JP2009158782A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- シリコン基板の上に絶縁膜を形成する方法であって、前記絶縁膜は金属シリケート膜を含んでなり、前記方法は、
前記シリコン基板の表層部を酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の工程と、
前記シリコン酸化膜の表面にイオンを照射して前記シリコン酸化膜の表層部をＳｉ−Ｏ結合の切断された結合欠陥が生じている反応促進層とする第２の工程と、
非酸化性雰囲気中において前記反応促進層の上に金属膜を堆積する第３の工程と、
前記金属膜を酸化すると共に前記金属膜から前記シリコン酸化膜へと金属を拡散させ金属シリケート膜を形成する第４の工程と、
を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。 - 前記第４の工程の後、更に前記金属シリケート膜を窒化する第５の工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第５の工程の窒化はラジカル窒化によりなされることを特徴とする、請求項２に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記イオンの入射エネルギーは、２ｅＶ以上且つ２０ｅＶ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記イオンは希ガスイオンまたは窒素、酸素もしくはそれらの化合物のイオンであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第３の工程はスパッタによりなされることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第２の工程により、前記反応促進層が金属シリケート膜とされることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記第４の工程の酸化はラジカル酸化によりなされることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
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