JP2009199777A - 回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ｅｌ発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】可撓性及びバリア性を有する基板を用い、基板やバリア層の劣化を防ぐとともに、光学特性への影響を抑制することができる回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ＥＬ発光装置を提供する。
【解決手段】一方の面に導電性膜１６が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜１８が形成された可撓性バリア基板１０を用意する工程と、導電性膜をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして基板上に回路１６ａ〜１６ｂを形成する工程と、導電性膜を湿式エッチングした後、保護膜に特定波長の光を照射するとともに、該保護膜を溶剤で除去する。好ましくは、プラスチック基板１２の少なくとも一方の面にバリア層１４ａ，１４ｂが形成された可撓性バリア基板を用い、保護膜は、導電性膜をパターニングする際に用いる感光性樹脂の感光波長とは異なる波長の光照射によって溶剤に可溶化する。
【選択図】図１
【解決手段】一方の面に導電性膜１６が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜１８が形成された可撓性バリア基板１０を用意する工程と、導電性膜をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして基板上に回路１６ａ〜１６ｂを形成する工程と、導電性膜を湿式エッチングした後、保護膜に特定波長の光を照射するとともに、該保護膜を溶剤で除去する。好ましくは、プラスチック基板１２の少なくとも一方の面にバリア層１４ａ，１４ｂが形成された可撓性バリア基板を用い、保護膜は、導電性膜をパターニングする際に用いる感光性樹脂の感光波長とは異なる波長の光照射によって溶剤に可溶化する。
【選択図】図１
Description
本発明は、回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ＥＬ発光装置に関する。
液晶や有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの表示素子を備えた薄型の表示装置が知られている。例えば、有機ＥＬ素子を備えた表示装置では、ガラス等の基板上に、陽極、発光層を含む有機ＥＬ層、陰極等が積層され、両極の引出配線（端子）を介して外部の配線と接続し、電界を印加することにより電極間に挟まれた領域の発光層において正孔と電子が再結合して発光する。
このような薄型の表示装置を製造する場合、基板として、例えば、酸素や水などの外気の透過を防ぐバリア層を有する樹脂フィルム（バリアフィルム）を用い、バリアフィルム上に表示素子を形成することにより、可撓性を有する表示媒体（フレキシブル表示媒体）を得ることができる。
このような薄型の表示装置を製造する場合、基板として、例えば、酸素や水などの外気の透過を防ぐバリア層を有する樹脂フィルム（バリアフィルム）を用い、バリアフィルム上に表示素子を形成することにより、可撓性を有する表示媒体（フレキシブル表示媒体）を得ることができる。
フレキシブル表示媒体に必要な表示素子のための回路（電極及び引出配線）を基板上に形成するには導電性膜のパターニングが必要であり、例えば、フォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングを行うことができる。このようなパターニングを行う場合、基板をエッチング液や剥離剤に浸すことになるが、バリアフィルムを用いた場合、バリア層がエッチング液や剥離剤によって侵され易いという問題がある。例えば、バリア層が有機膜からなる場合、剥離剤によって溶解する可能性があり、バリア層が無機材料からなる場合であっても、配線をパターニングするためのエッチング液に溶解する場合がある。
上記のようなバリア層の溶解を防ぐため、プラスチック基板の片面に予め配線をパターニングした後、反対側の面に無機材料からなるバリア層を設けることが提案されている（例えば特許文献１参照）。また、バリア層上に、耐酸性のエッチング保護層を設けることが提案されている（例えば特許文献２参照）。
特許文献１に開示されているような方法では、フォトリソグラフィによるパターニングの際に使用するエッチング液によってプラスチック基板が侵され、基材自体が劣化してしまうおそれがある。また、特許文献２に開示されている方法では、エッチング保護層が光学特性に影響を与えたり、保護層上に素子を設けた場合に素子が汚染されて素子寿命に影響を及ぼしたりするおそれがある。保護層とは反対側の面に表示素子を形成して表示面とすれば、光学特性への影響や素子の汚染を抑えることができるが、表示素子の設計に制限が加わることになる。
一方、Ａｌ等の金属製のフィルム状基板は、バリア層を設けなくてもバリア性を有する可撓性基板となる。しかし、金属フィルム基板であっても、エッチング液によっては金属が浸食され、基板の厚さが特に薄い場合には、エッチング液によってピンホールが発生し、バリア性の低下を招くおそれがある。
本発明は、可撓性及びバリア性を有する基板を用い、基板やバリア層の劣化を防ぐとともに、光学特性への影響が抑制される回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ＥＬ発光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では以下の回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ＥＬ発光装置が提供される。
＜１＞ 可撓性及びバリア性を有し、一方の面に導電性膜が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜が形成された可撓性バリア基板を用意する工程と、
前記導電性膜をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして前記基板上に回路を形成する工程と、
前記導電性膜を湿式エッチングした後、前記保護膜に前記特定波長の光を照射するとともに、該保護膜を溶剤で除去する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
＜２＞ 前記保護膜が、前記導電性膜をパターニングする際に前記フォトリソグラフィに用いる感光性樹脂の感光波長とは異なる波長の光照射によって前記溶剤に可溶化することを特徴とする＜１＞に記載の回路基板の製造方法。
＜３＞ 前記可撓性バリア基板が、プラスチック基板と、該プラスチック基板の少なくとも一方の面にバリア層が形成されたものであることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の回路基板の製造方法。
＜４＞ 前記バリア層が、無機層、有機層、又は無機層と有機層を積層したものであることを特徴とする＜３＞に記載の回路基板の製造方法。
＜５＞ 可撓性及びバリア性を有し、一方の面に回路が形成されており、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
＜６＞ ＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の製造方法によって製造した回路基板を備えていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
前記導電性膜をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして前記基板上に回路を形成する工程と、
前記導電性膜を湿式エッチングした後、前記保護膜に前記特定波長の光を照射するとともに、該保護膜を溶剤で除去する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
＜２＞ 前記保護膜が、前記導電性膜をパターニングする際に前記フォトリソグラフィに用いる感光性樹脂の感光波長とは異なる波長の光照射によって前記溶剤に可溶化することを特徴とする＜１＞に記載の回路基板の製造方法。
＜３＞ 前記可撓性バリア基板が、プラスチック基板と、該プラスチック基板の少なくとも一方の面にバリア層が形成されたものであることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の回路基板の製造方法。
＜４＞ 前記バリア層が、無機層、有機層、又は無機層と有機層を積層したものであることを特徴とする＜３＞に記載の回路基板の製造方法。
＜５＞ 可撓性及びバリア性を有し、一方の面に回路が形成されており、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
＜６＞ ＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の製造方法によって製造した回路基板を備えていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
可撓性及びバリア性を有する基板を用い、基板やバリア層の劣化を防ぐとともに、光学特性への影響が抑制される回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ＥＬ発光装置が提供される。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ＥＬ発光装置について説明する。なお、以下の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
図１（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明に係る回路基板を製造する工程の一例を示している。本実施形態の回路基板の製造方法は、可撓性及びバリア性を有し、一方の面に導電性膜１６が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜１８が形成された可撓性バリア基板１０を用意する工程（図１（Ａ））と、前記導電性膜１６をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして前記基板１０上に回路を形成する工程（図１（Ｂ）〜（Ｄ））と、前記導電性膜１６を湿式エッチングした後、前記保護膜１８に前記特定波長の光を照射するとともに、該保護膜１８を溶剤で除去する工程（図１（Ｅ））と、を含む。
＜可撓性バリア基板＞
まず、可撓性及びバリア性を有し、一方の面に導電性膜１６が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜（光可溶化膜）１８が形成された可撓性バリア基板１０を用意する（図１（Ａ））。
可撓性バリア基板としては、好ましくは、フィルム状のプラスチック基板（プラスチックフィルム）と、該プラスチック基板の少なくとも一方の面（片面又は両面）にバリア層が形成されたものを使用することができる。図１（Ａ）に示すように、プラスチックフィルム１２の両面にバリア層１４ａ，１４ｂが形成されている場合は、一方のバリア層１４ａ上に導電性膜１６を、他方のバリア層１４ｂ上に保護膜１８を形成すればよい。なお、導電性膜１６と保護膜１８を形成する順序は特に限定されない。
まず、可撓性及びバリア性を有し、一方の面に導電性膜１６が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜（光可溶化膜）１８が形成された可撓性バリア基板１０を用意する（図１（Ａ））。
可撓性バリア基板としては、好ましくは、フィルム状のプラスチック基板（プラスチックフィルム）と、該プラスチック基板の少なくとも一方の面（片面又は両面）にバリア層が形成されたものを使用することができる。図１（Ａ）に示すように、プラスチックフィルム１２の両面にバリア層１４ａ，１４ｂが形成されている場合は、一方のバリア層１４ａ上に導電性膜１６を、他方のバリア層１４ｂ上に保護膜１８を形成すればよい。なお、導電性膜１６と保護膜１８を形成する順序は特に限定されない。
また、プラスチックフィルム１２の片面にのみバリア層が形成されている可撓性バリア基板を用いることもできる。例えば、図２（Ａ）に示すように、フィルム１２の片面に形成したバリア層１４上に導電性膜１６を形成し、反対側の面に保護膜１８を形成してもよいし、図２（Ｂ）に示すように、バリア層１４上に保護膜１８を形成し、反対側の面に導電性膜１６を形成してもよい。なお、図２（Ａ）の場合は、回路形成後に回路を保護する手段をとればバリア層１４も外側に露出しないため保護されることになるが、図２（Ｂ）の場合は、保護膜１８を除去した後は、回路形成後に回路を保護する手段をとってもバリア層１４が表に露出しまうことになる。従って、回路形成後のバリア層自体の保護の観点から、図２（Ａ）に示されるようにバリア層１４上に導電性膜１６を形成することが好ましい。
−プラスチック基板−
プラスチック基板（フィルム）１２は、特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。プラスチックフィルム１２の具体的な材質としては、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
プラスチック基板（フィルム）１２は、特に制限はなく、使用目的等に応じて適宜選択することができる。プラスチックフィルム１２の具体的な材質としては、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。
プラスチックフィルム１２の厚みは用途によって適宜選択されるので特に制限がないが、典型的には１〜８００μｍであり、好ましくは１０〜２００μｍである。
これらのプラスチックフィルム１２は、プライマー層等の機能層を有していても良い。機能層については、特開２００６−２８９６２７号公報の段落［００３６］〜［００３８］に詳しく記載されている。これら以外の機能層の例としてはマット剤層、保護層、帯電防止層、平滑化層、密着改良層、遮光層、反射防止層、ハードコート層、応力緩和層、防曇層、防汚層、被印刷層等が挙げられる。
これらのプラスチックフィルム１２は、プライマー層等の機能層を有していても良い。機能層については、特開２００６−２８９６２７号公報の段落［００３６］〜［００３８］に詳しく記載されている。これら以外の機能層の例としてはマット剤層、保護層、帯電防止層、平滑化層、密着改良層、遮光層、反射防止層、ハードコート層、応力緩和層、防曇層、防汚層、被印刷層等が挙げられる。
−バリア層−
プラスチックフィルム１２に形成されるバリア層１４，１４ａ，１４ｂは、大気中の水分や酸素の透過を抑制することができれば特に限定されず、無機層、有機層、又は無機層と有機層を積層したものとすることができる。
プラスチックフィルム１２に形成されるバリア層１４，１４ａ，１４ｂは、大気中の水分や酸素の透過を抑制することができれば特に限定されず、無機層、有機層、又は無機層と有機層を積層したものとすることができる。
（Ａ）無機バリア層
バリア層１４，１４ａ，１４ｂとなる無機層（無機バリア層）は、通常、金属化合物からなる薄膜の層である。無機バリア層の形成方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも用いることができる。例えば、塗布法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などが適しており、具体的には特許第３４００３２４号、特開２００２−３２２５６１号、特開２００２−３６１７７４号各公報記載の形成方法を採用することができる。
バリア層１４，１４ａ，１４ｂとなる無機層（無機バリア層）は、通常、金属化合物からなる薄膜の層である。無機バリア層の形成方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも用いることができる。例えば、塗布法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などが適しており、具体的には特許第３４００３２４号、特開２００２−３２２５６１号、特開２００２−３６１７７４号各公報記載の形成方法を採用することができる。
前記無機バリア層を構成する材料は、大気中の水分や酸素の透過を抑制するものであれば特に限定されず、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、またはＴａ等から選ばれる１種以上の金属を含む酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物などを用いることができる。これらの中でも、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから選ばれる金属の酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましく、特にＳｉまたはＡｌの金属酸化物、窒化物もしくは酸化窒化物が好ましい。副次的な成分として他の元素を含有してもよい。
無機バリア層の厚みに関しては特に限定されないが、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、２層以上の無機層を積層しても良い。この場合、各層が同じ組成であっても異なる組成であっても良い。
無機バリア層の厚みに関しては特に限定されないが、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、２層以上の無機層を積層しても良い。この場合、各層が同じ組成であっても異なる組成であっても良い。
（Ｂ）有機バリア層
バリア層１４，１４ａ，１４ｂとなる有機層（有機バリア層）は、通常、ポリマーの層である。具体的には、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂により有機バリア層を形成することができる。
バリア層１４，１４ａ，１４ｂとなる有機層（有機バリア層）は、通常、ポリマーの層である。具体的には、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂により有機バリア層を形成することができる。
有機バリア層は、平滑で、膜硬度が高いことが好ましい。有機バリア層の平滑性は１０μｍ角の平均粗さ（Ｒａ値）として１０ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以下であることがより好ましい。有機バリア層の膜硬度は鉛筆硬度としてＨＢ以上の硬さを有することが好ましく、Ｈ以上の硬さを有することがより好ましい。
有機バリア層の膜厚については特に限定はないが、薄すぎると膜厚の均一性を得ることが困難となるし、厚すぎると外力によりクラックを発生し、バリア性が低下するおそれがある。かかる観点から、有機バリア層の1層の厚みは、１０ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜１０００ｎｍさらに好ましい。２層以上の有機層を積層しても良い。この場合、各層が同じ組成であっても異なる組成であっても良い。
有機バリア層の形成方法としては、溶液塗布法、真空成膜法等を挙げることができる。溶液塗布法としては、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第２，６８１，２９４号明細書に記載のホッパーを使用するエクストルージョンコート法が挙げられ、これらの方法によりフィルム基板上に有機バリア層を形成する材料を塗布することができる。また、真空成膜法としては、特に制限はないが、蒸着、プラズマＣＶＤ等の成膜方法が好ましい。ポリマーを含む溶液を塗布しても良いし、ポリマーの前駆体（例えばモノマー）を成膜後、重合することによりポリマー層を形成させても良い。ポリマー層の形成に用いることができる好ましいモノマーとしては、アクリレートおよびメタクリレートが挙げられる。アクリレートおよびメタクリレートの好ましい例としては、例えば米国特許６，０８３，６２８号、６，２１４，４２２号明細書に記載の化合物が上げられる。これらの一部を以下に例示する。
−導電性膜−
上記のようなバリア層１４ａ，１４ｂを有する可撓性バリア基板１０の一方の面には導電性膜１６を形成する。導電性膜１６は、パターニング後に電極及び引出配線となるものであり、目的に応じて適宜選択すればよい。
例えば、陽極用の材料としては、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。
上記のようなバリア層１４ａ，１４ｂを有する可撓性バリア基板１０の一方の面には導電性膜１６を形成する。導電性膜１６は、パターニング後に電極及び引出配線となるものであり、目的に応じて適宜選択すればよい。
例えば、陽極用の材料としては、金属、合金、金属酸化物、有機導電性化合物、またはこれらの混合物を好適に挙げられ、仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料が好ましい。具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の半導性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ルなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。
一方、陰極用の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられ、仕事関数が４．５ｅＶ以下のものが好ましい。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、またはＣｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
上記のような導電性材料を用いて導電性膜１６を形成する方法は特に限定されず、塗布法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などから、導電性膜１６を構成する材料と可撓性バリア基板の材質に応じて適宜選択すればよい。
−特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜−
可撓性バリア基板１０の他方の面（導電性膜１６とは反対側の面）には、特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜（光可溶化膜）１８を形成する。
このような保護膜１８は、エッチング時にプラスチックフィルム１２あるいはバリア膜１４，１４ｂを保護できるように、使用するエッチング液に対して耐性を有する材料を選択して形成すればよく、例えば、導電性膜１６をパターニングする際にフォトリソグラフィに用いる感光性樹脂（ポジ型レジスト）により形成することができる。具体的には、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長：４３６ｎｍ）、ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（感光波長：３６５ｎｍ）、ＴＤＵＲ−Ｐ６１５９（感光波長：２４８ｎｍ）などを用いることができる。但し、保護膜１８の材質（感光波長）は、フィルム１２や導電性膜１６の光透過性等に応じて選択する必要がある。例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）あるいは金属製のフィルム１２を用い、フォトリソグラフィ工程において紫外光により露光を行う場合、紫外光はフィルム１２を透過しない。従って、レジスト膜２０と保護膜１８を同じ種類の感光性樹脂で形成しても、パターニング用レジスト膜２０と保護用レジスト膜１８を別々に露光して剥離することができる。例えば、レジスト膜２０側から露光を行えば保護膜１８が感光（可溶化）することを防ぐことができる。
可撓性バリア基板１０の他方の面（導電性膜１６とは反対側の面）には、特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜（光可溶化膜）１８を形成する。
このような保護膜１８は、エッチング時にプラスチックフィルム１２あるいはバリア膜１４，１４ｂを保護できるように、使用するエッチング液に対して耐性を有する材料を選択して形成すればよく、例えば、導電性膜１６をパターニングする際にフォトリソグラフィに用いる感光性樹脂（ポジ型レジスト）により形成することができる。具体的には、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長：４３６ｎｍ）、ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（感光波長：３６５ｎｍ）、ＴＤＵＲ−Ｐ６１５９（感光波長：２４８ｎｍ）などを用いることができる。但し、保護膜１８の材質（感光波長）は、フィルム１２や導電性膜１６の光透過性等に応じて選択する必要がある。例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）あるいは金属製のフィルム１２を用い、フォトリソグラフィ工程において紫外光により露光を行う場合、紫外光はフィルム１２を透過しない。従って、レジスト膜２０と保護膜１８を同じ種類の感光性樹脂で形成しても、パターニング用レジスト膜２０と保護用レジスト膜１８を別々に露光して剥離することができる。例えば、レジスト膜２０側から露光を行えば保護膜１８が感光（可溶化）することを防ぐことができる。
一方、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムは紫外光が透過してしまうため、レジスト膜２０と保護膜１８を同じ感光性樹脂で形成してしまうと、紫外光によりレジスト膜２０を露光する際、保護膜１８も露光され、現像時に保護膜１８の一部も除去されてしまう。このように露光光がフィルム１２を透過してしまう場合は、導電性膜１６をパターニングする際にフォトリソグラフィに用いる感光性樹脂（レジスト）の感光波長とは異なる波長の光照射によって溶剤に可溶化する樹脂で保護膜１８を形成すればよい。感光する波長を変えることで、パターニング用レジスト膜２０と保護用レジスト膜１８を別々に剥離することができる。例えば、保護膜１８をパターニング用レジスト２０よりも短波長で主に感光するレジストにより形成することで、パターニング用レジスト２０とは別に、パターニング後の工程で保護膜１８を除去することができる。
＜パターニング＞
上記のような導電性膜１６と保護膜１８が形成された可撓性バリア基板１０を用い、導電性膜１６をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして基板１０上に回路１６ａ〜１６ｃを形成する。
パターニング工程では、まず、導電性膜１６上にパターニング用のレジスト２０を塗布する（図１（Ｂ））。レジスト２０としては、ポジ型レジストでもネガ型レジストでもよく、例えばポジ型レジストとしては、ノボラック系樹脂などの感光性樹脂を好適に用いることができる。ネガ型レジストとしては、ゴム系レジストなどを感光性樹脂として好適に用いることができる。例えば、スピンコート、インクジェット、スクリーン印刷、スプレー等の公知の方法により、導電性膜１６上にレジスト２０を均一に塗布することができる。レジスト２０を塗布後、プリベイクを行う。
上記のような導電性膜１６と保護膜１８が形成された可撓性バリア基板１０を用い、導電性膜１６をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして基板１０上に回路１６ａ〜１６ｃを形成する。
パターニング工程では、まず、導電性膜１６上にパターニング用のレジスト２０を塗布する（図１（Ｂ））。レジスト２０としては、ポジ型レジストでもネガ型レジストでもよく、例えばポジ型レジストとしては、ノボラック系樹脂などの感光性樹脂を好適に用いることができる。ネガ型レジストとしては、ゴム系レジストなどを感光性樹脂として好適に用いることができる。例えば、スピンコート、インクジェット、スクリーン印刷、スプレー等の公知の方法により、導電性膜１６上にレジスト２０を均一に塗布することができる。レジスト２０を塗布後、プリベイクを行う。
次いで、所定のパターン形状を有するマスクを介してパターニング用レジスト膜２０側から、所定の波長光を照射して露光を行った後、現像を行う。例えばポジ型レジストであれば、露光された部分が現像液に可溶化し、現像によりレジスト膜２０を所定のパターンに除去することができる（図１（Ｃ））。なお、ポジ型レジストを用いる場合、現像液はレジスト２０の露光された部分だけを除去し、レジスト２０の未露光部や保護膜１８を除去しないものを選択する。ネガ型の場合、露光されていない部分が現像液に可溶化するため、露光しない部分だけを除去する。
現像後、ポストベークを行う。次いで、導電性膜１６の材質等に応じて、酸性又はアルカリ性のエッチング液に基板１０を浸漬し、導電性膜１６が露出している部分を湿式エッチングによって除去する（図１（Ｄ））。エッチングにより導電性膜１６は所定の形状にパターニングされるが、基板１０の裏面側は保護膜１８で覆われているため、エッチング液によってバリア膜１４ｂが溶解することを抑制することができる。これにより、一方の面に導電性材料からなる回路１６ａ〜１６ｃが形成されており、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜１８が形成されている回路基板１０ａとなる。
＜保護膜の除去＞
保護膜１８は、エッチング中はバリア膜１４ｂを保護するが、エッチング終了後は不要となるため、望ましい場面で露光して溶剤で除去すればよい。例えば、エッチング後、保護膜１８を露光して溶剤に可溶化させる。これにより、導電性膜１６上に残留しているレジスト２０ａ〜２０ｃと、露光により溶剤に可溶化した保護膜１８を剥離剤によって除去することができる（図１（Ｅ））。なお、残留レジスト２０ａ〜２０ｃと保護膜１８を、別々に除去してもよい。
以上のような工程を経て、可撓性及びバリア性を有し、一方の面には所定の導電パターン（回路）１６ａ〜１６ｃが形成され、他方の面ではエッチング時におけるバリア層１４ｂの劣化が防止された回路基板１０ａを得ることができる。
保護膜１８は、エッチング中はバリア膜１４ｂを保護するが、エッチング終了後は不要となるため、望ましい場面で露光して溶剤で除去すればよい。例えば、エッチング後、保護膜１８を露光して溶剤に可溶化させる。これにより、導電性膜１６上に残留しているレジスト２０ａ〜２０ｃと、露光により溶剤に可溶化した保護膜１８を剥離剤によって除去することができる（図１（Ｅ））。なお、残留レジスト２０ａ〜２０ｃと保護膜１８を、別々に除去してもよい。
以上のような工程を経て、可撓性及びバリア性を有し、一方の面には所定の導電パターン（回路）１６ａ〜１６ｃが形成され、他方の面ではエッチング時におけるバリア層１４ｂの劣化が防止された回路基板１０ａを得ることができる。
＜有機ＥＬ発光装置＞
上記のようにして製造された回路基板１０ａは高いバリア性を有し、また、保護膜１８は除去されており、保護膜１８により光学特性の影響を受けることもないため、可撓性を有する発光装置（表示装置）を製造する際に好適に用いることができる。例えば、図３に示すように、導電性膜を陽極材料により形成し、前記した工程によりパターニングした後、回路（電極）１６ａ〜１６ｃ上に発光層を含む有機ＥＬ層２２及び陰極２４を形成して有機ＥＬ素子とする。さらに、これを封止部材２６で封止する。これにより、バリア性及び光学特性に優れた可撓性を有する有機ＥＬ発光装置３０が得られる。
上記のようにして製造された回路基板１０ａは高いバリア性を有し、また、保護膜１８は除去されており、保護膜１８により光学特性の影響を受けることもないため、可撓性を有する発光装置（表示装置）を製造する際に好適に用いることができる。例えば、図３に示すように、導電性膜を陽極材料により形成し、前記した工程によりパターニングした後、回路（電極）１６ａ〜１６ｃ上に発光層を含む有機ＥＬ層２２及び陰極２４を形成して有機ＥＬ素子とする。さらに、これを封止部材２６で封止する。これにより、バリア性及び光学特性に優れた可撓性を有する有機ＥＬ発光装置３０が得られる。
以下、実施例及び比較例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
（Ａ）Ａｇ膜の形成
基材として、片面に無機有機積層タイプ（Ａｌ２Ｏ３／アクリレート）のバリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＮフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ不透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＮフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＡｇ膜（２００ｎｍ）を形成した。
＜実施例１＞
（Ａ）Ａｇ膜の形成
基材として、片面に無機有機積層タイプ（Ａｌ２Ｏ３／アクリレート）のバリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＮフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ不透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＮフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＡｇ膜（２００ｎｍ）を形成した。
（Ｂ）パターニング用レジスト膜及び保護用レジスト膜の形成
ＰＥＮフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＮフィルムのＡｇ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布し、反対側の面にも、保護用レジスト膜として、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、以下の表１の１.〜３.の加工条件を順に行うことによってスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて、９０℃で０．５時間行った。
ＰＥＮフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＮフィルムのＡｇ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布し、反対側の面にも、保護用レジスト膜として、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、以下の表１の１.〜３.の加工条件を順に行うことによってスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて、９０℃で０．５時間行った。
（Ｃ）パターニング
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、Ａｇ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源：水銀灯）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；２６℃、エッチング液；関東化学製ＳＥＡ−１（リン酸４４％・硝酸２％・酢酸３３％・水２１％）に浸漬し、目視にてエッチング終了確認（１分２０秒浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、Ａｇ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源：水銀灯）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；２６℃、エッチング液；関東化学製ＳＥＡ−１（リン酸４４％・硝酸２％・酢酸３３％・水２１％）に浸漬し、目視にてエッチング終了確認（１分２０秒浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
（Ｄ）保護用レジスト膜除去
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
＜実施例２＞
（Ａ）ＩＴＯ膜の形成
基材として、片面に無機有機積層タイプ（Ａｌ２Ｏ３／アクリレート）のバリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＮフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ不透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＮフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＩＴＯ膜（１５０ｎｍ）を形成した。
（Ａ）ＩＴＯ膜の形成
基材として、片面に無機有機積層タイプ（Ａｌ２Ｏ３／アクリレート）のバリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＮフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ不透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＮフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＩＴＯ膜（１５０ｎｍ）を形成した。
（Ｂ）パターニング用レジスト膜及び保護用レジスト膜の形成
ＰＥＮフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＮフィルムのＩＴＯ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布し、反対側の面にも、保護用レジスト膜として、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、実施例１と同様のプログラムでスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて、９０℃で０．５時間行った。
ＰＥＮフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＮフィルムのＩＴＯ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布し、反対側の面にも、保護用レジスト膜として、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、実施例１と同様のプログラムでスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて、９０℃で０．５時間行った。
（Ｃ）パターニング
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、ＩＴＯ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源：水銀灯）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；５０℃、エッチング液；関東化学製ＩＴＯ−０２（塩酸１８％・硝酸１０％未満・水７２％以上）に浸漬、目視にてエッチング終了確認（１分浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、ＩＴＯ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源：水銀灯）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；５０℃、エッチング液；関東化学製ＩＴＯ−０２（塩酸１８％・硝酸１０％未満・水７２％以上）に浸漬、目視にてエッチング終了確認（１分浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
（Ｄ）保護用レジスト膜除去
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
＜実施例３＞
（Ａ）Ａｇ膜の形成
基材として、片面にＳｉＯＮとＡｌ２Ｏ３からなる無機バリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＴフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＴフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＡｇ膜（２００ｎｍ）を形成した。
（Ａ）Ａｇ膜の形成
基材として、片面にＳｉＯＮとＡｌ２Ｏ３からなる無機バリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＴフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＴフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＡｇ膜（２００ｎｍ）を形成した。
（Ｂ）パターニング用レジスト膜及び保護用レジスト膜の形成
ＰＥＴフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＴフィルムのＡｇ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布した。一方、ＰＥＴフィルムの反対側の面には、保護用レジスト膜として、東京応化社製ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（感光波長３６５ｎｍ：ｉ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、実施例１と同様のプログラムでスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて９０℃で０．５時間行った。
ＰＥＴフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＴフィルムのＡｇ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布した。一方、ＰＥＴフィルムの反対側の面には、保護用レジスト膜として、東京応化社製ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（感光波長３６５ｎｍ：ｉ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、実施例１と同様のプログラムでスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて９０℃で０．５時間行った。
（Ｃ）パターニング
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、Ａｇ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源が水銀灯のため、光源の波長が３６５ｎｍ，４０５ｎｍ，４３６ｎｍにピークがあるので、４００ｎｍ以下の波長はフィルタでカット）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；２６℃、エッチング液；関東化学製ＳＥＡ−１（リン酸４４％・硝酸２％・酢酸３３％・水２１％）に浸漬、目視にてエッチング終了確認（１分２０秒浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、Ａｇ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源が水銀灯のため、光源の波長が３６５ｎｍ，４０５ｎｍ，４３６ｎｍにピークがあるので、４００ｎｍ以下の波長はフィルタでカット）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；２６℃、エッチング液；関東化学製ＳＥＡ−１（リン酸４４％・硝酸２％・酢酸３３％・水２１％）に浸漬、目視にてエッチング終了確認（１分２０秒浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
（Ｄ）保護用レジスト膜除去
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（ＵＶフィルタ無し）を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側から２０ｓ光照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（ＵＶフィルタ無し）を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側から２０ｓ光照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
＜実施例４＞
（Ａ）ＩＴＯ膜の形成
基材として、片面にＳｉＯＮとＡｌ２Ｏ３からなる無機バリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＮフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ不透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＮフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＩＴＯ膜（１５０ｎｍ）を形成した。
（Ａ）ＩＴＯ膜の形成
基材として、片面にＳｉＯＮとＡｌ２Ｏ３からなる無機バリア膜（厚さ：３０００ｎｍ）を形成したＰＥＮフィルム（厚さ：０．１ｍｍ、ＵＶ不透過）を用意した。スパッタ装置（芝浦エレテック社製 ＣＦＳ−８ＥＰ−５５）を用い、ＰＥＮフィルムのバリア膜が形成されている側の面にＩＴＯ膜（１５０ｎｍ）を形成した。
（Ｂ）パターニング用レジスト膜及び保護用レジスト膜の形成
ＰＥＮフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＮフィルムのＩＴＯ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布し、反対側の面にも、保護用レジスト膜として、東京応化社製ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（感光波長３６５ｎｍ：ｉ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、実施例１と同様のプログラムでスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて、９０℃で０．５時間行った。
ＰＥＮフィルムの両面に、密着性向上剤として東京応化社製ＯＡＰ（ヘキサメチルジシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）１００％）を塗布した。次いで、ＰＥＮフィルムのＩＴＯ膜を形成した側の面に、パターニング用レジストとして、東京応化社製ノボラック系ＯＦＰＲ８００（感光波長４３６ｎｍ：ｇ線対応）を塗布し、反対側の面にも、保護用レジスト膜として、東京応化社製ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００（感光波長３６５ｎｍ：ｉ線対応）を塗布した。各面の塗布は、ミカサ社製スピンコータ「１Ｈ−Ｄ７」を用い、実施例１と同様のプログラムでスピンコーティングを行った（膜厚１μｍ）。また、プリベイクは、クリーンオーブンを用いて、９０℃で０．５時間行った。
（Ｃ）パターニング
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、ＩＴＯ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源が水銀灯のため、光源の波長が３６５ｎｍ，４０５ｎｍ，４３６ｎｍにピークがあり、４０５ｎｍが最大なので、４００ｎｍ以下の波長はＵＶフィルタでカット）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；５０℃、エッチング液；関東化学製ＩＴＯ−０２（塩酸１８％・硝酸１０％未満・水７２％以上）に浸漬、目視にてエッチング終了確認（１分浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、パターニング用レジスト膜の露光、現像、リンス、乾燥、ポストベーク、エッチング、洗浄、乾燥を行うことにより、ＩＴＯ膜をパターニングした。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０（光源が水銀灯のため、光源の波長が３６５ｎｍ，４０５ｎｍ，４３６ｎｍにピークがあり、４０５ｎｍが最大なので、４００ｎｍ以下の波長はＵＶフィルタでカット）を用いてパターニング用レジスト膜にマスクを直乗せし、パターニング用レジスト膜側から１０ｓ光照射。
現像：東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドＮ（ＣＨ３）４ＯＨ｛ＴＭＡＨ｝２．３８％水溶液に３００ｓ浸漬。
リンス：純水浸漬６０ｓ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
ポストベーク：１１５℃、０．５Ｈ（クリーンオーブン）
エッチング：エッチング液温；５０℃、エッチング液；関東化学製ＩＴＯ−０２（塩酸１８％・硝酸１０％未満・水７２％以上）に浸漬、目視にてエッチング終了確認（１分浸漬）
洗浄：純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
（Ｄ）保護用レジスト膜除去
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側からｇ線１０ｓ照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
以下の条件下で、保護用レジスト膜の露光後、レジストの剥離、乾燥を行った。
露光：ミカサ社製マスクアライナーＭＡ−２０を用いて保護用レジスト膜にマスクを直乗せし、保護用レジスト膜側からｇ線１０ｓ照射。
レジスト剥離：剥離剤（東京応化社製レジスト剥離剤１０６；モノエタノールアミン７０％ジメチルスルホキシド３０％）浸漬１５ｍｉｎ×２回、ＩＰＡ浸漬５ｍｉｎ×２回、純水浸漬５ｍｉｎ×２回
乾燥：Ｎ２ブロー
＜比較例１〜４＞
保護用レジスト膜の形成及び除去を行わなかったこと以外は、それぞれ実施例１〜４と同様の手順で回路基板を製造した。
保護用レジスト膜の形成及び除去を行わなかったこと以外は、それぞれ実施例１〜４と同様の手順で回路基板を製造した。
＜評価＞
実施例１〜４ではバリア膜の剥がれは無かったが、比較例１〜４ではパターニング終了後に裏面（パターニング面と反対側の面）のバリア膜の剥がれが確認された。
実施例１〜４ではバリア膜の剥がれは無かったが、比較例１〜４ではパターニング終了後に裏面（パターニング面と反対側の面）のバリア膜の剥がれが確認された。
以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではない。
例えば、いわゆるトップエミッションタイプの有機ＥＬ発光装置とする場合は、可撓性バリア基板として金属フィルム基板を用い、本発明に従ってパターニングを行い、形成された回路（電極）上に有機ＥＬ層を形成して発光装置を製造してもよい。また、表示素子は有機ＥＬ素子に限定されず、液晶、プラズマ、マイクロカプセル等を公知の表示素子を用いる表示装置を製造する場合にも本発明を適用することができる。
例えば、いわゆるトップエミッションタイプの有機ＥＬ発光装置とする場合は、可撓性バリア基板として金属フィルム基板を用い、本発明に従ってパターニングを行い、形成された回路（電極）上に有機ＥＬ層を形成して発光装置を製造してもよい。また、表示素子は有機ＥＬ素子に限定されず、液晶、プラズマ、マイクロカプセル等を公知の表示素子を用いる表示装置を製造する場合にも本発明を適用することができる。
１０・・・可撓性バリア基板
１０ａ・・・回路基板
１２・・・プラスチックフィルム
１４，１４ａ，１４ｂ・・・バリア層
１６・・・導電性膜
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ・・・回路
１８・・・保護膜
２０・・・パターニング用レジスト膜
２２・・・有機ＥＬ層
２４・・・陰極
２６・・・封止部材
３０・・・有機ＥＬ発光装置
１０ａ・・・回路基板
１２・・・プラスチックフィルム
１４，１４ａ，１４ｂ・・・バリア層
１６・・・導電性膜
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ・・・回路
１８・・・保護膜
２０・・・パターニング用レジスト膜
２２・・・有機ＥＬ層
２４・・・陰極
２６・・・封止部材
３０・・・有機ＥＬ発光装置
Claims (6)
- 可撓性及びバリア性を有し、一方の面に導電性膜が形成され、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜が形成された可撓性バリア基板を用意する工程と、
前記導電性膜をフォトリソグラフィと湿式エッチングによりパターニングして前記基板上に回路を形成する工程と、
前記導電性膜を湿式エッチングした後、前記保護膜に前記特定波長の光を照射するとともに、該保護膜を溶剤で除去する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記保護膜が、前記導電性膜をパターニングする際に前記フォトリソグラフィに用いる感光性樹脂の感光波長とは異なる波長の光照射によって前記溶剤に可溶化することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
- 前記可撓性バリア基板が、プラスチック基板と、該プラスチック基板の少なくとも一方の面にバリア層が形成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
- 前記バリア層が、無機層、有機層、又は無機層と有機層を積層したものであることを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
- 可撓性及びバリア性を有し、一方の面に回路が形成されており、他方の面に特定波長の光照射によって溶剤に可溶化する保護膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
- 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の製造方法によって製造した回路基板を備えていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008037977A JP2009199777A (ja) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ｅｌ発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2008037977A JP2009199777A (ja) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 回路基板の製造方法及び回路基板並びに有機ｅｌ発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009199777A true JP2009199777A (ja) | 2009-09-03 |
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ID=41143090
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2009199777A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124228A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光装置の製造方法及び有機発光装置 |
| DE102010023550A1 (de) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beleuchtungselement |
| WO2018163337A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | シャープ株式会社 | 可撓性表示パネル、可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法 |
-
2008
- 2008-02-19 JP JP2008037977A patent/JP2009199777A/ja active Pending
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| US8389983B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting apparatus and method of manufacturing organic light emitting apparatus |
| JP2013101984A (ja) * | 2009-12-14 | 2013-05-23 | Samsung Display Co Ltd | 有機発光装置の製造方法及び有機発光装置 |
| DE102010023550A1 (de) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beleuchtungselement |
| DE102010023550B4 (de) * | 2010-06-03 | 2015-02-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beleuchtungselement |
| US9054333B2 (en) | 2010-06-03 | 2015-06-09 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Organic light emitting diode and circuit board for control thereof |
| WO2018163337A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | シャープ株式会社 | 可撓性表示パネル、可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法 |
| US10784319B2 (en) | 2017-03-08 | 2020-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible display panel, flexible display device, and method for producing flexible display panel |
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