JP2009128902A - 周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法 - Google Patents

周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009128902A
JP2009128902A JP2008127593A JP2008127593A JP2009128902A JP 2009128902 A JP2009128902 A JP 2009128902A JP 2008127593 A JP2008127593 A JP 2008127593A JP 2008127593 A JP2008127593 A JP 2008127593A JP 2009128902 A JP2009128902 A JP 2009128902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ambient light
capacitor
film transistor
thin film
light sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008127593A
Other languages
English (en)
Inventor
Asho Tai
戴亞翔
Han-Ching Ho
何漢清
Chia-Pin Cheng
鄭枷彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Chiao Tung University NCTU
Original Assignee
National Chiao Tung University NCTU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Chiao Tung University NCTU filed Critical National Chiao Tung University NCTU
Publication of JP2009128902A publication Critical patent/JP2009128902A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4204Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors with determination of ambient light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J1/46Electric circuits using a capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/147Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/58Arrangements comprising a monitoring photodetector
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/144Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/14Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H01L31/147Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
    • H01L31/153Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

【課題】センサー面積を節約し、コストを下げる周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法を提供する。
【解決手段】先ず、コンデンサー500を薄膜トランジスタ400のソース電極に接続する。次にコンデンサー500の電位の電荷が減り、転換するのに要する時間を計算し、転換時間に基づいて周囲光の強度を計算する。本発明は別に一種の周囲光センサー回路を提供しており、それは一薄膜トランジスタ、一コンデンサー及び一読出しスイッチを含む。周囲光が変化した時、薄膜トランジスタ400の漏電流もそれに従って変化し、コンデンサー500の電位転換にかかる転換時間に変化が生じ、読出しスイッチがコンデンサー500の電位をデータ読出し線300に伝送することによって転換時間から周囲光の強度を算出する。本発明の液晶ディスプレイは複数個のコンデンサー、複数個の読出しスイッチ及び一処理モジュールを含みうる。
【選択図】図8

Description

本発明は、一種の液晶ディスプレイに関するもので、特に周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイに係る。
現在、情報化社会に於いて、電子表示器は既に工業及び家庭等方面で幅広く応用されており、ユーザーによって様々な電子機器の相互間ベースバンドとなっている。そのエースとなっているのが、液晶ディスプレイである。液晶ディスプレイは軽量で、電気消費量が低いのが特徴であり、日常生活に於いて欠くことのできないものになっている。液晶ディスプレイは、主に光源を提供するバックライトモジュール、液晶層及び液晶偏向角度を制御する多数の薄膜トランジスタから構成される。そのうち、薄膜トランジスタは電界効果トランジスタの一種で、およその製作方法として、基板上に各種異なる薄膜、例として半導体の主動層、誘電層と金属電極層等を形成する。また、薄膜トランジスタはその体積が小さく、軽量等で有利であるため、液晶ディスプレイ上に広く使用されている。
しかしながら、一般的に、ノート型パソコンを例に取ると、液晶表示パネルは、即ちモニターであり、その消費電力はノート型パソコン全体の三分の一以上を占める。そのため、科学技術の発展に伴い、如何にして省電力の液晶にするかが、長年の業界の努力目標になっている。また多くの踏襲されてきた製造方法は筋が通らないため改めて検討する必要がある。例として過去の方法の中で、モニターの輝度は、一定の強度以上が必要でないと、周囲が明るすぎると暗くなってしまうという説である。この種の方法は、一に消費電力が高く、二にモニターが明るすぎるとユーザーの目を刺激し、眩しい。
エネルギーを節約するため、新世代の液晶モニターには周囲光源の輝度によってモニター自身の発光強度を調整し、ユーザーに最も適した輝度を提供する機能を備えている。言い換えると、新世代の液晶モニターは周囲光源の輝度に従って自身の発光強度を修正でき、輝度をちょうどよいものにして目に刺激を与えない。
そのうち、周囲光をモニタリングする方法として、公知のUS7218048がある。第1図に示すのは、公知の電子表示装置の構造指示図であり、公知技術では光センサーダイオードを使用し、PIN diodeを光センサー部品とする。この部品は異なる強度の光によって異なる強度の漏電流が発生する。公知技術ではこの特性を利用して周囲の輝度をモニタリングする。しかし、この漏電流の数値は約10乃至8アンペアである。第2図に示すとおり、外部回路はこのように微少の信号を読み取って輝度を修正することができない。そのため、第3図に示すとおり、多数個の光センサーダイオードをひとつに纏め、ひとつに纏めた複数個のトランジスタTSで電流量を蓄積して外部回路がモニタリングする。このため、公知では相当に大きなセンサー面積を必要とし、モニター上の非表示区域を増やすことができないだけではなく、相対してコストが上がる。
公知技術の各問題を改善するため、本発明者は長年の研究開発及び諸々の実務経験を元に、周囲光センサーを備えた液晶ディスプレイ及びその方法を提供して上述の欠点を改善する。
解決しようとする問題点は、相当に大きなセンサー面積を必要とし、モニター上の非表示区域を増やすことができないだけではなく、相対してコストが上がる点である。
本発明は、先ず、一コンデンサーを一薄膜トランジスタの源極に接続する。次に、コンデンサーの電位の電荷が減り、転換するのに要する時間を計算し、その転換時間に基づいて周囲光の強度を計算する。本発明は、別に一種の周囲光センサー回路を提供しており、それは一薄膜トランジスタ、一コンデンサー、及び一読出しスイッチを含む。周囲光が変化した時、薄膜トランジスタの漏電流もそれに従って変化し、コンデンサーの電位転換にかかる転換時間に変化が生じ、読出しスイッチがコンデンサーの電位をデータ読出し線に伝送することによって転換時間から周囲光の強度を算出する。本発明の液晶ディスプレイは複数個のコンデンサー、複数個の読出しスイッチ、及び一処理モジュールを含むことを最も主要な特徴とする。
本発明の周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法は、下述の利点がある。
(1) センサー面積を有効に減らす。
(2) 消費電力効率を下げる。
(3) デジタル信号を出力できる。
(4) 生産コストを下げる。
一種の周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法を提供し、前述の技術に於けるセンサー面積が大きすぎること、コストが高すぎる等の問題を解決することを本発明の目的とする。
本発明の目的に基づき、一種の周囲光センサー方法を提供し、一薄膜トランジスタに適用する。本発明の方法は、先ず、一コンデンサーをこの薄膜トランジスタの源極に接続し、次にそのコンデンサーの電荷を薄膜トランジスタの漏電流に従って減らしていく。そして、そのコンデンサーの電位の電荷が減少して転換するのに要する時間を計算し、最後にその転換時間に基づき周囲光の強度を計算する。
この他、本発明では、一種の周囲光センサー回路を提供し、一ピクセル構造に適用する。それは一薄膜トランジスタ、一コンデンサー、一読出しスイッチを含む。薄膜トランジスタの漏電流の大きさは周囲光の強度と正比例する。コンデンサーの一端は薄膜トランジスタの源極に接続し、別一端はアースとする。一読出しスイッチは薄膜トランジスタの源極と一データ読出し線の間に接続する。そのうち、周囲光が変化した時、薄膜トランジスタの漏電流はそれに従って変化し、またコンデンサーの電位を高電位から低電位へ転換するのに要する転換時間に変化が生じ、読出しスイッチはコンデンサーの電位をデータ読出し線へ伝送し、外部回路はコンデンサーの転換時間に基づき、周囲光の強度を計算する。
この他、本発明は、更に周囲光に従って一照明モジュールの輝度を調整する一液晶ディスプレイを提供する。それは、複数個のコンデンサー、複数個の読出しスイッチ、及び一処理モジュールを含む。複数個コンデンサーは、液晶ディスプレイの複数個のピクセルに接続する。複数個の読出しスイッチは、これらのコンデンサーと一データ読出し線の間に接続してこれらコンデンサーの電位を読み取る。一処理モジュールは、これらのコンデンサーの電位が高電位から低電位へ転換するのに要する時間に基づいて周囲光の強度を計算し、照明モジュールの輝度を調整する。
本発明の技術特徴及びその効果を更に理解するため、良好な実施例及び詳細を後述する。
理解の為に、本発明の実施例の周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法は図式を参照して説明し、下述の実施例中の同じ部品は、同じ符号で表示して説明をする。
第4図は、本発明の周囲光センサー方法のステップフローチャートである。先ず例としてステップS10に示す本発明の方法は、一コンデンサーを一薄膜トランジスタの源極に接合する。次に、薄膜トランジスタ自身の漏電流は周囲光の強度と正比例するため、ステップS20に示すとおり、このコンデンサーの電荷が上述の薄膜トランジスタの漏電流に従って減る。次にステップS30に示すとおり、コンデンサーの電位の電荷が減少して高電位から低電位へ下がるまでにかかる一転換時間を計算する。最後に、ステップS40に示すとおり、この転換時間の長さによって周囲光の強度を計算する。
言い換えると、本発明の方法は、現行のパネル製造工程によって製造した薄膜トランジスタ部品で、先ず電荷をコンデンサー内に蓄積する。次に薄膜トランジスタが異なる強度の光源照射によって異なる大きさの漏電流特性を有することを利用して、コンデンサー内の電荷流失に必要な時間に差異を発生させる。つまり、周囲光が強い時には、コンデンサーの電位転換に必要な時間が短くなる。パネル上で駆動するスキャン線のクロック信号駆動回路を利用して電位転換信号を読み出し、周囲光の強度をモニタリングする目的を達成する。本発明の方法に使用する部品は現行の製造過程と相互に合致するため、現行のパネル製造過程に於いて、完全に融合し、更には製造過程の変更不要及び低コストの条件により、本発明の目的が達成できる。
本発明の方法は、一実施例に於いて、一データ読出し線でコンデンサーの電位を取得する。この他、デジタル化コンデンサーの電位信号のために、本実施例では一ロジックゲートをデータ読出し線に接続する。言い換えると、コンデンサーの電位が一ロジックノットゲートに送られた後、次にデータ読出し線へ出力する。出力信号を明晰にするため、このロジックノットゲートは一反転増幅器によって実現できる。この他、データ読出し線とコンデンサーの間には一読出しスイッチを接続し、液晶パネルに予め設置してあるスキャン線信号を利用して、複数個の読出しスイッチを順に始動し、データ読出し線で複数個のコンデンサーの電位信号を順に取得していく。上述の薄膜トランジスタの漏電流と周囲光が良好な相互関係を備えるため、本実施例の薄膜トランジスタはアモルファスシリコン薄膜トランジスタ、もしくは多結晶薄膜トランジスタを採用する。
第5図に示すのは、本発明の周囲光センサー回路の構造指示図である。本回路は一画素構造に適用し、一入力電圧100、一スキャン線200、一データ読出し線300、感光薄膜トランジスタ400、コンデンサー500、及び読出しスイッチ600を含む。その連接関係は第五図に示すとおりであるため、ここでは詳述しない。そのうち、スキャン線200が感光薄膜トランジスタ400をスタートさせると、入力電圧100がコンデンサー500の電位Vcを高電位まで上げる。スキャン線200が感光薄膜トランジスタ400を停止させると、感光薄膜トランジスタ400は周囲光の照射の下、一漏電流を発生し、且つその漏電流の大きさは、周囲光の強度と正比例するため、その漏電流がコンデンサー500内に保存された電荷を徐々に消耗し、コンデンサー500の電位Vcもまたそれに従い下降する。そして読出しスイッチ600は電位Vcの変化状況をデータ読出し線300へ伝送する。これによって外部回路は電位Vcが高電位から低電位へ転換するための所要時間に基づき、周囲光の強弱を推測する。そのうち、上述の感光薄膜トランジスタ400はアモルファスシリコン薄膜トランジスタ、もしくは多結晶薄膜トランジスタを使用し、良好な周囲光センサー効果を取得する。
第6図に示すのは、本発明の周囲光センサー回路の別の構造指示図である。そのうち、本発明は一実施例に於いて、更にコンデンサー500と読出しスイッチ600の間に一反転増幅器700を接続する。コンデンサー500の電位Vcはこの反転増幅器700によって一反転且つ拡大したデジタル信号に転換し、複雑レベルが下がり、正確性が高まる長所を備え、外部回路の周囲光の強度判断が簡単になる。
第7図は、本発明の一実施例の周囲光センサー回路の構造図である。そのうち、読出しスイッチ600は、一薄膜トランジスタスイッチ610に依って実現する。この他、読出しスイッチ600前レベルには一信号拡大トランジスタ620に接続して出力電圧Voutを拡大する。
第8図は、本発明の別の一実施例の周囲光センサー回路の構造図である。そのうち、反転増幅器700は、P型薄膜トランジスタ710とN型薄膜トランジスタ720から構成される。その原理は本技術領域内に於いて通常熟知されているものなので詳述しない。読出しスイッチ600は一薄膜トランジスタスイッチ610から構成され、且つ一第二スキャン線220に制御され、これらによって本実施例のすべての部品はすべて現在の製造過程によって実現する。液晶モニターのスキャン信号は第一スキャン線210と第二スキャン線220に順に送られるため、光薄膜トランジスタ400と薄膜トランジスタスイッチ610が順に始動する。そのため、データ読出し線300は出力電圧Voutの波形を順に取得する。第9図に示すとおり、データ読出し線300はスキャン信号をベースバンドとして、出力電圧信号の電位転換時間の長さを計算する。例として、強光照射では出力電圧Voutが一個のベースバンド内で高電位から低電位へ転換する。また周囲光が弱い時には、出力電圧Voutが2〜3個のベースバンドを経て初めて転換する。
第10図は、本発明の液晶ディスプレイの構造指示図であり、一処理モジュール810、一照明モジュール820、一パネル900、一データ読出し線300、複数の読出しスイッチ600、複数のコンデンサー500と複数のピクセル830を含む。周知のとおり、パネル900自身は相当数のピクセル構造を備え、ユーザーは製造過程の必要、もしくはコスト面によって一部もしくはすべてのピクセル830をコンデンサー500と読出しスイッチ600に接続することを考慮することができる。ピクセル830内の薄膜トランジスタは、周囲光が照射されることにより、漏電流が発生した時、コンデンサー500の電位は漏電流が途切れることなくコンデンサー500の電荷へ移動するのに従い下降する。処理モジュール810が読出しスイッチ600を順に始動し、コンデンサー500の電位信号がデータ読出し線300に伝送され、処理モジュール810がデータ読出し線300の取得を通して周囲光強弱を代表するコンデンサー電位転換時間を取得すると、照明モジュール820の強度、例としてバックライトモジュールを調整することができ、消費電力節約の目的を達成することができる。この他、コンデンサー500の電位信号を拡大するために鑑別度及びデジタル化した上述の電位転換時間を増やすことによってコンデンサー500は一ロジックノットゲート、例として一反転増幅器700を接続することができる。
次に第11図に示すのは、本発明のバーチャル波形図である。このバーチャル波形は、異なる強度の周囲光照射によってTFTトランジスタ漏電流の大きさをバーチャルする。第12図に示すのは本発明の一実施例の実測波形図で、第一スキャン線信号と入力電圧信号作動を実測した後、異なる強度の周囲光照射の下でTFTトランジスタ漏電流の大きさ状態である。
本発明は、薄膜トランジスタの漏電流の大きさと周囲光の強度が正比例することを利用して周囲光の変化をモニタリングするものであるが、これを制限するものではない。仮に薄膜トランジスタの漏電流の大きさと周囲光の強度が反比例しても本発明の周囲光モニタリングの目的は遂行され、本発明が薄膜トランジスタの漏電流を利用して周囲光をモニタリングする精神から乖離しない。このため、上述の薄膜トランジスタはアモルファスシリコン薄膜トランジスタ、もしくは多結晶薄膜トランジスタがよいが、これを制限するものではない。
上述の通り、本発明の周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法は下述の特色を備える。
1.現行の製造過程に依る薄膜トランジスタを周囲光センサー器とすることができる。
2.センサー面積を減らすことができる。
3.消耗率を下げることができる。
4.生産コストを下げることができる。
5.デジタル信号出力できる。
公知の電子表示装置の構造指示図である。 公知の電子表示装置の漏電流の指示図である。 公知の電子表示装置の局部指示図である。 本発明の一実施例の周囲光センサー方法のステップフローチャートである。 本発明の一実施例の周囲光センサー回路の構造指示図である。 本発明の一実施例の周囲光センサー回路の別の構造指示図である。 本発明の一実施例の周囲光センサー回路の画素構造指示図である。 本発明の一実施例の周囲光センサー回路の別の画素構造指示図である。 本発明の一実施例の周囲光センサー回路の波形指示図である。 本発明の一実施例の液晶ディスプレイの構造指示図である。 本発明の一実施例のバーチャル波形図である。 本発明の一実施例の実測波形図である。
符号の説明
S10〜S40 ステップ
100 入力電圧
200 スキャン線
210 第一スキャン線
220 第二スキャン線
300 データ読出し線
400 感光薄膜トランジスタ
500 コンデンサー
600 読出しスイッチ
610 薄膜トランジスタスイッチ
620 信号拡大トランジスタ
700 反転増幅器
710 P型薄膜トランジスタ
720 N型薄膜トランジスタ
810 処理モジュール
820 照明モジュール
830 ピクセル
900 パネル

Claims (14)

  1. 一薄膜トランジスタに適用する周囲光センサーの方法において、前記方法は
    一コンデンサーを前記薄膜トランジスタの源極に接続し、
    前記コンデンサーの電荷を前記薄膜トランジスタの漏電流に従って減らし、
    前記コンデンサーの電位の電荷が減少することによって発生する転換に要する一転換時間を計算し、かつ
    前記転換時間に基づき前記周囲光の強度を計算することを含むことを特徴とする周囲光センサーの方法。
  2. 前記周囲光センサー方法は、更に一ロジックノットゲートを前記コンデンサーに接続し、前記コンデンサーの電位を一デジタル信号に転換することを含むことを特徴とする請求項1記載の周囲光センサーの方法。
  3. 前記ロジックノットゲートが一反転増幅器であることを特徴とする請求項2記載の周囲光センサーの方法。
  4. 前記周囲光センサー方法が、更に一データ読出し線を前記コンデンサーに接続し、前記コンデンサーの電位を出力することを含むことを特徴とする請求項1記載の周囲光センサーの方法。
  5. 前記周囲光センサー方法が、更に一読出しスイッチを前記コンデンサーと前記データ読出し線の間に接続し、前記コンデンサーの電位を読み取ることを含むことを特徴とする請求項4記載の周囲光センサーの方法。
  6. 前記薄膜トランジスタが、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、もしくは多結晶薄膜トランジスタとすることを特徴とする請求項1記載の周囲光センサーの方法。
  7. 一ピクセル構造に適用する一種の周囲光センサー回路において、
    漏電流と前記周囲光が正比例する一薄膜トランジスタと、
    一端を前記薄膜トランジスタの源極に接続し、別一端はアースとする一コンデンサーと、
    前記薄膜トランジスタの源極と一データ読出し線の間に接続する一読出しスイッチを含み、そのうち、
    周囲光が変化した時、前記薄膜トランジスタの漏電流もまたその変化に従い、前記コンデンサーの電位転換に要する一転換時間に変化を発生させ、前記読出しスイッチは前記コンデンサーの電位を前記データ読出し線へ伝送することを特徴とする周囲光センサー回路。
  8. 前記周囲光センサー回路が、一ロジックノットゲートを含み、前記コンデンサーと前記読出しスイッチの間に接続し、前記コンデンサーの電位を一デジタル信号に転換することを特徴とする請求項7記載の周囲光センサー回路。
  9. 前記ロジックノットゲートが、一反転増幅器とすることを特徴とする請求項8記載の周囲光センサー回路。
  10. 前記前記薄膜トランジスタが、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、もしくは多結晶薄膜トランジスタとすることを特徴とする請求項7記載の周囲光センサー回路。
  11. 一周囲光に従って一照明モジュールの輝度を調整する一種液晶ディスプレイにおいて、
    前記液晶ディスプレイの複数個のピクセルに接続する複数のコンデンサーと、
    前記複数のコンデンサーと一データ読出し線の間に接続してこれらコンデンサーの電位を読み取る複数個読出しスイッチと、
    前記複数のコンデンサーの電位転換に要する時間に基づき、前記周囲光の強度を計算し、前記照明モジュールの輝度を調整する一処理モジュールを含むことを特徴とする液晶ディスプレイ。
  12. 前記液晶ディスプレイが、更に複数のロジックノットゲートを含み、前記複数のコンデンサーとこれら読出しスイッチの間に接続して前記複数のコンデンサーの電位を一デジタル信号に転換することを特徴とする請求項11記載の液晶ディスプレイ。
  13. 前記ロジックノットゲートが一反転増幅器であることを特徴とする請求項12記載の液晶ディスプレイ。
  14. 前記照明モジュールが、一バックライトモジュールであることを特徴とする請求項11記載の液晶ディスプレイ。
JP2008127593A 2007-11-27 2008-05-14 周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法 Pending JP2009128902A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096145046A TWI358570B (en) 2007-11-27 2007-11-27 Lcd with ambient light sense function and method t

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009128902A true JP2009128902A (ja) 2009-06-11

Family

ID=40669397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008127593A Pending JP2009128902A (ja) 2007-11-27 2008-05-14 周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090135333A1 (ja)
JP (1) JP2009128902A (ja)
KR (1) KR20090054879A (ja)
TW (1) TWI358570B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111179870A (zh) * 2020-01-31 2020-05-19 北京京东方显示技术有限公司 一种电源驱动电路、其驱动方法及显示装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101609855B (zh) * 2008-06-20 2013-09-18 群康科技(深圳)有限公司 光敏电容、光感测电路、基板及其制造工艺和显示装置
TWI428906B (zh) 2009-09-30 2014-03-01 Toshiba Global Commerce Solutions Holdings Corp 自動調整光學觸摸面板裝置之亮度的方法及其裝置
US8626236B2 (en) 2010-10-08 2014-01-07 Blackberry Limited System and method for displaying text in augmented reality
KR101874034B1 (ko) 2012-02-10 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
TWI460841B (zh) * 2012-07-13 2014-11-11 Au Optronics Corp 光學感應式觸控顯示面板
CN108320719B (zh) * 2018-02-28 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 像素充电方法、显示面板及显示装置
CN112530352B (zh) * 2020-12-24 2023-07-25 武汉天马微电子有限公司 一种显示装置的驱动方法及驱动装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002077521A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Casio Comput Co Ltd 2次元画像読取装置及びその感度補正方法
JP2006163401A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Samsung Electronics Co Ltd 光センサーを内蔵する表示装置
JP2007011152A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
JP2007065243A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置
JP2007114315A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2008070616A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及びその光センサの故障判定方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG111910A1 (en) * 2000-09-07 2005-06-29 Agilent Technologies Inc Transceiver module
US7061480B2 (en) * 2002-04-30 2006-06-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Image display
KR100957585B1 (ko) * 2003-10-15 2010-05-13 삼성전자주식회사 광 감지부를 갖는 전자 디스플레이 장치
US6975008B2 (en) * 2003-10-27 2005-12-13 Eastman Kodak Company Circuit for detecting ambient light on a display
KR100997977B1 (ko) * 2004-01-12 2010-12-02 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 이용한 표시 장치
TWI261140B (en) * 2005-05-31 2006-09-01 Au Optronics Corp Display panels
US20070109239A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Den Boer Willem Integrated light sensitive liquid crystal display
US7655889B2 (en) * 2006-05-24 2010-02-02 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display device and control method therefor
US7623112B2 (en) * 2006-06-14 2009-11-24 Hannstar Display Corp. Image sensor array and liquid crystal display with sensor elements
KR100878379B1 (ko) * 2006-07-12 2009-01-13 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 액정 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002077521A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Casio Comput Co Ltd 2次元画像読取装置及びその感度補正方法
JP2006163401A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Samsung Electronics Co Ltd 光センサーを内蔵する表示装置
JP2007011152A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置
JP2007065243A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置
JP2007114315A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2008070616A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及びその光センサの故障判定方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111179870A (zh) * 2020-01-31 2020-05-19 北京京东方显示技术有限公司 一种电源驱动电路、其驱动方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20090135333A1 (en) 2009-05-28
KR20090054879A (ko) 2009-06-01
TW200923476A (en) 2009-06-01
TWI358570B (en) 2012-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009128902A (ja) 周囲光センサー機能を備えた液晶ディスプレイ及びその方法
CN103413523B (zh) 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN100419557C (zh) 液晶显示器
TW529003B (en) Power voltage conversion circuit and its control method, display device and portable terminal apparatus
TWI391898B (zh) 光電裝置及半導體裝置
JP4814028B2 (ja) 液晶表示装置
KR20160068719A (ko) 표시 장치 및 전자 기기
CN104217677A (zh) 触控显示电路及显示装置
CN107464526A (zh) 一种像素补偿电路、其驱动方法及显示装置
US10719169B2 (en) Touch readout circuit, touch display panel and display device
US20150116195A1 (en) Liquid crystal display device, electronic device including the same, and method for driving liquid crystal display device
WO2019196402A1 (zh) 像素补偿电路及像素驱动电路补偿方法、显示装置
JP2007205902A (ja) 光検知回路、電気光学装置および電子機器
CN103413522A (zh) 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN102314840A (zh) 图像传感器、电子设备及其背光调节方法
CN110136628A (zh) 防黑屏电路及方法、驱动电路、显示装置
KR20200028467A (ko) 직류 전압 변환 회로, 직류 전압 변환 방법 및 액정 디스플레이 장치
JP2008064828A (ja) 液晶装置および電子機器
JP4701836B2 (ja) バックライト制御装置
US8269753B2 (en) Display device and electronic machine having the same
JP5234852B2 (ja) 表示装置
JP2009212964A (ja) 光センサ内蔵型の携帯端末機及び光センサ内蔵型の携帯端末機の測光制御方法
JP2007248956A (ja) 電気光学装置および電子機器
CN217113806U (zh) 一种内嵌温感功能的显示屏
CN103091886A (zh) 液晶显示装置及其液晶面板

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110329

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120410

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121113