JP2000138417A - Multi-beam laser diode - Google Patents
Multi-beam laser diodeInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、複数本のレーザビ
ームを出力することができるマルチビームレーザダイオ
ードに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-beam laser diode capable of outputting a plurality of laser beams.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のマルチビーム型のレーザは、図5
(a)に示すように1つのチップの片面に複数個のレー
ザダイオードを形成したモノリシックタイプと、同図
(b)に示すように1つのチップに1個のレーザダイオ
ードを形成し、それらのチップを複数個並べたハイブリ
ッドタイプがある。これらのいずれのタイプも、レーザ
ビームの発光点Pが横方向に配列されるので、ビーム配
列に自由度がない、あるいは素子分離を行うために必要
な溝あるいは注入領域が必要なため、ビーム間隔が広く
なりやすい等の問題が有った。2. Description of the Related Art A conventional multi-beam type laser is shown in FIG.
A monolithic type in which a plurality of laser diodes are formed on one surface of one chip as shown in (a), and a single laser diode is formed in one chip as shown in FIG. There is a hybrid type in which a plurality of are arranged. In any of these types, since the light emitting points P of the laser beam are arranged in the horizontal direction, there is no freedom in beam arrangement, or a groove or an injection region necessary for element isolation is required. However, there was a problem that the size was easily widened.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は上記の
点を考慮し、ビーム配列に自由度があり、ビーム間隔を
狭くすることができるマルチビームレーザダイオードを
提供することを主な課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, it is a main object of the present invention to provide a multi-beam laser diode having a freedom in beam arrangement and a narrow beam interval. .
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のマルチビームレ
ーザダイオードは、基板の一方の面と他方の面に結晶成
長させて第1、第2のレーザダイオードを形成したこと
を特徴とする。基板の両面に第1、第2のレーザダイオ
ードを形成するので、ビーム配列の自由度を高めること
ができるとともに、ビーム間隔を狭くすることができ
る。A multi-beam laser diode according to the present invention is characterized in that first and second laser diodes are formed by growing crystals on one surface and the other surface of a substrate. Since the first and second laser diodes are formed on both surfaces of the substrate, the degree of freedom in beam arrangement can be increased and the beam interval can be narrowed.
【0005】また、本発明のマルチビームレーザダイオ
ードは、半導体基板の一方の面に第1のレーザダイオー
ドを形成し、前記半導体基板の他方の面に発振波長が前
記第1のレーザダイオードと異なる第2のレーザダイオ
ードを形成したことを特徴とする。基板の両面に発振波
長が相違するレーザダイオードを形成するので、従来の
ハイブリッドタイプ構成に比べて、チップの組み立て作
業性を良好にすることができる。加えて、ビーム配列の
自由度を高めることができるとともに、ビーム間隔を狭
くすることができる。Further, in the multi-beam laser diode of the present invention, a first laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and an oscillation wavelength different from that of the first laser diode is formed on the other surface of the semiconductor substrate. 2 laser diodes are formed. Since laser diodes having different oscillation wavelengths are formed on both surfaces of the substrate, the chip assembling workability can be improved as compared with the conventional hybrid type configuration. In addition, the degree of freedom of the beam arrangement can be increased, and the beam interval can be narrowed.
【0006】また、本発明のマルチビームレーザダイオ
ードは、半導体基板の一方の面に第1のレーザダイオー
ドを形成し、前記半導体基板の他方の面に第2、第3の
レーザダイオードを所定間隔をもって形成し、平面的に
前記第1のレーザダイオードが前記第2、第3のレーザ
ダイオードの間に位置するように前記各レーザダイオー
ドを配置したことを特徴とする。このような構成によ
り、従来のモノリシックタイプ構成に比べて、ビーム間
隔を狭くすることができる。In the multi-beam laser diode according to the present invention, a first laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and second and third laser diodes are formed on the other surface of the semiconductor substrate at a predetermined interval. The laser diodes are formed and the respective laser diodes are arranged so that the first laser diode is located between the second and third laser diodes in a plane. With such a configuration, the beam interval can be reduced as compared with the conventional monolithic type configuration.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について、図
面を参照して説明する。図1は、本発明のマルチビーム
レーザダイオードの一実施例を示す断面図である。この
マルチビームレーザダイオード1は、基板2の一方の面
2aと他方の面2bに第1、第2のレーザダイオード
3,4を形成している。基板2は、例えばn型のGaA
sで構成した半導体製の基板によって構成しているが、
それ以外の基板を用いることもできる。第1のレーザダ
イオード3は、発振波長が635〜685nm程度のA
lGaInP系の赤色半導体レーザダイオードによって
構成し、第2のレーザダイオード4は、発振波長が78
0〜800nm程度のGaAlAs系の赤外半導体レー
ザダイオードによって構成している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the multi-beam laser diode of the present invention. This multi-beam laser diode 1 has first and second laser diodes 3 and 4 formed on one surface 2a and the other surface 2b of a substrate 2. The substrate 2 is, for example, n-type GaAs
s, which is composed of a semiconductor substrate.
Other substrates can be used. The first laser diode 3 has an oscillation wavelength of about 635 to 685 nm.
The second laser diode 4 is composed of an lGaInP-based red semiconductor laser diode and has an oscillation wavelength of 78 nm.
It is composed of a GaAlAs-based infrared semiconductor laser diode of about 0 to 800 nm.
【0008】第1のレーザダイオード3は、例えば活性
層32の上下を第1、第2のクラッド層31,33によ
って挟み込んだダブルヘテロ構造を備えている。さら
に、第2クラッド層33に形成したストライプ状のリッ
ジ部分34の両側をブロック層35によって埋め込むと
ともに、その上にコンタクト層36、キャップ層37を
形成した埋込リッジ構造を備えている。同様に第2のレ
ーザダイオード4は、例えば活性層42の上下を第1、
第2のクラッド層41,43によって挟み込んだダブル
ヘテロ構造を備えている。さらに、第2クラッド層43
に形成したストライプ状のリッジ部分44の両側をブロ
ック層45によって埋め込むとともに、その上にコンタ
クト層46、キャップ層47を形成した埋込リッジ構造
を備えている。The first laser diode 3 has, for example, a double hetero structure in which the upper and lower portions of an active layer 32 are sandwiched between first and second cladding layers 31 and 33. Further, both sides of the stripe-shaped ridge portion 34 formed in the second cladding layer 33 are buried with a block layer 35, and a buried ridge structure in which a contact layer 36 and a cap layer 37 are formed thereon is provided. Similarly, the second laser diode 4 includes, for example, first and second layers above and below the active layer 42.
A double hetero structure sandwiched between the second cladding layers 41 and 43 is provided. Further, the second cladding layer 43
And a buried ridge structure in which a contact layer 46 and a cap layer 47 are formed on both sides of the striped ridge portion 44 formed by the block layer 45.
【0009】基板の一方の面2aには、第2のレーザダ
イオード4の片側に位置して共通電極5が形成され、第
1のレーザダイオード3の一方の面と第2のレーザダイ
オード4の一方の面には個別電極6,7が形成されてい
る。個別電極6はシリコンサブマウント等の取付部8に
Au−Sn,Au−Ge,Pb−Sn等の半田材(図示せ
ず)を用いて融着され、個別電極7と共通電極5は、リ
ード端子(図示せず)に金線9を用いてワイヤボンド接
続される。On one surface 2a of the substrate, a common electrode 5 is formed on one side of the second laser diode 4, and one surface of the first laser diode 3 and one of the second laser diode 4 are formed. Are formed with individual electrodes 6 and 7. The individual electrode 6 is fused to a mounting portion 8 such as a silicon submount using a solder material (not shown) such as Au-Sn, Au-Ge, or Pb-Sn. A terminal (not shown) is wire-bonded using a gold wire 9.
【0010】放熱特性が第2のレーザダイオード4に比
べて悪い第1のレーザダイオード3は、放熱特性を改善
するために、素子の横幅を第2のレーザダイオード4よ
りも長く設定しているとともに、基板2が上となるよう
にジャンクションダウンで配置される。In the first laser diode 3, which has a lower heat radiation characteristic than the second laser diode 4, the width of the element is set longer than that of the second laser diode 4 in order to improve the heat radiation characteristic. , Are arranged junction down so that the substrate 2 faces upward.
【0011】次に、上記レーザダイオード1の製造方法
について、図2、3を参照して説明する。GaAs基板
2を所定面積のウエハ状態で準備し、その表面2aに有
機金属熱分解法(MOCVD),分子線エピタキシー法
(MBE)などを利用してAlGaInP系のダブルヘ
テロ構造を含む層の第1回目の結晶成長を行う(図2
(a)参照)。この1回目の結晶成長によって、第1の
クラッド層41、活性層42、第2のクラッド層43、
コンタクト層46が順次形成される。Next, a method of manufacturing the laser diode 1 will be described with reference to FIGS. A GaAs substrate 2 is prepared in the form of a wafer having a predetermined area, and the first surface of a layer containing an AlGaInP-based double heterostructure is formed on the surface 2a of the wafer 2 by using metal-organic thermal decomposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE). The second crystal growth is performed (Fig. 2
(See (a)). By this first crystal growth, the first clad layer 41, the active layer 42, the second clad layer 43,
The contact layers 46 are sequentially formed.
【0012】次に、基板2の他方の面2bに有機金属熱
分解法(MOCVD),分子線エピタキシー法(MB
E)、液層エピタキシャル法(LPE)などを利用して
GaAlAs系のダブルヘテロ構造層を含む層の第2回
目の結晶成長を行う(図2(b)参照)。この2回目の
結晶成長によって、第1のクラッド層31、活性層3
2、第2のクラッド層33、コンタクト層36が順次形
成される。ここで、MOCVD法を用いる場合に、Ga
AlAs系よりも高温処理が必要とされるAlGaIn
P系の層を先に形成しているが、MOCVD法よりも低
温処理が可能な分子線エピタキシー法(MBE)などの
他の方法を併用して結晶成長させる場合は、GaAlA
s系よりも後にAlGaInP系の層を形成することも
できる。Next, on the other surface 2b of the substrate 2, a metalorganic thermal decomposition method (MOCVD) and a molecular beam epitaxy method (MB
E), a second crystal growth of a layer including a GaAlAs-based double heterostructure layer is performed using a liquid layer epitaxial method (LPE) (see FIG. 2B). By this second crystal growth, the first clad layer 31 and the active layer 3
2, a second cladding layer 33 and a contact layer 36 are sequentially formed. Here, when using the MOCVD method, Ga
AlGaIn requiring higher temperature treatment than AlAs-based
In the case where the P-based layer is formed first, but the crystal growth is performed in combination with another method such as molecular beam epitaxy (MBE) that can be processed at a lower temperature than the MOCVD method, GaAlA is used.
An AlGaInP-based layer can be formed after the s-based layer.
【0013】次に、第1回目の結晶成長層の最上層にS
iO2等からなるストライプ状のマスクパターン12を
形成し、これ用いてコンタクト層46、第2クラッド層
43の大部分をエッチングして除去することにより、ス
トライプ状のリッジ44を形成する。同様にして、第2
回目の結晶成長層の最上層にSiO2等からなるストラ
イプ状のマスクパターン11を前記マスクパターン12
のストライプ方向に一致させて形成し、これを用いてコ
ンタクト層36、第2クラッド層33の大部分をエッチ
ングして除去することにより、ストライプ状のリッジ3
4を形成する(図2(c)参照)。この例では、基板2
を挟んで位置するリッジ34,44が上下方向に一致す
るように、上下のマスクパターン11,12の位置決め
が行われているので、上下のレーザダイオード3,4の
ビーム間隔を最小に設定することができるが、上下のマ
スクパターン11,12の形状や配置を適宜変更するこ
とによって、上下のレーザダイオード3,4のビーム間
隔やビームの配置を任意に設定することができる。Next, S is added to the uppermost layer of the first crystal growth layer.
The striped ridge 44 is formed by forming the striped mask pattern 12 made of iO2 or the like and using the mask pattern 12 to remove most of the contact layer 46 and the second clad layer 43 by etching. Similarly, the second
A stripe-shaped mask pattern 11 made of SiO 2 or the like is formed on the uppermost layer of the second crystal growth layer by the mask pattern 12.
The contact layer 36 and most of the second cladding layer 33 are removed by etching using this, so that the stripe-shaped ridge 3 is formed.
4 (see FIG. 2C). In this example, the substrate 2
Since the upper and lower mask patterns 11 and 12 are positioned so that the ridges 34 and 44 positioned therebetween sandwich the vertical direction, the beam interval between the upper and lower laser diodes 3 and 4 should be set to a minimum. However, by appropriately changing the shapes and arrangements of the upper and lower mask patterns 11 and 12, the beam intervals and the arrangement of the beams of the upper and lower laser diodes 3 and 4 can be arbitrarily set.
【0014】次に、リッジ44の両側を埋め込むように
n型のGaAs等からなるブロック層45を形成する第
3回目の結晶成長を行う。同様にして、リッジ34の両
側を埋め込むようにn型のGaAs等からなるブロック
層35を形成する第4回目の結晶成長を行う(図2
(d)参照)。Next, a third crystal growth for forming a block layer 45 made of n-type GaAs or the like so as to fill both sides of the ridge 44 is performed. Similarly, a fourth crystal growth for forming a block layer 35 made of n-type GaAs or the like so as to fill both sides of the ridge 34 is performed (FIG. 2).
(D)).
【0015】次に、基板の一方の面2a側のマスクパタ
ーン12を除去した後、リッジ44部分やブロック層4
5部分を覆うようにp型のGaAs等のキャップ層47
を形成する第5回目の結晶成長を行う。同様に、基板裏
面2b側のマスクパターン11を除去した後、リッジ3
4部分やブロック層35部分を覆うようにp型のGaA
s等のキャップ層37を形成する第6回目の結晶成長を
行う(図3(e)参照)。Next, after removing the mask pattern 12 on one side 2a of the substrate, the ridge 44 and the block layer 4 are removed.
Cap layer 47 of p-type GaAs or the like so as to cover the five portions.
Is performed for the fifth time to form a crystal. Similarly, after removing the mask pattern 11 on the substrate rear surface 2b side, the ridge 3
P-type GaAs so as to cover four portions and the block layer 35 portion.
A sixth crystal growth for forming a cap layer 37 such as s is performed (see FIG. 3E).
【0016】次に、半導体基板2の表面2aを露出させ
るように、リッジ44の長手方向に沿って溝48をエッ
チングもしくはダイシング処理して形成する(図3
(f)参照)。Next, a groove 48 is formed by etching or dicing along the longitudinal direction of the ridge 44 so as to expose the surface 2a of the semiconductor substrate 2 (FIG. 3).
(F)).
【0017】次に、キャップ層37の上に個別電極6を
形成し、キャップ層47の上に個別電極7を形成し、露
出した基板2の一方の面2aに共通電極5を形成する
(図3(g)参照)。Next, the individual electrode 6 is formed on the cap layer 37, the individual electrode 7 is formed on the cap layer 47, and the common electrode 5 is formed on one surface 2a of the exposed substrate 2. 3 (g)).
【0018】次に、レーザの共振端面を形成するための
スクライブラインを、ダイヤモンドポイントなどを用い
てウエハの裏面にリッジ34の長手方向と直交する方向
に形成する。次に、ウエハを前記スクライブラインに沿
って劈開することによってバー状に分割し、その両端面
にAl2O3,もしくはAl2O3とSiの多層膜等をスパ
ッタ法やEB蒸着法等を利用して形成する。バー状に分
割されたウエハは、リッジ34の長手方向と同方向に順
次分離され、レーザダイオード1が出来上がる。スクラ
イブラインに沿った面は、劈開による鏡面をなし、この
劈開面がレーザダイオードの共振端面として機能する。Next, a scribe line for forming a resonance end face of the laser is formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the ridge 34 on the back surface of the wafer using a diamond point or the like. Next, the wafer is divided into bars by cleaving along the scribe lines, and Al 2 O 3 , or a multilayer film of Al 2 O 3 and Si or the like is formed on both end surfaces by sputtering or EB vapor deposition. Utilize and form. The wafer divided into bars is sequentially separated in the same direction as the longitudinal direction of the ridge 34, and the laser diode 1 is completed. The surface along the scribe line forms a mirror surface by cleavage, and this cleavage surface functions as a resonance end surface of the laser diode.
【0019】このように、基板2の上下にそれぞれ発振
波長が相違するレーザダイオード3,4を形成すること
により、上下のレーザダイオード3,4の配置自由度を
高めることができ、レーザビーム間隔や配置を所望の状
態に設定することができる。例えば、図1に示すように
レーザビームの発光点Pを上下の位置に配置すれば、レ
ーザビーム間隔を最短の状態にすることができる。ま
た、基板2を共用することができるので、レーザビーム
間隔をさらに短く設定することができ、例えば1つの光
源とみなせる50μm前後、より好ましくは50μm以
下にレーザビーム間隔を設定することができる。By forming the laser diodes 3 and 4 having different oscillation wavelengths on the upper and lower sides of the substrate 2 as described above, the degree of freedom of arrangement of the upper and lower laser diodes 3 and 4 can be increased, and the laser beam interval and The arrangement can be set to a desired state. For example, as shown in FIG. 1, if the light emitting points P of the laser beam are arranged at upper and lower positions, the laser beam interval can be minimized. Further, since the substrate 2 can be used in common, the laser beam interval can be set even shorter, for example, the laser beam interval can be set to about 50 μm, more preferably 50 μm or less, which can be regarded as one light source.
【0020】上記のように、発振波長が相違するレーザ
ダイオードの内、温度特性が悪いほうのレーザダイオー
ド3の面積を大きく設定するとともに、そのダイオード
3をジャンクションダウンによるチップボンディングに
対応して形成しているので、ダイオードの温度特性の悪
化を最小限にとどめることができる。As described above, of the laser diodes having different oscillation wavelengths, the area of the laser diode 3 having the worse temperature characteristic is set large, and the diode 3 is formed corresponding to the chip bonding by junction down. Therefore, deterioration of the temperature characteristics of the diode can be minimized.
【0021】尚、上記実施例は、基板2の両面に交互に
結晶成長させて2種類のレーザダイオードを形成する例
を示したが、本発明はこれに限られるものではなく、基
板2の一方の面に一方のレーザダイオードに必要な結晶
成長を順次行った後、他方のレーザダイオードに必要な
結晶成長を順次行う場合にも適用することができる。例
えば、基板2の一方の面にGaAlAs系の赤外レーザ
ダイオードに必要な結晶成長を液層エピタキシャル法
(LPE)を用いて行った後、基板2の他方の面にAl
GaInP系の赤色レーザ素子を前記液層エピタキシャ
ルよりも低温の例えば有機金属熱分解法(MOCV
D),分子線エピタキシー法(MBE)等を用いて形成
することもできる。このように、基板の表裏の結晶成長
温度に差がある場合は、高温処理が必要な結晶成長を先
に行うようにすれば良い。In the above embodiment, two types of laser diodes are formed by alternately growing crystals on both sides of the substrate 2. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this. It is also applicable to the case where the crystal growth required for one laser diode is sequentially performed on the surface of, and then the crystal growth required for the other laser diode is sequentially performed. For example, after crystal growth required for a GaAlAs-based infrared laser diode is performed on one surface of the substrate 2 by using a liquid layer epitaxy (LPE), Al growth is performed on the other surface of the substrate 2.
A GaInP-based red laser element is formed at a temperature lower than that of the liquid layer epitaxy by, for example, an organic metal thermal decomposition method (MOCV).
D), molecular beam epitaxy (MBE) or the like. As described above, when there is a difference between the crystal growth temperatures of the front and back surfaces of the substrate, the crystal growth requiring high-temperature treatment may be performed first.
【0022】また、上記実施例は、発振波長が相違する
2つのレーザダイオード3,4を基板2の表と裏の両面
に形成した場合を例示したが、他の実施例として、発振
波長が同一のレーザダイオードを基板の表と裏の両面に
形成することもできる。In the above embodiment, two laser diodes 3 and 4 having different oscillation wavelengths are formed on both the front and rear surfaces of the substrate 2. However, as another embodiment, the laser diodes having the same oscillation wavelength are used. Can be formed on both the front and back surfaces of the substrate.
【0023】図4は、基板2の表と裏の両面に3つ以上
のレーザダイオードを形成したマルチビームレーザダイ
オードの実施例を示している。この実施例は、基板2の
一方の面に2つのレーザダイオード110,120を形
成し、基板2の他方の面に1つのレーザダイオード13
0を形成した場合を示している。そして、平面的に見て
前記一方の面の2つのレーザダイオード110,120
の中間に他方の面のレーザダイオード130が位置し、
レーザビームの発光点Pが2等辺三角形の頂点に位置す
るするように、各レーザダイオードを配置している。各
レーザダイオードは同一波長のレーザダイオードによっ
て構成しているが、上下のレーザダイオードで発振波長
を変えることもできる。FIG. 4 shows an embodiment of a multi-beam laser diode in which three or more laser diodes are formed on both the front and back surfaces of the substrate 2. In this embodiment, two laser diodes 110 and 120 are formed on one surface of the substrate 2 and one laser diode 13 is formed on the other surface of the substrate 2.
The case where 0 is formed is shown. The two laser diodes 110 and 120 on the one surface when viewed in a plan view.
The laser diode 130 on the other surface is located in the middle of
Each laser diode is arranged so that the emission point P of the laser beam is located at the vertex of an isosceles triangle. Although each laser diode is constituted by a laser diode having the same wavelength, the oscillation wavelength can be changed by upper and lower laser diodes.
【0024】このように、3つ以上のレーザダイオード
を基板2の表裏面に形成するとともに、平面的に見て一
方の面のレーザダイオードの間に他方のレーザダイオー
ドが位置するように配置しているので、マルチビームプ
リンタ等の光源として用いる場合に、各レーザビームの
間隔を狭く設定することができ、印字品位の向上や、高
速印字化への対応を図ることができる。As described above, three or more laser diodes are formed on the front and back surfaces of the substrate 2 and arranged so that the other laser diode is located between the laser diodes on one surface when viewed in plan. Therefore, when used as a light source for a multi-beam printer or the like, the interval between the laser beams can be set to be narrow, so that the printing quality can be improved and high-speed printing can be achieved.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように本発明のマルチビー
ムレーザダイオードによれば、ビーム配列の自由度を高
めることができるとともに、ビーム間隔を狭くすること
ができる。また、従来のハイブリッドタイプ構成に比べ
て、チップの組み立て作業性を良好にすることができ
る。また、従来のモノリシックタイプ構成に比べて、ビ
ーム間隔を狭くすることができる。As described above, according to the multi-beam laser diode of the present invention, the degree of freedom in beam arrangement can be increased and the beam interval can be narrowed. Further, the chip assembling workability can be improved as compared with the conventional hybrid type configuration. Further, the beam interval can be narrowed as compared with the conventional monolithic type configuration.
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図2】同実施例の製造方法を説明するための、要部断
面図である。FIG. 2 is a fragmentary cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the embodiment.
【図3】同実施例の製造方法を説明するための、要部断
面図である。FIG. 3 is a fragmentary cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the embodiment.
【図4】本発明の他の実施例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing another embodiment of the present invention.
【図5】従来例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a conventional example.
1 マルチビームレーザダイオード 2 基板 3 第1のレーザダイオード 4 第2のレーザダイオード 5 共通電極 6 個別電極 7 個別電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multi-beam laser diode 2 Substrate 3 1st laser diode 4 2nd laser diode 5 Common electrode 6 Individual electrode 7 Individual electrode
Claims (3)
せて第1、第2のレーザダイオードを形成したことを特
徴とするマルチビームレーザダイオード。1. A multi-beam laser diode wherein first and second laser diodes are formed by growing crystals on one surface and the other surface of a substrate.
イオードを形成し、前記半導体基板の他方の面に発振波
長が前記第1のレーザダイオードと異なる第2のレーザ
ダイオードを形成したことを特徴とするマルチビームレ
ーザダイオード。2. A semiconductor laser comprising: a first laser diode formed on one surface of a semiconductor substrate; and a second laser diode having an oscillation wavelength different from that of the first laser diode formed on the other surface of the semiconductor substrate. Features a multi-beam laser diode.
イオードを形成し、前記半導体基板の他方の面に第2、
第3のレーザダイオードを所定間隔をもって形成し、平
面的に前記第1のレーザダイオードが前記第2、第3の
レーザダイオードの間に位置するように前記各レーザダ
イオードを配置したことを特徴とするマルチビームレー
ザダイオード。3. A first laser diode is formed on one surface of a semiconductor substrate, and a second laser diode is formed on the other surface of the semiconductor substrate.
A third laser diode is formed at a predetermined interval, and the respective laser diodes are arranged so that the first laser diode is located between the second and third laser diodes in plan view. Multi-beam laser diode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30987398A JP3573976B2 (en) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Multi-beam laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
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