JP2009132627A - 有機金属錯体及びこれを用いた発光素子並びに表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】新規なIr錯体、及び高効率で高輝度な赤色発光を有し、かつ耐久性のある有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)に示されることを特徴とする、有機金属錯体。MLmL’n(1)(Mは、Ir,Rh,Pt又はPdである。mは、1乃至3の整数であり、nは、0乃至2の整数である。ただし、m+nは3である。MLmは下記一般式(2)で示される部分構造を表し、ML’nは下記一般式(3)乃至(5)で示される部分構造を表す。R乃至R25和は、H、ハロゲン、アルキル基等を表す。)
Figure 2009132627

【選択図】なし

Description

本発明は、有機金属錯体及びこれを用いた発光素子並びに表示装置に関する。
有機発光素子は、陽極と陰極との間に蛍光性有機化合物を含む薄膜が挟持されている素子である。また各電極から電子及びホール(正孔)を注入することにより、蛍光性化合物の励起子が生成され、この励起子が基底状態に戻る際に、有機発光素子は光を放出する。
有機発光素子における最近の進歩は著しく、その特徴は、低印加電圧で高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、発光デバイスの薄型・軽量化が可能であることが挙げられる。このことから、有機発光素子は広汎な用途への可能性を示唆している。
しかしながら、現状では更なる高輝度の光出力あるいは高変換効率が必要である。また、長時間の使用による経時変化、酸素を含む雰囲気気体、湿気等による劣化等に対する耐久性の面で未だ多くの問題がある。
さらにはフルカラーディスプレイ等への応用を考えた場合は、色純度がよく、高効率の赤色の発光が必要となるが、これらの問題に関してもまだ十分に解決したとはいえない。その一方で、特に色純度、発光効率及び耐久性が高い有機発光素子並びにこれを実現するための材料が求められている。
ところで、三重項励起状態からの発光を利用できる発光材料としてイリジウム(Ir)錯体が提案されている。ここで発光材料として使用されるIr錯体として、非特許文献1乃至3、並びに特許文献1及び2等にて開示されているものが挙げられる。
特開2001−247859号公報 特開2005−344124号公報 Macromol.Symp.125,1〜48(1997) Improved energy transfer in electrophosphorescent device(D.F.O’Brien他,Applied Physics Letters Vol74,No3 p422(1999)) Very high−efficiency green organic light−emitting devices basd on electrophosphorescence(M.A.Baldo他,Applied Physics Letters Vol 75,No1 p4(1999))
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものである。即ち、本発明の目的は、新規なIr錯体を提供することにある。また本発明の他の目的は、高効率で高輝度な赤色発光を有し、かつ耐久性のある有機発光素子を提供することにある。
本発明の有機金属錯体は、下記一般式(1)に示されることを特徴とする。
MLmL’n (1)
(式(1)において、Mは、Ir,Rh,Pt又はPdである。mは、1乃至3の整数であり、nは、0乃至2の整数である。ただし、m+nは3である。MLmは、下記一般式(2)で示される部分構造を表し、ML’nは、下記一般式(3)乃至(5)で示される部分構造を表す。
Figure 2009132627
(式(2)乃至(5)において、R1乃至R25は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基、アリール基又は複素環基を表し、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、隣り合う置換基同士が結合し環を形成してもよい。))
本発明によれば、高効率で高輝度な赤色発光を有し、かつ耐久性のある有機発光素子を提供することができる。
まず、本発明の有機金属錯体に関して詳細に説明する。
本発明の有機金属錯体は、下記一般式(1)に示されることを特徴とする。
MLmL’n (1)
式(1)において、Mは、Ir,Rh,Pt又はPdである。
式(1)において、mは、1乃至3の整数である。
式(1)において、nは、0乃至2の整数である。ただし、m+nは3である。
式(1)において、Lは、二座配位子を表す。その具体的な構造については後述する。
式(1)において、L’は、二座配位子を表す。ただし、L’はLと同一ではない。その具体的な構造については後述する。
以下に、Lで表される二座配位子について説明する。ここで、MLmで表される部分構造は、具体的には、下記一般式(2)で示されるものである。
Figure 2009132627
式(2)において、R1乃至R10は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基、アリール基又は複素環基を表す。
1乃至R10で表されるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
1乃至R10で表されるアルキル基として、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、ターシャリーブチル基、セカンダリーブチル基、オクチル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
1乃至R10で表されるアルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、2−エチル−オクチルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
1乃至R10で表されるアリールオキシ基として、フェノキシ基、4−ターシャルブチルフェノキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
1乃至R10で表されるアラルキル基として、ベンジル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
1乃至R10で表される置換アミノ基として、N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N−メチル−N−エチルアミノ基、N−ベンジルアミノ基、N−メチル−N−ベンジルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基、アニリノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジナフチルアミノ基、N,N−ジフルオレニルアミノ基,N−フェニル−N−トリルアミノ基、N,N−ジトリルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジアニソリルアミノ基、N−メシチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジメシチルアミノ基、N−フェニル−N−(4−ターシャリーブチルフェニル)アミノ基、N−フェニル−N−(4−トリフルオロメチルフェニル)アミノ基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
1乃至R10で表されるアリール基として、フェニル基、ナフチル基、インデニル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
1乃至R10で表される複素環基としては、ピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
上記アルキル基、アルコキシ基及びアリールオキシ基がさらに有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基等のアリール基、ピリジル基、ピロリル基等の複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等の置換アミノ基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基等のアルコキシル基、フェノキシル基等のアリールオキシル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。
1乃至R10で表される置換基は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、R1乃至R10で表される置換基のうち隣り合う置換基同士が結合し、ベンゼン環、シクロヘキシル環、ピリジン環等の環を形成してもよい。
以下に、L’で表される二座配位子について説明する。ここで、ML’nで表される部分構造は、具体的には、下記一般式(3)乃至(5)のいずれかで示されるものである。
Figure 2009132627
式(3)乃至(5)において、R11乃至R25は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基、アリール基又は複素環基を表す。
11乃至R25で表されるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
11乃至R25で表されるアルキル基として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、ターシャリーブチル基、セカンダリーブチル基、オクチル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
11乃至R25で表されるアルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、2−エチル−オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
11乃至R25で表されるアリールオキシ基として、フェノキシ基、4−ターシャルブチルフェノキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
11乃至R25で表されるアラルキル基として、ベンジル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
11乃至R25で表される置換アミノ基として、N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N−メチル−N−エチルアミノ基、N−ベンジルアミノ基、N−メチル−N−ベンジルアミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基、アニリノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジナフチルアミノ基、N,N−ジフルオレニルアミノ基,N−フェニル−N−トリルアミノ基、N,N−ジトリルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジアニソリルアミノ基、N−メシチル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジメシチルアミノ基、N−フェニル−N−(4−ターシャリーブチルフェニル)アミノ基、N−フェニル−N−(4−トリフルオロメチルフェニル)アミノ基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
11乃至R25で表されるアリール基として、フェニル基、ナフチル基、インデニル基、ピレニル基、インダセニル基、アセナフテニル基、フェナントリル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ペリレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
11乃至R25で表される複素環基として、ピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
上記アルキル基、アルコキシ基及びアリールオキシ基がさらに有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基等のアリール基、ピリジル基、ピロリル基等の複素環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等のアミノ基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基等のアルコキシル基、フェノキシル基等のアリールオキシル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。
11乃至R25のいずれかで表される置換基は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
また、R11乃至R25のいずれかで表される置換基のうち、隣り合う置換基同士が結合して、ベンゼン環、シクロヘキシル環、ピリジン環等の環を形成してもよい。
本発明の有機金属錯体は、上記式(2)に示される配位子を合成する工程、金属原子と配位子とを反応させて錯体を合成する工程を経て合成することができる。
ここで上記式(2)に示される配位子は、J.Org.Chem.,1988,53,1708−1713を参考にして合成することができる。具体的には、2位がハロゲン原子であるベンズアルデヒド誘導体とナフチルアミン誘導体とを出発原料とし、以下に示す合成ルート1で表される方法により合成することができる。
Figure 2009132627
上記の合成ルート1において、出発原料であるベンズアルデヒド誘導体は、そのベンゼン環に、アルキル基、ハロゲン原子、フェニル基等の置換基をさらに有していてもよい。また出発原料であるナフチルアミン誘導体は、そのナフタレン環に、アルキル基、ハロゲン原子、フェニル基等の置換基をさらに有していてもよい。
この合成ルート1を用いることによって合成される配位子の例について、出発原料であるベンズアルデヒド誘導体及びナフチルアミン誘導体と共に以下の表に示す。
Figure 2009132627
このようにして得られる配位子を、金属原子と反応させることにより、本発明の有機金属錯体が得られる。具体的には、以下に示す合成ルート2又は合成ルート3で示される方法を用いることにより、本発明の有機金属錯体を合成することができる。
Figure 2009132627
合成ルート2を用いる場合、2段階目の反応において、アセチルアセトンの代わりに、ピコリン酸やターシャルブチルアセチルアセトンを使用して、二種類の配位子からなる有機金属錯体を合成することができる。また、3段階目の反応において、式(2)に示されるベンゾ[c]フェナントリジン骨格を有する配位子の代わりに、フェニルピリジン等の配位子を使用して二種類の配位子からなる有機金属錯体を合成することも可能である。
本発明の有機金属錯体は、ベンゾ[c]フェナントリジンを基本骨格とする配位子を有する錯体であることを特徴とする。ここで、ベンゾ[c]フェナントリジン誘導体は、発光性を示す化合物である。また、ベンゾ[c]フェナントリジンは、下記式に示されるフェニルイソキノリンと比較して、化合物の構造上発光に関係する部位が自由回転する要因となる単結合のようなものが存在しない。
Figure 2009132627
このため、ベンゾ[c]フェナントリジンを基本骨格とする配位子を有すると、特にIrを中心金属とする錯体において、発光時の失活を低減することができる。
ところで発光性分子の発光効率の低下の原因として、一般的に、基底状態に遷移する衝突失活、隣接する振動準位に遷移する振動緩和、隣接する回転準位に遷移する回転緩和等の無放射過程が考えられる。ここで発光に関係する部位が自由回転する要因となるものがないベンゾ[c]フェナントリジン誘導体は、上述した発光効率の低下の原因のうち、回転失活(回転緩和)による発光効率の低下の問題を解消できる。従って、ベンゾ[c]フェナントリジン誘導体を有する本発明の有機金属錯体は、有機発光素子の構成材料として使用すると、素子の発光効率を向上させることができる。
一方、発光材料をディスプレーの構成材料として使用する際は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)の発光が必要となる。ここで、下記に示されるベンゾキノリンは、ベンゾ[c]フェナントリジンと同様に発光に関係する部位が自由回転する要因となるものがない。しかしベンゾキノリン自体は黄色の発光を有する。このため、赤色の発光を得るという観点から考慮すると、ベンゾキノリン誘導体は好適な配位子とはいえない。
Figure 2009132627
これに対してベンゾ[c]フェナントリジンは、赤色の発光材料として使用できる580nm乃至630nmの発光色を有するため、赤色の発光を得るという観点から考慮するとベンゾ[c]フェナントリジン誘導体は非常に有用な配位子である。
他方で、ベンゾ[c]フェナントリジンを基本骨格とする配位子を有する有機金属錯体は、特に中心金属がIrの場合において、重原子効果による高い発光効率を有した赤発光を得ることができる。
ところで、本発明の有機金属錯体は、ベンゾ[c]フェナントリジンを基本骨格とする配位子は一つ以上有していなければならないが、好ましくは、複数の当該配位子が中心金属に配位される。
また、本発明の有機金属錯体を構成するベンゾ[c]フェナントリジンを基本骨格とする配位子に、立体障害を与えるための置換基を導入することは可能である。立体障害を与えるための置換基を導入することにより、錯体を合成する時において配位子の溶解性が向上する。また、立体障害を与えるための置換基を導入することにより濃度消光が抑制されるので、素子の構成材料として使用する際に高濃度のドーピングが可能となると共に発光効率の向上が期待できる。
ここで立体障害を与えるための置換基とは、例えば、メチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基等のような発光性配位子同士を近接させないようにする置換基、ハロゲン原子のような分子同士の反発を起こさせる置換基が挙げられる。これらの置換基を導入することで、マトリックスに対して5重量%以上といった高濃度のドーピングであっても発光効率が低下することなく発光することができる。
また、本発明の有機金属錯体は、金属原子に対して同一の種類の配位子が配位している分子構造でもよいが、分子量や波長を制御する観点から構造が異なる二種類の配位子が配位している分子構造でもよい。
ここで、錯体が金属原子に対して同一の種類の配位子が配位している構造である場合は、金属原子に対して対称性が高いため、熱安定性が高く蒸着等を行うときに容易に分解しないこと、電気的に安定であること、という特徴を有する。一方、錯体が金属原子に対して構造が異なる二種類の配位子が配位している構造である場合は、分子量の調節が可能であること、この分子量の調節により蒸着温度の調節が可能であること、発光波長の制御が可能であること、という特徴を有する。
例えば、中心金属がIrである場合、配位子としてベンゾ[c]フェナントリジンが3つ配位している有機金属錯体の分子量は877.02である。これに対して、2つのベンゾ[c]フェナントリジンと1つのフェニルピリジンとがそれぞれ配位している有機金属錯体の分子量は802.94である。一方、1つのベンゾ[c]フェナントリジンと2つのフェニルピリジンがそれぞれ配位している有機金属錯体の分子量は728.86となる。このように配位子をベンゾ[c]フェナントリジンからフェニルピリジンに置換すると分子量が低下するため、蒸着温度を低下させることが可能となる。
また、錯体が金属原子に対して構造が異なる二種類の配位子が配位している構造である場合は、発光に関与する配位子を適宜調節することが可能である。このため、濃度消光の抑制が期待することができると共に、濃度にして10重量%以上100重量%までの高濃度の範囲で錯体をドーピングしたとしても、発光効率の低下を抑制しながらその錯体を発光させることができる。
また、本発明の有機金属錯体は、立体的にfac体、mer体という構造異性体が存在する。本発明の有機金属錯体においては、どちらの構造でも構わないが、好ましくは、一般的に量子収率が高いとされているfac体である。しかし、錯体が金属原子に対して構造が異なる二種類の配位子が配位している構造である場合は、例えば、Ir(ppy)2acacのようにmer体であっても量子収率が高い場合もある。このため、必ずしもfac体の方が好ましいとは限らない。また、錯体を合成する時にいずれかの構造異性体を択一的に合成することは難しく、コストの面からも双方の異性体を混合して使用する場合もある。
本発明の有機金属錯体の具体例を以下に示す。しかし、本発明はこれらに限られるものではない。
Figure 2009132627
Figure 2009132627
次に、本発明の有機発光素子について詳細に説明する。
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成される。
以下に、本発明の有機発光素子の実施形態について説明する。
本発明の有機発光素子における第一の実施形態は、基板上に、陽極、発光層及び陰極が順次設けられている有機発光素子である。この第一の実施形態は、発光層がホール輸送能、電子輸送能及び発光性の性能を全て具備する有機化合物で構成されている場合に有用である。また、発光層がホール輸送能、電子輸送能及び発光性の性能のいずれかの特性を具備する化合物を混合して構成されている場合にも有用である。
本発明の有機発光素子における第二の実施形態は、基板上に、陽極、ホール輸送層、電子輸送層及び陰極が順次設けられている有機発光素子である。この第二の実施形態は、ホール輸送性及び電子輸送性のいずれかを具備する発光物質である有機化合物と、電子輸送性のみ又はホール輸送性のみを具備する有機化合物とを組み合わせて使用する場合に有用である。また、この第二の実施形態においては、ホール輸送層又は電子輸送層が発光層を兼ねる。
本発明の有機発光素子における第三の実施形態は、基板上に、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が順次設けられている有機発光素子である。この第三の実施形態は、キャリア輸送の機能と発光の機能とを分離した有機発光素子であり、ホール輸送性、電子輸送性又は発光性の各特性を有する有機化合物を適宜組み合わせて使用することができる。このため、第三の実施形態においては、材料選択の自由度が極めて増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物を使用することができるので、発光色相の多様化が可能になる。さらに、中央の発光層に各キャリアあるいは励起子を有効に閉じこめて、有機発光素子の発光効率の向上を図ることも可能となる。
本発明の有機発光素子における第四の実施形態は、基板上に、陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が順次設けられている。この第四の実施形態では、陽極とホール輸送層との間にホール注入層を設けることにより、密着性又はホールの注入性が改善されるので、低電圧化に効果的である。
本発明の有機発光素子における第五の実施形態は、基板上に、陽極、ホール輸送層、発光層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層及び陰極が順次設けられている。この第五の実施形態では、発光層と電子輸送層との間にホールあるいは励起子(エキシトン)が陰極側に抜けることを阻害する層であるホール/エキシトンブロッキング層が設けられている。イオン化ポテンシャルの非常に高い化合物をホール/エキシトンブロッキング層の構成材料として使用することにより、発光効率の向上に効果的である。
ただし、上記の第一乃至第五の実施形態はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明の有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層との界面に絶縁性層、接着層又は干渉層を設ける、ホール輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる二層から構成される等の多様な層構成をとることができる。
本発明の有機発光素子において、本発明の有機金属錯体は、上記第一乃至第五の実施形態のいずれにおいても使用することができる。ここで、本発明の有機発光素子は、有機化合物からなる層(有機化合物層)に本発明の有機金属錯体が含まれる。ここで有機化合物層とは、例えば、上記の第一乃至第五の実施形態にて示されるホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホール/エキシトンブロッキング層及び電子輸送層のいずれかである。好ましくは、発光層である。
本発明の有機発光素子において、発光層は、本発明の有機金属錯体のみで構成されていてもよいが、好ましくは、ホストとゲストとから構成される。
ここで、有機発光素子の発光層がキャリア輸送性のホストとゲストとからなる場合、発光にいたる主な過程は、以下のいくつかの過程からなり、それぞれの過程におけるエネルギー移動や発光は、さまざまな失活過程と競争で起こる。
(1)発光層内での電子・ホールの輸送
(2)ホストの励起子生成、ゲストの励起子生成1
(3)ホスト分子間の励起エネルギー伝達
(4)ホストからゲストへの励起エネルギー移動、ゲストの励起子生成2
(5)ゲスト分子からの発光
一般的に有機発光素子の発光効率を高めるためには、発光中心材料そのものの発光量子収率が大きいことが望まれる。
ここで、本発明の有機金属錯体は、希薄溶液中における発光の量子収率が高いので、本発明の有機金属錯体を有機発光素子の構成材料として使用すると、高い発光効率が期待できる。
本発明に係る有機発光素子において、本発明の有機金属錯体をゲスト(ドーパント)として使用する場合、対応するホストとして、例えば、イリジウム化合物、下記表2に示される化合物、その誘導体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
Figure 2009132627
また、本発明の有機金属錯体をゲスト(ドーパント)として使用する場合、ゲストの濃度はホストに対して、好ましくは、0.01重量%乃至20重量%であり、より好ましくは、0.5重量%乃至10重量%である。また、ゲストの濃度を制御することにより素子の発光波長を5nm乃至20nm程度長波長化することが可能である。
また、本発明の有機金属錯体をホストとして使用する場合、対応するゲストの濃度はホストに対して、好ましくは、2重量%乃至20重量%である。
本発明の有機発光素子は、特に発光層の構成材料として、本発明の有機金属錯体を使用するものであるが、必要に応じてこれまで知られている低分子系及びポリマー系のホール注入輸送性材料、発光化合物あるいは電子注入輸送性材料等を一緒に使用することもできる。
ホール注入輸送性材料としては、陽極からのホールの注入が容易で、注入されたホールを発光層へと輸送することができるように、ホール移動度が高い材料が好ましい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ(ビニルカルバゾール)、ポリ(チオフェン)、その他導電性高分子等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない
発光化合物として、本発明の有機金属錯体の他に、Ir(ppy)3、Pt(OEP)、Ir(piq)3、Alq3、ルブレン、クマリン等が挙げられる。
電子注入輸送性材料としては、陰極からの電子の注入が容易で、注入された電子を発光層へ輸送することができるものから任意に選ぶことができ、ホール注入輸送性材料のホール移動度とのバランス等を考慮し選択される。電子注入輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
陽極を構成する材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム(ITO)、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。。
陰極を構成する材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム(ITO)等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし二種類以上を併用して使用してもよい。また、陰極は一層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。
本発明で用いる基板としては、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。
また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜等を用いて発色光をコントロールすることも可能である。また、基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を作製し、それに接続して素子を作製することも可能である。また、基板上にマトリックスを構成して素子を作製し、照明に用いることも可能である。
本発明の有機発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品への応用が可能である。応用例としては画像表示装置、プリンターの光源、照明装置、液晶表示装置のバックライト等が考えられる。
画像表示装置としては、例えば、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが挙げられる。
また、プリンターの光源としては、例えば、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、本発明の有機発光素子に置き換えることができる。置き換える方法として、例えば、独立にアドレスできる有機発光素子をアレイ上に配置する方法が挙げられる。レーザー光源部を本発明の有機発光素子に置き換えても、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成することについては従来と変わりがない。ここで本発明の有機発光素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することができる。
照明装置やバックライトに関しては、本発明の有機発光素子を使用することで省エネルギー効果が期待できる。
次に、本発明の有機発光素子を使用した表示装置について説明する。この表示装置は、本発明の有機発光素子と、本発明の有機発光素子に電気信号を供給する手段と、を具備することを特徴とするものである。以下、図面を参照して、アクティブマトリクス方式を例にとって、本発明の表示装置を詳細に説明する。
図1は、表示装置の一形態である、本発明の有機発光素子と駆動手段とを備えた表示装置の構成例を模式的に示す図である。図1の表示装置1は、走査信号ドライバー11、情報信号ドライバー12、電流供給源13が配置され、それぞれゲート選択線G、情報信号線I、電流供給線Cに接続される。ゲート選択線Gと情報信号線Iの交点には、画素回路14が配置される。走査信号ドライバー11は、ゲート選択線G1、G2、G3・・・Gnを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバー12から画像信号が情報信号線I1、I2、I3・・・Inのいずれかを介して画素回路14に印加される。
次に、画素の動作について説明する。図2は、図1の表示装置に配置されている1つの画素を構成する回路を示す回路図である。図2の画素回路2においては、ゲート選択線Giに選択信号が印加されると、第一の薄膜トランジスタ(TFT1)21がONになり、コンデンサー(Cadd)22に画像信号Iiが供給され、第二の薄膜トランジスタ(TFT2)23のゲート電圧を決定する。有機発光素子24には第二の薄膜トランジスタ(TFT2)(23)のゲート電圧に応じて電流供給線Ciより電流が供給される。ここで、第二の薄膜トランジスタ(TFT2)23のゲート電位は、第一の薄膜トランジスタ(TFT1)21が次に走査選択されるまでコンデンサー(Cadd)22に保持される。このため、有機発光素子24には、次の走査が行われるまで電流が流れ続ける。これにより1フレーム期間中常に有機発光素子24を発光させることが可能となる。
図3は、図1の表示装置で用いられるTFT基板の断面構造の一例を示した模式図である。TFT基板の製造工程の一例を示しながら、構造の詳細を以下に説明する。図3の表示装置3を製造する際には、まずガラス等の基板31上に、上部に作られる部材(TFT又は有機層)を保護するための防湿膜32がコートされる。防湿膜32を構成する材料として、酸化ケイ素又は酸化ケイ素と窒化ケイ素との複合体等が用いられる。次に、スパッタリングによりCr等の金属を製膜することで、所定の回路形状にパターニングしてゲート電極33を形成する。続いて、酸化シリコン等をプラズマCVD法又は触媒化学気相成長法(cat−CVD法)等により製膜し、パターニングしてゲート絶縁膜34を形成する。次に、プラズマCVD法等により(場合によっては290℃以上の温度でアニールして)シリコン膜を製膜し、回路形状に従ってパターニングすることで半導体層35を形成する。
さらに、この半導体膜35にドレイン電極36とソース電極37とを設けることでTFT素子38を作製し、図2に示すような回路を形成する。次に、このTFT素子38の上部に絶縁膜39を形成する。次に、コンタクトホール(スルーホール)310を、金属からなる有機発光素子用の陽極311とソース電極37とが接続するように形成する。
この陽極311の上に、多層あるいは単層の有機層312と、陰極313とを順次積層することにより、表示装置3を得ることができる。このとき、有機発光素子の劣化を防ぐために第一の保護層314や第二の保護層315を設けてもよい。本発明の有機発光素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
尚、上記の表示装置は、スイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やMIM素子、a−Si型等でも容易に応用することができる。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例1>[例示化合物A−01の合成]
Figure 2009132627
(1)300mlのナスフラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
化合物C1:25g(135mmol)
化合物C2:21.3g(0.149mmol)
エタノール:80ml
次に、反応溶液を攪拌しながら加熱し、還流が始まったところでその加熱を停止した。次に、反応溶液を冷却した後、析出した結晶を室温で濾取し、乾燥することにより、化合物C3を黄色結晶として35.7g(収率85%)得た。
(2)2Lフラスコに液体アンモニア1200mlを入れ、液温を−40℃に保ったまま金属カリウム1.9gと無水塩化鉄0.31gとを投入した。反応溶液の色が茶褐色に変化したのを確認した後、さらに金属カリウム36.0g(合計37.9g、970mmol)を投入した。次に、反応溶液の液温を−35℃に保ちながら1時間攪拌した後、脱水ジエチルエーテル420mlに化合物C3(35.7g)を溶解させたジエチルエーテル溶液を滴下した。次に、反応溶液の液温を−35℃に保ちながら1時間攪拌した。次に、反応溶液の液温を室温まで上昇させて反応溶液中に存在するアンモニアを揮発させて除去した。次に、反応溶液中に飽和食塩水を加えた後、THFを用いて有機層を慎重に抽出した。さらにこの有機層を飽和食塩水で洗浄して、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより茶褐色結晶の粗生成物を23.4g得た。得られた粗生成物についてシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=9/1)で精製することにより、化合物C4を淡黄色結晶として14.2g(収率64%)得た。
(3)50mlのフラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
化合物C4:1.95g(8.51mmol)
IrCl3・3H20:0.1g(0.284mmol)
エチレングリコール:20ml
次に、フラスコに還流管をつけてマイクロウエーブにて反応溶液を急加熱した後、マイクロウエーブの出力を調節しながら7分間還流を行った。反応終了後、赤色縣濁液である反応溶液を120℃付近まで冷却した後、この温度のまま析出した結晶を濾別した。この結晶をメタノール、酢酸エチル、イソプロピルエーテルで順次洗浄した。次に、洗浄した固体を、クロロホルムに縣濁させて加熱還流を行うことにより、洗浄した。次に、洗浄した固体を濾過した後、真空乾燥を行うことにより、例示化合物A1を赤色結晶として0.148g(0.166mmol、収率58%)得た。
得られた化合物について、MALDI−TOF−MAS(マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析)により分子量を測定したところ、M+が876.2であることを確認し、例示化合物A−01と同定した。
また、NMR測定によりこの化合物の構造を確認した。
1H−NMR(CDCl3,600MHz) σ(ppm):10.02(s,3H),8.72(d,3H,J=8.5Hz),8.83(d,3H,J=8.8Hz),7.99(d,3H,J=8.8Hz),7.56(t,3H,J=7.7Hz),7.28(d,3H,J=7.7Hz),7.06(t,3H,J=7.5Hz),6.67(d,3H,J=7.7Hz),6.74(t,3H,J=7.5Hz),5.99(d,3H,J=7.5Hz).
さらに、例示化合物A1の1×10-5mol/lトルエン溶液を調製し、このトルエン溶液の発光スペクトル(PLスペクトル)を測定した(励起波長510nm)。発光スペクトルの測定は、日立製F−4500を用いてフォトルミネッセンスの測定を行う方法を採用した。測定の結果、図4に示すPLスペクトルが得られた。このPLスペクトルの最大ピーク波長は607nmであった。
<実施例2>[例示化合物B−04の合成]
Figure 2009132627
(1)200mlの3つ口フラスコに以下の試薬、溶媒を仕込んだ。
塩化イリジウム(III)・三水和物:0.71g(2mmol)
化合物C−4:1.83g(8mol)
エトキシエタノ−ル:90ml
水:30ml
次に、反応溶液を窒素気流下室温で30分間攪拌した後、反応溶液を還流させながら10時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却した後、析出した沈殿物を濾取した。次に、この沈殿物を水洗した後、エタノ−ルで洗浄した。次に、洗浄した沈殿物を室温で減圧乾燥することにより、化合物C−5を黄赤色粉末として0.97g(収率71%)得た。
(2)200mlの3つ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ。
エトキシエタノ−ル:100ml
化合物C−5:0.9(0.65mmol)
アセチルアセトン:0.2g(2mmol)
炭酸ナトリウム:0.85g(8mmol)
次に、反応溶液を窒素気流下室温で1時間攪拌した後、反応溶液を還流させながら7時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷し、析出した沈殿物を濾取した。次に、この沈殿物を水洗した後、エタノールで洗浄した。次に、洗浄した沈殿物をクロロホルムに溶解した後,不溶物をろ過した。このろ過により得られたろ液を減圧濃縮した後、クロロホルム−メタノール混合溶媒で再結晶することにより、例示化合物B−04を赤色粉末として0.39g(収率80%)得た。
得られた例示化合物B−04をトルエンに溶解させて、1×10-5mol/lトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液のPLスペクトルを実施例1と同様の方法により測定を行った(励起波長510nm)。その結果、このPLスペクトルの最大ピーク波長は610nmであった。
<実施例3>
基板上に、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極が順次設けられている有機発光素子を作製した。
まずガラス基板上にITOをパターニングして陽極を形成した。このとき陽極の膜厚を100nmとし、陽極の面積を3mm2とした。
次に、このITOがパターニングされている基板を10-5Paの真空チャンバー内に移動させ、当該基板上に、以下の有機化合物層と電極層とを抵抗加熱による真空蒸着により連続成膜した。まず下記式に示される化合物H−1を蒸着してホール輸送層を形成した。このときホール輸送層の膜厚を20nmとした。次に、ホストである下記式に示される化合物H−2とゲストである例示化合物A−1とを、重量濃度比で95:5となるように共蒸着して発光層を形成した。このとき発光層の膜厚を30nmとした。次に、下記式に示される化合物H−3を蒸着し電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を30nmとした。次に、KFを蒸着し第一の金属電極層を形成した。このとき第一の金属電極層の膜厚を1nmとした。次に、Alを蒸着し第二の金属電極層を形成した。このとき第二の金属電極層の膜厚を100nmとした。尚、第一の金属電極層及び第二の金属電極層は陰極として機能する。以上のようにして有機発光素子を得た。
Figure 2009132627
得られた有機発光素子において、その電流電圧特性についてヒューレッドパッカード社製、微小電流計4140Bで測定した。また素子の発光輝度について、トプコン社製BM7で測定した。その結果、電圧を6.0V印加したときに、素子から例示化合物A−1に由来する発光を検出した。
表示装置の一形態である、本発明の有機発光素子と駆動手段とを備えた表示装置の構成例を模式的に示す図である。 図1の表示装置に配置されている1つの画素を構成する回路を示す回路図である。 図1の表示装置で用いられるTFT基板の断面構造の一例を示した模式図である。 1×10-5mol/lトルエン溶液における例示化合物A−01のPLスペクトルを示す図である。
符号の説明
1 表示装置
2,14 画素回路
11 走査信号ドライバー
12 情報信号ドライバー
13 電流供給源
21 第一の薄膜トランジスタ(TFT1)
22 コンデンサー(Cadd
23 第二の薄膜トランジスタ(TFT2)
31 基板
32 防湿層
33 ゲート電極
34 ゲート絶縁膜
35 半導体膜
36 ドレイン電極
37 ソース電極
38 TFT素子
39 絶縁膜
310 コンタクトホール(スルーホール)
311 陽極
312 有機層
313 陰極
314 第一の保護層
315 第二の保護層

Claims (5)

  1. 下記一般式(1)に示されることを特徴とする、有機金属錯体。
    MLmL’n (1)
    (式(1)において、Mは、Ir,Rh,Pt又はPdである。mは、1乃至3の整数であり、nは、0乃至2の整数である。ただし、m+nは3である。MLmは、下記一般式(2)で示される部分構造を表し、ML’nは、下記一般式(3)乃至(5)で示される部分構造を表す。
    Figure 2009132627
    (式(2)乃至(5)において、R1乃至R25は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基、アリール基又は複素環基を表し、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、隣り合う置換基同士が結合し環を形成してもよい。))
  2. 前記MがIrであることを特徴とする、請求項1に記載の有機金属錯体。
  3. 陽極と陰極と、
    該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成され、
    該有機化合物からなる層に請求項1又は2に記載の有機金属錯体が含まれることを特徴とする、有機発光素子。
  4. 前記有機金属錯体が発光層に含まれることを特徴とする、請求項3に記載の有機発光素子。
  5. 請求項3又は4に記載の有機発光素子と、該有機発光素子に電気信号を供給する手段と、を具備することを特徴とする、表示装置。
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