JP2009182026A - Semiconductor light-emitting apparatus and method of manufacturing semiconductor light-emitting apparatus - Google Patents

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Hisashi Ito
寿 伊藤
Kazuo Shimokawa
一生 下川
Izuru Komatsu
出 小松
Naotake Watanabe
尚威 渡邉
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting apparatus enhancing a quantity of light of the semiconductor light-emitting apparatus itself. <P>SOLUTION: This semiconductor light-emitting apparatus 1A includes: a base material 2 having a first main face M1 and a second main face M2 opposing to the first main face M1; a first light-emitting layer 3 formed on the first main face M1; and a second light-emitting layer 4 formed on the second main face M2. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device.

発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光装置は、表示用途、液晶バックライト用途及び照明用途など広い分野で用いられている。この応用分野は今後も拡大する見込みであり、そのためにもさらに光量（輝度）を向上させる必要がある。   Semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) are used in a wide range of fields such as display applications, liquid crystal backlight applications, and illumination applications. This application field is expected to expand in the future, and it is necessary to further improve the amount of light (brightness).

例えば、ＬＥＤを照明用光源として用いる場合には、光量を向上させるため、多数のＬＥＤが基板上に設けられたＬＥＤパッケージが提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。このＬＥＤパッケージでは、ＬＥＤが基板の両面に設けられており、基板の両面から光を放射する。
特開平６−２９６０４５号公報 特開２００６−３１０５８４号公報 For example, when an LED is used as an illumination light source, an LED package in which a large number of LEDs are provided on a substrate has been proposed in order to improve the amount of light (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). In this LED package, LEDs are provided on both sides of the substrate, and light is emitted from both sides of the substrate.
JP-A-6-296045 Japanese Patent Laid-Open No. 2006-310584

しかしながら、前述のようなＬＥＤパッケージでは、ＬＥＤ自体の光量を増加させずにＬＥＤ数で光量を向上させるため、搭載するＬＥＤ数の増大に伴って構造及び製造プロセスが複雑になり、コストがアップしてしまう。したがって、ＬＥＤ等の半導体発光装置自体の光量（輝度）を向上させる必要がある。   However, in the LED package as described above, the light quantity is improved by the number of LEDs without increasing the light quantity of the LED itself, so that the structure and the manufacturing process become complicated and the cost increases as the number of mounted LEDs increases. End up. Therefore, it is necessary to improve the light quantity (brightness) of the semiconductor light emitting device itself such as an LED.

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体発光装置自体の光量を向上させることができる半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting device that can improve the amount of light of the semiconductor light-emitting device itself.

本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体発光装置において、第１主面及び第１主面に対向する第２主面を有する基材と、第１主面上に設けられた第１発光層と、第２主面上に設けられた第２発光層とを備えることである。   A first feature according to an embodiment of the present invention is that a semiconductor light emitting device is provided on a first main surface and a base material having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface. And providing a first light emitting layer and a second light emitting layer provided on the second main surface.

本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体発光装置の製造方法において、第１主面及び第１主面に対向する第２主面を有する基材に対し、第１主面上に第１発光層を設け、第２主面上に第２発光層を設けることである。   A second feature according to an embodiment of the present invention is that, in the method for manufacturing a semiconductor light emitting device, the first main surface is over the first main surface and the substrate having the second main surface opposite to the first main surface. Providing a first light emitting layer and providing a second light emitting layer on the second main surface.

本発明によれば、半導体発光装置自体の光量を向上させることができる半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor light-emitting device which can improve the light quantity of semiconductor light-emitting device itself, and the manufacturing method of a semiconductor light-emitting device can be provided.

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１ないし図７を参照して説明する。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置１Ａは、第１主面Ｍ１及びその第１主面Ｍ１に対向する第２主面Ｍ２を有する基材２と、第１主面Ｍ１上に設けられ光を放射する第１発光層３と、第２主面Ｍ２上に設けられ光を放射する第２発光層４と、第１発光層３及び第２発光層４上にそれぞれ設けられた複数の電極５ａ〜５ｄとを備えている。この半導体発光装置１Ａは両面発光型の半導体発光装置である。   As shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 1A according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 2 having a first main surface M1 and a second main surface M2 facing the first main surface M1. The first light emitting layer 3 provided on the first main surface M1 to emit light, the second light emitting layer 4 provided on the second main surface M2 to emit light, the first light emitting layer 3 and the second light emitting. And a plurality of electrodes 5 a to 5 d provided on the layer 4. This semiconductor light emitting device 1A is a double-sided light emitting semiconductor light emitting device.

基材２は透光性を有する基体である。この基材２としては、Ａｌ２Ｏ３（サファイア）、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ及びＧｅ等を用いる。例えば、基材２としてＳｉやＧｅを用いた場合には、そのＳｉやＧｅがＡｌ２Ｏ３（サファイア）、ＳｉＣ及びＡｌＮに比べ安価であるため、コストを抑えることができる。なお、基材２としては、用途に合わせた適切な選択をすれば様々な基材を用いることが可能である。 The substrate 2 is a substrate having translucency. As the base material 2, Al 2 O 3 (sapphire), using SiC, AlN, Si and Ge, and the like. For example, when Si or Ge is used as the substrate 2, the cost can be suppressed because the Si or Ge is less expensive than Al 2 O 3 (sapphire), SiC, and AlN. In addition, as the base material 2, various base materials can be used if an appropriate selection according to the application is made.

第１発光層３は、第１主面Ｍ１上に設けられたｎ型クラッド層としてのｎ型半導体層３ａと、そのｎ型半導体層３ａ上に積層された活性層３ｂと、その活性層３ｂ上に積層されたｐ型クラッド層としてのｐ型半導体層３ｃとにより構成されている。この第１発光層３は、エピタキシャル成長により生成されたエピタキシャル発光層である。   The first light emitting layer 3 includes an n-type semiconductor layer 3a as an n-type cladding layer provided on the first main surface M1, an active layer 3b stacked on the n-type semiconductor layer 3a, and an active layer 3b. And a p-type semiconductor layer 3c as a p-type cladding layer laminated thereon. The first light emitting layer 3 is an epitaxial light emitting layer generated by epitaxial growth.

第２発光層４は、第２主面Ｍ２上に設けられたｎ型クラッド層としてのｎ型半導体層４ａと、そのｎ型半導体層４ａ上に積層された活性層４ｂと、その活性層４ｂ上に積層されたｐ型クラッド層としてのｐ型半導体層４ｃとにより構成されている。この第２発光層４も、エピタキシャル成長により生成されたエピタキシャル発光層である。   The second light-emitting layer 4 includes an n-type semiconductor layer 4a as an n-type cladding layer provided on the second main surface M2, an active layer 4b stacked on the n-type semiconductor layer 4a, and an active layer 4b. The p-type semiconductor layer 4c as a p-type cladding layer laminated thereon is constituted. The second light emitting layer 4 is also an epitaxial light emitting layer generated by epitaxial growth.

ここで、第１発光層３及び第２発光層４としては、互いに同じ発光波長を有する発光層を用いてもよいし、あるいは、異なる発光波長を有する発光層を用いてもよい。なお、各発光層３、４としては、例えば青色の発光層や赤色の発光層等を用いることが可能である。また、白色光を放射する半導体発光装置１Ａを構成する場合には、例えば、第１発光層３として赤色の発光層を形成し、第２発光層４として青色の発光層を形成し、さらに、各発光層３、４上に黄色の蛍光体を有する蛍光体層（図示せず）をそれぞれ形成し、白色を放射するようにしてもよい。このときの半導体発光装置１Ａは赤色成分を含むことになるので、青色の発光層及び黄色の蛍光体層だけを用いた場合に比べ、演色性を向上させることができる。   Here, as the 1st light emitting layer 3 and the 2nd light emitting layer 4, the light emitting layer which has the mutually same light emission wavelength may be used, or the light emitting layer which has a different light emission wavelength may be used. In addition, as each light emitting layer 3 and 4, it is possible to use a blue light emitting layer, a red light emitting layer, etc., for example. Further, when configuring the semiconductor light emitting device 1A that emits white light, for example, a red light emitting layer is formed as the first light emitting layer 3, a blue light emitting layer is formed as the second light emitting layer 4, and A phosphor layer (not shown) having a yellow phosphor may be formed on each of the light emitting layers 3 and 4 to emit white light. Since the semiconductor light emitting device 1A at this time contains a red component, the color rendering can be improved as compared with the case where only the blue light emitting layer and the yellow phosphor layer are used.

各電極５ａ〜５ｄは、それぞれ第１発光層３及び第２発光層４に対して電圧を印加するための電極である。詳しくは、電極５ａは第１発光層３のｐ型半導体層３ｃ上に設けられており、電極５ｂは第１発光層３のｎ型半導体層３ａ上に設けられている。なお、ｎ型半導体層３ａは電極５ｂの設置用に活性層３ｂ及びｐ型半導体層３ｃよりも広く基材２の第１主面Ｍ１上に形成されている。また、電極５ｃは第２発光層４のｐ型半導体層４ｃ上に設けられており、電極５ｄは第２発光層４のｎ型半導体層４ａ上に設けられている。なお、ｎ型半導体層４ａは電極５ｄの設置用に活性層４ｂ及びｐ型半導体層４ｃよりも広く基材２の第２主面Ｍ２上に形成されている。   Each of the electrodes 5 a to 5 d is an electrode for applying a voltage to the first light emitting layer 3 and the second light emitting layer 4. Specifically, the electrode 5 a is provided on the p-type semiconductor layer 3 c of the first light-emitting layer 3, and the electrode 5 b is provided on the n-type semiconductor layer 3 a of the first light-emitting layer 3. The n-type semiconductor layer 3a is formed on the first main surface M1 of the base material 2 so as to be wider than the active layer 3b and the p-type semiconductor layer 3c for installing the electrode 5b. The electrode 5 c is provided on the p-type semiconductor layer 4 c of the second light emitting layer 4, and the electrode 5 d is provided on the n-type semiconductor layer 4 a of the second light emitting layer 4. The n-type semiconductor layer 4a is formed on the second main surface M2 of the base material 2 so as to be wider than the active layer 4b and the p-type semiconductor layer 4c for installing the electrode 5d.

このような半導体発光装置１Ａでは、各電極５ａ〜５ｄに電圧が印加されると、第１発光層３及び第２発光層４はそれぞれ光を放射する。第１発光層３から放射された光は半導体発光装置１Ａの上方及び下方（図１中）に向かって広がり、同様に、第２発光層４から放射された光も半導体発光装置１Ａの上方及び下方（図１中）に向かって広がる。したがって、半導体発光装置１Ａの上方には、第１発光層３から放射された光の一部と、第２発光層４から放射された光の一部とが放射され、半導体発光装置１Ａの下方には、第１発光層３から放射された光の一部と、第２発光層４から放射された光の一部とが放射される。これにより、図１中の上下の両方向に放射される光の光量は、発光層が１つである場合に比べて向上することになる。   In such a semiconductor light emitting device 1A, when a voltage is applied to each of the electrodes 5a to 5d, the first light emitting layer 3 and the second light emitting layer 4 each emit light. The light emitted from the first light emitting layer 3 spreads upward and downward (in FIG. 1) of the semiconductor light emitting device 1A, and similarly, the light emitted from the second light emitting layer 4 is also above and below the semiconductor light emitting device 1A. Expands downward (in FIG. 1). Accordingly, a part of the light emitted from the first light emitting layer 3 and a part of the light emitted from the second light emitting layer 4 are emitted above the semiconductor light emitting device 1A, and below the semiconductor light emitting device 1A. A part of the light emitted from the first light emitting layer 3 and a part of the light emitted from the second light emitting layer 4 are emitted. Thereby, the amount of light emitted in both the upper and lower directions in FIG. 1 is improved as compared with the case where there is one light emitting layer.

次に、前述の半導体発光装置１Ａの製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 1A will be described.

半導体発光装置１Ａの製造工程は、図２に示すように、製造用に用いる製造用基材１１ａ、１１ｂ上に発光層３、４を形成する発光層形成工程と、図３及び図４に示すように、発光層３、４が形成された各製造用基材１１ａ、１１ｂを半導体発光装置１Ａの基体となる基材２に接合する接合工程と、図５及び図６に示すように、各製造用基材１１ａ、１１ｂが接合された基材２から各発光層３、４を残して各製造用基材１１ａ、１１ｂを取り除く除去工程と、図７に示すように、基材２の各発光層３、４上に各電極５ａ〜５ｄを形成する電極形成工程とを有している。   As shown in FIG. 2, the manufacturing process of the semiconductor light emitting device 1 </ b> A is shown in FIG. 3 and FIG. 4, and a light emitting layer forming process for forming the light emitting layers 3 and 4 on the manufacturing base materials 11 a and 11 b used for manufacturing. As shown in FIGS. 5 and 6, each manufacturing base material 11 a, 11 b on which the light emitting layers 3, 4 are formed is joined to the base material 2 that is the base of the semiconductor light emitting device 1 A. The removal process which removes each manufacturing base material 11a, 11b leaving each light emitting layer 3, 4 from the base material 2 to which the manufacturing base material 11a, 11b was joined, and as shown in FIG. An electrode forming step of forming the electrodes 5a to 5d on the light emitting layers 3 and 4.

発光層形成工程では、図２に示すように、製造用基材１１ａ上に例えばＧａＮ系のエピタキシャル発光層が第１発光層３として形成される。また、同様に、製造用基材１１ｂ上に例えばＧａＮ系のエピタキシャル発光層が第２発光層４として形成される。これらの発光層３、４は通常とほとんど同じエピタキシャル形成プロセスにより製造される。ここで、製造用基材１１ａ、１１ｂとしては、エピタキシャル成長に適したサファイア基板やＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板等を使用する。   In the light emitting layer forming step, as shown in FIG. 2, for example, a GaN-based epitaxial light emitting layer is formed as the first light emitting layer 3 on the manufacturing base material 11 a. Similarly, for example, a GaN-based epitaxial light emitting layer is formed as the second light emitting layer 4 on the manufacturing base material 11b. These light emitting layers 3 and 4 are manufactured by almost the same epitaxial formation process as usual. Here, a sapphire substrate, a SiC substrate, an AlN substrate, or the like suitable for epitaxial growth is used as the manufacturing base materials 11a and 11b.

接合工程では、図３に示すように、第１発光層３が形成された製造用基材１１ａがその第１発光層３を基材２側に向けて基材２の第１主面Ｍ１上にボンディングされ、さらに、第２発光層４が形成された製造用基材１１ｂがその第２発光層４を基材２側に向けて基材２の第２主面Ｍ２上にボンディングされる。これにより、図４に示すように、第１発光層３が形成された製造用基材１１ａ及び第２発光層４が形成された製造用基材１１ｂが基材２の両面にボンディングされる。ここで、基材２としては、サファイア基板やＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板等を使用しても良いが、エピタキシャル成長に適さない基材でもよく、より安価なＳｉ基板やＧｅ基板等を使用する。   In the joining step, as shown in FIG. 3, the manufacturing base material 11 a on which the first light emitting layer 3 is formed is on the first main surface M <b> 1 of the base material 2 with the first light emitting layer 3 facing the base material 2 side. Further, the manufacturing base material 11b on which the second light emitting layer 4 is formed is bonded onto the second main surface M2 of the base material 2 with the second light emitting layer 4 facing the base material 2 side. As a result, as shown in FIG. 4, the manufacturing base material 11 a on which the first light emitting layer 3 is formed and the manufacturing base material 11 b on which the second light emitting layer 4 is formed are bonded to both surfaces of the base material 2. Here, as the base material 2, a sapphire substrate, a SiC substrate, an AlN substrate, or the like may be used, but a base material that is not suitable for epitaxial growth may be used, and a cheaper Si substrate, Ge substrate, or the like is used.

除去工程では、図５に示すように、まず、各製造用基材１１ａ、１１ｂが接合された基材２から製造用基材１１ａをリフトオフ法（例えばレーザ光を用いたリフトオフ法）により剥離し、その後、図６に示すように、製造用基材１１ｂもリフトオフ法（例えばレーザ光を用いたリフトオフ法）により剥離する。   In the removing step, as shown in FIG. 5, first, the manufacturing base material 11a is peeled off from the base material 2 to which the manufacturing base materials 11a and 11b are joined by a lift-off method (for example, a lift-off method using laser light). Then, as shown in FIG. 6, the manufacturing substrate 11b is also peeled off by a lift-off method (for example, a lift-off method using laser light).

電極形成工程では、図７に示すように、第１発光層３上に各電極５ａ、５ｂを形成し、第２発光層４上に各電極５ｃ、５ｄを形成する。これにより、半導体発光装置１Ａが完成する。   In the electrode forming step, as shown in FIG. 7, the electrodes 5 a and 5 b are formed on the first light emitting layer 3, and the electrodes 5 c and 5 d are formed on the second light emitting layer 4. Thereby, the semiconductor light emitting device 1A is completed.

このような製造方法により半導体発光装置１Ａを作製することによって、エピタキシャル形成には適さないがより安価なＳｉ基板やＧｅ基板等の基材２の両面に各発光層３、４を形成することができる。さらに、通常の発光層３、４のエピタキシャル形成プロセスをそのまま使用することが可能であるので、既存の設備で半導体発光装置１Ａを製造することができる。   By manufacturing the semiconductor light emitting device 1A by such a manufacturing method, it is possible to form the light emitting layers 3 and 4 on both surfaces of the base material 2 such as a Si substrate and a Ge substrate which are not suitable for epitaxial formation but are cheaper. it can. Furthermore, since the normal epitaxial formation process of the light emitting layers 3 and 4 can be used as it is, the semiconductor light emitting device 1A can be manufactured with existing equipment.

以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、第１主面Ｍ１とその第１主面Ｍ１に対向する第２主面Ｍ２を有する基材２に対し、第１主面Ｍ１上に第１発光層３を設け、第２主面Ｍ２上に第２発光層４を設けることによって、半導体発光装置１Ａ自体の光量（輝度）を向上させることができる。したがって、従来のようにＬＥＤを複数個設けてＬＥＤパッケージの光量向上を図る必要がなくなるので、ＬＥＤパッケージの構造及び製造プロセスが簡略化し、コストを抑えることができる。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, the first main surface M1 and the base material 2 having the second main surface M2 opposed to the first main surface M1 are the first main surface. By providing the first light emitting layer 3 on the surface M1 and the second light emitting layer 4 on the second main surface M2, the light quantity (luminance) of the semiconductor light emitting device 1A itself can be improved. Accordingly, it is not necessary to provide a plurality of LEDs as in the prior art to improve the light quantity of the LED package, so that the structure and manufacturing process of the LED package can be simplified and the cost can be reduced.

なお、第１発光層３及び第２発光層４として同じ発光波長の発光層を設け、第１発光層３の発光波長及び第２発光層４の発光波長を同じにした場合には、１種類の発光波長の光をほぼ２倍の光量にすることができる。一方、第１発光層３及び第２発光層４として異なる発光波長の発光層を設け、第１発光層３の発光波長及び第２発光層４の発光波長を異ならせた場合には、光量の増加に加え、２種類の発光波長の光と蛍光体を用いて白色を発光させることが可能となるので、１種類の発光波長の光と蛍光体を用いて白色を発光させる場合に比べ、２種類の発光色成分が存在し、演色性を向上させることができる。   In addition, when the light emitting layer of the same light emission wavelength is provided as the 1st light emitting layer 3 and the 2nd light emitting layer 4, and the light emission wavelength of the 1st light emitting layer 3 and the light emission wavelength of the 2nd light emitting layer 4 are made the same, it is 1 type. The light of the emission wavelength can be made almost twice as much. On the other hand, when light emitting layers having different light emitting wavelengths are provided as the first light emitting layer 3 and the second light emitting layer 4, and the light emitting wavelength of the first light emitting layer 3 and the light emitting wavelength of the second light emitting layer 4 are different, In addition to the increase, white light can be emitted using light of two types of emission wavelengths and a phosphor, so that compared to the case where white light is emitted using light of one type of emission wavelength and phosphor, 2 There are various kinds of luminescent color components, and the color rendering properties can be improved.

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図８ないし図１０を参照して説明する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第２の実施の形態は第１の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第２の実施の形態においては、第１の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。   The second embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, in particular, portions different from the first embodiment will be described. In the second embodiment, description of the same parts as those described in the first embodiment is omitted.

図８に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装置１Ｂは、片面発光型の半導体発光装置である。第１発光層３及び第２発光層４から放射された光を反射する反射層６が第２発光層４上に設けられている。この反射層６上に電極５ｃが設けられている。ここで、反射層６としては、例えばＡｇ等を用いる。このような反射層６により、第１発光層３及び第２発光層４から放射された光の一部は、半導体発光装置１Ａの上方（図８中）に向かって反射される。これにより、片面発光型の半導体発光装置が実現され、その光量も発光層が１つである場合に比べて向上することになる。   As shown in FIG. 8, the semiconductor light emitting device 1B according to the second embodiment of the present invention is a single-sided light emitting semiconductor light emitting device. A reflective layer 6 that reflects light emitted from the first light emitting layer 3 and the second light emitting layer 4 is provided on the second light emitting layer 4. An electrode 5 c is provided on the reflective layer 6. Here, for example, Ag or the like is used as the reflective layer 6. Due to such a reflective layer 6, part of the light emitted from the first light emitting layer 3 and the second light emitting layer 4 is reflected upward (in FIG. 8) above the semiconductor light emitting device 1 </ b> A. As a result, a single-sided light emitting semiconductor light emitting device is realized, and the amount of light is improved as compared with the case where there is one light emitting layer.

半導体発光装置１Ｂの製造工程は、第１の実施の形態に係る製造工程と同様の工程を有しており、さらに、除去工程と電極形成工程との間に反射層形成工程を有している。すなわち、反射層形成工程では、図９に示すように、基材２の第２発光層４上に反射層６を形成する。次いで、電極形成工程では、図１０に示すように、第１発光層３上に各電極５ａ、５ｂを形成し、反射層６上に電極５ｃを形成し、第２発光層４上に電極５ｄを形成する。これにより、半導体発光装置１Ｂが完成する。   The manufacturing process of the semiconductor light emitting device 1B has the same process as the manufacturing process according to the first embodiment, and further has a reflective layer forming process between the removing process and the electrode forming process. . That is, in the reflective layer forming step, the reflective layer 6 is formed on the second light emitting layer 4 of the substrate 2 as shown in FIG. Next, in the electrode forming step, as shown in FIG. 10, the electrodes 5 a and 5 b are formed on the first light emitting layer 3, the electrode 5 c is formed on the reflective layer 6, and the electrode 5 d is formed on the second light emitting layer 4. Form. Thereby, the semiconductor light emitting device 1B is completed.

以上説明したように、本発明の第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、反射層６を設けることによって、片面から高輝度な光を放射することができる。   As described above, according to the second embodiment of the present invention, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In particular, by providing the reflective layer 6, it is possible to radiate high-luminance light from one side.

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態について図１１を参照して説明する。 (Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の第３の実施の形態は第１の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第３の実施の形態においては、第１の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。   The third embodiment of the present invention is a modification of the first embodiment. Therefore, in particular, portions different from the first embodiment will be described. In the third embodiment, description of the same parts as those described in the first embodiment is omitted.

図１１に示すように、本発明の第３の実施の形態に係る半導体発光装置１Ｃでは、第１主面Ｍ１に対する第１発光層３の設置領域Ｒ１が第２主面Ｍ２に対する第２発光層４の設置領域Ｒ２に比べ小さくなるように、第１発光層３及び第２発光層４が基材２上に設けられている。これにより、第１発光層３の発光面の面積と第２発光層４の発光面の面積とが異なることになる。   As shown in FIG. 11, in the semiconductor light emitting device 1C according to the third embodiment of the present invention, the installation region R1 of the first light emitting layer 3 with respect to the first main surface M1 is the second light emitting layer with respect to the second main surface M2. The first light emitting layer 3 and the second light emitting layer 4 are provided on the substrate 2 so as to be smaller than the installation region R2 of FIG. As a result, the area of the light emitting surface of the first light emitting layer 3 and the area of the light emitting surface of the second light emitting layer 4 are different.

ここで、半導体発光装置１Ｃが基材２となるウェハ（例えば、サファイアウェハ、Ｓｉウェハ、ＳｉＣウェハ、ＡｌＮウェハ及びＧａＮウェハ等）上に一括で複数個形成された場合には、各半導体発光装置１Ｃはダイシング工程によりチップ個片に分割される。このとき、第１発光層３及び第２発光層４がリソグラフィの精度や貼り合わせの精度等によって所定位置から少量ずれる場合がある。この状態で、ウェハの両面のどちらか一方を基準としてダイシングした場合には、基準とした基準面の反対面上の発光層の外周部を切断したり、削ってしまったりする恐れがある。したがって、基準面として第２主面Ｍ２とする場合には、第１主面Ｍ１上の設置領域Ｒ１が第２主面Ｍ２上の設置領域Ｒ２に比べ小さく設定されている。これにより、各発光層３、４の位置ズレが多少生じたとしても、設置領域Ｒ２が大きい第２主面Ｍ２が基準面としてダイシングされるので、基準面の反対面である第１主面Ｍ１上の第１発光層３を切断してしまうことを防止することができる。したがって、チップの製造歩留まりを大幅に高めることができる。   Here, when a plurality of semiconductor light emitting devices 1C are collectively formed on a wafer (for example, a sapphire wafer, a Si wafer, a SiC wafer, an AlN wafer, a GaN wafer, etc.) serving as the base material 2, each semiconductor light emitting device 1C is divided into chip pieces by a dicing process. At this time, the first light-emitting layer 3 and the second light-emitting layer 4 may be slightly shifted from a predetermined position depending on the accuracy of lithography, the accuracy of bonding, or the like. In this state, when dicing is performed using either one of both surfaces of the wafer as a reference, the outer peripheral portion of the light emitting layer on the opposite surface of the reference surface may be cut or scraped. Accordingly, when the second main surface M2 is used as the reference surface, the installation region R1 on the first main surface M1 is set smaller than the installation region R2 on the second main surface M2. Accordingly, even if the light emitting layers 3 and 4 are slightly misaligned, the second main surface M2 having a large installation region R2 is diced as a reference surface, and thus the first main surface M1 that is the opposite surface of the reference surface. It is possible to prevent the upper first light emitting layer 3 from being cut. Therefore, the manufacturing yield of chips can be greatly increased.

以上説明したように、本発明の第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、第１主面Ｍ１に対する第１発光層３の設置領域Ｒ１及び第２主面Ｍ２に対する第２発光層４の設置領域Ｒ２のどちらか一方は他方に比べ小さいことから、例えば設置領域Ｒ２が設置領域Ｒ１より大きい場合には、第２主面Ｍ２を基準面としてダイシング工程が行われるので、各発光層３、４の位置ズレが多少生じたとしても、基準面の反対面である第１主面Ｍ１上の第１発光層３を切断してしまうことを防止することができる。その結果、チップの製造歩留まりを大幅に高めることができる。   As described above, according to the third embodiment of the present invention, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In particular, since either one of the installation region R1 of the first light emitting layer 3 with respect to the first main surface M1 and the installation region R2 of the second light emitting layer 4 with respect to the second main surface M2 is smaller than the other, the installation region R2 is, for example, If it is larger than the installation region R1, the dicing process is performed using the second main surface M2 as a reference surface, so even if the light emitting layers 3 and 4 are slightly misaligned, the first surface is the opposite surface of the reference surface. It is possible to prevent the first light emitting layer 3 on the main surface M1 from being cut. As a result, the manufacturing yield of chips can be significantly increased.

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態について図１２を参照して説明する。 (Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の第４の実施の形態は、第２の実施の形態に係る半導体発光装置１Ｂを備える光半導体パッケージの一例である。なお、第４の実施の形態においては、第２の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。   The fourth embodiment of the present invention is an example of an optical semiconductor package including the semiconductor light emitting device 1B according to the second embodiment. In the fourth embodiment, description of the same parts as those described in the second embodiment is omitted.

図１２に示すように、本発明の第４の実施の形態に係る光半導体パッケージ２１Ａは、基体となるパッケージ基材２２と、そのパッケージ基材２２上に設けられた半導体発光装置１Ｂとを備えている。   As shown in FIG. 12, an optical semiconductor package 21A according to the fourth embodiment of the present invention includes a package base 22 serving as a base, and a semiconductor light emitting device 1B provided on the package base 22. ing.

半導体発光装置１Ｂは、パッケージ基材２２上に設けられた配線パターン２３ａ、２３ｂに各電極５ｃ、５ｄが接続材２４ａ、２４ｂによりそれぞれ接続され、パッケージ基材２２上に接合されている。また、各電極５ａ、５ｂには、それぞれワイヤＷ１、Ｗ２が接続材２４ｃ、２４ｄを介して接続されている。ここで、パッケージ基材２２としては、例えば、各種セラミック基材やガラスエポキシ基板等を用いる。さらに、接続材２４ａ、２４ｂとしては、例えばバンプ（Ａｕ、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇ及びＳｎＣｕ等）等を用いる。   In the semiconductor light emitting device 1 </ b> B, the electrodes 5 c and 5 d are connected to the wiring patterns 23 a and 23 b provided on the package base 22 by connecting members 24 a and 24 b, respectively, and are joined on the package base 22. Also, wires W1 and W2 are connected to the electrodes 5a and 5b via connecting members 24c and 24d, respectively. Here, as the package base material 22, for example, various ceramic base materials, glass epoxy substrates, and the like are used. Furthermore, as the connection members 24a and 24b, for example, bumps (Au, AuSn, SnAg, SnCu, etc.) are used.

以上説明したように、本発明の第４の実施の形態によれば、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、高輝度な半導体発光装置１Ｂを用いることによって、小型で高輝度な光半導体パッケージを実現することができる。   As described above, according to the fourth embodiment of the present invention, the same effect as that of the second embodiment can be obtained. In particular, by using the high-brightness semiconductor light emitting device 1B, a small and high-brightness optical semiconductor package can be realized.

（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態について図１３を参照して説明する。 (Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の第５の実施の形態は第４の実施の形態の変形例である。したがって、特に、第４の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第５の実施の形態においては、第４の実施の形態で説明した部分と同じ部分の説明を省略する。   The fifth embodiment of the present invention is a modification of the fourth embodiment. Therefore, in particular, parts different from the fourth embodiment will be described. Note that in the fifth embodiment, description of the same parts as those described in the fourth embodiment will be omitted.

図１３に示すように、本発明の第５の実施の形態に係る光半導体パッケージ２１Ｂでは、半導体発光装置１Ｂは、パッケージ基材２２上に設けられた配線パターン２３ａ、２３ｂに反射層６及び電極５ｄが接続材２５ａ、２５ｂによりそれぞれ接続され、パッケージ基材２２上に接合されている。また、パッケージ基材２２上の接続材２５ａと接続材２５ｂとの間には、それらの電気的な接続を防止するための絶縁材２６が設けられている。ここで、接続材２５ａ、２５ｂとしては、例えばＡｕＳｎはんだやＡｇペースト等を用いる。なお、光半導体パッケージ２１Ｂでは、電極５ｃは必要なく、反射層６が電極として機能する。   As shown in FIG. 13, in the optical semiconductor package 21 </ b> B according to the fifth embodiment of the present invention, the semiconductor light emitting device 1 </ b> B includes the reflective layer 6 and the electrodes on the wiring patterns 23 a and 23 b provided on the package substrate 22. 5d is connected by connecting members 25a and 25b, respectively, and is bonded onto the package base material 22. In addition, an insulating material 26 is provided between the connecting material 25a and the connecting material 25b on the package base material 22 to prevent their electrical connection. Here, as the connection members 25a and 25b, for example, AuSn solder, Ag paste, or the like is used. In the optical semiconductor package 21B, the electrode 5c is not necessary, and the reflective layer 6 functions as an electrode.

以上説明したように、本発明の第５の実施の形態によれば、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。   As described above, according to the fifth embodiment of the present invention, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained.

（他の実施の形態）
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。 (Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、前述の実施の形態においては、各種の材料を挙げているが、それらの材料は例示であり、限定されるものではない。   For example, in the above-described embodiment, various materials are listed, but these materials are examples and are not limited.

本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the semiconductor light-emitting device concerning the 1st Embodiment of this invention. 図１に示す半導体発光装置の製造方法を説明するための第１の工程断面図である。FIG. 6 is a first process cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the semiconductor light emitting device shown in FIG. 1. 第２の工程断面図である。It is 2nd process sectional drawing. 第３の工程断面図である。It is 3rd process sectional drawing. 第４の工程断面図である。It is a 4th process sectional view. 第５の工程断面図である。FIG. 10 is a fifth process cross-sectional view. 第６の工程断面図である。It is 6th process sectional drawing. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Embodiment of this invention. 図８に示す半導体発光装置の製造方法を説明するための第１の工程断面図である。FIG. 10 is a first process cross-sectional view for illustrating the method of manufacturing the semiconductor light emitting device shown in FIG. 8. 第２の工程断面図である。It is 2nd process sectional drawing. 本発明の第３の実施の形態に係る半導体発光装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the semiconductor light-emitting device concerning the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態に係る光半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the optical semiconductor package which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施の形態に係る光半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the optical semiconductor package which concerns on the 5th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…半導体発光装置、２…基材、３…第１発光層、４…第２発光層、Ｍ１…第１主面、Ｍ２…第２主面、Ｒ１…設置領域、Ｒ２…設置領域   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A, 1B, 1C ... Semiconductor light-emitting device, 2 ... Base material, 3 ... 1st light emitting layer, 4 ... 2nd light emitting layer, M1 ... 1st main surface, M2 ... 2nd main surface, R1 ... installation area | region, R2 ... Installation area

Claims (4)

第１主面及び前記第１主面に対向する第２主面を有する基材と、
前記第１主面上に設けられた第１発光層と、
前記第２主面上に設けられた第２発光層と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。 A substrate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface;
A first light emitting layer provided on the first main surface;
A second light emitting layer provided on the second main surface;
A semiconductor light emitting device comprising: 前記第１主面に対する前記第１発光層の設置領域及び前記第２主面に対する前記第２発光層の設置領域のどちらか一方は他方に比べ小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein one of the installation region of the first light emitting layer with respect to the first main surface and the installation region of the second light emitting layer with respect to the second main surface is smaller than the other. apparatus. 第１主面及び前記第１主面に対向する第２主面を有する基材に対し、前記第１主面上に第１発光層を設け、前記第２主面上に第２発光層を設けることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。   For a substrate having a first main surface and a second main surface facing the first main surface, a first light emitting layer is provided on the first main surface, and a second light emitting layer is provided on the second main surface. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: providing a semiconductor light emitting device. 前記第１主面に対する前記第１発光層の設置領域及び前記第２主面に対する前記第２発光層の設置領域のどちらか一方を他方に比べ小さくして前記第１発光層及び前記第２発光層を設けることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置の製造方法。   Either the first light-emitting layer and the second light-emitting layer are made smaller than the other one of the installation region of the first light-emitting layer with respect to the first main surface and the installation region of the second light-emitting layer with respect to the second main surface. 4. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein a layer is provided.
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