JP2009175393A - ラビング装置およびラビング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ラビング布が基板の角に接触することによる毛先の乱れや折れの発生を抑えられるラビング装置、およびラビング方法を提供すること。
【解決手段】ラビング装置１００は、表面に配向膜１２２が形成された基板１２０が載置されるステージ１１０と、ステージ１１０に設けられており、基板１２０の少なくとも一辺部１２０ａを案内する窪み１１２と、窪み１１２に設けられており、基板１２０を吸着固定するための吸着孔１１４ａと、配向膜１２２を擦るためのラビング処理部１３０と、ラビング処理部１３０を、ステージ１１０に対して窪み１１２が設けられた側から所定の方向に相対移動させる移動機構と、を備え、窪み１１２は、少なくとも一辺部１２０ａ側に傾斜する斜面１１２ａを有していることを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、ラビング装置およびラビング方法に関する。

液晶装置は、一般的に、素子基板と対向基板との間に液晶層が挟持された構成となっている。液晶装置は、素子基板上の画素電極と対向基板上の対向電極との間に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶層の液晶分子の配向状態を変化させることで画像表示を行う。素子基板および対向基板の液晶層に接する面上には、配向膜が配置されている。この配向膜の表面をラビング布で所定の方向に擦するラビング処理を施すことにより、電圧無印加時の液晶分子の配向状態が規定される。

ところで、ラビング処理工程において基板端部にラビング布が接する際に、基板の角でラビング布の毛先が乱れることや折れることがある。毛先が乱れた状態や毛先の折れ屑を巻き込んだ状態でラビング処理を行うと、配向膜に傷が付いたり配向方向にムラが生じたりする。これにより、液晶分子の配向が乱れて液晶装置の表示品位低下を招く。このようなラビング布の毛先の乱れや折れを防止するために、ステージに設けた基板嵌合孔に基板を勘合させて段差をなくし、ステージの角部にテーパを設ける方法が提案されている（例えば特許文献１）。

特開平４−１１５２２５号公報

上記のラビング方法によれば、基板端部やステージの角に接触することよるラビング布の毛先への影響を緩和できる。しかしながら、ステージに設けた基板嵌合孔への基板の着脱を容易に行うためには、基板外形と基板嵌合孔との間にある程度の隙間が必要である。この隙間があることで、ラビング布が基板端部に接触してしまうため、ラビング布の毛先の乱れや折れを防ぐことは困難であった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係るラビング装置は、表面に配向膜が形成された基板が載置されるステージと、前記ステージに設けられており、前記基板の少なくとも一辺部を案内する窪みと、前記窪みに設けられており、前記基板を吸着固定するための吸着部と、前記配向膜を擦るためのラビング処理部と、前記ラビング処理部を、前記ステージに対して前記窪みが設けられた側から所定の方向に相対移動させる移動機構と、を備え、前記窪みは、前記少なくとも一辺部側に傾斜する斜面を有していることを特徴とする。

この構成によれば、基板が載置されるステージには、一辺部側に傾斜する斜面を有する窪みが設けられている。この窪みで一辺部を案内して基板をステージ上に吸着固定するので、基板は窪みの斜面に沿って撓み、一辺部とステージ上面との段差が小さくなる。ラビング処理部は、窪みが設けられた側から基板の側へ相対移動するので、ラビング処理部が基板の一辺部に接する際に、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。これにより、配向膜のラビングムラを抑えることができる。

［適用例２］上記適用例に係るラビング装置であって、前記少なくとも一辺部側における前記窪みの深さは、前記基板の厚さとほぼ同じであってもよい。

この構成によれば、一辺部とステージ上面との段差をほとんどなくすことができる。これにより、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのをより効果的に抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係るラビング装置であって、前記窪みは、前記基板の前記一辺部および前記一辺部とは反対側の他辺部に対応して設けられていてもよい。

この構成によれば、一辺部だけでなく他辺部においても基板が窪みに沿って撓み、他辺部とステージ上面との段差が小さくなる。これにより、ラビング処理部が他辺部を通り過ぎる際に、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。また、他辺部側からラビング処理部を相対移動しても、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。

［適用例４］上記適用例に係るラビング装置であって、前記窪みは、前記一辺部から前記一辺部とは反対側の他辺部に亘って設けられていてもよい。

この構成によれば、基板の一辺部から他辺部までを窪みの斜面に沿って案内できる。このため、基板を局部的に撓ませる必要がないので、クラック等の発生による基板の割れを防止できる。

［適用例５］本適用例に係るラビング装置は、表面に配向膜が形成された基板が載置されるステージと、前記ステージ上に張り出しており、前記基板の少なくとも一辺部を案内する張り出し部と、前記ステージに設けられており、前記基板を吸着固定するための吸着部と、前記配向膜を擦るためのラビング処理部と、前記ラビング処理部を、前記張り出し部が設けられた側から所定の方向に相対移動させる移動機構と、を備え、前記張り出し部は、前記少なくとも一辺部とは反対側に傾斜する斜面を有していることを特徴とする。

この構成によれば、基板が載置されるステージには、一辺部とは反対側に傾斜する斜面を有する張り出し部が設けられている。この張り出し部で一辺部を案内して基板をステージ上に吸着固定するので、一辺部とステージ上面との段差が小さくなる。ラビング処理部は、張り出し部が設けられた側から斜面に沿って基板の側へスムーズに相対移動するので、ラビング処理部が基板の一辺部に接する際に、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。これにより、配向膜のラビングムラを抑えることができる。

［適用例６］上記適用例に係るラビング装置であって、前記少なくとも一辺部側における前記張り出し部の張り出し量は、前記基板の厚さとほぼ同じであってもよい。

この構成によれば、一辺部と張り出し部との段差をほとんどなくすことができる。これにより、ラビング処理部表面に乱れが生じるのをより効果的に抑えることができる。

［適用例７］上記適用例に係るラビング装置であって、前記ラビング処理部は、ローラと前記ローラに巻き付けられたラビング布とを備え、前記ローラは、前記ステージに対して平行な回転軸を中心として回転してもよい。

この構成によれば、ラビング布を回転させて配向膜を擦るので、ラビング布の配向膜に接する領域が広範囲となる。これにより、ラビング布表面の乱れが発生しにくくなるので、配向膜のラビングムラを抑えることができる。

［適用例８］上記適用例に係るラビング装置であって、前記ラビング処理部と、前記ステージの前記基板が載置される面と、の距離を所定の範囲に保つ機構を備えていてもよい。

この構成によれば、ラビング処理部が配向膜を擦る強さが一定の範囲に保たれるので、配向膜のラビングムラを抑えることができる。

［適用例９］本適用例に係るラビング方法は、表面に配向膜が形成された基板の少なくとも一辺部を、前記基板のラビング処理面よりも下に撓ませて、前記基板をステージ上に吸着固定する工程と、ラビング処理部を前記一辺部側から所定の方向に相対移動させて、前記配向膜をラビング処理する工程と、を含むことを特徴とする。

この構成によれば、一辺部をラビング処理面よりも下に撓ませて、基板をステージ上に吸着固定するので、基板の一辺部とステージ上面との段差が小さくなる。ラビング処理工程では、ラビング処理部は一辺部側から相対移動するので、ラビング処理部が基板の一辺部に接する際に、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。これにより、配向膜のラビングムラを抑えることができる。

［適用例１０］上記適用例に係るラビング方法であって、前記吸着固定する工程では、前記一辺部と、前記一辺部とは反対側の他辺部と、を前記ラビング処理面よりも下に撓ませて、前記基板を前記ステージ上に吸着固定してもよい。

この構成によれば、一辺部だけでなく他辺部においても基板とステージ上面との段差が小さくなる。これにより、ラビング処理部が他辺部を通り過ぎる際に、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。また、他辺部側からラビング処理部を相対移動しても、ラビング処理部の表面に乱れが生じるのを抑えることができる。

［適用例１１］本適用例に係るラビング方法は、表面に配向膜が形成された基板の一辺部を、前記一辺部とは反対側の他辺部よりも下降させて、前記基板をステージ上に吸着固定する工程と、ラビング処理部を前記一辺部側から所定の方向に相対移動させて、前記配向膜をラビング処理する工程と、を含むことを特徴とする。

この構成によれば、一辺部を他辺部よりも下降させて、基板をステージ上に吸着固定するので、基板の一辺部とステージ上面との段差が小さくなる。また、基板を局部的に撓ませる必要がないので、クラック等の発生による基板の割れを防止できる。

［適用例１２］本適用例に係るラビング方法は、上記に記載のラビング装置を用いてラビング処理を行うことを特徴とする。

以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の寸法の比率等は適宜異ならせてある。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態に係るラビング装置を説明する前に、液晶装置の一例について図を参照して説明する。図１は、液晶装置の一例の概略構成を示す断面図である。

液晶装置１０は、図１に示すように、素子基板２０と対向基板３０との間に液晶層５０が挟持された構成を有している。素子基板２０は、透光性を有する基材２２と、基材２２上に設けられたＴＦＴ素子２４や駆動回路（図示しない）を含む回路層２６と、回路層２６上に形成されＴＦＴ素子２４に接続された画素電極２８と、を備えている。また、対向基板３０は、透光性を有する基材３２と、基材３２上に設けられた対向電極３４と、を備えている。画素電極２８および対向電極３４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性膜からなる。

素子基板２０には、回路層２６および画素電極２８を覆って配向膜４０が設けられている。対向基板３０には、対向電極３４を覆って配向膜４２が設けられている。配向膜４０，４２は、例えば、ポリイミド等の有機膜からなる。配向膜４０，４２には、本実施形態に係るラビング装置を用いてラビング処理が施され、液晶分子を所定の方向に配向させる配向異方性が付与されている。

図示しないが、対向基板３０には、表示領域を区画する遮光膜が設けられている。この遮光膜の外側の領域には、シール材が、対向基板３０の輪郭形状に沿って素子基板２０と対向基板３０との間に配置され、素子基板２０と対向基板３０とを相互に固着するとともに、液晶層５０を両基板間に封入している。シール材は、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる。

液晶層５０は、例えば、一種又は数種類の液晶を混合した電気光学物質からなる。画素電極２８と対向電極３４との間に電圧が印加されていない状態では、液晶層５０中の液晶分子は、配向膜４０と配向膜４２とが有する配向異方性により所定の配向状態をとる。画素電極２８と対向電極３４との間に画像信号に基づく電圧が印加されると、液晶層５０中の液晶分子は、電圧に応じて配向が変化する。液晶装置１０は、このように、液晶層５０の液晶分子の配向を変化させることで画像表示を行う。

（第１の実施形態）
＜ラビング装置＞
次に、第１の実施形態に係るラビング装置の構成について、図を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係るラビング装置の概略構成を示す斜視図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

図２および図３に示すように、本実施形態に係るラビング装置１００は、ステージ１１０と、ラビング処理部１３０と、を備えている。

ステージ１１０の上面は、例えば長方形状である。ステージ１１０の上面には、表面に配向膜１２２が形成された基板１２０が、配向膜１２２を上にして載置される。基板１２０の配向膜１２２が形成された面は、例えば長方形状である。ステージ１１０の上面には、基板１２０の一辺部１２０ａを案内するための窪み１１２が設けられている。

窪み１１２は、一辺部１２０ａ側に傾斜する斜面１１２ａを有している。斜面１１２ａは、例えば、断面視略円弧状に湾曲した面である。斜面１１２ａは、平坦な面であってもよいが、後述するように、斜面１１２ａに沿って基板１２０を吸着固定することから、湾曲した面であることが好ましい。窪み１１２の深さおよびＡ−Ａ’線（図２参照）に沿った方向における長さは、載置される基板１２０の厚さに応じて設定される。

基板１２０の厚さは、例えば０．５ｍｍである。本実施形態では、窪み１１２の深さは、最も深い部分で基板１２０の厚さと同じ０．５ｍｍ程度であり、窪み１１２のＡ−Ａ’線に沿った方向における長さは、３０ｍｍ〜５０ｍｍ程度である。なお、窪み１１２の一辺部１２０ａに沿った方向における長さは、載置される基板１２０の長辺の長さ以上であることが好ましい。このような構成であれば、基板１２０の長辺または短辺のどちらでも窪み１１２で案内できるので、基板１２０を縦置きまたは横置きのどちらの状態でもステージ１１０上に載置できる。

図３に示すように、ステージ１１０には、窪み１１２および窪み１１２以外の部分に、吸着部の一部としての、複数の吸着孔１１４ａと、吸引路１１４ｂとが設けられている。複数の吸着孔１１４ａは吸引路１１４ｂに連通されている。吸引路１１４ｂは、図示しないが、パイプ等を介して吸引装置に接続されている。この吸引装置で吸引路１１４ｂを経て吸着孔１１４ａから吸引することにより、基板１２０を、窪み１１２の斜面１１２ａに沿って撓ませて、ステージ１１０に吸着固定することができる。これにより、基板１２０の一辺部１２０ａの端とステージ１１０上面との段差をほとんどなくすことができる。

ラビング処理部１３０は、ローラ１３２とラビング布１３４とを備えている。ローラ１３２は円柱形状であり、その長さは、例えば、基板１２０の長辺の長さ以上である。ローラ１３２は、例えば、ＳＵＳやアルミ等の金属材料で形成されている。ローラ１３２は、モータ、変速機等を備えた回転駆動機構（図示しない）により、回転軸１３６を中心として、回転矢印で示す向きに回転する。ラビング布１３４は、ローラ１３２の周囲に巻き付けられている。ラビング布１３４は、例えば、基材にレーヨン等の短繊維が植毛されたものである。この構成により、ラビング布１３４は磨耗しにくくなっている。

ラビング装置１００は、ラビング処理部１３０に対して、ステージ１１０を所定の方向に移動させる移動機構（図示しない）を備えている。この移動機構は、例えば、ラック・アンド・ピニオン方式等の駆動装置を含んで構成される。ステージ１１０は、移動機構により、ステージ１１０の上面に平行な方向に沿って、窪み１１２の位置する方の側からラビング処理部１３０に向かって矢印で示す向きに移動する。図２のＡ−Ａ’線の方向は、ステージ１１０の移動方向に沿った方向である。これにより、ラビング処理部１３０は、基板１２０に対して矢印と反対の向き、すなわちステージ１１０に載置された基板１２０の一辺部１２０ａからその反対側の他辺部１２０ｂに向かって相対的に移動する。なお、ラビング装置１００は、ラビング処理部１３０をステージ１１０に対して移動させる構成であってもよい。

ラビング装置１００は、ラビング処理部１３０とステージ１１０の上面との距離を所定の範囲に保つ、押込み量調整機構（図示しない）を備えている。この押込み量調整機構は、例えば、変位センサと、ラビング処理部１３０をステージ１１０上面の法線方向に上下移動させる移動装置と、を含んで構成される。押込み量調整機構は、ラビング処理部１３０とステージ１１０の上面との距離を測定し、その測定結果に基づいて、ステージ１１０上面との距離が所定の範囲に保たれるように、ラビング処理部１３０のステージ１１０上面の法線方向における位置を調整する。これにより、窪み１１２の斜面１１２ａに沿って湾曲した一辺部１２０ａから他辺部１２０ｂに亘って、ステージ１１０に載置された基板１２０とラビング処理部１３０との距離が所定の範囲に保たれる。なお、押込み量調整機構は、ラビング処理部１３０に対してステージ１１０を上下移動させる構成であってもよい。

本実施形態では、ラビング処理部１３０とステージ１１０の上面との距離を、窪み１１２を除く部分において、例えば０．０５ｍｍ〜０．２５ｍｍ程度の範囲に、好ましくは０．２ｍｍ程度に保つ。したがって、ラビング処理部１３０のラビング布１３４が基板１２０に押し付けられる押込み量は、ラビング布１３４が基板１２０に接触してから０．２５ｍｍ〜０．４５ｍｍの範囲に、好ましくは０．３ｍｍに、保たれる。この押込み量に応じた強さで、基板１２０の一辺部１２０ａから他辺部１２０ｂに亘って、配向膜１２２がラビング布１３４により擦られる。

ローラ１３２の回転軸１３６の方向は、例えば、ステージ１１０の移動方向と直交する方向である。この場合、ラビング処理により配向膜１２２には、ステージ１１０の移動方向に沿って配向異方性が付与される。また、回転軸１３６の方向は、配向膜１２２に付与する配向異方性の方向に応じて適宜調整することができる。ローラ１３２の回転軸１３６の方向と、ステージ１１０の移動方向と直交する方向とが異なる場合、ラビング処理により配向膜１２２に付与される配向異方性の方向は、ローラ１３２の回転軸１３６と直交する方向とステージ１１０の移動方向との合成ベクトルで与えられる。

＜ラビング方法＞
次に、第１の実施形態に係るラビング方法について、図２および図３を参照して説明する。

まず、配向膜１２２が表面に形成された基板１２０を用意する。そして、ステージ１１０の上面に、基板１２０を、配向膜１２２を上にして載置する。このとき、基板１２０の一辺部１２０ａを窪み１１２により案内する。ここでは、ステージ１１０とラビング処理部１３０とは十分に離間されている。

次に、ステージ１１０に載置された基板１２０を、吸着孔１１４ａから吸引路１１４ｂを経て吸引装置により吸引する（図３参照）。これにより、基板１２０は、窪み１１２の斜面１１２ａに沿って撓み、ステージ１１０に吸着固定される。このとき、一辺部１２０ａにおいて、配向膜１２２が形成された基板１２０の面とステージ１１０上面との段差はほとんどない状態となっている。

次に、押込み量調整機構により、基板１２０に対するラビング布１３４の押込み量が所望の値、例えば０．３ｍｍとなるように、ラビング処理部１３０とステージ１１０の上面との距離を調整する。このとき、ラビング処理部１３０は、ステージ１１０上の基板１２０の一辺部１２０ａ側であって、基板１２０に触れない位置にある。

次に、移動機構により、ステージ１１０を、窪み１１２の位置する方の側からラビング処理部１３０に向かって矢印の向きに移動させる。ステージ１１０の移動により、ラビング処理部１３０は、基板１２０の一辺部１２０ａから他辺部１２０ｂを通り過ぎるまで、配向膜１２２を擦りながら相対的に移動する。また、この間、押込み量調整機構により、基板１２０に対するラビング布１３４の押込み量が０．３ｍｍとなるように保たれる。これにより、配向膜１２２にラビング処理が施される。

ラビング処理を一方向に行ったら、吸着孔１１４ａによる基板１２０の吸着固定を解除し、基板１２０を取り外す。ラビング処理は、同一方向に複数回行ってもよい。以上で、ラビング処理工程が終了する。

上記第１の実施形態のラビング装置１００を用いたラビング方法によれば、以下の効果が得られる。

窪み１１２で一辺部１２０ａを案内して基板１２０をステージ１１０上に吸着固定するので、基板１２０は窪み１１２の斜面１１２ａに沿って撓み、一辺部１２０ａとステージ１１０上面との段差がほとんどなくなる。ラビング処理部１３０は、窪み１１２が設けられた側から基板１２０の側へ相対移動するので、ラビング処理部１３０は基板１２０の一辺部１２０ａの角にほとんど接触しない。これにより、ラビング処理部１３０のラビング布１３４の毛先の乱れや折れの発生が抑えられる。したがって、ラビング処理の際に、配向膜１２２に配向異方性の方向ムラや傷が生じるのを防止できる。

また、押込み量調整機構により、基板１２０に対するラビング布１３４の押込み量が０．３ｍｍとなるように保たれるので、配向膜１２２は、基板１２０の一辺部１２０ａからその反対側に亘って、ほぼ一定の強さでラビング布１３４により擦られる。これにより、配向膜１２２に配向異方性を均一に付与することができる。したがって、良好な表示品質を有する液晶装置を提供できる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るラビング装置の構成について図を参照して説明する。図４は、第２の実施形態に係るラビング装置の概略構成図である。

第２の実施形態に係るラビング装置２００は、第１の実施形態に係るラビング装置１００に対して、ステージ１１０に窪みが２箇所設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図４に示すように、本実施形態に係るラビング装置２００は、ステージ１１０と、ラビング処理部１３０と、を備えている。

ステージ１１０上面には、窪み１１２に加えて、窪み１１６が設けられている。窪み１１６は、基板１２０の他辺部１２０ｂを案内するためのものである。したがって、窪み１１６は、基板１２０の一辺部１２０ａを窪み１１２で案内してステージ１１０上面に載置したときに、他辺部１２０ｂに対応する位置に配置されている。

窪み１１６は、他辺部１２０ｂ側に傾斜する斜面１１６ａを有している。他辺部１２０ｂが基板１２０の一辺部１２０ａとは反対側に位置しているので、斜面１１６ａは、斜面１１２ａとは反対側に傾斜している。窪み１１６の深さは窪み１１２の深さと同じであり、斜面１１６ａの形状は斜面１１２ａと同じである。

窪み１１６には吸着孔１１４ａが設けられている。ステージ１１０に載置された基板１２０を、吸着孔１１４ａから吸引路１１４ｂを経て吸引装置で吸引することにより、窪み１１２の斜面１１２ａと窪み１１６の斜面１１６ａとに沿って撓ませて吸着固定することができる。これにより、基板１２０の一辺部１２０ａおよび他辺部１２０ｂとステージ１１０上面との段差はほとんどなくなる。

上記第２の実施形態のラビング装置２００によれば、ラビング処理工程において、ステージ１１０の移動により、ラビング処理部１３０が基板１２０の他辺部１２０ｂの位置に到達するとき、他辺部１２０ｂとステージ１１０上面との段差がほとんどないので、ラビング処理部１３０は基板１２０の他辺部１２０ｂの角にほとんど接触しない。これにより、ラビング処理部１３０が他辺部１２０ｂを通り過ぎる際に、ラビング布１３４の毛先の乱れや折れの発生が抑えられる。

また、他辺部１２０ｂとステージ１１０上面との段差がほとんどないので、ステージ１１０を矢印と反対の向きに移動させて、他辺部１２０ｂ側からラビング処理を行っても、ラビング処理部１３０は基板１２０の他辺部１２０ｂの角にほとんど接触しない。したがって、ステージ１１０を矢印の向きに移動させてラビング処理を行った後、新たなワーク（基板１２０）に交換して、ステージ１１０を矢印の反対向きに移動させてラビング処理を行うようにすれば、ステージ１１０を１往復させることで２枚のワークをラビング処理できる。これにより、ラビング処理工程のサイクルタイムを短縮することができる。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るラビング装置の構成について図を参照して説明する。図５は、第３の実施形態に係るラビング装置の概略構成図である。

第３の実施形態に係るラビング装置３００は、第１の実施形態に係るラビング装置１００に対して、窪みが基板全体に対応して設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図５に示すように、本実施形態に係るラビング装置３００は、ステージ１１０と、ラビング処理部１３０と、を備えている。

ステージ１１０上面には、窪み１１８が設けられている。窪み１１８は、基板１２０の一辺部１２０ａから他辺部１２０ｂに亘って、一辺部１２０ａ側に傾斜する斜面１１８ａを有している。斜面１１８ａは、断面視略円弧状に湾曲した面であってもよいし、平坦な面であってもよい。

窪み１１８には吸着孔１１４ａが設けられている。ステージ１１０に載置された基板１２０を、吸着孔１１４ａから吸引することにより、窪み１１８の斜面１１８ａに沿って吸着固定することができる。これにより、基板１２０の一辺部１２０ａとステージ１１０上面との段差はほとんどなくなる。

上記第３の実施形態のラビング装置３００によれば、第１の実施形態と同等の効果が得られる。また、基板１２０を局部的に撓ませる必要がないので、クラック等の発生による基板１２０の割れを防止できる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るラビング装置の構成について図を参照して説明する。図６は、第４の実施形態に係るラビング装置の概略構成を示す斜視図である。図７は、図６のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。

第４の実施形態に係るラビング装置４００は、第１の実施形態に係るラビング装置１００に対して、窪みの代わりに張り出し部がステージに設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図６および図７に示すように、本実施形態に係るラビング装置４００は、ステージ１４０と、ラビング処理部１３０と、を備えている。

ステージ１４０上面の一辺部１２０ａ側には、張り出し部１４２が設けられている。張り出し部１４２は、ステージ１４０と一体であってもよいし、一体でなくてもよい。張り出し部１４２は、一辺部１２０ａとは反対側に傾斜する斜面１４２ａを有している。

斜面１４２ａは、例えば、断面視略円弧状に湾曲した面である。斜面１４２ａは、平坦な面であってもよいが、張り出し部１４２に一辺部１２０ａが接するように基板１２０をステージ１４０上面に載置したときに、ラビング処理部１３０が斜面１４２ａに沿って基板１２０の表面へスムーズに相対移動できるので、湾曲した面であることが好ましい。

張り出し部１４２の張り出し量およびＢ−Ｂ’線に沿った方向における長さは、載置される基板１２０の厚さに応じて設定される。また、張り出し部１４２の一辺部１２０ａに沿った方向における長さは、載置される基板１２０の長辺以上であることが好ましい。このような構成であれば、基板１２０の長辺または短辺のどちらでも張り出し部１４２で案内できるので、基板１２０を縦置きまたは横置きのどちらの状態でもステージ１４０上に載置できる。

基板１２０は、ステージ１４０上に、一辺部１２０ａが張り出し部１４２に接するように載置される。基板１２０は、吸着孔１１４ａにより、ステージ１４０上面に平坦な状態で吸着固定される。これにより、基板１２０の一辺部１２０ａと張り出し部１４２との段差はほとんどなくなり、ステージ１４０の上面から張り出し部１４２の斜面１４２ａを経て基板１２０の配向膜１２２が形成された面に続く滑らかな面が構成される。

上記第４の実施形態のラビング装置４００によれば、基板１２０が載置されるステージ１４０には、一辺部１２０ａ側がステージ１４０上面よりも高くなるような斜面１４２ａを有する張り出し部１４２が設けられている。この張り出し部１４２で一辺部１２０ａを案内して基板１２０をステージ１４０上に吸着固定するので、一辺部１２０ａとステージ１４０上面との段差がほとんどなくなる。ラビング処理部１３０は、張り出し部１４２が設けられた側から基板１２０の側へ斜面１４２ａに沿ってスムーズに相対移動するので、ラビング処理部１３０は基板１２０の一辺部１２０ａの角にほとんど接触しない。これにより、ラビング処理部１３０のラビング布１３４の毛先の乱れや折れの発生が抑えられる。したがって、ラビング処理の際に、配向膜１２２に配向異方性の方向ムラや傷が生じるのを防止できる。

なお、ステージ１４０上に、基板の他辺部１２０ｂを案内する張り出し部をさらに設けてもよい。このような構成であれば、第２の実施形態と同等の効果が得られる。

（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係るラビング装置の構成について図を参照して説明する。図８は、第５の実施形態に係るラビング装置の概略構成図である。

第５の実施形態に係るラビング装置５００は、第４の実施形態に係るラビング装置４００に対して、張り出し部１４２の代わりに可動部がステージに設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。なお、第４の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図８に示すように、本実施形態に係るラビング装置５００は、ステージ１５０と、ラビング処理部１３０と、を備えている。

ステージ１５０の上面には、可動部１５２が設けられている。可動部１５２は、端部１５２ａと軸１５４とを有している。端部１５２ａは、基板１２０の一辺部１２０ａ側に位置している。軸１５４は、端部１５２ａとは反対側に位置しており、ステージ１５０に固定されている。可動部１５２は、軸１５４を中心として、所定の範囲で回転方向に移動可能である。可動部１５２は、ステージ１５０上面に基板１２０を載置する際、端部１５２ａにより一辺部１２０ａを案内する。

上記第５の実施形態のラビング装置５００によれば、可動部１５２を軸１５４を中心として回転方向に移動させることにより、端部１５２ａが一辺部１２０ａと同じ高さになるように調整でき、かつ、可動部１５２上面が一辺部１２０ａとは反対側に傾斜する斜面となるので、第４の実施形態と同等の効果が得られる。また、基板１２０の厚さに応じて可動部１５２を回転方向に移動させることにより、基板１２０の厚さが異なる場合においても対応できる。

液晶装置の一例の概略構成を示す断面図。 第１の実施形態に係るラビング装置の概略構成を示す斜視図。 図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図。 第２の実施形態に係るラビング装置の概略構成図。 第３の実施形態に係るラビング装置の概略構成図。 第４の実施形態に係るラビング装置の概略構成を示す斜視図。 図６のＢ−Ｂ’線に沿った断面図。 第５の実施形態に係るラビング装置の概略構成図。

符号の説明

１０…液晶装置、２０…素子基板、２２…基材、２４…ＴＦＴ素子、２６…回路層、２８…画素電極、３０…対向基板、３２…基材、３４…対向電極、４０，４２…配向膜、５０…液晶層、１００…ラビング装置、１１０…ステージ、１１２…窪み、１１２ａ…斜面、１１４ａ…吸着孔、１１４ｂ…吸引路、１１６…窪み、１１６ａ…斜面、１１８…窪み、１１８ａ…斜面、１２０…基板、１２０ａ…一辺部、１２０ｂ…他辺部、１２２…配向膜、１３０…ラビング処理部、１３２…ローラ、１３４…ラビング布、１３６…回転軸、１４０…ステージ、１４２…張り出し部、１４２ａ…斜面、１５０…ステージ、１５２…可動部、１５２ａ…端部、１５４…軸、２００，３００，４００，５００…ラビング装置。

Claims (12)

1. 表面に配向膜が形成された基板が載置されるステージと、
   前記ステージに設けられており、前記基板の少なくとも一辺部を案内する窪みと、
   前記窪みに設けられており、前記基板を吸着固定するための吸着部と、
   前記配向膜を擦るためのラビング処理部と、
   前記ラビング処理部を、前記ステージに対して前記窪みが設けられた側から所定の方向に相対移動させる移動機構と、を備え、
   前記窪みは、前記少なくとも一辺部側に傾斜する斜面を有していることを特徴とするラビング装置。
2. 請求項１に記載のラビング装置であって、
   前記少なくとも一辺部側における前記窪みの深さは、前記基板の厚さとほぼ同じであることを特徴とするラビング装置。
3. 請求項１または２に記載のラビング装置であって、
   前記窪みは、前記基板の前記一辺部および前記一辺部とは反対側の他辺部に対応して設けられていることを特徴とするラビング装置。
4. 請求項１または２に記載のラビング装置であって、
   前記窪みは、前記一辺部から前記一辺部とは反対側の他辺部に亘って設けられていることを特徴とするラビング装置。
5. 表面に配向膜が形成された基板が載置されるステージと、
   前記ステージ上に張り出しており、前記基板の少なくとも一辺部を案内する張り出し部と、
   前記ステージに設けられており、前記基板を吸着固定するための吸着部と、
   前記配向膜を擦るためのラビング処理部と、
   前記ラビング処理部を、前記張り出し部が設けられた側から所定の方向に相対移動させる移動機構と、を備え、
   前記張り出し部は、前記少なくとも一辺部とは反対側に傾斜する斜面を有していることを特徴とするラビング装置。
6. 請求項５に記載のラビング装置であって、
   前記少なくとも一辺部側における前記張り出し部の張り出し量は、前記基板の厚さとほぼ同じであることを特徴とするラビング装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載のラビング装置であって、
   前記ラビング処理部は、ローラと前記ローラに巻き付けられたラビング布とを備え、
   前記ローラは、前記ステージに対して平行な回転軸を中心として回転することを特徴とするラビング装置。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載のラビング装置であって、
   前記ラビング処理部と、前記ステージの前記基板が載置される面と、の距離を所定の範囲に保つ機構を備えていることを特徴とするラビング装置。
9. 表面に配向膜が形成された基板の少なくとも一辺部を、前記基板のラビング処理面よりも下に撓ませて、前記基板をステージ上に吸着固定する工程と、
   ラビング処理部を前記一辺部側から所定の方向に相対移動させて、前記配向膜をラビング処理する工程と、
   を含むことを特徴とするラビング方法。
10. 請求項９に記載のラビング方法であって、
    前記吸着固定する工程では、前記一辺部と、前記一辺部とは反対側の他辺部と、を前記ラビング処理面よりも下に撓ませて、前記基板を前記ステージ上に吸着固定することを特徴とするラビング方法。
11. 表面に配向膜が形成された基板の一辺部を、前記一辺部とは反対側の他辺部よりも下降させて、前記基板をステージ上に吸着固定する工程と、
    ラビング処理部を前記一辺部側から所定の方向に相対移動させて、前記配向膜をラビング処理する工程と、
    を含むことを特徴とするラビング方法。
12. 請求項１から８のいずれか１項に記載のラビング装置を用いてラビング処理を行うことを特徴とするラビング方法。

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