JP2009147164A - 処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置 - Google Patents

処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009147164A
JP2009147164A JP2007323736A JP2007323736A JP2009147164A JP 2009147164 A JP2009147164 A JP 2009147164A JP 2007323736 A JP2007323736 A JP 2007323736A JP 2007323736 A JP2007323736 A JP 2007323736A JP 2009147164 A JP2009147164 A JP 2009147164A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
storage tank
bubbles
processing
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007323736A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009147164A5 (ja
Inventor
Harumichi Hirose
治道 廣瀬
Masayasu Abe
正泰 安部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2007323736A priority Critical patent/JP2009147164A/ja
Publication of JP2009147164A publication Critical patent/JP2009147164A/ja
Publication of JP2009147164A5 publication Critical patent/JP2009147164A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】この発明はナノバブルよりも大径な気泡を含んでいない処理液を供給することができる処理液の供給装置を提供することにある。
【解決手段】ナノバブルだけを含む処理液を供給する処理液の供給装置であって、
処理液微細気泡を発生させるナノバブル発生器3と、気泡を含む処理液を貯える貯液槽1と、貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する第1、第2の輝度検出センサ34,35と、第1、第2の輝度検出センサによって処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに貯液槽に貯えられた処理液を供給する制御装置36を具備する。
【選択図】図4

Description

この発明は、たとえば半導体ウエーハや液晶セルのガラス基板などの基板を処理する処理液に含まれる気泡を微細化して供給する処理液の供給装置及び供給方法に関する。
半導体装置や液晶表示装置などを製造する場合、半導体ウエーハやガラス基板などの基板に回路パタ−ンを形成するリソグラフィープロセスがある。このリソグラフィープロセスは、周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
ついで、レジストの光が照射されない部分あるいは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングする。そして、エッチング後にレジストを除去するという一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などによって基板を処理する工程、さらに洗浄液によって洗浄する工程、洗浄後に基板を乾燥する工程が必要となる。
最近では、処理液を加圧気体で単に加圧するだけでなく、気体を微細なバブルにして処理液中に混合させることで、上記処理液による処理効率を向上させるなどのことが行なわれている。特許文献1には処理液中にマイクロバブルを混合させることで、処理効率の向上を図るようにした処理装置が示されている。
特許文献1に示された処理装置は純水及び窒素ガスが導入される気液混合ポンプを有する。純水と窒素ガスは気液混合ポンプにおいて混合され、マイクロバブル発生部を構成する旋回加速器に送られる。旋回加速器は純水と窒素ガスを加速して旋回させ、気液2層流を形成して分散器へ送り出す。分散器は、送り込まれた気液2層流を流体力学的に剪断して窒素ガスのマイクロバブルを形成する。そして、マイクロバブルを含む純水が処理槽に送られて基板を処理するというものである。
特開2006−179765号公報
ところで、上述したマイクロバブルは直径が10〜100μmであり、処理液に通常の状態で含まれる気泡に比べて十分に微細である。しかしながら、たとえば直径が1μm以下のナノバブルに比べると非常に大きいバブルである。そして、直径の大きなマイクロバブルが基板の表面に滞留すると、処理液による基板の処理を阻害するということがある。たとえば、処理液がエッチング液、剥離液或いは洗浄液などの場合、基板の表面に滞留する気泡によって処理ムラが生じるということがあり、好ましくない。
そこで、処理液に含まれる気泡をマイクロバブルに比べてさらに微細なナノバブルにし、処理液による処理ムラなどの発生を防止するということが考えられている。処理液に含まれる気泡をナノバブルにする場合、特許文献1に示されたマイクロバブル発生部の旋回加速器から分散器に送り込まれる気液2層流の旋回速度を適宜設定、たとえば旋回速度差を大きくするなどのことで、気液2層流を流体力学的に剪断する剪断力を大きくしてナノバブルの生成を可能にすることができる。
しかしながら、そのようにしてナノバブルを生成したとしても、気液2層流に含まれる気体が全てナノバブルとなるものではない。そのため、処理液にはナノバブルだけでなく、マイクロバブル或いはそれ以上に直径の大きなバブルも含まれることになるから、基板を処理する際に、そのマイクロバブル或いはそれ以上に直径の大きなバブルによって処理ムラが発生するということがある。
この発明は、ナノバブルよりも大きな直径のバブルの混入を防止した処理液を供給することができるようにした処理液の供給装置、供給方法及びその供給装置を用いた基板処理装置を提供することにある。
この発明は、処理液を供給する処理液の供給装置であって、
上記処理液に微細気泡を発生させる微細気泡発生手段と、
この微細気泡を含む処理液を貯える貯液槽と、
この貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する光学検出手段と、
この光学検出手段によって上記処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに上記貯液槽に貯えられた処理液を供給可能とする制御手段と
を具備したことを特徴とする処理液の供給装置にある。
上記光学検出手段は、上記貯液槽の上下方向に向けて検出光を出力する光源と、この光源から出力された検出光によって上記貯液槽に貯えられた処理液中に存在する気泡の大きさの差によって生じる輝度の差を検出する輝度検出センサを備えていることが好ましい。
上記光学検出手段は、上記貯液槽の上下方向に向けて検出光を出力する光源と、この光源から出力された検出光が上記貯液槽に貯えられた処理液に存在する気泡の大きさに応じて生じる散乱度合を検出するビーム幅検出センサを備えていることが好ましい。
上記気泡微細化手段によって気泡が微細化された処理液が交互に供給される第1の貯液槽と第2の貯液槽を設け、
上記制御手段は上記光学検出手段によって処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出された貯液槽の処理液を供給することが好ましい。
この発明は、ナノバブルだけを含む処理液を供給する処理液の供給方法であって、
上記処理液に微細気泡を発生させる工程と、
微細気泡を含む処理液を貯液槽に貯える工程と、
貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する工程と、
上記処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに貯えられたその処理液を上記貯液槽から供給可能とする工程と
を具備したことを特徴とする処理液の供給方法にある。
この発明は、基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
上記基板処理装置は上記処理液の供給装置を備え、
上記供給装置は請求項1に記載された構成であることを特徴とする基板処理装置にある。
この発明によれば、処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出し、処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに処理液を供給できるようにしたから、処理液にナノバブルより大きな直径のバブルが含まれるのを防止することが可能になる。
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1に示す処理液の供給装置は第1の貯液槽1と第2の貯液槽2を備えている。第1の貯液槽1と第2の貯液槽2には微細気泡発生手段としてのナノバブル発生器3によって、微細化された気泡が含まれる処理液Lが供給されるようになっている。
上記ナノバブル発生器3は図2に示すように内部に剪断室6が形成された中空状の本体7を有する。上記剪断室6は、一端が上記本体7の軸方向先端面に形成された噴射口8に連通し、他端が上記本体7の後端面に形成された気体供給口9に連通している。
上記剪断室6は、上記気体供給口9に連通する後端から後端部中途部に向かって拡径した円錘台形状の後部空間部6aと、この後部空間部6aから先端に向かって徐々に縮径形成された円錘台形状の前部空間部6bとによって形成されていて、上記剪断室6の後部空間部6aと前部空間部6bの境界部分には上記本体7の外周面に開口する液体供給口10が形成されている。
上記気体供給口9には気体旋回用口金11が設けられている。この気体旋回用口金11には一端が気体供給ポンプ12に接続された気体供給管13の他端が接続されている。この気体供給管13の中途部には第1の開閉弁14が設けられている。上記気体供給ポンプ12の吸引側は図示しない高圧ボンベなどの気体供給源に接続されている。この気体供給源は気体としてたとえば酸素を供給するようになっている。
上記気体旋回用口金11の詳細は図示しないが、この気体旋回用口金11は内部に螺旋溝が形成されている。それによって、上記第1の開閉弁14を開けば、上記気体供給管13を通じて上記気体供給ポンプ12から供給された酸素を旋回させて上記剪断室6の後部空間部6aから前部空間部6bに向かって噴出させ、上記剪断室6内に図2に鎖線で示すように酸素の気体空洞部15を形成するようになっている。この実施の形態では、気体旋回用口金11の螺旋溝は、上記気体を上記本体7の後端側から見て反時計方向に旋回させるようになっている。気体の旋回方向を図2に矢印aで示す。
上記液体供給口10には液体供給口金16が本体7の周方向に対して図3に示すように時計方向にθ1の角度で傾斜し、しかも図2に示すように軸線方向に対して後端側に向かってθ2の角度で傾斜して接続されている。
図1に示すように、上記液体供給口金16には循環主管17が接続されている。この循環主管17は第1の循環分岐管18aと第2の循環分岐管18bとに分岐されている。第1の循環分岐管18aは第1の液体供給ポンプ21及び第2の開閉弁22を介して上記第1の貯液槽1の底部に接続されている。第2の循環分岐管18bは第2の液体供給ポンプ23及び第3の開閉弁24を介して上記第2の貯液槽2の底部に接続されている。
それによって、上記第2の開閉弁22を開いて第1の液体供給ポンプ21を作動させれば、第1の循環分岐管18aを通じて第1の貯液槽1に貯えられた処理液Lが上記ナノバブル発生器3に供給される。
上記第2の開閉弁22を閉じ、上記第3の開閉弁24を開いて第2の液体供給ポンプ23を作動させれば、第2の循環分岐管18bを通じて第2の貯液槽2に貯えられた処理液Lが上記ナノバブル発生器3に供給される。
なお、第1、第2の貯液槽1,2にはそれぞれ処理液Lとなる液体、たとえば純水が給液管25を通じて供給される。
上記ナノバブル発生器3に供給される上記第1、第2の貯液槽1,2に貯えられた処理液L(純水)は、上記液体供給口金16の傾斜角度θ1によって上記酸素と同様、反時計径方向に旋回し、しかも上記液体供給口金16の傾斜角度θ2によって前部空間部7b側に向かって進行する方向に流れる。
上記気体供給ポンプ12によって酸素の供給圧力はP1に設定され、上記第1、第2の液体供給ポンプ21,23によって処理液Lの供給圧力はP2に設定されている。P1<P2になるよう設定されている。それによって、上記本体7の剪断室6に供給される酸素の旋回速度V1と処理液Lの旋回速度V2の関係は、V1<V2となる。
この実施の形態では、酸素の旋回速度V1は毎秒400回転、処理液Lの旋回速度V2は毎秒600回転になるよう、酸素の供給圧力P1と処理液Lの供給圧力P2が設定されている。
上記剪断室6の軸方向後端から供給された酸素は矢印aで示すように旋回する気体空洞部15となって噴射口8に向かって進行する。上記剪断室6の外周面から供給された処理液Lは旋回する酸素の気体空洞部15の外周面を旋回しながら上記噴射口8に向かって進行する。処理液の旋回方向を図2に矢印bで示す。
酸素の旋回速度V1は処理液Lの旋回速度V2よりも遅くなるよう設定されている。そのため、酸素と処理液Lとの旋回速度の差により、酸素が処理液Lによって流体力学的に剪断されるから、その剪断作用によって酸素のナノバブルが発生することになる。そして、上記剪断室6の先端の噴射口8からは酸素のナノバブルを含む処理液Lが噴射されることになる。
上記噴射口8から噴射された処理液Lは給液主管26に供給される。この給液主管26からは第1の給液分岐管26aと第2の給液分岐管26bとが分岐されている。第1の給液分岐管26aの中途部には第4の開閉弁27が設けられ、先端部は上記第1の貯液槽1の内部に位置している。上記第2の給液分岐管26bの中途部には第5の開閉弁28が設けられ、先端部は上記第2の貯液槽2の内部に位置している。
それによって、上記ナノバブル発生器3の噴射口8から噴射されるナノバブルを含む処理液Lは上記第1の貯液槽1或いは第2の貯液槽2のいずれかに選択的に供給できるようになっている。
酸素と処理液Lとの旋回速度の差によってナノバブルを生成するようにした場合、ナノバブル発生器3で気体空洞部15を形成する気体の全てに流体力学的に同じ剪断力が作用するものでないから、上記噴射口8から噴射されて第1或いは第2の貯液槽1,2に供給される処理液Lにはナノバブルだけでなく、ナノバブルよりも径の大きなマイクロバブル、或いはそれ以上に大きな径のバブルも含まれる。
そこで、第1の貯液槽1或いは第2の貯液槽2に貯留された処理液Lに含まれる気泡にナノバブルよりも大きなマイクロバブルやそれ以上に大きな気泡が含まれているか否かが光学検出手段としての図4に示す輝度検出手段31によって検出されるようになっている。
上記輝度検出手段31は検出光としてのレーザ光Bを出力する光源としてのレーザ発振器32が出射面32aを各貯液槽1,2の底壁に液密に形成されたレーザ光Bを透過する透過窓33に対向させて配置されている。それによって、上記レーザ発振器32から出力されたレーザ光Bは各貯液槽1,2の処理液L中を底部から上方に向かってを進行する。
レーザ光Bを各貯液槽1,2内の底部から上方に向かって進行させたとき、処理液Lに含まれる気泡の大きさによって異なるレーザ光Bの輝度が第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とによって検出される。
上記第1の輝度検出センサ34は各貯液槽1,2の下部付近の輝度B1を検出し、第2の輝度検出センサ35は上部付近の輝度B2を検出する。そして、第1の輝度検出センサ34と、第2の輝度検出センサ35の検出信号は制御装置36に設けられた比較部36aで比較され、その比較信号は判定部36bで判定される。そして、その判定結果に応じて出力部36cから制御信号Sが出力されるようになっている。
各貯液槽1,2の側壁には上記第1、第2の輝度センサ34,35による内部の輝度の検出を可能にする透光性の検出窓34a,35aが上記第1、第2の輝度センサ34,35に対向して液密に形成されている。なお、各貯液槽1,2は透過窓33や検出窓34a,35aを形成せず、全体を透光性の材料で形成するようにしてもよい。
処理液Lに含まれる気泡のうち、ナノバブルはマイクロバブルやそれよりも径の大きな気泡に比べて浮力が小さいため、処理液L中に滞留する。それに対し、ナノバブルよりも径の大きなマイクロバブルやそれ以上の大きさのバブルは浮力が大きいために処理液L中を浮上して大気中に放散される。
レーザ光Bによってナノバブル、マイクロバブル或いはそれよりも大きな気泡が照射されると、ナノバブルの輝度がマイクロバブル或いはそれよりも大きなバブルよりも大きくなる。
したがって、各貯液槽1,2内をマイクロバブルやそれ以上の気泡が浮上している間は第1の輝度検出センサ34が検出する輝度B1が第2の輝度検出センサ35が検出する輝度B2よりも大きくなるが、各貯液槽1,2内でマイクロバブルやそれ以上の気泡が浮上して大気に放散され終わると、処理液L中にはナノバブルだけが存在するから、第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35が検出する輝度B1,B2がほぼ同じになる。
つまり、制御装置36の比較部36a及び判定部36bによって処理液L中にマイクロバブルやそれ以上の気泡が存在するか否か、つまり処理液L中にナノバブル以外の気泡が存在するか否かを判定することができる。
図1に示すように、第1の貯液槽1の下部には中途部に第6の開閉弁38が設けられた第1の処理液供給管39が接続され、第2の貯液槽2の下部には中途部に第7の開閉弁41が設けられた第2の処理液供給管42が接続されている。
第1の処理液供給管39と第2の処理液供給管42は中途部に第3の液体供給ポンプ43が設けられた主処理液供給管44に接続されている。上記第3の液体供給ポンプ43は上記判定部36bによって第1、第2の貯液槽1,2内の処理液Lにナノバブル以外の気泡が含まれていないと判定されたときに上記出力部36cから出力される制御信号Sによって駆動させることが可能となる。
したがって、上記出力部36cから制御信号Sが出力されてから、上記第3の液体供給ポンプ43を作動させれば、第1の貯液槽1或いは第2の貯液槽2に貯留された処理液Lを上記主処理液供給管44を通じて半導体ウエーハや液晶表示装置用のガラス基板などの基板処理装置45に供給することができるようになっている。
このような構成の処理液Lの供給装置によれば、まず、第1の貯液槽1に給液管25によって所定量の処理液Lが供給される。第1の貯液槽1に供給された処理液Lが第1の液体供給ポンプ21によって気体供給ポンプ12からの気体とともにナノバブル発生器3に供給される。それによって、ナノバブル発生器3では微細気泡は生成され、その微細気泡を含む処理液が作られる。
ナノバブル発生器3作られた微細気泡を含む処理液Lは、給液主管26及び第1の給液分岐管26aを通じて第1の貯液槽1に供給される。第1の貯液槽1に所定量の処理液Lが供給されると、その処理液Lに含まれる気泡の輝度が第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とで検出される。つまり、第1の処理槽1の下部と上部とで処理液Lに含まれる気泡の輝度が検出される。
処理液Lに含まれる気泡のうち、ナノバブルは処理液L中を浮遊し、ナノバブルよりも径の大きな気泡は処理液L中を上方へ浮上してゆく。そのため、処理液Lにナノバブルよりも大きな気泡が含まれている間は第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とが検出する輝度B1,B2が異なる。
しかしながら、時間が経過してナノバブルよりも大きな気泡のほとんどが処理液L中を浮上して大気に放散され、第1の貯液槽1に含まれる気泡がほぼナノバブルだけになると、上記第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とが検出する輝度B1,B2がほぼ同じになり、そのことが制御装置36の比較部36aで検出され、判定部36bによって判定される。
つまり、第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とが検出する輝度B1とB2がほぼ同じになると、判定部36Bは処理液L中の気泡がナノバブルだけになったものと判定する。
判定部36bによって処理液Lに含まれる気泡がナノバブルだけであることが判定されると、出力部36cから制御信号Sが出力されて主処理液供給管44に設けられた第3の液体供給ポンプ43が作動可能となる。
なお、判定部36bが処理液Lに含まれる気泡がナノバブルだけであると判定したときに、そのことを図示しない表示装置などによって表示したり、スピーカによって音声で知らせるようにしてもよい。
出力部36cから制御信号Sが出力されたならば、第1の処理液供給管39に設けられた第6の開閉弁38を開き、主処理液供給管44に設けられた第3の液体供給ポンプ43を作動させる。それによって、第1の貯液タンク1に貯えられたナノバブルだけを含む処理液Lを基板処理装置45に供給することができる。
第1の貯液槽1にナノバブル発生器3で作られた微細気泡を含む処理液Lを供給し終えたならば、第2の貯液槽2にナノバブル発生器3によって作られた微細気泡を含む処理液Lを供給する。そして、第1の貯液槽1の場合と同様、処理液Lに含まれる気泡がナノバブルだけであるか否かを第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とによって検出する。
第1の輝度検出センサ34と第2の輝度検出センサ35とによって処理液Lに含まれる気泡がナノバブルだけであることが比較部36aによって検出され、そのことが判定部36bで判定されて出力部36cから制御信号Sが出力されたならば、第2の貯液槽2の処理液Lが基板処理装置45で使用可能な状態となる。
したがって、第1の貯液槽1に貯えられた処理液Lが使用し終わったならば、第6の開閉弁38を閉じた後、第2の処理液供給管42に設けられた第7の開閉弁41を開いて第3の液体供給ポンプ43を作動させれば、第2の貯液槽2に貯えられた、ナノバブルだけを含む処理液Lを基板処理装置45に供給することができる。
このように、基板処理装置45にナノバブルだけを含む処理液Lを確実に供給することができれば、上記基板処理装置45で基板Wに対するエッチング液、剥離液或いは洗浄液などの処理液Lによる処理をムラが生じることなく確実に行うことが可能となる。
上記構成の供給装置では2つの貯液槽、つまり第1の貯液槽1と第2の貯液槽2を設けるようにした。そのため、これら貯液槽1,2のどちらか一方の処理槽によってナノバブルだけを含む処理液1を基板処理装置44に供給し、その間に他方の処理槽で処理液の生成を行なうことができるから、ナノバブルだけを含む処理液Lを上記基板処理装置44に効率よく、つまり連続的に供給することが可能となる。
なお、供給装置に設けられる貯液槽の数は2つに限られず、1つ或いは3つ以上であってもよい。
上記実施の形態において、第6の開閉弁38と第7の開閉弁41の開閉制御及び第3の供給ポンプ43の発停制御は手動或いは自動のどちらであってもよく、また開閉弁38、41と第3の供給ポンプ43のどちらかを自動、他方を自動で制御するようにしても差し支えない。
図5はこの発明の第2の実施の形態を示す。なお、第1の実施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略する。この第2の実施の形態は光学検出手段の変形例であって、レーザ発振器32から出力されて第1、第2の貯液槽1,2の底部から上方に向かって進行するレーザ光Bのビーム幅を、貯液槽1,2の底部付近では第1のビーム幅検出センサ47によって検出し、上部付近では第2のビーム幅検出センサ48によって検出する。
処理液L中に散在する多数の微細な気泡に光を当てると、光がレイリー散乱によって散乱するため、処理液L中を進行するレーザ光Bの通路を見ることができる。処理液L中を進行するレーザ光Bの通路の幅寸法、つまりレーザ光Bの散乱度合は気泡の大きさが小さいほど小さく、大きいほど大きくなる。第1、第2のビーム幅検出センサ47、48としてはたとえばたとえばラインセンサなどが用いられる。
したがって、処理液L中を進行するレーザ光Bの通路の幅寸法は、処理液Lに含まれる気泡がナノバブルの場合には、マイクロバブルやそれ以上の大きさの気泡の場合に比べて狭くなる。
そのため、貯液槽1,2の底部付近の処理液Lを通過するレーザ光Bの幅寸法W1と、上部付近を通過するレーザ光Bの幅寸法W2を、第1、第2のビーム幅検出センサ47,48によってそれぞれ検出して比較すれば、処理液L中にナノバブルよりも大きな気泡が残留しているか否かを検出することができる。
たとえば、レーザ光Bの幅寸法W1とW2がほぼ同じになったならば、処理液L中に含まれる気泡がほぼナノバブルだけになったものと判定される。
それによって、第1の実施の形態と同様、第1、第2のビーム幅検出センサ47,48の検出に基づいて第1、第2の貯液槽1,2から基板処理装置45にナノバブルだけを含む処理液Lを供給することが可能となる。
上記各実施の形態では、制御装置36の出力部36cから出力される制御信号Sによって主処理液供給管44に設けられた第3の液体供給ポンプ43を作動させることができるようにしたが、第1、第2の処理液供給管39,42に設けられる第6、第7の開閉弁38,41を電動式にし、これら開閉弁38,41も上記制御信号Sによって作動させることができるようにしてもよい。
上記各実施の形態において、第1、第2の輝度検出センサ34、35及び第1、第2のビーム幅検出センサ47、48の検出信号に基いて処理液Lに含まれる気泡がナノバブルだけであると判定するようにしているが、各センサの検出に基く判定は処理液中にナノバブル以外の気泡、たとえばマイクロバブルが全く含まれていないということではなく、ナノバブルよりも径の大きな気泡が多少含まれている場合であっても、検出時の条件、たとえばセンサの感度や処理液中の気泡の移動状態などによっては処理液Lに含まれる気泡がナノバブルだけであると判定することもある。
この発明の第1の実施の形態を示す処理液の供給装置の概略的構成図。 ナノバブル発生器の断面図。 ナノバブル発生器を後方から見た側面図。 貯液槽内の処理液に含まれる気泡の大きさを光学的に検出する光学検出手段の説明図。 この発明の第2の実施の形態を示す貯液槽内の処理液に含まれる気泡の大きさを光学的に検出する光学検出手段の説明図。
符号の説明
1…第1の貯液槽、2…第2の貯液槽、3…ナノバブル発生器(気泡微細化手段)、31…輝度検出手段(光学検出手段)、34…第1の輝度検出センサ、35…第2の輝度検出センサ、36…制御装置(制御手段)、47…第1のビーム幅検出センサ、48…第2のビーム幅検出センサ。

Claims (6)

  1. 処理液を供給する処理液の供給装置であって、
    上記処理液に微細気泡を発生させる微細気泡発生手段と、
    この微細気泡を含む処理液を貯える貯液槽と、
    この貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する光学検出手段と、
    この光学検出手段によって上記処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに上記貯液槽に貯えられた処理液を供給可能とする制御手段と
    を具備したことを特徴とする処理液の供給装置。
  2. 上記光学検出手段は、上記貯液槽の上下方向に向けて検出光を出力する光源と、この光源から出力された検出光によって上記貯液槽に貯えられた処理液中に存在する気泡の大きさの差によって生じる輝度の差を検出する輝度検出センサを備えていることを特徴とする請求項1記載の処理液の供給装置。
  3. 上記光学検出手段は、上記貯液槽の上下方向に向けて検出光を出力する光源と、この光源から出力された検出光が上記貯液槽に貯えられた処理液に存在する気泡の大きさに応じて生じる散乱度合を検出するビーム幅検出センサを備えていることを特徴とする請求項1記載の処理液の供給装置。
  4. 上記気泡微細化手段によって気泡が微細化された処理液が交互に供給される第1の貯液槽と第2の貯液槽を設け、
    上記制御手段は上記光学検出手段によって処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出された貯液槽の処理液を供給することを特徴とする請求項1記載の処理液の供給装置。
  5. ナノバブルだけを含む処理液を供給する処理液の供給方法であって、
    上記処理液に微細気泡を発生させる工程と、
    微細気泡を含む処理液を貯液槽に貯える工程と、
    貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する工程と、
    上記処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに貯えられたその処理液を上記貯液槽から供給可能とする工程と
    を具備したことを特徴とする処理液の供給方法。
  6. 基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
    上記基板処理装置は上記処理液の供給装置を備え、
    上記供給装置は請求項1に記載された構成であることを特徴とする基板処理装置。
JP2007323736A 2007-12-14 2007-12-14 処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置 Withdrawn JP2009147164A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007323736A JP2009147164A (ja) 2007-12-14 2007-12-14 処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007323736A JP2009147164A (ja) 2007-12-14 2007-12-14 処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009147164A true JP2009147164A (ja) 2009-07-02
JP2009147164A5 JP2009147164A5 (ja) 2011-02-03

Family

ID=40917428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007323736A Withdrawn JP2009147164A (ja) 2007-12-14 2007-12-14 処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009147164A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10219670B2 (en) 2014-09-05 2019-03-05 Tennant Company Systems and methods for supplying treatment liquids having nanobubbles

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10219670B2 (en) 2014-09-05 2019-03-05 Tennant Company Systems and methods for supplying treatment liquids having nanobubbles

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101407122B1 (ko) 마이크로 버블 발생 장치
JP4929874B2 (ja) 微細気泡発生装置
JP2006346638A (ja) 加圧溶解装置の吐出流路
CZ103895A3 (en) Apparatus for dissolving gases in liquids
JPH11207162A (ja) 加圧式酸素溶解方法
KR101166457B1 (ko) 와류 발생부 및 와류 제거부의 2단 복합 구조를 갖는 미세기포 발생장치 및 이를 이용한 미세기포를 발생시키는 방법
JP2009208051A (ja) 水素水及び水素水生成装置
JP2013043113A (ja) 溶解分離タンクおよび気液混合溶解装置
JP2012250138A (ja) 微細気泡生成ノズルおよび微細気泡生成装置
JP2009147164A (ja) 処理液の供給装置、供給方法及び基板処理装置
US11130101B2 (en) Bubble generating device for sewage purification
KR101688638B1 (ko) 오존 미세 기포를 이용한 유기물 세정 장치
JP2009188116A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2011072950A (ja) 処理装置
JP2009112947A (ja) 処理液の製造装置及び製造方法
JP2006297239A (ja) 廃水処理における加圧浮上分離装置、汚泥濃縮システム及び加圧浮上分離方法
JPH06165808A (ja) 気泡発生装置
JP3717471B2 (ja) 気体溶解装置
JP2008093607A (ja) 有機性廃水処理装置および有機性廃水処理方法
JP6393152B2 (ja) 微細気泡発生装置
JP2011072903A (ja) バブル生成方法及び装置及びその装置を用いた処理装置
JP6037649B2 (ja) 微細気泡発生装置、微細気泡発生方法、基板処理装置、および基板処理方法
JP2007105010A (ja) 活魚生残率向上装置及び活魚生残率向上方法
JP2010042380A (ja) 微細気泡混入水の供給装置
JP2009178702A (ja) 気液混合設備

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Effective date: 20101209

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A621 Written request for application examination

Effective date: 20101209

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110218