JP2009132881A - 高分子化合物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物などの高分子化合物を製造する新規な方法を提供することを課題とする。
【解決手段】下記式（Ｉ）：
Ｘ１−Ｃ（Ａ１）＝Ｃ（Ａ２）−Ｘ２ （Ｉ）
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ）：
Ｙ１−Ａｒ１−Ｙ２ （ＩＩ）
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ―ＰＡ）：
Ｙ３−Ａｒ２−Ｙ４ （ＩＩ−ＰＡ）
〔式中、Ａｒ２は、下記式（ＩＩ−２Ｍ）：
−Ａｒ３− （ＩＩ−２Ｍ）
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させて、高分子化合物を得る。
【選択図】 なし
【解決手段】下記式（Ｉ）：
Ｘ１−Ｃ（Ａ１）＝Ｃ（Ａ２）−Ｘ２ （Ｉ）
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ）：
Ｙ１−Ａｒ１−Ｙ２ （ＩＩ）
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ―ＰＡ）：
Ｙ３−Ａｒ２−Ｙ４ （ＩＩ−ＰＡ）
〔式中、Ａｒ２は、下記式（ＩＩ−２Ｍ）：
−Ａｒ３− （ＩＩ−２Ｍ）
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させて、高分子化合物を得る。
【選択図】 なし
Description
本発明は、高分子化合物の製造方法に関し、詳しくは、アリーレンビニレン等を構成単位として含む高分子化合物などの製造に好適な製造方法に関する。
高分子化合物からなる発光材料は、発光素子の発光層に用いる材料等として有用であることから、種々検討されている。その中でも、ポリ（フェニレンビニレン）に代表されるポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物やポリ（フェニレン）に代表されるポリ（アリーレン）系高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス用材料、導電性材料、トランジスタ材料、太陽電池材料等として、早くから開発が進められている。
ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物の製造方法としては、例えば、〔１〕アルデヒド基を有する化合物とホスホニウム塩基を有する化合物とのＷｉｔｔｉｇ反応による重合（非特許文献１）、〔２〕ハロゲン化メチル基を有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合（非特許文献２）等の方法が提案されている。
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．８２，４６６９−４６７１（１９６０）
Ｊ．Ｐｏｌｙ．Ｓｃｉ．Ａ−１，Ｖｏｌ．４，１３３７−１３４９（１９６６）
本発明は、高分子化合物の新規製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物などの高分子化合物の製造に好適な新規製造方法を提供することを課題とする。
本発明者らは、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物などの高分子化合物をより容易に製造する方法を鋭意検討の結果、本発明を成すに至った。即ち、本発明は、下記製造方法を提供するものである。
〔１〕下記式（Ｉ）：
Ｘ１−Ｃ（Ａ１）＝Ｃ（Ａ２）−Ｘ２ （Ｉ）
〔式中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基又は置換基を有していてもよい１価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ）：
Ｙ１−Ａｒ１−Ｙ２ （ＩＩ）
〔式中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ―ＰＡ）：
Ｙ３−Ａｒ２−Ｙ４ （ＩＩ−ＰＡ）
〔式中、Ａｒ２は、下記式（ＩＩ−２Ｍ）：
−Ａｒ３− （ＩＩ−２Ｍ）
（式中、Ａｒ３は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。）
で表される繰り返し単位を２個以上含む重合体の２価の残基を表す。Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸残基、又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する、高分子化合物の製造方法。
〔２〕前記Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４がハロゲン原子である、上記〔１〕に記載の製造方法。
〔３〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよいアリーレン基であり、前記置換基を有していてもよいアリーレン基が、下記式（Ａ４０）：
〔式中、Ａ環及びＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。２つの結合手は、それぞれＡ環又はＢ環上に存在し、Ｒｗ及びＲｘは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、ＲｗとＲｘは互いに結合して環を形成していてもよい。〕
で表されるものである、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔１〕下記式（Ｉ）：
Ｘ１−Ｃ（Ａ１）＝Ｃ（Ａ２）−Ｘ２ （Ｉ）
〔式中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基又は置換基を有していてもよい１価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ）：
Ｙ１−Ａｒ１−Ｙ２ （ＩＩ）
〔式中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ―ＰＡ）：
Ｙ３−Ａｒ２−Ｙ４ （ＩＩ−ＰＡ）
〔式中、Ａｒ２は、下記式（ＩＩ−２Ｍ）：
−Ａｒ３− （ＩＩ−２Ｍ）
（式中、Ａｒ３は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。）
で表される繰り返し単位を２個以上含む重合体の２価の残基を表す。Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸残基、又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する、高分子化合物の製造方法。
〔２〕前記Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４がハロゲン原子である、上記〔１〕に記載の製造方法。
〔３〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよいアリーレン基であり、前記置換基を有していてもよいアリーレン基が、下記式（Ａ４０）：
で表されるものである、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔４〕前記式（Ａ４０）で表される置換基を有していてもよいアリーレン基が、下記式（Ａ４０ａ）、（Ａ４０ｂ）、（Ａ４０ｃ）、及び（Ａ４０ｄ）：
〔式中、Ｒｇは、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。２個あるＲｇは、同一であっても異なっていてもよい。〕
からなる群より選ばれる１種である、上記〔３〕に記載の製造方法。
〔５〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が、置換基を有していてもよい２価の複素環基であり、前記置換基を有してもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ７０）：
〔式中、Ｃ環及びＤ環は、それぞれ独立に芳香環を表す。Ｃ環及びＤ環は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。さらに、置換基が複数ある場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｅは、Ｏ又はＳである。〕
で表されるものである、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔６〕前記式（Ｈ７０）で表される置換基を有していてもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ７０ｅ）：
〔式中、Ｙは、Ｏ又はＳを表す。Ｒｊ及びＲｋは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表す。〕
で表されるものである、上記〔５〕に記載の製造方法。
からなる群より選ばれる１種である、上記〔３〕に記載の製造方法。
〔５〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が、置換基を有していてもよい２価の複素環基であり、前記置換基を有してもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ７０）：
で表されるものである、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔６〕前記式（Ｈ７０）で表される置換基を有していてもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ７０ｅ）：
で表されるものである、上記〔５〕に記載の製造方法。
〔７〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよい２価の複素環基であり、前記置換基を有してもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ８０ａ）：
〔式中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。ｍ’及びｎ’で示される数は、それぞれ独立に、１又は２である〕
で表されるものである、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔８〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基である、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔９〕前記Ａ１及びＡ２の少なくとも一方がアルキル基又はアリール基である、上記〔１〕から〔８〕のいずれか一項に記載の製造方法。
で表されるものである、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔８〕前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基である、上記〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。
〔９〕前記Ａ１及びＡ２の少なくとも一方がアルキル基又はアリール基である、上記〔１〕から〔８〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１０〕前記Ａ１及びＡ２の一方がアルキル基又はアリール基であり、他方が水素原子である、上記〔９〕に記載の製造方法。
〔１１〕前記パラジウム触媒が、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）である、上記〔１〕から〔１０〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１２〕下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させ、式（ＩＩ−ＰＡ）で示される１種以上の化合物を合成する（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む、上記〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１１〕前記パラジウム触媒が、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）である、上記〔１〕から〔１０〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１２〕下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させ、式（ＩＩ−ＰＡ）で示される１種以上の化合物を合成する（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む、上記〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１３〕前記（ＩＩ−ＰＡ）合成工程の後、前記式（Ｉ）および前記式（ＩＩ）で表される化合物を加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる、上記〔１２〕に記載の製造方法。
〔１４〕前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物を添加し、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を含む、上記〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１５〕前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、
前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物と、
下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる、上記〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１４〕前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物を添加し、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を含む、上記〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の製造方法。
〔１５〕前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、
前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物と、
下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる、上記〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の製造方法。
本明細書においてポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物とは、１分子中に（アリーレンビニレン）単位を複数含む高分子化合物のことをいう。
本発明の製造方法により、高分子化合物の新規な製造方法が提供される。本発明によれば、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を容易に製造することができる。本発明の製造方法は、分子量の大きなポリ（アリーレン）−ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物の製造にも好適である。また、本発明の製造方法は、ビニレン基に置換基を有するポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物も容易に製造できる。本発明の製造方法により製造され得る高分子化合物は、電子材料、例えば、高分子発光素子、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト、有機トランジスタ、太陽電池等に用いられる材料として有用である。
以下、本発明の製造方法を詳細に説明する。なお、本明細書において、構造中にビニレン部位が存在する場合、該部位は、シス、トランスのいずれの構造であってもよい。
［１．］ 本発明の製造方法
本発明の製造方法は、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物とをパラジウム触媒及び塩基の存在下、溶媒中で反応（即ち、重合反応）させる工程を有する。前記式（Ｉ）で表される化合物、前記式（ＩＩ）で表される化合物及び前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物は、それぞれ、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。本発明の製造方法においては、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物とを重合反応させる工程を１バッチで行ってもよいし、あるいは下記にて詳述するよう、いくつかの工程に細分化し順次行ってもよい。
［１．］ 本発明の製造方法
本発明の製造方法は、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物とをパラジウム触媒及び塩基の存在下、溶媒中で反応（即ち、重合反応）させる工程を有する。前記式（Ｉ）で表される化合物、前記式（ＩＩ）で表される化合物及び前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物は、それぞれ、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。本発明の製造方法においては、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物と、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物とを重合反応させる工程を１バッチで行ってもよいし、あるいは下記にて詳述するよう、いくつかの工程に細分化し順次行ってもよい。
本発明の製造方法において、前記式（Ｉ）で表される１種以上の化合物、前記式（ＩＩ）で表される１種以上の化合物、および前記（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物の添加量は、製造目的の高分子化合物の分子量や繰り返し単位構造などに応じて適宜調整してよい。各原料の好ましい添加割合を示すと、前記式（ＩＩ−ＰＡ）のＹ３及びＹ４が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基である場合、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物の合計１モルに対する、前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物の合計は、通常、０．７〜１．３モルであり、好ましくは０．９〜１．１モルであり、より好ましくは、０．９５〜１．０５モルである。
また、Ｙ３、Ｙ４が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基と、ホウ酸残基、ホウ酸エステル残基とを含む場合は、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物とが有するホウ酸残基及びホウ酸エステル残基の合計１当量に対して、前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種類以上の化合物とが有するハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基の合計は、通常、０．７〜１．３当量であり、好ましくは０．９〜１．１当量であり、より好ましくは、０．９５〜１．０５当量である。
［１．１．］ 式（Ｉ）で表される化合物
前記式（Ｉ）において、Ａ１、Ａ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミン基を表す。単量体の合成の容易さの観点からは、Ａ１、Ａ２の好ましい例としては、水素原子、アルキル基、アリール基などが挙げられる。
前記式（Ｉ）において、Ａ１、Ａ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又は１価の芳香族アミン基を表す。単量体の合成の容易さの観点からは、Ａ１、Ａ２の好ましい例としては、水素原子、アルキル基、アリール基などが挙げられる。
前記Ａ１及びＡ２は、少なくとも一方がアルキル基又はアリール基であることが好ましく、前記Ａ１及びＡ２の一方がアルキル基又はアリール基であり、他方が水素原子であることがより好ましい。前記Ａ１及びＡ２の少なくとも一方がアルキル基である場合には、得られる高分子化合物を、有機溶媒に対する溶解性に優れたものとし得る。また、前記Ａ１及びＡ２の少なくとも一方がアリール基である場合には、得られる高分子化合物を、耐熱性が優れたものとし得る。
式（Ｉ）におけるＡ１およびＡ２となり得るアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性の観点からは、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基などが好ましい。
式（Ｉ）におけるＡ１およびＡ２となり得るアリール基は、炭素数は通常６〜６０程度である。前記アリール基としては、例えば、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよい１−ナフチル基、置換基を有していてもよい２−ナフチル基等が挙げられる。前記置換基を有していてもよいフェニル基の置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、シアノ基等が挙げられる。置換基が複数存在する場合は、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。置換基を有していてもよいフェニル基が置換基を有する場合、該置換基の数は、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜３、特に好ましくは１である。
前記置換基を有していてもよいフェニル基が置換基を有し、該置換基がアルキル基である場合、該置換基を有するフェニル基としては、フェニル環上に置換基として炭素数１〜１２のアルキル基が導入されたフェニル基（以下、「Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基」という。「Ｃ１〜Ｃ１２アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを示す。以下、同様である。）が好ましい。
前記Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基としては、例えば、メチル置換フェニル基、エチル置換フェニル基、プロピル置換フェニル基、ｉ−プロピル置換フェニル基、ブチル置換フェニル基、ｉ−ブチル置換フェニル基、ｔ−ブチル置換フェニル基、ペンチル置換フェニル基、ヘキシル置換フェニル基、シクロヘキシル置換フェニル基、ヘプチル置換フェニル基、オクチル置換フェニル基、２−エチルヘキシル置換フェニル基、ノニル置換フェニル基、デシル置換フェニル基、３，７−ジメチルオクチル置換フェニル基、ラウリル置換フェニル基、トリフルオロメチル置換フェニル基、ペンタフルオロエチル置換フェニル基、パーフルオロブチル置換フェニル基、パーフルオロヘキシル置換フェニル基、パーフルオロオクチル置換フェニル基等が挙げられる。これらのうち、高分子化合物の有機溶媒への溶解性の観点からは、ブチル置換フェニル基、ｉ−ブチル置換フェニル基、ｔ−ブチル置換フェニル基、ヘキシル置換フェニル基、ヘプチル置換フェニル基、オクチル置換フェニル基、２−エチルヘキシル置換フェニル基、ノニル置換フェニル基、デシル置換フェニル基、３，７−ジメチルオクチル置換フェニル基などが好ましい。これらのＣ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基は、そのアルキル鎖上にさらに置換基を有していてもよい。
前記置換基を有していてもよいフェニル基が置換基を有し、該置換基がアルコキシ基である場合、該置換基を有するフェニル基としては、フェニル環上に置換基として炭素数１〜１２のアルコキシ基が導入されたフェニル基（以下、「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基」という。「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを示す。以下、同様である。）が好ましい。
前記Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシ置換フェニル基、エトキシ置換フェニル基、プロピルオキシ置換フェニル基、ｉ−プロピルオキシ置換フェニル基、ブトキシ置換フェニル基、ｉ−ブトキシ置換フェニル基、ｔ−ブトキシ置換フェニル基、ペンチルオキシ置換フェニル基、ヘキシルオキシ置換フェニル基、シクロヘキシルオキシ置換フェニル基、ヘプチルオキシ置換フェニル基、オクチルオキシ置換フェニル基、２−エチルヘキシルオキシ置換フェニル基、ノニルオキシ置換フェニル基、デシルオキシ置換フェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシ置換フェニル基、ラウリルオキシ置換フェニル基、トリフルオロメトキシ置換フェニル基、ペンタフルオロエトキシ置換フェニル基、パーフルオロブトキシ置換フェニル基、パーフルオロヘキシルオキシ置換フェニル基、パーフルオロオクチルオキシ置換フェニル基、メトキシメチルオキシ置換フェニル基、２−メトキシエチルオキシ置換フェニル基等が挙げられ、中でも、高分子化合物の溶媒への溶解性の観点からは、ブトキシ置換フェニル基、ｉ−ブトキシ置換フェニル基、ｔ−ブトキシ置換フェニル基、ペンチルオキシ置換フェニル基、ヘキシルオキシ置換フェニル基、ヘプチルオキシ置換フェニル基、オクチルオキシ置換フェニル基、２−エチルヘキシルオキシ置換フェニル基、ノニルオキシ置換フェニル基、デシルオキシ置換フェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシ置換フェニル基、ラウリルオキシ置換フェニル基が好ましい。これらのＣ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基は、そのアルキル鎖上にさらに置換基を有していてもよい。
前記置換基を有していてもよいフェニル基が置換基を有し、該置換基がアシル基である場合、該置換基を有するフェニル基としては、炭素数が２〜３０、好ましくは２〜１５のアシル基で置換されたフェニル基が挙げられ、具体的には、アセチル置換フェニル基、プロピオニル置換フェニル基、ブチリル置換フェニル基、イソブチリル置換フェニル基、ピバロイル置換フェニル基、トリフルオロアセチル置換フェニル基等が挙げられる。
前記置換基を有していてもよいフェニル基が置換基を有し、該置換基がアシルオキシ基である場合、該置換基を有するフェニル基としては、炭素数が２〜３０、好ましくは２〜１５のアシルオキシ基が挙げられ、具体的には、アセトキシ置換フェニル基、プロピオニルオキシ置換フェニル基、ブチリルオキシ置換フェニル基、イソブチリルオキシ置換フェニル基、ピバロイルオキシ置換フェニル基、トリフルオロアセチルオキシ置換フェニル基等が挙げられる。
前記置換基を有していてもよいフェニル基が置換基を有し、該置換基が置換カルボキシル基である場合、該置換基を有するフェニル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基（その炭素数は、通常、２〜３０程度、好ましくは２〜１５程度である）を置換基として有するフェニル基が挙げられ、合成の容易さの観点からは、アルキル基で置換されたカルボキシル基を置換基として有するフェニル基が好ましい。該置換基を有するフェニル基の具体例としては、メトキシカルボニル置換フェニル基、エトキシカルボニル置換フェニル基、プロポキシカルボニル置換フェニル基、ｉ−プロポキシカルボニル置換フェニル基、ブトキシカルボニル置換フェニル基、ｉ−ブトキシカルボニル置換フェニル基、ｔ−ブトキシカルボニル置換フェニル基、ペンチルオキシカルボニル置換フェニル基、ヘキシロキシカルボニル置換フェニル基、シクロヘキシロキシカルボニル置換フェニル基、ヘプチルオキシカルボニル置換フェニル基、オクチルオキシカルボニル置換フェニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル置換フェニル基、ノニルオキシカルボニル置換フェニル基、デシロキシカルボニル置換フェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル置換フェニル基、ドデシルオキシカルボニル置換フェニル基、トリフルオロメトキシカルボニル置換フェニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル置換フェニル基、パーフルオロブトキシカルボニル置換フェニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル置換フェニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル置換フェニル基、フェノキシカルボニル置換フェニル基等が挙げられる。
１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。式（Ｉ）におけるＡ１およびＡ２となり得る１価の複素環基の炭素数は、通常４〜６０程度である。なお、１価の複素環基の炭素数には置換基の炭素数は含まない。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する原子が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。１価の複素環基の具体例としては、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基等が挙げられ、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基（即ち、芳香族性を有する１価の複素環基）が好ましい。
前記１価の複素環基には、三重項発光錯体から誘導される基等の１価の錯体基も含まれる。１価の錯体基とは、金属錯体から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。１価の錯体基の具体例としては、下記式（ｈｃ１）〜（ｈｃ７）として示される１価の金属錯体基等が挙げられる。
１価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。式（Ｉ）におけるＡ１およびＡ２となり得る１価の芳香族アミン基の炭素数は通常４〜６０程度である。なお、１価の芳香族アミン基の炭素数には置換基の炭素数は含まない。１価の芳香族アミン基の具体例としては、下記式（ａｍ１２３）〜（ａｍ１２７）で表される基等が挙げられる。
これらの１価の芳香族アミン基の例示（上式（ａｍ１２３）〜（ａｍ１２７））におけるＲは、後述のアリーレン基の例示（下記式（１）〜（３８）、（Ａ）〜（Ｈ）、（Ｊ）及び（Ｋ））において、Ｒとして具体的に説明し例示するものと同様である。また、複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。なお、以下本明細書において、式（１）〜（３８）、（Ａ）〜（Ｈ）、（Ｊ）及び（Ｋ）として例示されるアリーレン基を総称して「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」という場合がある。
上記式（Ｉ）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）２）又はホウ酸エステル残基を表す。
ホウ酸エステル残基としては、下記式（ｂｓ１）〜（ｂｓ４）：
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。）
で表される基等が例示される。
で表される基等が例示される。
前記式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、下記式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）：
（式中、Ｒｅは、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒｅが複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
で表されるもの等が挙げられる。
で表されるもの等が挙げられる。
さらに上記式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）の具体例としては、下記（Ｉ−１−１）、（Ｉ−１−２）、（Ｉ−１−３）、（Ｉ−３−１）および（Ｉ−３−２）などが挙げられる。
前記式中、Ｒｅで表されるアルキル基、アリール基は、前記Ａ１及びＡ２で表されるアルキル基、アリール基として説明し例示したものと同じである。
［１．２．］ 式（ＩＩ）で表される化合物
前記式（ＩＩ）において、Ａｒ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。
前記式（ＩＩ）において、Ａｒ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。
Ａｒ１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。Ａｒ１が複数の置換基を有する場合には、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。Ａｒ１が有してもよい置換基は、後述の「Ａｒ１となり得るアリーレン基」の例示（下記式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基についての具体的説明）において、Ｒとして具体的に説明し例示するものと同様である。
＜Ａｒ１となり得るアリーレン基＞
前記式（ＩＩ）において、Ａｒ１となり得るアリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。式（ＩＩ）におけるアリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基の炭素数は、通常、６〜６０程度である。なお、アリーレン基の炭素数には置換基の炭素数は含まない。また、芳香族炭化水素には、縮合環を有するもの、及び独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン基等の基を介して結合したものも含まれる。
前記式（ＩＩ）において、Ａｒ１となり得るアリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。式（ＩＩ）におけるアリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基の炭素数は、通常、６〜６０程度である。なお、アリーレン基の炭素数には置換基の炭素数は含まない。また、芳香族炭化水素には、縮合環を有するもの、及び独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン基等の基を介して結合したものも含まれる。
前記式（ＩＩ）において、アリーレン基としては、フェニレン基（下式（１）〜（３））、ナフタレンジイル基（下式（４）〜（１３））、アントラセニレン基（下式（１４）〜（１９））、ビフェニレン基（下式（２０）〜（２５））、ターフェニレン基（下式（２６）〜（２８）、縮合環化合物基（下式（２９）〜（３５））、フルオレン−ジイル基（下式（３６）〜（３８））、スチルベン−ジイル基（下式（Ａ）〜（Ｄ））、ジスチルベン−ジイル基（下式（Ｅ）、（Ｆ））、ベンゾフルオレン−ジイル基（下式（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｋ））等が例示される。これらの中でも、単量体の合成の容易さからは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、ビフェニレン基（下式（２０）〜（２５））、フルオレン−ジイル基（下式（３６）〜（３８））、スチルベン−ジイル基（下式（Ａ）〜（Ｄ））、ベンゾフルオレン−ジイル基（下式（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｋ））が好ましい。
次に、Ｒで表される基について説明する。
アリーレン基の例示（上記式（１）〜（３８）、（Ａ）〜（Ｈ）、（Ｊ）及び（Ｋ））において、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。これらのアリーレン基の例示において、１個の構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
アリーレン基の例示（上記式（１）〜（３８）、（Ａ）〜（Ｈ）、（Ｊ）及び（Ｋ））において、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。これらのアリーレン基の例示において、１個の構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｒで示され得るアルキル基、アリール基および１価の複素環基は、前記Ａ１、Ａ２の項で、説明し例示したものと同じである。
Ｒで示され得るアルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
Ｒで示され得るアルキルチオ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基等が挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
Ｒで示され得るアルキルシリル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度である。アルキルシリル基の具体例としては、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基等が挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。
Ｒで示され得るアルキルアミノ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度である。アルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基等が挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
Ｒで示され得るアリールオキシ基は、炭素数は通常６〜６０程度である。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｒで示され得るアリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度である。アリールアルキル基の具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
Ｒで示され得るアリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度である。アリールアルコキシ基の具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
Ｒで示され得るアリールアルケニル基は、炭素数は通常８〜６０程度である。アリールアルケニル基の具体例としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基（「Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを示し、以下同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。
Ｒで示され得るアリールアルキニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度である。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基（「Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを示し、以下同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。
Ｒで示され得るアリールアミノ基は、炭素数は通常６〜６０程度である。アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
Ｒで示され得るアシル基は、炭素数が通常２〜３０程度、好ましくは炭素数２〜１５程度であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが挙げられる。
Ｒで示され得るアシルオキシ基は、炭素数が通常２〜３０程度、好ましくは炭素数２〜１５程度であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが挙げられる。
Ｒで示され得る置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、炭素数が通常２〜３０程度、好ましくは炭素数２〜１５程度であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
本発明において、置換基がアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子又はヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。このヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が例示される。ヘテロ原子又はヘテロ原子を含む基としては、例えば、下記式（ｈ１）〜（ｈ１０）のものが挙げられる。
上記ヘテロ原子又はヘテロ原子を含む基の例示において、Ｒｓは、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、又は炭素数４〜６０の１価の複素環基である。また、複数あるＲｓは、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｓで表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基の各基は、上記アリーレン基の例示（上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」）において、Ｒで表される置換基として説明し例示したものとそれぞれ同じである。
得られる高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性の観点からは、置換基を有していてもよいアリーレン基のうち、下記式（Ａ４０）：
で表されるものが特に好ましい。
上記式（Ａ４０）において、Ａ環及びＢ環は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。２つの結合手はそれぞれＡ環及び／又はＢ環上に存在し、Ｒｗ及びＲｘは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、ＲｗとＲｘは互いに結合して環を形成していてもよい。
前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さの観点からは、２つの結合手の一方がＡ環上に存在し、他方がＢ環上に存在するものが好ましい。
前記式（Ａ４０）中、Ｒｗ、Ｒｘは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、ＲｗとＲｘとは互いに結合して環を形成していてもよい。
ここで、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、置換カルボキシル基の各基は、上記アリーレン基の例示（上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」）において、Ｒで表される置換基として説明し例示したものとそれぞれ同じである。
なお、単量体の合成の容易さの観点からは、前記式（Ａ４０）中のＲｗとＲｘとが
同一であることが好ましい。
同一であることが好ましい。
さらに、高分子化合物の耐熱性の観点からは、式中、Ａ環及びＢ環の少なくとも１つが、複数個のベンゼン環が縮合した芳香族炭化水素環であるものが好ましい。
前記式（Ａ４０）において、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独又は複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環である。
Ａ環とＢ環との組み合わせとして、好ましくはベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環等の組み合わせが挙げられ、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さ、得られる高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性の観点から、ベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環の組み合わせがより好ましい。
前記式（Ａ４０）で表される置換基を有していてもよいアリーレン基の中でも、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さの観点から、下記式（Ａ４０ａ）〜（Ａ４０ｄ）：
〔式中、Ｒｇは、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。２個あるＲｇは、同一であっても異なっていてもよい。〕
のいずれかで表されるものが特に好ましい。
のいずれかで表されるものが特に好ましい。
前記式（Ａ４０ａ）〜（Ａ４０ｄ）中、Ｒｇで表されるアルキル基、アリール基は、前記Ａ１、Ａ２の項で、説明し例示したものとそれぞれ同じである。高分子化合物の有溶媒に対する溶解性の観点からは、アルキル鎖を含む基が好ましい。
前記式（ＩＩ）において、置換基を有していてもよいアリーレン基としては、前記式（Ａ４０）、前記式（Ａ４０ａ）〜（Ａ４０ｄ）で表されるもの等を含め、フェニレン基（上式（１）〜（３））、ナフタレンジイル基（上式（４）〜（１３）、アントラセンジイル基（上式（１４）〜（１９））、フルオレン−ジイル基（上式（３６）〜（３８））、スチルベン−ジイル（上式（Ａ）〜（Ｄ））、ジスチルベン−ジイル（上式（Ｅ）、（Ｆ））、ベンゾフルオレン−ジイル（上式（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｋ））等が、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さの観点から好ましい。
前記式（ＩＩ）において、２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基は、炭素数は通常４〜６０程度である。なお、炭素数には置換基の炭素数は含まない。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する原子が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基としては、２価の芳香族複素環基（即ち、芳香族性を有する２価の複素環基）が好ましい。２価の複素環基としては、例えば、以下のものが挙げられる。
ａ）ヘテロ原子として窒素原子を含む基
ピリジン−ジイル基（下式（３９）〜（４４））、ジアザフェニレン基（下式（４５）〜（４８））、キノリンジイル基（下式（４９）〜（６３））、キノキサリンジイル基（下式（６４）〜（６８））、アクリジンジイル基（下式（６９）〜（７２））、ビピリジルジイル基（下式（７３）〜（７５））、フェナントロリンジイル基（下式（７６）〜（７８））、フェノキサジンジイル基（下式（１３６））フェノチアジンジイル基（下式（１３７））等。
ｂ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含むフルオレン構造（即ち、フルオレン環中の５員環を構成する炭素原子の１個が、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子又はこれらの原子を含む基で置換されてなる構造）を有する基（下式（７９）〜（９３））。
ｃ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含む５員環複素環基（下式（９４）〜（９８））。
ｄ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含む５員環縮合複素環基（下式（９９）〜（１０８））。
ｅ）ヘテロ原子として硫黄等の原子を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下式（１０９）〜（１１０））。
ｆ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下式（１１１）〜（１１７））。
ｇ）ヘテロ原子として、窒素、硫黄等の原子を含む複素環基でそのベンゼン環のパラ位でチエニル基に結合している基（下式（１５０））。
ピリジン−ジイル基（下式（３９）〜（４４））、ジアザフェニレン基（下式（４５）〜（４８））、キノリンジイル基（下式（４９）〜（６３））、キノキサリンジイル基（下式（６４）〜（６８））、アクリジンジイル基（下式（６９）〜（７２））、ビピリジルジイル基（下式（７３）〜（７５））、フェナントロリンジイル基（下式（７６）〜（７８））、フェノキサジンジイル基（下式（１３６））フェノチアジンジイル基（下式（１３７））等。
ｂ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含むフルオレン構造（即ち、フルオレン環中の５員環を構成する炭素原子の１個が、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子又はこれらの原子を含む基で置換されてなる構造）を有する基（下式（７９）〜（９３））。
ｃ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含む５員環複素環基（下式（９４）〜（９８））。
ｄ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含む５員環縮合複素環基（下式（９９）〜（１０８））。
ｅ）ヘテロ原子として硫黄等の原子を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下式（１０９）〜（１１０））。
ｆ）ヘテロ原子として、けい素、窒素、酸素、硫黄、セレン等の原子を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下式（１１１）〜（１１７））。
ｇ）ヘテロ原子として、窒素、硫黄等の原子を含む複素環基でそのベンゼン環のパラ位でチエニル基に結合している基（下式（１５０））。
２価の複素環基の例示（上式（３９）〜（１１７）、（１３６）、（１３７）、（１５０））において、Ｒは、前記アリーレン基の項において、上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」中で、Ｒとして説明し例示したものと同じである。また、複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。
２価の複素環基としては、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さ、得られる高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性の観点から、下記式（Ｈ７０）：
〔式中、Ｃ環及びＤ環は、それぞれ独立に芳香環を表す。Ｃ環及びＤ環は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。さらに、置換基が複数ある場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。Ｅは、Ｏ又はＳである。〕
で表されるものが好ましい。
で表されるものが好ましい。
Ｃ環、Ｄ環で表される芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環等の複素芳香環が挙げられるが、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さの観点からは、ベンゼン環であることが好ましい。
前記式（Ｈ７０）中、Ｃ環及びＤ環が有していてもよい置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基又はシアノ基である。
ここで、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基は、上記アリーレン基の例示（上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」）において、Ｒで表される置換基として説明し例示したものとそれぞれ同じである。
前記式（Ｈ７０）で表される置換基を有していてもよい２価の複素環基は、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さの観点から、下記式（Ｈ７０ｅ）：
〔式中、Ｙは、Ｏ又はＳを表す。Ｒｊ及びＲｋは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表す。〕
で表されるものが特に好ましい。
で表されるものが特に好ましい。
前記式（Ｈ７０ｅ）中、Ｒｊ及びＲｋは、前記式（ＩＩ）で表される化合物の合成の容易さからは、同一のもの（即ち、両方とも、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基）であることが好ましく、アルコキシ基であることがより好ましい。Ｒｊ及びＲｋで表されるアルキル基、アリール基は、前記Ａ１、Ａ２の項で、説明し例示したものと同じである。また、Ｒｊ及びＲｋで表されるアルコキシ基としては、得られる高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性の観点から、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が好ましく、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基がさらに好ましい。
また、前記Ａｒ１で表され得る置換基を有していてもよい２価の複素環基は、得られる高分子化合物の吸収端波長の長波長化の観点（太陽光の吸収の高効率化）から、また、発光波長の観点（深赤色性良好な赤色領域の発光）から、下記式（Ｈ８０ａ）：
〔式中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、１又は２である〕
で表されるものであることが好ましい。
で表されるものであることが好ましい。
前記式（Ｈ８０ａ）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄで表されるアルキル基、アリール基は、前記Ａ１、Ａ２の項で、説明し例示したものと同じである。上記式（Ｈ８０ａ）中、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄのうち１つ以上がアルキル基であることが、得られる高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性の観点から好ましい。
前記式（ＩＩ）において、２価の芳香族アミン基は、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の芳香族アミン基は、炭素数は通常４〜６０程度である。なお、２価の芳香族アミン基の炭素数には置換基の炭素数は含まない。２価の芳香族アミン基としては、例えば、下記式（ＡＭ３）で表される基が挙げられる。
〔式中、Ａｒ６及びＡｒ８はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、下記式（ＡＭ３ａ）で表される基又は下記式（ＡＭ３ｂ）で表される基を表し、Ａｒ７は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基、下記式（ＡＭ３ｃ）で表される基又は下記式（ＡＭ３ｄ）で表される基を表し、Ａｒ６とＡｒ７の間、Ａｒ６とＡｒ８の間、又はＡｒ７とＡｒ８の間に環を形成していてもよい。
（式中、Ａｒ９及びＡｒ１０は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。）
（式中、Ａｒ１１及びＡｒ１２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、Ａｒ１３は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、Ａｒ１１とＡｒ１３の間、Ａｒ１１とＡｒ１２の間、又はＡｒ１２とＡｒ１３の間に環を形成していてもよい。）
（式中、Ａｒ１４は、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、Ａｒ１７及びＡｒ１８は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、Ａｒ１４とＡｒ１７の間、Ａｒ１４とＡｒ１８の間、又はＡｒ１７とＡｒ１８の間に環を形成していてもよい。）
（式中、Ａｒ１５は、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、Ａｒ１６は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。）〕
上記式（ＡＭ３）および（ＡＭ３ａ）〜（ＡＭ３ｄ）において、Ａｒ６、Ａｒ８〜Ａｒ１２、Ａｒ１４及びＡｒ１５で表される置換基を有していてもよいアリーレン基は、前記式（ＩＩ）の項において、Ａｒ１として説明し例示したものの中のアリーレン基と同じである。前記式（ＩＩ）の合成の容易さからは、フェニレン基であることが好ましい。
上記式（ＡＭ３）および（ＡＭ３ａ）〜（ＡＭ３ｄ）において、Ａｒ７、Ａｒ１３及びＡｒ１６〜Ａｒ１８で表される置換基を有していてもよいアリール基は、前記アリーレン基の項において上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」のＲとして説明し例示したものの中のアリール基とそれぞれ同じである。
上記式（ＡＭ３）および（ＡＭ３ａ）〜（ＡＭ３ｄ）において、Ｒ９〜Ｒ１２で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基は、前記アリーレン基の項において、上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」のＲとして説明し例示したものの中のアルキル基、アリール基、１価の複素環基とそれぞれ同じである。
上記式（ＡＭ３）および（ＡＭ３ａ）〜（ＡＭ３ｄ）において、Ａｒ６〜Ａｒ１８は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。これらの基は、前記アリーレン基の項において上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」のＲとして説明し例示したものとそれぞれ同じである。
前記式（ＩＩ）における２価の芳香族アミン基の具体例としては、以下の基が挙げられる。
２価の芳香族アミン基の例示（上式（ａｍ１１８）〜（ａｍ１２４））において、Ｒは、前記アリーレン基の項において上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」のＲとして説明し例示したものとそれぞれ同じである。また、複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。
前記式（ＩＩ）において、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、高分子化合物の合成の容易さの観点からは、ハロゲン原子が好ましい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがさらに好ましい。
Ｙ１またはＹ２におけるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基等が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基等が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基等が例示される。
前記式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては、下記式（ＩＩ−１０）〜（ＩＩ−１８）：
（式中、Ｒは、前記と同じである。複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。）で表されるもの等が挙げられる。
前記式（ＩＩ−１０）〜（ＩＩ−１８）中、Ｒで表される、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、アシル基、アシルオキシ基、置換カルボキシル基は、上記アリーレン基の例示、上記「式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基」において、Ｒで表される置換基として説明し例示したものとそれぞれ同じである。
［１．３．］ 式（ＩＩ−ＰＡ）で表される重合体化合物
前記式（ＩＩ−ＰＡ）において、Ａｒ３は、Ａｒ１と同様の基である。Ａｒ２は、Ａｒ３で表される繰り返し単位を、少なくとも２個を含む重合体の２価の残基である。式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物の分子量またはＡｒ２を構成するＡｒ３で表される繰り返し単位の数は、製造目的とする高分子化合物の分子量などに応じて調整してよい。製造しようとする高分子化合物について薄膜の強靭性を求める場合には、Ａｒ２は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３から１×１０８である重合体の２価の残基が好ましい。Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。高分子量の高分子化合物の合成の容易さの観点からは、Ｙ３及びＹ４の少なくとも一方が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基であることが好ましく、ハロゲン原子であることがより好ましく、両方ともハロゲン原子であることが特に好ましい。
前記式（ＩＩ−ＰＡ）において、Ａｒ３は、Ａｒ１と同様の基である。Ａｒ２は、Ａｒ３で表される繰り返し単位を、少なくとも２個を含む重合体の２価の残基である。式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物の分子量またはＡｒ２を構成するＡｒ３で表される繰り返し単位の数は、製造目的とする高分子化合物の分子量などに応じて調整してよい。製造しようとする高分子化合物について薄膜の強靭性を求める場合には、Ａｒ２は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３から１×１０８である重合体の２価の残基が好ましい。Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。高分子量の高分子化合物の合成の容易さの観点からは、Ｙ３及びＹ４の少なくとも一方が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基であることが好ましく、ハロゲン原子であることがより好ましく、両方ともハロゲン原子であることが特に好ましい。
［１．４．］ パラジウム触媒
本発明の製造方法で用いるパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒等を含めて、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）等が挙げられるが、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）が好ましい。
本発明の製造方法で用いるパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒等を含めて、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）等が挙げられるが、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）が好ましい。
パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、前記式（Ｉ）で表される化合物と前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物とが有するホウ酸残基、ホウ酸エステル残基の合計２当量に対して（但し、前記式（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む製造方法の場合は、前記式（１）で表される化合物と前記式（Ｍ５０）で表される化合物を合わせた場合の１モルに対して）、通常、０．０００１モル〜０．５モル、好ましくは０．０００３モル〜０．１モルである。
［１．５．］ 塩基
本発明の製造方法で用いる塩基は、無機塩基、有機塩基、無機塩等である。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等が挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウム等が挙げられる。
本発明の製造方法で用いる塩基は、無機塩基、有機塩基、無機塩等である。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等が挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウム等が挙げられる。
塩基の添加量は、前記式（Ｉ）で表される化合物と前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物とが有するホウ酸残基、ホウ酸エステル残基の合計２当量に対して（但し、前記式（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む製造方法の場合は、前記式（１）で表される化合物と前記式（Ｍ５０）で表される化合物をあわせた場合の１モルに対して）、通常、０．５モル〜１００モル、好ましくは０．９モル〜２０モル、さらに好ましくは１モル〜１０モルである。
［１．６．］ その他の成分
前記パラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン等のリン化合物を配位子として添加してもよい。この場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル〜１００モルであり、好ましくは０．９モル〜２０モル、さらに好ましくは１モル〜１０モルである。
前記パラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン等のリン化合物を配位子として添加してもよい。この場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル〜１００モルであり、好ましくは０．９モル〜２０モル、さらに好ましくは１モル〜１０モルである。
本発明の製造方法において、前記反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が例示される。ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。また、塩基は、水溶液として加え、２相系で反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、無機塩の溶解性の観点から、通常、水溶液として加え、２相系で反応させる。なお、塩基を水溶液として加え、２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩などの相間移動触媒を加えてもよい。
［１．７．］ 反応条件
前記反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、５０〜１６０℃程度であり、高分子化合物の高分子量化の観点から、６０〜１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
前記反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、５０〜１６０℃程度であり、高分子化合物の高分子量化の観点から、６０〜１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
前記反応を行う時間（反応時間）は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間〜２００時間程度であり、０．２時間〜３０時間程度が効率的で好ましい。
前記反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ（０）触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、前記式（Ｉ）で表される化合物、前記式（ＩＩ）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、さらに、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。
［１．８．］ 本発明の製造方法の他の形態
本発明の他の一形態として次の形態が示される。本発明の高分子化合物を容易に得る観点からは、本発明の好ましい一形態として、式（ＩＩ−２Ｍ）で表される１種以上の化合物を合成する工程を設ける製造方法が挙げられる。（ＩＩ-２Ｍ）合成工程は、以下のような反応系とし得る。すなわち、
下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、Ａｒ１と同様な基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、Ｘ１及びＸ２と同様の基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、Ａｒ１と同様な基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、Ｙ１及びＹ２と同様な基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（Ｉ）および前記式（ＩＩ）で表される化合物を加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる。このような工程を設けることによりポリアリーレン部位の長さを調整し、より容易に分子量の大きなポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を製造することができる。
本発明の他の一形態として次の形態が示される。本発明の高分子化合物を容易に得る観点からは、本発明の好ましい一形態として、式（ＩＩ−２Ｍ）で表される１種以上の化合物を合成する工程を設ける製造方法が挙げられる。（ＩＩ-２Ｍ）合成工程は、以下のような反応系とし得る。すなわち、
下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、Ａｒ１と同様な基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、Ｘ１及びＸ２と同様の基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、Ａｒ１と同様な基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、Ｙ１及びＹ２と同様な基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（Ｉ）および前記式（ＩＩ）で表される化合物を加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる。このような工程を設けることによりポリアリーレン部位の長さを調整し、より容易に分子量の大きなポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を製造することができる。
上記（ＩＩ−２Ｍ）合成工程を含む、本発明の製造方法の一形態としては、（ＩＩ−ＰＡ）合成工程の後、前記式（Ｉ）および前記式（ＩＩ）で表される化合物を加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる形態が例示される。さらに、他の一形態としては、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物を添加し、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させてもよい。
さらに本発明の製造方法の他の形態として、前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物と、前記式（Ｍ５０）で示される１種以上の化合物と、前記式（Ｍ６０）で表される１種以上の化合物とを加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させてもよい。
より分子量の大きな高分子化合物を容易に得る観点からは、前記式（Ｍ５０）で表される１種類以上の化合物と、前記式（Ｍ６０）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（Ｉ）および前記式（ＩＩ）で表される化合物を加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が好ましい。
［１．９．］ 本発明の製造方法のより具体的な形態例
本発明の製造方法の具体例としては、前記式（１）で表される化合物として、下記式：
で表される１種類以上の化合物を選択し、前記式（ＩＩ）で表される化合物として、下記式：
（式中、Ｒは前記と同じである。複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される１種類以上の化合物を選択し、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物として、下記式：
（式中、Ｒは前記と同じである。複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される繰り返し単位を、少なくとも一種類を含む、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３から１×１０８である重合体で、分子末端がＹ３及びＹ４で表される１種類以上の化合物を選択し、これらを、パラジウム触媒、例えば、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）触媒の存在下、炭酸ナトリウム等の塩基を１０〜２０重量％水溶液として、前記式（１）で表される化合物１モルに対して（ただし、前記式（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む製造方法の場合は、前記式（１）で表される化合物と前記式（Ｍ５０）で表される化合物をあわせた場合の１モルに対して）１〜２０モル加えたトルエン／水の２相系（必要に応じて相間移動触媒を加える）で、還流温度で、１〜３０時間、不活性雰囲気下で反応させる方法が挙げられる。
本発明の製造方法の具体例としては、前記式（１）で表される化合物として、下記式：
で表される１種類以上の化合物を選択し、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される化合物として、下記式：
で表される繰り返し単位を、少なくとも一種類を含む、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３から１×１０８である重合体で、分子末端がＹ３及びＹ４で表される１種類以上の化合物を選択し、これらを、パラジウム触媒、例えば、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）触媒の存在下、炭酸ナトリウム等の塩基を１０〜２０重量％水溶液として、前記式（１）で表される化合物１モルに対して（ただし、前記式（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む製造方法の場合は、前記式（１）で表される化合物と前記式（Ｍ５０）で表される化合物をあわせた場合の１モルに対して）１〜２０モル加えたトルエン／水の２相系（必要に応じて相間移動触媒を加える）で、還流温度で、１〜３０時間、不活性雰囲気下で反応させる方法が挙げられる。
［２．］本発明の製造方法により得ることができる高分子化合物
［２．１．］ 高分子化合物の分子構造
本発明の製造方法によって、例えば、次のような高分子化合物を製造することができる。例えば、前式（ＩＩ−ＰＡ）のＹ３及びＹ４が、両方ともハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基である場合、下記式（ＩＩＩ−ａ）、式（ＩＩＩ−ｐａ）、式（ＩＩＩ−ｂ）および式（ＩＩＩ−ｐｂ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる１種または２種以上と、式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を製造することができる。本発明の製造方法によれば、１分子内に含まれる各繰り返し単位の数が１つ又は２つ以上である分子の集合物を製造し得る。
［２．１．］ 高分子化合物の分子構造
本発明の製造方法によって、例えば、次のような高分子化合物を製造することができる。例えば、前式（ＩＩ−ＰＡ）のＹ３及びＹ４が、両方ともハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基である場合、下記式（ＩＩＩ−ａ）、式（ＩＩＩ−ｐａ）、式（ＩＩＩ−ｂ）および式（ＩＩＩ−ｐｂ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる１種または２種以上と、式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を製造することができる。本発明の製造方法によれば、１分子内に含まれる各繰り返し単位の数が１つ又は２つ以上である分子の集合物を製造し得る。
本発明で得ることができる高分子化合物についてより具体的に例示すると、下記式：
（式中、Ｒは前記と同じである。複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される繰り返し単位を少なくとも１種類と、下記式：
（式中、Ｒは前記と同じである。複数あるＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される繰り返し単位を少なくとも１種類とを含む高分子化合物が挙げられる。
で表される繰り返し単位を少なくとも１種類と、下記式：
で表される繰り返し単位を少なくとも１種類とを含む高分子化合物が挙げられる。
ここで、Ｒは、前記アリーレン基の項において、上記式（１）〜（３８）等で表されるアリーレン基のＲとして、説明し例示したものと同じである。また、Ａ１、Ａ２は、前記式（１）のＡ１、Ａ２として説明し例示したものと同じである。
［２．２．］ 本発明の製造方法により得ることができる高分子化合物の特徴
本発明の製造方法によれば、分子量の大きな高分子化合物、特に分子量の大きなポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を容易に製造することができる。本発明の製造方法自体を限定するものではないが、本発明により得られる高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、典型的には２×１０３〜１×１０８に調整することができ、より典型的には５×１０３〜１×１０７に調整することができ、さらに典型的には１×１０４〜１×１０７に調整することができる。
本発明の製造方法によれば、分子量の大きな高分子化合物、特に分子量の大きなポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を容易に製造することができる。本発明の製造方法自体を限定するものではないが、本発明により得られる高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、典型的には２×１０３〜１×１０８に調整することができ、より典型的には５×１０３〜１×１０７に調整することができ、さらに典型的には１×１０４〜１×１０７に調整することができる。
本発明の製造方法より得られる高分子化合物は、分子鎖末端に位置する基（即ち、末端基）に重合に関与する基（通常、重合活性基と呼ばれる）が残っていると、該高分子化合物を発光素子に用いたときの発光特性、寿命が低下する場合も可能性としてはあり得るので、重合に関与しない安定な基で保護されていてもよい。この末端基としては、分子鎖主鎖の実質的な共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましい。また、例えば、ビニレン基を介してアリール基又は複素環基と結合している構造であってもよい。このような末端基としては、共役結合に関与する炭素数が４〜５０のアリール基または複素環化合物基が挙げられる。このようなアリール基または複素環化合物基としては、炭素原子と水素原子のみからなる六員環、炭素原子、水素原子および窒素原子からなる六員環、酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち１種類以上と炭素原子、水素原子からなる五員環からなる群から選ばれた環構造のうち少なくとも１つ、あるいは該環構造を含む縮合環を含むことが好ましい。より具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載された１価の芳香族化合物基等が例示される。
本発明の製造方法により、分子鎖主鎖が実質的に共役系である高分子化合物を製造することもできる本明細書において、「実質的に共役系である」とは、分子鎖主鎖を構成する全繰り返し単位に対して、通常、５０〜１００モル％、好ましくは８０〜１００モル％、より好ましくは９０〜１００モル％の繰り返し単位が、分子鎖主鎖の共役系を構成することを意味する。
また、本発明の製造方法により、繰り返し単位が、非共役部分で連結されている高分子化合物、および繰り返し単位に非共役部分が含まれている高分子化合物を製造することもできる。前記非共役部分を含む結合構造としては、下記式（ｈ１）〜（ｈ１４）に示すもの、下記式（ｈ1）〜（ｈ１４）に示すもののうち２個以上を組み合わせたもの等が例示される。
これらの非共役部分を含む結合構造の例示において、Ｒｓは、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、又は炭素数４〜６０の１価の複素環基である。また、上記式（ｈ1）〜（ｈ１４）におけるＡｒは、炭素数６〜６０個の炭化水素基であり、より具体的には、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、ナフタレン、アントラセン等の水素原子が結合手になった基である。Ｒｓが複数ある場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
本発明の製造方法によって、製造される高分子化合物は、所望により、交互共重合体、ランダム共重合体、ブロック共重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよく、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光強度の高い高分子化合物を得る観点からは、完全なランダム共重合体より、ブロック性を帯びたランダム共重合体、ブロック共重合体又はグラフト共重合体が好ましい。本発明の高分子化合物は、主鎖に枝分かれがあり、末端部が３個以上ある場合、デンドリマー等も含む。
本発明の製造方法より得られる高分子化合物は、必要に応じて、溶媒に一部若しくは全部を溶解、又は分散させることができる。高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼン等が例示される。高分子化合物の構造及び分子量にもよるが、通常、これらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
［２．３．］ 高分子化合物の用途
本発明の製造方法によれば、例えば、有機エレクトロルミネッセンスの発光材料、光学材料、薄膜、有機半導体（有機トランジスタ等）、太陽電池等の材料として有用な高分子化合物を製造することができる。これらの技術分野に限られないが、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物については、その特性をより有効活用するために分子量の大きなものが求められる場合がある。本発明の製造方法は、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を容易に製造することができ、このような需要に応えることに寄与するものである。
本発明の製造方法によれば、例えば、有機エレクトロルミネッセンスの発光材料、光学材料、薄膜、有機半導体（有機トランジスタ等）、太陽電池等の材料として有用な高分子化合物を製造することができる。これらの技術分野に限られないが、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物については、その特性をより有効活用するために分子量の大きなものが求められる場合がある。本発明の製造方法は、ポリ（アリーレンビニレン）系高分子化合物を容易に製造することができ、このような需要に応えることに寄与するものである。
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例で求めた化合物の分子量は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めたポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量である。
＜実施例１＞（高分子化合物１の合成）
下記式：
で表される単量体（１）０．６０３ｇと、下記式：
で表される単量体（２）０．６９２ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．１７ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．８ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ２０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ８ｍｌを滴下した後、昇温し、３時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
下記式：
次に、反応溶液を室温付近まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた下記溶液（Sol.Ａ）を加えた。なお、本実施例に置いて、室温とは、およそ２０〜４５℃の範囲内の温度をいう。
溶液（Sol.Ａ）：
下記式：
で表される単量体（３）０．３５０ｇと、下記式：
で表される単量体（２００）｛［ｃｉｓ−１，２−Ｂｉｓ（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ−２−ｙｌ）ｓｔｙｒｅｎｅ］ Ａｌｄｒｉｃｈ製｝０．１８０ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．０９ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．１ｍｇとを、脱気したトルエン ９ｍｌに溶解した溶液。
下記式：
次に、得られた反応溶液に、脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ８ｍｌを滴下した後、昇温し、３時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
次に、反応溶液を６０℃付近まで冷却した後、この反応溶液に、フェニルホウ酸０．１７ｇ／テトラヒドロフラン１ｍｌ混合溶液を加え、昇温し、４．５時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、この反応溶液にトルエンを加えた。得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン溶液を回収した。次いで、得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、該トルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。えられたトルエン溶液をアルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物１」という）０．５４ｇを得た。高分子化合物１のポリスチレン換算の重量平均分子量は７．４×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は２．１×１０４であった。
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、この反応溶液にトルエンを加えた。得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン溶液を回収した。次いで、得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、該トルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。えられたトルエン溶液をアルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物１」という）０．５４ｇを得た。高分子化合物１のポリスチレン換算の重量平均分子量は７．４×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は２．１×１０４であった。
＜実施例２＞（高分子化合物２の合成）
下記式：
で表される単量体（４）０．４９６ｇと、下記式：
で表される単量体（５）０．５３３ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．１７ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．７ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ２０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ８ｍｌを滴下した後、昇温し、３時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
下記式：
次に、反応溶液を室温まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、前記単量体（３）０．３５０ｇと、前記単量体（２００）０．１８０ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．０９ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．１ｍｇとを、脱気したトルエン ９ｍｌに溶解した溶液を加えた。
次に、得られた反応溶液に、脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ８ｍｌを滴下した後、昇温し、３時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
次に、反応溶液を６０℃付近まで冷却した後、この反応溶液に、フェニルホウ酸０．１７ｇ／テトラヒドロフラン１ｍｌ混合溶液を加え、昇温し、４．５時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、この反応溶液にトルエンを加えた。得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン溶液を回収した。次いで、得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、該トルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液をアルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物２」という）０．４１ｇを得た。高分子化合物２のポリスチレン換算の重量平均分子量は１．５×１０５であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は２．１×１０４であった。
＜実施例３＞（高分子化合物３の合成）
下記式：
で表される単量体（６）０．４７７ｇと、下記式：
で表される単量体（７）０．６２６ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．７ｇと、酢酸パラジウム（ＩＩ） ２．２ｍｇと、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン ８．８ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ２０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ５ｍｌを滴下した後、昇温し、２．５時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
下記式：
この反応溶液を室温まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、下記溶液（Sol.Ｃ）を加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ５ｍｌを滴下した後、昇温し、４時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
溶液(Sol.Ｃ)：
下記式：
で表される単量体（１２） ０．６６５ｇと、前記単量体（２００） ０．３５６ｇと、酢酸パラジウム（ＩＩ） １．２ｍｇと、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン ６．０ｍｇとを、脱気したトルエン ２０ｍｌに溶解した溶液。
下記式：
次に、反応溶液を６０℃付近まで冷却した後、この反応溶液に、フェニルホウ酸０．１８ｇ／テトラヒドロフラン０．７ｍｌ混合溶液を加え、昇温し、３．５時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、この反応溶液にトルエン３０ｇを加えた。得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン溶液を回収した。次いで、得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、該トルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液をアルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物３」という）０．８９ｇを得た。高分子化合物３のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．３×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は１．７×１０４であった。
＜実施例４＞（高分子化合物４の合成）
下記式：
で表される単量体（８）０．６９４ｇと、下記式：
で表される単量体（９）０．４５９ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．７ｇと、酢酸パラジウム（ＩＩ） ４．５ｍｇと、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン ２２ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ４０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ５ｍｌを滴下した後、昇温し、２．５時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
下記式：
この反応溶液を室温まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、下記溶液（Sol.Ｄ）を加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ５ｍｌを滴下した後、昇温し、３．５時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
溶液(Sol.Ｄ)：
で表される単量体（１０） ０．４９４ｇと、前記単量体（２００） ０．３５６ｇと、酢酸パラジウム（ＩＩ） ２．０ｍｇと、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン ７．７ｍｇとを、脱気したトルエン ２０ｍｌに溶解した溶液。
次に、反応溶液を６０℃付近まで冷却した後、この反応溶液に、フェニルホウ酸０．１８ｇ／テトラヒドロフラン０．５ｍｌ混合溶液を加え、昇温し、１時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン溶液を回収した。次いで、得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、該トルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。えられたトルエン溶液をアルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物４」という）０．２７ｇを得た。高分子化合物４のポリスチレン換算の重量平均分子量は２．１×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は１．０×１０４であった。
＜実施例５＞（高分子化合物５の合成）
下記式：
で表わされる単量体（５）０．４９３ｇと、下記式：
で表わされる単量体（１１）０．５１４ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．７０ｇと、酢酸パラジウム（ＩＩ） ２．２ｍｇと、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン９．８ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ２０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ７ｍｌを滴下した後、昇温し、３時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
下記式：
この反応溶液を６０℃付近まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、下記溶液（Sol.Ｅ）を加えた。次に、得られた反応溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 ５ｍｌを滴下した後、昇温し、３．５時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
＜溶液（Sol.Ｅ）＞
前記単量体（３） ０．２９９ｇと、下記式：
で表わされる単量体（１００） ０．１７９ｇと、酢酸パラジウム（ＩＩ） １．１ｍｇと、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン４．６ｍｇとを、脱気したトルエン ２０ｍｌに溶解した溶液。
前記単量体（３） ０．２９９ｇと、下記式：
次に、反応溶液を６０℃付近まで冷却した後、この反応溶液に、フェニルホウ酸０．１０ｇ／テトラヒドロフラン０．５ｍｌ混合溶液を加え、昇温し、２時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン層を回収した。次いで、得られたトルエン層を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液をろ過して不溶物を除去した後、アルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物５」という）０．５０ｇを得た。高分子化合物５のポリスチレン換算の重量平均分子量は２．５×１０５であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は１．４×１０４であった。
＜実施例６＞（高分子化合物６の合成）
前記単量体（８）０．７７２ｇと、前記単量体（１１）０．５１８ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．４０ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） ２．０ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ３０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 １０ｍｌを滴下した後、昇温し、１０時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
前記単量体（８）０．７７２ｇと、前記単量体（１１）０．５１８ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．４０ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） ２．０ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ３０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 １０ｍｌを滴下した後、昇温し、１０時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
この反応溶液を室温まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、下記溶液（Sol.Ｆ）を加えた。次に、得られた反応溶液を昇温し、６時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
＜溶液（Sol.Ｆ）＞
前記単量体（１００） ０．１４７ｇと、下記式：
で表わされる単量体（１３） ０．４４４ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．７ｍｇとを、脱気したトルエン １０ｍｌに溶解した溶液。
前記単量体（１００） ０．１４７ｇと、下記式：
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン層を回収した。次いで、得られたトルエン層を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液をろ過して不溶物を除去した後、アルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物６」という）０．６９ｇを得た。高分子化合物６のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は１．２×１０４であった。
＜実施例７＞（高分子化合物７の合成）
前記単量体（５）０．４７８ｇと、下記式：
で表される単量体（１４） ０．６７７ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．３０ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．７ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ３０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 １４ｍｌを滴下した後、昇温し、８時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
前記単量体（５）０．４７８ｇと、下記式：
この反応溶液を室温まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、下記溶液（Sol.Ｇ）を加えた。次に、得られた反応溶液を昇温し、７時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
＜溶液（Sol.Ｇ）＞
前記単量体（２００） ０．３５６ｇと、下記式：
で表わされる単量体（１５） ０．４４６ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．１５ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） ２．１ｍｇとを、脱気したトルエン １５ｍｌに溶解した溶液。
前記単量体（２００） ０．３５６ｇと、下記式：
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン層を回収した。次いで、得られたトルエン層を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液をろ過して不溶物を除去した後、アルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物７」という）０．６２ｇを得た。高分子化合物７のポリスチレン換算の重量平均分子量は１．９×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は５．４×１０３であった。
＜実施例８＞（高分子化合物８の合成）
前記単量体（５）０．５０４ｇと、前記単量体（１０）０．５４８ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．３０ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．７ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ３０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 １４ｍｌを滴下した後、昇温し、８時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
前記単量体（５）０．５０４ｇと、前記単量体（１０）０．５４８ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．３０ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） １．７ｍｇとを反応容器に仕込み、反応容器内をアルゴンガスで十分置換した。この反応容器に、予めアルゴンガスをバブリングして脱気したトルエン ３０ｍｌを加えた。次に、この溶液に、予めアルゴンガスでバブリングして脱気した１６．７重量％炭酸ナトリウム水溶液 １４ｍｌを滴下した後、昇温し、８時間還流した。なお、反応はアルゴンガス雰囲気下で行った。
この反応溶液を室温まで冷却した後、この反応溶液に、予め別のアルゴンガスで置換した容器に用意しておいた、下記溶液（Sol.Ｈ）を加えた。次に、得られた反応溶液を昇温し、７時間還流した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気下で行った。
＜溶液（Sol.Ｈ）＞
前記単量体（２００） ０．３５６ｇと、下記式：
で表わされる単量体（１６） ０．６４８ｇと、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：ａｌｉｑｕａｔ３３６、Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＣＨ３Ｎ［（ＣＨ２）７ＣＨ３］３Ｃｌ、ｄｅｎｓｉｔｙ ０．８８４ｇ／ｍｌ，２５℃、ｔｒａｄｅｍａｒｋ ｏｆ Ｈｅｎｋｅｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）０．２０ｇと、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ） ２．０ｍｇとを、脱気したトルエン １５ｍｌに溶解した溶液。
前記単量体（２００） ０．３５６ｇと、下記式：
反応終了後、反応溶液を室温付近まで冷却した後、得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン層を回収した。次いで、得られたトルエン層を、メタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。得られたトルエン溶液をろ過して不溶物を除去した後、アルミナカラムに通して精製した。次に、得られたトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈し、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体（以下、この重合体を「高分子化合物８」という）０．４７ｇを得た。高分子化合物８のポリスチレン換算の重量平均分子量は４．２×１０４であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は７．３×１０３であった。
Claims (15)
- 下記式（Ｉ）：
Ｘ１−Ｃ（Ａ１）＝Ｃ（Ａ２）−Ｘ２ （Ｉ）
〔式中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基又は置換基を有していてもよい１価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ）：
Ｙ１−Ａｒ１−Ｙ２ （ＩＩ）
〔式中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（ＩＩ―ＰＡ）：
Ｙ３−Ａｒ２−Ｙ４ （ＩＩ−ＰＡ）
〔式中、Ａｒ２は、下記式（ＩＩ−２Ｍ）：
−Ａｒ３− （ＩＩ−２Ｍ）
（式中、Ａｒ３は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。）
で表される繰り返し単位を２個以上含む重合体の２価の残基を表す。Ｙ３及びＹ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸残基、又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する、高分子化合物の製造方法。 - 前記Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４がハロゲン原子である請求項１に記載の製造方法。
- 前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよいアリーレン基であり、前記置換基を有していてもよいアリーレン基が、下記式（Ａ４０）：
で表されるものである請求項１又は２に記載の製造方法。 - 前記式（Ａ４０）で表される置換基を有していてもよいアリーレン基が、下記式（Ａ４０ａ）、（Ａ４０ｂ）、（Ａ４０ｃ）、及び（Ａ４０ｄ）：
からなる群より選ばれる１種である請求項３に記載の製造方法。 - 前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が、置換基を有していてもよい２価の複素環基であり、前記置換基を有してもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ７０）：
で表されるものである請求項１又は２に記載の製造方法。 - 前記式（Ｈ７０）で表される置換基を有していてもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ７０ｅ）：
で表されるものである請求項５に記載の製造方法。 - 前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよい２価の複素環基であり、前記置換基を有してもよい２価の複素環基が、下記式（Ｈ８０ａ）：
で表されるものである請求項１又は２に記載の製造方法。 - 前記Ａｒ１及びＡｒ３のうち少なくとも一方が置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基である、請求項１又は２に記載の製造方法。
- 前記Ａ１及びＡ２の少なくとも一方がアルキル基又はアリール基である請求項１から８のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記Ａ１及びＡ２の一方がアルキル基又はアリール基であり、他方が水素原子である請求項９に記載の製造方法。
- 前記パラジウム触媒が、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）である請求項１から１０のいずれか一項に記載の製造方法。
- 下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させ、式（ＩＩ−ＰＡ）で示される１種以上の化合物を合成する（ＩＩ−ＰＡ）合成工程を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記（ＩＩ−ＰＡ）合成工程の後、前記式（Ｉ）および前記式（ＩＩ）で表される化合物を加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる、請求項１２に記載の製造方法。
- 前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物を添加し、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記式（Ｉ）で表される１種類以上の化合物と前記式（ＩＩ）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させた後、
前記式（ＩＩ−ＰＡ）で表される１種以上の化合物と、
下記式（Ｍ５０）：
Ｘ１０−Ａｒ５０−Ｘ２０ （Ｍ５０）
〔式中、Ａｒ５０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｘ１０及びＸ２０は、それぞれ独立に、ホウ酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、
下記式（Ｍ６０）：
Ｙ１０−Ａｒ６０−Ｙ２０ （Ｍ６０）
〔式中、Ａｒ６０は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい２価の複素環基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン基を表す。Ｙ１０及びＹ２０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを加え、引き続きパラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の製造方法。
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