. or less.

加熱部13は、フラックス残渣を台座11の載置面11aよりも下方(本実施の形態では台座11の側面)に向けて短時間で流動させるような風量および風圧の気体を噴出できるような構成であることが好ましい。このような加熱部13の構成として、たとえば0.3MPa程度の風圧で、15L/分程度の風量の気体を噴出できるような構成が挙げられる。   The heating unit 13 is configured to be able to eject a gas having an air volume and a wind pressure that allows the flux residue to flow in a shorter time than the mounting surface 11a of the base 11 (in the present embodiment, the side surface of the base 11). It is preferable that An example of the configuration of the heating unit 13 is a configuration in which a gas having an air volume of about 15 L / min can be ejected at a wind pressure of about 0.3 MPa, for example.

フラックス残渣除去装置10aは、フラックス残渣20の表面の温度を測定するための測定部(図示せず)をさらに備えていることが好ましい。測定部は、熱電対、赤外線サーモグラフィなどを用いることができ、赤外線サーモグラフィが好適に用いられる。赤外線サーモグラフィは、フラックス残渣と非接触で測定できる。このため、フラックス残渣20の表面の温度を正確に測定できる。   It is preferable that the flux residue removing apparatus 10a further includes a measurement unit (not shown) for measuring the temperature of the surface of the flux residue 20. A thermocouple, an infrared thermography, etc. can be used for a measurement part, and an infrared thermography is used suitably. Infrared thermography can be measured without contact with the flux residue. For this reason, the temperature of the surface of the flux residue 20 can be measured accurately.

なお、本実施の形態の加熱部13は、フラックス残渣20を加熱する機能と、気体の圧力にてフラックス残渣を流動させる機能とを有している1つの部材で構成されているが、特にこれに限定されない。このように加熱部13が1つの部材で構成されている場合には、フラックス残渣除去装置10aの構成を簡略化でき、設置に必要なスペースを削減することができる。加熱部13は、たとえば、フラックス残渣を加熱する機能を有する部材と、溶融したフラックス残渣を気体の圧力にて流動させる機能を有する部材とを別部材として有していてもよい。   In addition, although the heating part 13 of this Embodiment is comprised by the one member which has the function to heat the flux residue 20 and the function to flow a flux residue with the pressure of gas, especially this It is not limited to. Thus, when the heating part 13 is comprised with one member, the structure of the flux residue removal apparatus 10a can be simplified and the space required for installation can be reduced. For example, the heating unit 13 may include a member having a function of heating the flux residue and a member having a function of causing the melted flux residue to flow with a gas pressure as separate members.

図2は、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法を説明するための図である。続いて、図2を参照して、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法を説明する。本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法は、フラックスを用いて半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去する方法である。本実施の形態では、台座11の載置面11aに付着しているフラックス残渣20を除去している。   FIG. 2 is a diagram for explaining a flux residue removing method in the present embodiment. Next, the flux residue removal method in the present embodiment will be described with reference to FIG. The flux residue removal method in the present embodiment is a method of removing flux residue generated when soldering is performed using a flux. In the present embodiment, the flux residue 20 attached to the mounting surface 11a of the pedestal 11 is removed.

まず、フラックス残渣20の表面を加熱できるように、かつフラックス残渣20に向けて気体を噴出するように加熱部13を配置する(ステップS1)。本実施の形態では、たとえば図1に示すフラックス残渣除去装置10aを用いる。   First, the heating unit 13 is arranged so that the surface of the flux residue 20 can be heated and gas is ejected toward the flux residue 20 (step S1). In the present embodiment, for example, a flux residue removing apparatus 10a shown in FIG. 1 is used.

次に、加熱部13を用いて、フラックス残渣20の表面が250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣を溶融し、気体により溶融したフラックス残渣20を流動させる(ステップS2)。このステップS2では、フラックス残渣20を、台座11の載置面11aと同一平面よりも下方に移動させる。   Next, the flux residue 20 is melted by heating so that the surface of the flux residue 20 exceeds 250 ° C. by using the heating unit 13, and the flux residue 20 melted by the gas is caused to flow (step S2). In this step S2, the flux residue 20 is moved downward from the same plane as the mounting surface 11a of the base 11.

具体的には、加熱部13において、加熱部13から噴出される気体をフラックス残渣20の表面20aが250℃を超える温度になるように、かつフラックス残渣20が流動するように調整する。次いで、フラックス残渣20が付着した台座11における基板の載置面11aに加熱部13の噴出口13aを近づける。   Specifically, in the heating unit 13, the gas ejected from the heating unit 13 is adjusted so that the surface 20 a of the flux residue 20 has a temperature exceeding 250 ° C. and the flux residue 20 flows. Next, the spout 13a of the heating unit 13 is brought close to the substrate mounting surface 11a of the base 11 to which the flux residue 20 is attached.

その後、加熱部13の噴出口13aをフラックス残渣20の表面20aに向けて、噴出口13aからフラックス残渣20の表面20aに向けて気体を噴出させる。この気体は、フラックス残渣20の表面20aの温度が250℃を超えるように加熱できる温度で、かつフラックス残渣20を流動させる風圧または風量である。このため、フラックス残渣20が加熱されることで、溶融する。250℃を超える温度で溶融したフラックス残渣20の粘度は低いため、流動しやすい状態である。流動しやすい状態のフラックス残渣20に気体を台座11の下方に向けて噴出しているので、フラックス残渣20は容易に下方に移動する。以上より、台座11の載置面11aに付着しているフラックス残渣20を載置面11aから除去することができる。   Thereafter, gas is ejected from the ejection port 13a toward the surface 20a of the flux residue 20 with the ejection port 13a of the heating unit 13 directed toward the surface 20a of the flux residue 20. This gas is at a temperature at which the temperature of the surface 20a of the flux residue 20 can be heated so as to exceed 250 ° C., and has an air pressure or an air volume that causes the flux residue 20 to flow. For this reason, the flux residue 20 is melted by being heated. Since the viscosity of the flux residue 20 melted at a temperature exceeding 250 ° C. is low, the flux residue 20 is easy to flow. Since the gas is ejected toward the lower part of the pedestal 11 in the flux residue 20 in a state of being easy to flow, the flux residue 20 easily moves downward. As described above, the flux residue 20 attached to the mounting surface 11a of the pedestal 11 can be removed from the mounting surface 11a.

なお、フラックス残渣20の表面20aとは、台座11の載置面11a、基板などと接触せず、露出した面である。このフラックス残渣20の表面20aの温度は、たとえば赤外線サーモグラフィにより測定される温度である。   The surface 20a of the flux residue 20 is an exposed surface that does not contact the mounting surface 11a of the pedestal 11 and the substrate. The temperature of the surface 20a of the flux residue 20 is a temperature measured by, for example, infrared thermography.

このステップS2では、フラックス残渣20が250℃を超えるように加熱できる温度の気体を噴出する。気体の温度は、たとえば250℃を超え、700℃以下である。   In this step S2, a gas having a temperature that can be heated so that the flux residue 20 exceeds 250 ° C. is ejected. The gas temperature is, for example, more than 250 ° C. and 700 ° C. or less.

また、フラックス残渣を台座11の側面に向けて短時間で流動させるような風量および風圧の気体を噴出することが好ましい。たとえば0.3MPa程度の風圧で、15L/分程度の風量の気体をフラックス残渣20の表面20aに向けて噴出する。   Moreover, it is preferable to eject a gas having an air volume and a wind pressure that allows the flux residue to flow toward the side surface of the base 11 in a short time. For example, a gas having an air volume of about 15 L / min is blown toward the surface 20 a of the flux residue 20 at a wind pressure of about 0.3 MPa.

以上説明したように、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法は、フラックスを用いて半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去する方法であって、以下の工程を備えている。まず、フラックス残渣20の表面20aを加熱できるように、かつフラックス残渣20に向けて気体を噴出するように加熱部13を配置する(ステップS1)。そして、加熱部13を用いて、フラックス残渣20の表面20aが250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣20を溶融し、気体により溶融したフラックス残渣20を流動させる(ステップS2)。   As described above, the flux residue removal method according to the present embodiment is a method for removing flux residue generated when soldering using a flux, and includes the following steps. First, the heating unit 13 is arranged so that the surface 20a of the flux residue 20 can be heated and the gas is ejected toward the flux residue 20 (step S1). And the flux residue 20 is melt | dissolved by heating so that the surface 20a of the flux residue 20 may exceed 250 degreeC using the heating part 13, and the flux residue 20 fuse | melted with gas is made to flow (step S2).

また、本実施の形態におけるフラックス残渣除去装置10aは、フラックスを用いて基板に半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣20を除去するための装置であって、台座11と、加熱部13とを備えている。台座11は、半田付けを行なう基板を載置するための載置面11aを有している。加熱部13は、台座11の載置面11aおよび基板の少なくとも一方上に付着したフラックス残渣20の表面20aの温度が250℃を超えるように加熱し、かつ溶融したフラックス残渣20を台座11の下方に向けて流動するように気体を発生する。   Moreover, the flux residue removal apparatus 10a in this Embodiment is an apparatus for removing the flux residue 20 generated when soldering to a board | substrate using a flux, Comprising: The base 11 and the heating part 13 are made. I have. The pedestal 11 has a mounting surface 11a for mounting a substrate to be soldered. The heating unit 13 heats the surface 20a of the flux residue 20 attached on at least one of the mounting surface 11a of the pedestal 11 and the substrate so that the temperature exceeds 250 ° C., and the molten flux residue 20 is below the pedestal 11. A gas is generated to flow toward

一般的にフラックスは、ロジンおよび合成樹脂の一方、活性剤などの固形成分を、主溶剤であるアルコール系有機溶剤等に溶解したものである。半田付け時の加熱で、アルコール系有機溶剤は揮発し、固形成分は気化した後、温度の低い周辺部材に触れるとフラックス残渣として固化して付着する。このフラックス残渣として付着した固形成分は、一般的に150〜250℃以下に加熱することで、流動できる状態となる(たとえば上記特許文献2の段落0016参照)。たとえばロジン系フラックスに含まれるロジンは、一般的に80℃前後で軟化し、100℃を超えると溶解する。また、ロジンを250℃以上に加熱すると、炭化水素(CHx:xは任意の正数)、二酸化炭素(CO2)へと分解されるが、炭化水素および二酸化酸素に分解されなかった炭素が炭化し始める。そして、この炭素は、最後には固着し流動しなくなる。このため、従来は、フラックス残渣を250℃を超える温度で加熱できなかった。 In general, the flux is obtained by dissolving a solid component such as an activator in one of rosin and synthetic resin in an alcohol-based organic solvent that is a main solvent. By heating at the time of soldering, the alcoholic organic solvent volatilizes and the solid component is vaporized, and then touches a peripheral member having a low temperature to solidify and adhere as a flux residue. The solid component adhering as the flux residue is in a state of being flowable by heating to 150 to 250 ° C. or less (see, for example, paragraph 0016 of Patent Document 2 above). For example, rosin contained in rosin flux generally softens around 80 ° C. and dissolves above 100 ° C. When rosin is heated to 250 ° C. or higher, it is decomposed into hydrocarbons (CH x : x is an arbitrary positive number) and carbon dioxide (CO 2 ), but carbon that has not been decomposed into hydrocarbons and oxygen dioxide is decomposed. Start to carbonize. And this carbon adheres and stops flowing at the end. For this reason, conventionally, the flux residue could not be heated at a temperature exceeding 250 ° C.

しかし、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置10aによれば、従来のフラックス残渣の加熱温度(150〜250℃)と異なり、フラックス残渣20の表面を250℃を超える温度に加熱している。上述したように、フラックス残渣20の温度が250℃を超えると、フラックス残渣20の分解が始まり、炭化水素および二酸化炭素へ分解されなかった炭素は固着成分となる。フラックス残渣20がこの固着成分を生成する前であれば、フラックス残渣20の表面が250℃を超える温度に加熱されることにより、フラックス残渣20の粘度を下げることができる。フラックス残渣20の粘度が低い程、フラックス残渣20は流動しやすくなる。このため、粘度の下がった状態のフラックス残渣20に気体を噴出することにより、フラックス残渣20が固着成分を生成する前に、溶融したフラックス残渣20を台座11の下方(本実施の形態では側面)に一気に移動することができる。すなわち、フラックス残渣20が固着される前の流動しやすい状態のときに、フラックス残渣20を流動させることにより、フラックス残渣20を除去している。したがって、基板および台座11の載置面11aからフラックス残渣20を短時間で充分に除去することができる。   However, according to the flux residue removal method and the flux residue removal apparatus 10a in the present embodiment, unlike the conventional flux residue heating temperature (150 to 250 ° C.), the surface of the flux residue 20 is heated to a temperature exceeding 250 ° C. is doing. As described above, when the temperature of the flux residue 20 exceeds 250 ° C., the flux residue 20 starts to decompose, and the carbon that has not been decomposed into hydrocarbons and carbon dioxide becomes a fixing component. If the flux residue 20 is before producing this fixing component, the surface of the flux residue 20 is heated to a temperature exceeding 250 ° C., whereby the viscosity of the flux residue 20 can be lowered. The lower the viscosity of the flux residue 20, the easier it is for the flux residue 20 to flow. For this reason, before the flux residue 20 produces | generates an adhering component by blowing out gas to the flux residue 20 of the state where the viscosity fell, the molten flux residue 20 is below the base 11 (in this embodiment, a side surface). You can move at once. In other words, the flux residue 20 is removed by causing the flux residue 20 to flow when the flux residue 20 is easy to flow before the flux residue 20 is fixed. Therefore, the flux residue 20 can be sufficiently removed from the mounting surface 11a of the substrate and the base 11 in a short time.

仮に、フラックス残渣20の表面20aに高温の気体を接触させることで、フラックス残渣20の表面20aの固化が始まった場合であっても、台座11の載置面11aとフラックス残渣20との界面に存在するフラックス残渣20は、軟化または溶融している。このため、この界面のフラックス残渣20は、流動するために充分な溶融状態である。したがって、所定の風圧または風量の気体をフラックス残渣20を吹きかけることにより、フラックス残渣20は台座11の下方に移動する。また、フラックス残渣20の表面20aのみが炭化を始めている場合には、フラックス残渣20をある程度の大きさの塊りで台座11の下方に移動することができる。このため、フラックス残渣20が広範囲に飛び散ることを防止できる。   Even if the surface 20a of the flux residue 20 is brought into contact with the surface 20a of the flux residue 20 and solidification of the surface 20a of the flux residue 20 starts, the interface between the mounting surface 11a of the base 11 and the flux residue 20 is assumed. The existing flux residue 20 is softened or melted. For this reason, the flux residue 20 at this interface is in a molten state sufficient to flow. Therefore, the flux residue 20 moves below the pedestal 11 by spraying the flux residue 20 with a gas having a predetermined wind pressure or air volume. When only the surface 20a of the flux residue 20 starts to be carbonized, the flux residue 20 can be moved below the pedestal 11 in a certain size. For this reason, it is possible to prevent the flux residue 20 from scattering in a wide range.

このように、フラックス残渣20を台座11の載置面11aから除去することにより、台座11に基板を載置したときに、基板と台座11との固着を抑制することができる。このため、基板の破損を抑制することができる。また、台座11からフラックス残渣20が基板に転写されることを抑制することができる。さらに、従来の手作業で行っていたフラックス残渣の除去に比べて、フラックス残渣20を短時間で確実に除去できる。このため、フラックス残渣20の除去に要する時間を削減して、基板の半田付けを行なうことができるので、基板の生産性を向上させることができる。さらには、フラックス残渣20が基板に付着することを防止できるので、基板の外観を良好に維持することができる。   Thus, by removing the flux residue 20 from the mounting surface 11 a of the pedestal 11, when the substrate is placed on the pedestal 11, adhesion between the substrate and the pedestal 11 can be suppressed. For this reason, damage to the substrate can be suppressed. Moreover, it can suppress that the flux residue 20 is transcribe | transferred to a board | substrate from the base 11. FIG. Furthermore, the flux residue 20 can be reliably removed in a short time compared to the removal of the flux residue that has been performed manually. For this reason, since the time required for removing the flux residue 20 can be reduced and the board can be soldered, the productivity of the board can be improved. Furthermore, since the flux residue 20 can be prevented from adhering to the substrate, the appearance of the substrate can be maintained well.

(実施の形態2)
本実施の形態におけるフラックス残渣除去装置は、上述した図1に示す実施の形態1のフラックス残渣除去装置10aと同様である。
(Embodiment 2)
The flux residue removal apparatus in the present embodiment is the same as the flux residue removal apparatus 10a of the first embodiment shown in FIG. 1 described above.

図3は、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法を説明するための図である。本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法は、基本的には実施の形態1におけるフラックス残渣除去方法と同様の構成を備えているが、基板30に付着したフラックス残渣20を除去する点において異なる。   FIG. 3 is a diagram for explaining the flux residue removal method in the present embodiment. The flux residue removal method in the present embodiment basically has the same configuration as the flux residue removal method in Embodiment 1, but differs in that the flux residue 20 attached to the substrate 30 is removed.

まず、実施の形態1と同様に、フラックス残渣20の表面20aを加熱できるように、かつフラックス残渣20に向けて気体を噴出する加熱部13を配置する(ステップS1)。   First, similarly to the first embodiment, the heating unit 13 that ejects gas toward the flux residue 20 is arranged so that the surface 20a of the flux residue 20 can be heated (step S1).

次に、加熱部13を用いて、フラックス残渣20の表面20aが250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣20を溶融し、気体により溶融したフラックス残渣20を流動させる(ステップS2)。図3に示すように、基板30の表面にフラックス残渣20が付着している場合には、たとえば以下のようにしてフラックス残渣20を除去する。   Next, the heating unit 13 is used to heat the surface 20a of the flux residue 20 to exceed 250 ° C., thereby melting the flux residue 20 and causing the flux residue 20 melted by the gas to flow (step S2). As shown in FIG. 3, when the flux residue 20 adheres to the surface of the substrate 30, the flux residue 20 is removed as follows, for example.

具体的には、フラックス残渣20が付着した基板30の表面に加熱部13の噴出口13aを近づける。この加熱部13の噴出口13aをフラックス残渣20の表面20aに向けて、噴出口13aからフラックス残渣20の表面20aに向けて気体を噴出させる。この気体は、フラックス残渣20の表面20aの温度が250℃を超えるように加熱できる温度で、かつフラックス残渣20を流動させる風圧または風量である。これにより、フラックス残渣20が加熱されることで、溶融する。また、流動しやすい状態まで溶融したフラックス残渣20に気体を台座11の下方に向けて噴出しているので、フラックス残渣20は基板30の側面および台座11の載置面11aを通って、容易に台座11の側面に移動する。   Specifically, the spout 13a of the heating unit 13 is brought close to the surface of the substrate 30 to which the flux residue 20 is attached. Gas is jetted from the jet port 13a toward the surface 20a of the flux residue 20 with the jet port 13a of the heating unit 13 directed toward the surface 20a of the flux residue 20. This gas is at a temperature at which the temperature of the surface 20a of the flux residue 20 can be heated so as to exceed 250 ° C., and has an air pressure or an air volume that causes the flux residue 20 to flow. Thereby, the flux residue 20 is melted by being heated. Further, since the gas is ejected toward the lower part of the pedestal 11 to the flux residue 20 which has been melted to a state where it can easily flow, the flux residue 20 easily passes through the side surface of the substrate 30 and the mounting surface 11a of the pedestal 11. Move to the side of the base 11.

なお、フラックス残渣20を基板30の側面および台座11の載置面11aに移動する際には、加熱部13の噴出口13aから気体を噴出させる方向、風圧、風量などを適宜変更してもよい。   In addition, when moving the flux residue 20 to the side surface of the substrate 30 and the mounting surface 11a of the pedestal 11, the direction in which the gas is ejected from the ejection port 13a of the heating unit 13, the wind pressure, the air volume, and the like may be appropriately changed. .

以上より、基板30の表面に付着しているフラックス残渣20を基板30の表面から除去することができる。   As described above, the flux residue 20 attached to the surface of the substrate 30 can be removed from the surface of the substrate 30.

なお、これ以外の構成については上述した実施の形態1の構成とほぼ同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。   Since the configuration other than this is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

以上説明したように、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法によれば、フラックス残渣20が基板30に付着している場合であっても、基板30および台座11の載置面11aからフラックス残渣20を短時間で充分に除去することができる。   As described above, according to the flux residue removing method in the present embodiment, even if the flux residue 20 is attached to the substrate 30, the flux residue 20 is removed from the substrate 30 and the mounting surface 11 a of the pedestal 11. Can be sufficiently removed in a short time.

(実施の形態3)
図4は、本発明の一実施の形態におけるフラックス残渣除去装置を概略的に示す側面図である。最初に、図4を参照して、本実施の形態におけるフラックス残渣除去装置について説明する。
(Embodiment 3)
FIG. 4 is a side view schematically showing a flux residue removing apparatus according to an embodiment of the present invention. Initially, with reference to FIG. 4, the flux residue removal apparatus in this Embodiment is demonstrated.

本実施の形態におけるフラックス残渣除去装置10bは、図4に示すように、基本的には実施の形態1と同様の構成を備えているが、加熱部13がレーザ発振部14と気体噴出部15とを含んでいる点において異なる。   As shown in FIG. 4, the flux residue removing apparatus 10 b in the present embodiment basically has the same configuration as that of the first embodiment, but the heating unit 13 includes the laser oscillation unit 14 and the gas ejection unit 15. And is different in that it includes.

レーザ発振部14は、フラックス残渣20の表面20aの温度が250℃を超えるように加熱するレーザ光を発振するように構成されている。レーザ発振部14は、フラックス残渣20の表面20aにレーザ発振部14からレーザを発振できるように、台座11の上方に配置されている。   The laser oscillating unit 14 is configured to oscillate laser light that is heated so that the temperature of the surface 20a of the flux residue 20 exceeds 250 ° C. The laser oscillation unit 14 is disposed above the pedestal 11 so that a laser can be oscillated from the laser oscillation unit 14 on the surface 20 a of the flux residue 20.

気体噴出部15は、気体を噴出するように構成されている。この気体噴出部15は、溶融したフラックス残渣20を容易に流動させることができる風量および風圧の気体を噴出するように構成されている。気体噴出部15は、気体噴出部15からフラックス残渣20の表面20aに向けて気体を噴出できるように、台座11の上方に配置されている。気体噴出部15から噴出する気体は、実施の形態1と同様に、空気、窒素などの不活性ガスなどを用いることができる。   The gas ejection part 15 is configured to eject gas. The gas ejection part 15 is configured to eject a gas having an air volume and a wind pressure that can easily flow the melted flux residue 20. The gas ejection part 15 is disposed above the pedestal 11 so that gas can be ejected from the gas ejection part 15 toward the surface 20 a of the flux residue 20. As in the first embodiment, an inert gas such as air or nitrogen can be used as the gas ejected from the gas ejection section 15.

フラックス残渣除去装置10bは、レーザ発振部14がレーザを発振するときに、気体噴出部15が気体を噴出するように制御する制御部(図示せず)をさらに備えていてもよい。   The flux residue removing apparatus 10b may further include a control unit (not shown) that controls the gas ejection unit 15 to eject gas when the laser oscillation unit 14 oscillates a laser.

続いて、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法について説明する。本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法は、基本的には実施の形態1のフラックス残渣除去方法と同様の構成を備えているが、レーザ発振部14によりフラックス残渣20の表面20aを加熱し、気体噴出部15によりフラックス残渣20を台座11の下方に流動させる点において異なる。   Next, the flux residue removal method in the present embodiment will be described. The flux residue removal method according to the present embodiment basically has the same configuration as the flux residue removal method according to Embodiment 1, but the surface 20a of the flux residue 20 is heated by the laser oscillation unit 14 to generate gas. The point which makes the flux residue 20 flow below the base 11 by the ejection part 15 is different.

まず、フラックス残渣20の表面の温度が250℃を超えるように加熱し、かつ気体を噴出する加熱部13を配置する(ステップS1)。本実施の形態では、たとえば図4に示すフラックス残渣除去装置10bを用いる。   First, the heating unit 13 that heats the surface of the flux residue 20 to exceed 250 ° C. and ejects gas is disposed (step S1). In the present embodiment, for example, a flux residue removing apparatus 10b shown in FIG. 4 is used.

次に、加熱部13を用いて、フラックス残渣20の表面が250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣20を溶融し、気体により溶融したフラックス残渣20を流動させる(ステップS2)。図4に示すように、台座11の載置面11aにフラックス残渣20が付着している場合には、たとえば以下のようにしてフラックス残渣20を除去する。   Next, the heating unit 13 is used to heat the surface of the flux residue 20 so as to exceed 250 ° C., thereby melting the flux residue 20 and causing the flux residue 20 melted by the gas to flow (step S2). As shown in FIG. 4, when the flux residue 20 has adhered to the mounting surface 11a of the base 11, for example, the flux residue 20 is removed as follows.

具体的には、レーザ発振部14をフラックス残渣20の表面20aが250℃を超える温度になるようにレーザパワーを調整する。気体噴出部15を溶融したフラックス残渣20が流動するように風量および風圧を調整する。次いで、フラックス残渣20が付着した台座11における基板の載置面11aに加熱部13を構成するレーザ発振部14および気体噴出部15を近づける。   Specifically, the laser power of the laser oscillation unit 14 is adjusted so that the surface 20a of the flux residue 20 exceeds 250 ° C. The air volume and the wind pressure are adjusted so that the flux residue 20 melted in the gas ejection portion 15 flows. Next, the laser oscillation unit 14 and the gas ejection unit 15 constituting the heating unit 13 are brought close to the substrate placement surface 11a of the base 11 on which the flux residue 20 is adhered.

その後、レーザ発振部14からフラックス残渣20の表面20aにレーザを発振して、フラックス残渣20の表面20aが250℃を超える温度になるように加熱する。これにより、フラックス残渣20は溶融する。また、気体噴出部15からフラックス残渣20の表面20aに向けて気体を噴出する。これにより、溶融したフラックス残渣20が台座11の下方に向けて流動する。   Thereafter, a laser is oscillated from the laser oscillation unit 14 to the surface 20a of the flux residue 20 to heat the surface 20a of the flux residue 20 to a temperature exceeding 250 ° C. Thereby, the flux residue 20 melts. Further, gas is ejected from the gas ejection part 15 toward the surface 20 a of the flux residue 20. Thereby, the melted flux residue 20 flows toward the lower side of the base 11.

以上より、台座11の載置面11aに付着しているフラックス残渣20を載置面11aから除去することができる。   As described above, the flux residue 20 attached to the mounting surface 11a of the pedestal 11 can be removed from the mounting surface 11a.

なお、これ以外の構成については上述した実施の形態1の構成とほぼ同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。   Since the configuration other than this is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

また、本実施の形態のフラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置10bは、実施の形態1だけでなく実施の形態2にも適用することができる。   Further, the flux residue removing method and the flux residue removing apparatus 10b of the present embodiment can be applied not only to the first embodiment but also to the second embodiment.

以上説明したように、本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置10bは、加熱部13は、フラックス残渣20の表面20aの温度が250℃を超えるように加熱するレーザ光を発振するためのレーザ発振部14と、気体を噴出するための気体噴出部15とを含んでいる。   As described above, in the flux residue removal method and the flux residue removal apparatus 10b in the present embodiment, the heating unit 13 oscillates the laser beam that heats the surface 20a of the flux residue 20 so that the temperature exceeds 250 ° C. The laser oscillation part 14 for this and the gas ejection part 15 for ejecting gas are included.

本実施の形態におけるフラックス残渣除去方法およびフラックス残渣除去装置10bによれば、加熱部13は、フラックス残渣20を加熱する機能を有するレーザ発振部14と、溶融したフラックス残渣20を噴出する気体の圧力または風量にて流動させる機能を有する気体噴出部15とを別部材として有している。このため、フラックス残渣20の表面20aの温度およびフラックス残渣20を流動させるための気体の圧力または風量を調整しやすい部材をそれぞれ用いることができる。したがって、フラックス残渣20の流動状態を容易に制御できる。よって、基板および台座11の載置面11aからフラックス残渣20を短時間で充分に除去することができる。   According to the flux residue removal method and the flux residue removal apparatus 10b in the present embodiment, the heating unit 13 includes the laser oscillation unit 14 having a function of heating the flux residue 20 and the pressure of the gas that ejects the melted flux residue 20 Or it has the gas ejection part 15 which has the function made to flow with an air volume as a separate member. For this reason, the member which is easy to adjust the temperature of the surface 20a of the flux residue 20 and the pressure of the gas for flowing the flux residue 20 or an air volume can be used, respectively. Therefore, the flow state of the flux residue 20 can be easily controlled. Therefore, the flux residue 20 can be sufficiently removed from the mounting surface 11a of the substrate and the base 11 in a short time.

本実施例では、フラックス残渣の表面が250℃を超えるように加熱してフラックス残渣を溶融し、溶融したフラックス残渣に向けて気体を噴出することによりフラックス残渣を流動させることの効果について調べた。   In this example, the effect of flowing the flux residue by heating the surface of the flux residue to exceed 250 ° C. to melt the flux residue and jetting gas toward the melted flux residue was examined.

具体的には、ロジンを主成分とするロジン系フラックスを用いて基板に半田付けをした。半田付け終了後には、図3に示すように基板30の表面に、ロジンを主成分とするフラックス残渣20が付着した。基板30において付着したフラックス残渣20は、長辺が15mmで短辺が8mmの長方形の平面形状を有していた。   Specifically, the substrate was soldered using a rosin flux mainly composed of rosin. After completion of the soldering, as shown in FIG. 3, the flux residue 20 mainly composed of rosin adhered to the surface of the substrate 30. The flux residue 20 adhered on the substrate 30 had a rectangular planar shape having a long side of 15 mm and a short side of 8 mm.

そこで、フラックス残渣20の表面20aを加熱できるように、かつフラックス残渣20に向けて気体を噴出する加熱部を配置した(ステップS1)。ステップS1では、実施の形態1および2における図1に示すフラックス残渣除去装置10aを用いた。加熱部13の噴出口13aの口径を4mmとした。   Therefore, a heating unit that ejects gas toward the flux residue 20 is arranged so that the surface 20a of the flux residue 20 can be heated (step S1). In step S1, the flux residue removal apparatus 10a shown in FIG. 1 in Embodiments 1 and 2 was used. The diameter of the ejection port 13a of the heating unit 13 was 4 mm.

次に、加熱部13を用いて、フラックス残渣20の表面20aが250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣20を溶融し、気体により溶融したフラックス残渣20を流動させた(ステップS2)。   Next, by using the heating unit 13, the flux residue 20 was melted by heating so that the surface 20a of the flux residue 20 exceeded 250 ° C., and the melted flux residue 20 was made to flow (step S2).

ステップS2では、フラックス残渣20が付着した基板30の表面に加熱部13の噴出口13aを近づけた。このとき、フラックス残渣20の表面20aと加熱部13の噴出口13aとの距離は5mmであった。この加熱部13の噴出口13aをフラックス残渣20の表面20aに向けた。加熱部13の噴出口13aにおいて700℃の温度と、0.3MPaの圧力と、15L/分の風量を有する気体を、噴出口13aからフラックス残渣20の表面20aに向けて噴出した。   In step S2, the jet nozzle 13a of the heating unit 13 was brought close to the surface of the substrate 30 to which the flux residue 20 was adhered. At this time, the distance between the surface 20a of the flux residue 20 and the spout 13a of the heating unit 13 was 5 mm. The outlet 13 a of the heating unit 13 was directed to the surface 20 a of the flux residue 20. A gas having a temperature of 700 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and an air volume of 15 L / min was ejected from the ejection port 13 a toward the surface 20 a of the flux residue 20 at the ejection port 13 a of the heating unit 13.

なお、加熱部13の噴出口13aとフラックス残渣20との距離と、加熱部13から噴出される気体の温度、圧力および風量とから、フラックス残渣20の表面20aの温度は250℃を超えていたことは明らかである。   In addition, the temperature of the surface 20a of the flux residue 20 exceeded 250 ° C. from the distance between the ejection port 13a of the heating unit 13 and the flux residue 20 and the temperature, pressure, and air volume of the gas ejected from the heating unit 13. It is clear.

この結果、フラックス残渣20を台座11の側面に移動させることができ、基板30および台座11の載置面11aには、フラックス残渣が残らなかった。なお、加熱部によりフラックス残渣が溶融したときの粘度は、1000cPであった。また、フラックス残渣を台座11の側面に流動するために要した時間は3秒であった。   As a result, the flux residue 20 can be moved to the side surface of the base 11, and no flux residue remains on the substrate 30 and the mounting surface 11 a of the base 11. The viscosity when the flux residue was melted by the heating unit was 1000 cP. Further, the time required for the flux residue to flow to the side surface of the base 11 was 3 seconds.

以上より、本実施例によれば、フラックス残渣20の表面20aが250℃を超えるように加熱することでフラックス残渣20を流動しやすい状態にまで溶融し、噴出した気体により溶融したフラックス残渣20を流動させることにより、基板30および台座11の載置面11aからフラックス残渣20を短時間で充分に除去することができることが確認できた。   As described above, according to the present embodiment, the flux residue 20 is melted to a state in which the flux residue 20 is easy to flow by heating so that the surface 20a of the flux residue 20 exceeds 250 ° C. It was confirmed that the flux residue 20 can be sufficiently removed from the substrate 30 and the mounting surface 11a of the base 11 in a short time by flowing.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is shown not by the above-described embodiment but by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

本発明の実施の形態1におけるフラックス残渣除去装置を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows roughly the flux residue removal apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1におけるフラックス残渣除去方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the flux residue removal method in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2におけるフラックス残渣除去方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the flux residue removal method in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態3におけるフラックス残渣除去装置を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows roughly the flux residue removal apparatus in Embodiment 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10a,10b フラックス残渣除去装置、11 台座、11a 載置面、13 加熱部、13a 噴出口、14 レーザ発振部、15 気体噴出部、20 フラックス残渣、20a 表面、30 基板。   10a, 10b Flux residue removal device, 11 pedestal, 11a mounting surface, 13 heating unit, 13a ejection port, 14 laser oscillation unit, 15 gas ejection unit, 20 flux residue, 20a surface, 30 substrate.

Claims (4)

フラックスを用いて半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去する方法であって、
前記フラックス残渣の表面を加熱できるように、かつ前記フラックス残渣に向けて気体を噴出するように加熱部を配置する工程と、
前記加熱部を用いて、前記フラックス残渣の前記表面が250℃を超えるように加熱することで前記フラックス残渣を溶融し、前記気体により溶融した前記フラックス残渣を流動させる工程とを備えた、フラックス残渣除去方法。
A method for removing flux residue generated when soldering using flux,
A step of arranging a heating unit so that the surface of the flux residue can be heated and a gas is ejected toward the flux residue;
A flux residue comprising a step of using the heating unit to melt the flux residue by heating so that the surface of the flux residue exceeds 250 ° C., and causing the flux residue melted by the gas to flow. Removal method.
前記加熱部は、前記フラックス残渣の表面の温度が250℃を超えるように加熱するレーザ光を発振するためのレーザ発振部と、前記気体を噴出するための気体噴出部とを含む、請求項1に記載のフラックス残渣除去方法。   The said heating part contains the laser oscillation part for oscillating the laser beam heated so that the temperature of the surface of the said flux residue exceeds 250 degreeC, and the gas ejection part for ejecting the said gas. The flux residue removal method as described in 1 .. フラックスを用いて基板に半田付けを行なう際に発生するフラックス残渣を除去するための装置であって、
半田付けを行なう基板を載置するための載置面を有する台座と、
前記台座の前記載置面および前記基板の少なくとも一方上に付着した前記フラックス残渣の表面の温度が250℃を超えるように加熱し、かつ溶融した前記フラックス残渣を前記台座の下方に向けて流動するように気体を噴出する加熱部とを備えた、フラックス残渣除去装置。
An apparatus for removing a flux residue generated when soldering a substrate using a flux,
A pedestal having a mounting surface for mounting a substrate to be soldered;
The temperature of the surface of the flux residue adhering to at least one of the mounting surface and the substrate of the pedestal is heated so as to exceed 250 ° C., and the melted flux residue flows downwardly of the pedestal. The flux residue removal apparatus provided with the heating part which ejects gas like this.
前記加熱部は、前記フラックス残渣の表面の温度が250℃を超えるように加熱するレーザ光を発振するためのレーザ発振部と、前記気体を噴出するための気体噴出部とを含む、請求項3に記載のフラックス残渣除去装置。   The said heating part contains the laser oscillation part for oscillating the laser beam heated so that the temperature of the surface of the said flux residue exceeds 250 degreeC, and the gas ejection part for ejecting the said gas. The flux residue removal apparatus described in 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101382756B1 (en) * 2012-05-10 2014-04-08 주식회사 포스코 Treatment unit for welding material and apparatus having thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03114653A (en) * 1989-09-27 1991-05-15 Taiyo Yuden Co Ltd Method for removing flux
JPH0660171U (en) * 1993-01-13 1994-08-19 河村電器産業株式会社 Flux applicator
JP2000332153A (en) * 1999-05-24 2000-11-30 Enya System:Kk Method for cleaning solder bump forming surface of wafer-level csp

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03114653A (en) * 1989-09-27 1991-05-15 Taiyo Yuden Co Ltd Method for removing flux
JPH0660171U (en) * 1993-01-13 1994-08-19 河村電器産業株式会社 Flux applicator
JP2000332153A (en) * 1999-05-24 2000-11-30 Enya System:Kk Method for cleaning solder bump forming surface of wafer-level csp

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101382756B1 (en) * 2012-05-10 2014-04-08 주식회사 포스코 Treatment unit for welding material and apparatus having thereof

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