JP2009152408A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で、マウントが容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の面に形成された第１電極１１と、第１の面と反対の第２の面に形成された第２電極１２とを有する半導体素子１３と、第１および第２電極１１、１２の外周部を含む半導体素子１３の周りを覆う絶縁性樹脂１４と、第１電極１１と対向する絶縁性樹脂１４の第１の面から第１電極１１に至る第１貫通孔１５を埋め込んで、絶縁性樹脂１４の第１の面に形成された第１接続導体１６と、第２電極１２と対向する絶縁性樹脂１４の第２の面から第２電極１２に至る第２貫通孔１７を埋め込んで、絶縁性樹脂１４の第２の面に形成された第２接続導体１８と、を具備している。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化、および実装技術の進展に合わせて、半導体装置の更なる小型化、高性能化が求められている。
従来の半導体装置は、半導体素子と半導体素子を保護するためのパッケージとを有し、電極材フレームにマウント、ワイヤボンディングされた半導体素子を樹脂でモールドしていた。

そのため、半導体装置のサイズは、半導体素子のサイズだけでなく、電極材フレームのサイズおよびワイヤの高さなどにも律速されるので、半導体装置の小型化が困難になる問題がある。

更に、ホンディングワイヤーと電極材フレームのインダクタンス成分により、電圧印加（電流印加）時の過渡特性がクランピングして安定化するまでに時間を要するという問題があり、高周波用の半導体装置、例えば高周波用ダイオードでは周波数特性が悪化する問題がある。

これに対して、パワー半導体素子では、ワイヤを用いずに、半導体素子の電極をパッケージ側に設けた電極板に面接触させて引き出すようにした平型半導体装置が知られている（例えば特許文献１参照。）。

特許文献１に開示された半導体装置は、両面に主電極が形成された半導体素子と、主電極上に形成された中間電極板と、半導体素子の表面のうち中間電極板と対向しない外周部と中間電極板の側面を覆う絶縁性樹脂と、間に中間電極板を介して半導体素子を実装する一対の主電極板とを具備している。

然しながら、特許文献１に開示された半導体装置は、パワー半導体素子のように比較的サイズの大きい半導体素子を実装するものであり、サイズの小さい半導体素子の実装は難しいという問題がある。特に小信号用のダイオードについては何ら開示していない。
特開２０００−５８７１７号公報

本発明は、小型で、マウントが容易な半導体装置およびその製造方法を提供する。

本発明の一態様の半導体装置は、第１の面に形成された第１電極と、前記第１の面と反対の第２の面に形成された第２電極とを有する半導体素子と、前記第１および第２電極の外周部を含む前記半導体素子の周りを覆う絶縁性樹脂と、前記第１電極と対向する前記絶縁性樹脂の第１の面から前記第１電極に至る第１貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第１の面に形成された第１接続導体と、前記第２電極と対向する前記絶縁性樹脂の第２の面から前記第２電極に至る第２貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第２の面に形成された第２接続導体と、を具備することを特徴としている。

本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された半導体ウェーハの第１の面に前記半導体素子に接続された第１電極を形成し、前記第１の面と反対の第２の面に前記半導体素子に接続された第２電極を形成する工程と、前記第１電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第１の面に、第１絶縁性樹脂を形成する工程と、前記半導体ウェーハの前記第２の面側から前記半導体ウェーハをダイシングし、前記第１絶縁性樹脂に至る溝を形成する工程と、前記溝を埋め込んで、前記第２電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第２の面に、第２絶縁性樹脂を形成する工程と、前記第１絶縁性樹脂から前記第１電極に至る第１貫通孔と、前記第２絶縁性樹脂から前記第２電極に至る第２貫通孔とを形成する工程と、前記第１貫通孔を埋め込んで、前記第１絶縁性樹脂上に第１接続導体を形成し、前記第２貫通孔を埋め込んで、前記第２絶縁性樹脂上に第２接続導体を形成する工程と、前記埋め込まれた溝に沿って、前記第１および第２絶縁性樹脂をダイシングする工程と、を具備することを特徴としている。

本発明によれば、小型で、マウントが容易な半導体装置およびその製造方法が得られる。

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。

本発明の実施例１に係る半導体装置について、図１乃至図５を用いて説明する。図１は半導体装置を示す断面図、図２は半導体装置が基板に実装された状態を示す断面図、図３乃至図５は半導体装置の製造工程を順に示す断面図である。

図１に示すように、本実施例の半導体装置１０は、第１の面１３ａに形成された第１電極１１と、第１の面１３ａと反対の第２の面１３ｂに形成された第２電極１２とを有する半導体素子１３と、第１および第２電極１１、１２の外周部を含む半導体素子１３の周りを覆う絶縁性樹脂１４と、第１電極１１と対向する絶縁性樹脂１４の第１の面１４ａから第１電極１１に至る第１貫通孔１５を埋め込んで、絶縁性樹脂１４の第１の面１４ａに形成された第１接続導体１６と、第２電極１２と対向する絶縁性樹脂１４の第２の面１４ｂから第２電極１２に至る第２貫通孔１７を埋め込んで、絶縁性樹脂１４の第２の面１４ｂに形成された第２接続導体１８と、を具備している。

半導体装置１０は、所謂チップダイオードである。半導体素子１３は、例えばシリコン基板に形成された第１導電型の第１半導体層と、第１半導体層上に形成された第２導電型の第２半導体層とを有している。
第１半導体層は、例えばＰ型半導体層であり、第２半導体層はＰ型半導体層よりキャリア濃度の高いＮ^＋型半導体層である。第１および第２半導体層により、シリコン基板にＰＮ接合を有するダイオードが形成されている。

第１電極１１は、例えば半導体素子１３の第１の面１３ａの全面に形成されている。第２電極１２は、例えばパターニングされて、半導体素子１３の第２の面１３ｂに外周部を除いて形成されている。

絶縁性樹脂１４は、例えばエポキシ樹脂で、第１電極１１の外周部を含む半導体素子１３の第１の面１３ａを覆う第１絶縁性樹脂１９と、第２電極１２の外周部を含む半導体素子１３の第２の面１３ｂおよび半導体素子１３の側面１３ｃを覆う第２絶縁性樹脂２０とで構成されている。

第１貫通孔１５は、第１電極１１側から第１接続導体１６側に向かって末広がり状に形成されている。同様に、第２貫通孔１７は、第２電極１２側から第２接続導体１８側に向かって末広がり状に形成されている。第１および第２貫通孔１５、１７は、所謂コンタクトホールである。

第１接続導体１６は、第１貫通孔１５を埋め込んで第１絶縁性樹脂１９の表面１４ａに形成された第１金属膜２１と、第１金属膜２１の表面および４側面を含む５面に形成された第２金属膜２２とで構成されている。
同様に、第２接続導体１８は、第２貫通孔１７を埋め込んで第２絶縁性樹脂２０の表面１４ｂに形成された第１金属膜２３と、第１金属膜２３の表面および４側面を含む５面に形成された第２金属膜２４とで構成されている。

第１金属膜２１、２３は、第１および第２電極１１、１２を外部に導出する配線であり、例えば電界メッキ法により形成された銅（Ｃｕ）膜で、ある。
第２金属膜２２、２４は銅の酸化を防止し、導電材を介して基板に実装するための外装膜であり、例えば電界メッキ法により形成されたニッケル錫（Ｎｉ／Ｓｎ）膜である。
第１金属膜２１、２３は、第２金属膜２２、２４より十分厚く、例えば８０μｍ程度に形成されており、第１および第２接続導体１６、１８の主要部を構成している。

半導体装置１０は、第１および第２電極１１、１２の外周部を含む半導体素子１３の周りを覆う絶縁性樹脂１４が半導体素子１３を外部から保護するためのパッケージとして機能し、更に絶縁性樹脂１４の第１および第２の面１４ａ、１４ｂが半導体素子１３を外部に接続するための電極形成面として機能している。

これにより、半導体基素子１３を載置するための基板と、第１および第２電極１１、１２を外部に接続するためのボンディングワイヤが不要であり、半導体装置１０を小型化することが可能である。

図２は、半導体装置１０が、プリント基板（ＰＷＢ：Printed Wiring Board）に実装された状態を示す断面図である。
図２に示すように、半導体装置１０は、チップ部品、例えばチップコンデンサ、チップ抵抗などと同様に、半導体素子１３の側面１３ａがプリント基板３０と並行するように配置されて実装されている。

プリント基板３０は、絶縁性の基板３１上に形成された配線３２ａ、３２ｂと、離間して対向する配線３２ａ、３２ｂの一端に形成されたバンプ３３ａ、３３ｂと、を具備している。
バンプ３３ａに、ハンダ３４ａを介して第１接続導体１６の側面１６ａが接続されている。同様に、バンプ３３ｂに、ハンダ３４ｂを介して第２接続導体１８の側面１８ａが接続されている。

第１接続導体１６および第２接続導体１８は、表面と４側面の５面を有しているので、どの側面を用いてもプリント基板３０に確実に実装することができるので、マウントが容易である。

次に、半導体装置１０の製造方法について、図３乃至図５を用いて説明する。図３乃至図５は、半導体装置１０の製造工程を順に示す断面図である。

始めに、図３（ａ）に示すように、周知の方法により、半導体ウェーハ４０の第２の面に、例えばＰ型不純物、例えば硼素イオン（Ｂ^＋）を注入した後、熱処理を施し、厚さ３０μｍ程度の深いＰ型拡散である第１半導体層（図示せず）を形成する。
次に、半導体ウェーハ４０にＮ型不純物、例えば燐イオン（Ｐ^＋）を注入した後、短時間の熱処理を施し、厚さ１μｍ程度の浅いＮ^＋型拡散層である第２半導体層（図示せず）を形成する。

次に、半導体ウェーハ４０の第１の面に第１電極１１を形成し、第２の面に第２電極１２を形成する。第１および第２電極１１、１２は、後述するレーザ加工の観点から、レーザ光に対して反射率の高い金属、例えば銅、金、アルミニウムなどが適している。

次に、図３（ｂ）に示すように、第１電極１１を含む半導体ウェーハ４０の第１の面に液状樹脂を塗布して熱硬化させることにより、絶縁性樹脂４１を形成する。絶縁性樹脂４１は、最終的に第１絶縁性樹脂１９となる。

次に、図３（ｃ）に示すように、ブレード４２を用いて、第２の面側から半導体ウェーハ４０を格子状にダイシングし、絶縁性樹脂４１に至る格子状の溝４３を形成する。
これにより、半導体ウェーハ４０は個片化され、半導体素子１３が得られる。半導体素子１３は、絶縁性樹脂４１上に格子状に配列されている。

次に、図４（ａ）に示すように、絶縁性樹脂４１上に溝４３を埋め込み、半導体素子１３を覆うように液状樹脂を塗布して熱硬化させることにより、絶縁性樹脂４４を形成する。絶縁性樹脂４４は、最終的に第２絶縁性樹脂２０となる。

次に、図４（ｂ）に示すように、例えば両面研削盤を用いて、絶縁性樹脂４１、４４を研削し、所定の厚さに整形する。

次に、図４（ｃ）に示すように、レーザ加工機を用いて、絶縁性樹脂４１の半導体素子１３と対向する位置にレーザ光４５を照射し、第１電極１１に至る第１貫通孔１５を形成する。同様に、絶縁性樹脂４４の半導体素子１３と対向する位置にレーザ光４５を照射し、第２電極１２に至る第２貫通孔１７を形成する。

レーザ光４５が照射された絶縁性樹脂４１、４４はレーザ光を吸収して熱せられ、表面から順次溶融して飛散するので、第１電極１１側から絶縁性樹脂４１側に向かって末広がり状の第１貫通孔１５および第２電極１２側から絶縁性樹脂４４側に向かって末広がり状の第２貫通孔１７が得られる。

第１および第２電極膜１１、１２はレーザ光４５に対して高い反射率を有しているので、半導体素子１３にレーザ光４５が照射され、半導体素子１３が破壊されるのを防止するストッパーとして機能している。

次に、第１および第２電極１１、１２上の絶縁性樹脂の残渣（図示せず）を、例えば薬液にて膨潤させて除去するデスミア処理を施し、第１および第２電極１１、１２、絶縁性樹脂４１、４４の全周に無電界メッキ法によりシードとなる銅膜（図示せず）を形成する。

次に、図５（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、隣り合う半導体素子１３の中間、即ちダイシングラインに対応する位置の絶縁性樹脂４１上に、例えば厚さ１００μｍ程度の格子状のレジスト膜４６を形成する。
同様に、レジスト膜４６と対向する位置の絶縁性樹脂４４上に、例えば厚さ１００μｍ程度の格子状のレジスト膜４７を形成する。

次に、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜４６、４７をマスクとし、無電界メッキ法により形成した銅膜をシードとして、電界メッキ法により、例えば厚さ８０μｍ程度の銅膜を形成する。
これにより、第１貫通孔１５を埋め込んで、絶縁性樹脂４１の表面に第１金属膜２１が形成される。同様に、第２貫通孔１７を埋め込んで、絶縁性樹脂４４の表面に第１金属膜２３が形成される。

次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト膜４６、４７を除去した後、例えば絶縁性樹脂４１側を粘着シート４８に貼り付け、ブレード４９を用いて絶縁性樹脂４４側から、絶縁性樹脂４４および絶縁性樹脂４１を格子状にダイシングする。

これにより、第１電極１１の外周部を含む半導体素子１３の第１の面１３ａが第１絶縁性樹脂１９で覆われ、第２電極１２の外周部を含む半導体素子１３の第２の面１３ｂおよび半導体素子１３の側面１３ｃが第２絶縁性樹脂２０で覆われ、第１および第２電極１１、１２の外周部を含む半導体素子１３の周りを覆う絶縁性樹脂１４が形成される。

次に、粘着シート４８を剥した後、第１金属膜２１の表面と４側面とを含む５面全体および第１金属膜２３の表面と４側面とを含む５面全体に、例えばバレルメッキ法によりニッケル錫（Ｎｉ／Ｓｎ）膜を２０〜３０μｍ程度形成する。
これにより、第１接続導体１６の第２金属膜２２と、第２接続導体１８の第２金属膜２４が形成される。

バレルメッキとは、ガラメッキとも呼ばれ、多量の品物をバレル（樽）の中に入れ、回転させながら電界メッキする方法である。Ｎｉ／Ｓｎ膜は第１金属膜２１、２３上に形成されるが、絶縁性樹脂１４上には形成されない。

これにより、絶縁性樹脂１４が、半導体素子１３を外部から保護するためのパッケージ、および外部に接続するための電極形成面として機能する半導体装置１０が完成する。

半導体素子１３を載置する基板および外部へ接続するためのボンディングワイヤが不要なので、半導体装置１０のサイズは目的に応じて自由に定めることができる。例えばサイズが、０．６×０．３×０．３ｍｍ程度から０．４×０．２×０．２ｍｍ程度の小型の半導体装置１０が得られる。

更に、ボンディングワイヤ等による不要なインダクタンス成分が減少するので、半導体素子１３の特性への影響を抑制することができる。

以上説明したように、本実施の半導体装置１０は、絶縁性樹脂１４が、半導体素子１３を外部から保護するためのパッケージおよび外部に接続するための電極形成面として機能している。
その結果、半導体素子１３を載置する基板および外部に接続するためのボンディングワイヤが不要になる。従って、小型で、マウントが容易な半導体装置が得られる。

ここでは、半導体素子１３がＰＮ接合ダイオードである場合について説明したが、その他のスイッチング用のダイオード、例えばＰＩＮ接合ダイオード、ショットキー障壁ダイオード（ＳＢＤ）などでも構わない。

第１および第２貫通孔１５、１７が、それぞれ第１および第２電極１１、１２側から第１および第２接続導体１６、１８側に向かって末広がり状である場合について説明したが、第１および第２貫通孔１５、１７が第１金属２１、２３で埋め込まれていれば、ストレート状の貫通孔であっても構わない。

第１および第２貫通孔１５、１７に第１金属膜２１、２３を埋め込んでビアとした場合について説明したが、第１および第２貫通孔１５、１７の内壁に第１金属膜２１、２３を形成してスルーホールとすることも可能である。

第１電極１１が、半導体素子１３の第１の面１３ａの全面に形成されている場合について説明したが、第２電極１２と同様に、パターニングされて、半導体素子１３の第１の面１３ａに外周部を除いて形成されていても構わない。

本発明の実施例２に係る半導体装置について、図６およびｚ＠７を用いて説明する。図６は半導体装置を示す断面図、図７は半導体装置の製造工程の要部を順に示す断面図である。
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例１と異なる点は、第１および第２接続導体が、絶縁性樹脂の表面から側面に架けて形成されていることにある。

即ち、図６に示すように、本実施例の半導体装置６０は、第１および第２電極１１、１２の外周部を含む半導体素子１３の周りを覆う絶縁性樹脂６１を具備している。
絶縁性樹脂６１は、第１電極１１の外周部を含む半導体素子１３の第１の面１３ａを覆うとともに、側面に切り欠き部６４ａを有する第１絶縁性樹脂６４と、第２電極１２の外周部を含む半導体素子１３の第２の面１３ｂおよび半導体素子１３の側面１３ｃを覆うとともに、側面に切り欠き部６５ａを有する第２絶縁性樹脂６５とで構成されている。

更に、第１電極１１と対向する第１絶縁性樹脂６４の第１の面から第１電極１１に至る第１貫通孔１５を埋め込んで、第１絶縁性樹脂６４の第１の面および切り欠き部６４ａの側面に形成された第１接続導体６２と、第２電極１２と対向する第２絶縁性樹脂６５の第２の面から第２電極１２に至る第２貫通孔１７を埋め込んで、第２絶縁性樹脂６５の第２の面および切り欠き部６５ａの側面に形成された第２接続導体６３と、を具備している。

第１接続導体６２は、第１貫通孔１５を埋め込んで第１絶縁性樹脂６４の表面および切り欠き部６４ａに形成された第１金属膜６６と、第１金属膜６６の表面および４側面を含む５面に形成された第２金属膜６７とで構成されている。
同様に、第２接続導体６３は、第２貫通孔１７を埋め込んで第２絶縁性樹脂６５の表面および切り欠き部６５ａに形成された第１金属膜６８と、第１金属膜６８の表面および４側面を含む５面に形成された第２金属膜６９とで構成されている。

第２金属膜６７、６９の側面の長さが、図１に示す第２金属膜２２、２４の側面の長と等しくなるように、切り欠き部６４ａ、６５ａの側面の長さを設定することにより、図２に示すプリント基板３０への実装性を維持したまま、半導体装置６０の長さを、図１に示す半導体装置１０より、ΔＬだけ小さくすることが可能である。

図７は半導体装置６０の製造工程の要部を順に示す断面図である。切り欠き部６４ａ、６５ａの形成は、第１および第２貫通孔１５、１７を形成し、絶縁性樹脂４１、４４の残渣を除去し、第１および第２電極１１、１２、絶縁性樹脂４１、４４の全周にシードとなる銅膜を形成した後に行う。

図７（ａ）に示すように、ブレード７０を用いてハーフダイシングすることにより、絶縁性樹脂４１上にダイシングラインの幅より広い開口を有する凹部７１を形成する。
同様に、絶縁性樹脂４４上に凹部７１と対向し、ダイシングラインの幅より広い開口を有する凹部７２を形成する。
これにより、凹部７１、７２の側面とコーナ部側の底面とで構成される切り欠き部６４ａ、６５ａが形成される。

次に、図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、凹部７１に、図５（ａ）に示すレジスト膜４６と等しい幅を有する格子状のレジスト膜７３を形成する。同様に、凹部７２にレジスト膜７４を形成する。

次に、図７（ｃ）に示すように、レジスト膜７３、７４をマスクとし、銅膜をシードとして、電解メッキ法により第１金属膜６６、６８となる銅膜を形成する。
これにより、第１貫通孔１５を埋め込んで、絶縁性樹脂４１の表面および切り欠き部６４ａの側面に第１金属膜６６が形成される。
同様に、第２貫通孔１７を埋め込んで、絶縁性樹脂４４の表面および切り欠き部６５ａの側面に第１金属膜６８が形成される。

次に、図５（ｃ）と同様にして、レジスト膜７３、７４を除去した後、隣り合う半導体素子１３の間のダイシングラインに沿って、絶縁性樹脂４１、４４を格子状にダイシングする。
これにより、第１電極１１の外周部を含む半導体素子１３の第１の面１３ａが第１絶縁性樹脂６４で覆われ、第２電極１２の外周部を含む半導体素子１３の第２の面１３ｂおよび半導体素子１３の側面１３ｃが第２絶縁性樹脂６５で覆われ、第１および第２電極１１、１２の外周部を含む半導体素子１３の周りを覆う絶縁性樹脂６１が形成される。

次に、第１金属６６、６８の４側面と表面を含む５面全体に、例えばバレルメッキ法によりニッケル錫（Ｎｉ／Ｓｎ）膜を２０〜３０μｍ程度形成する。
これにより、第１接続導体６２の第２金属膜６７と、第２接続導体６３の第２金属膜６９が形成される。

これにより、絶縁性樹脂６１が、半導体素子１３を外部から保護するためのパッケージ、および外部に接続するための電極形成面として機能する半導体装置６０が完成する。

以上説明したように、本実施例の半導体装置６０は、第１および第２絶縁性樹脂６４、６５の側面に切り欠き部６４ａ、６５ａが形成されている。
その結果、絶縁性樹脂６１の表面から側面に架けて第１および第２接続導体６２、６３を形成することができるので、半導体装置６０を更に小型化できる利点がある。

更に、第１金属膜６７、６８の膜厚を薄く低できるので、メッキ材料の削減、メッキ時間の短縮などが図られる利点がある。
また、第１金属膜６７、６８の膜厚を薄くしない場合は、第１および第２接続導体６２、６３の側面の長さが大きくなる。
その結果、プリント基板３０に実装する際に、ハンダ付けされる面積が増加するので、接合強度が増加し、確実にプリント基板３０に実装できる利点がある。

上述した実施例において、半導体装置１０、６０が１つの半導体素子１３を有する場合について説明したが、複数の半導体素子１３を有する半導体装置（２ｉｎ１、３ｉｎ１など）であっても構わない。
その場合、例えば絶縁性樹脂１４に、第１接続導体１６と複数の第２接続導体１８とを形成し、複数の第１電極１１を第１接続導体１６に共通接続し、複数の第２電極１２を複数の第２接続導体１８にそれぞれ接続する。
また、半導体素子１３が２端子素子であるダイオードである場合について説明したが、３端子素子であるトランジスタとすることも可能である。

本発明の実施例１に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置を基板に実装した状態を示す断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例２に係る半導体装置を示す断面図。 本発明の実施例２に係る半導体装置の製造工程の要部を順に示す断面図。

符号の説明

１０、６０ 半導体装置
１１ 第１電極
１２ 第２電極
１３ 半導体素子
１４、６１ 絶縁性樹脂
１５ 第１貫通孔
１６、６２ 第１接続導体
１７ 第２貫通孔
１８、６３ 第２接続導体
１９、６２ 第１絶縁性樹脂
２０、６３ 第２絶縁性樹脂
２１、２３、６６、６８ 第１金属膜
２２、２４、６７、６９ 第２金属膜
３０ プリント基板
３１ 基板
３２ａ、３２ｂ 配線
３３ａ、３３ｂ バンプ
３４ａ、３４ｂ 半田
４０ 半導体ウェーハ
４１、４４ 絶縁性樹脂
４２、４９、７０ ブレード
４３ 溝
４５ レーザ光
４６、４７、７３、７４ レジスト膜
４８ 粘着シート
７１、７２ 凹部

Claims (5)

1. 第１の面に形成された第１電極と、前記第１の面と反対の第２の面に形成された第２電極とを有する半導体素子と、
   前記第１および第２電極の外周部を含む前記半導体素子の周りを覆う絶縁性樹脂と、
   前記第１電極と対向する前記絶縁性樹脂の第１の面から前記第１電極に至る第１貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第１の面に形成された第１接続導体と、
   前記第２電極と対向する前記絶縁性樹脂の第２の面から前記第２電極に至る第２貫通孔を埋め込んで、前記絶縁性樹脂の前記第２の面に形成された第２接続導体と、
   を具備することを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１接続導体が前記絶縁性樹脂の前記第１の面から側面に架けて形成され、前記第２接続導体が前記絶縁性樹脂の前記第２の面から側面に架けて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記絶縁性樹脂が、
   前記第１電極の外周部を含む前記半導体素子の前記第１の面を覆う第１絶縁性樹脂と、
   前記第２電極の外周部を含む前記半導体素子の前記第２の面および前記半導体素子の側面を覆う第２絶縁性樹脂と、
   を具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１貫通孔が前記第１電極側から前記第１接続導体側に向かって末広がり状であり、前記第２貫通孔が前記第２電極側から前記第２接続導体側に向かって末広がり状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
5. 半導体素子が形成された半導体ウェーハの第１の面に前記半導体素子に接続された第１電極を形成し、前記第１の面と反対の第２の面に前記半導体素子に接続された第２電極を形成する工程と、
   前記第１電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第１の面に、第１絶縁性樹脂を形成する工程と、
   前記半導体ウェーハの前記第２の面側から前記半導体ウェーハをダイシングし、前記第１絶縁性樹脂に至る溝を形成する工程と、
   前記溝を埋め込んで、前記第２電極の外周部を含む前記半導体ウェーハの前記第２の面に、第２絶縁性樹脂を形成する工程と、
   前記第１絶縁性樹脂から前記第１電極に至る第１貫通孔と、前記第２絶縁性樹脂から前記第２電極に至る第２貫通孔とを形成する工程と、
   前記第１貫通孔を埋め込んで、前記第１絶縁性樹脂上に第１接続導体を形成し、前記第２貫通孔を埋め込んで、前記第２絶縁性樹脂上に第２接続導体を形成する工程と、
   前記埋め込まれた溝に沿って、前記第１および第２絶縁性樹脂をダイシングする工程と、
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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