JP2009168885A - 液晶装置および電子機器、液晶装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】位相差層の外周部における光漏れが低減された見映えのよい半透過反射型の液晶装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔを含む複数のサブ画素ＳＧと、対向基板２０の反射表示領域Ｒに形成された位相差層２６とを有し、位相差層２６の端部が傾斜領域を有し、当該傾斜領域と平面的に重なるように遮光部としての隔壁部６１が設けられ、位相差層２６の断面において端部の傾斜角度を、対向基板２０の位相差層形成面に対して６０°以下とした。
【選択図】図３

Description

本発明は、半透過反射型の液晶装置および電子機器、液晶装置の製造方法に関する。

半透過反射型の液晶装置としては、液晶層と、該液晶層を挟持する第１の基板および第２の基板とからなり、一画素内に反射表示部と透過表示部とを有し、反射表示部における液晶層のリタデーションが４分の１波長であり、位相差板のリタデーションが２分の１波長である液晶表示装置が知られている（特許文献１）。

上記液晶表示装置は、所謂半透過型ＩＰＳ方式を採用しており、上記光学設計とすることにより、透過型ＩＰＳ方式と同等な広視野角を実現できるとしている。

上記液晶表示装置では、液晶層に面する側に位相差膜（位相差板）が形成されている。このような内蔵型の位相差膜の形成方法として、特許文献１では、高分子液晶ポリマーと感光性樹脂との混合物を基板上に塗布して写真食刻法によりパターニングする例が挙げられている。

特開２００５−３３８２５６号公報

しかしながら、上記従来の位相差膜の形成方法では、写真食刻法によりパターニングすると、位相差膜の外周部において、層厚が変化することがあった。これにより、層厚変化に起因する位相差値の変化が発生して、実際の表示において、光漏れによるコントラストの低下を招くおそれがあった。

また、液晶分子を所定の方向に配向させるために配向膜をラビングにより配向処理すると、位相差膜の外周部において、位相差膜の剥れなどのラビング不良が発生し易いという課題があった。このラビング不良は、同様にコントラストの低下を招くおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示領域及び透過表示領域を含む複数の画素と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、を有する液晶装置であって、前記位相差層の端部は傾斜領域を有し、前記傾斜領域と平面的に重なるように遮光部が設けられ、前記位相差層の断面において前記端部の傾斜角度は、前記基板の位相差層形成面に対して６０°以下であることを特徴とする。

この構成によれば、位相差層の端部が６０°以下の傾斜角度で傾斜しているので、ラビング不良が発生し難い。また、位相差層の端部の傾斜領域が遮光部と平面的に重なっているので、光漏れが発生してもコントラスト低下を招くことを防止することができる。すなわち、所望の光学特性が得られる半透過反射型の液晶装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記端部の傾斜角度は、前記基板の位相差層形成面に対して３０°以下であることが好ましい。
これによれば、位相差層の端部におけるラビング不良をより低減することができる。

［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記位相差層は、複数の前記反射表示領域に亘って延在するように設けられ、前記端部の前記傾斜領域は、前記複数の画素外に設けられた前記遮光部と平面的に重なっているとしてもよい。
これによれば、位相差層の延在方向において当該端部の数が減る。したがって、よりコントラスト低下が起き難い半透過反射型の液晶装置を提供することができる。

［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記位相差層を覆う液晶層厚調整層をさらに備え、前記液晶層厚調整層の端部が前記傾斜領域を有しているとしてもよい。
これによれば、液晶層厚調整層を位相差層を覆うように設けることにより、位相差層を保護すると共に、適正な反射表示が可能な光学設計を実現することができる。

［適用例５］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えることを特徴とする。この構成によれば、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。

［適用例６］本適用例の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示領域及び透過表示領域を含む複数の画素と、前記複数の画素を囲むと共に前記画素内において前記反射表示領域と前記透過表示領域とを仕切る遮光部と、位相差層と、を有する液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に前記位相差層を形成する位相差層形成工程を備え、前記位相差層形成工程は、前記遮光部が形成された領域に前記位相差層の端部が前記基板の位相差層形成面に対して６０°以下に傾斜する傾斜領域を有するように成形する成形工程を含むことを特徴とする。

この方法によれば、成形工程では、位相差層の端部が６０°以下の傾斜角度で傾斜するように成形するので、ラビング不良が発生し難い。また、位相差層の端部の傾斜領域が画素内に設けられた遮光部と平面的に重なっているので、光漏れが発生してもコントラスト低下を招くことを防止することができる。すなわち、所望の光学特性が得られる半透過反射型の液晶装置を歩留りよく製造することができる。

［適用例７］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記成形工程は、前記位相差層の端部が前記基板の位相差層形成面に対して３０°以下に傾斜する傾斜領域を有するように成形することが好ましい。
この方法によれば、位相差層の端部におけるラビング不良をより低減することができる。すなわち、より高い歩留りで液晶装置を製造することができる。

［適用例８］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記位相差層形成工程は、複数の前記反射表示領域に亘って延在するように前記位相差層を形成すると共に、前記位相差層の端部の傾斜領域が前記複数の画素外に設けられた前記遮光部と平面的に重なるように形成することが好ましい。
この方法によれば、位相差層の延在方向において当該端部の数が減る。したがって、よりコントラスト低下が起き難い半透過反射型の液晶装置を製造することができる。

［適用例９］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記成形工程は、前記位相差層を加熱する加熱工程であることを特徴とする。
この方法によれば、位相差層に熱を加えることにより、その端部の傾斜を緩やかにすることができる。また、加熱条件を調整することにより傾斜角度を調整可能である。

［適用例１０］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記位相差層形成工程は、位相差層形成材料を含む液状体を塗布する塗布工程と、塗布された液状体を乾燥して前記位相差層を形成する乾燥工程とを含み、前記乾燥工程は、前記加熱工程を兼ねるとしてもよい。
この方法によれば、塗布された液状体の表面張力と界面張力とにより、塗布領域の周辺すなわち位相差層の端部を容易に傾斜させることができる。また、乾燥工程における乾燥条件を調整することにより、傾斜角度を調整することができる。

［適用例１１］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記位相差層を覆い、前記反射表示領域における前記液晶層の厚みを調整する液晶層厚調整層を形成する工程をさらに備えてもよい。
この方法によれば、位相差層を覆う液晶層厚調整層を形成することにより、液晶層厚調整層の端部も傾斜させることができる。すなわち、適正な反射表示が可能であると共に、コントラスト低下を招き難い半透過反射型の液晶装置を製造することができる。

［適用例１２］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記一対の基板のうちいずれか一方の基板の前記複数の画素を区画すると共に、前記反射表示領域と前記透過表示領域とを仕切るように前記遮光部としての隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記隔壁部で区画された前記複数の画素に少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルタ形成工程と、を備えたことを特徴とする。
この方法によれば、フォトリソグラフィ法に比べて複数の画素に着色層を効率よく形成し、安定したコントラストが得られカラー表示が可能な半透過反射型の液晶装置を製造することができる。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。

（実施形態１）
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について図１〜図４を参照して説明する。図１は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図１に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、複数のサブ画素ＳＧを有している。各サブ画素ＳＧは、画素電極９と、共通電極１９と、画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０とを有している。画素電極９と共通電極１９との間には液晶層５０が介在している。共通電極１９は走査線駆動回路９０から延びる共通線３ｂと電気的に接続されており、各サブ画素ＳＧにおいて共通の電位に保持されるようになっている。

データ線駆動回路７０から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースと電気的に接続されている。データ線駆動回路７０は、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素ＳＧに供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループごとに供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路９０から延びる走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路９０から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。

スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極９と液晶層５０を介して対向する共通電極１９との間で一定期間保持される。

図２は、画素の構造を示す概略平面図である。図２に示すように、液晶装置１００は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色のカラーフィルタ２２（フィルタエレメントとしての着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）に対応する３つのサブ画素ＳＧにより構成された複数の画素を有している。各サブ画素ＳＧには、略梯子状に形成された複数のスリット（隙間）２９を有する矩形の画素電極９が設けられている。画素電極９の外周を取り囲むようにして、走査線３ａと共通線３ｂと複数のデータ線６ａとが配置されている。
走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍にＴＦＴ３０が形成されており、ＴＦＴ３０はデータ線６ａおよび画素電極９と電気的に接続されている。また、画素電極９と平面視でほぼ重なる位置に矩形状の共通電極１９が形成されている。

画素電極９は、ＩＴＯなどの透明導電材料からなる導電膜である。１つのサブ画素ＳＧの画素電極９に１７本のスリット２９が形成されている。各スリット２９は、走査線３ａおよびデータ線６ａの双方と交差する方向（図中斜め方向）に延びて、Ｙ軸方向において等間隔に配列するように形成されている。各スリット２９は略同一の幅に形成され、互いに平行である。これにより、画素電極９は、複数本（図示では１６本）の帯状電極部９ｃを有することになる。スリット２９が一定の幅を有して等間隔で配列していることから、帯状電極部９ｃも一定の幅を有して等間隔で配列している。本実施形態では、スリット２９の幅と帯状電極部９ｃの幅はいずれも４μｍである。

共通電極１９は、ＩＴＯなどの透明導電材料からなる平面視ほぼ矩形状の透明共通電極１９ｔと、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料からなる平面視ほぼ矩形状の反射共通電極１９ｒとからなる。透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒとは、互いの辺端部において電気的に接続されている。
反射共通電極１９ｒは、走査線３ａと平行に延びる共通線３ｂと一体に形成されている。したがって、透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒとからなる共通電極１９は共通線３ｂと電気的に接続されている。
反射共通電極１９ｒの形成領域が当該サブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒを構成しており、透明共通電極１９ｔの形成領域が透過表示領域Ｔを構成している。すなわち、液晶装置１００は、反射共通電極１９ｒが反射層として機能し、各サブ画素ＳＧ内に反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔを備えている。

なお、共通線３ｂと反射共通電極１９ｒとを別々の導電膜を用いて形成し、これらを電気的に接続してもよい。その方法としては、反射共通電極１９ｒと共通線３ｂとを層間絶縁膜を介して異なる配線層に形成し、層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して両者を接続する方法が挙げられる。また、透明共通電極１９ｔが反射共通電極１９ｒを覆って形成されていてもよい。

ＴＦＴ３０は、走査線３ａ上に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、データ線６ａを分岐して半導体層３５上に延出されたソース電極３１と、半導体層３５上から画素電極９の形成領域に延びる矩形状のドレイン電極３２とを備えている。
走査線３ａは、半導体層３５と対向する位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。ドレイン電極３２と画素電極９とは、両者が平面的に重なる位置に形成された画素コンタクトホール４７を介して電気的に接続されている。
なお、図示のサブ画素ＳＧにおいて、画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領域が、当該サブ画素ＳＧの容量として機能するので、画像信号を保持するために別途保持容量をサブ画素ＳＧの形成領域内に設ける必要が無く、高い開口率を得ることができる。

図３を参照して、液晶装置１００の構造をさらに詳しく説明する。図３は、液晶装置の構造を示す概略断面図である。詳しくは、同図（ａ）は、図２のＡ−Ａ'線で切った断面図、同図（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ'線で切った断面図である。

図３（ａ）に示すように、液晶装置１００は、一対の基板である対向基板２０と、画素電極９および共通電極１９を有する素子基板１０とにより、液晶層５０を挟持している。対向基板２０は、カラーフィルタ２２と、カラーフィルタ２２（着色層２２Ｇ）をサブ画素ＳＧごと（色ごと）に区画する遮光部としての隔壁部６１とを備えている。
隔壁部６１は、サブ画素ＳＧ内において反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを仕切る位置にも設けられている。
カラーフィルタ２２上（液晶層５０側）には、反射表示領域Ｒに対応して位相差層２６（２６Ｇ）と液晶層厚調整層２７（２７Ｇ）とが選択的に形成されている。したがって、透過表示領域Ｔの液晶層５０の厚みｄに対して反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みが薄くなっており、本実施形態では、およそｄ／２、すなわち、半分となっている。

このように反射表示を行う液晶装置１００では、光学設計上、反射黒表示を行う際に反射共通電極１９ｒに到達する外光がすべての可視波長域で略円偏光である必要がある。反射共通電極１９ｒに到達した外光が楕円偏光であると黒表示に色付きが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
そこで本実施形態では、反射表示領域Ｒに選択的に位相差層２６と液晶層厚調整層２７とを平面視で隔壁部６１（遮光領域６０）にこれらの端部が重なるように形成し、且つ反射表示領域Ｒにおけるセル厚が透過表示領域Ｔに比して薄くなるように構成している。これにより、上偏光板２４と位相差層２６と反射表示領域Ｒ内の液晶層５０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射共通電極１９ｒに到達する外光をすべての可視波長域で円偏光に近づけている。

透明なガラスなどからなる素子基板１０上には、走査線３ａ、共通電極１９および共通線３ｂが形成されている。これらの走査線３ａ、共通電極１９および共通線３ｂを覆って、シリコン酸化物膜などからなる絶縁薄膜１１が形成されている。絶縁薄膜１１上には、ＴＦＴ３０を構成する島状の半導体層３５と、半導体層３５と一部が重なるようにソース電極３１（データ線６ａ）と、ドレイン電極３２とが形成されている。これらの半導体層３５、ソース電極３１およびドレイン電極３２を覆って、シリコン酸化物膜や樹脂膜からなる層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２上には、画素電極９が形成され、層間絶縁膜１２を貫通してドレイン電極３２に達する画素コンタクトホール４７を介して、画素電極９とドレイン電極３２とが電気的に接続されている。共通電極１９における透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒの境界は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを仕切る隔壁部６１の直下に位置している。

画素電極９を覆って、ポリイミドなどからなる配向膜１８が形成されている。配向膜１８は、ラビング処理などの配向処理が施され、液晶を所定方向に配向させている。本実施形態では、配向膜１８による配向規制方向は、走査線３ａの延在方向と平行であり、画素電極９のスリット２９（図２参照）の延在方向とは交差する方向である。

素子基板１０と同じく、透明なガラスなどからなる対向基板２０上には、液晶層５０側に向かってカラーフィルタ２２（着色層２２Ｇ）と、カラーフィルタ２２を区画する隔壁部６１と、配向膜２３と、位相差層２６（２６Ｇ）と、液晶層厚調整層２７（２７Ｇ）と、配向膜２８とが形成されている。また、対向基板２０の表面（液晶層５０側に対して反対側の表面）には、上偏光板２４が貼り付けられている。上偏光板２４および素子基板１０側の下偏光板１４の光学的な配置は、クロスニコルとなっている。

隔壁部６１は、ブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれるものである。その形成方法は、例えば、対向基板２０の表面に遮光性材料として黒色顔料などを含む樹脂材料を、オフセットなどの印刷法でパターニングする方法が挙げられる。また、上記樹脂材料として感光性を有するものを選択すれば、全面に塗布された上記樹脂材料をフォトリソグラフィ法でパターニングすることも可能である。本実施形態では、隔壁部６１をカラーフィルタ２２（着色層２２Ｇ）を区画するように、その高さを調整する。また、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを仕切る隔壁部６１のＹ軸方向における長さ（言い換えれば幅）は、当該隔壁部６１の直下に透明共通電極１９ｔと反射共通電極１９ｒの境界が位置するように、素子基板１０と対向基板２０との組立時のＹ軸方向の位置精度を考慮して決定することが好ましい。また、位相差層２６やこれを覆う液晶層厚調整層２７の端部は傾斜領域を有しており、当該傾斜領域がＹ軸方向において隔壁部６１からはみ出さないようにその長さを決定する。言い換えれば、隔壁部６１からはみ出さないように当該端部の傾斜角度を管理して、位相差層２６および液晶層厚調整層２７を形成する。

カラーフィルタ２２は、各色の着色層形成材料（着色材料）を含む樹脂材料を、上記隔壁部６１の開口部を埋めるように形成する。形成方法としては、上記樹脂材料を含む液状体を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて塗布し、塗布された液状体を乾燥させてカラーフィルタ２２を形成する方法が挙げられる。このような液滴吐出法を用いれば、フォトリソグラフィ法を用いて形成する場合に比べて、隔壁部６１によって区画されたサブ画素領域に必要量の上記液状体を無駄なく塗布することが可能である。また、フォトマスクを必要とせず、露光・現像などの製造工程を省くこともできる。

位相差層２６は、サブ画素ＳＧごとの反射表示領域Ｒに対応してカラーフィルタ２２上に選択的に形成されている。位相差層２６は、位相差層２６を透過する光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差（リタデーション）を付与するものであり、一対の基板により液晶層５０を狭持したセルの内面側に設けられた所謂内蔵位相差膜である。
係る位相差層２６は、位相差層形成材料としての重合性液晶化合物を含む液状体（有機溶液）を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて、反射表示領域Ｒの配向膜２３上に塗布し、所定方向に配向させた状態で固化する方法により形成する。詳しくは、後述する液晶装置の製造方法にて説明する。
なお、重合性液晶化合物の配向方向（位相差層２６の遅相軸の方向）を規制する配向膜２３は、液晶層５０に面する配向膜１８，２８と同じ膜材料を用いることができる。その場合には、配向膜２３の表面をラビングして、配向方向（遅相軸の方向）を定める。
また、配向膜２３に限らず、カラーフィルタ２２の表面に、シリコン酸化物などを斜め蒸着する方法や、感光性配向膜材料を塗布して、偏光紫外線を照射することにより、光配向させる方法などがある。

位相差層２６を透過する光に対して付与する位相差の値（以降、位相差値と呼ぶ）は、その構成材料である重合性液晶化合物の種類や、位相差層２６の層厚によって調整することができる。本実施形態では、位相差層２６のねらいの位相差値は、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の位相差値（λ／２）と同等となっている。なお、波長λは５５０ｎｍを基準としており、液晶層５０の位相差値は、液晶分子の複屈折率Δｎにセル厚ｄを乗ずることにより求められる。よって、反射表示領域Ｒの液晶層５０の位相差値は、λ／４となる。

図３（ｂ）に示すように、位相差層２６および液晶層厚調整層２７は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ２２に対応する各サブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒに設けられている。

カラーフィルタ２２における各色の着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの層厚は、ほぼ同一である。なお、着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂごとに形成された位相差層２６の層厚を、色ごとに異ならせてもよい。具体的には、位相差層２６Ｒ＞位相差層２６Ｇ＞位相差層２６Ｂの順とする。これは、着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂごとの吸収波長を考慮して、最適な位相差値が与えられるように、位相差層２６の層厚を色ごとに異ならせる。これにより、カラー表示における色純度を改善することができる。

また、位相差層２６の層厚を色ごとに異ならせた場合には、前述したように反射表示領域Ｒにおけるセル厚をｄ／２とするため、液晶層厚調整層２７の層厚を色ごとに異ならせる必要がある。具体的には、液晶層厚調整層２７の層厚は、液晶層厚調整層２７Ｂ＞液晶層厚調整層２７Ｇ＞液晶層厚調整層２７Ｒの順とする。このような位相差層２６、液晶層厚調整層２７の厚みの調整は、少なくとも１色（表示色）の着色層に対して行えば、相当の効果を奏する。

液晶層厚調整層２７は、光透過性かつ等方性を有する樹脂材料が好ましく。位相差層２６を覆う保護層として物理的な強度を有することが望ましい。例えば、アクリル系の樹脂材料が好適に用いられる。本実施形態では、サブ画素ＳＧごとの反射表示領域Ｒに液晶層厚調整層２７を選択的に形成するので、やはり液滴吐出法を採用することが好ましい。その場合には、液晶層厚調整層形成材料としての上記樹脂材料を含む液状体を用いる。

次に上記液晶装置１００について、光学設計の条件をまとめて説明する。図４は、液晶装置の光学設計条件の１例を示す概略図である。図４に示すように液晶装置１００の光学設計条件は、上偏光板２４の偏光軸と下偏光板１４の偏光軸とが直交している。反射表示領域Ｒに設けられた位相差層２６の遅相軸は、上偏光板２４の偏光軸に対して２２．５度の角度で交差している。遅相軸は、画素電極９に設けられたスリット２９（図２参照）に対して４５度の角度で交差するように設定されている。液晶層５０における液晶分子の遅相軸の配向方向は、画素電極９と共通電極１９との間に所定の駆動電圧が印加されないＯＦＦ状態では、下偏光板１４の偏光軸に対して平行な状態となっている。画素電極９と共通電極１９との間に所定の駆動電圧が印加されたＯＮ状態では、上偏光板２４の偏光軸に対して４５度の角度で交差することになる。これにより、ＯＦＦ状態では、下偏光板１４を透過して偏光された透過光（直線偏光）は、液晶層５０でλ／２の位相が与えられ、透過光の振動方向が上偏光板２４の偏光軸と直交する方向に変換される（吸収軸と平行となる）ので遮光される。一方で反射表示領域Ｒにおいて上偏光板２４を透過して偏光した入射光（直線偏光）は、位相差層２６と液晶層５０とによりそれぞれλ／２とλ／４の位相が与えられ、可視波長のほぼ全域において略円偏光となって反射共通電極１９ｒに入射する。反射共通電極１９ｒで反射した反射光は、再び上偏光板２４に入射する際に上偏光板２４の偏光軸に対して垂直な偏光に変換されるため、光が透過しない。したがって、所謂黒表示状態（ノーマリーブラック）となる。ＯＮ状態では、液晶分子の遅相軸の配向方向が上偏光板２４および下偏光板１４それぞれに対して４５度となるため、カラーフィルタ２２を透過した透過光および反射光の振動方向は上偏光板２４の偏光軸と平行となり上偏光板２４を透過する。よって、着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの色に対応したカラー表示状態となる。

上記光学設計に基づいて液晶分子の遅相軸の配向方向を所定の方向とするため、前述したように配向膜１８，２８をそれぞれラビング処理している。ラビング処理方法としては、ラビング用に植毛されたラビング布を円筒状のローラに巻きつけ、ローラを回転させながらラビング布と配向膜１８，２８とを接触させる回転ラビング法が挙げられる。

回転ラビング法では、植毛された毛の長さに応じてラビング布を配向膜１８，２８に押し付けるようにしてローラを回転させる。このときに発生する摩擦や静電気などによって、配向膜１８，２８や液晶層厚調整層２７、位相差層２６が損傷を受けてはいけない。このような損傷が生ずると、配向不良、セル厚ムラ、位相差値の変化となり、惹いてはコントラスト低下に結びつく。したがって、ラビング処理される表面は、凹凸が少なく平坦であることが望ましい。

本実施形態の液晶装置１００は、反射表示領域Ｒに選択的に形成された位相差層２６および液晶層厚調整層２７の端部において傾斜領域を有しているため、ラビング処理による上記損傷が生じ難い。具体的には、上記端部の傾斜角度は対向基板２０の位相差層形成面に対して６０°以下となっている。表１は、上記端部の傾斜角度と光漏れとの関係を調べた結果を示すものである。

表１によれば、傾斜角度が６０°以下ならば光漏れが視認できず、配向不良などを考慮すれば、３０°以下とすることがより好ましい。
なお、傾斜角度は、上記端部の傾斜領域における層厚を計測し、層厚が変化している傾斜領域の長さと層厚との関係から求めた。層厚の計測方法としては、触針式により表面の凹凸を計測する方法、レーザ光を用いた測長などが挙げられる。

以上、本実施形態の液晶装置１００は、サブ画素ＳＧごとに透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有し、反射表示領域Ｒに対応してセル内に位相差層２６を有する所謂ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれるものである。光学設計が最適化され、反射表示領域Ｒに位相差層２６が選択的に形成されている。また、位相差層２６の端部が傾斜すると共に、平面視で隔壁部６１（遮光領域６０）に重なるように形成されている。したがって、位相差層２６の外周部における配向不良、セル厚ムラ、位相差値の変化が表示に影響し難い。よって、黒表示時における光漏れによるコントラスト低下が防止され、優れた表示品位の透過表示および反射表示を実現している。

＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について説明する。図５は液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図６（ａ）〜（ｆ）および図７（ｇ）〜（ｊ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。

図５に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、遮光部としての隔壁部６１を形成する隔壁部形成工程（ステップＳ１）と、隔壁部６１で区画された領域にカラーフィルタ２２を形成するカラーフィルタ形成工程（ステップＳ２）とを備えている。第１配向膜としての配向膜２３を形成する第１配向膜形成工程（ステップＳ３）と、位相差層形成材料を含む液状体を塗布する塗布工程および塗布された液状体を乾燥させて位相差層２６を形成する乾燥工程を含む位相差層形成工程（ステップＳ４）とを備えている。また、形成された位相差層２６上に液晶層厚調整層２７を形成する液晶層厚調整層形成工程（ステップＳ５）と、第２配向膜としての配向膜２８を形成する第２配向膜形成工程（ステップＳ６）と、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶を充填して組み立てる液晶充填組立工程（ステップＳ７）とを備えている。

図５のステップＳ１は、隔壁部形成工程である。ステップＳ１では、図６（ａ）に示すように、複数の開口部６１ａを有する隔壁部６１を形成する。具体的には、対向基板２０の表面に、遮光性を有する隔壁部形成材料をオフセットなどの印刷法を用いて塗布、パターニングする方法、感光性を有する隔壁部形成材料を所定の膜厚で塗布して、露光・現像することによって隔壁部６１をパターニングする方法などが挙げられる。隔壁部６１は、前述のサブ画素ＳＧを区画して開口すると共に、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを仕切るように形成する（図３参照）。隔壁部６１の膜厚すなわち高さは、後に形成されるカラーフィルタ２２の各着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを区画可能な高さとなるように調整する。そして、ステップＳ２へ進む。

図５のステップＳ２は、カラーフィルタ形成工程である。ステップＳ２では、まず、図６（ｂ）に示すように、着色層形成材料を含む３色の液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂをそれぞれ所望の開口部６１ａ（言い換えればサブ画素領域）に塗布する。本実施形態では、３色の液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂをそれぞれ異なる吐出ヘッド１Ｒ，１Ｇ，１Ｂに充填し、各吐出ヘッド１Ｒ，１Ｇ，１Ｂと対向基板２０とを相対的に走査することにより、各吐出ヘッド１Ｒ，１Ｇ，１Ｂに設けられた複数のノズル２から液滴として吐出する。３色の液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂをほぼ同時に吐出してもよいし、個々に吐出してもよい。吐出ヘッド１Ｒ，１Ｇ，１Ｂとして例えばインクジェットヘッドを用いれば、必要量の液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂをそれぞれ精度よく、かつ無駄なく所望の開口部６１ａに塗布することができる。

なお、液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを塗布する前に、隔壁部６１が形成された対向基板２０の塗布面を親液処理し、隔壁部６１を撥液処理することが好ましい。親液処理の方法としては、酸素ガスを処理ガスとするプラズマ処理が挙げられる。また、撥液処理の方法としては、ＣＦ₄を処理ガスとするプラズマ処理が挙げられる。このような表面処理を施すことにより、ムラなく液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを開口部６１ａ内に塗布することができる。

次に、塗布された液状体４Ｒ，４Ｇ，４Ｂを乾燥させ、溶媒成分を除去することにより、図６（ｃ）に示すように赤（Ｒ）に対応した着色層２２Ｒ、緑（Ｇ）に対応した着色層２２Ｇ、青（Ｂ）に対応した着色層２２Ｂを、それぞれ所定の層厚（およそ１．５〜２μｍ）で形成することができる。そして、ステップＳ３へ進む。

図５のステップＳ３は、第１配向膜形成工程である。ステップＳ３では、図６（ｄ）に示すように、カラーフィルタ２２および隔壁部６１を覆うように配向膜２３を形成する。配向膜２３の形成方法としては、配向膜材料としてのポリイミドやポリアミック酸を含む有機溶液を塗布して、溶媒成分を除去する乾燥・焼成を行うことにより成膜化する。塗布方法としては、スピンコート、スリットコートなどの方法や、オフセットなどの印刷法、液滴吐出法が挙げられる。成膜化した配向膜２３は、その表面を一定の方向にラビング処理する。そして、ステップＳ４へ進む。

図５のステップＳ４は、位相差層形成工程である。ステップＳ４では、まず、図６（ｅ）に示すように、位相差層形成材料を含む液状体５を反射表示領域Ｒに塗布する（塗布工程）。この場合も液滴吐出法（インクジェット法）を用い、上記液状体５を吐出ヘッド１に充填し、吐出ヘッド１と対向基板２０とを相対的に走査することにより、吐出ヘッド１に設けられた複数のノズル２から液滴として吐出する。なお、配向膜２３の表面が液状体５に対して撥液性を示すことが考えられるので、前述したような親液処理を施すことが好ましい。

上記液滴吐出法を用いれば、所望の領域に所望の量の液状体５を液滴として吐出可能である。

次に、図６（ｆ）に示すように、塗布された液状体５を乾燥させ、固化することにより、各位相差層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂを形成する（成形工程）。この場合、層厚（塗布量）は、位相差層２６Ｇの位相差値を基準として設定されている。位相差層２６Ｇの層厚は、およそ１．５〜２μｍであり、位相差値は、およそ２６５〜２７５ｎｍである。なお、層厚の設定は、位相差層形成材料の選択によって左右されることは言うまでもない。

位相差層形成材料として重合性液晶化合物を用いる場合の例としては、ＢＡＳＦ社製のＰａｌｉｏｃｏｌｏｒ ＬＣ２４２などが挙げられる。ＬＣ２４２は、光重合タイプの材料である。以下、液状体５の組成について上記ＬＣ２４２を用いた実施例を説明する。

（実施例）
位相差層形成材料；ＬＣ２４２、濃度３０ｗｔ％。
光重合開始剤；２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モリフォリノプロパン−１−オン、具体的には、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア９０７、ＬＣ２４２に対する添加量は３ｗｔ％。
溶媒；ＰＧＭＥＡ；２−アセトキシ−１−メトキシプロパン、濃度７０ｗｔ％。

溶質としてのＬＣ２４２は、溶媒であるＰＧＭＥＡに対して、室温では溶解し難い。そこで、およそ７０℃に加温した溶媒に溶質を加えて攪拌し溶解させた。

このような液状体５を用い、１滴あたりの吐出量をおよそ１０ｎｇとして吐出した。そして、液状体５が塗布された対向基板２０を加熱して、液状体５を乾燥させた。乾燥方法としては、加熱したホットプレート上に対向基板２０を放置する方法や、乾燥炉を用いる方法が挙げられる。例えば、７０℃に加熱したホットプレート上に放置した場合には、数十秒で乾燥させることができる。

乾燥して得られた薄膜に、主たる波長が３６５ｎｍの紫外線を４００ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射することにより、光重合が起こり位相差層２６を成膜することができた。なお、紫外線照射を行う際には、窒素（Ｎ₂）雰囲気下で行うことが望ましい。これにより、大気中の酸素（Ｏ₂）の影響により光重合が阻害されることを低減することができる。

さらに、成膜した位相差層２６をおよそ１８０〜２００℃に加熱するポストベーク（加熱処理）を行う。加熱時間は、層厚にも寄るが３０分〜１時間である。

光重合開始剤は、これに限定されるものではない。紫外線の波長によって、光重合開始剤の紫外線吸収特性が異なるので、紫外線照射装置の波長特性を考慮して光重合開始剤を選ぶと共に、位相差層形成材料に対する添加量を調整することが望ましい。当然ながら位相差層形成材料の化学的な構造を考慮して光重合開始剤を選ぶことは言うまでもない。

位相差層形成材料は、上記光重合タイプの重合性液晶化合物に限定されるものではない。例えば、熱重合タイプを採用してもよい。熱重合タイプの場合、所謂フォトリソグラフィ法で位相差層２６を形成する場合に比べて、着色し易い感光基を有する感光性材料を用いなくて済むので、成膜後により透明な位相差層２６を形成することが可能である。一方、熱重合させるため、加熱によって層厚にばらつきが生ずることを考慮して、加熱条件を設定することが望ましい。そして、ステップＳ５へ進む。

図５のステップＳ５は、液晶層厚調整層形成工程である。ステップＳ５では、まず、図７（ｇ）に示すように、液晶層厚調整層形成材料を含む液状体７を反射表示領域Ｒに塗布する。この場合も液滴吐出法（インクジェット法）を用い、上記液状体７を吐出ヘッド１に充填し、吐出ヘッド１と対向基板２０とを相対的に走査することにより、吐出ヘッド１に設けられた複数のノズル２から液滴として吐出する。

液晶層厚調整層形成材料としては、前述したように光硬化型のアクリル系樹脂材料を用いる。

次に、図７（ｈ）に示すように、紫外線を照射して硬化させ、液晶層厚調整層２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂをそれぞれ形成する。なお、液晶層厚調整層２７の厚みは、セル組み立て後の反射表示領域Ｒにおけるセル厚が、透過表示領域Ｔのセル厚ｄの半分となるように設定する。そして、ステップＳ６へ進む。

図５のステップＳ６は、第２配向膜形成工程である。ステップＳ６では、図７（ｉ）に示すように、液晶層厚調整層２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂが形成された表面を覆うように第２配向膜としての配向膜２８を形成する。配向膜２８の形成方法は、ステップＳ３の配向膜２３の形成方法と同様であるため説明を省く。成膜化した配向膜２８は、その表面を一定の方向にラビング処理する。そして、ステップＳ７へ進む。

図５のステップＳ７は、液晶充填組立工程である。ステップＳ７では、図７（ｊ）に示すように、画素構成要素（画素電極９、共通電極１９など）が形成された素子基板１０と、対向基板２０とを所定の位置で対向させ、シール材を介して接合する。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶を充填して、液晶層５０とする。液晶を充填する方法としては、一対の基板の一方に印刷法や吐出法で額縁状にシール材を形成する。これを受け皿に見たてて液晶を真空中で必要量滴下した後に、他方の基板と接合する方法が挙げられる。シール材としては、例えば、熱硬化型のエポキシ系接着剤が好適に用いられる。なお、液晶層５０の厚みは、セル組み立て後の反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みが、透過表示領域Ｔの液晶層５０の厚みｄの半分となるように設定される。

このようにしてできたセルの表裏面に上偏光板２４と下偏光板１４とを貼り付けることにより液晶装置１００ができあがる。なお、液晶装置１００は、これを駆動する駆動回路と接続され、これを照明するための照明装置を素子基板１０の背面側に備えて用いられる。照明装置は、光源としてのＬＥＤや冷陰極管、光源からの光を液晶装置１００に導く導光板などを備える。

図８は、位相差層の端部を示す概略断面図である。上記液晶装置１００の製造工程において、ステップＳ４の位相差層形成工程では、紫外線照射により成膜した位相差層２６をさらにポストベークした。これにより、図８に示すように反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを仕切る隔壁部６１の部位では、位相差層２６の端部に傾斜面２６ａが形成される。傾斜面２６ａと配向膜面２３ａとがなす傾斜角度θは、この場合３０°以下である。
上記傾斜角度θは、ポストベーク前と比較すると小さくなっている。これは、位相差層２６の内部応力が加熱を受けることにより変化したと考えられる。
また、位相差層形成工程では、液状体５を液滴として反射表示領域Ｒに吐出し、塗布された液状体５を急速に乾燥することにより、位相差層２６を形成している。したがって、塗布された液状体５の表面張力と界面張力の作用により、ポストベーク前の傾斜角度θを９０°以下の比較的緩やかな角度にすることができる。

塗布された液状体５をゆっくり乾燥させると、液状体５中の溶質が塗布領域の外周部に移動し、乾燥後の外周部において層厚が厚くなり易い。そのため、位相差層２６の端部において緩やかな傾斜領域を形成することが難しいので、本実施形態では急速に乾燥させている。

液晶層厚調整層２７は位相差層２６を覆うように、また配向膜２８は液晶層厚調整層２７を覆うように形成する。したがって、位相差層２６の傾斜面２６ａとほぼ同等な傾斜角度θを有する傾斜面２７ａが液晶層厚調整層２７の端部に形成される。同様に位相差層２６の傾斜面２６ａとほぼ同等な傾斜角度θを有する傾斜面２８ａが配向膜２８の端部に形成される。ゆえに、傾斜領域は、配向膜２８の端部を含み、３０°以下の傾斜となっているため、傾斜角度θが例えば９０°以上となっている場合に比べて、ラビング処理による配向不良などの不具合が発生し難い。

上記液晶装置１００の製造方法によれば、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ２）、位相差層形成工程（ステップＳ４）、液晶層厚調整層形成工程（ステップＳ５）が少なくとも液滴吐出法を用いて製造されている。したがって、これらの工程においてフォトリソグラフィ法を用いる場合に比べて、製造工程を簡略化できる。また、各液状体４，５，７をそれぞれ無駄なく使用して、所望の薄膜を形成することができる。さらには、位相差層２６の端部が平面視で遮光性を有する隔壁部６１（遮光領域６０）に重なるように位相差層２６が形成されているため、位相差層２６の外周部における位相差値が変化しても光漏れが生じ難い。また、当該光漏れが透過表示領域Ｔに漏れることを防止している。ゆえに、見映えのよい液晶装置１００を製造することができる。

（実施形態２）
＜他の液晶装置＞
次に、本実施形態の他の液晶装置について図９を参照して説明する。図９（ａ）は実施形態２の液晶装置における位相差層の配置を示す概略平面図、同図（ｂ）は概略断面図である。なお、実施形態１の液晶装置１００と同じ構成要素は、同じ符号を用いて説明する。

図９（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、複数の反射表示領域Ｒに亘って形成された位相差層８６を有している。言い換えれば、複数のサブ画素ＳＧに亘って帯状に位相差層８６が形成されている。表示領域Ｅは複数のサブ画素ＳＧを有し、これを囲むように遮光部８１が設けられている。当該遮光部８１からなる遮光領域８０は所謂見切り部として機能する。位相差層８６は、遮光領域８０まで延設されており、その端部８６ａ，８６ｂがそれぞれ遮光領域８０内に位置している。

図９（ｂ）に示すように、液晶装置２００の基本的な構造は、上記実施形態１の液晶装置１００と同様であり、対向基板２０は、遮光部８１と、カラーフィルタ２２と、配向膜２３と、位相差層８６と、液晶層厚調整層８７と、配向膜２８とを有している。

画素電極９および共通電極１９を有する素子基板１０と対向基板２０とはシール材４０を介して接合され、当該一対の基板により液晶層５０を挟持している。反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは、透過表示領域Ｔの半分のｄ／２である。したがって、光学設計も液晶装置１００と同じである。

遮光部８１は、前述したように表示領域Ｅを囲むように設けられると共に、各サブ画素ＳＧを取り囲むように設けられている。また、図示しないが反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界にも設けられている。

遮光部８１は、遮光性の金属または金属酸化物からなるブラックマトリクス（ＢＭ）である。

カラーフィルタ２２は、各着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂがサブ画素ＳＧの領域を埋めると共に、各着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの一部が遮光部８１に重畳するように設けられている。

位相差層８６は複数のサブ画素ＳＧに亘って設けられ、液晶層厚調整層８７が位相差層８６を覆うように設けられている。配向膜２８も液晶層厚調整層８７を覆うように設けられている。

位相差層８６の一方の端部８６ａは、傾斜面を有しており、その傾斜角度は、配向膜２３の形成面に対して６０°以下となっている。他方の端部８６ｂも同様である。

＜他の液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置２００の製造方法について説明する。

遮光部８１の形成方法は、対向基板２０の表面に金属材料からなる薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法でパターニングして、サブ画素ＳＧおよび表示領域Ｅに対応する開口部を形成する。代表的な金属材料としてはＣｒが挙げられる。遮光部８１の膜厚はおよそ０．１〜０．２μｍである。

カラーフィルタ２２の形成方法は、遮光部８１が形成された対向基板２０の表面に、着色層形成材料を含む感光性樹脂材料を塗布して、同じくフォトリソグラフィ法により各着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する。塗布方法としてはスピンコート法などが挙げられる。

配向膜２３の形成方法および配向処理方法は、上記実施形態１のステップＳ３と同じであるため、説明を省略する。

位相差層８６の形成方法は、配向処理が施された配向膜２３の表面に、例えば、前述したような光重合タイプの重合性液晶化合物を塗布する。塗布方法としてはスピンコート法などが挙げられる。そして、フォトリソグラフィ法で露光・現像することにより、複数のサブ画素ＳＧに亘って帯状にパターニングする。さらに、パターニングされた位相差層８６をポストベークする。ポストベークの条件は、温度が１８０〜２００℃、時間が３０分から１時間である。これにより、図９（ｂ）に示すように傾斜面を有する一方の端部８６ａが成形される。他方の端部８６ｂも同様である。

液晶層厚調整層８７の形成方法は、複数の位相差層８６を覆うように、例えば、感光性のアクリル系樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布する。そして、フォトリソグラフィ法により、位相差層８６と同様に帯状にパターニングする。

配向膜２８の形成方法および配向処理方法は、上記実施形態１のステップＳ６と同じであるため、説明を省略する。以下、液晶充填組立工程も同様である。

このような液晶装置２００および液晶装置２００の製造方法によれば、位相差層８６は複数の反射表示領域Ｒに亘って帯状に形成される。したがって、上記実施形態１に比べて、位相差層８６の延在方向における端部の数が減少し、配向処理面の凹凸が少なくなるので、ラビング処理による配向不良や位相差層８６の損傷をより低減することができる。すなわち、黒表示時における光漏れを低減して、コントラスト低下を防ぎ、見映えのよい半透過反射型の液晶装置２００を提供または製造することができる。

（実施形態３）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機について説明する。図１０は、携帯型電話機を示す概略斜視図である。

図１０に示すように、本実施形態の携帯型電話機３００は、操作用の入力部と表示部３０１とを備えた本体を有する。表示部３０１には、上記液晶装置１００または上記液晶装置２００とこれを照明する照明装置とが組み込まれている。したがって、照明装置からの透過光を利用した透過表示と、外光などの入射光を利用した反射表示とにより、表示された情報を確認することが可能である。すなわち、屋外など十分な明るさの環境下では、照明装置を駆動せず、反射表示モードにより情報を確認することができる。すなわち、省電力化を実現し、長い電池寿命を有する携帯型電話機３００を実現している。

携帯型電話機３００は、上記実施形態１の液晶装置１００または上記実施形態２の液晶装置２００を搭載している。したがって、見映えのよい表示品質を有し、コストパフォーマンスに優れた携帯型電話機３００を提供することができる。

上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記実施形態１の液晶装置１００の製造方法または上記実施形態２の液晶装置の製造方法において、位相差層２６，８６の端部に６０°以下の傾斜角度の傾斜面を成形する方法は、ポストベーク（加熱工程）に限定されない。例えば、成膜された位相差層２６，８６の表面をわずかにエッチングする方法も採用することができる。
また、光重合タイプの重合性液晶化合物を用いた場合には、紫外線照射時に上記端部に相当する領域において、紫外線の照射条件（照射量、照射強度など）を変えて照射する方法も採用することができる。

（変形例２）上記実施形態１の液晶装置１００において、隔壁部６１、位相差層２６、液晶層厚調整層２７の配置は、これに限定されない。例えば、図３（ａ）および（ｂ）において、対向基板２０側に隔壁部６１、カラーフィルタ２２を設け、素子基板１０側に、位相差層２６、液晶層厚調整層２７を配置してもよい。このような構成としても同様な効果が得られる。また、対向基板２０側の構成が簡素になるので、カラーフィルタ２２を備えた原材料基板として、外部メーカーから調達が可能となる。さらには、液晶層厚調整層２７は必須ではなく、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みｄに対して、反射表示領域Ｒの厚みがｄ／２となるように、λ／２の位相差値を与える位相差層２６の層厚を調整すればよい。

（変形例３）上記実施形態１の液晶装置１００において、反射表示領域Ｒを実現するサブ画素ＳＧの構成は、光反射性を有する反射共通電極１９ｒに限定されない。例えば、透明共通電極１９ｔを平面視で画素電極９と同じ大きさで設け、透明共通電極１９ｔの下層に光反射性を有する反射層を形成してもよい。反射層の形成方法は、例えば複数の凹凸を有する樹脂層上にＡｌ、Ａｇなどの金属薄膜を成膜する方法が挙げられる。このような反射層は反射表示領域Ｒに対応して形成する。これによれば、反射層で反射した光の指向性を低減してより明るい反射表示を実現できる。

（変形例４）上記実施形態２の液晶装置２００において、帯状の位相差層８６の配置は、これに限定されない。図１１（ａ）および（ｂ）は、帯状の位相差層の配置を示す概略平面図である。帯状の位相差層としては、図１１（ａ）に示すように、Ｙ軸方向に隣接するサブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒに跨るようにＸ軸方向に延在する位相差層としてもよい。これによれば、図９（ａ）に示した構成に比べて、Ｙ軸方向に隣接するサブ画素ＳＧ間に位相差層８６の端部が配置されない。すなわち、Ｙ軸方向に隣接する反射表示領域Ｒ間での液晶層５０の厚み変化を回避することができる。また、図１１（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向に隣接するサブ画素ＳＧの反射表示領域Ｒに跨るようにＹ軸方向に延在する位相差層としてもよい。すなわち、Ｘ軸方向に隣接する反射表示領域Ｒ間での液晶層５０の厚み変化を回避することができる。このように、位相差層を図面上において、横方向（Ｘ軸方向）、または縦方向（Ｙ軸方向）のいずれに配置するかは、サブ画素ＳＧの形状により効果的な反射表示領域Ｒの配置を考慮して、決定すればよい。

（変形例５）上記実施形態１の液晶装置１００において、３色の着色層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの配置は、ストライプ方式に限定されない。図１２はカラーフィルタにおける着色層の配置を示す概略平面図である。例えば、図１２（ａ）に示すようなモザイク方式の配置、同図（ｂ）に示すようなデルタ方式の配置においても、上記実施形態１の位相差層２６の構成を適用することができる。なお、カラーフィルタ２２は、３色に限定されず、Ｒ，Ｇ，Ｂ以外の色を加えた多色構成としてもよい。また、カラーフィルタ２２を設けず、所謂白黒表示のみの半透過反射型の液晶パネルにおいても適用可能である。

また、上記実施形態２の液晶装置２００において、上記デルタ方式のカラーフィルタの配置を適用する場合、図１２（ｂ）に示すように位相差層を図面上で縦方向に配置する方法が挙げられる。

（変形例６）上記実施形態２の液晶装置２００およびその製造方法において、位相差層８６を有する対向基板２０の構成は、これに限定されない。例えば、遮光部８１とカラーフィルタ２２とを覆う透明な平坦化層を設け、当該平坦化層上に位相差層８６を設ける構成としてもよい。これによれば、図９（ｂ）に示した構造に比べて、表示領域Ｅの外周部におけるカラーフィルタ２２と遮光部８１との段差が小さくなるので、この部分に形成される位相差層８６の端部の傾斜をより緩やかな構造とすることができる。平坦化層の形成方法としては、液晶層厚調整層８７の形成方法と同様な方法が採用可能である。

（変形例７）上記実施形態１の液晶装置１００および上記実施形態２の液晶装置２００は、ＦＦＳ方式の半透過反射型に限定されない。例えば、ＩＰＳ方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。また、スイッチング素子は、ＴＦＴ３０に限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子でもよい。さらには、スイッチング素子を備えたアクティブ方式に限定されず、単純マトリクス方式の液晶装置にも適用可能である。

（変形例８）上記実施形態３において、液晶装置１００または液晶装置２００を備えた電子機器は、携帯型電話機３００に限定されない。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、電子手帳、映像情報を表示するビューワーやＤＶＤプレーヤ、携帯型情報端末などの電子機器に搭載すれば、好適である。

実施形態１の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 画素の構造を示す概略平面図。 （ａ）は図２のＡ−Ａ'線で切った液晶装置の構造を示す断面図、（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ'線で切った液晶装置の構造を示す断面図。 液晶装置の光学設計条件の１例を示す概略図。 液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｆ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｇ）〜（ｊ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 位相差層の端部を示す概略断面図。 （ａ）は実施形態２の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は実施形態２の液晶装置の構造を示す概略断面図。 電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図。 （ａ）および（ｂ）は、帯状の位相差層の配置を示す概略平面図。 カラーフィルタにおける着色層の配置を示す概略平面図。

符号の説明

４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ…着色層形成材料を含む液状体、５…位相差層形成材料を含む液状体、７…液晶層厚調整層形成材料を含む液状体、２０…一方の基板としての対向基板、２２…カラーフィルタ、２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ…着色層、２６，２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ…位相差層、２７，２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ…液晶層厚調整層、５０…液晶層、６１…遮光部としての隔壁部、８１…遮光部、８６…位相差層、８７…液晶層厚調整層、１００…液晶装置、２００…液晶装置、３００…電子機器としての携帯型電話機、Ｒ…反射表示領域、ＳＧ…サブ画素、Ｔ…透過表示領域、θ…傾斜角度。

Claims (12)

1. 一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示領域及び透過表示領域を含む複数の画素と、前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に形成された位相差層と、を有する液晶装置であって、
   前記位相差層の端部は傾斜領域を有し、
   前記傾斜領域と平面的に重なるように遮光部が設けられ、
   前記位相差層の断面において前記端部の傾斜角度は、前記基板の位相差層形成面に対して６０°以下であることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記端部の傾斜角度は、前記基板の位相差層形成面に対して３０°以下であることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶装置であって、
   前記位相差層は、複数の前記反射表示領域に亘って延在するように設けられ、
   前記端部の前記傾斜領域は、前記複数の画素外に設けられた前記遮光部と平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記位相差層を覆う液晶層厚調整層をさらに備え、
   前記液晶層厚調整層の端部が前記傾斜領域を有していることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
6. 一対の基板間に挟持された液晶層と、反射表示領域及び透過表示領域を含む複数の画素と、前記複数の画素を囲むと共に前記画素内において前記反射表示領域と前記透過表示領域とを仕切る遮光部と、位相差層と、を有する液晶装置の製造方法であって、
   前記一対の基板のうち一方の基板の前記反射表示領域に前記位相差層を形成する位相差層形成工程を備え、
   前記位相差層形成工程は、前記遮光部が形成された領域に前記位相差層の端部が前記基板の位相差層形成面に対して６０°以下に傾斜する傾斜領域を有するように成形する成形工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記成形工程は、前記位相差層の端部が前記基板の位相差層形成面に対して３０°以下に傾斜する傾斜領域を有するように成形することを特徴とする液晶装置の製造方法。
8. 請求項６または７に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記位相差層形成工程は、複数の前記反射表示領域に亘って延在するように前記位相差層を形成すると共に、前記位相差層の端部の傾斜領域が前記複数の画素外に設けられた前記遮光部と平面的に重なるように形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. 請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記成形工程は、前記位相差層を加熱する加熱工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記位相差層形成工程は、位相差層形成材料を含む液状体を塗布する塗布工程と、
    塗布された液状体を乾燥して前記位相差層を形成する乾燥工程とを含み。
    前記乾燥工程は、前記加熱工程を兼ねることを特徴とする液晶装置の製造方法。
11. 請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記位相差層を覆い、前記反射表示領域における前記液晶層の厚みを調整する液晶層厚調整層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
12. 請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記一対の基板のうちいずれか一方の基板の前記複数の画素を区画すると共に、前記反射表示領域と前記透過表示領域とを仕切るように前記遮光部としての隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
    前記隔壁部で区画された前記複数の画素に少なくとも３色の着色層を形成するカラーフィルタ形成工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。

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