JP2009147302A - 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、面発光レーザを用いた画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る波長λで発振する面発光レーザは、上部反射鏡と、下部反射鏡と、活性層と、スペーサ層とを有する。このスペーサ層は、AlXGa1−XAsを有する第1の半導体層(1≧x>0)と、AlyGa1−yAs(1>y>0、かつ、x>y)を有する第2の半導体層とが積層されることにより構成されている。
【選択図】 図1
Description
IEEE Photonics Technology Letters,Vol.12、No.8、2000、p939
図3に実施例1に係る赤色面発光レーザの断面模式図を示す。
以下、上記面発光レーザの作製手順について説明する。
図5に実施例2に係る面発光レーザの断面模式図を示す。なお、実施例1と同じ部材については同じ符号を付している。
図6に実施例3に係る面発光レーザの断面模式図を示す。なお、実施例1と同じ部材については同じ符号を付している。
図7に実施例4に係る面発光レーザの断面模式図を示す。なお、実施例1と同じ部材については同じ符号を付している。
図8に実施例5に係る面発光レーザアレイの模式的平面図を示す。本実施例は上記実施例で説明した面発光レーザが基板上に縦3個、横4個で並んでいるアレイの1チップである。
810はポストであり、820はリング電極であり、830はレーザ発光領域であり、840は基板である。
図9に実施例6に係る電子写真記録方式の画像形成装置の構造図を示す。この画像形成装置には上記実施例で説明した面発光レーザまたは面発光レーザアレイを実装することができる。
120 下部反射鏡
130 スペーサ層
131 第1の半導体層
132 第2の半導体層
133 スペーサ層の最上部に位置する第1の半導体層
134 上部に位置する第2の半導体層
140 下部クラッド層
150 活性層
160 上部クラッド層
170 上部反射鏡
Claims (17)
- 波長λで発振する面発光レーザであって、
上部反射鏡と、
下部反射鏡と、
前記上部反射鏡と前記下部反射鏡との間に形成された活性層と、
前記上部反射鏡と前記活性層との間、または、前記下部反射鏡と前記活性層との間に形成されたスペーサ層とを有し、
前記スペーサ層は、AlXGa1−XAsを有する第1の半導体層(1≧x>0)と、AlyGa1−yAs(1>y>0、かつ、x>y)を有する第2の半導体層とが積層されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記第1の半導体層がAlXGa1−XAs(1≧X≧0.90)を有することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体層がAlAsを有することを特徴とする請求項1または2に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層がλ/2の整数倍の光学的膜厚で積層されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の光学的膜厚が等しいことを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体層が前記第2の半導体層よりも前記活性層に近い場所に配されており、該第1の半導体層の光学的膜厚は、該第2の半導体層の光学的膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1から5のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 前記活性層はGaInPで構成され、前記波長λは630nm以上690nm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 前記第2の半導体層がAlyGa1−yAs(1>y≧0.50)を有することを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザ。
- 前記第2の半導体層がAlyGa1−yAs(0.60≧y≧0.50)を有することを特徴とする請求項7または8に記載の面発光レーザ。
- 前記スペーサ層を構成する層の最上層は、Al組成が0.95以下のAlGaAsであることを特徴とする請求項1から9のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 前記上部反射鏡と前記下部反射鏡により規定される共振器長において、該共振器長が、2μm以上であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体層の厚さは1μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。
- 前記上部反射鏡および前記下部反射鏡は、多層膜反射鏡により構成されていることを特徴とする請求項1から12のいずれか一つに記載の面発光レーザ。
- 請求項1から13のいずれか一つに記載の面発光レーザを基板上に1次元または2次元に集積したことを特徴とする面発光レーザアレイ。
- 感光体と、該感光体を帯電するための帯電手段と、帯電された該感光体に静電像を形成するための光を照射する光ビーム照射手段と、該光ビーム照射により形成された静電像を現像するための現像手段とを有する画像形成装置において、
前記光ビーム照射手段の光源として、請求項1から13のいずれか一つに記載の面発光レーザまたは請求項14に記載の面発光レーザアレイを用いることを特徴とする画像形成装置。 - 波長λで発振する面発光レーザであって、
上部反射鏡と、
下部反射鏡と、
前記上部反射鏡と前記下部反射鏡との間に形成された活性層と、
前記上部反射鏡と前記活性層との間、または、前記下部反射鏡と前記活性層との間に形成されたスペーサ層とを有し、
前記スペーサ層は、第1の半導体層と、該第1の半導体層よりも熱伝導率が低い第2の半導体層が積層されることにより構成されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記第1の半導体層と、前記第2の半導体層の光学的膜厚はλ/2の整数倍であることを特徴とする請求項16に記載の面発光レーザ。
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