JP2000138417A - Multi-beam laser diode - Google Patents
Multi-beam laser diodeInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複数本のレーザビ
ームを出力することができるマルチビームレーザダイオ
ードに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-beam laser diode capable of outputting a plurality of laser beams.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のマルチビーム型のレーザは、図５
（ａ）に示すように１つのチップの片面に複数個のレー
ザダイオードを形成したモノリシックタイプと、同図
（ｂ）に示すように１つのチップに１個のレーザダイオ
ードを形成し、それらのチップを複数個並べたハイブリ
ッドタイプがある。これらのいずれのタイプも、レーザ
ビームの発光点Ｐが横方向に配列されるので、ビーム配
列に自由度がない、あるいは素子分離を行うために必要
な溝あるいは注入領域が必要なため、ビーム間隔が広く
なりやすい等の問題が有った。2. Description of the Related Art A conventional multi-beam type laser is shown in FIG.
A monolithic type in which a plurality of laser diodes are formed on one surface of one chip as shown in (a), and a single laser diode is formed in one chip as shown in FIG. There is a hybrid type in which a plurality of are arranged. In any of these types, since the light emitting points P of the laser beam are arranged in the horizontal direction, there is no freedom in beam arrangement, or a groove or an injection region necessary for element isolation is required. However, there was a problem that the size was easily widened.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は上記の
点を考慮し、ビーム配列に自由度があり、ビーム間隔を
狭くすることができるマルチビームレーザダイオードを
提供することを主な課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, it is a main object of the present invention to provide a multi-beam laser diode having a freedom in beam arrangement and a narrow beam interval. .
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のマルチビームレ
ーザダイオードは、基板の一方の面と他方の面に結晶成
長させて第１、第２のレーザダイオードを形成したこと
を特徴とする。基板の両面に第１、第２のレーザダイオ
ードを形成するので、ビーム配列の自由度を高めること
ができるとともに、ビーム間隔を狭くすることができ
る。A multi-beam laser diode according to the present invention is characterized in that first and second laser diodes are formed by growing crystals on one surface and the other surface of a substrate. Since the first and second laser diodes are formed on both surfaces of the substrate, the degree of freedom in beam arrangement can be increased and the beam interval can be narrowed.
【０００５】また、本発明のマルチビームレーザダイオ
ードは、半導体基板の一方の面に第１のレーザダイオー
ドを形成し、前記半導体基板の他方の面に発振波長が前
記第１のレーザダイオードと異なる第２のレーザダイオ
ードを形成したことを特徴とする。基板の両面に発振波
長が相違するレーザダイオードを形成するので、従来の
ハイブリッドタイプ構成に比べて、チップの組み立て作
業性を良好にすることができる。加えて、ビーム配列の
自由度を高めることができるとともに、ビーム間隔を狭
くすることができる。Further, in the multi-beam laser diode of the present invention, a first laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and an oscillation wavelength different from that of the first laser diode is formed on the other surface of the semiconductor substrate. 2 laser diodes are formed. Since laser diodes having different oscillation wavelengths are formed on both surfaces of the substrate, the chip assembling workability can be improved as compared with the conventional hybrid type configuration. In addition, the degree of freedom of the beam arrangement can be increased, and the beam interval can be narrowed.
【０００６】また、本発明のマルチビームレーザダイオ
ードは、半導体基板の一方の面に第１のレーザダイオー
ドを形成し、前記半導体基板の他方の面に第２、第３の
レーザダイオードを所定間隔をもって形成し、平面的に
前記第１のレーザダイオードが前記第２、第３のレーザ
ダイオードの間に位置するように前記各レーザダイオー
ドを配置したことを特徴とする。このような構成によ
り、従来のモノリシックタイプ構成に比べて、ビーム間
隔を狭くすることができる。In the multi-beam laser diode according to the present invention, a first laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and second and third laser diodes are formed on the other surface of the semiconductor substrate at a predetermined interval. The laser diodes are formed and the respective laser diodes are arranged so that the first laser diode is located between the second and third laser diodes in a plane. With such a configuration, the beam interval can be reduced as compared with the conventional monolithic type configuration.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について、図
面を参照して説明する。図１は、本発明のマルチビーム
レーザダイオードの一実施例を示す断面図である。この
マルチビームレーザダイオード１は、基板２の一方の面
２ａと他方の面２ｂに第１、第２のレーザダイオード
３，４を形成している。基板２は、例えばｎ型のＧａＡ
ｓで構成した半導体製の基板によって構成しているが、
それ以外の基板を用いることもできる。第１のレーザダ
イオード３は、発振波長が６３５〜６８５ｎｍ程度のＡ
ｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザダイオードによって
構成し、第２のレーザダイオード４は、発振波長が７８
０〜８００ｎｍ程度のＧａＡｌＡｓ系の赤外半導体レー
ザダイオードによって構成している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the multi-beam laser diode of the present invention. This multi-beam laser diode 1 has first and second laser diodes 3 and 4 formed on one surface 2a and the other surface 2b of a substrate 2. The substrate 2 is, for example, n-type GaAs
s, which is composed of a semiconductor substrate.
Other substrates can be used. The first laser diode 3 has an oscillation wavelength of about 635 to 685 nm.
The second laser diode 4 is composed of an lGaInP-based red semiconductor laser diode and has an oscillation wavelength of 78 nm.
It is composed of a GaAlAs-based infrared semiconductor laser diode of about 0 to 800 nm.
【０００８】第１のレーザダイオード３は、例えば活性
層３２の上下を第１、第２のクラッド層３１，３３によ
って挟み込んだダブルヘテロ構造を備えている。さら
に、第２クラッド層３３に形成したストライプ状のリッ
ジ部分３４の両側をブロック層３５によって埋め込むと
ともに、その上にコンタクト層３６、キャップ層３７を
形成した埋込リッジ構造を備えている。同様に第２のレ
ーザダイオード４は、例えば活性層４２の上下を第１、
第２のクラッド層４１，４３によって挟み込んだダブル
ヘテロ構造を備えている。さらに、第２クラッド層４３
に形成したストライプ状のリッジ部分４４の両側をブロ
ック層４５によって埋め込むとともに、その上にコンタ
クト層４６、キャップ層４７を形成した埋込リッジ構造
を備えている。The first laser diode 3 has, for example, a double hetero structure in which the upper and lower portions of an active layer 32 are sandwiched between first and second cladding layers 31 and 33. Further, both sides of the stripe-shaped ridge portion 34 formed in the second cladding layer 33 are buried with a block layer 35, and a buried ridge structure in which a contact layer 36 and a cap layer 37 are formed thereon is provided. Similarly, the second laser diode 4 includes, for example, first and second layers above and below the active layer 42.
A double hetero structure sandwiched between the second cladding layers 41 and 43 is provided. Further, the second cladding layer 43
And a buried ridge structure in which a contact layer 46 and a cap layer 47 are formed on both sides of the striped ridge portion 44 formed by the block layer 45.
【０００９】基板の一方の面２ａには、第２のレーザダ
イオード４の片側に位置して共通電極５が形成され、第
１のレーザダイオード３の一方の面と第２のレーザダイ
オード４の一方の面には個別電極６，７が形成されてい
る。個別電極６はシリコンサブマウント等の取付部８に
Ａｕ−Ｓｎ,Ａｕ−Ｇｅ,Ｐｂ−Ｓｎ等の半田材（図示せ
ず）を用いて融着され、個別電極７と共通電極５は、リ
ード端子（図示せず）に金線９を用いてワイヤボンド接
続される。On one surface 2a of the substrate, a common electrode 5 is formed on one side of the second laser diode 4, and one surface of the first laser diode 3 and one of the second laser diode 4 are formed. Are formed with individual electrodes 6 and 7. The individual electrode 6 is fused to a mounting portion 8 such as a silicon submount using a solder material (not shown) such as Au-Sn, Au-Ge, or Pb-Sn. A terminal (not shown) is wire-bonded using a gold wire 9.
【００１０】放熱特性が第２のレーザダイオード４に比
べて悪い第１のレーザダイオード３は、放熱特性を改善
するために、素子の横幅を第２のレーザダイオード４よ
りも長く設定しているとともに、基板２が上となるよう
にジャンクションダウンで配置される。In the first laser diode 3, which has a lower heat radiation characteristic than the second laser diode 4, the width of the element is set longer than that of the second laser diode 4 in order to improve the heat radiation characteristic. , Are arranged junction down so that the substrate 2 faces upward.
【００１１】次に、上記レーザダイオード１の製造方法
について、図２、３を参照して説明する。ＧａＡｓ基板
２を所定面積のウエハ状態で準備し、その表面２ａに有
機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ），分子線エピタキシー法
（ＭＢＥ）などを利用してＡｌＧａＩｎＰ系のダブルヘ
テロ構造を含む層の第１回目の結晶成長を行う（図２
（ａ）参照）。この１回目の結晶成長によって、第１の
クラッド層４１、活性層４２、第２のクラッド層４３、
コンタクト層４６が順次形成される。Next, a method of manufacturing the laser diode 1 will be described with reference to FIGS. A GaAs substrate 2 is prepared in the form of a wafer having a predetermined area, and the first surface of a layer containing an AlGaInP-based double heterostructure is formed on the surface 2a of the wafer 2 by using metal-organic thermal decomposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE). The second crystal growth is performed (Fig. 2
(See (a)). By this first crystal growth, the first clad layer 41, the active layer 42, the second clad layer 43,
The contact layers 46 are sequentially formed.
【００１２】次に、基板２の他方の面２ｂに有機金属熱
分解法（ＭＯＣＶＤ），分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｅ）、液層エピタキシャル法（ＬＰＥ）などを利用して
ＧａＡｌＡｓ系のダブルヘテロ構造層を含む層の第２回
目の結晶成長を行う（図２（ｂ）参照）。この２回目の
結晶成長によって、第１のクラッド層３１、活性層３
２、第２のクラッド層３３、コンタクト層３６が順次形
成される。ここで、ＭＯＣＶＤ法を用いる場合に、Ｇａ
ＡｌＡｓ系よりも高温処理が必要とされるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系の層を先に形成しているが、ＭＯＣＶＤ法よりも低
温処理が可能な分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）などの
他の方法を併用して結晶成長させる場合は、ＧａＡｌＡ
ｓ系よりも後にＡｌＧａＩｎＰ系の層を形成することも
できる。Next, on the other surface 2b of the substrate 2, a metalorganic thermal decomposition method (MOCVD) and a molecular beam epitaxy method (MB
E), a second crystal growth of a layer including a GaAlAs-based double heterostructure layer is performed using a liquid layer epitaxial method (LPE) (see FIG. 2B). By this second crystal growth, the first clad layer 31 and the active layer 3
2, a second cladding layer 33 and a contact layer 36 are sequentially formed. Here, when using the MOCVD method, Ga
AlGaIn requiring higher temperature treatment than AlAs-based
In the case where the P-based layer is formed first, but the crystal growth is performed in combination with another method such as molecular beam epitaxy (MBE) that can be processed at a lower temperature than the MOCVD method, GaAlA is used.
An AlGaInP-based layer can be formed after the s-based layer.
【００１３】次に、第１回目の結晶成長層の最上層にＳ
ｉＯ２等からなるストライプ状のマスクパターン１２を
形成し、これ用いてコンタクト層４６、第２クラッド層
４３の大部分をエッチングして除去することにより、ス
トライプ状のリッジ４４を形成する。同様にして、第２
回目の結晶成長層の最上層にＳｉＯ２等からなるストラ
イプ状のマスクパターン１１を前記マスクパターン１２
のストライプ方向に一致させて形成し、これを用いてコ
ンタクト層３６、第２クラッド層３３の大部分をエッチ
ングして除去することにより、ストライプ状のリッジ３
４を形成する（図２（ｃ）参照）。この例では、基板２
を挟んで位置するリッジ３４，４４が上下方向に一致す
るように、上下のマスクパターン１１，１２の位置決め
が行われているので、上下のレーザダイオード３，４の
ビーム間隔を最小に設定することができるが、上下のマ
スクパターン１１，１２の形状や配置を適宜変更するこ
とによって、上下のレーザダイオード３，４のビーム間
隔やビームの配置を任意に設定することができる。Next, S is added to the uppermost layer of the first crystal growth layer.
The striped ridge 44 is formed by forming the striped mask pattern 12 made of iO2 or the like and using the mask pattern 12 to remove most of the contact layer 46 and the second clad layer 43 by etching. Similarly, the second
A stripe-shaped mask pattern 11 made of SiO 2 or the like is formed on the uppermost layer of the second crystal growth layer by the mask pattern 12.
The contact layer 36 and most of the second cladding layer 33 are removed by etching using this, so that the stripe-shaped ridge 3 is formed.
4 (see FIG. 2C). In this example, the substrate 2
Since the upper and lower mask patterns 11 and 12 are positioned so that the ridges 34 and 44 positioned therebetween sandwich the vertical direction, the beam interval between the upper and lower laser diodes 3 and 4 should be set to a minimum. However, by appropriately changing the shapes and arrangements of the upper and lower mask patterns 11 and 12, the beam intervals and the arrangement of the beams of the upper and lower laser diodes 3 and 4 can be arbitrarily set.
【００１４】次に、リッジ４４の両側を埋め込むように
ｎ型のＧａＡｓ等からなるブロック層４５を形成する第
３回目の結晶成長を行う。同様にして、リッジ３４の両
側を埋め込むようにｎ型のＧａＡｓ等からなるブロック
層３５を形成する第４回目の結晶成長を行う（図２
（ｄ）参照）。Next, a third crystal growth for forming a block layer 45 made of n-type GaAs or the like so as to fill both sides of the ridge 44 is performed. Similarly, a fourth crystal growth for forming a block layer 35 made of n-type GaAs or the like so as to fill both sides of the ridge 34 is performed (FIG. 2).
(D)).
【００１５】次に、基板の一方の面２ａ側のマスクパタ
ーン１２を除去した後、リッジ４４部分やブロック層４
５部分を覆うようにｐ型のＧａＡｓ等のキャップ層４７
を形成する第５回目の結晶成長を行う。同様に、基板裏
面２ｂ側のマスクパターン１１を除去した後、リッジ３
４部分やブロック層３５部分を覆うようにｐ型のＧａＡ
ｓ等のキャップ層３７を形成する第６回目の結晶成長を
行う（図３（ｅ）参照）。Next, after removing the mask pattern 12 on one side 2a of the substrate, the ridge 44 and the block layer 4 are removed.
Cap layer 47 of p-type GaAs or the like so as to cover the five portions.
Is performed for the fifth time to form a crystal. Similarly, after removing the mask pattern 11 on the substrate rear surface 2b side, the ridge 3
P-type GaAs so as to cover four portions and the block layer 35 portion.
A sixth crystal growth for forming a cap layer 37 such as s is performed (see FIG. 3E).
【００１６】次に、半導体基板２の表面２ａを露出させ
るように、リッジ４４の長手方向に沿って溝４８をエッ
チングもしくはダイシング処理して形成する（図３
（ｆ）参照）。Next, a groove 48 is formed by etching or dicing along the longitudinal direction of the ridge 44 so as to expose the surface 2a of the semiconductor substrate 2 (FIG. 3).
(F)).
【００１７】次に、キャップ層３７の上に個別電極６を
形成し、キャップ層４７の上に個別電極７を形成し、露
出した基板２の一方の面２ａに共通電極５を形成する
（図３（ｇ）参照）。Next, the individual electrode 6 is formed on the cap layer 37, the individual electrode 7 is formed on the cap layer 47, and the common electrode 5 is formed on one surface 2a of the exposed substrate 2. 3 (g)).
【００１８】次に、レーザの共振端面を形成するための
スクライブラインを、ダイヤモンドポイントなどを用い
てウエハの裏面にリッジ３４の長手方向と直交する方向
に形成する。次に、ウエハを前記スクライブラインに沿
って劈開することによってバー状に分割し、その両端面
にＡｌ2Ｏ3，もしくはＡｌ2Ｏ3とＳｉの多層膜等をスパ
ッタ法やＥＢ蒸着法等を利用して形成する。バー状に分
割されたウエハは、リッジ３４の長手方向と同方向に順
次分離され、レーザダイオード１が出来上がる。スクラ
イブラインに沿った面は、劈開による鏡面をなし、この
劈開面がレーザダイオードの共振端面として機能する。Next, a scribe line for forming a resonance end face of the laser is formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the ridge 34 on the back surface of the wafer using a diamond point or the like. Next, the wafer is divided into bars by cleaving along the scribe lines, and Al 2 O 3 , or a multilayer film of Al 2 O 3 and Si or the like is formed on both end surfaces by sputtering or EB vapor deposition. Utilize and form. The wafer divided into bars is sequentially separated in the same direction as the longitudinal direction of the ridge 34, and the laser diode 1 is completed. The surface along the scribe line forms a mirror surface by cleavage, and this cleavage surface functions as a resonance end surface of the laser diode.
【００１９】このように、基板２の上下にそれぞれ発振
波長が相違するレーザダイオード３，４を形成すること
により、上下のレーザダイオード３，４の配置自由度を
高めることができ、レーザビーム間隔や配置を所望の状
態に設定することができる。例えば、図１に示すように
レーザビームの発光点Ｐを上下の位置に配置すれば、レ
ーザビーム間隔を最短の状態にすることができる。ま
た、基板２を共用することができるので、レーザビーム
間隔をさらに短く設定することができ、例えば１つの光
源とみなせる５０μｍ前後、より好ましくは５０μｍ以
下にレーザビーム間隔を設定することができる。By forming the laser diodes 3 and 4 having different oscillation wavelengths on the upper and lower sides of the substrate 2 as described above, the degree of freedom of arrangement of the upper and lower laser diodes 3 and 4 can be increased, and the laser beam interval and The arrangement can be set to a desired state. For example, as shown in FIG. 1, if the light emitting points P of the laser beam are arranged at upper and lower positions, the laser beam interval can be minimized. Further, since the substrate 2 can be used in common, the laser beam interval can be set even shorter, for example, the laser beam interval can be set to about 50 μm, more preferably 50 μm or less, which can be regarded as one light source.
【００２０】上記のように、発振波長が相違するレーザ
ダイオードの内、温度特性が悪いほうのレーザダイオー
ド３の面積を大きく設定するとともに、そのダイオード
３をジャンクションダウンによるチップボンディングに
対応して形成しているので、ダイオードの温度特性の悪
化を最小限にとどめることができる。As described above, of the laser diodes having different oscillation wavelengths, the area of the laser diode 3 having the worse temperature characteristic is set large, and the diode 3 is formed corresponding to the chip bonding by junction down. Therefore, deterioration of the temperature characteristics of the diode can be minimized.
【００２１】尚、上記実施例は、基板２の両面に交互に
結晶成長させて２種類のレーザダイオードを形成する例
を示したが、本発明はこれに限られるものではなく、基
板２の一方の面に一方のレーザダイオードに必要な結晶
成長を順次行った後、他方のレーザダイオードに必要な
結晶成長を順次行う場合にも適用することができる。例
えば、基板２の一方の面にＧａＡｌＡｓ系の赤外レーザ
ダイオードに必要な結晶成長を液層エピタキシャル法
（ＬＰＥ）を用いて行った後、基板２の他方の面にＡｌ
ＧａＩｎＰ系の赤色レーザ素子を前記液層エピタキシャ
ルよりも低温の例えば有機金属熱分解法（ＭＯＣＶ
Ｄ），分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）等を用いて形成
することもできる。このように、基板の表裏の結晶成長
温度に差がある場合は、高温処理が必要な結晶成長を先
に行うようにすれば良い。In the above embodiment, two types of laser diodes are formed by alternately growing crystals on both sides of the substrate 2. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this. It is also applicable to the case where the crystal growth required for one laser diode is sequentially performed on the surface of, and then the crystal growth required for the other laser diode is sequentially performed. For example, after crystal growth required for a GaAlAs-based infrared laser diode is performed on one surface of the substrate 2 by using a liquid layer epitaxy (LPE), Al growth is performed on the other surface of the substrate 2.
A GaInP-based red laser element is formed at a temperature lower than that of the liquid layer epitaxy by, for example, an organic metal thermal decomposition method (MOCV).
D), molecular beam epitaxy (MBE) or the like. As described above, when there is a difference between the crystal growth temperatures of the front and back surfaces of the substrate, the crystal growth requiring high-temperature treatment may be performed first.
【００２２】また、上記実施例は、発振波長が相違する
２つのレーザダイオード３，４を基板２の表と裏の両面
に形成した場合を例示したが、他の実施例として、発振
波長が同一のレーザダイオードを基板の表と裏の両面に
形成することもできる。In the above embodiment, two laser diodes 3 and 4 having different oscillation wavelengths are formed on both the front and rear surfaces of the substrate 2. However, as another embodiment, the laser diodes having the same oscillation wavelength are used. Can be formed on both the front and back surfaces of the substrate.
【００２３】図４は、基板２の表と裏の両面に３つ以上
のレーザダイオードを形成したマルチビームレーザダイ
オードの実施例を示している。この実施例は、基板２の
一方の面に２つのレーザダイオード１１０，１２０を形
成し、基板２の他方の面に１つのレーザダイオード１３
０を形成した場合を示している。そして、平面的に見て
前記一方の面の２つのレーザダイオード１１０，１２０
の中間に他方の面のレーザダイオード１３０が位置し、
レーザビームの発光点Ｐが２等辺三角形の頂点に位置す
るするように、各レーザダイオードを配置している。各
レーザダイオードは同一波長のレーザダイオードによっ
て構成しているが、上下のレーザダイオードで発振波長
を変えることもできる。FIG. 4 shows an embodiment of a multi-beam laser diode in which three or more laser diodes are formed on both the front and back surfaces of the substrate 2. In this embodiment, two laser diodes 110 and 120 are formed on one surface of the substrate 2 and one laser diode 13 is formed on the other surface of the substrate 2.
The case where 0 is formed is shown. The two laser diodes 110 and 120 on the one surface when viewed in a plan view.
The laser diode 130 on the other surface is located in the middle of
Each laser diode is arranged so that the emission point P of the laser beam is located at the vertex of an isosceles triangle. Although each laser diode is constituted by a laser diode having the same wavelength, the oscillation wavelength can be changed by upper and lower laser diodes.
【００２４】このように、３つ以上のレーザダイオード
を基板２の表裏面に形成するとともに、平面的に見て一
方の面のレーザダイオードの間に他方のレーザダイオー
ドが位置するように配置しているので、マルチビームプ
リンタ等の光源として用いる場合に、各レーザビームの
間隔を狭く設定することができ、印字品位の向上や、高
速印字化への対応を図ることができる。As described above, three or more laser diodes are formed on the front and back surfaces of the substrate 2 and arranged so that the other laser diode is located between the laser diodes on one surface when viewed in plan. Therefore, when used as a light source for a multi-beam printer or the like, the interval between the laser beams can be set to be narrow, so that the printing quality can be improved and high-speed printing can be achieved.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように本発明のマルチビー
ムレーザダイオードによれば、ビーム配列の自由度を高
めることができるとともに、ビーム間隔を狭くすること
ができる。また、従来のハイブリッドタイプ構成に比べ
て、チップの組み立て作業性を良好にすることができ
る。また、従来のモノリシックタイプ構成に比べて、ビ
ーム間隔を狭くすることができる。As described above, according to the multi-beam laser diode of the present invention, the degree of freedom in beam arrangement can be increased and the beam interval can be narrowed. Further, the chip assembling workability can be improved as compared with the conventional hybrid type configuration. Further, the beam interval can be narrowed as compared with the conventional monolithic type configuration.
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】同実施例の製造方法を説明するための、要部断
面図である。FIG. 2 is a fragmentary cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the embodiment.
【図３】同実施例の製造方法を説明するための、要部断
面図である。FIG. 3 is a fragmentary cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the embodiment.
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.
【図５】従来例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a conventional example.
１ マルチビームレーザダイオード ２ 基板 ３ 第１のレーザダイオード ４ 第２のレーザダイオード ５ 共通電極 ６ 個別電極 ７ 個別電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multi-beam laser diode 2 Substrate 3 1st laser diode 4 2nd laser diode 5 Common electrode 6 Individual electrode 7 Individual electrode
Claims (3)
せて第１、第２のレーザダイオードを形成したことを特
徴とするマルチビームレーザダイオード。1. A multi-beam laser diode wherein first and second laser diodes are formed by growing crystals on one surface and the other surface of a substrate.
イオードを形成し、前記半導体基板の他方の面に発振波
長が前記第１のレーザダイオードと異なる第２のレーザ
ダイオードを形成したことを特徴とするマルチビームレ
ーザダイオード。2. A semiconductor laser comprising: a first laser diode formed on one surface of a semiconductor substrate; and a second laser diode having an oscillation wavelength different from that of the first laser diode formed on the other surface of the semiconductor substrate. Features a multi-beam laser diode.
イオードを形成し、前記半導体基板の他方の面に第２、
第３のレーザダイオードを所定間隔をもって形成し、平
面的に前記第１のレーザダイオードが前記第２、第３の
レーザダイオードの間に位置するように前記各レーザダ
イオードを配置したことを特徴とするマルチビームレー
ザダイオード。3. A first laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and a second laser diode is formed on the other surface of the semiconductor substrate.
A third laser diode is formed at a predetermined interval, and the respective laser diodes are arranged so that the first laser diode is located between the second and third laser diodes in plan view. Multi-beam laser diode.
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1998
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