JP2009205187A - Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and memory control method - Google Patents

Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and memory control method Download PDF

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敬 小笠原
Daisuke Kunimune
大介 国宗
Masahiro Nakanishi
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve high speed access and power saving by reducing the capacity of an RAM for storing a program to correspond to a plurality of types of flash memories by making programmable the processing of an interface unit to a flash memory. <P>SOLUTION: A program download unit 107 downloads, in accordance with a selecting instruction of a program selecting unit 105, a program to be performed by a memory interface unit 103, selectively from a nonvolatile memory 140 so that it is possible to reduce the capacity of an RAM 104. The download of the program is performed by the program download unit 107 in parallel with the processing in a control unit 102 so that any time overhead can be made unnecessary for the download. In accordance with a command from a host 160, the necessary program is selected so that it is not necessary to download any unnecessary program every time, and thereby it is possible to attain power saving. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリを主記憶メモリとして備える半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置、及びそれに内蔵されるメモリコントローラに関するものである。さらに、不揮発性記憶装置にアクセス装置を構成要件として加えた不揮発性記憶システム、ならびにメモリ制御方法も含む。   The present invention relates to a nonvolatile memory device such as a semiconductor memory card including a nonvolatile memory such as a flash memory as a main memory, and a memory controller built in the nonvolatile memory device. Further, a nonvolatile storage system in which an access device is added to the nonvolatile storage device as a constituent element, and a memory control method are also included.

書き換え可能な不揮発性メモリを備える不揮発性記憶装置は、半導体メモリカードを中心にその需要が広まっている。半導体メモリカードは、光ディスクやテープメディアなどと比較して非常に高価格なものではあるが、小型・軽量・耐震性・取り扱いの簡便さ等のメリットにより、デジタルスチルカメラや動画記録機器などのAV機器や携帯電話などの通信機器を中心その需要が広まってきている。   The demand for nonvolatile memory devices including a rewritable nonvolatile memory is increasing, especially for semiconductor memory cards. Semiconductor memory cards are very expensive compared to optical discs and tape media, but due to their merits such as small size, light weight, earthquake resistance, and easy handling, AV such as digital still cameras and video recording devices The demand for communication devices such as devices and mobile phones is increasing.

この半導体メモリカードは、不揮発性の主記憶メモリとしてフラッシュメモリを備え、それを制御するメモリコントローラを有している。メモリコントローラは、デジタルスチルカメラ本体等のアクセス装置からの読み書き指示に応じて、フラッシュメモリに対する読み書き制御を行うものとなっている。   This semiconductor memory card includes a flash memory as a nonvolatile main memory, and has a memory controller for controlling the flash memory. The memory controller performs read / write control on the flash memory in response to a read / write instruction from an access device such as a digital still camera body.

このような半導体メモリカードに記録するAVコンテンツの高品質化のニーズに伴い、近年フラッシュメモリの大容量化と低コスト化が急速に進んでいる。具体的にはフラッシュメモリに内蔵されるメモリセルアレイに対するメモリセルアレイの周辺回路の占有面積を削減するために、消去単位である物理ブロックのサイズが、例えば、256kバイトや512kバイトなどと、年々大きくなってきている。   In accordance with the need for higher quality AV content recorded on such a semiconductor memory card, in recent years, the capacity and cost of flash memories have been rapidly increasing. Specifically, in order to reduce the area occupied by the peripheral circuit of the memory cell array with respect to the memory cell array built in the flash memory, the size of the physical block, which is an erase unit, increases year by year, for example, 256 kbytes or 512 kbytes. It is coming.

また、ひとつのメモリセルに記憶できる情報量を1ビットから多ビットに増加させる工夫もなされている。例えば、前者は2値NANDフラッシュメモリ、後者は多値NANDフラッシュメモリに代表される。多値NANDフラッシュメモリは2値NANDフラッシュメモリよりも低コストであるが、その反面アクセス速度が遅いあるいは信頼性が悪いなどのデメリットを有しているため、例えば高速性や高信頼性が求められる用途においては依然として2値NANDフラッシュメモリが使用されている。   There is also a device for increasing the amount of information that can be stored in one memory cell from 1 bit to multiple bits. For example, the former is represented by a binary NAND flash memory, and the latter is represented by a multi-value NAND flash memory. A multi-level NAND flash memory is less expensive than a binary NAND flash memory, but has disadvantages such as a slow access speed or poor reliability. For example, high speed and high reliability are required. In applications, binary NAND flash memories are still used.

このような状況に鑑み、様々な種類のフラッシュメモリに対応できる汎用性に富んだメモリの制御方法の実現が望まれる。例えば、フラッシュメモリ上にメモリコントローラ内部のメモリインターフェイス部の処理を記述したプログラムを予め記憶しておき、電源投入時にフラッシュメモリからメモリコントローラ内部のRAMに該プログラムをダウンロードして使用するようになっている。この技術を使うことにより、半導体メモリカードに実装するフラッシュメモリの品種が変わってもプログラムを書き替えることによって簡単に対応することができる商品寿命の長い半導体メモリカードが実現でできるため、半導体メモリカードに関わるコストを合理化することが可能となる。   In view of such a situation, it is desired to realize a versatile memory control method that can support various types of flash memories. For example, a program describing the processing of the memory interface unit in the memory controller is stored in advance in the flash memory, and the program is downloaded from the flash memory to the RAM in the memory controller and used when the power is turned on. Yes. By using this technology, it is possible to realize a semiconductor memory card with a long product life that can be easily handled by rewriting the program even if the type of flash memory mounted on the semiconductor memory card changes. It is possible to rationalize the costs related to

なお、上記の関連技術としては、特許文献1のようにマイクロコントローラの機能拡張方式が知られている。
特開2003−58377号公報
As the above-mentioned related technology, a function expansion method of a microcontroller is known as in Patent Document 1.
JP 2003-58377 A

しかしながら、前述した従来のメモリインターフェイス部のプログラムをダウンロードする方法では、メモリインターフェイス部のプログラム全てを保持するRAMが必要になる。   However, the conventional method for downloading the program of the memory interface unit described above requires a RAM that holds all the programs of the memory interface unit.

そこで本発明は上記問題点に鑑み、メモリインターフェイス部のプログラムを選択的にダウンロードすることによりRAMの容量を削減しメモリコントローラのコストを削減することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to reduce the capacity of a RAM and the cost of a memory controller by selectively downloading a program of a memory interface unit.

前記目的を達成するため、本発明においては以下の技術的手段を講じた。   In order to achieve the above object, the present invention takes the following technical means.

すなわち、本発明における技術的手段は、不揮発性メモリへのデータの書き込みおよび該不揮発性メモリからのデータの読み出しを行うメモリコントローラであって、外部との通信を行うホストインターフェイス部と、メモリコントローラの各部の動作を制御するコントロール部と、前記不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリインターフェイス部とを備え、前記コントロール部は、前記メモリインターフェイス部に対して該メモリインターフェイス部の読み書き制御に必要なプログラムの選択指示を行うプログラム選択部を有し、前記メモリインターフェイス部は、前記選択指示に応じて前記不揮発性メモリから前記プログラムを選択的にダウンロードするプログラムダウンロード部を有し、ダウンロードした前記プログラムをRAMに保持することを特徴とする。   That is, the technical means in the present invention is a memory controller that writes data to the nonvolatile memory and reads data from the nonvolatile memory, the host interface unit that communicates with the outside, and the memory controller A control unit that controls the operation of each unit; and a memory interface unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, wherein the control unit is a program necessary for read / write control of the memory interface unit with respect to the memory interface unit. The memory interface unit has a program download unit that selectively downloads the program from the nonvolatile memory in response to the selection instruction, and the downloaded program is stored in the RA. Characterized by holding the.

また、本発明における技術的手段は、不揮発メモリと、前記不揮発性メモリに対するデータの書き込みおよび読み出しを行うメモリコントローラとを有する不揮発性記憶装置であって、前記メモリコントローラは、外部との通信を行うホストインターフェイス部と、メモリコントローラの各部の動作を制御するコントロール部と、前記不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリインターフェイス部とを備え、前記コントロール部は、前記メモリインターフェイス部に対して該メモリインターフェイス部の読み書き制御に必要なプログラムの選択指示を行うプログラム選択部を有し、前記メモリインターフェイス部は、前記選択指示に応じて前記不揮発性メモリから前記プログラムを選択的にダウンロードするプログラムダウンロード部を有し、ダウンロードした前記プログラムをRAMに保持することを特徴とする。   The technical means in the present invention is a nonvolatile memory device having a nonvolatile memory and a memory controller for writing and reading data to and from the nonvolatile memory, and the memory controller communicates with the outside. A host interface unit; a control unit that controls the operation of each unit of the memory controller; and a memory interface unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, the control unit including the memory interface unit with respect to the memory interface unit A program selection unit for instructing selection of a program necessary for read / write control of the unit, and the memory interface unit includes a program download unit for selectively downloading the program from the nonvolatile memory in accordance with the selection instruction. And, characterized by holding the program downloaded to the RAM.

また、本発明における技術的手段は、ホスト機器と、前記ホスト機器と接続される不揮発性記憶装置とを有する不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性記憶装置は、不揮発メモリと、前記不揮発性メモリに対するデータの書き込みおよび読み出しを行うメモリコントローラとを有し、前記メモリコントローラは、前記ホスト機器との通信を行うホストインターフェイス部と、メモリコントローラの各部の動作を制御するコントロール部と、前記不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリインターフェイス部とを備え、前記コントロール部は、前記メモリインターフェイス部に対して該メモリインターフェイス部の読み書き制御に必要なプログラムの選択指示を行うプログラム選択部を有し、前記メモリインターフェイス部は、前記選択指示に応じて前記不揮発性メモリから前記プログラムを選択的にダウンロードするプログラムダウンロード部を有し、ダウンロードした前記プログラムをRAMに保持することを特徴とする。   The technical means in the present invention is a nonvolatile storage system having a host device and a nonvolatile storage device connected to the host device, wherein the nonvolatile storage device includes a nonvolatile memory and the nonvolatile storage device. A memory controller that writes and reads data to and from the memory, and the memory controller includes a host interface unit that communicates with the host device, a control unit that controls the operation of each unit of the memory controller, and the nonvolatile memory A memory interface unit that performs read / write control on the memory, and the control unit includes a program selection unit that instructs the memory interface unit to select a program necessary for read / write control of the memory interface unit, The memory interface unit is It has selectively a program download unit for downloading the program from the nonvolatile memory in accordance with the-option indication, characterized by holding the program downloaded to the RAM.

なお、前記プログラム選択部は、外部から指定された命令の種類あるいは動作モードのいずれかに応じて前記プログラムを選択することが好ましい。   It is preferable that the program selection unit selects the program according to either the type of instruction designated from the outside or the operation mode.

また、本発明における技術的手段は、不揮発性メモリに対するメモリ制御方法であって、データの読み書き命令に応じて、前記不揮発性メモリからデータの読み書きを実行するプログラムを該不揮発性メモリから選択的に読み出し、読み出した前記プログラムをRAMにダウンロードを行うダウンロード処理を、他の処理と並行して実行することを特徴とする。   Further, the technical means in the present invention is a memory control method for a nonvolatile memory, wherein a program for executing data reading / writing from the nonvolatile memory is selectively selected from the nonvolatile memory in accordance with a data reading / writing command. A download process for reading and downloading the read program to the RAM is executed in parallel with other processes.

なお、データの読み書き命令またはメモリコントローラの動作によって前記不揮発性メモリのプログラムを選択することが好ましい。   Preferably, the nonvolatile memory program is selected by a data read / write instruction or a memory controller operation.

本発明によれば、プログラムダウンロード部がプログラム選択部の選択指示に応じてプログラムを選択的にダウンロードするので、RAMの容量を削減することができる。   According to the present invention, since the program download unit selectively downloads a program in accordance with a selection instruction from the program selection unit, the capacity of the RAM can be reduced.

さらに、コントロール部が、各部の動作の制御と並行して、プログラムのダウンロードを実行するので、ダウンロードに要する時間的オーバーヘッドを減らすことができる。   Furthermore, since the control unit executes the program download in parallel with the control of the operation of each unit, the time overhead required for the download can be reduced.

さらに、外部から指定された命令の種類あるいは動作モードのいずれかに応じて必要なプログラムを選択してダウンロードするようにしたので、毎回全てのプログラムをダウンロードする必要がなく、結果的に省電力を実現することができる。   Furthermore, since the necessary programs are selected and downloaded according to either the type of instruction or the operation mode specified from the outside, it is not necessary to download all the programs every time, resulting in power saving. Can be realized.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態における不揮発性記憶システムの主要構成を示すブロック図である。本実施の形態による不揮発性記憶システムは、ホスト機器(以下、ホスト)160と、不揮発性記憶装置150から構成される。ホスト160と不揮発性記憶装置150はバス1により接続される。
(Embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a nonvolatile storage system according to an embodiment of the present invention. The nonvolatile storage system according to the present embodiment includes a host device (hereinafter referred to as a host) 160 and a nonvolatile storage device 150. The host 160 and the nonvolatile storage device 150 are connected by the bus 1.

不揮発性記憶装置150は、メモリコントローラ100と不揮発性メモリ110を含む。メモリコントローラ100は、バス1を介してホスト160と通信を行なうホストインターフェイス部101、コントロール部102、バス2を介して不揮発性メモリ110と通信を行なうメモリインターフェイス部103、RAM104を含む。また、コントロール部102はプログラム選択部105、論理物理変換テーブル106を含み、メモリインターフェイス部103はプログラムダウンロード部107を含む。また、不揮発性メモリ110は、プログラム領域120、通常領域140から構成され、通常領域140はテーブル領域130を含む。   The nonvolatile storage device 150 includes a memory controller 100 and a nonvolatile memory 110. The memory controller 100 includes a host interface unit 101 that communicates with the host 160 via the bus 1, a control unit 102, a memory interface unit 103 that communicates with the nonvolatile memory 110 via the bus 2, and a RAM 104. The control unit 102 includes a program selection unit 105 and a logical / physical conversion table 106, and the memory interface unit 103 includes a program download unit 107. The nonvolatile memory 110 includes a program area 120 and a normal area 140, and the normal area 140 includes a table area 130.

プログラム領域120には、製品出荷前にメモリインターフェイス部103の処理内容を記述したプログラムを予め書き込んでおく。このプログラムは、例えば、第1の処理プログラム121、第2の処理プログラム122、第3の処理プログラム123である。ここで、これらプログラムをプログラム領域120に書き込む際には、先頭バイトに番号を付与して書き込みを行う。   In the program area 120, a program describing the processing contents of the memory interface unit 103 is written in advance before product shipment. This program is, for example, a first processing program 121, a second processing program 122, and a third processing program 123. Here, when writing these programs into the program area 120, writing is performed with a number assigned to the first byte.

論理物理変換テーブル106は、コントロール部102内のRAMに一時記憶され、ホスト160からの書き込みや消去コマンドによるデータの書き込みや消去が行われた後に更新され、テーブル領域130に書き戻されるものである。   The logical-physical conversion table 106 is temporarily stored in the RAM in the control unit 102, updated after data is written or erased by a write or erase command from the host 160, and is written back to the table area 130. .

図2は、本発明の実施の形態における不揮発性記憶システムの処理内容を示すフローチャートである。   FIG. 2 is a flowchart showing the processing contents of the nonvolatile storage system according to the embodiment of the present invention.

図3は、本発明の実施の形態における不揮発性記憶システムの処理内容を示すタイムチャートである。   FIG. 3 is a time chart showing processing contents of the nonvolatile memory system according to the embodiment of the present invention.

図4は、メモリインターフェイス部103の読み出し処理内容を示すフローチャート、図5は、メモリインターフェイス部103の書き込み処理内容を示すフローチャート、図6は、メモリインターフェイス部103の消去処理内容を示すフローチャートである。   4 is a flowchart showing the contents of read processing of the memory interface unit 103, FIG. 5 is a flowchart showing contents of write processing of the memory interface unit 103, and FIG. 6 is a flowchart showing contents of erase processing of the memory interface unit 103.

以上のように構成された不揮発性記憶システムについて、図2を用いて動作を説明する。   The operation of the nonvolatile storage system configured as described above will be described with reference to FIG.

まず、ホスト160がホストインターフェイス部101にコマンドを送信し(S200)、ホストインターフェイス部101がコマンドを受信し(S201)、ホストインターフェイス部101が受信したコマンドから動作モードを決定する(S202)。   First, the host 160 transmits a command to the host interface unit 101 (S200), the host interface unit 101 receives the command (S201), and determines the operation mode from the command received by the host interface unit 101 (S202).

ここで、表1を用いてS202の処理について詳細に説明する。動作モードはホスト160から送信されるコマンドの種類により初期化、通常動作の2種類に分別される。またプログラム領域120での先頭バイトの値は、読み出しの場合が0x01、書き込みの場合が0x02、消去の場合が0x03とする。   Here, the processing of S202 will be described in detail using Table 1. The operation mode is classified into two types of initialization and normal operation according to the type of command transmitted from the host 160. The value of the first byte in the program area 120 is 0x01 for reading, 0x02 for writing, and 0x03 for erasing.

Figure 2009205187
Figure 2009205187

初期化とは、不揮発性記憶装置150の電源立ち上げ直後にホスト160から受信した初期化コマンドに応じて、メモリインターフェイス部103がテーブル領域130からコントロール部102内のRAMに論理物理変換テーブル106を読み出す等の動作を実施し、データの読み出しや書き込みを実行可能な状態にすることを言う。一方、通常動作とは、初期化の後にホスト160からのコマンドに応じてメモリインターフェイス部103が通常領域140に対して書き込みまたは読み出しまたは消去を行う動作のことを言う。   Initialization means that the memory interface unit 103 loads the logical-physical conversion table 106 from the table area 130 to the RAM in the control unit 102 in accordance with an initialization command received from the host 160 immediately after the power of the nonvolatile storage device 150 is turned on. This refers to performing an operation such as reading and making data ready to be read or written. On the other hand, the normal operation is an operation in which the memory interface unit 103 writes, reads, or erases the normal area 140 in accordance with a command from the host 160 after initialization.

読み出しについて、図4のフローチャートを用いて説明する。   Reading will be described with reference to the flowchart of FIG.

読み出しとは、ホスト160から指定された論理アドレスに対応する通常領域140内の物理アドレスに記録されたデータを読み出す動作である。メモリインターフェイス部103は不揮発性メモリ110にアドレス入力命令を送信し(S400)、物理アドレスを出力し(S401)、最後に読み出し開始命令を送信(S402)することにより読み出しが実行される。   Reading is an operation of reading data recorded at a physical address in the normal area 140 corresponding to a logical address designated by the host 160. The memory interface unit 103 transmits an address input command to the non-volatile memory 110 (S400), outputs a physical address (S401), and finally transmits a read start command (S402), thereby performing reading.

書き込みについて、図5のフローチャートを用いて説明する。   Writing will be described with reference to the flowchart of FIG.

書き込みとは、ホスト160から指定された論理アドレスに対応する通常領域140内の物理アドレスに指定されたデータを書き込む動作である。メモリインターフェイス部103は不揮発性メモリ110にデータ・アドレス入力命令を送信し(S500)、物理アドレスを出力し(S501)、更にデータを出力し(S502)、最後に書き込み開始命令を送信(S503)することによりに書き込みが実行される。   The writing is an operation of writing data designated at a physical address in the normal area 140 corresponding to a logical address designated by the host 160. The memory interface unit 103 transmits a data / address input command to the nonvolatile memory 110 (S500), outputs a physical address (S501), further outputs data (S502), and finally transmits a write start command (S503). By doing so, writing is executed.

消去について、図6のフローチャートを用いて説明する。   The erasure will be described with reference to the flowchart of FIG.

消去とは、ホスト160から指定された論理アドレスに対応する通常領域140内の物理アドレスのデータを通常領域140から消去する動作である。メモリインターフェイス部103は不揮発性メモリ110にアドレス入力命令を送信し(S600)、物理アドレスを出力し(S601)、最後に消去開始命令を送信する(S602)ことによりに消去が実行される。   The erasing is an operation of erasing data of the physical address in the normal area 140 corresponding to the logical address designated by the host 160 from the normal area 140. The memory interface unit 103 transmits an address input command to the non-volatile memory 110 (S600), outputs a physical address (S601), and finally transmits an erase start command (S602) to execute erasure.

図2に戻り、その後の説明を行う。   Returning to FIG. 2, the following description will be given.

ホストインターフェイス部101は、動作モードが通常動作であるか否かの判定を行い(S203)、通常動作であればホストインターフェイス部101がコマンドの引数から論理アドレスを取り出し(S204)、ホストインターフェイス部101がコマンドと論理アドレスをコントロール部102へ送信し(S205)、コントロール部102が論理物理変換テーブル106を用いて論理アドレスを物理アドレスに変換し(S206)、コントロール部102が物理アドレスをメモリインターフェイス部103に送信し(S207)、RAM104上のプログラムに基づいてメモリインターフェイス部103が通常領域140にアクセスする(S213)。   The host interface unit 101 determines whether or not the operation mode is normal operation (S203). If the operation mode is normal operation, the host interface unit 101 extracts a logical address from the command argument (S204). Transmits a command and a logical address to the control unit 102 (S205), the control unit 102 converts the logical address into a physical address using the logical-physical conversion table 106 (S206), and the control unit 102 converts the physical address into the memory interface unit. 103 (S207), and the memory interface unit 103 accesses the normal area 140 based on the program on the RAM 104 (S213).

なお、上述した論理物理変換処理とは、不揮発性メモリ110の書き込み回数の制限(寿命)に対応するためのいわゆるウェアレベリング処理であり、既知の技術を用いて実現することができるので説明を省略する。   The logical-physical conversion process described above is a so-called wear leveling process for dealing with the limit (lifetime) of the number of writes in the nonvolatile memory 110 and can be realized by using a known technique, and thus the description thereof is omitted. To do.

次に、S208からの動作を説明する。S208〜S210は、S202の処理後、S203とは並行して実行されるものである。   Next, the operation from S208 will be described. S208 to S210 are executed in parallel with S203 after the processing of S202.

プログラム選択部105が実行するプログラムを選択する(S208)。   A program to be executed by the program selection unit 105 is selected (S208).

プログラムの選択において、例えば動作モードが初期化であれば前述したプログラム領域120の先頭バイトが0x01である「読み出し」プログラムを選択。動作モードが通常動作であり、コマンドから選択するプログラムが消去であればプログラム領域120の先頭バイトが0x03である「消去」プログラムを選択する。ここでプログラム選択部105は先頭バイト(以降、新規先頭バイトとする)のデータを保持する。   In selecting a program, for example, if the operation mode is initialization, a “read” program in which the first byte of the program area 120 is 0x01 is selected. If the operation mode is normal operation and the program selected from the command is erasure, the “erase” program whose first byte in the program area 120 is 0x03 is selected. Here, the program selection unit 105 holds data of the first byte (hereinafter referred to as a new first byte).

その後、該プログラムがダウンロード未であるか判定を行い(S209)、ダウンロード未ならばプログラムダウンロード部107がプログラム領域120上のプログラムをRAM104にダウンロードする(S210)。   Thereafter, it is determined whether the program has not been downloaded (S209). If the program has not been downloaded, the program download unit 107 downloads the program on the program area 120 to the RAM 104 (S210).

ここで、S209およびS210の処理について、詳細に説明する。まず、プログラムダウンロード部107が既にダウンロードしたプログラムの先頭1バイト(以降、旧先頭バイトとする)をRAM104から取得し保持する。新規先頭バイトと旧先頭バイトのデータを比較する。それらが異なっていればyesと判定し、同じであればnoと判定する。noと判定した場合、S210の処理を実行しない。S209において、例えばホスト160からのコマンドが2回連続で動作モードが通常動作でありプログラムが消去であった場合、2回目はS209の判定はnoとなる。noと判定した場合S210の処理はスキップされるためプログラムをプログラム領域120からダウンロードしない。   Here, the processing of S209 and S210 will be described in detail. First, the first byte of the program already downloaded by the program download unit 107 (hereinafter referred to as the old first byte) is acquired from the RAM 104 and held. Compare the data in the new first byte and the old first byte. If they are different, it is determined as yes, and if they are the same, it is determined as no. If it is determined as no, the process of S210 is not executed. In S209, for example, when the command from the host 160 is continuous twice, the operation mode is normal operation, and the program is erase, the determination of S209 is no for the second time. If it is determined to be no, the process of S210 is skipped, and the program is not downloaded from the program area 120.

なお、S205からS207までの処理をS220し、S208からS210までの処理をS230とする。   Note that the processing from S205 to S207 is S220, and the processing from S208 to S210 is S230.

次に、S203の判定で動作モードが初期化の場合の処理を説明する。   Next, a process when the operation mode is initialization in the determination of S203 will be described.

プログラムがダウンロード済であるかの判定を行い(S211)、ダウンロード済みであれば、コントロール部102がテーブル領域130の論理物理変換テーブル106をコントロール部102内のRAMに読み出す(S212)。   It is determined whether the program has been downloaded (S211). If the program has been downloaded, the control unit 102 reads the logical-physical conversion table 106 in the table area 130 into the RAM in the control unit 102 (S212).

ここで、S211およびS212の処理について詳細に説明する。まず、初期化に必要なプログラムは、表1に示すように「読み出し」となるため、RAM104の先頭バイトを取得し0x01であるかをチェックする。0x01ではなかった場合、判定はnoとなるためもう一度RAM104の先頭バイトを取得して判定を行う。この時、同時にS230の処理が動作している。S230は動作モードが初期化であることから読み出しのプログラムをダウンロードする。このためプログラムのダウンロードが完了するとS211の判定は、yesとなり、S212の処理を行う。   Here, the processing of S211 and S212 will be described in detail. First, since the program necessary for initialization is “read” as shown in Table 1, the first byte of the RAM 104 is acquired and it is checked whether it is 0x01. If it is not 0x01, the determination is no, so the first byte of the RAM 104 is acquired once again and the determination is made. At this time, the process of S230 is simultaneously performed. In S230, since the operation mode is initialization, a read program is downloaded. For this reason, when the download of the program is completed, the determination in S211 is yes, and the process of S212 is performed.

図3を用いてコントロール部102とプログラム選択部105、プログラムダウンロード部107の時間関係について説明する。   The time relationship between the control unit 102, the program selection unit 105, and the program download unit 107 will be described with reference to FIG.

まず、メモリインターフェイス部103は物理アドレスで不揮発性メモリ110にアクセスする。通常動作の場合、ホスト160は論理アドレスで不揮発性記憶装置150にアクセスするため、コントロール部102で論理アドレスを物理アドレスに変換して、物理アドレスをメモリインターフェイス部103に渡す処理を行わなければならない。つまり、メモリインターフェイス部103が不揮発性メモリ110にアクセスするためには、コントロール部102の論理物理変換処理によって物理アドレスを確定しなければならない。   First, the memory interface unit 103 accesses the nonvolatile memory 110 with a physical address. In the case of normal operation, the host 160 accesses the nonvolatile storage device 150 with a logical address, so the control unit 102 must convert the logical address to a physical address and pass the physical address to the memory interface unit 103. . That is, in order for the memory interface unit 103 to access the nonvolatile memory 110, the physical address must be determined by the logical-physical conversion process of the control unit 102.

そこで、コントロール部102の論理物理変換処理の期間を利用して、プログラムダウンロード部107がプログラムのダウンロードを行う。   Therefore, the program download unit 107 downloads the program using the logical-physical conversion process period of the control unit 102.

以上のように、本発明の実施の形態に示す不揮発性記憶システムは、プログラムダウンロード部107がプログラム選択部105の選択指示に応じてプログラムを選択的にダウンロードするので、ROM104の容量を削減することができる。   As described above, the nonvolatile storage system according to the embodiment of the present invention reduces the capacity of the ROM 104 because the program download unit 107 selectively downloads a program in response to a selection instruction from the program selection unit 105. Can do.

また、通常動作の場合、コントロール部102の論理物理変換などの処理に並行してプログラムダウンロード部107のダウンロード処理を行うようにしたので、コントロール部102の処理に要する時間内でダウンロード処理を行うことができる。すなわち、ダウンロードに要する時間的オーバーヘッドが不要になる。   Further, in the normal operation, the download process of the program download unit 107 is performed in parallel with the process such as logical-physical conversion of the control unit 102, so that the download process is performed within the time required for the process of the control unit 102. Can do. That is, the time overhead required for downloading is not required.

また、製品出荷前にメモリインターフェイス部130のプログラムをプログラム領域120に予め書き込んでおき、書き込みの際に先頭バイトに番号を付与することで、プログラム領域120を第1の処理プログラム121、第2の処理プログラム122、第3の処理プログラム123を区別することでプログラム選択部105が選択したプログラムをプログラムダウンロード部107がダウンロードする前にRAM104上のプログラムを比較することができる。これにより比較した結果が違う場合にのみRAM上にダウンロードするという処理が出来る。このようにプログラム領域120からRAM104へのダウンロードを必要最低限にすることで省電力を実現できる。   Further, the program of the memory interface unit 130 is written in advance in the program area 120 before shipping the product, and a number is assigned to the first byte at the time of writing, so that the program area 120 is stored in the first processing program 121 and the second processing program. By distinguishing between the processing program 122 and the third processing program 123, the program on the RAM 104 can be compared before the program download unit 107 downloads the program selected by the program selection unit 105. As a result, the process of downloading to the RAM can be performed only when the comparison results are different. In this way, power saving can be realized by minimizing the download from the program area 120 to the RAM 104.

本発明にかかる不揮発性記憶メモリは、メモリコントローラおよびそれを搭載した不揮発性記憶装置や不揮発性記憶システムの低コスト化を提案したものであり、半導体メモリカード等の不揮発性記憶装置を使用した静止画記録再生装置や動画記録再生装置、あるいは携帯電話において有益である。   The non-volatile memory according to the present invention proposes a cost reduction of a memory controller and a non-volatile memory device or a non-volatile memory system on which the memory controller is mounted, and uses a non-volatile memory device such as a semiconductor memory card. This is useful in an image recording / reproducing apparatus, a moving picture recording / reproducing apparatus, or a mobile phone.

本発明の実施の形態における不揮発性記憶システムの構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure of the non-volatile storage system in embodiment of this invention 同不揮発性記憶システムの処理内容を示すフローチャートFlow chart showing processing contents of the nonvolatile storage system 同不揮発性記憶システムの処理内容を示すタイムチャートTime chart showing processing contents of the nonvolatile storage system メモリインターフェイス部の読み出し処理内容を示すフローチャートFlow chart showing read processing contents of memory interface unit メモリインターフェイス部の書き込み処理内容を示すフローチャートFlow chart showing write processing contents of memory interface unit メモリインターフェイス部の消去処理内容を示すフローチャートFlow chart showing contents of erasure processing in memory interface unit

符号の説明Explanation of symbols

100 メモリコントローラ
101 ホストインターフェイス部
102 コントロール部
103 メモリインターフェイス部
104 RAM
105 プログラム選択部
106 論理物理変換テーブル
107 プログラムダウンロード部
110 不揮発性メモリ
120 プログラム領域
121 第1の処理プログラム
122 第2の処理プログラム
123 第3の処理プログラム
130 テーブル領域
140 通常領域
150 不揮発性記憶装置
160 ホスト
100 Memory Controller 101 Host Interface Unit 102 Control Unit 103 Memory Interface Unit 104 RAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 105 Program selection part 106 Logical-physical conversion table 107 Program download part 110 Non-volatile memory 120 Program area 121 1st process program 122 2nd process program 123 3rd process program 130 Table area 140 Normal area 150 Non-volatile storage device 160 host

Claims (8)

不揮発性メモリへのデータの書き込みおよび該不揮発性メモリからのデータの読み出しを行うメモリコントローラであって、
外部との通信を行うホストインターフェイス部と、メモリコントローラの各部の動作を制御するコントロール部と、前記不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリインターフェイス部とを備え、
前記コントロール部は、前記メモリインターフェイス部に対して該メモリインターフェイス部の読み書き制御に必要なプログラムの選択指示を行うプログラム選択部を有し、
前記メモリインターフェイス部は、前記選択指示に応じて前記不揮発性メモリから前記プログラムを選択的にダウンロードするプログラムダウンロード部を有し、ダウンロードした前記プログラムをRAMに保持することを特徴とするメモリコントローラ。
A memory controller for writing data to a nonvolatile memory and reading data from the nonvolatile memory,
A host interface unit that communicates with the outside, a control unit that controls the operation of each unit of the memory controller, and a memory interface unit that performs read / write control on the nonvolatile memory,
The control unit includes a program selection unit that instructs the memory interface unit to select a program necessary for read / write control of the memory interface unit,
The memory interface unit includes a program download unit that selectively downloads the program from the nonvolatile memory according to the selection instruction, and stores the downloaded program in a RAM.
前記プログラム選択部は、外部から指定された命令の種類あるいは動作モードのいずれかに応じて前記プログラムを選択することを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 The memory controller according to claim 1, wherein the program selection unit selects the program in accordance with either a type of instruction designated from the outside or an operation mode. 不揮発メモリと、前記不揮発性メモリに対するデータの書き込みおよび読み出しを行うメモリコントローラとを有する不揮発性記憶装置であって、
前記メモリコントローラは、外部との通信を行うホストインターフェイス部と、メモリコントローラの各部の動作を制御するコントロール部と、前記不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリインターフェイス部とを備え、
前記コントロール部は、前記メモリインターフェイス部に対して該メモリインターフェイス部の読み書き制御に必要なプログラムの選択指示を行うプログラム選択部を有し、
前記メモリインターフェイス部は、前記選択指示に応じて前記不揮発性メモリから前記プログラムを選択的にダウンロードするプログラムダウンロード部を有し、ダウンロードした前記プログラムをRAMに保持することを特徴とする不揮発性記憶装置。
A non-volatile storage device having a non-volatile memory and a memory controller for writing and reading data to and from the non-volatile memory,
The memory controller includes a host interface unit that communicates with the outside, a control unit that controls the operation of each unit of the memory controller, and a memory interface unit that performs read / write control on the nonvolatile memory,
The control unit includes a program selection unit that instructs the memory interface unit to select a program necessary for read / write control of the memory interface unit,
The memory interface unit includes a program download unit that selectively downloads the program from the nonvolatile memory in response to the selection instruction, and stores the downloaded program in a RAM. .
前記プログラム選択部は、外部から指定された命令の種類あるいは動作モードのいずれかに応じて前記プログラムを選択することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性記憶装置。 The non-volatile storage device according to claim 3, wherein the program selection unit selects the program in accordance with either the type of instruction designated from the outside or an operation mode. ホスト機器と、前記ホスト機器と接続される不揮発性記憶装置とを有する不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性記憶装置は、不揮発メモリと、前記不揮発性メモリに対するデータの書き込みおよび読み出しを行うメモリコントローラとを有し、
前記メモリコントローラは、前記ホスト機器との通信を行うホストインターフェイス部と、メモリコントローラの各部の動作を制御するコントロール部と、前記不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリインターフェイス部とを備え、
前記コントロール部は、前記メモリインターフェイス部に対して該メモリインターフェイス部の読み書き制御に必要なプログラムの選択指示を行うプログラム選択部を有し、
前記メモリインターフェイス部は、前記選択指示に応じて前記不揮発性メモリから前記プログラムを選択的にダウンロードするプログラムダウンロード部を有し、ダウンロードした前記プログラムをRAMに保持することを特徴とする不揮発性記憶システム。
A nonvolatile storage system having a host device and a nonvolatile storage device connected to the host device,
The nonvolatile memory device includes a nonvolatile memory, and a memory controller that writes and reads data to and from the nonvolatile memory,
The memory controller includes a host interface unit that communicates with the host device, a control unit that controls the operation of each unit of the memory controller, and a memory interface unit that performs read / write control on the nonvolatile memory,
The control unit includes a program selection unit that instructs the memory interface unit to select a program necessary for read / write control of the memory interface unit,
The memory interface unit includes a program download unit that selectively downloads the program from the nonvolatile memory according to the selection instruction, and stores the downloaded program in a RAM. .
前記プログラム選択部は、外部から指定された命令の種類あるいは動作モードのいずれかに応じて前記プログラムを選択することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性記憶システム。 4. The nonvolatile storage system according to claim 3, wherein the program selection unit selects the program in accordance with either a type of instruction designated from the outside or an operation mode. 不揮発性メモリに対するメモリ制御方法であって、
データの読み書き命令に応じて、前記不揮発性メモリからデータの読み書きを実行するプログラムを該不揮発性メモリから選択的に読み出し、
読み出した前記プログラムをRAMにダウンロードを行うダウンロード処理を、他の処理と並行して実行することを特徴とするメモリ制御方法。
A memory control method for a non-volatile memory, comprising:
In accordance with a data read / write instruction, a program for performing data read / write from the nonvolatile memory is selectively read from the nonvolatile memory,
A memory control method, wherein download processing for downloading the read program to a RAM is executed in parallel with other processing.
データの読み書き命令またはメモリコントローラの動作によって前記不揮発性メモリのプログラムを選択することを特徴とする請求項7に記載のメモリ制御方法。 8. The memory control method according to claim 7, wherein a program of the nonvolatile memory is selected by a data read / write instruction or an operation of a memory controller.
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