JP2009132966A - Film deposition system - Google Patents

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Shigeji Matsumoto
繁治 松本
Yoshihiro Kosaka
佳弘 高坂
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Shincron Co Ltd
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Shincron Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition system 1 which is excellent in maintenability capable of performing the maintenance of a film deposition system and the reregulation of a film deposition source in a short period of time. <P>SOLUTION: The vapor deposition system 1 has a vacuum chamber 2 whose inside is disposed with film deposition mechanisms (an evaporation source 6, a gas introduction tube 10b, a substrate holder 4 and a rotation supporting frame 12a). The vacuum chamber 2 comprises: a bottom plate 22; a plurality of side columns 206a to 206d erected on the corner part 2022 of the bottom plate 22 so as to form a treatment space on the bottom plate 22 via a bottom frame 202; a top plate 24 provided at the upper edges of a plurality of the side columns 206a to 206d so as to clog the upper opening of the treatment space via a top frame 204; and a plurality of side plates 26, 28, 30 freely openable/closable to a side opening formed between the adjoining column members with hinges 40, 42, 44 whose one end is connected to the side columns 206a, 206c, 206d as rolling supporting points. The film deposition mechanisms are arranged only at the bottom plate 22 and the top plate 24, and the side plates 26, 28, 30 do not have the film deposition mechanisms. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空蒸着装置などの成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus such as a vacuum vapor deposition apparatus.

溶接により製作された柱と板からなる骨格部材と、当該骨格部材により包囲された空間を気密封止するように骨格部材に取り付けられた複数の扉とから成り、当該扉は、骨格部材が形成する隣合う二つの面に扉が設けてある骨格構造を有する真空容器を用いた成膜装置は知られている(特許文献1)。   It consists of a skeleton member made of pillars and plates manufactured by welding, and a plurality of doors attached to the skeleton member so as to hermetically seal the space surrounded by the skeleton member, and the door is formed by the skeleton member A film forming apparatus using a vacuum vessel having a skeleton structure in which doors are provided on two adjacent surfaces is known (Patent Document 1).

特公平7−4516JP 7-4516

しかしながら、特許文献1記載の真空容器では、天板や底板に回動支点の一部が接続してある。このため、何らかの理由、例えば成膜機構の保守点検や成膜源の再調整などで、天板や底板を取り外す必要が生じた場合に、容器側面に回動可能に配置される扉についても同時に取り外さなければならず、時間や手間がかかり、メンテナンス性に課題を有していた。   However, in the vacuum container described in Patent Document 1, a part of the rotation fulcrum is connected to the top plate and the bottom plate. For this reason, when it becomes necessary to remove the top plate or the bottom plate for some reason, for example, maintenance inspection of the film forming mechanism or readjustment of the film forming source, the door disposed on the side surface of the container can be rotated simultaneously. It had to be removed, took time and effort, and had a problem in maintainability.

本発明が解決しようとする課題は、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a film forming apparatus excellent in maintainability.

本発明は、以下の解決手段によって上記課題を解決する。なお、本発明の実施形態を示す図面に対応する符号を付して説明するが、この符号は本発明の理解を容易にするためだけのものであって本発明を限定する趣旨ではない。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, although the code | symbol corresponding to drawing which shows embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, this code | symbol is only for making an understanding of this invention easy, and is not the meaning which limits this invention.

本発明に係る成膜装置(1)は、真空槽(2)を有する。真空槽(2)の内部に成膜機構(6、10b、4、12a)が配置してある。   The film forming apparatus (1) according to the present invention has a vacuum chamber (2). A film forming mechanism (6, 10b, 4, 12a) is arranged inside the vacuum chamber (2).

真空槽(2)は、底部材(22)と、複数の柱部材(206a〜206d)と、天部材(24)と、複数の開閉部材(26,28,30)とを有する。   The vacuum chamber (2) includes a bottom member (22), a plurality of column members (206a to 206d), a top member (24), and a plurality of opening / closing members (26, 28, 30).

柱部材(206a〜206d)は、底部材(22)上に処理空間を形成するように底部材(22)の角隅部近傍に立設される。天部材(24)は、処理空間の上方開口を閉塞するように複数の柱部材(206a〜206d)の上端近傍に設けられる。開閉部材(26,28,30)は、一端が柱部材(206a〜206d)に接続された回動部材(40,42,44)を回動支点に、隣接する柱部材間に形成された側方開口に対して開閉自在に配置される。   The column members (206a to 206d) are erected near the corners of the bottom member (22) so as to form a processing space on the bottom member (22). The top member (24) is provided in the vicinity of the upper ends of the plurality of column members (206a to 206d) so as to close the upper opening of the processing space. The open / close members (26, 28, 30) are formed on the side formed between adjacent column members, with the rotation members (40, 42, 44) having one ends connected to the column members (206a to 206d) as rotation fulcrums. It is arranged to be openable and closable with respect to the direction opening.

そして、底部材(22)及び天部材(24)にのみ成膜機構を配置しており、開閉部材(26,28,30)には成膜機構を有しない。   The film forming mechanism is arranged only on the bottom member (22) and the top member (24), and the opening / closing members (26, 28, 30) do not have the film forming mechanism.

なお、「成膜機構」とは、直接的に成膜に拘わる装置や部材、例えば成膜源、基板ホルダ、膜厚補正機構、膜厚監視装置、プラズマ発生手段、イオンビーム照射手段などを意味し、間接的にしか成膜に拘わらない排気系などの装置や部材は除く趣旨である。   The “film formation mechanism” means an apparatus or member directly related to film formation, such as a film formation source, a substrate holder, a film thickness correction mechanism, a film thickness monitoring device, a plasma generation unit, an ion beam irradiation unit, and the like. However, it is intended to exclude devices and members such as an exhaust system that are only indirectly involved in film formation.

本発明の成膜装置は、何れかの開閉部材をクリーンルームの室内側に面するように配置し、他の開閉部材をクリーンルームの室外側に面するように配置することが好ましい。   In the film forming apparatus of the present invention, it is preferable that one of the opening / closing members is disposed so as to face the indoor side of the clean room, and the other opening / closing member is disposed so as to face the outside of the clean room.

本発明の基板取り出し方法は、クリーンルームの室外側に面する少なくとも何れかの開閉部材を開き、柱部材との間に間隙を形成した状態で所定時間保持し、間隙から装置内ダストを装置外へ吐出させ、その後間隙を閉じた後、クリーンルームの室内側に面する何れかの開閉部材を開け、装置内から処理済の基板を搬出させることを特徴とする。   In the substrate take-out method of the present invention, at least one of the opening and closing members facing the outside of the clean room is opened, and a gap is formed between the opening and the pillar member, and the dust in the apparatus is discharged from the gap to the outside of the apparatus. After discharging, and then closing the gap, one of the opening / closing members facing the inside of the clean room is opened, and the processed substrate is carried out of the apparatus.

本発明によれば、真空槽の側面に取り付けられる開閉部材(扉)の回動支点を、底部材及び天部材にではなく、柱部材に接続して形成する。その結果、それぞれの面が機能的に独立する構成とすることができる。これにより、開閉部材を真空槽から取り外す煩わしさを生じさせることはなく、成膜装置の保守点検や成膜源の再調整などを短時間で確実に行うことができる。すなわちメンテナンス性に優れたものとすることができる。   According to the present invention, the rotation fulcrum of the opening / closing member (door) attached to the side surface of the vacuum chamber is formed not by connecting to the bottom member and the top member but to the column member. As a result, each surface can be configured to be functionally independent. Thereby, the troublesomeness which removes an opening-and-closing member from a vacuum chamber is not produced, but the maintenance check of a film-forming apparatus, the readjustment of a film-forming source, etc. can be performed reliably in a short time. That is, it can be excellent in maintainability.

これに加え、開閉部材(扉)の回動支点を柱部材に接続して形成するので、回動支点が固定してある面(底部材及び天部材)の利用制限がなくなるとの利点もある。具体的には、底部材及び天部材に対して、回動支点を固定するためのスペースを考慮する必要がなくなり、成膜機構などの諸設備を設置する際の自由度が拡がることが期待できる。   In addition, since the rotation fulcrum of the opening / closing member (door) is formed by connecting to the column member, there is an advantage that the use restriction of the surface (the bottom member and the top member) on which the rotation fulcrum is fixed is eliminated. . Specifically, it is not necessary to consider the space for fixing the rotation fulcrum for the bottom member and the top member, and it can be expected that the degree of freedom when installing various facilities such as a film forming mechanism is expanded. .

また、真空槽の底部材及び天部材に成膜機構を集約することで、真空槽の側面に取り付けられる開閉部材に対して、成膜機構に関する配置精度や機械精度を考慮する必要がなくなり、設置する際の設置作業が容易になる利点もある。   In addition, by consolidating the film forming mechanism on the bottom and top members of the vacuum chamber, it is not necessary to consider the placement accuracy and mechanical accuracy related to the film forming mechanism for the opening and closing members attached to the side surface of the vacuum chamber. There is also an advantage that the installation work is facilitated.

成膜装置としては、特に限定されないが、IC装置プロセスにおけるメタライゼーション用スパッタ装置、真空蒸着装置、ドライエッチング装置、CVD装置などが例示される。特に真空蒸着装置に適用して好ましい。   The film forming apparatus is not particularly limited, and examples thereof include a metallization sputtering apparatus, a vacuum deposition apparatus, a dry etching apparatus, and a CVD apparatus in an IC apparatus process. In particular, it is preferable to apply to a vacuum deposition apparatus.

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings.

本実施形態では、成膜装置として、図1A及び図1Bに示す蒸着装置1を例示して説明する。   In the present embodiment, the vapor deposition apparatus 1 shown in FIGS. 1A and 1B will be described as an example of the film forming apparatus.

《蒸着装置》
図1A及び図1Bに示すように、本実施形態に係る蒸着装置1は、一度の処理で複数の基板(図示省略)に対して蒸着可能なバッチ方式の成膜装置であって、真空チャンバ(真空槽)2を有する。真空チャンバ2の上部内面には、基板(図示省略)を保持するための基体ホルダ(基体保持手段)4が配置してある。真空チャンバ2の下部内面には、蒸着源6が配置してある。
<< Evaporation equipment >>
As shown in FIGS. 1A and 1B, a vapor deposition apparatus 1 according to this embodiment is a batch-type film deposition apparatus capable of vapor deposition on a plurality of substrates (not shown) in a single process, and is a vacuum chamber ( Vacuum chamber) 2. A substrate holder (substrate holding means) 4 for holding a substrate (not shown) is disposed on the upper inner surface of the vacuum chamber 2. On the lower inner surface of the vacuum chamber 2, a vapor deposition source 6 is disposed.

本実施形態の真空チャンバ2は、概ね中空の四角柱(6面体)の形状をした、例えばステンレススチールなどで構成される真空容器であるが、その詳細は後述する。真空チャンバ2はアースされている。真空チャンバ2の内部空間は、蒸着による成膜を行う空間である膜形成室(処理空間)2Aとなっている。   The vacuum chamber 2 of the present embodiment is a vacuum container made of, for example, stainless steel having a generally hollow quadrangular prism (hexahedron) shape, details of which will be described later. The vacuum chamber 2 is grounded. The internal space of the vacuum chamber 2 is a film formation chamber (processing space) 2A that is a space for film formation by vapor deposition.

真空チャンバ2の背面には排気系7の排気口2aが設けられ、該排気口2aを介して真空ポンプ(図示省略)が接続されている。真空ポンプを作動させることで、膜形成室2Aを真空状態にすることができる。また、真空チャンバ2には、膜形成室2Aにガスを導入するためのガス導入管10bが接続されている。   An exhaust port 2a of the exhaust system 7 is provided on the back surface of the vacuum chamber 2, and a vacuum pump (not shown) is connected through the exhaust port 2a. By operating the vacuum pump, the film forming chamber 2A can be brought into a vacuum state. The vacuum chamber 2 is connected to a gas introduction pipe 10b for introducing gas into the film forming chamber 2A.

ガス導入管10bには、ガスボンベ10が接続され、ガスボンベ10に収容されたガスを、ガスボンベ10から膜形成室2Aに供給できるようになっている。ガスボンベ10に収容するガスは特に限定されないが、形成する薄膜の構成元素等に応じて適宜都合のよいものを選ぶ。例えば、酸素ガス,窒素ガス,弗素ガス,オゾンガス等の反応性ガスやアルゴンガスがガスボンベ10に収容される。   A gas cylinder 10 is connected to the gas introduction pipe 10b, and the gas accommodated in the gas cylinder 10 can be supplied from the gas cylinder 10 to the film forming chamber 2A. The gas accommodated in the gas cylinder 10 is not particularly limited, but a convenient one is selected according to the constituent elements of the thin film to be formed. For example, a reactive gas such as oxygen gas, nitrogen gas, fluorine gas, ozone gas, or argon gas is accommodated in the gas cylinder 10.

ガスボンベを複数設置して、複数種類のガス(例えば酸素ガスとアルゴンガス)をガスボンベ10から膜形成室2Aに供給できるようにすることもできる。ガスボンベ10からのガスの流量はマスフローコントローラ10aで調整される。   A plurality of gas cylinders may be installed so that a plurality of types of gases (for example, oxygen gas and argon gas) can be supplied from the gas cylinder 10 to the film forming chamber 2A. The flow rate of the gas from the gas cylinder 10 is adjusted by the mass flow controller 10a.

基体ホルダ4は、薄膜を形成させる基板を保持するためのものであり、本実施形態の基体ホルダ4は、ほぼ円板の形状を有している。基体ホルダ4は、膜形成室2A内の上方位置に設けられている。基体ホルダ4には複数の開口が設けられている。そして、該開口から真空チャンバ2の底面を臨むように、基板が基体ホルダ4に載置され、真空チャンバ2の底面に配置された蒸着源6と、基板とが対向するようになっている。なお、基板は、ボルトや固定フランジ、板バネ等の固定具を用いて基体ホルダ4に固定される。基体ホルダ4に保持される基板は、板状のものに限らず、円柱状や円管状等であってもよい。   The substrate holder 4 is for holding a substrate on which a thin film is to be formed, and the substrate holder 4 of this embodiment has a substantially disk shape. The substrate holder 4 is provided at an upper position in the film forming chamber 2A. The substrate holder 4 is provided with a plurality of openings. The substrate is placed on the substrate holder 4 so that the bottom surface of the vacuum chamber 2 faces the opening, and the deposition source 6 disposed on the bottom surface of the vacuum chamber 2 is opposed to the substrate. The substrate is fixed to the base holder 4 using a fixing tool such as a bolt, a fixing flange, or a leaf spring. The board | substrate hold | maintained at the base | substrate holder 4 is not restricted to a plate-shaped thing, A column shape, a circular tube shape, etc. may be sufficient.

また、基体ホルダ4は、回転支持枠12aによって、真空チャンバ2内で回転可能に支持される。回転支持枠12aにはモータ12が接続されている。モータ12の回転駆動力は、回転支持枠12aを介して基体ホルダ4に伝達され、基体ホルダ4が回転する。基体ホルダ4がモータ12で回転させられることで、基体ホルダ4に保持された基板が、蒸着源6に対向した状態で回転軸線Zを中心に公転する。   The substrate holder 4 is rotatably supported in the vacuum chamber 2 by the rotation support frame 12a. A motor 12 is connected to the rotation support frame 12a. The rotational driving force of the motor 12 is transmitted to the substrate holder 4 through the rotation support frame 12a, and the substrate holder 4 rotates. When the substrate holder 4 is rotated by the motor 12, the substrate held by the substrate holder 4 revolves around the rotation axis Z while facing the vapor deposition source 6.

蒸着源6は、真空チャンバ2の底面に設けられている。本実施形態の蒸着源6は、電子ビーム蒸着源であり、薄膜の原料を保持する坩堝61と、坩堝61に充填された原料に照射する電子ビームを発生させるための電子銃62とを備えている。坩堝61には、水冷可能に配管が施されている。坩堝61に充填された蒸着原料に電子ビームを照射することにより、蒸着原料を蒸発させるように構成されている。   The vapor deposition source 6 is provided on the bottom surface of the vacuum chamber 2. The vapor deposition source 6 of this embodiment is an electron beam vapor deposition source, and includes a crucible 61 that holds a thin film raw material and an electron gun 62 for generating an electron beam that irradiates the raw material filled in the crucible 61. Yes. The crucible 61 is provided with piping so that it can be cooled with water. By irradiating the vapor deposition material filled in the crucible 61 with an electron beam, the vapor deposition material is evaporated.

電子銃62には電子銃電源63が接続されている。電子銃電源63によって電子銃62に電力を供給することで、電子銃62から電子ビームを発生させて、この電子ビームによって、坩堝61内の蒸着原料が加熱される。なお、坩堝61の上方には、シャッタ64が移動可能に配置してあり、坩堝61内の蒸着原料が十分に加熱され、蒸着処理の準備が整った後に開放されるようになっている。シャッタ64が開放されると、加熱された蒸着原料の蒸発物である原料蒸発物は、膜形成室2Aに拡散し、その一部が基体ホルダ4に保持された基板に付着して薄膜を形成する。   An electron gun power source 63 is connected to the electron gun 62. By supplying electric power to the electron gun 62 by the electron gun power source 63, an electron beam is generated from the electron gun 62, and the evaporation material in the crucible 61 is heated by this electron beam. Note that a shutter 64 is movably disposed above the crucible 61 so that the vapor deposition material in the crucible 61 is sufficiently heated and opened after the vapor deposition process is ready. When the shutter 64 is opened, the evaporated material, which is a heated evaporated material, diffuses into the film forming chamber 2A, and a part of the evaporated material adheres to the substrate held by the substrate holder 4 to form a thin film. To do.

なお、蒸着源6として、抵抗過熱蒸発源や、高周波加熱蒸発源を用いたり、レーザービームを用いた蒸着源を用いたりすることもできる。抵抗過熱蒸発源は、蒸着原料が充填されたヒータやボードに通電することで発生する電熱を利用して蒸着原料の蒸発を行う蒸着源である。高周波加熱蒸発源は、アルミナ等の坩堝に充填した蒸着原料を高周波コイルによる高周波誘導で加熱して蒸着原料の蒸発を行う蒸着源である。   As the vapor deposition source 6, a resistance overheating vapor source, a high-frequency heating vapor source, or a vapor deposition source using a laser beam can be used. The resistance overheating evaporation source is an evaporation source that evaporates the evaporation material using electric heat generated by energizing a heater or a board filled with the evaporation material. The high-frequency heating evaporation source is an evaporation source that evaporates the evaporation material by heating the evaporation material filled in a crucible such as alumina by high-frequency induction using a high-frequency coil.

本実施形態では、真空チャンバ2内に高周波プラズマ発生手段を設置し、プラズマ(電子,イオン,ラジカル等)によって成膜の補助を効率的に行うこともできる。プラズマ発生手段は、高周波を用いてプラズマを発生させるものに限らず、直流方式によってプラズマを発生させるものを用いることもできる。例えば、プラズマ発生手段として、アーク放電を行うための電極を真空チャンバ2内に設けて、この電極に直流電源から電圧を印加して、真空チャンバ2内にプラズマを発生させることもできる。   In the present embodiment, high-frequency plasma generation means can be installed in the vacuum chamber 2 to efficiently assist film formation with plasma (electrons, ions, radicals, etc.). The plasma generating means is not limited to the one that generates plasma using a high frequency, and one that generates plasma by a direct current method can also be used. For example, as a plasma generating means, an electrode for performing arc discharge may be provided in the vacuum chamber 2, and a voltage may be applied to the electrode from a DC power source to generate plasma in the vacuum chamber 2.

本実施形態では、真空チャンバ2内にイオンビーム照射手段を設け、イオンビーム照射手段からイオンビームを基体へ向けて照射しながら成膜を行うこともできる。イオンビーム照射手段としては、直流型,高周波型,マイクロ波型といった各種のイオン源を用いることができる。このようにイオンビーム照射手段を用いて成膜を行うことで、高周波プラズマ発生手段を用いた成膜に比べて、高いエネルギーをもつイオンの補助を行いながら蒸着を行うことができる。   In the present embodiment, an ion beam irradiation unit is provided in the vacuum chamber 2, and film formation can be performed while irradiating the ion beam from the ion beam irradiation unit toward the substrate. Various ion sources such as a direct current type, a high frequency type, and a microwave type can be used as the ion beam irradiation means. By performing film formation using the ion beam irradiation means in this manner, it is possible to perform vapor deposition while assisting ions having high energy as compared with film formation using high-frequency plasma generation means.

本実施形態では、真空チャンバ2の上面内部に膜厚補正板を配置してもよい。膜厚補正板は、板状の部材である。この膜厚補正板は、蒸着源6から発生する原料蒸発物が、基体ホルダ4に配置される基板に均一に、又は所望の分布で到達するようにするためのものであり、基体ホルダ4と蒸着源6との間に位置するように設置されている。膜厚補正板の形状は、基板の配置や、蒸着源6と基体ホルダ4との相対的な位置や、形成させようとする薄膜の膜厚分布等に応じて種々の形状が採用される。   In the present embodiment, a film thickness correction plate may be disposed inside the upper surface of the vacuum chamber 2. The film thickness correction plate is a plate-like member. This film thickness correction plate is for making the raw material evaporate generated from the vapor deposition source 6 reach the substrate disposed on the substrate holder 4 uniformly or in a desired distribution. It is installed so as to be positioned between the vapor deposition source 6. As the shape of the film thickness correction plate, various shapes are adopted depending on the arrangement of the substrate, the relative position between the vapor deposition source 6 and the substrate holder 4, the film thickness distribution of the thin film to be formed, and the like.

《蒸着方法》
次に、上述した構成の蒸着装置1を用いた成膜方法の一例を説明する。
《Vapor deposition method》
Next, an example of a film forming method using the vapor deposition apparatus 1 having the above-described configuration will be described.

まず、坩堝61に蒸着原料を充填するとともに、複数の基板を基体ホルダ4に保持させて、真空チャンバ2内に配置する。この状態で、真空チャンバ2内を例えば約1×10−3Pa以下にまで減圧する。 First, the crucible 61 is filled with a vapor deposition raw material, and a plurality of substrates are held by the base holder 4 and placed in the vacuum chamber 2. In this state, the inside of the vacuum chamber 2 is depressurized to about 1 × 10 −3 Pa or less, for example.

次に、基体ホルダ4を、モータ12によって所定の回転速度で回転させ、基板を公転させる。基体ホルダ4の回転速度は、基体ホルダ4に保持された各基板に万遍なく薄膜を形成するように設定される。例えば50rpm以上の回転速度で基体ホルダ4を回転させる。   Next, the substrate holder 4 is rotated at a predetermined rotational speed by the motor 12 to revolve the substrate. The rotation speed of the substrate holder 4 is set so that a thin film is uniformly formed on each substrate held by the substrate holder 4. For example, the substrate holder 4 is rotated at a rotation speed of 50 rpm or more.

膜形成室2Aが所定圧力で安定したらマスフローコントローラ10aを制御して、ガスボンベ10から所定流量で必要なガスを膜形成室2Aに導入する。例えば約50cm/minで酸素ガスを膜形成室2Aに導入する。なお、必要なければ、ガスボンベ10からのガス導入を行わなくてもよいし、他のガスを導入するようにすることもできる。 When the film forming chamber 2A is stabilized at a predetermined pressure, the mass flow controller 10a is controlled to introduce a necessary gas from the gas cylinder 10 at a predetermined flow rate into the film forming chamber 2A. For example, oxygen gas is introduced into the film forming chamber 2A at about 50 cm 3 / min. If not necessary, gas introduction from the gas cylinder 10 may not be performed, and other gases may be introduced.

次に、電子銃電源63によって電子銃62に対する電力供給を開始して蒸着を行う。本実施形態では、蒸着原料の蒸発物である原料蒸発物は、膜形成室2Aに拡散して基板に付着し、所定厚みの膜形成が行われる。   Next, power supply to the electron gun 62 is started by the electron gun power source 63 to perform vapor deposition. In the present embodiment, the raw material evaporated material, which is the evaporated material of the vapor deposition material, diffuses into the film forming chamber 2A and adheres to the substrate, and a film having a predetermined thickness is formed.

《真空チャンバ》
次に、本実施形態の真空チャンバ2の詳細構造の一例を説明する。
《Vacuum chamber》
Next, an example of the detailed structure of the vacuum chamber 2 of the present embodiment will be described.

真空チャンバ2はチャンバ本体20を有する。図2に示すように、本実施形態のチャンバ本体20は、底枠(底枠部材)202と、天枠(天枠部材)204と、4本の側柱(柱部材)206a〜206dとを有し、上下、左右及び前後の各部分に6つの開口部20a〜20fが形成されている場合を例示する。   The vacuum chamber 2 has a chamber body 20. As shown in FIG. 2, the chamber body 20 of the present embodiment includes a bottom frame (bottom frame member) 202, a top frame (top frame member) 204, and four side columns (column members) 206a to 206d. A case where six openings 20a to 20f are formed in each of the upper and lower, left and right and front and rear portions is illustrated.

底枠202及び天枠204は、本実施形態ではいずれも方形状に形成してあり、左右辺及び前後辺が連結する4つの角隅部2022,2042を有する。底枠202の各角隅部2022には、それぞれ側柱206a〜206dが立設してある。各側柱206a〜206dの上端は天枠204の各角隅部2042に接している。角隅部2022,2042と、側柱206a〜206dとは溶接により強固に固定されるとともに、これらが接する面において真空気密が保持される。底枠202、天枠204及び側柱206a〜206dは、例えばステンレス鋼などの金属で構成される。底枠202及び天枠204は、一枚の板状で形成しても良いし、あるいは4本の柱または板を結合させて形成しても良い。   In the present embodiment, the bottom frame 202 and the top frame 204 are both formed in a square shape, and have four corner portions 2022 and 2042 that connect the left and right sides and the front and rear sides. Side pillars 206 a to 206 d are erected on each corner 2022 of the bottom frame 202. The upper ends of the side columns 206a to 206d are in contact with the corner portions 2042 of the top frame 204. The corner portions 2022 and 2042 and the side pillars 206a to 206d are firmly fixed by welding, and the vacuum airtightness is maintained on the surface in contact with these. The bottom frame 202, the top frame 204, and the side pillars 206a to 206d are made of metal such as stainless steel, for example. The bottom frame 202 and the top frame 204 may be formed as a single plate, or may be formed by combining four columns or plates.

図3に示すように、底枠202の下端には、矩形の底板(底部材)22が、ボルト(図示省略)などにより固定され、底枠202の下方開口部20aを閉じることができるようになっている。この底板22には、図1Aに示すように、蒸発源6が設置され、マスフローコントローラ10aを介したガスボンベ10からのガス導入管10bが挿入される。   As shown in FIG. 3, a rectangular bottom plate (bottom member) 22 is fixed to the lower end of the bottom frame 202 with a bolt (not shown) or the like so that the lower opening 20a of the bottom frame 202 can be closed. It has become. As shown in FIG. 1A, the evaporation source 6 is installed in the bottom plate 22, and the gas introduction pipe 10b from the gas cylinder 10 is inserted through the mass flow controller 10a.

図3に戻り、天枠204の上端には、矩形の天板(天部材)24が、ボルト(図示省略)などにより固定され、天枠24の上方開口部20bを閉じることができるようになっている。この天板24には、図1Aに示すように、モータ12により回転支持枠12aを介して回転可能な基板ホルダ4が設置される。このような底板22及び天板24は、例えばステンレス鋼などの金属で構成される。なお、底板22と底枠202間、及び天枠204と天板24間のシールに関しては図示省略するが、ゴム製のOリングなどを用いて行う。   Returning to FIG. 3, a rectangular top plate (top member) 24 is fixed to the upper end of the top frame 204 with a bolt (not shown), and the upper opening 20 b of the top frame 24 can be closed. ing. As shown in FIG. 1A, the top plate 24 is provided with a substrate holder 4 that can be rotated by a motor 12 via a rotation support frame 12a. The bottom plate 22 and the top plate 24 are made of a metal such as stainless steel. The seal between the bottom plate 22 and the bottom frame 202 and the seal between the top frame 204 and the top plate 24 are not shown, but are performed using a rubber O-ring or the like.

図3に戻り、本実施形態では、4つの側柱206a〜206dの左右開口部20c,20dを閉じるように相互に対向する第1側板(開閉部材)26及び第2側板(開閉部材)28が配置してある。また、4つの側柱206a〜206dの前後開口部20e,20fを閉じるように相互に対向する第3側板(開閉部材)30及び第4側板32が配置してある。第4側板32には、排気口2a(図1A参照)が形成してある。このように底板22、天板24及び側板26,28,30,32で囲まれたチャンバ本体20内の空間が、図1Aの膜形成室2Aを構成する。   Returning to FIG. 3, in this embodiment, the first side plate (opening / closing member) 26 and the second side plate (opening / closing member) 28 that face each other so as to close the left and right openings 20c, 20d of the four side columns 206a to 206d are provided. It is arranged. Further, a third side plate (opening / closing member) 30 and a fourth side plate 32 facing each other are disposed so as to close the front and rear openings 20e and 20f of the four side columns 206a to 206d. The fourth side plate 32 has an exhaust port 2a (see FIG. 1A). Thus, the space in the chamber body 20 surrounded by the bottom plate 22, the top plate 24, and the side plates 26, 28, 30, and 32 constitutes the film forming chamber 2A of FIG. 1A.

図4及び図5に示すように、側板26,28,30は、それぞれ側柱206d,206c,206aに対して、連結具としての一対のヒンジ(回動部材)40,42,44により回動自在に連結してある。側板32は、本実施形態では、側柱206c,206dに対してボルト(図示省略)などで固定される。側板26,28,30,32には、それぞれの四辺を一周するゴム製のOリング(図1B参照)が設けられており、側板26,28,30,32をチャンバ本体20に対して閉じたときチャンバ本体20内を気密に維持することができるようになっている。側板26,28,30は、それぞれ独立して開閉可能な扉を構成する。   As shown in FIGS. 4 and 5, the side plates 26, 28, and 30 are rotated by a pair of hinges (rotating members) 40, 42, and 44 as connecting tools with respect to the side columns 206d, 206c, and 206a, respectively. Connected freely. In the present embodiment, the side plate 32 is fixed to the side columns 206c and 206d with bolts (not shown). The side plates 26, 28, 30, and 32 are provided with rubber O-rings (see FIG. 1B) that go around each of the four sides, and the side plates 26, 28, 30, and 32 are closed with respect to the chamber body 20. Sometimes the inside of the chamber body 20 can be kept airtight. The side plates 26, 28, and 30 constitute doors that can be opened and closed independently.

ヒンジ40は、第1側板26及び側柱206dに対してボルト(図示省略)などにより固定される。ヒンジ42は、第2側板28及び側柱206cに対してボルト(図示省略)などにより固定される。ヒンジ44は、第3側板30及び側柱206aに対してボルト(図示省略)などにより固定される。ヒンジ40,42,44は、例えば金属などで構成される。   The hinge 40 is fixed to the first side plate 26 and the side pillar 206d by a bolt (not shown). The hinge 42 is fixed to the second side plate 28 and the side pillar 206c by a bolt (not shown). The hinge 44 is fixed to the third side plate 30 and the side pillar 206a by a bolt (not shown). The hinges 40, 42, and 44 are made of metal, for example.

代表的にヒンジ40部分を例にとり、その構造の一例を説明する。なお、本実施形態では、他のヒンジ42,44については、ヒンジ40と同様の構造で形成してあるのでその説明を割愛する。   An example of the structure will be described taking the hinge 40 as a representative example. In the present embodiment, the other hinges 42 and 44 are formed in the same structure as that of the hinge 40, and therefore the description thereof is omitted.

図6に示すように、ヒンジ40は、一対の軸支部402a,404aと、回動軸406aとで構成される。軸支部402a,404aは、いずれも、軸方向に延びる貫通孔を内部に持つ略円筒形状に形成してあり、回動軸406aが貫通孔に挿入されることで軸方向に並列するように配置してある。軸支部402aは、第1側板26の一端近傍にボルトなどを用いて連結されるとともに、軸支部404aは、側柱206dの第4側板32(図4参照)側(隣り合う他の測板側)にボルトなどで固定される。これにより、第1側板26は、側柱206dに対して一対の軸支部402a,404aを貫通する回動軸406aを支点に回動可能に支持される。そして、第1側板26は、側柱206dに対してヒンジ40を回動支点とし、チャンバ本体20の外側に向けて0度から90度を超える角度で回動自在となっている。   As shown in FIG. 6, the hinge 40 includes a pair of shaft support portions 402a and 404a and a rotation shaft 406a. Each of the shaft support portions 402a and 404a is formed in a substantially cylindrical shape having a through hole extending in the axial direction, and is arranged so as to be parallel to the axial direction by inserting the rotating shaft 406a into the through hole. It is. The shaft support portion 402a is connected to the vicinity of one end of the first side plate 26 using a bolt or the like, and the shaft support portion 404a is connected to the fourth side plate 32 (see FIG. 4) side of the side column 206d (other adjacent measuring plate side). ) With bolts. Thus, the first side plate 26 is supported so as to be rotatable about the rotation shaft 406a penetrating the pair of shaft support portions 402a and 404a with respect to the side column 206d. The first side plate 26 is pivotable at an angle exceeding 0 to 90 degrees toward the outside of the chamber body 20 with the hinge 40 as a pivot for the side column 206d.

図4及び図5に戻り、本実施形態では、第2側板28及び第3側板30についても同様であり、第2側板28は、側柱206cに対してヒンジ42を回動支点とし、第3側板30は側柱206aに対してヒンジ44を回動支点として、それぞれチャンバ本体20の外側に向けて0度から90度を超える角度で回動自在となっている。特に本実施形態では、第3側板30と、これに隣り合う第2側板28とが、いわゆる観音開きとなるように、ヒンジ44,42を配置してある。   Returning to FIG. 4 and FIG. 5, in the present embodiment, the same applies to the second side plate 28 and the third side plate 30. The second side plate 28 uses the hinge 42 as a rotation fulcrum with respect to the side column 206 c, and the third side plate 28 c. The side plates 30 are rotatable at angles exceeding 0 to 90 degrees toward the outside of the chamber body 20 with the hinge 44 as a rotation fulcrum with respect to the side column 206a. In particular, in the present embodiment, the hinges 44 and 42 are arranged so that the third side plate 30 and the second side plate 28 adjacent to the third side plate 30 are so-called double doors.

次に、本実施形態の蒸着装置1(図1A及び図1B参照)の設置例を説明する。   Next, the installation example of the vapor deposition apparatus 1 (refer FIG. 1A and FIG. 1B) of this embodiment is demonstrated.

図7に示すように、3枚の開閉可能な測板26,28,30の内、側板30のみがクリーンルーム(クリーン度が高い)側に面することとなるよう装置1を配置する。   As shown in FIG. 7, the apparatus 1 is arranged so that only the side plate 30 of the three openable and closable measuring plates 26, 28, 30 faces the clean room (high cleanness) side.

この状態で成膜後、装置1内部から基板を取り出すには、まず、リークバルブ(図示省略)を開放し、チャンバ2内部を大気環境に戻す。次に、機械室(クリーン度が高くない)側に面する側板26,28の少なくとも何れかを少しだけ開き、この状態で所定時間(例えば1〜5分程度)維持し、装置内のダストを機械室内部に吐き出させる。その後、クリーンルーム側に面する測板30も少しだけ開き、クリーンルーム→機械室の大気の流れを作り出す。側板30を開けてもクリーンルーム内にダストが混入しないのは、クリーンルームは与圧に設定されているからである。次に、開放した測板26,28を閉じた後、測板30を大きく開き、装置内部から基板を取り出す。   In order to take out the substrate from the inside of the apparatus 1 after film formation in this state, first, a leak valve (not shown) is opened, and the inside of the chamber 2 is returned to the atmospheric environment. Next, at least one of the side plates 26 and 28 facing the machine room (not clean) is slightly opened, and maintained in this state for a predetermined time (for example, about 1 to 5 minutes). Exhale into the machine room. After that, the measuring plate 30 facing the clean room is also slightly opened to create a flow of air from the clean room to the machine room. The reason why dust does not enter the clean room even when the side plate 30 is opened is that the clean room is set to be pressurized. Next, after the opened measuring plates 26 and 28 are closed, the measuring plate 30 is opened widely, and the substrate is taken out from the inside of the apparatus.

装置1内部の保守点検を行うには、クリーンルーム側に面する測板30を閉じた状態で、機械室側の側板26,28をヒンジ40,42を回動支点として回動させて開き、必要なメンテナンスを行う。   In order to perform maintenance and inspection of the inside of the apparatus 1, the side plate 26, 28 on the machine room side is opened with the hinges 40, 42 being pivoted and opened with the measuring plate 30 facing the clean room closed. Perform proper maintenance.

従来の蒸着装置では、真空チャンバの上下壁部分の他に、側壁部分にも、成膜に関する機構を配置していた。このため、こうした機構を配置する側壁についても、上下壁と同様に、それら機構の位置精度や機械精度を調整する必要があり、メンテナンスの容易性と成膜機構の機械精度の双方を満足することはできなかった。   In the conventional vapor deposition apparatus, a mechanism relating to film formation is arranged on the side wall portion in addition to the upper and lower wall portions of the vacuum chamber. For this reason, it is necessary to adjust the positional accuracy and mechanical accuracy of the mechanisms on the side walls on which such mechanisms are arranged, as well as the upper and lower walls, and both the ease of maintenance and the mechanical accuracy of the film forming mechanism must be satisfied. I couldn't.

本実施形態では、チャンバ本体(骨格部材)20の底枠202の下端に設けられた底板22と、天枠204の上端に設けられた天板24とに、成膜機構(本実施形態では、図1Aに示す蒸発源6、ガス導入管10b、基板ホルダ4、回転支持枠12aなど)を集約させ、側板26,28,30には壁のみの役割しか持たせていない。従って、側板26,28,30については、成膜機構に関する配置精度、機械精度を考慮する必要がなく、設置が容易である。   In the present embodiment, a film forming mechanism (in this embodiment, the bottom plate 22 provided at the lower end of the bottom frame 202 of the chamber body (frame member) 20 and the top plate 24 provided at the upper end of the top frame 204 are provided. The evaporation source 6, the gas introduction pipe 10 b, the substrate holder 4, the rotation support frame 12 a and the like shown in FIG. 1A are integrated, and the side plates 26, 28, and 30 have only the role of walls. Accordingly, the side plates 26, 28, and 30 do not need to be considered in terms of arrangement accuracy and mechanical accuracy related to the film forming mechanism, and can be easily installed.

また、側板26,28,30はその全面が開閉自在に構成してあり、しかも90度を超える開放も可能としてある。また、ヒンジ44,42を側板28,30がいわゆる観音開きとなるように配置してある。さらに、回動支点となるヒンジを真空チャンバを構成する柱部分に設けてある。このため、各側板26,28,30をそれぞれ独立させて開閉することができるとともに、側板28,30については観音開きに開閉可能であり、開口部を広くとることができ、従来構造と比較して、メンテナンス性が飛躍的に向上することが期待できる。   Further, the side plates 26, 28, and 30 are configured to be openable and closable over the entire surface, and can be opened over 90 degrees. In addition, the hinges 44 and 42 are arranged so that the side plates 28 and 30 are so-called double doors. Further, a hinge serving as a rotation fulcrum is provided on the column portion constituting the vacuum chamber. Therefore, the side plates 26, 28, and 30 can be opened and closed independently, and the side plates 28 and 30 can be opened and closed in a double-speech manner so that the opening can be widened, compared with the conventional structure. It can be expected that the maintainability will be dramatically improved.

なお、本実施形態では、側板32には排気系7を設けているが、これには成膜機構に要求されるほどの位置精度などが要求されるものではなく、また排気系7については、これを底板22部分あるいは天板24部分に配置することは可能である。   In the present embodiment, the side plate 32 is provided with the exhaust system 7, but this does not require positional accuracy required for the film forming mechanism, and for the exhaust system 7, It is possible to arrange this in the bottom plate 22 portion or the top plate 24 portion.

《その他の実施形態》
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。なお、以下の説明において、上記実施形態と同一部材は同一の符号を用いて示しており、その説明は上記と同様であるので省略する。
<< Other Embodiments >>
The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention. In the following description, the same members as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted because it is the same as described above.

本実施形態では、真空チャンバ2の形状を中空の6面体(例えば四角柱)としているが、これに限定する趣旨ではなく、5面体(例えば三角柱)、7面体以上(例えば五角柱以上の多角柱)とすることもできる。この場合、真空チャンバ2を構成するチャンバ本体は、上下板を除く測板部分に、上述した実施形態の扉構造を採用することができる。   In the present embodiment, the shape of the vacuum chamber 2 is a hollow hexahedron (for example, a quadrangular prism). However, the present invention is not limited to this, but a pentahedron (for example, a triangular prism), a hexahedron or more (for example, a pentagonal prism or more polygonal column). ). In this case, the chamber body constituting the vacuum chamber 2 can employ the door structure of the above-described embodiment in the measuring plate portion excluding the upper and lower plates.

本実施形態では、図4及び図5に示すように、ヒンジ40(軸支部404a)の側柱206dに対する取り付け位置を、第4側板32(図4参照)側(隣り合う他の測板側)としたが、図8に示すように、第1側板26(図4参照)側(同一の測板側)としてもよい。他のヒンジ42,44についても同様である。   In this embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the attachment position of the hinge 40 (the shaft support portion 404 a) with respect to the side column 206 d is set to the fourth side plate 32 (see FIG. 4) side (the other adjacent measurement plate side). However, as shown in FIG. 8, the first side plate 26 (see FIG. 4) side (same measurement side) may be used. The same applies to the other hinges 42 and 44.

本実施形態では、図2に示すように、チャンバ本体20を底枠202及び天枠204を用いて形成したが、これに限定する趣旨ではなく、例えば図9に示すように、底枠202及び天枠204を省略し、側柱206a〜206dの両端面に直接、底板22及び天板24をボルト(図示省略)などで固定するようにしてもよい。また図10に示すように、側柱206a〜206dの両端面にではなく、一側面上下端にはめ込む形状の底板22a及び天板24aを用いても良い。   In the present embodiment, the chamber body 20 is formed using the bottom frame 202 and the top frame 204 as shown in FIG. 2, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. The top frame 204 may be omitted, and the bottom plate 22 and the top plate 24 may be directly fixed to both end surfaces of the side pillars 206a to 206d with bolts (not shown). Moreover, as shown in FIG. 10, you may use the bottom plate 22a and the top plate 24a of the shape inserted in the upper and lower ends of one side instead of the both end surfaces of the side pillars 206a-206d.

本実施形態では、底枠202及び天枠204と、側柱206a〜206dとの固定は、必ずしも溶接による必要はなく、ボルトなどの締結部材を用いることも可能である。底枠202及び天枠204を省略する場合における、底板22及び天板24と側柱206a〜206dとを固定する場合も同様である。溶接によらずボルトなどを用いて固定した場合、装置設置後でも、底枠202及び天枠204、あるいは底板22及び天板24を取り外すことが容易である。その結果、装置設置後に装置内部の機能変更を望む場合でも適切に対応することが可能である。   In this embodiment, the bottom frame 202 and the top frame 204 and the side pillars 206a to 206d are not necessarily fixed by welding, and a fastening member such as a bolt can also be used. The same applies to the case where the bottom plate 22 and the top plate 24 and the side columns 206a to 206d are fixed when the bottom frame 202 and the top frame 204 are omitted. When it is fixed by using a bolt or the like regardless of welding, it is easy to remove the bottom frame 202 and the top frame 204 or the bottom plate 22 and the top plate 24 even after the apparatus is installed. As a result, even when it is desired to change the function inside the apparatus after the apparatus is installed, it is possible to appropriately cope with it.

本実施形態では、バッチ方式の蒸着装置を例示して説明しているが、これに限定する趣旨ではなく、複数の基板を連続的に処理可能な連続方式の蒸着装置、その他の成膜装置に適用することも可能である。   In the present embodiment, a batch type vapor deposition apparatus is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this, but a continuous type vapor deposition apparatus capable of continuously processing a plurality of substrates, and other film forming apparatuses. It is also possible to apply.

図1Aは本実施形態に係る蒸着装置の概略構成を示す断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a vapor deposition apparatus according to this embodiment. 図1Bは本実施形態に係る蒸着装置の概略構成を示す斜視図である。FIG. 1B is a perspective view showing a schematic configuration of the vapor deposition apparatus according to the present embodiment. 図2は図1A及び図1Bの蒸着装置の真空チャンバを構成するチャンバ本体の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a chamber body constituting a vacuum chamber of the vapor deposition apparatus of FIGS. 1A and 1B. 図3は図2のチャンバ本体に対する底板、天板、側板の配置を示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing the arrangement of the bottom plate, the top plate, and the side plate with respect to the chamber body of FIG. 図4は図2のチャンバ本体に対する測板の配置を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing the arrangement of the measuring plates with respect to the chamber body of FIG. 図5は図4の側板の開閉状態を説明するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the open / closed state of the side plate of FIG. 図6はヒンジの構成例を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration example of the hinge. 図7は図2のチャンバ本体を設置例を説明するための図である。FIG. 7 is a view for explaining an installation example of the chamber body of FIG. 図8はヒンジ取り付け位置の他の例を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing another example of the hinge attachment position. 図9はチャンバ本体の他の態様を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing another embodiment of the chamber body. 図10はチャンバ本体の他の態様を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing another embodiment of the chamber body.

符号の説明Explanation of symbols

1…蒸着装置(成膜装置)
2…真空チャンバ(真空槽)
2A…膜形成室
2a…排気口
20…チャンバ本体
20a〜20f…開口部
202…底枠(底枠部材)
204…天枠(天枠部材)
206a〜206d…側柱(柱部材)
22,22a…底板(底部材)
24,24a…天板(天部材)
26,28,30,32…側板(開閉部材)
40,42,44…ヒンジ(回動部材)
4…基板ホルダ(基板保持手段)
6…蒸着源
61…坩堝
62…電子銃
63…電子銃電源
64…シャッタ
7…排気系
10…ガスボンベ
10a…マスフローコントローラ
10b…ガス導入管
12…モータ
12a…回転支持枠
1 ... Vapor deposition equipment (film deposition equipment)
2 ... Vacuum chamber (vacuum tank)
2A ... Film formation chamber 2a ... Exhaust port 20 ... Chamber body 20a-20f ... Opening 202 ... Bottom frame (bottom frame member)
204 .. top frame (top frame member)
206a-206d ... Side pillar (pillar member)
22, 22a ... Bottom plate (bottom member)
24, 24a ... Top plate (top member)
26, 28, 30, 32 ... side plates (opening and closing members)
40, 42, 44 ... Hinge (rotating member)
4 ... Substrate holder (substrate holding means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 6 ... Deposition source 61 ... Crucible 62 ... Electron gun 63 ... Electron gun power supply 64 ... Shutter 7 ... Exhaust system 10 ... Gas cylinder 10a ... Mass flow controller 10b ... Gas introduction pipe 12 ... Motor 12a ... Rotation support frame

Claims (7)

内部に成膜機構が配置してある真空槽を有する成膜装置であって、
前記真空槽は、
底部材と、
前記底部材上に処理空間を形成するように前記底部材の角隅部近傍に立設される複数の柱部材と、
前記処理空間の上方開口を閉塞するように前記複数の柱部材の上端近傍に設けられる天部材と、
一端が前記柱部材に接続された回動部材を回動支点に、隣接する前記柱部材間に形成された側方開口に対して開閉自在な複数の開閉部材とを有し、
前記底部材及び天部材にのみ成膜機構を配置したことを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus having a vacuum chamber in which a film forming mechanism is disposed,
The vacuum chamber is
A bottom member;
A plurality of pillar members erected near the corners of the bottom member so as to form a processing space on the bottom member;
A ceiling member provided in the vicinity of the upper ends of the plurality of column members so as to close the upper opening of the processing space;
Having a plurality of opening and closing members that can be opened and closed with respect to a side opening formed between the adjacent column members, with a rotation member having one end connected to the column member as a rotation fulcrum;
A film forming apparatus, wherein a film forming mechanism is disposed only on the bottom member and the top member.
請求項1に記載の成膜装置であって、
前記複数の柱部材のうち何れかの柱部材の左右に隣接して配置される2つの前記開閉部材が観音開きとなるように、前記回動部材が配置してあることを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
The film forming apparatus, wherein the rotating member is arranged so that two opening / closing members arranged adjacent to the left and right of any one of the plurality of column members are double-spread. .
請求項1または2に記載の成膜装置であって、
前記成膜機構は、処理対象である基板を保持する基板保持手段と、成膜源を含み、排気系を含まないことを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1 or 2,
The film forming apparatus includes a substrate holding unit that holds a substrate to be processed, a film forming source, and does not include an exhaust system.
請求項1〜3の何れか一項に記載の成膜装置であって、
前記柱部材は、底枠部材を介して前記底部材の角隅部上に立設され、
前記天部材は、天枠部材を介して前記柱部材の上端上に設けられることを特徴とする成膜装置。
It is the film-forming apparatus as described in any one of Claims 1-3,
The column member is erected on a corner portion of the bottom member via a bottom frame member,
The film forming apparatus, wherein the top member is provided on an upper end of the column member via a top frame member.
請求項1〜4の何れか一項に記載の成膜装置であって、
バッチ式の蒸着装置であることを特徴とする成膜装置。
It is the film-forming apparatus as described in any one of Claims 1-4,
A film forming apparatus, which is a batch type vapor deposition apparatus.
請求項1〜5の何れか一項に記載の成膜装置を用い、
何れかの前記開閉部材をクリーンルームの室内側に面するように配置し、他の前記開閉部材を前記クリーンルームの室外側に面するように配置することを特徴とする成膜装置の設置方法。
Using the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 5,
One of the opening / closing members is disposed so as to face the indoor side of the clean room, and the other opening / closing member is disposed so as to face the outside of the clean room.
請求項6に記載の方法で配置された成膜装置を用い、
前記クリーンルームの室外側に面する少なくとも何れかの前記開閉部材を開き、前記柱部材との間に間隙を形成した状態で所定時間保持し、前記間隙から装置内ダストを装置外へ吐出させる工程と、
前記間隙を閉じた後、前記クリーンルームの室内側に面する何れかの前記開閉部材を開け、装置内から処理済の基板を搬出させる工程とを、有する基板の取り出し方法。
Using the film forming apparatus arranged by the method according to claim 6,
Opening at least one of the opening / closing members facing the outside of the clean room, holding the gap for a predetermined time in a state of forming a gap between the pillar members, and discharging dust in the apparatus from the gap to the outside of the apparatus; ,
After closing the gap, opening any of the opening / closing members facing the room interior of the clean room and unloading the processed substrate from the apparatus.
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