JP2009170281A - スペーサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】頂面及び底面がXY平面と平行であり、側面がXZ平面と平行であるスペーサの製造方法は、第1面51Aに第1帯電防止膜52が形成されたスペーサ基材51を支持基板61に固定し、次いで、YZ平面と平行にスペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を切断した後、スペーサ基材51の第2面51Bに第2帯電防止膜53を形成し、その後、全面に保護膜63を形成した後、XY平面と平行に保護膜63、第2帯電防止膜53、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を切断し、次いで、全面に端部電極層54を形成した後、保護膜63を除去し、第1帯電防止膜52から支持基板61を除去し、側面51A.51B及び端面51E,51Fに第1及び第2帯電防止膜52,53が形成され、頂面51C及び底面51Dに端部電極層54が形成されたスペーサを得る各工程から成る。
【選択図】 図1
Description
先ず、スペーサ基材51を、接着層62を用いて支持基板61に固定する(図10の(A)参照)。
次に、レジスト材料から成る保護膜100を、スピンコーティング法に基づき全面に形成する(図10の(B)参照)。
その後、周知の方法に基づき、XY平面と平行に、保護膜100、スペーサ基材51及び接着層62を切断する(図10の(C)参照)。
次いで、全面に、スパッタリング法に基づき端部電極層54を形成する(図10の(D)参照)。こうして、スペーサ基材51の頂面51C及び底面51Dに端部電極層54を形成することができる。次いで、YZ平面と平行に、端部電極層54、保護膜100、スペーサ基材51及び接着層62を切断する。
その後、保護膜100及びその上の端部電極層54を除去し、更に、スペーサ基材51を支持基板61から除去する。こうして、図11の(A)に示すスペーサ140を得ることができる。尚、図11の(A)〜(C)において、左側に示す断面図は、XY平面に沿ってスペーサ140を切断したときの断面図であり、右側に示す断面図は、YZ平面に沿ってスペーサ140を切断したときの断面図である。
次いで、スペーサ基材51をスパッタリング装置に搬入し、スペーサ基材51の第1面51Aに第1帯電防止膜52を形成する(図11の(B)参照)。
次いで、第1帯電防止膜52が形成されたスペーサ基材51を、一旦、スパッタリング装置から搬出し、スペーサ基材51をひっくり返し、再度、スペーサ基材51をスパッタリング装置に搬入し、スペーサ基材51の第2面51Bに第2帯電防止膜53を形成する(図11の(C)参照)。
(A)スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜を形成した後、第1帯電防止膜を介してスペーサ基材を支持基板に固定し、次いで、
(B)YZ平面と平行に、スペーサ基材及び第1帯電防止膜を切断して、スペーサ基材に端面を設けた後、
(C)スペーサ基材の第1面と対向する第2面を含む全面に第2帯電防止膜を形成し、その後、
(D)全面に保護膜を形成した後、XY平面と平行に、保護膜、第2帯電防止膜、スペーサ基材及び第1帯電防止膜を切断し、以て、スペーサ基材に頂面及び底面を設け、次いで、
(E)全面に端部電極層を形成した後、
(F)保護膜、及び、その上に形成された端部電極層を除去し、第1帯電防止膜から支持基板を除去し、以て、スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の第2面及び端面に第2帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の頂面及び底面に端部電極層が形成されたスペーサを得る、
各工程から成ることを特徴とする。
(A)スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜を形成した後、第1帯電防止膜を介してスペーサ基材を支持基板に固定し、次いで、
(B)全面に保護膜を形成した後、XY平面と平行に、保護膜及びスペーサ基材を切断し、以て、スペーサ基材に頂面及び底面を設け、その後、
(C)全面に端部電極層を形成した後、保護膜及びその上の端部電極層を除去し、次に、
(D)YZ平面と平行に、スペーサ基材及び第1帯電防止膜を切断して、スペーサ基材に端面を設けた後、
(E)スペーサ基材の第1面と対向する第2面を含む全面に第2帯電防止膜を形成し、その後、
(F)第1帯電防止膜から支持基板を除去し、以て、スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の第2面、頂面、底面及び端面に第2帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の頂面及び底面に端部電極層が形成されたスペーサを得る、
各工程から成ることを特徴とする。
(a)スペーサ基材、及び、
(b)XZ平面と平行なスペーサ基材の第1面(側面)に形成された第1帯電防止膜、及び、第1面と対向する第2面(側面)に形成された第2帯電防止膜、並びに、
(c)XY平面と平行なスペーサ基材の頂面及び底面に形成された端部電極層、
から構成されている。尚、スペーサ基材の2つの端面はYZ平面と平行である。ここで、本発明の第1の態様に係るスペーサの製造方法によって得られるスペーサにあっては、端面にも第2帯電防止膜が形成されている。一方、本発明の第2の態様に係るスペーサの製造方法によって得られるスペーサにあっては、端面、頂面及び底面にも第2帯電防止膜が形成されている。
スペーサの高さ方向をZ方向、厚さ方向をY方向、スペーサの軸線方向をX方向としたとき、スペーサは、
(a)スペーサ基材、及び、
(b)XZ平面と平行なスペーサ基材の第1面(側面)に形成された第1帯電防止膜、及び、第1面と対向する第2面(側面)に形成された第2帯電防止膜、並びに、
(c)XY平面と平行なスペーサ基材の頂面及び底面に形成された端部電極層、
から構成されている。尚、スペーサ基材の2つの端面はYZ平面と平行である。ここで、本発明の第1の態様に係るスペーサの製造方法によって得られるスペーサにあっては、端面にも第2帯電防止膜が形成されている。一方、本発明の第2の態様に係るスペーサの製造方法によって得られるスペーサにあっては、端面、頂面及び底面にも第2帯電防止膜が形成されている。
(a)セラミックス粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
(b)グリーンシート用スラリーを成形して、グリーンシートを得、その後、
(c)グリーンシートを焼成する、
ことにより製造することができる。
(a)支持体上に形成された帯状のカソード電極、
(b)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成された帯状のゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
(e)開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)全面(支持体及びカソード電極上)に絶縁層を形成する工程、
(3)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(4)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
(5)開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
(3)全面(支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上)に絶縁層を形成する工程、
(4)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(5)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
(1)基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成
(2)基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成
を挙げることができる。尚、(1)の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、(2)の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。尚、メタルバック膜をアノード電極と兼ねることもできる。
(a)支持体10上に形成された帯状のカソード電極11、
(b)支持体10及びカソード電極11上に形成された絶縁層12、
(c)絶縁層12上に形成された帯状のゲート電極13、
(d)カソード電極11とゲート電極13の重複する重複領域に位置するゲート電極13及び絶縁層12の部分に設けられ、底部にカソード電極11が露出した開口部14(ゲート電極13に設けられた第1開口部14A、及び、絶縁層12に設けられた第2開口部14B)、並びに、
(e)開口部14の底部に露出したカソード電極11上に設けられ、カソード電極11及びゲート電極13への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部15、
から構成されている。ここで、電子放出部15の形状は円錐形である。また、絶縁層12上には層間絶縁層16が形成されており、層間絶縁層16上には収束電極17が形成されている。
(1)カソード電極11に印加する電圧VCを一定とし、ゲート電極13に印加する電圧VGを変化させる方式
(2)カソード電極11に印加する電圧VCを変化させ、ゲート電極13に印加する電圧VGを一定とする方式
(3)カソード電極11に印加する電圧VCを変化させ、且つ、ゲート電極13に印加する電圧VGも変化させる方式
のいずれを採用してもよいが、実施例における表示装置においては、上述の(2)の方式を採用する。
先ず、スペーサ基材51の第1面51Aに第1帯電防止膜52を形成した後、第1帯電防止膜52を介して、スペーサ基材51を支持基板61に固定する。具体的には、ガラス基板等から成る支持基板61の表面に、熱硬化性樹脂から成る接着層62を形成しておく。一方、スペーサ基材51の第1面51A上に、スパッタリング法に基づき、厚さ4nmの酸化クロム(CrOx)から成る第1帯電防止膜52Aを形成しておく(図1の(A)参照)。そして、第1帯電防止膜52Aと接着層62とを接触させ、加熱、加圧することによって、第1帯電防止膜52を介して、スペーサ基材51を支持基板61に固定する(図1の(B)参照)。
次いで、YZ平面と平行に、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を切断して、スペーサ基材51に端面51E,51Fを設ける(図1の(C)参照)。具体的には、ダイアモンドカッター等を用いて、YZ平面と平行に、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を(場合によっては、更に、接触層62、及び、厚さ方向に支持基板61の一部を)切断する。こうして、図1の(C)に示すように、切断溝71が形成され、スペーサ基材51に端面51E,51Fが設けられる。
その後、スペーサ基材51の第1面51Aと対向する第2面51Bを含む全面に第2帯電防止膜53を形成する(図1の(D)参照)。具体的には、スパッタリング法に基づき、厚さ4nmの酸化クロム(CrOx)から成る第2帯電防止膜52Bを、全面(具体的には、第2面51B上及び切断溝71の内部)に形成する。
次いで、全面に保護膜63を形成した後(図2の(A)及び(B)参照)、XY平面と平行に、保護膜63、第2帯電防止膜53、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を切断する(図2の(C)参照)。具体的には、感光性レジスト材料から成る保護膜63をスピンコーティング法に基づき全面(具体的には、第2帯電防止膜52B上及び切断溝71の内部)に形成し、露光することで感光性レジスト材料から成る保護膜63を硬化させた後、XY平面と平行に、ダイアモンドカッター等を用いて、保護膜63、第2帯電防止膜53、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を(場合によっては、更に、接触層62、及び、厚さ方向に支持基板61の一部を)切断する。こうして、スペーサ基材51に頂面51C及び底面51Dを設けることができ、また、図2の(C)に示すように、切断溝72が形成される。尚、図2の(B)は、図2の(A)の矢印B−Bに沿った模式的な端面図である。
その後、全面(具体的には、保護膜63上、保護膜63で覆われた切断溝71の内部、及び、切断溝72の内部)に、白金(Pt)から成る端部電極層54を、スパッタリング法にて形成する(図2の(D)参照)。
次に、保護膜63、及び、その上に形成された端部電極層54を除去する。具体的には、保護膜63を剥離させ得る適切な溶剤中に浸漬することで保護膜63を第2帯電防止膜53から剥離すればよい。次いで、第1帯電防止膜52から支持基板61を除去する。具体的には、接着層62を溶解し得る適切な溶剤中に浸漬することで、第1帯電防止膜52を支持基板61から剥離すればよい。尚、支持基板61の外周部に位置するスペーサ基材(あるいはスペーサ)は、支持基板61の他の部分に位置するスペーサの構成、構造と相違しているので、廃棄する。
先ず、実施例1の[工程−100]と同様にして、スペーサ基材51の第1面51Aに第1帯電防止膜52を形成しておく。また、実施例1の[工程−100]と同様にして、支持基板61の表面に接着層62を形成しておく。そして、実施例1の[工程−100]と同様にして、第1帯電防止膜52Aと接着層62とを接触させ、加熱、加圧することによって、第1帯電防止膜52を介して、スペーサ基材51を支持基板61に固定する。
次いで、全面に保護膜83を形成した後(図4の(A)参照)、XY平面と平行に、保護膜83及びスペーサ基材51を切断し、以て、スペーサ基材51に頂面51C及び底面51Dを設ける(図4の(B)参照)。具体的には、感光性レジスト材料から成る保護膜83をスピンコーティング法に基づき全面(具体的には、第2面51B上)に形成し、露光することで感光性レジスト材料から成る保護膜63を硬化させた後、XY平面と平行に、ダイアモンドカッター等を用いて、保護膜83及びスペーサ基材51を(場合によっては、更に、接触層62、及び、厚さ方向に支持基板61の一部を)切断する。こうして、図4の(B)に示すように、切断溝72が形成される。
その後、実施例1の[工程−140]と同様にして、全面(具体的には、保護膜83上及び切断溝72の内部)に端部電極層54を形成した後(図4の(C)参照)、実施例1の[工程−150]と同様にして、保護膜83及びその上の端部電極層54を除去する(図5の(A)及び(B)参照)。尚、図5の(B)は、図5の(A)の矢印B−Bに沿った模式的な端面図である。
次に、YZ平面と平行に、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を切断して、スペーサ基材51に端面51E,51Fを設ける(図5の(C)参照)。具体的には、ダイアモンドカッター等を用いて、YZ平面と平行に、スペーサ基材51及び第1帯電防止膜52を(場合によっては、更に、接触層62、及び、厚さ方向に支持基板61の一部を)切断する。こうして、図5の(C)に示すように、切断溝71が形成される。
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、スペーサ基材51の第1面51Aと対向する第2面51Bを含む全面(具体的には、第2面51B上及び切断溝71,72の内部)に第2帯電防止膜53を形成する(図6の(A)及び(B)参照)。
次いで、実施例1の[工程−150]と同様にして、第1帯電防止膜52から支持基板61を除去する。こうして、スペーサ基材51の第1面51Aに第1帯電防止膜52が形成され、スペーサ基材51の第2面51B、頂面51C、底面51D、2つの端面51E,51Fに第2帯電防止膜53が形成され、スペーサ基材51の頂面51C及び底面51Dに端部電極層54が形成されたスペーサ40を得ることができる(図7の(A)及び(B)参照)。尚、支持基板61の外周部に位置するスペーサ基材(あるいはスペーサ)は、支持基板61の他の部分に位置するスペーサの構成、構造と相違しているので、廃棄する。
Claims (2)
- 頂面及び底面がXY平面と平行であり、側面がXZ平面と平行である板状のスペーサの製造方法であって、
(A)スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜を形成した後、第1帯電防止膜を介してスペーサ基材を支持基板に固定し、次いで、
(B)YZ平面と平行に、スペーサ基材及び第1帯電防止膜を切断して、スペーサ基材に端面を設けた後、
(C)スペーサ基材の第1面と対向する第2面を含む全面に第2帯電防止膜を形成し、その後、
(D)全面に保護膜を形成した後、XY平面と平行に、保護膜、第2帯電防止膜、スペーサ基材及び第1帯電防止膜を切断し、以て、スペーサ基材に頂面及び底面を設け、次いで、
(E)全面に端部電極層を形成した後、
(F)保護膜、及び、その上に形成された端部電極層を除去し、第1帯電防止膜から支持基板を除去し、以て、スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の第2面及び端面に第2帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の頂面及び底面に端部電極層が形成されたスペーサを得る、
各工程から成ることを特徴とするスペーサの製造方法。 - 頂面及び底面がXY平面と平行であり、側面がXZ平面と平行である板状のスペーサの製造方法であって、
(A)スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜を形成した後、第1帯電防止膜を介してスペーサ基材を支持基板に固定し、次いで、
(B)全面に保護膜を形成した後、XY平面と平行に、保護膜及びスペーサ基材を切断し、以て、スペーサ基材に頂面及び底面を設け、その後、
(C)全面に端部電極層を形成した後、保護膜及びその上の端部電極層を除去し、次に、
(D)YZ平面と平行に、スペーサ基材及び第1帯電防止膜を切断して、スペーサ基材に端面を設けた後、
(E)スペーサ基材の第1面と対向する第2面を含む全面に第2帯電防止膜を形成し、その後、
(F)第1帯電防止膜から支持基板を除去し、以て、スペーサ基材の第1面に第1帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の第2面、頂面、底面及び端面に第2帯電防止膜が形成され、スペーサ基材の頂面及び底面に端部電極層が形成されたスペーサを得る、
各工程から成ることを特徴とするスペーサの製造方法。
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