JP2009171737A - アクチュエータ及びそれを用いた電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】梁の反りの影響を低減することにより、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和したアクチュエータ及びそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】第1の固定端から第1の接続端まで延在する第1の梁と、第1の固定端と、基板と、を連結し、第1の梁を基板の主面の上方に間隙を空けて支持する第1の固定部と、第2の接続端から第1の作用端まで延在し、第1の梁と並列して設けられ、第1の作用端から第2の接続端に向けて延在した第1のスリットによって分割された第1の分割部を有する第2の梁と、第1の接続端と、第2の接続端と、を連結し、第2の梁を基板の主面の上方に間隙を空けて保持する第1の接続部と、第1の分割部の第1の作用端側の一部に対向し、基板の主面に設けられた第1の固定電極と、を備えたことを特徴とするアクチュエータが提供される。
【選択図】図1

Description

本発明は、圧電駆動方式のアクチュエータ及びそれを用いた電子機器に関する。
MEMS(Micro-electro-mechanical System)アクチュエータは、各種の光スイッチ、通信回路、電子機器に用いられる容量可変キャパシタやマイクロスイッチ等への応用が期待されている。
MEMSアクチュエータの駆動機構としては、梁を静電力、熱応力、電磁力、圧電力等の駆動機構で屈曲変位させる方法がある。この中で、圧電駆動方式は、低消費電力、低駆動電圧という特長の他、駆動電圧によって可動電極が固定電極にpull−inしないため、アクチュエータを連続的に大きく変化することができ、容量変化率が大きいという特長があり、特に注目されている。
しかし、圧電駆動型アクチュエータは、圧電膜を上下電極に挟んだ長く薄い梁構造を有するため、圧電膜や上下電極の材料の僅かな残留応力によって、梁が上下に反ってしまう。例えば、梁が固定電極側に反ると可動電極が固定電極に接触してしまい、MEMS可変キャパシタは高い容量値を示したままで静電容量が変化せず、また、MEMSスイッチはON状態のままでOFF状態に変化しなくなる。一方、梁が固定電極側と反対側に反ると、可動電極が固定電極から離れてしまい、通常の駆動電圧の範囲において、MEMS可変キャパシタは低い容量値を示したままで静電容量は殆ど変化せず、また、MEMSスイッチはOFF状態のままでON状態に変化しなくなる。
この梁の反りの問題に対して、折り返し構造を持つアクチュエータが提案されている(特許文献1)。しかしながら、アクチュエータの梁の反りは、球面状であるため、この折り返し構造のアクチュエータでは、反りの解消は不十分であった。このため、この構造のアクチュエータによって可変キャパシタを製作した場合、可動電極と固定電極の接触面積を大きくすることができず、静電容量の最大値(最大静電容量)が小さかった。また、印加電圧に対する静電容量の変化は、最大静電容量付近で急峻な変化を示し、静電容量の制御が困難であった。
特開2006−87231号公報
本発明は、上記の課題に基づいたものであり、その目的は、梁の反りの影響を低減することにより、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和したアクチュエータ及びそれを用いた電子機器を提供することである。
本発明の一態様によれば、基板と、第1の下部電極と、第1の上部電極と、前記第1の下部電極と前記第1の上部電極との間に設けられた第1の圧電膜と、を含み、第1の固定端から第1の接続端まで延在する第1の梁と、前記第1の固定端と、前記基板と、を連結し、前記第1の梁を前記基板の主面の上方に間隙を空けて支持する第1の固定部と、第2の下部電極と、第2の上部電極と、前記第2の下部電極と前記第2の上部電極との間に設けられた第2の圧電膜と、を含み、第2の接続端から第1の作用端まで延在し、前記第1の梁と並列して設けられ、前記第1の作用端から前記第2の接続端に向けて延在した第1のスリットによって分割された第1の分割部を有する第2の梁と、前記第1の接続端と、前記第2の接続端と、を連結し、前記第2の梁を前記基板の前記主面の上方に間隙を空けて保持する第1の接続部と、前記第1の分割部の前記第1の作用端側の一部に対向し、前記基板の前記主面に設けられた第1の固定電極と、を備えたことを特徴とするアクチュエータが提供される。
本発明の別の一態様によれば、上記のアクチュエータを、容量可変キャパシタと高周波スイッチの少なくともいずれかとして有する電気回路を備えたことを特徴とする電子機器が提供される。
本発明によれば、梁の反りの影響を低減することにより、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和したアクチュエータ及びそれを用いた電子機器が提供される。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の各図については、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図2は、図1のA−A’線断面図である。
図3は、図1のB−B’線断面図である。
図1〜3に表したように、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータ10は、基板101と、基板101の主面102の上方に設けられ、第1の固定端111から第1の接続端114まで延在した第1の梁110を備える。そして、第1の固定端111と、基板101の主面102と、を連結し、第1の梁110を基板101の主面102の上方に間隙141を空けて支持する第1の固定部140を更に備える。すなわち、第1の梁110は、第1の固定部140によって、基板101の上方に間隙141を空けて保持されている。
なお、本図及び以降の各図において、第1の梁110の延在方向、すなわちA−A’線方向をX軸とし、基板101の主面102と平行でX軸に直交する方向をY軸とし、X軸とY軸とに直交する(すなわち主面102に垂直の)方向をZ軸とする。
更に、アクチュエータ10は、第2の接続端214から第1の作用端211まで延在し、第1の梁110と並列して設けられた第2の梁210を更に備える。そして、第1の梁110の第1の接続端114と、第2の梁210の第2の接続端214と、を連結し、第2の梁210を基板101の主面102の上方に間隙142を空けて保持する第1の接続部131を更に備える。すなわち、第2の梁210は、第1の接続部131及び第1の梁110を介して、第1の固定部140によって、基板101の主面102の上方に間隙142を空けて保持されている。
そして、図1に表したように、第2の梁210は、第1の作用端211から第2の接続端214に向けた方向に延在して設けられた第1のスリット222によって分割された第1の分割部221を有する。図1に示した例では、第1のスリット222は1本のスリットであり、第1の分割部221は、2つの分割部、すなわち、分割部221a及び分割部221bを有す。
そして、アクチュエータ10は、第2の梁210の第1の分割部221の第1の作用端211側の一部に対向し、基板101の主面102に設けられた第1の固定電極250を更に備える。第2の梁210のうち、第1の固定電極250に対向する部分が、第1の作用部240となる。すなわち、第1の分割部221のうちの第1の固定電極250に対向する部分が、第1の作用部240となる。なお、第1の固定電極250の第2の梁210と対向する面には、第1の誘電膜253を設けることができる。
そして、図2に表したように、第1の梁110は、基板101の主面102に対向する第1の下部電極164と、第1の上部電極162と、第1の下部電極164と第1の上部電極162との間に設けられた第1の圧電膜163を有している。また、第1の上部電極162の上側には、支持膜161が設けられている。
また、図3に表したように、第2の梁210は、基板101の主面102に対向する第2の下部電極264と、第2の上部電極262と、第2の下部電極264と第2の上部電極262との間に設けられた第2の圧電膜263を有している。また、第2の上部電極162の上側には、支持膜261が設けられている。
上記のように、アクチュエータ10においては、第1の梁110と第2の梁210とは、モノモルフ構造を有している。そして、第1の上部電極162と第1の下部電極164によって第1の圧電膜163に電圧を印加すると、電歪効果によって、その印加電圧の極性に応じて、第1の梁110は、上方向または下方向に屈曲する。また、第2の上部電極262と第2の下部電極264によって第2の圧電膜263に電圧を印加すると、電歪効果によって、その印加電圧の大きさと極性に応じて、第2の梁210は、上方向または下方向に屈曲する。そして、印加電圧に応じて、第2の梁210の第2の下部電極264と第1の固定電極250との距離が変わり、アクチュエータ10は、容量可変のキャパシタまたは高周波スイッチとして動作する。すなわち、第2の梁210の第1の固定電極250と対向する領域が作用部240となり、その作用部240において、第2の下部電極264と第1の固定電極250との距離が変わり、アクチュエータ10は、容量可変のキャパシタまたは高周波スイッチとして動作する。
基板101には、絶縁性のガラス基板やシリコン(Si)等の半導体基板等を用いることができる。
また、第1の固定部140には、例えば酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(Si)、窒化アルミニウム(AlN)等の材料を用いることができる。なお、後述するように、第1の固定部140は、第1の梁110自身によって形成される場合もある。すなわち、第1の梁110自身が、第1の固定端111の部分において、第1の梁110の厚み方向(Z軸方向)に曲げられ、この部分が、第1の梁110と基板101とを連結し、第1の梁110を基板101の主面102の上方に間隙を空けて支持する場合もある。この場合は、第1の固定部140は、第1の梁110を構成する材料で構成される。
また、支持膜161、支持膜261、第1の誘電膜253には、酸化シリコン(SiO)や窒化シリコン(Si)、窒化アルミニウム(AlN)等の絶縁膜を用いることができる。
また、第1の上部電極162、第1の下部電極164、第2の上部電極262、第2の下部電極264、第1の固定電極140には、アルミニウム(Al)、金(Au)、白金(Pt)、銅(Cu)、イリジウム(Ir)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等からなる層を用いることができる。
また、第1の圧電膜163と第2の圧電膜263には、AlNやZnO等のウルツ鉱型の結晶、PZTやチタン酸バリウム(BTO)等のペロブスカイト系強誘電体等の材料からなる層を使用することができる。更には、PbTe、PbSe、PbS、HgTe、HgSe、Hg1−xCdTe、GaSb、GaAs、InP、InAs、InSb、Ge、MgSi、MgGe、MgSn、CaSn、CaPb、ZnSb、ZnAs、ZnAs、CdSb、CdAs、CdAs、BiSe、BiTe、SbTe、AsSe、AsTe、PtSb、InSe、InTe、HgTe、Hg1−xCdTe、InSb、CdAs、BiTe、PtSbを含む層を用いることができる。
そして、本実施形態に係るアクチュエータ10においては、第1の下部電極164と第2の下部電極264は、同層で、同材料を含むことができる。また、第1の上部電極162と第2の上部電極262は、同層で、同材料を含むことができる。また、第1の圧電膜163と第2の圧電膜263は、同層で、同材料を含むことができる。但し、本発明は、これには制限されない。
更に、第1の接続部131は、第1の下部電極164を構成する第1の下部電極層と、第1の圧電膜163を構成する第1の圧電膜層と、第1の上部電極162を構成する第1の上部電極層と、それぞれ実質的に同一の層を含むことができる。但し、本発明は、これには制限されない。
なお、このような構成のアクチュエータ10は、例えば、基板101の主面102の上に、第1の固定電極250とその上の第1の誘電膜253を所定形状で形成した後、所定パターンの犠牲層を形成し、その後、第1の固定部140を形成し、その後、下部電極となる層、圧電膜となる層、上部電極となる層、支持膜となる層を順次積層して形成し、その積層された層を所定形状にパターニングし、第1の梁110、第2の梁210及び第1の接続部131を形成した後、犠牲層を除去することによって得ることができる。
なお、アクチュエータ10においては、図2、図3に例示したように、第1の下部電極164と第1の上部電極162の間への印加電圧の極性、及び、第2の下部電極264と第2の上部電極262への印加電圧の極性が逆向きとなっている。これにより、電歪効果によって、第1の圧電膜163と第2の圧電膜263に屈曲が生じ、第1の作用部240が第1の固定電極250に近づく方向に変位する。また、印加電圧の極性を反転することにより、第1の作用部240は第1の固定電極250から遠ざかる方向に変位する。
そして、本実施形態に係るアクチュエータ10は、第1の梁110と第2の梁210とが接続部131によって接続された折り返し構造を有している。このため、これらの梁を構成する積層膜(第1の下部電極164、第1の圧電膜163、第1の上部電極162、第1の支持膜161、第2の下部電極264、第2の圧電膜263、第2の上部電極262、第2の支持膜261)に応力歪みが存在しても、第1の梁110と第2の梁210の延在方向(X軸方向)で相殺されるため、第1の作用部240において、X軸方向の梁の反りの影響を解消することができる。これにより、X軸方向の梁の反りに起因して発生する、第2の下部電極264と第1の固定電極250との間の距離の異常を防止できる。
更に、本実施形態に係るアクチュエータ10では、第2の梁210に、第2の梁210の延在方向に平行な第1のスリット222が設けられ、その第1のスリット222は、第1の作用端211において開口している。そして、第1の作用端211側の第2の梁210は、第1のスリット222によって、複数の第1の分割部221(図1の例では、分割部221aと分割部221b)に分割されている。このため、複数の第1の分割部221において、分割部221aと分割部221bとは、個々に曲げ変形を生じることができ、すなわち、互いに自由に可動できる。このため、第1の作用部240において、Y軸方向の応力による梁の反りの影響を低減でき、Y軸方向の梁の反りに起因して発生する第2の下部電極264と第1の固定電極250との間の距離の異常を防止できる。
この時、第1のスリット222の長さは、第2の梁210と第1の固定電極250とが対向して形成する第1の作用部240のX軸方向(第2の梁210の延在方向)の長さより、長く設定されている。このように、第1の作用部240の領域より長い第1のスリット222、すなわち、第1の分割部221を設けることによって、第1の分割部221の動きの自由度はより高まり、結果として、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和したアクチュエータが得られる。
図4は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。
図4は、図1のC−C’線断面を模式的に表した断面図であり、横軸はY軸方向の位置、縦軸はZ軸方向の位置を表す。そして、第1圧電膜163及び第2の圧電膜263への印加電圧がOFFの時と、ONの時の、第2の梁210の状態を表している。すなわち、OFF時とON時の分割部221aと分割部221bの、第1の固定電極250からの高さ(距離)を模式的に表している。すなわち、図4は、第2の梁210のY軸方向の反りを模式的に表している。なお、分割部221aと分割部221bは積層構造を有しているが、それは省略され、また、第1の誘電膜253も省略して描かれている。
図4に表したように、アクチュエータ10では、第2の梁210の分割部221aと分割部221bに若干のY軸方向の反りが残っているが、ON時には、分割部221aの広い領域と分割部221bの一部の領域とが、第1の固定電極250に(第1の誘電膜253を介して)接している。これにより、第2の梁210の第1の作用部240において、第2の下部電極264と第1の固定電極250とが近接する面積が大きくできる。これにより、第1の作用部240と第1の固定電極250とで形成される最大静電容量を大きくできる。
図5は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。
図5の横軸は、第1の圧電膜163及び第2の圧電膜263への印加電圧を示し、縦軸は、第2の梁210の第1の作用部240と第1の固定電極250との間に形成される静電容量を示す。
図5に表したように、本実施形態に係るアクチュエータ10においては、印加電圧−静電容量特性が段階的に変化している。これは、第1の分割部221の2つの分割部221a、221bの印加電圧による動きに対応するものである。このように、本実施形態に係るアクチュエータ10では、第1の分割部211を設けることによって、静電容量は段階的に変化し、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化が緩和される。
(第1、第2の比較例)
図6(a)、(b)は、それぞれ、第1、第2の比較例のアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図6(a)に表したように、第1の比較例のアクチュエータ91は、第1の梁110と第2の梁210とが第1の接続部131によって接続された折り返し構造を有しているが、第2の梁210に、スリットが設けられていない。すなわち、分割部が無い。
また、図6(b)に表したように、第2の比較例のアクチュエータ92は、同じく、第1の梁110と第2の梁210とが第1の接続部131によって接続された折り返し構造を有している。そして、第2の梁210の第1の固定電極250に対向する部分、すなわち、第1の作用部240の部分にのみ、第1のスリット242が設けられている。そして、第1のスリット242によって設けられた第1の分割部241(分割部241a、241b)のX軸方向の長さは、第1の作用部240のX軸方向の長さと同じである。すなわち、第2の比較例のアクチュエータ92では、第2の梁210の第1の分割部241の全てに対向して、第1の固定電極250が設けられている。そして、第1の分割部241のX軸方向の長さは、第2の梁210と第1の固定電極250とが対向して形成する第1の作用部240のX軸方向(第2の梁210の延在方向)の長さと同じであり、図1に例示した本実施形態に係るアクチュエータ10の第1の分割部221のX軸方向の長さに比べて短い。
なお、第1の比較例のアクチュエータ91と第2の比較例のアクチュエータ92は、上記の第2の梁210の平面形状以外は、図1に例示した第1の実施形態に係るアクチュエータ10と同じ構造を有す。
以下、これら、比較例のアクチュエータの梁の反りについて説明する。
図7は、アクチュエータに発生する反りを説明するための模式図である。
図7に表したように、第1の梁110、第1の接続部131、第2の梁210を有するアクチュエータにおいて、アクチュエータを構成する積層構造の膜に残留歪が発生し、積層膜全体には球面状の反りが発生する。図7に示した例では、上に凹状の反りが発生している。
この時、図6(a)、(b)に表した第1、第2の比較例のアクチュエータ91、92は、折り返し構造を有しているので、第1の接続端114、第2の接続端214の部分で大きな反りが発生していたとしても、第1の作用部240の部分では、第1の梁110と第2の梁210とで反りが相殺され、X軸方向の反りは軽減される。
しかしながら、Y軸方向の反りは、第1の比較例のアクチュエータ91では軽減されない。一方、第2の比較例のアクチュエータ92では、第2の梁210に第1のスリット242を設けているので、Y軸方向の反りを軽減できる可能性がある。
図8(a)、(b)は、それぞれ第1、第2の比較例のアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。
すなわち、図8(a)、(b)は、それぞれ、図6(a)、(b)のC−C’線断面を模式的に表した断面図であり、横軸はY軸方向の位置、縦軸はZ軸方向の位置を表す。そして、第1圧電膜163及び第2の圧電膜263への印加電圧がOFFの時と、ONの時の、第2の梁210の状態を表している。なお、第2の梁210は積層構造を有しているがそれは省略され、また、第1の誘電膜253も省略して描かれている。
図8(a)に表したように、第1の比較例のアクチュエータ91では、第2の梁210は、上に凹状に反っている。これは、第2の梁210を構成する下部電極、圧電膜、上部電極、支持膜の積層構造によって発生する膜中の残留歪に起因したものである。このため、第2の梁210は曲面形状となり、第2の梁210は、第1の固定電極250に対して(第1の誘電膜253を介して)曲面の一部でのみ接し、第2の梁210と第1の固定電極250とが近接している部分の面積は小さい。このため、最大静電容量は小さい。
一方、図8(b)に表したように、第2の比較例のアクチュエータ92では、第2の梁210の第1の作用端211側に第1のスリット242が設けられているため、第2の梁210の第1の作用部240の曲面形状が、アクチュエータ91に比べて緩和されている。このため、第2の梁210と第1の固定電極250とが近接している部分の面積は、第1の比較例に比べて大きくなり、最大静電容量も第1の比較例に比べて大きくできる。しかし、分割部241bは(第1の誘電膜253を介して)第1の固定電極250に接することができず、その改善の程度は、本実施形態のアクチュエータ10に比較して小さい。
図9は、第1、第2の比較例のアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。
図9の横軸は、第1の圧電膜163及び第2の圧電膜263への印加電圧を示し、縦軸は、第2の梁210の第1の作用部240と第1の固定電極250とで形成される静電容量を示す。そして、破線は、第1の比較例を示し、実線は第2の比較例を示す。
図9に表したように、第1、第2の比較例のアクチュエータ91、92では、印加電圧に対する静電容量の変化は最大静電容量付近で急峻に変化している。以下、この現象について説明する。
図10は、第1の比較例のアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。
図10の横軸は、第1の圧電膜163及び第2の圧電膜263への印加電圧を示し、縦軸は、第2の梁210の第1の作用部240と第1の固定電極250とで形成される静電容量を示す。そして、実線は、実際の特性を表し、破線は、第1の固定電極250から第1の作用部240に対して静電引力が作用しないと仮定した時の特性のシミュレーション結果を例示している。
図10の破線で表したように、第1の固定電極250から第1の作用部240に対して静電引力が作用しない場合には、静電容量は、印加電圧の増大につれ徐々に大きくなる。しかし、実際には、第1の作用部240と第1の固定電極250の距離が所定の距離より小さくなると、第1の作用部240と第1の固定電極250の間に作用する静電引力が大きくなり、印加電圧による第2の梁210の電歪に加えて、この静電引力が作用し、その結果、静電容量が急峻に変化してしまう(図10の実線)。
このため、図9の破線で表したように、作用部240にスリットが設けられていない第1の比較例のアクチュエータ91では、最大静電容量付近で静電容量が急峻に変化する。これは、アクチュエータ91では、分割部が設けられていないため、静電引力が第1の作用部240に作用した時、第1作用部240が段階的に動くことができないためである。
一方、第1の作用部240にスリットを設けた第2の比較例のアクチュエータ92では、第1の作用部240に分割部241a、241bが設けられているので、図9の実線で表したように、最大静電容量は第1の比較例(図9の破線)より若干ではあるが大きくなっているが、印加電圧−静電容量特性の急峻な変化の改善は比較的小さい。これは、第2の比較例では、第1のスリット242は、第1の固定電極250に対向する第1の作用部240のみに設けられており、第1のスリット242の長さが短いことが原因であると考えられる。すなわち、分割部241a、241bのX軸方向の長さが短く、分割部241a、241bの動きの自由度が小さい。このため、静電引力が作用すると、分割部241a、241bは、連動して一度に動き、段階的に動くことができない。このために、第2の比較例のアクチュエータ92では、印加電圧−静電容量特性の急峻性の改善の程度が小さいと推測される。
一方、既に説明したように、本実施形態に係るアクチュエータ10においては、第2の梁210の第1のスリット222の長さ、すなわち、第1の分割部221のX軸方向の長さは、第1の作用部240のX軸方向の長さより長く、第2の比較例の場合より長い。これにより、本実施形態に係るアクチュエータ10においては、第1の分割部221(分割部221a、221b)の動きの自由度はより高まり、静電引力が作用したとしても、2つの分割部221a、221bが独立して、段階的に変形できるため、結果として、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和できる。
なお、上記では、第1の下部電極164と第1の上部電極162との間、及び第2の下部電極264と第2の上部電極262との間の両方に、互いに極性の異なる電圧を印加した例を示したが、第1の下部電極164と第1の上部電極162の間のみ、或いは、第2の下部電極264と第2の上部電極262の間のみ、に電圧を印加し、駆動しても良い。
また、本実施形態において、第1のスリット222は1つでも良いし、複数でも良い。
図11は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図11に表したように、第1の実施形態に係る別の例のアクチュエータ11では、第2の梁210は、第1の作用端211から第2の接続端214に向けた方向に延在して、6本の第1のスリット222(222a〜222f)が設けられ、これによって分割された7つの第1の分割部221(221a〜221g)を有する。そして、第1のスリット222(222a〜222f)、第1の分割部221(221a〜221g)は、第1の作用端211から第1の接続部131までの長さで設けられている。そして、第2の梁210の第1の分割部221の第1の作用端211側の一部に対向して、第1の固定電極250が設けられている。すなわち、第1のスリット222(222a〜222f)、第1の分割部221(221a〜221g)のX軸方向の長さは、第1の固定電極250に対向する第1の作用部240のX軸方向の長さより長い。
なお、図11に例示したアクチュエータ11における各要素のサイズを例示すると以下である。
第1の梁110の第1の固定端111から第1の接続端114までの長さは400μm、
第1の梁110の幅(Y軸方向の長さ)は40μm、
第1の接続部131の長さ(Y軸方向の長さ)は25μm、
第1の接続部131の幅(X軸方向の長さ)は40μm、
第2の梁210の第1の作用端211から第2の接続端214までの長さは450μm、
第1のスリット222の長さは410μm、
第1のスリット222(スリット222a〜222g)の幅は5μm、
第1の分割部221(分割部221a〜221g)の幅は10μm、
第2の梁210(第1の作用部240)と第1の固定電極250との間隔は約1μmである。
但し、本発明は、これには制限されない。
図12は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の特性を例示する模式断面図である。
図12は、図11のC−C’線断面を模式的に表した断面図であり、横軸はY軸方向の位置、縦軸はZ軸方向の位置を表す。
そして、第1の圧電膜163及び第2の圧電膜263への印加電圧がOFFの時と、ONの時の、第2の梁210の状態を表している。なお、第2の梁210は、積層構造を有しているが、それは省略され、また、第1の誘電膜253も省略して描かれている。
図12に表したように、アクチュエータ11では、7本の第1の分割部221(221a〜221g)が独立して可動なので、第1の分割部221(221a〜221g)の動きの自由度は高く、ON時には、第1の分割部221の分割部221a〜221gのそれぞれが第1の固定電極250に(第1の誘電膜253を介して)接することができる。このため、第1の分割部221(221a〜221g)と第1の固定電極250とが近接している部分の面積は、図1に例示したアクチュエータ10に比べて更に大きくなり、最大静電容量も更に大きくできる。また、7本の第1の分割部221(221a〜221g)が独立して可動なので、印加電圧−静電容量特性も7本の第1の分割部221(221a〜221g)の動きに対応して、更になだらかに変化することができる。このように、アクチュエータ11は、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和することができる。
本実施形態において、第1のスリット222、すなわち、第1の分割部221のX軸方向の長さは、第1の作用部240のX軸方向の長さより長く設定することができる。その際、第1のスリット222(第1の分割部221)は、第1の作用端211から第2の接続端214までの略全部の領域(長さ)に設けても良いし、その途中まで設けても良い。また、第1のスリット222が複数の時、複数の第1のスリット222(第1の分割部221)のそれぞれで、第1のスリット222(第1の分割部221)の長さを変えても良い。
図13は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図13に表したように、第1の実施形態に係る別の例のアクチュエータ12では、第2の梁210には、第1の作用端211から第2の接続端214に向けた方向に延在した4本の第1のスリット222(222a〜222d)が設けられ、これによって分割された5つの第1の分割部221(221a〜221e)が設けられている。そして、第1のスリット222(222a〜222d)、すなわち、第1の分割部221(221a〜221e)は、第1の作用端211から接続部131の中間までの長さとされている。そして、第2の梁210の第1の分割部221の第1の作用端211側の一部に対向して、第1の固定電極250が設けられている。すなわち、第1のスリット222(222a〜222d)、第1の分割部221(221a〜221e)のX軸方向の長さは、第1の固定電極250に対向する第1の作用部240のX軸方向の長さより長い。
この構成のアクチュエータ12も、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和することができる。
なお、第2の梁210に設けられる第1のスリット222及び第1の分割部221のX軸方向の本数や長さは、第2の梁210を構成する積層膜の残留歪や機械的強度、及び、第1のスリット222の幅(Y軸方向の長さ)、第1の分割部221の幅(Y軸方向の長さ)、製造工程の加工精度、最大静電容量の要求仕様、印加電圧−静電容量特性の急峻性の要求仕様等によって適切に設定できる。
図14(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図14(a)、(b)に表したように、第1の実施形態に係る別の例のアクチュエータ13、14では、第2の梁210には、第1の作用端211から第2の接続端214に向けた方向に延在した4本の第1のスリット222(222a〜222d)が設けられ、これによって分割された5つの第1の分割部221(221a〜221e)が設けられている。そして、第1のスリット222(222a〜222d)、すなわち、第1の分割部221(221a〜221e)の長さは、それぞれ異なっている。
図14(a)に例示したアクチュエータ13では、第1の梁110側の第1のスリット222a(分割部221a)が長く、第1の梁110から離れるに従って、第1のスリット222(第1の分割部221)の長さが短くなっている。すなわち、第1の梁110側の第1の分割部221の方が動きの自由度が高く、第1の梁110から離れるに従って動きの自由度が低くなっている。
逆に、図14(b)に例示したアクチュエータ14では、第1の梁110側の第1のスリット222a(分割部221a)が短く、第1の梁110から離れるに従って、第1のスリット222(第1の分割部221)の長さが長くなっている。すなわち、第1の梁110側の第1の分割部221の方が動きの自由度が低く、第1の梁110から離れるに従って動きの自由度が高くなっている。
このように、複数の分割部221のそれぞれの動きの自由度を変えることで、印加電圧−静電容量特性を急峻、または、緩慢にすることができる。
更には、複数の第1のスリット222(複数の第1の分割部221)の長さを適切に変えることで、印加電圧−静電容量特性を任意の形状にすることも可能である。
なお、本実施形態においては、第1の固定電極250は第1の分割部221の第1の作用端211側の一部に対向して設けられ、上記のように複数の第1のスリットによって3つ以上の第1の分割部221が設けられ、それぞれの長さが異なっている場合、第1の分割部221のうちのいずれかが、第1の作用部240の長さより大きければ良い。
更に、第1のスリット222で分割された第1の分割部221の幅(Y軸方向の長さ)も任意に設定できる。
図15(a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図15(a)、(b)に表したように、第1の実施形態に係る別の例のアクチュエータ15、16では、第2の梁210には、第1の作用端211から第2の接続端214に向けた方向に延在した4本の第1のスリット222(222a〜222d)が設けられ、これによって分割された5つの第1の分割部221(221a〜221e)が設けられている。そして、第1の分割部221の分割部221a〜221eの幅(Y軸方向の長さ)は、異なっている。
図15(a)に例示したアクチュエータ15では、第1の梁110側の分割部221a、221bの幅が太く、第1の梁110から遠い側の分割部221c〜221eの幅が細くなっている。すなわち、第1の梁110側の分割部の方が動きの自由度が低く、第1の梁110から遠い方の分割部の動きの自由度が高くなっている。
逆に、図15(b)に例示したアクチュエータ16では、第1の梁110側の分割部221a〜221cの幅が細く、第1の梁110から遠い側の分割部221d、221eの幅が太くなっている。すなわち、第1の梁110側の分割部の方が動きの自由度が高く、第1の梁110から遠い方の分割部の動きの自由度が低くなっている。
このように、複数の分割部221のそれぞれの動きの自由度を変えることで、印加電圧−静電容量特性を急峻、または、緩慢にすることができる。
更には、複数の第1の分割部221の幅(太さ)を適切に変えることで、印加電圧−静電容量特性を任意の形状にすることも可能である。
更には、複数の第1の分割部221の長さと幅(太さ)を同時に変えても良い。
また、複数の第1のスリット222の幅を変えても良い。
なお、第1の固定部140は、第1の梁110を構成する材料で形成することができる。
図16は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する、図1のA−A’線断面図である。
図16に例示した本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータ17は、第1の梁110の断面構造以外は、図1に例示したアクチュエータ10と同様の構造を有するので、第1の梁110の断面構造についてのみ説明する。
図16に表したように、アクチュエータ17においては、第1の梁110が、第1の固定端111の部分において、第1の梁110の厚み方向(Z軸方向)に曲げられている。そして、この部分が、第1の梁110と基板101とを連結し、第1の梁110を、基板101の主面102の上方に間隙141を空けて支持している。すなわち、第1の梁110のうち、第1の固定端111の近傍で曲げられた部分が、第1の固定端140となっている。このような構成のアクチュエータ17も、アクチュエータ10と同様に、梁の反りの影響を低減することによって、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急激な変化を緩和したアクチュエータを提供できる。
なお、図16に例示したアクチュエータ17は、例えば、基板101の主面102の上に、第1の固定電極250とその上の第1の誘電膜253を所定形状で形成した後、所定パターンの犠牲層を形成し、その後、下部電極となる層、圧電膜となる層、上部電極となる層、支持膜となる層を順次積層して形成し、その積層された層を所定形状にパターニングし、第1の梁110、第2の梁210及び第1の接続部131を形成した後、犠牲層を除去することによって得ることができる。
なお、図1に例示したアクチュエータ10や図16に例示したアクチュエータ17においては、第1の梁110と第2の梁210は、図2、図3、図16に例示した断面構造、すなわち、モノモルフ構造を有していたが、これに限らない。すなわち、第1の梁110と第2の梁210は、2枚の電極に挟まれた圧電膜を含めば良く、モノモルフ構造の他、バイモルフ構造、非対称バイモルフ構造等各種の構造を有することができる。
図17は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別構成を例示する、図1のA−A’線断面図である。
図18は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別構成を例示する、図1のB−B’線断面図である。
すなわち、本発明の第1の実施形態に係る別のアクチュエータ18は、図1に例示したアクチュエータ10において、第1の梁110と第2の梁210をバイモルフ構造としたものであり、その他平面形状等は図1と同一である。
図17に表したように、本発明の第1の実施形態に係る別のアクチュエータ18においては、第1の梁110は、基板101の主面102に対向する第1の下部電極185と、第1の下部電極185に対向する第1の上部電極181と、第1の下部電極185と第1の上部電極181との間に挟まれた第1の圧電膜184を有している。そして、第1の圧電膜184と第1の上部電極181との間に設けられた第1の中間電極183と、第1の中間電極183と第1の上部電極181との間に設けられた第1の上側圧電膜182を更に有している。すなわち、第1の下部電極185、第1の圧電膜184、第1の中間電極183、第1の上側圧電膜182、第1の上部電極181が積層された構造を有している。
一方、図18に表したように、第2の梁210は、基板101の主面102に対向する第2の下部電極285と、第2の下部電極285に対向する第2の上部電極281と、第2の下部電極285と第2の上部電極281との間に設けられた第2の圧電膜284を有している。そして、第2の圧電膜284と第2の上部電極281との間に設けられた第2の中間電極283と、第2の中間電極283と第2の上部電極281との間に設けられた第2の上側圧電膜282を更に有している。すなわち、第2の下部電極285、第2の圧電膜284、第2の中間電極283、第2の上側圧電膜282、第2の上部電極281が積層された構造を有している。
なお、第1の下部電極185と第2の下部電極285は、同層で、同じ材料を含むことができる。また、第1の圧電膜184と第2の圧電膜284は、同層で、同じ材料を含むことができる。また、第1の中間電極183と第2の中間電極283は、同層で、同じ材料を含むことができる。また、第1の上側圧電膜182と第2の上側圧電膜282は、同層で、同じ材料を含むことができる。そして、第1の上部電極181と第2の上部電極281は、同層で、同じ材料を含むことができる。但し、本発明は、これに制限されない。
更に、第1の接続部131は、第1の下部電極185を構成する第1の下部電極層と、第1の圧電膜184を構成する第1の圧電膜層と、第1の中間電極183を構成する第1の中間電極層と、第1の上側圧電膜182を構成する第1の上側圧電膜層と、第1の上部電極181を構成する第1の上部電極層と、それぞれ実質的に同一の層を含むことができる。但し、本発明は、これに制限されない。
そして、図17、図18に例示されたアクチュエータ18では、第1の下部電極185と第1の中間電極183の間、及び、第1の中間電極183と第1の上部電極181の間、に電圧が印加される。また、第2の下部電極285と第2の中間電極283の間、及び、第2の中間電極283と第2の上部電極281の間に電圧が印加される。そして、第1の梁110の各膜の間に印加される電圧の極性と、第2の梁210の各膜の間に印加される電圧の極性とは、互いに逆向きとなっている。
これにより、第1の圧電膜184が収縮(伸張)する時に第1の上側圧電膜182が伸長(収縮)し、第1の梁110に屈曲が生じると共に、第2の圧電膜284が伸張(収縮)する時に第2の上側圧電膜282が収縮(伸張)する。これにより、第1の作用部240と第1の固定電極250との距離を変化させることができる。
アクチュエータ18は、第2の梁210に長い分割部221を設けることで、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和する効果を持ち、更に、バイモルフ構造を有しているので、モノモルフ構造のアクチュエータ10に比べて駆動電圧を低減できる。
なお、図11、図13〜図16に例示したアクチュエータ11〜17も、図17、図18に例示したバイモルフ構造を有することができ、その場合も、駆動電圧を低減できる。
(第2の実施の形態)
図19は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図20は、図19のD−D’線断面図である。
図21は、図19のE−E’線断面図である。
図19に表したように、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータ20は、第1の梁110、第2の梁210、第1の接続部131を備える。また、同図には示さないが、第1の固定電極250、第1の固定部140をさらに備える。これら、第1の梁110、第2の梁210、第1の接続部131、第1の固定電極250、第1の固定部140に関しては、図2、図3、図11で説明したものと同様とすることができるので説明を省略する。
そして、図19〜図21に表したように、アクチュエータ20は、更に、第1の梁110、第2の梁210、第1の接続部131、第1の固定電極250、第1の固定部140と類似の構造の、第3の梁310、第4の梁410、第2の接続部331、第2の固定電極450、第2の固定部340、及び、第2の梁210の第1の分割部221と第4の梁410の第2の分割部421を連結する第3の接続部520を更に備える。以下、アクチュエータ10から更に設けられたこれらの要素について説明する。
第3の梁310は、第2の固定端311から第3の接続端314まで延在し、第1の梁110と並列して、基板101の主面102の上方に設けられている。そして、第2の固定端311と、基板101の主面102と、を連結し、第3の梁310を基板101の主面102の上方に間隙341を空けて支持する第2の固定部340が設けられている。すなわち、第3の梁310は、第3の固定部340によって、基板101上方に間隙341を空けて保持されている。
また、第4の梁410は、第4の接続端414から第2の作用端411まで延在し、第3の梁310と並列して、第3の梁310と第2の梁210の間に設けられている。
そして、第3の梁310の第3の接続端314と、第4の梁410の第4の接続端414と、を連結し、第4の梁410を基板101の主面102の上方に間隙342を空けて保持する第2の接続部331が設けられている。すなわち、第4の梁410は、第2の接続部331及び第3の梁310を介して、第2の固定部340によって、基板101の主面102の上方に間隙342を空けて保持されている。
そして、第4の梁410は、第2の作用端411から第4の接続端414に向けた方向に延在して設けられた第2のスリット422によって分割された第2の分割部421を有する。図19に示した例では、第2のスリット422は6本のスリット422a〜422fを有し、第1の分割部421は、7つの分割部である分割部421a〜421gを有する。
そして、第4の梁410の第2の分割部421の第2の作用端411側の一部に対向し、基板101の主面102に、第2の固定電極450が設けられている。すなわち、第2のスリット422、第2の分割部421の長さは、第4の梁410と第2の固定電極450とが対向して形成する第2の作用部440のX軸方向(第4の梁410の延在方向)の長さより長く設定されている。第4の梁410のうち、第2の固定電極450に対向する部分が、第2の作用部440となる。すなわち、第2の分割部421のうちの第2の固定電極450に対向する部分が、第2の作用部440となる。なお、第2の固定電極450の第4の梁410と対向する面には、第2の誘電膜453を設けることができる。
そして、図20に表したように、第3の梁310は、基板101の主面102に対向する第3の下部電極364と、第3の下部電極364に対向する第3の上部電極362と、第3の下部電極364と第3の上部電極362との間に設けられた第3の圧電膜363を有している。また、第3の上部電極362の上側には、支持膜361が設けられている。
また、図21に表したように、第4の梁410は、基板101の主面102に対向する第4の下部電極464と、第4の下部電極464に対向する第4の上部電極462と、第4の下部電極464と第4の上部電極462との間に設けられた第4の圧電膜463を有している。また、第4の上部電極462の上側には、支持膜461が設けられている。
そして、第3の接続部520は、第1の分割部221と第2の分割部421とを接続する。図19に例示したアクチュエータ20では、第3の接続部520には、第1のスリット222と第2のスリット422と実質的に同じ太さの第3のスリット522が、第1のスリット222と第2のスリット422と同数設けられている。すなわち、第3の接続部520は、第3のスリット522によって分割された複数の第3の分割部521を有す。
なお、図21に表した例では、第3の接続部520は、第5の下部電極574、第5の圧電膜573、第5の上部電極572、第5の支持膜571が順に積層された構造を有し、第5の下部電極574、第5の圧電膜573、第5の上部電極572及び第5の支持膜571は、それぞれ、第4の下部電極464、第4の圧電膜463、第4の上部電極462及び第4の支持膜461と、それぞれ、同層となっている。但し、本発明は、これには限定されない。
なお、上記の第3の梁310、第4の梁410、第2の接続部331、第3の接続部520には、既に説明した第1の梁110、第2の梁210、第1の接続部131に用いる層と同じ層を用いることができるので、その詳細な説明は省略する。また、第2の固定電極450、第2の固定部340には、既に説明した第1の固定電極250、第1の固定部140に用いる層と同じ層を用いることができるので、その詳細な説明は省略する。また、上記の第3の梁310、第4の梁410、第2の接続部331の各サイズには、図11の説明で例示した、第1の梁110、第2の梁210、第1の接続部131の各サイズを用いることができる。但し、本発明は、これには制限されない。なお、第2の梁210と第4の梁410との間隔は、例えば10μmとすることができるが、本発明は、これには制限されない。
なお、図19に表したように、第1の作用端211と第2の作用端411は、それぞれ、第2の梁210と第4の梁410が第1の固定電極250と第2の固定電極450に対向する領域、すなわち、第1の作用部240と第2の作用部440の、第2の接続端214と第4の接続端414から遠い側の端である。そして、第2の接続端214から第1の作用端211より遠い部分(図19の紙面に向かって第1の作用端211より右側)、及び、第4の接続端414から第2の作用端411より遠い部分(図19の紙面に向かって第2の作用端411より右側)が、第3の接続部520である。すなわち、第2の梁210の第1の分割部211と、第4の梁410の第2の分割部421は、それぞれ、第1の作用端211及び第2の作用端411までであり、それより同図の右側は第3の接続部520である。
図22は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの電気回路を例示する回路図である。
図22において、端子76が第1の固定電極250に、端子80が第2の固定電極450に、可変キャパシタ77が第1の作用部240と第1の固定電極250との間の静電容量に、可変キャパシタ79が第2の作用部440と第2の固定電極450との間の静電容量に、線路78が第3の接続部520に対応する。
図22に表したように、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータ20は、可変キャパシタ77、79が直列接続された可変キャパシタを構成することができ、その静電容量は、各圧電膜に印加する電圧で制御することができる。
図23は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。
図23は、図19のF−F’線断面を模式的に表した断面図であり、横軸はY軸方向の位置、縦軸はZ軸方向の位置を表す。そして、第1の圧電膜163、第2の圧電膜263、第3の圧電膜363及び第4の圧電膜463への印加電圧がOFFの時と、ONの時の、第2の梁210(第1の分割部221)の第1の作用部240、及び、第4の梁410(第2の分割部421)の第2の作用部440の状態を表している。
図23に表したように、アクチュエータ20では、OFF時には、各作用部の反り(固定電極からの位置)は、各分割部221a〜221g、421a〜421gによって離散的に変化している。そして、ON時には、第1の分割部221の各分割部221a〜221gと、第2の分割部421の各分割部421a〜421gが、それぞれ、第1の固定電極250と(第1の誘電膜253を介して)、第2の固定電極450と(第2の誘電膜453を介して)接している。このため、第2の梁210の第1の作用部240において、第2の下部電極264と第1の固定電極250とが近接する面積が大きく、また、第4の梁410の第2の作用部440において、第4の下部電極464と第2の固定電極450とが近接する面積が大きい。これにより、第1の作用部240と第1の固定電極250、第2の作用部440と第2の固定電極450で形成される最大静電容量を大きくできる。具体的には、第1の固定電極250と第2の固定電極450の間の静電容量、すなわち、図22に例示した、端子76と端子80との間の最大静電容量は、0.9pFであった。
図24は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。
図24の横軸は、第1〜第4の圧電膜163、263、363、463への印加電圧を示し、縦軸は、第2の梁210の第1の作用部240と第1の固定電極250との間の静電容量と、第4の梁410の第2の作用部440と第2の固定電極450との間の静電容量を直列接続した静電容量を示す。
図24に表したように、本実施形態に係るアクチュエータ20においては、第1の分割部221、第2の分割部421によって形成される、複数に分割された、第1の作用部240と第2の作用部440の動きに従って、印加電圧−静電容量特性が段階的、離散的に変化している。すなわち、図23に例示したように、OFF時には、各作用部の反り(固定電極からの位置)は、各分割部によって段階的、離散的に変化しており、このため、圧電膜への印加電圧の増加に対して、各分割部221a〜221g、421a〜421gが、順番に固定電極側に接触するようになり、印加電圧に対して静電容量が段階的、離散的に変化したものと考えられる。このように、本実施形態により、従来制御することの難しかった最大静電容量付近の静電容量が制御可能となり、駆動電圧による静電容量の制御性を飛躍的に向上することが可能となる。
(第3、第4の比較例)
図25、図26は、それぞれ、第3、第4の比較例のアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図25に表したように、第3の比較例のアクチュエータ93は、図19に例示したアクチュエータ20に対して、第2の梁210、第4の梁410に、スリットが設けられていない。従って、第1の分割部221、第2の分割部421を連結する第3の接続部520も設けられていない。そして、第1の作用部240と第2の作用部440とは連結され、作用部249となる。
また、図26に表したように、第4の比較例のアクチュエータ94は、アクチュエータ20に対して、第2の梁210と第4の梁410に設けられたスリットの長さが短い。すなわち、第2の梁210の第1の固定電極250に対向する第1の作用部240のみに、第1のスリット242が設けられ、第1のスリット242によって分割された第1の分割部241が設けられている。そして、第4の梁410の第1の固定電極450に対向する第2の作用部440のみに、第2のスリット442が設けられ、第2のスリット442によって分割された第2の分割部441が設けられている。すなわち、第4の比較例のアクチュエータ94では、第2の梁210の第1の分割部241の全てに対向して第1の固定電極250が設けられ、また、第4の梁410の第2の分割部441の全てに対向して第2の固定電極450が設けられている。
なお、図26に表したように、第2の接続端214から第1の作用端211より遠い部分、及び、第4の接続端414から第2の作用端411より遠い部分に、第3の接続部520が設けられ、第3の接続部520は、第3のスリット522によって分割された第3の分割部521を有している。ここで、第1の分割部241は、第1の作用部240の第2の接続端214から遠い側の端まであり、また、第2の分割部441は、第2の作用部440の第4の接続端414より遠い側の端まである。従って、第1、第2の分割部241、441の、それぞれの全てに対向して、第1、第2の固定電極250、450が設けられている。なお、第1の作用端211及び第2の作用端411より、それぞれ第2の接続端214及び第4の接続端414から遠い側にある分割部は、第3の接続部520の第3の分割部521であり、第1、第2の分割部241、441ではない。
そして、第3の比較例のアクチュエータ93と第4の比較例のアクチュエータ94は、上記の第2の梁210の平面形状と第4の梁410の平面形状以外は、図19に例示した第2の実施形態に係るアクチュエータ20と同じ構造を有す。
図27(a)、(b)は、それぞれ第3、第4の比較例のアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。
すなわち、図27(a)、(b)は、それぞれ、図25、図26のF−F’線断面を模式的に表した断面図であり、横軸はY軸方向の位置、縦軸はZ軸方向の位置を表す。そして、各圧電膜への印加電圧がOFFの時と、ONの時の、第2の梁210の第1の作用部240と第4の梁410の第2の作用部440の状態を表している。
図27(a)に表したように、第3の比較例のアクチュエータ93では、第2の梁210の第1の作用部240と第4の梁410の第2の作用部440とが連結されて作用部249となっており、作用部249は上に凹の双曲線状に反っている。そして、ON時には、作用部249は、第1の固定電極250、第2の固定電極450に対して曲面の一部のみが(第1、第2の誘電膜253、453を介して)接し、作用部249と第1の固定電極250、第2の固定電極450とが近接している部分の面積は小さい。このため、最大静電容量は小さい。具体的には、アクチュエータ93の最大静電容量は0.18pFであった。
一方、また、図27(b)に表したように、第4の比較例のアクチュエータ94では、第1の作用部240と第2の作用部440に、それぞれ第1のスリット242と第2のスリット442が設けられ、これにより、第1の分割部241と第2の分割部441が設けられている。このため、第1の作用部240と第1の固定電極250とが近接している部分の面積、及び、第2の作用部440と第2の固定電極450とが近接している部分の面積は、第3の比較例に比べて大きくなり、最大静電容量も第3の比較例に比べて大きくできる。しかし、具体的には、アクチュエータ94の最大静電容量は0.2pFであり、その改善の程度は、本実施形態に比べると小さかった。これは、第4の比較例のアクチュエータ94では、第1のスリット241と第2のスリット421の長さが短いため、図27(b)に表したように、第1の作用部240及び第2の作用部440に、双曲線状の梁の反りが残っており、分割部の動きの自由度が低いことが原因であると考えられる。
これら、第3、第4の比較例の図27(a)、(b)の特性と、本実施形態の図23とを比較すると、本実施形態に係るアクチュエータ20では、ON時に、第1の分割部221と第1の固定電極250とが大きい面積で近接でき、また、第2の分割部421と第2の固定電極450とが大きい面積で近接できることが分かる。これにより、既に述べたように、アクチュエータ20の最大静電容量は0.9pFとなり、第4の比較例の4.5倍に大きくできる。これは、本実施形態においては、第1のスリット222及び第1の分割部221、第2のスリット422及び第2の分割部421のそれぞれの長さが、第4の比較例より長く、このため、第1の分割部221と第2の分割部421の動きの自由度がより高まっているためである。そして、それぞれの分割部が印加電圧によって段階的、離散的に、順番に動くため、印加電圧−静電容量特性の曲線が緩やかにできる。
このように、本実施形態によれば、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和したアクチュエータが得られる。
なお、上記は、第1の下部電極164と第1の上部電極162との間、第3の下部電極364と第3の上部電極362との間に同じ極性の電圧を印加し、第2の下部電極264と第2の上部電極262との間、第4の下部電極464と第4の上部電極462との間に同じ極性の電圧を印加し、前者の組と後者の組とで互いに極性の異なる電圧を印加した例であるが、本発明は、これには制限されない。すなわち、第1の下部電極164と第1の上部電極162の間と、第3の下部電極364と第3の上部電極362との間のみに電圧を印加する、或いは、第2の下部電極264と第2の上部電極262の間と、第4の下部電極464と第4の上部電極462との間のみに電圧を印加し、駆動しても良い。
また、図24に例示した印加電圧−静電容量特性においては、第1の固定電極250と第2の固定電極450の間の静電容量、すなわち、第1の作用部240と第1の固定電極250とで形成されるキャパシタと、第2の作用部440と第2の固定電極450とで形成されるキャパシタと、を直列接続した静電容量を表したが、第1の固定電極250と第2の固定電極450を接続して使用することもできる。
図28は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の電気回路を例示する回路図である。
図28に表したように、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータ20の別の使用方法では、第1の固定電極250と第2の固定電極450を接続して1つの固定電極とし、この固定電極と、第1の作用部240及び第2の作用部440と、で形成されるキャパシタの静電容量を利用する。この時、端子81が、第1の固定電極250と第2の固定電極450とを接続した固定電極であり、端子83が、第1の作用部240と第2の作用部440であり、可変キャパシタ82が、第1の固定電極250と第2の固定電極450とを接続した固定電極と、第1の作用部240と第2の作用部440と、の間の静電容量である。
上記のアクチュエータ20においては、第1の梁110、第2の梁210、第3の梁310、第4の梁410は、モノモルフ構造を有していたが、これに限らない。すなわち、これら梁は、2枚の電極に挟まれた圧電膜を含めば良く、モノモルフ構造の他、バイモルフ構造、非対称バイモルフ構造等各種の構造を有することができる。
図29は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別構成を例示する、図19のD−D’線断面図である。
図30は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別構成を例示する、図19のE−E’線断面図である。
すなわち、第2の実施形態に係る別のアクチュエータ21は、図19に例示したアクチュエータ20において、各梁をバイモルフ構造としたものであり、その他平面形状等は図19と同一である。
図29に表したように、本発明の第2の実施形態に係る別のアクチュエータ21においては、第3の梁310は、基板101の主面102に対向する第3の下部電極385と、第3の下部電極385に対向する第3の上部電極381と、第3の下部電極385と第3の上部電極381との間に設けられた第3の圧電膜384を有している。そして、第3の圧電膜384と第3の上部電極381との間に設けられた第3の中間電極383と、第3の中間電極383と第3の上部電極381との間に設けられた第3の上側圧電膜382を更に有している。すなわち、第3の下部電極385、第3の圧電膜384、第3の中間電極383、第3の上側圧電膜382、第3の上部電極381が積層された構造を有している。
なお、第1の梁110の断面構造、すなわち、A−A’線断面は、図29と同様とすることができる。
一方、図30に表したように、アクチュエータ21においては、第4の梁410は、基板101の主面102に対向する第4の下部電極485と、第4の下部電極485に対向する第4の上部電極481と、第4の下部電極485と第4の上部電極481との間に設けられた第4の圧電膜484を有している。そして、第4の圧電膜484と第4の上部電極481との間に設けられた第4の中間電極483と、第4の中間電極483と第4の上部電極481との間に設けられた第4の上側圧電膜482を有している。すなわち、第4の下部電極485、第4の圧電膜484、第4の中間電極483、第4の上側圧電膜482、第4の上部電極481が積層された構造を有している。
また、第3の接続部520は、第5の下部電極585、第5の圧電膜584、第5の中間電極583、第5の上側圧電膜582及び第5の上部電極581が積層された構造を有し、第5の下部電極585、第5の圧電膜584、第5の中間電極583、第5の上側圧電膜582及び第5の上部電極581は、それぞれ、第4の下部電極485、第4の圧電膜484、第4の中間電極483、第4の上側圧電膜482及び第4の上部電極481と、同一の層となっている。但し、本発明は、これには限定されない。
なお、第2の梁210の断面構造、すなわち、B−B’線断面は、図30と同様とすることができる。
なお、第1〜第5の下部電極185、285、385、485、585は、同層で、同じ材料を含むことができる。また、第1〜第5の圧電膜184、284、384、484、584は、同層で、同じ材料を含むことができる。また、第1〜第5の中間電極183、283、383、483、583は、同層で、同じ材料を含むことができる。また、第1〜第5の上側圧電膜182、282、382、482、582は、同層で、同じ材料を含むことができる。そして、第1〜第5の上部電極181、281、381、481、581は、同層で、同じ材料を含むことができる。但し、本発明は、これには制限されない。
更に、第1の接続部131と第2の接続部331は、上記の各梁を構成する積層構造と同様の積層構造を有することができる。但し、本発明は、これには制限されない。
アクチュエータ21は、梁の反りの影響を実質的に解消でき、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和する効果を持ち、更に、バイモルフ構造を有しているので、モノモルフ構造のアクチュエータ20に比べて駆動電圧を低減できる。
なお、上記のアクチュエータ20、21においても、第1の固定部140、第2の固定部340は、図16に例示したアクチュエータ17のように、それぞれ、第1の梁110、第3の梁310で構成することができる。
また、本実施形態において、第1のスリット222及び第2のスリット422、すなわち、それらによって形成される第1の分割部221及び第2の分割部421の数、長さ(X軸方向の長さ)、幅(Y軸方向の長さ)は、任意である。以下に例を説明する。
図31は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図31に表したように、本発明の第2の実施形態に係る別の例のアクチュエータ22では、第1の分割部221の分割部221a〜221eの太さが異なっている。すなわち、第1の分割部221の第1の梁110側の分割部(221a〜221c)が細く、第1の分割部221の第1の梁110から遠い側の分割部(221d、221e)が太い。また、第2の分割部421の第3の梁310側の分割部(421a〜421c)が細く、第2の分割部421の第3の梁310から遠い側の分割部(421d、421e)が太い。このように、各分割部の太さを変えることにより、印加電圧−静電容量特性を任意の形状に制御することが可能である。
図32は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図32に表したように、本発明の第2の実施形態に係る別の例のアクチュエータ23では、第2の分割部421の分割部421a〜421gのそれぞれの太さは同じであるが、第1の分割部221の分割部221a〜221eの太さが異なっている。そして、第1の分割部221の数と第2の分割部421の数とが異なっている。そして、第3の接続部520は、第1の分割部221と第2の分割部421とを接続する際、第2の分割部421の2本の分割部(421f、421g)と第1の分割部221の1本の分割部(221e)とを接続している。また、第2の分割部421の2本の分割部(421d、421e)と第1の分割部221の1本の分割部(221d)とを接続している。このように、第3の接続部520は、第1の分割部221と第2の分割部421を接続する際、それぞれの分割部の接続本数、構成は任意である。
図33は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図33に表したように、本発明の第2の実施形態に係る別の例のアクチュエータ24では、第1の分割部221の分割部221a〜221eの太さが異なっている。すなわち、第1の分割部221の第1の梁110側の分割部(221a〜221c)が細く、第1の分割部221の第1の梁110から遠い側の分割部(221d、221e)が太い。また、第2の分割部421の第3の梁310側の分割部(421a、421b)が太く、第2の分割部221の第3の梁310から遠い側の分割部(421c〜421e)が細い。このように、各分割部の太さを変えることにより、印加電圧−静電容量特性を任意の形状にすることが可能である。
なお、本実施形態に係る各種の例において、図19と図31に例示したアクチュエータ20、22は、第1〜第4の梁の構造が、第2の梁210と第4の梁410との間の中心線G−G’に対して対称である。この場合、Y軸方向の梁の反りが相殺され、第1の分割部221と第2の分割部421の各分割部が、中心線G−G’に対して対称となる。これにより、安定した動作を得ることができる。
一方、図32、図33に例示したアクチュエータ23、24においては、第1の梁110と第3の梁310とは、第2の梁210と第4の梁410との間の中心線G−G’に対して対称であるが、第2の梁210と第4の梁410の構造は、中心線G−G’に対して非対称である。このように、第2の梁210と第4の梁410とが、中心線G−G’に対して非対称である場合、第2の梁210と第4の梁410の動きは非対称となる。そして、第1の分割部221と第2の分割部421のそれぞれの動きも非対称とすることができ、これにより、印加電圧−静電容量特性の曲線の形を任意に変えることができる。
なお、第1の梁110と第3の梁310とを、第2の梁210と第4の梁410との間の中心線G−G’に対して非対称にすることもできる。
また、第1の接続部131と第2の接続部331も、第2の梁210と第4の梁410との間の中心線G−G’に対して対称にすることもできる。また、非対称にすることもできる。
そして、第3の接続部520も、第2の梁210と第4の梁410との間の中心線G−G’に対して対称にすることもできる。また、非対称にすることもできる。
また、本実施形態において、第3の接続部520は、第1の分割部221と第2の分割部421とを接続するが、その際、分割された全ての分割部同士を接続することもできるし、その一部を接続することもできる。
図34は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。
図34に表したように、本発明の第2の実施形態に係る別の例のアクチュエータ25では、第1の分割部221の分割部221gと、第2の分割部421の分割部421gのみが、第3の接続部529によって接続されている。このように、分割部の一部のみを接続しても良い。
図35は、本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの動作を例示する模式図である。
図35(a)は、図19に例示したアクチュエータ20の第2の作用部440のOFF時の状態のシミュレーション結果を例示しており、図35(b)は、図34に例示したアクチュエータ25の第2の作用部440のOFF時の状態のシミュレーション結果を例示している。なお、第2の作用部440と接続される第1の作用部240の状態は、それぞれの第2の作用部440の状態と対称であるため、これらの図においては、第2の作用部440のみが描かれている。
図35(a)に表したように、第1の分割部221の分割部221a〜221gと第2の分割部421の分割部421a〜421gとがそれぞれ接続されたアクチュエータ20においては、各分割部は、分割部421aから分割部421gに行くに従って、連続的に次第に下方向(第2の固定電極450に近づく方向)に位置している。そして、第2の作用部440と第2の固定電極450との距離は、どの分割部421a〜421gでも比較的近く、また、第2の固定電極450との距離は、連続的に変化している。
これに対し、図35(b)に表したように、分割部221gと分割部421gのみが接続されているアクチュエータ25の場合には、分割部421gのみが、第2の固定電極450との距離が近く、それ以外の分割部421a〜421fは第2の固定電極450との距離が大きくなっている。そして、その距離は、分割部421fで一番大きく、分割部421aが一番小さい。
従って、第1の分割部221の分割部221a〜221gと第2の分割部421の分割部421a〜gとがそれぞれ接続されたアクチュエータ20では、各分割部が順番に固定電極の方向に動く特性を持ち、また、OFF時における作用部と固定電極との距離が小さくできるので駆動電圧を低くすることができる。一方、第1の分割部221の分割部221a〜221gと、第2の分割部421の分割部421a〜421gの一部とを接続したアクチュエータ25の場合には、接続された分割部と接続されていない分割部とで、固定電極からの距離が大きく異なるため、各分割部の動きの動作電圧を大きく異ならせることができる。このため、印加電圧−静電容量特性の曲線を緩やかにすることが可能となり、これを利用して、印加電圧−静電容量特性を任意に変えることができる。
なお、図34においては、第1の分割部221の分割部221gと、第2の分割部421の分割部421gの1組が接続されているが、接続する組の数は任意である。そして、第1の分割部221と第2の分割部421とを接続する本数によって、分割部の位置(固定電極からの高さ)を変えることができる。また、分割部を接続する位置も任意である。さらには、接続する本数や位置だけでなくこれらを接続する第3の接続部520のサイズや膜構造等によっても分割部の位置(固定電極からの高さ)を変えることができる。
なお、上記のアクチュエータ22〜25の各梁は、図29、図30に断面構造を例示したバイモルフ構造とすることもできる。
(第3の実施の形態)
図36は、本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図36に表したように、本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータ30は、第1の梁110、第2の梁210、第1の接続部131、第3の梁310、第4の梁410及び第2の接続部331を備える。また図示しないが、第1の固定電極250、第1の固定部140、第2の固定電極450、及び第2の固定部340を備える。これらに関しては、第1、第2の実施形態で説明したものと同様とすることができるので、説明を省略する。
そして、アクチュエータ30は、第2の梁210の第2の接続端214と、第4の梁410の第4の接続端414と、を接続する第4の接続部531を更に備える。
すなわち、アクチュエータ30は、アクチュエータ20における作用端同士を接続する第3の接続部520の代わりに、第2、第4の接続端214、414を接続する第4の接続部531を設けたものである。すなわち、図11に例示したアクチュエータ11を2つの組で設け、それらをそれぞれの接続端で接続したものである。
図37は、本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。
図37は、図36のF−F’線断面を模式的に表した断面図であり、図の定義は、図23の定義と同様である。
図37に表したように、アクチュエータ30では、OFF時には、各作用部240、440の反りは実質的に解消され、第1の分割部221a〜221g及び第2の分割部421a〜421gの、それぞれ第1の固定電極250及び第2の固定電極450からの位置は、ほぼ同一となっている。これは、図11に例示したアクチュエータ11を2つの組で設け、それらを接続端で接続することにより、Y軸方向の梁の反りが相殺されたためだと考えられる。また、ON時には、第1の分割部221の各分割部221a〜221gと、第2の分割部421の各分割部421a〜421gが、それぞれ、第1の固定電極250と(第1の誘電膜253を介して)、第2の固定電極450と(第2の誘電膜453を介して)、に接している。このため、第2の梁210の第1の作用部240において、第2の下部電極264と第1の固定電極250とが近接する面積が大きく、また、第4の梁410の第2の作用部440において、第4の下部電極464と第2の固定電極450とが近接する面積が大きい。これにより、第1の作用部240と第1の固定電極250、第2の作用部440と第2の固定電極450で形成される最大静電容量を大きくできる。具体的には、最大静電容量を0.6pFにすることができる。
なお、図36に例示した構造において、第2の梁210と第4の梁410とにスリットを設けないことを変えた第5の比較例の場合、その静電容量は0.1pFであった。このように、第3の実施形態に係るアクチュエータ30は、スリットを設けない第5の比較例の6倍の最大静電容量を得ることができる。
また、本実施形態に係るアクチュエータ30においては、第1、第2の作用部240、440は、それぞれ第1の分割部221(分割部221a〜221g)、第2の分割部421(分割部421a〜421g)に分割されているので、分割部221a〜221g、分割部421a〜421gが段階的、離散的に動くので、緩やかに変化する印加電圧−静電容量特性が得られる。
このように、本実施形態により、梁の反りの影響を低減することにより、最大静電容量が大きく、また、最大静電容量付近での静電容量の急峻な変化を緩和したアクチュエータを提供することができる。
なお、本実施形態において、第1のスリット222及び第2のスリット422、すなわち、それらによって形成される第1の分割部221及び第2の分割部421の数、長さ(X軸方向の長さ)、幅(Y軸方向の長さ)は、任意である。
また、第1〜第4の梁110、210、310、410及び第1、第2、第4の接続部131、331、531は、第2の梁210と第4の梁410との間の中心線G−G’に対して対称にすることができる。これにより、安定した動作を得ることができる。また、非対称にすることもできる。これにより、印加電圧−静電容量特性の曲線を任意に変えることができる。また、第1〜第4の梁110、210、310、410は、モノモルフ構造、バイモルフ構造、非対称モノモルフ構造等、各種の構造を有することができる。
更に、第2の実施形態の構造と第3の実施形態の構造とを組み合わせても良い。すなわち、第1の分割部221と第2の分割部421とを接続する第3の接続部520を設け、更に、第2の梁210の第2の接続端214と第4の梁410の第4の接続端414とを接続する第4の接続部531を設けても良い。
(第4の実施の形態)
図38は、本発明の第4の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図38に表したように、本発明の第4の実施形態に係るアクチュエータ40では、図19に例示したアクチュエータ20に対して、第1の固定電極250及び第2の固定電極450の平面形状を変えたものである。
すなわち、第2の梁210と第4の梁410の中心線G−G’から離れるに従って、第1の固定電極250と第2の固定電極450のX軸方向の長さが長くなっている。これにより、分割部221a〜221g、分割部421a〜421gが、それぞれ第1の固定電極250と第2の固定電極450と対向して形成される分割された作用部の面積が変わり、印加電圧−静電容量特性の制御性が向上する。
なお、第1の固定電極250及び第2の固定電極450のX軸方向の長さを、中心線G−G’からの距離(位置)によって変える場合において、それぞれの位置において、第1の固定電極250と第2の固定電極450は、それぞれ、第1の分割部221の第1の作用端211側の一部、第2の分割部421の第2の作用端411側の一部と対向する。すなわち、第1の分割部421の複数の分割部のいずれかのX軸方向の長さ、及び、第2の分割部421の複数の分割部のいずれかのX軸方向の長さ、が、中心線G−G’からのその位置における、第1の固定電極250、第2の固定電極450のX軸方向の長さより長ければ良い。
また、図38では、中心線G−G’から離れるに従って、第1の固定電極250と第2の固定電極450のX軸方向の長さを長くしたが、逆でも良い。更には、第1の固定電極250と第2の固定電極450のX軸方向の長さは、単調に増加または単調に減少するだけでなく、各種の曲線を有する函数によって変化させることができる。
(第5の実施の形態)
図39は、本発明の第5の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。
図39に表したように、本発明の第5の実施形態に係るアクチュエータ50では、図19に例示したアクチュエータ20に対して、第1の固定電極250及び第2の固定電極450の平面形状を変えたものである。
すなわち、第1の固定電極250は、2つに分割され、分割部251、252を有している。また、第2の固定電極450は、2つに分割されて、分割部451、452を有している。すなわち、アクチュエータ50は、分割部251、252、451、452の4つの固定電極による4つの可変キャパシタを有することができ、それぞれの接続の仕方により、各種の印加電圧−静電容量特性を有するアクチュエータが得られる。
更に、図39においては、第1の固定電極250の分割部251、252のX軸方向の長さと、第2の固定電極450の分割部451、452のX軸方向の長さを変えている。これにより、各電極間で形成されるキャパシタの静電容量を変えることができ、印加電圧−静電容量の制御性が更に向上する。
なお、以上例示したアクチュエータ10〜18は、第1の梁110と第2の梁210が設けられた1つの折り返し構造を有し、アクチュエータ20〜25、30、40、50は、それに加え、第3の梁310と第4の梁410とが更に設けられた2つの折り返し構造を有していたが、本実施形態はこれに限らず、3つ以上の折り返し構造を有していても良い。
なお、以上説明した本発明の実施形態に係るアクチュエータは、圧電駆動型容量可変キャパシタやキャパシティブ型スイッチとして使用することができる。
また、上に説明した本発明の実施形態に係るアクチュエータにより形成した容量可変キャパシタや高周波スイッチ(キャパシティブ型スイッチ)を用いて各種の電子回路を作製することができる。
図40は、本発明の実施形態のアクチュエータを利用した電子回路と電子機器を例示する模式図である。
図40に表したように、本発明の実施形態に係るアクチュエータにより作製された容量可変キャパシタを組み込んで、周波数が可変のフィルタを内蔵する電子回路910を作製できる。また、この電子回路910は、例えば、携帯電話等の各種電子機器900に用いることができる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、アクチュエータを構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述したアクチュエータを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのアクチュエータも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 図1のA−A’線断面図である。 図1のB−B’線断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。 (a)、(b)は、それぞれ、第1、第2の比較例のアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 アクチュエータに発生する反りを説明するための模式図である。 (a)、(b)は、それぞれ第1、第2の比較例のアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。 第1、第2の比較例のアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。 第1の比較例のアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の特性を例示する模式断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 (a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 (a)、(b)は、本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する、図1のA−A’線断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する、図1のA−A’線断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する、図1のB−B’線断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 図19のD−D’線断面図である。 図19のE−E’線断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの電気回路を例示する回路図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示するグラフ図である。 第3の比較例のアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 第4の比較例のアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 (a)、(b)は、それぞれ第3、第4の比較例のアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の電気回路を例示する回路図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する、図19のD−D’線断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する、図19のE−E’線断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの別の構成を例示する模式平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るアクチュエータの動作を例示する模式図である。 本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 本発明の第3の実施形態に係るアクチュエータの特性を例示する模式断面図である。 本発明の第4の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 本発明の第5の実施形態に係るアクチュエータの構成を例示する模式平面図である。 本発明の実施形態のアクチュエータを利用した電子回路と電子機器を例示する模式図である。
符号の説明
10、11、12、13、14、16、17、18、20、21、22、23、24、25、30、40、50、91、92、93、94 アクチュエータ
76、80、81、83 端子
77、79、82 可変キャパシタ
78 線路
101 基板
102 主面
110 第1の梁
111 第1の固定端
114 第1の接続端
131 第1の接続部
140 第1の固定部
141、142、341、342 間隙
161、261、361、461、571 支持膜
162、181、262、281、362、381、462、481、572、581 上部電極
163、184、263、284、363、384、463、484、573、584 圧電膜
164、185,264、285、364、385、464、485、574、585 下部電極
182、282、382、482、582 上側圧電膜
183、283、383、483、583 中間電極
210 第2の梁
211 第1の作用端
214 第2の接続端
221、221a〜221g、241、241a、241b 第1の分割部
222、222a〜222f、242 第1のスリット
240 第1の作用部
249 作用部
250 第1の固定電極
251、252 第1の固定電極の分割部
253 第1の誘電膜
310 第3の梁
311 第2の固定端
314 第3の接続端
331 第2の接続部
340 第2の固定部
410 第4の梁
411 第2の作用端
414 第4の接続端
421、421a〜421g、441 第2の分割部
422、422a〜422f、442 第2のスリット
440 第2の作用部
450 第2の固定電極
451、452 第2の固定電極の分割部
453 第2の誘電膜
520、529 第3の接続部
521 第3の分割部
522 第3のスリット
531 第4の接続部
900 電子機器
910 電子回路

Claims (10)

  1. 基板と、
    第1の下部電極と、第1の上部電極と、前記第1の下部電極と前記第1の上部電極との間に設けられた第1の圧電膜と、を含み、第1の固定端から第1の接続端まで延在する第1の梁と、
    前記第1の固定端と、前記基板と、を連結し、前記第1の梁を前記基板の主面の上方に間隙を空けて支持する第1の固定部と、
    第2の下部電極と、第2の上部電極と、前記第2の下部電極と前記第2の上部電極との間に設けられた第2の圧電膜と、を含み、第2の接続端から第1の作用端まで延在し、前記第1の梁と並列して設けられ、前記第1の作用端から前記第2の接続端に向けて延在した第1のスリットによって分割された第1の分割部を有する第2の梁と、
    前記第1の接続端と、前記第2の接続端と、を連結し、前記第2の梁を前記基板の前記主面の上方に間隙を空けて保持する第1の接続部と、
    前記第1の分割部の前記第1の作用端側の一部に対向し、前記基板の前記主面に設けられた第1の固定電極と、
    を備えたことを特徴とするアクチュエータ。
  2. 前記第2の下部電極は、前記第1の下部電極と実質的に同一の材料からなり、
    前記第2の圧電膜は、前記第1の圧電膜と実質的に同一の材料からなり、
    前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極と実質的に同一の材料からなることを特徴とする請求項1記載のアクチュエータ。
  3. 前記第1の接続部は、前記第1の下部電極を構成する材料からなる層と、前記第1の圧電膜を構成する材料からなる層と、前記第1の上部電極を構成する材料からなる層と、それぞれ実質的に同一の層を含むことを特徴とする請求項1または2記載のアクチュエータ。
  4. 前記第1の梁は、前記第1の圧電膜と前記第1の上部電極との間に設けられた第1の中間電極と、前記第1の中間電極と前記第1の上部電極との間に設けられた第1の上側圧電膜と、をさらに含み、
    前記第2の梁は、前記第2の圧電膜と前記第2の上部電極との間に設けられた第2の中間電極と、前記第2の中間電極と前記第2の上部電極との間に設けられた第2の上側圧電膜と、をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
  5. 第3の下部電極と、第3の上部電極と、前記第3の下部電極と前記第3の上部電極との間に設けられた第3の圧電膜と、を含み、第2の固定端から第3の接続端まで延在し、前記第1の梁と並列して設けられた第3の梁と、
    前記第2の固定端と、前記基板と、を連結し、前記第3の梁を前記基板の前記主面の上方に間隙を空けて支持する第2の固定部と、
    第4の下部電極と、第4の上部電極と、前記第4の下部電極と前記第4の上部電極との間に設けられた第4の圧電膜と、を含み、第4の接続端から第2の作用端まで延在し、前記第3の梁と並列して前記第3の梁と前記第2の梁の間に設けられ、前記第2の作用端から前記第4の接続端に向けて延在した第2のスリットによって分割された第2の分割部を有する第4の梁と、
    前記第3の接続端と、前記第4の接続端と、を連結し、前記第4の梁を前記基板の前記主面の上方に間隙を空けて保持する第2の接続部と、
    前記第2の分割部の前記第2の作用端側の一部に対向し、前記基板の前記主面に設けられた第2の固定電極と、
    前記第1の分割部と前記第2の分割部とを接続する第3の接続部と、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
  6. 第3の下部電極と、第3の上部電極と、前記第3の下部電極と前記第3の上部電極との間に設けられた第3の圧電膜と、を含み、第2の固定端から第3の接続端まで延在し、前記第1の梁と並列して設けられた第3の梁と、
    前記第2の固定端と、前記基板と、を連結し、前記第3の梁を前記基板の前記主面の上方に間隙を空けて支持する第2の固定部と、
    第4の下部電極と、第4の上部電極と、前記第4の下部電極と前記第4の上部電極との間に設けられた第4の圧電膜と、を含み、第4の接続端から第2の作用端まで延在し、前記第3の梁と並列して前記第3の梁と前記第2の梁の間に設けられ、前記第2の作用端から前記第4の接続端に向けて延在した第2のスリットによって分割された第2の分割部を有する第4の梁と、
    前記第3の接続端と、前記第4の接続端と、を連結し、前記第4の梁を前記基板の前記主面の上方に間隙を空けて保持する第2の接続部と、
    前記第2の分割部の前記第2の作用端側の一部に対向し、前記基板の前記主面に設けられた第2の固定電極と、
    前記第2の接続端と前記第4の接続端を接続する第4の接続部と、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
  7. 前記基板の前記主面に対して垂直な方向からみたとき、前記第2の梁の形状と前記第4の梁の形状とは、前記第2の梁と前記第4の梁との間の中心線に対して実質的に対称であることを特徴とする請求項5または6記載のアクチュエータ。
  8. 前記基板の前記主面に対して垂直な方向からみたとき、前記第1の梁の形状と前記第3の梁の形状とは、前記第2の梁と前記第4の梁との間の中心線に対して実質的に対称であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
  9. 前記第2の固定電極は、前記第1の固定電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1つに記載のアクチュエータ。
  10. 請求項1〜9のいずれか1つに記載の前記アクチュエータを、容量可変キャパシタと高周波スイッチの少なくともいずれかとして有する電気回路を備えたことを特徴とする電子機器。
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CN2009100026640A CN101488723B (zh) 2008-01-16 2009-01-14 致动器以及使用其的电子设备
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013519104A (ja) * 2009-12-18 2013-05-23 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 2端子可変静電容量memsデバイス
JP2013201346A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Ulvac Japan Ltd 圧電素子及び圧電素子の製造方法
US8922974B2 (en) 2009-05-28 2014-12-30 Qualcomm Incorporated MEMS varactors
JP2015521401A (ja) * 2012-04-19 2015-07-27 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一過性モード電磁波キャビティ共振器のための面内共振器構造
US9178256B2 (en) 2012-04-19 2015-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Isotropically-etched cavities for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators
JPWO2014038086A1 (ja) * 2012-09-10 2016-08-08 富士通株式会社 可変容量回路及びインピーダンス整合回路

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009291030A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Toshiba Corp Mems可変キャパシタ
JP5418604B2 (ja) * 2010-01-14 2014-02-19 株式会社村田製作所 可変容量装置
JP6474868B1 (ja) * 2017-08-29 2019-02-27 株式会社トライフォース・マネジメント 発電素子
CN113644190A (zh) * 2020-04-24 2021-11-12 中芯集成电路(宁波)有限公司 伸缩结构及形成方法、驱动方法、电子设备、摄像模组

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2837616B1 (fr) * 2002-03-19 2004-05-28 Schneider Electric Ind Sa Appareil electrique a actionneur piezoelectrique pilote
US7098577B2 (en) * 2002-10-21 2006-08-29 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric switch for tunable electronic components
JP4037394B2 (ja) 2004-09-16 2008-01-23 株式会社東芝 マイクロメカニカルデバイス
JP4580745B2 (ja) 2004-12-08 2010-11-17 株式会社東芝 圧電駆動型mems装置
US7633213B2 (en) * 2005-03-15 2009-12-15 Panasonic Corporation Actuator, switch using the actuator, and method of controlling the actuator
JP2007005635A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 半導体装置
JP4732876B2 (ja) * 2005-11-30 2011-07-27 株式会社日立製作所 アクチュエータ、アクチュエータモジュールおよびアクチュエータモジュール製造方法
JP2007259669A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Toshiba Corp 圧電アクチュエータ及びそれを用いたマイクロメカニカルデバイス、可変容量キャパシタ、スイッチ
KR100785084B1 (ko) 2006-03-30 2007-12-12 삼성전자주식회사 압전형 mems 스위치 및 그 제조방법
JP4834443B2 (ja) * 2006-03-31 2011-12-14 株式会社東芝 圧電駆動型memsアクチュエータ
JP4316590B2 (ja) 2006-06-23 2009-08-19 株式会社東芝 圧電駆動型memsアクチュエータ
JP4220541B2 (ja) 2006-09-22 2009-02-04 株式会社東芝 Mems装置
JP2009055683A (ja) 2007-08-24 2009-03-12 Toshiba Corp 圧電駆動型mems装置および携帯端末

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8922974B2 (en) 2009-05-28 2014-12-30 Qualcomm Incorporated MEMS varactors
JP2013519104A (ja) * 2009-12-18 2013-05-23 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 2端子可変静電容量memsデバイス
JP2013201346A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Ulvac Japan Ltd 圧電素子及び圧電素子の製造方法
JP2015521401A (ja) * 2012-04-19 2015-07-27 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一過性モード電磁波キャビティ共振器のための面内共振器構造
US9178256B2 (en) 2012-04-19 2015-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Isotropically-etched cavities for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators
JPWO2014038086A1 (ja) * 2012-09-10 2016-08-08 富士通株式会社 可変容量回路及びインピーダンス整合回路

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