JP2009165314A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 一次側に入力された電圧を変換して二次側に出力するトランスと、
   前記トランスの一次側の電圧をスイッチングする一次スイッチング素子と、
   前記一次スイッチング素子又は前記トランスの一次巻線と並列に接続された一次共振コンデンサと、
   前記トランスの二次巻線の一端に接続され、該二次巻線に誘起された電圧を整流する二次整流ダイオードと、
   前記二次巻線又は前記二次整流ダイオードに接続された二次共振コンデンサと、
   前記二次共振コンデンサに接続された二次スイッチング素子と、
   前記二次巻線の両端の電圧に応じて前記二次スイッチング素子をオン・オフ制御する二次制御手段と
   を備え、前記一次スイッチング素子についての残留電圧が低減するように、前記一次共振コンデンサの容量と前記二次共振コンデンサの容量が設定されていることを特徴とするスイッチング電源装置。
2. 前記二次制御手段は、
   前記二次巻線の前記一端の電圧と他端の電圧とを比較する比較手段を含み、該一端の電圧が該他端の電圧よりも高くなると、前記二次スイッチング素子をオンにする
   ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
3. 前記二次制御手段は、
   前記二次巻線の両端の電圧を比較する第１比較手段と、
   前記二次整流ダイオードの両端の電圧を比較する第２比較手段と
   を含み、前記第１比較手段の比較結果と前記第２比較手段の比較結果とに応じて、前記二次スイッチング素子をオン・オフ制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
4. 前記二次制御手段は、
   前記二次巻線の一端の電圧が前記二次巻線の他端の電圧よりも高くなったことを前記第１比較手段の比較結果が示し、かつ、前記二次整流ダイオードのカソード電圧が該二次整流ダイオードのアノード電圧よりも高くなったことを前記第２比較手段の比較結果が示しているときに、前記二次スイッチング素子をオンにする
   ことを特徴とする請求項３に記載のスイッチング電源装置。