JP2009158252A - プラズマディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマディスプレイ装置の製造工程におけるチップ管を封じ切る工程において、ＰＤＰを形成する基板に割れを生じさせることなく、チップ管を短く封じ切ることができる技術を提供する。
【解決手段】チップ管１３のチップオフ工程時に、シール部材１４とバーナー１５との間に、表裏を貫通する孔部１６が形成された耐熱板１７、熱反射板、伝熱板またはこれらを組み合わせた抗熱板を配置し、孔部１６にチップ管１３を挿入することでチップ管１３を取り囲む。このような状況下でチップ管１３を封じ切ることで、ＰＤＰ１への炎２０の熱の影響を防ぐ。
【選択図】図４

Description

本発明は、プラズマディスプレイ装置の製造技術に関し、特に、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel；ＰＤＰ）の製造に適用して有効な技術に関するものである。

ＰＤＰの製造工程においては、ＰＤＰを封着（封止）する工程がある。ＰＤＰでは、対となる前面および背面の基板（構造体）に挟まれた空間が放電空間となっている。そのＰＤＰ内部の空間から漏れがないようにＰＤＰ外側の所定の部位を封着し、また、ＰＤＰ外部と通じる所定の部位よりパネル内部の気密性を保持しながら真空排気し、さらにそこから放電ガスを充填および封入することにより密閉封止する、一連の処理が必要となる。この際、封着される部位の一つであるチップ管は、ＰＤＰの片隅などいずれかの箇所に配置される通排気および封入等のための管部である。

ＰＤＰ内へ放電ガスを充填および封入して密閉封止した後においては、チップ管をバーナー等で加熱し、引き伸ばしながら封じ切る（チップオフする）工程がある。

ところで、プラズマディスプレイ装置に対しては薄型化の要求がある。このような薄型化の要求に対して、チップオフ後にＰＤＰに残ったチップ管を可能な限り短くする手段が考えられる。しかしながら、ＰＤＰに残るチップ管の短縮化を図って、チップ管のチップオフ位置がＰＤＰを形成する基板に近くなると、バーナーの熱のためにその基板が割れてしまうという課題がある。

本発明の目的は、ＰＤＰを形成する基板に割れを生じさせることなく、チップ管を短くチップオフできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

（１）本発明によるプラズマディスプレイの製造方法は、電極群が形成された第１および第２の基板が重ね合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空間に放電ガスが封入され、前記電極群への電圧の印加によって前記空間で放電を行う放電パネルを備えたプラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
（ａ）第１の外向面および前記第１の外向面とは反対側の第１の内向面を有し、周辺部の一部に前記第１の外向面と前記第１の内向面とを貫通する第１の孔部が形成され、前記第１の孔部を覆うように管状部材の一端が配置され、前記管状部材は前記第１の外向面上に延在し、前記第１の外向面にて前記管状部材と前記第１の孔部との間を封着する封着手段を備えた前記第１の基板と、第２の外向面および前記第２の外向面とは反対側の第２の内向面を有する前記第２の基板を用意する工程、
（ｂ）前記第１の内向面と前記第２の内向面とを対向させ、前記放電パネルの周辺部となる位置で前記第１および第２の基板を封着し、前記空間を形成する工程、
（ｃ）前記管状部材を介して前記空間内を真空排気した後に前記管状部材を介して前記空間内に前記放電ガスを充填する工程、
（ｄ）表裏を貫通する第２の孔部が形成された抗熱板を用意し、前記第２の孔部に前記管状部材を挿入する工程、
（ｅ）前記（ａ）〜（ｄ）工程後、前記抗熱板の前記第１の基板側とは反対側において、加熱手段により前記管状部材を加熱し、前記抗熱板により前記加熱手段が発する熱の前記放電パネルへの伝達を緩和しつつ、前記管状部材を封じ切る工程、
を含むものである。

（２）また、本発明によるプラズマディスプレイの製造方法は、電極群が形成された第１および第２の基板が重ね合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空間に放電ガスが封入され、前記電極群への電圧の印加によって前記空間で放電を行う放電パネルを備えたプラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
（ａ）第１の外向面および前記第１の外向面とは反対側の第１の内向面を有し、周辺部の一部に前記第１の外向面と前記第１の内向面とを貫通する第１の孔部が形成され、前記第１の孔部を覆うように管状部材の一端が配置され、前記管状部材は前記第１の外向面上に延在し、前記第１の外向面にて前記管状部材と前記第１の孔部との間を封着する封着手段を備えた前記第１の基板と、第２の外向面および前記第２の外向面とは反対側の第２の内向面を有する前記第２の基板を用意する工程、
（ｂ）前記第１の内向面と前記第２の内向面とを対向させ、前記放電パネルの周辺部となる位置で前記第１および第２の基板を封着し、前記空間を形成する工程、
（ｃ）前記管状部材を介して前記空間内を真空排気した後に前記管状部材を介して前記空間内に前記放電ガスを充填する工程、
（ｄ）前記（ａ）〜（ｃ）工程後、前記管状部材に第１の光を照射して前記管状部材を封じ切る工程、
を含み、
前記管状部材は、前記第１の光を吸収する第１の材料を含む材料から形成されているか、もしくは周囲に前記第１の材料が塗布されているものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

プラズマディスプレイ装置の製造工程におけるチップ管を封じ切る工程において、ＰＤＰへの熱の影響を防ぐことができるので、ＰＤＰを形成する基板に割れを生じさせることなく、チップ管を短く封じ切ることができる。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、実施例等において構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、材料等について言及するときは、特にそうでない旨明記したとき、または、原理的または状況的にそうでないときを除き、特定した材料は主要な材料であって、副次的要素、添加物、付加要素等を排除するものではない。たとえば、シリコン部材は特に明示した場合等を除き、純粋なシリコンの場合だけでなく、添加不純物、シリコンを主要な要素とする２元、３元等の合金（たとえばＳｉＧｅ）等を含むものとする。

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

また、本実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするために部分的にハッチングを付す場合がある。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
図１および図２は、それぞれ本実施の形態のプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの平面図および断面図である。

ＡＣ型のＰＤＰ（放電パネル）１は、前面基板（第２の基板）２と背面基板（第１の基板）３との構造体（アセンブリともいう）が組み合わされることで形成されている。前面基板２および背面基板３には、それぞれ電極群が形成され、前面基板２の一面（第２の内向面）と背面基板３の一面（第１の内向面）との間の空間は、ＰＤＰ１の周辺部に配置されているパネル封着部４により封着されている。

パネル封着部４の内側に位置する表示領域５は、各種電極群により構成される表示セルのマトリクスに対応する、映像が表示される領域である。パネル封着部４の外側には、電極群の端子と外部の駆動回路側との電気的接続等のための領域が設けられている。

孔部（第１の孔部）Ａ１は、ＰＤＰ１の内部空間と外部との間での通排気などの一連の処理過程に用いられるものである。孔部Ａ１は、表示領域５とパネル封着部４との間（周辺部）であれば、いずれの位置に設けられていても構わないが、本実施の形態では、背面基板３側の片隅に設けてられている。なお、図１および図２では、チップ管を省略した状態を図示している。

ＰＤＰ１は、更にその背面側に配置されるシャーシに対して固定保持され、シャーシ背面側に配置される駆動回路などの回路部と、ＰＤＰ１の電極群の端子とが接続されることにより、ＰＤＰ装置（ＰＤＰモジュール）が形成される。

図２は、図１のＰＤＰ１の横（行）方向の断面を示している。なお縦（列）方向の断面でも考え方は同様である。

前面基板２と背面基板３との間の放電空間８は、ＰＤＰ１の周辺部６に配置および形成されるパネル封着部４により封着されている。

前面基板２においては、前面ガラス基板７Ａの相対的に放電空間８側に、複数の表示電極（サステイン電極）であるＸ電極９およびＹ電極１０が横方向（図２の紙面の左右方向）に延在するように形成され、これらＸ電極９およびＹ電極１０は、さらに誘電体層および保護層などにより覆われている。背面基板３側においては、背面ガラス基板７Ｂの相対的に放電空間８側に、アドレス動作に用いる複数のアドレス電極１１が縦方向（図２の紙面の垂直方向）に延在するように形成され、これら複数のアドレス電極１１は、さらに誘電体層などにより覆われている。また更に、背面基板３の放電空間８側の面上には、放電空間８を区切る隔壁１２や、隔壁１２間に形成される蛍光体（図示は省略）などの構造物が形成されている。

上記のような構成により、ＰＤＰ１では、前記回路部からの信号を受けて画素毎の射出光の制御が行われ、前面基板２の主面（第２の外向面）側の表示領域５より画像が表示される。

図３は、ＰＤＰ１における孔部Ａ１付近の断面を拡大して図示したものである。この図３に示すように、チップ管（管状部材）１３は、一端がＰＤＰ１の背面基板３の主面（第１の外向面）上に延在するように孔部Ａ１近傍に取り付けられている。ＰＤＰ１の外側表面の孔部Ａ１の開孔部では、チップ管１３を取り囲むようにシール部材（封着手段）１４が取り付けられ、このシール部材１４を介してチップ管１３と孔部Ａ１（背面基板３）との間が封着されている。ただし、チップ管１３と背面基板３とは直接接していなくても良い。また、チップ管１３および孔部Ａ１を通じて、ＰＤＰ１の放電空間８内を真空排気し、さらに真空排気された放電空間８への放電ガスの充填（封入）等行った後で、チップ管１３の他端は、バーナーを用いた加熱引き伸ばし等の手段により短く封じ切られている（チップオフ）。このようにチップ管１３の他端が封じ切られた構造とすることにより、放電空間８を外気から遮蔽された空間としている。

次に、本実施の形態１におけるチップ管１３のチップオフについて、図４〜図７を用いて説明する。

本実施の形態１では、プラズマディスプレイ装置の薄型化を図って、厚さＴ１が約３．８ｍｍであるＰＤＰ１に対して、チップオフ後のチップ管１３のシール部材１４からの長さＬ１が約１０ｍｍ以下にまで短くなるように、チップ管１３のチップオフを行う。この場合、チップオフを、たとえばバーナー等の熱放射手段を用いた加熱引き伸ばしにより行うと、その際の高熱がＰＤＰ１に到達し、ＰＤＰ１に割れ等の破損が生じてしまう虞がある（図３参照）。

そこで、本実施の形態１では、図４〜図６に示すように、チップ管１３のチップオフ工程時に、シール部材１４とバーナー（加熱手段）１５との間に、表裏を貫通する孔部（第２の孔部）１６が形成された耐熱板（抗熱板）１７、熱反射板（抗熱板）１８、伝熱板（抗熱板）１９またはこれらを組み合わせた抗熱板を配置し、孔部１６にチップ管１３を挿入することでチップ管１３を取り囲む。その耐熱板１７、熱反射板１８、伝熱板１９またはこれらを組み合わせた抗熱板は、ＰＤＰ１（背面基板３）の表面に沿った平面で可能な限り大きいことが好ましいが、少なくともシール部材１４より大きくする。また、伝熱板１９または伝熱板１９を含む抗熱板を配置した場合には、伝熱板１９または抗熱板がシール部材１４およびＰＤＰ１と接触しないように、これらと離間して配置する（図６参照）。耐熱板１７または熱反射板１８を用いている場合には、耐熱板１７または熱反射板１８がシール部材１４と接していてもよい。耐熱板１７としては、３０℃〜３８０℃における熱膨張係数が５０×１０^−７／℃〜１１０×１０^−７／℃程度の材料を用いることが好ましく、本実施の形態１では、ソーダ石灰ガラスを例示することができる。熱反射板１８としては、波長８００ｎｍ〜２０００ｎｍにおける赤外線の平均反射率が３０％程度以上の材料を用いることが好ましく、本実施の形態１では、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を例示することができる。熱反射板１８として酸化チタンを用いる場合には、保持ガラス基板１８Ａの表面に酸化チタンからなる熱線反射膜１８Ｂを成膜することで熱反射板１８を形成し、チップオフ工程時には、熱線反射膜１８Ｂ側がバーナー１５と対向するように熱反射板１８を保持することを例示できる。伝熱板１９としては、３０℃〜３８０℃における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の材料を用いることが好ましく、本実施の形態１では、アルミニウム（熱伝導率２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ））および鉄（熱伝導率８３．５Ｗ／（ｍ・Ｋ））を例示できる。

上記のような耐熱板１７（図４参照）あるいは熱反射板１８（図５参照）を用いてチップオフ工程を実施した場合には、バーナー１５の炎（加熱手段）２０から放射された放射熱（Ｈ１を付記した実線矢印で図示）の伝達を耐熱板１７あるいは熱反射板１８で反射し（Ｈ２を付記した実線矢印で図示）、耐熱板１７あるいは熱反射板１８を透過してＰＤＰ１に伝達する熱（Ｈ３を付記した破線矢印で図示）を緩和することができる。それにより、チップ管１３のチップオフ位置をＰＤＰ１（背面基板３）へ近付けても、バーナー１５の炎２０から放射された放射熱のＰＤＰ１への影響を防ぐことができるので、高熱によりＰＤＰ１に割れ等の破損が生じてしまうことを防ぐことができる。すなわち、チップオフ後のチップ管１３のシール部材１４からの長さＬ１（図３参照）を、たとえば約１０ｍｍ以下にまで短くすることが可能となる。

また、上記のような伝熱板１９（図６参照）を用いた場合には、バーナー１５の炎２０から放射された放射熱（Ｈ１を付記した実線矢印で図示）は、伝熱板１９で吸収してＰＤＰ１（背面基板３）の表面に水平な方向へよく伝達し（Ｈ４を付記した実線矢印で図示）、伝熱板１９を透過してＰＤＰ１に伝達する熱（Ｈ３を付記した破線矢印で図示）を緩和することができる。伝熱板１９は、良好な熱伝導性を有しているので、ＰＤＰ１（背面基板３）およびシール部材１４と伝熱板１９とを離間させることで、炎２０からの放射熱が伝熱板１９からＰＤＰ１（背面基板３）へ直接伝達してしまうことを防いでいる。それにより、上記の耐熱板１７あるいは熱反射板１８を用いた場合と同様に、チップ管１３のチップオフ位置をＰＤＰ１（背面基板３）へ近付けても、バーナー１５の炎２０から放射された放射熱のＰＤＰ１への影響を防ぐことができるので、高熱によりＰＤＰ１に割れ等の破損が生じてしまうことを防ぐことができる。すなわち、チップオフ後のチップ管１３のシール部材１４からの長さＬ１（図３参照）を、たとえば約１０ｍｍ以下にまで短くすることが可能となる。

上記のように、本実施の形態１によれば、チップオフ後のチップ管１３のシール部材１４からの長さＬ１（図３参照）を、たとえば約１０ｍｍ以下にまで短くすることができるので、そのような短くなったチップ管１３を有するＰＤＰ１を備えたプラズマディスプレイ装置の薄型化を実現することができる。

また、耐熱板１７、熱反射板１８、伝熱板１９またはこれらを組み合わせた抗熱板とバーナー１５とを連結し、これにエアーブロー機能（送風手段）も加えたチップ管切断機構としてもよい。すなわち、熱反射板１８を用いた場合を例に取って説明すると、図７に示すように、熱反射板１８とバーナー１５とを連結治具２１によって連結し、孔部１６に挿入されたチップ管１３に沿って上下動できるチップ管切断構成とする。チップオフ処理を開始する際には、ＰＤＰ１およびシール部材１４と熱反射板１８とを所定量離間させ、チップオフ処理は、この離間部にエアーを吹き込みつつ実施する。それにより、バーナー１５の炎２０から放射された放射熱（Ｈ１を付記した実線矢印で図示）の伝達を耐熱板１７あるいは熱反射板１８で反射（Ｈ２を付記した実線矢印で図示）するだけでなく、エアーブローによるＰＤＰ１の冷却もできるので、耐熱板１７、熱反射板１８、伝熱板１９またはこれらを組み合わせた抗熱板のみを用いた場合に比べて、さらに耐熱板１７あるいは熱反射板１８を透過してＰＤＰ１に伝達する熱（Ｈ３を付記した破線矢印で図示）を緩和することができる。その結果、チップ管１３のチップオフ位置をＰＤＰ１（背面基板３）へ近付けても、バーナー１５の炎２０から放射された放射熱のＰＤＰ１への影響をさらに効果的に防ぐことができるので、高熱によりＰＤＰ１に割れ等の破損が生じてしまうことをさらに効果的に防ぐことができる。すなわち、チップオフ後のチップ管１３のシール部材１４からの長さＬ１（図３参照）を、たとえば約１０ｍｍ以下にまで短くすることが可能となる。

上記のように短く封じ切られたチップ管１３を有するＰＤＰ１を用いて、本実施の形態１のプラズマディスプレイ装置を製造し、本実施の形態１のプラズマディスプレイ装置の薄型化を実現する。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、図４〜図７を用いて説明したように、耐熱板１７、熱反射板１８、伝熱板１９またはこれらを組み合わせた抗熱板を用いてチップ管１３を短く封じ切ることで、ＰＤＰ１に割れ等の破損が生じることを防ぐ場合について説明したが、本実施の形態２では、熱を伴わない切断手段によりチップ管１３を短く封じ切る例について説明する。

すなわち、図８および図９に示すように、前記実施の形態１で用いたバーナー１５の代わりに、レーザー照射機２２によるレーザー（第１の光、集光した光）２３のチップ管１３への照射（図８参照）や、集光レンズ２４により紫外線（第１の光）をチップ管１３のチップオフ位置へ集光（図９参照）することにより、瞬時にチップ管１３を焼き切る手段である。

レーザー照射機２２によるレーザー２３のチップ管１３への照射とする場合（図８参照）には、レーザー２３の波長を強く吸収する材料（第１の材料）をチップ管１３にコーティング、あるいはチップ管１３を形成するガラスに混合する。たとえば、レーザー２３がＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザーである場合には、レーザー２３の波長は約５３２ｎｍであり、チップ管１３の可視光（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における平均反射率が１０％程度以下となるように、カーボンブラック等をチップ管１３にコーティング、またはチップ管１３を形成するガラスに混合する。また、集光レンズ２４により紫外線をチップ管１３のチップオフ位置へ集光する場合（図９参照）には、紫外線溶融ガラス（第１の材料）を用いてチップ管１３を形成することを例示できる。

上記のような本実施の形態２によれば、チップ管１３を短く封じ切る場合でも、瞬時にチップ管１３を焼き切ることでチップ管１３を封じ切ることができるので、ＰＤＰ１に熱の影響が及んでＰＤＰ１に割れ等の破損が生じることを防止できる。それにより、前記実施の形態１で説明したような耐熱板１７、熱反射板１８、伝熱板１９またはこれらを組み合わせた抗熱板を省略できるので、チップ管１３のチップオフに用いる機器の構成を簡素化することが可能となる。

また、上記のようなレーザー照射機２２や集光レンズ２４（紫外線を含む）を、チップ管１３の周囲を１周させることでチップ管１３を封じ切る構成としてもよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、プラズマディスプレイ装置の製造工程におけるチップ管のチップオフ工程に適用することができる。

本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの平面図である。 本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの断面図である。 本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの要部断面図である。 本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの製造工程中の要部断面図である。 本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの製造工程中の要部断面図である。 本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの製造工程中の要部断面図である。 本発明の実施の形態１であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの製造工程中の要部断面図である。 本発明の実施の形態２であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの製造工程中の要部断面図である。 本発明の実施の形態２であるプラズマディスプレイ装置が備えるＰＤＰの製造工程中の要部断面図である。

符号の説明

１ ＰＤＰ（放電パネル）
２ 前面基板（第２の基板）
３ 背面基板（第１の基板）
４ パネル封着部
５ 表示領域
６ 周辺部
７Ａ 前面ガラス基板
７Ｂ 背面ガラス基板
８ 放電空間
９ Ｘ電極
１０ Ｙ電極
１１ アドレス電極
１２ 隔壁
１３ チップ管（管状部材）
１４ シール部材（封着手段）
１５ バーナー（加熱手段）
１６ 孔部（第２の孔部）
１７ 耐熱板（抗熱板）
１８ 熱反射板（抗熱板）
１８Ａ 保持ガラス基板
１８Ｂ 熱線反射膜
１９ 伝熱板（抗熱板）
２０ 炎（加熱手段）
２１ 連結治具
２２ レーザー照射機
２３ レーザー
２４ 集光レンズ
Ａ１ 孔部（第１の孔部）

Claims (10)

1. 電極群が形成された第１および第２の基板が重ね合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空間に放電ガスが封入され、前記電極群への電圧の印加によって前記空間で放電を行う放電パネルを備えたプラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
   （ａ）第１の外向面および前記第１の外向面とは反対側の第１の内向面を有し、周辺部の一部に前記第１の外向面と前記第１の内向面とを貫通する第１の孔部が形成され、前記第１の孔部を覆うように管状部材の一端が配置され、前記管状部材は前記第１の外向面上に延在し、前記第１の外向面にて前記管状部材と前記第１の孔部との間を封着する封着手段を備えた前記第１の基板と、第２の外向面および前記第２の外向面とは反対側の第２の内向面を有する前記第２の基板を用意する工程、
   （ｂ）前記第１の内向面と前記第２の内向面とを対向させ、前記放電パネルの周辺部となる位置で前記第１および第２の基板を封着し、前記空間を形成する工程、
   （ｃ）前記管状部材を介して前記空間内を真空排気した後に前記管状部材を介して前記空間内に前記放電ガスを充填する工程、
   （ｄ）表裏を貫通する第２の孔部が形成された抗熱板を用意し、前記第２の孔部に前記管状部材を挿入する工程、
   （ｅ）前記（ａ）〜（ｄ）工程後、前記抗熱板の前記第１の基板側とは反対側において、加熱手段により前記管状部材を加熱し、前記抗熱板により前記加熱手段が発する熱の前記放電パネルへの伝達を緩和しつつ、前記管状部材を封じ切る工程、
   を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
2. 請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
   前記抗熱板は、前記加熱手段が発する熱の前記放電パネルへの伝達を緩和する耐熱性および熱反射性の少なくとも一方を備えていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
3. 請求項２記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
   前記抗熱板における、３０℃〜３８０℃の温度範囲での熱膨張係数が５０×１０^−７／℃〜１１０×１０^−７／℃であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
4. 請求項２記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
   前記抗熱板における、波長８００ｎｍ〜２０００ｎｍの赤外線の平均反射率が３０％以上であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
5. 請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
   前記抗熱板は、前記加熱手段が発する熱の前記放電パネルへの伝達を緩和する熱伝導性を備え、
   前記（ｅ）工程時には、前記抗熱板を前記放電パネルおよび前記封着手段と離間して配置することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
6. 請求項５記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
   前記抗熱板における、３０℃〜３８０℃における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
7. 請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
   前記抗熱板は、前記第１の基板の第１の外向面に沿った平面で前記封着手段より大きいことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
8. 電極群が形成された第１および第２の基板が重ね合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空間に放電ガスが封入され、前記電極群への電圧の印加によって前記空間で放電を行う放電パネルを備えたプラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
   （ａ）第１の外向面および前記第１の外向面とは反対側の第１の内向面を有し、周辺部の一部に前記第１の外向面と前記第１の内向面とを貫通する第１の孔部が形成され、前記第１の孔部を覆うように管状部材の一端が配置され、前記管状部材は前記第１の外向面上に延在し、前記第１の外向面にて前記管状部材と前記第１の孔部との間を封着する封着手段を備えた前記第１の基板と、第２の外向面および前記第２の外向面とは反対側の第２の内向面を有する前記第２の基板を用意する工程、
   （ｂ）前記第１の内向面と前記第２の内向面とを対向させ、前記放電パネルの周辺部となる位置で前記第１および第２の基板を封着し、前記空間を形成する工程、
   （ｃ）前記管状部材を介して前記空間内を真空排気した後に前記管状部材を介して前記空間内に前記放電ガスを充填する工程、
   （ｄ）表裏を貫通する第２の孔部が形成された抗熱板、加熱手段および送風手段を備えた切断機構を用意する工程、
   （ｅ）前記（ａ）〜（ｄ）工程後、前記切断機構を制御して、前記抗熱板の前記第２の孔部に前記管状部材を挿入し、前記抗熱板を前記放電パネルおよび前記封着手段との間に離間部を形成し、前記送風手段により前記離間部にエアーを吹き込みつつ、前記抗熱板の前記第１の基板側とは反対側にて前記加熱手段により前記管状部材を加熱し、前記抗熱板および前記エアーにより前記加熱手段が発する熱の前記放電パネルへの伝達を緩和しつつ、前記管状部材を封じ切る工程、
   を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
9. 電極群が形成された第１および第２の基板が重ね合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間の空間に放電ガスが封入され、前記電極群への電圧の印加によって前記空間で放電を行う放電パネルを備えたプラズマディスプレイ装置の製造方法であって、
   （ａ）第１の外向面および前記第１の外向面とは反対側の第１の内向面を有し、周辺部の一部に前記第１の外向面と前記第１の内向面とを貫通する第１の孔部が形成され、前記第１の孔部を覆うように管状部材の一端が配置され、前記管状部材は前記第１の外向面上に延在し、前記第１の外向面にて前記管状部材と前記第１の孔部との間を封着する封着手段を備えた前記第１の基板と、第２の外向面および前記第２の外向面とは反対側の第２の内向面を有する前記第２の基板を用意する工程、
   （ｂ）前記第１の内向面と前記第２の内向面とを対向させ、前記放電パネルの周辺部となる位置で前記第１および第２の基板を封着し、前記空間を形成する工程、
   （ｃ）前記管状部材を介して前記空間内を真空排気した後に前記管状部材を介して前記空間内に前記放電ガスを充填する工程、
   （ｄ）前記（ａ）〜（ｃ）工程後、前記管状部材に第１の光を照射して前記管状部材を封じ切る工程、
   を含み、
   前記管状部材は、前記第１の光を吸収する第１の材料を含む材料から形成されているか、もしくは周囲に前記第１の材料が塗布されていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
10. 請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法において、
    前記第１の光は、集光した光または紫外線であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。

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