JP2009132872A - ケイ素微粒子発光体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ケイ素微粒子発光体の製造方法は、不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程と、エッチング後のケイ素微粒子の表面に付加されたH原子を親水基を有する不飽和炭化水素基で置換する(終端処理という)と、を含む。
【選択図】図6
Description
SiO+2C→SiC+CO (2)
2SiO→Si+SiO2 (3)
(成分)
本発明の実施形態に用いられる成分としては、炭化ケイ素粉末の製造工程で用いられる成分を用いることができる。炭化ケイ素粉末の説明を介して本発明の実施形態に用いられる成分について説明する。
ケイ素微粒子発光体の製造に用いられる加熱装置1の概略図を図3に示す。加熱装置1は、ケイ素源と炭素源を含む混合物を容器Wに収容し加熱雰囲気を形成する加熱容器2と、加熱容器2を保持するステージ8と、上記混合物(焼結体)Wを加熱する発熱体10a、10bと、加熱容器2と発熱体10a、10bを覆う断熱材12と、加熱容器2から吸引管21を介して反応ガスを吸引するブロア23、混合粉体を収容する集塵機22、ガスを供給する供給管24を有する吸引装置20と、を備える。吸引装置20は加熱容器2内に加熱及び不活性雰囲気を維持しながらSiOガスを吸引することができる。吸引装置20の内はアルゴンガスが循環するように設けられている。また設定圧力により自動開閉する電磁弁25を備える。
実施形態にかかるケイ素微粒子発光体の製造方法を、図7を用いて説明する。図7は、ケイ素微粒子発光体の製造方法を説明する図である。実施形態にかかるケイ素微粒子発光体の製造方法は、図7に示すように、(A)不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、(B)不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、(C)混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程と、(D)エッチング後のケイ素微粒子の表面に付加されたH原子を親水基を有する不飽和炭化水素基で置換する工程(終端処理という)を含む。以下工程毎に詳細に説明する。
まずケイ素源としてのエチルシリケートと、炭素源としてのフェノール樹脂と、重合触媒としてのマレイン酸とからなる混合物を150℃程度で加熱して硬化させる。Si/C比は0.5〜3.0が好ましい。次に硬化物を窒素雰囲気下800〜1200℃で、0.5〜2時間加熱する。その後、アルゴン雰囲気下1500〜2000℃で加熱する。
次にブロア23を作動させる。そして吸引管21を介して加熱容器2内からアルゴンガス気流に乗せて生成ガスを抜き出す。断熱材12の外部は室温に保たれているため生成ガスは室温まで急冷される。そして生成ガスからケイ素(Si)とシリカ(SiO2)からなる混合粉体が得られる。得られた混合粉体を集塵機22に集塵する。またアルゴン気流を供給管24を介して加熱容器2に送り込む。
混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬する。酸化剤としては、例えば硝酸(HNO3)及び過酸化水素(H2O2)が挙げられる。またエッチング溶液に、シリコン微粒子の回収を容易にするため疎水性溶媒例えばシクロヘキサン、微極性溶媒例えば2−プロパノールを混ぜても構わない。エッチング時間を調節して所望の発光ピークが得られるように調整する。エッチング時間が長くなるほど、発光ピークは短波長側にシフトする傾向がある。所望の発光ピークが得られる程度までエッチングが進行した時点でケイ素微粒子発光体をエッチング溶液から取り出し、適宜乾燥することで所望の発光ピークを有するケイ素微粒子発光体が得られる。
次に、エッチング工程によってエッチングされたケイ素微粒子に終端処理を施す。エッチング工程が行われると、ケイ素微粒子の表面を包含していた酸化ケイ素が除去されるかわりに、ケイ素微粒子の表面には、エッチング工程で使用したフッ酸によって、部分的にH原子が付加している。そのため、エッチング工程後のケイ素微粒子は、疎水的となり、水溶液中で凝集し易くなる。
上記ケイ素微粒子発光体の製造方法により得られたケイ素微粒子発光体の物性や用途を挙げると以下の通りである。平均粒径が5nm以下、好ましくは2〜3nmである。紫外線照射により発色する。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
ケイ素源としてエチルシリケート620gと、炭素源としてのフェノール樹脂288gと、重合触媒としてのマレイン酸水溶液92g(35重量%)とからなる混合溶液を図3の加熱容器2内に配置した。そして上記混合溶液を150℃で加熱して固化させた。次に、得られた固化物を窒素雰囲気下において90℃で1時間炭化させた。得られた炭化物をアルゴン雰囲気下において1600℃で加熱した。
実施例1〜3のそれぞれのケイ素微粒子の発光特性を評価した。結果を図5に示す。図5は、実施形態にかかるケイ素微粒子発光体の蛍光スペクトルを示す。図5の結果より、実施例1,2のケイ素微粒子は、実施例3のケイ素微粒子(H終端のケイ素微粒子)と比べて、発光特性に遜色のないことが判った。
以上説明したように、ケイ素微粒子発光体の製造方法によれば、従来の製造方法に比べ、可視光領域において発光特性を有するケイ素微粒子を簡易な方法で製造することができる。
Claims (11)
- 不活性雰囲気下においてケイ素源と炭素源を含む混合物を焼成する工程と、
前記不活性雰囲気から生成ガスを抜き出し急冷してケイ素微粒子を含む混合粉体を得る工程と、
前記混合粉体をフッ酸および酸化剤を含むエッチング溶液に浸漬してエッチングする工程と、を含むことを特徴とするケイ素微粒子発光体の製造方法。 - 前記酸化剤が硝酸(HNO3)であることを特徴とする請求項1記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記酸化剤が過酸化水素(H2O2)であることを特徴とする請求項1記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記エッチング溶液がシクロヘキサンをさらに含むことを特徴とする請求項1記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記エッチング溶液が2−プロパノールをさらに含むことを特徴とする請求項1記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記ケイ素源がエチルシリケートであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記炭素源がフェノール樹脂であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記エッチングする工程においてエッチングされた前記ケイ素微粒子の表面に付加されたH原子を親水基を有する不飽和炭化水素基で置換する工程を含む請求項1に記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記親水基を有する不飽和炭化水素基は、親水基を有するイソプレノイド化合物から生成される請求項8に記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記親水基を有する不飽和炭化水素基は、親水基を有するアリル化合物から生成される請求項8に記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
- 前記親水基を有する不飽和炭化水素基は、生体にとって非毒性である請求項8乃至10の何れか1項に記載のケイ素微粒子発光体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008240083A JP5563755B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-09-18 | ケイ素微粒子発光体の製造方法 |
PCT/JP2008/070024 WO2009060820A1 (ja) | 2007-11-05 | 2008-11-04 | ケイ素微粒子発光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007287047 | 2007-11-05 | ||
JP2007287047 | 2007-11-05 | ||
JP2008240083A JP5563755B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-09-18 | ケイ素微粒子発光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009132872A true JP2009132872A (ja) | 2009-06-18 |
JP5563755B2 JP5563755B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=40865060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008240083A Expired - Fee Related JP5563755B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-09-18 | ケイ素微粒子発光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5563755B2 (ja) |
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-
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