JP2009187739A - 電界放出型電子源及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】性能の高いCu2O円錐状突起からなる電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出型電子源として、Cu2O円錐状突起体を用いる。この円錐状突起体は、突起体先端の曲率半径ρが15〜200nm、開き角θが5〜60degであることが望ましく、突起体先端の曲率半径ρが20〜70nm、開き角θが10〜30degであることがさらに望ましい。また、円錐状突起の長さlと曲率半径ρの比l/ρ>15が望ましい。また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したCuワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からArイオンを照射して、チップの先端にCu2O円錐状突起を形成することを特徴とするものである。この発明において、Cuワイヤとして予め機械研磨または電解研磨が施されたものを用いることができる。
【選択図】図2
Description
先ずCu2O円錐状突起の製造方法について説明する。始めに0.5mm径のCuワイヤのチップを機械研磨と電解研磨により準備した。機械研磨はエメリー紙を用いて行い、電解研磨は室温で6N硝酸中で2Vの電圧を負荷して行った。Cuワイヤチップは先端の曲率半径が1〜15μmのものを用いた。研磨後ワイヤのチップを350℃で10分間予備酸化しワイヤの表面にCuOからなる微小な針状の核を形成した。予備酸化は、200〜700℃の間で、1分〜5時間の間で処理することができる。200℃未満、1分未満では酸化が十分でないからであり、700℃超、5時間超では酸化の進行が大きすぎるからである。
図5に、Cu2O円錐状突起の加速電圧Vと全放射電流Iとの代表的プロット(I−Vプロット)を示す。また、対応するFowler−Nordheim(以下、F−Nという)プロットを図6に示す。F−N理論は表面バリアに対する電子のトンネリング効果から導かれ、次のように表される。
Claims (5)
- Cu2O円錐状突起体からなる電界放出型電子源。
- 円錐状突起体は、突起体先端の曲率半径ρが15〜200nm、開き角θが5〜60deg、望ましくは、突起体先端の曲率半径ρが20〜70nm、開き角θが10〜30degであることを特徴とする請求項1に記載の電界放出型電子源。
- 円錐状突起体は当該突起体の長さlと突起体先端の曲率半径ρの比l/ρが15以上であることを特徴とする請求項2に記載の電界放出型電子源。
- 予備酸化したCuワイヤのチップ先端に低真空下でチップ先端に対向する方向からArイオンを照射して、チップの先端にCu2O円錐状突起を形成することを特徴とする電界放出型電子源の製造方法。
- Cuワイヤは予め機械研磨または電解研磨が施されたものであることを特徴とする請求項4に記載の電界放出型電子源の製造方法。
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