JP2009123921A - 波長選択フィルタ付き受光センサ - Google Patents

Abstract

【課題】簡素かつ安価な構成で、特定波長の光のみを高精度に選択し、強度を検知することができる受光センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る受光センサ１は、波長選択フィルタ２０を透過してきた光の強度が受光素子１０によって検知されるようになっており、受光素子１０は第１の化合物半導体材料からなる受光層１３を含み、波長選択フィルタ２０は第２の化合物半導体材料からなる吸収層２３を含み、波長選択フィルタ２０のバンドギャップは、受光素子１０のバンドギャップと同一であるか、または受光素子１０のバンドギャップよりも大きいこと特徴とする。また、第１及び第２の化合物半導体材料は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮまたはＺｎ_xＭｇ_yＣｄ_1-x-yＯであることが好ましい。
【選択図】図５

Description

本発明は、波長選択フィルタを透過した特定波長の光の強度を、受光素子によって検知する受光センサに関する。

近年、種々の分野において、フォトダイオードを基本原理とした受光素子によって光の強度を検知できる受光センサが使用されている。受光センサは、主に使用する受光素子の材料、組成等に応じて、検知可能な光の波長が変化する。このような受光センサの中でも、特に紫外領域の光を検知できる受光センサは、半導体素子の製造分野及びヘルスケアの分野等において注目されている。

受光センサには、例えば、図１に示す受光素子が用いられる。
図１（Ａ）は、ＳｉＣを基板１１としたショットキー型の受光素子で、基板１１上に適当なバッファ層１２を積層し、さらにその上に受光層１３としてのｕ−ＡｌＧａＮを積層し、電極１４及び１５を形成したものである（例えば、特許文献１参照）。
図１（Ｂ）は、ＳｉＣを基板１１としたＰＮ接合型の受光素子で、受光層１３として、ｕ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＡｌＧａＮを積層したものである。
また、図１（Ｃ）は、サファイアを基板１１としたショットキー型の受光素子で、基板１１上に適当なバッファ層等１２、１２’を積層し、さらにその上に受光層１３としてのｕ−ＡｌＧａＮを積層し、電極１４及び１５を形成したものである。

受光素子１０によって検知可能な光の波長は、主に、受光層１３のバンドギャップによって決定される。図１に示す受光センサ１０は、いずれもＡｌＧａＮを受光層１３として使用することにより、紫外領域の光を検知することができる。

このような受光素子を用いた受光センサを図２に示す。
図２（Ａ）に示すように、受光センサ１は、主に、金属製の筐体２、窓材３、及び端子４からなっている。受光素子１０は、図２（Ｂ）に示すように、筐体２と窓材３とによって気密性が保たれた空洞部分に収容される。端子４は、受光センサ１の底面側に備えられ、受光素子１０の電極１４または１５に接続される。窓材３は、サファイア、石英、ガラス等の透光性を有する部材で、この窓材３を透過した光が受光素子１０によって検知される。

図３は、受光層１３としてＡｌＧａＮを用いた受光素子１０からなる受光センサ１の光感度特性のグラフである。
グラフ中の３つの曲線Ａ〜Ｃは、受光層１３に含まれるＡｌとＧａの比率を変えて、バンドギャップを変化させた受光センサ１の光感度特性である。曲線Ａは、ＡｌとＧａの比率をほぼ同程度として約２８０ｎｍよりも短波長の光を検知できるようにした場合、曲線Ｃは、Ａｌをほとんど含めないで約３６０ｎｍよりも短波長の光を検知できるようにした場合の光感度特性である。

図３から明らかなように、受光素子１０は、その受光層１３のバンドギャップに対応する波長よりも短波長である全ての光を検知するものであり、特定の波長のみの光を検知することはできない。
そこで、従来から、特定波長の光のみを検知したい場合は、分光器または干渉フィルタを併用することにより、不必要な短波長成分が遮断された光を受光素子１に照射し、検知するようにしている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００７−１２３５８７号公報 特開２００４−２９６４５８号公報

しかしながら、分光器を併用した受光センサは、大型で、高価で、しかも受光センサと分光器の位置決めに非常に高い精度が要求されるために使い勝手が悪い、という問題があった。また、干渉フィルタは、その特性上、光の入射角度や温度によって透過可能な波長が変化し、さらに狙った透過波長によっては当該波長とは異なる波長の光の透過が避けられないため、これを併用した受光センサ１は、所望の波長のみの光を安定して検知することが困難であった。

そこで、本発明は、簡素かつ安価な構成で、特定波長の光のみを高精度に選択し、強度を検知することができる受光センサを提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る受光センサは、波長選択フィルタを透過してきた光の強度が受光素子によって検知されるようになっている受光センサであって、前記受光素子は第１の化合物半導体材料からなる受光層を含み、前記波長選択フィルタは第２の化合物半導体材料からなる吸収層を含み、前記第２の化合物半導体材料のバンドギャップが、前記第１の化合物半導体材料のバンドギャップと実質同一であることを特徴とする。

上記課題を解決するために、本発明に係るもうひとつの受光センサは、波長選択フィルタを透過してきた光の強度が受光素子によって検知されるようになっている受光センサであって、前記受光素子は第１の化合物半導体材料からなる受光層を含み、前記波長選択フィルタは第２の化合物半導体材料からなる吸収層を含み、前記第２の化合物半導体材料のバンドギャップが、前記第１の化合物半導体材料のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。

好ましくは、前記第１及び第２の化合物半導体材料は、それぞれ、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）またはＺｎ_xＭｇ_yＣｄ_1-x-yＯ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のいずれかであることを特徴とする。

また、好ましくは、前記第１及び第２の化合物半導体材料が同一であることを特徴とする。

また、好ましくは、前記受光層の膜厚に対する前記吸収層の膜厚の比が０．２〜１０．０であることを特徴とする。

また、好ましくは、前記波長選択フィルタは、サファイア、石英、ガラスの群から選択された基板の表面に前記第２の化合物半導体材料を積層したものであることを特徴とし、さらに好ましくは、前記基板の裏面がすりガラス状に加工されていることを特徴とする。

また、上記課題を解決するために、本発明に係る分析装置は、測定対象物に含まれる特定成分の多寡を検知するための分析装置であって、波長選択フィルタ及び受光素子からなる上記いずれかの受光センサと、前記受光センサが検知し得る波長を含む光を、前記波長選択側から前記受光素子に向かって照射する光源と、前記光源と前記波長選択フィルタの間、または前記波長選択フィルタと前記受光素子の間に前記測定物を保持するホルダーとを備え、前記受光センサが検知し得る光の波長が、前記特定成分によって吸収される光の波長を含むように設定され、前記特定成分によって吸収されなかった光の強度が前記受光センサによって検知されることを特徴とする。

なお、本明細書中における用語「感度端波長」とは、受光素子の光感度が最大となる波長のうち、最も長い波長を意味する（図４（Ａ）の符号λ_ｓ参照）。
また、用語「吸収端波長」とは、波長選択フィルタの透光率が最大となる波長のうち、最も短い波長を意味する（図４（Ｂ）の符号λ_ａ参照）。

本発明によれば、検知したい特定波長に対応したバンドギャップを有する半導体材料を波長選択フィルタとして用いることによって、簡素かつ安価な構成で、特定波長の光のみを高精度に選択し、強度を検知することができる受光センサを提供することができる。

まず始めに、本発明に係る受光センサの基本概念について説明する。

図５（Ａ）に示すように、本発明に係る受光センサ１は、主に、受光素子１０及び波長選択フィルタ２０を備えており、入射してくる光の各波長成分のうち、不必要な短波長成分を波長選択フィルタ２０で吸収し、波長選択フィルタ２０を透過した波長成分の光の強度が受光素子１０で検知されるようになっている。

この受光センサの基本概念を模式的に表したのが、図４である。
図４（Ａ）に示すように、受光素子は、所定の波長よりも短波長の光を検知することができる。感度端波長λ_ｓは、受光層のバンドギャップに応じて変化し、例えば、バンドギャップが大きくなると、感度端波長λ_ｓは短波長側にシフトする。また、傾斜部分Ｄの傾きは、受光層の膜厚によって変化し、受光層が厚くなるとＤ部の傾きは急峻となる。

図４（Ｂ）は、波長選択フィルタの透光率を示すグラフである。
波長選択フィルタは、所定の波長よりも短波長の光を吸収し、長波長の光を透過する。吸収端波長λ_ａは、吸収層のバンドギャップに応じて変化し、例えば、バンドギャップが大きくなると、吸収端波長λ_ａは短波長側にシフトする。また、傾斜部分Ｅの傾きは、吸収層の膜厚によって変化し、吸収層が厚くなるとＥ部の傾きは急峻となる。

図４（Ｃ）は、図４（Ａ）の特性を有する受光素子と、図４（Ｂ）の特性を有する波長選択フィルタを組み合わせてなる受光センサの光感度特性である。
特定波長のみの光の強度を検知したい場合は、受光層のバンドギャップと吸収層のバンドギャップを同一に設定する。この場合、感度端波長λ_ｓは吸収端波長λ_ａよりもやや短波長側に位置することになる（図４（Ｃ）参照）。また、受光層と吸収層の膜厚を厚くし、Ｄ及びＥ部の傾きを急峻にすることにより、光感度特性の半値全幅Ｗをさらに狭くすることができる。
一方、吸収層のバンドギャップを受光層のバンドギャップよりも大きく設定し、吸収端波長λ_ａを感度端波長λ_ｓよりも短波長側に設定することにより、半値全幅Ｗを広げ、一定範囲の波長の光の強度を検知することができる。

すなわち、本発明に係る受光センサは、受光層及び吸収層のバンドギャップ及び膜厚を変化することによって、吸収端波長λ_ａ、感度端波長λ_ｓ、及び半値全幅Ｗを任意に変更することができ、特定波長の光のみを高精度に選択し、強度を検知することができる。

続いて、本発明に係る受光センサの好ましい実施形態について説明する。表１は、後述する実施例１〜６に係る受光センサの構成の一覧表である。なお、発明の理解を容易にするため、実施例に係る各図面では、受光素子の電極及びこれに関連した部材を省略することとする。

図５（Ａ）は、実施例１に係る受光センサの断面模式図である。
本実施例で使用される受光素子１０は、図１（Ａ）に示すショットキー型の受光素子であって、ＳｉＣ基板１１上に適当なバッファ層１２を積層し、さらにその上に受光層１３を積層したものである。受光層１３は、膜厚が５００ｎｍのｕ−Ａｌ_0.24Ｇａ_0.76Ｎである。
また、波長選択フィルタ２０は、サファイアを基板１１としたものであって、基板１１上に適当なバッファ層等２２、２２’を積層し、さらにその上に吸収層２３を形成したものである。吸収層２３は、膜厚が５００ｎｍのｕ−Ａｌ_0.24Ｇａ_0.76Ｎである。
すなわち、本実施例において、受光層１３と吸収層２３は同一の化合物半導体材料からなる。

受光素子１０は、筐体２と窓材３とで形成される空洞部分に収容される。本実施例において、窓材３はサファイアである。受光素子１０を外部の湿気から保護するために、窓材３と筐体２は隙間なく固定される。また、波長選択フィルタ２０は、窓材３に対してほぼ平行に配置される。

図５（Ｂ）は、実施例１に係る受光センサ１の光感度特性である。
本実施例では、受光層１３と吸収層２３が同一の化合物半導体材料からなり、バンドギャップが同一なので、感度端波長λ_ｓは吸収端波長λ_ａよりもやや短波長側に位置する。したがって、受光センサ１の光感度特性のピーク波長は、感度端波長λ_ｓと吸収端波長λ_ａの間の３２０ｎｍとなる。また、半値全幅Ｗは約８ｎｍで、所望の波長の光のみが高精度に選択され、強度が検知される。

前記の通り、半値全幅Ｗは、受光層１３及び吸収層２３の膜厚を増加させることにより、さらに狭くすることもできる。ただし、受光層１３と吸収層２３の膜厚を極端に変えると、図５（Ｂ）に示す光感度特性の長波長側と短波長側の対称性が崩れてしまう。特に、吸収層２３の膜厚が小さいと、短波長側の波長選択性が悪化する（図３（Ｂ）のＥ部参照）。したがって、受光層１３の膜厚を１とした場合、吸収層２３の膜厚は０．２〜１０．０の範囲に設定するのが好ましい。

図６は、実施例２に係る受光センサの断面模式図である。
本実施例で使用される受光素子１０は、図１（Ｃ）に示すショットキー型の受光素子であって、サファイア基板１１上に適当なバッファ層等１２、１２’を積層し、さらにその上に受光層１３を積層したものである。受光層１３は、膜厚が５００ｎｍのｕ−Ａｌ_0.24Ｇａ_0.76Ｎである。
波長選択フィルタ２０の構成は、実施例１に係る波長選択フィルタと同一である。
すなわち、本実施例において、受光素子１０と波長選択フィルタ２０は、基板材料、及び受光層１３と吸収層２３の化合物半導体材料がいずれも同一である。

本実施例に係る受光センサ１の光感度特性は、実施例１に係る受光センサ１の光感度特性（図５（Ｂ）参照）とほぼ同一である。

本実施例に係る受光センサ１は、受光素子１０と波長選択フィルタ２０の構成が全く同一であることを利用して、同一チャンバ内で並行して形成することができる。これにより、例えば、成長条件の変動等によって、受光素子１０の感度端波長λ_ｓが設計値よりも短波長側にシフトした場合に、波長選択フィルタ２０の吸収端波長λ_ａも短波長側に同程度にシフトするので、波長選択性の悪化や、半値全幅Ｗが狭くなりすぎることによる感度の低下を防ぐことができる。

図７は、実施例３に係る受光センサの断面模式図である。
本実施例に係る受光素子１０の構成は、実施例２に係る受光素子と同一である。また、波長選択フィルタ２０の構成は、実施例１、２に係る波長選択フィルタと同一である。

本実施例に係る受光センサ１の光感度特性は、実施例１、２に係る受光センサ１の光感度特性（図５（Ｂ）参照）とほぼ同一である。

本実施例に係る受光素子１０及び波長選択フィルタ２０は、同一のサファイア基板上に適当なバッファ層を積層し、その上にｕ−ＡｌＧａＮ層を積層した後に、適当な大きさに分割し、その一部分を受光素子１０、波長選択フィルタ２０としたものである。
したがって、本実施例に係る受光センサ１は、相対的な特性変動が少ない受光素子１０及び波長選択フィルタ２０から構成されるので、実施例２に係る受光センサ１よりも、さらに、波長選択性の悪化、及び感度の低下を防ぐことができる。

図８（Ａ）は、実施例４に係る受光センサの断面模式図である。
本実施例で使用される受光素子１０は、図１（Ａ）に示すショットキー型の受光素子１０であって、ＳｉＣ基板１１上に適当なバッファ層１２を積層し、さらにその上に受光層１３を積層したものである。受光層１３は、膜厚が５００ｎｍのｕ−ＧａＮである。
また、波長選択フィルタ２０の構成は、実施例１〜３に係る波長選択フィルタと同一である。
すなわち、本実施例において、受光層１３と吸収層２３はバンドギャップが異なる別の化合物半導体材料である。

図８（Ｂ）は、実施例４に係る受光センサ１の光感度特性である。
受光層１３であるｕ−ＧａＮは、吸収層２３であるｕ−Ａｌ_0.24Ｇａ_0.76Ｎよりもバンドギャップが小さいので、吸収端波長λ_ａは感度端波長λ_ｓよりも短波長側に位置する。したがって、本実施例に係る受光センサ１では、約３００〜３７０ｎｍの波長の光が選択され、強度が検知される。半値全幅Ｗは約４０ｎｍである。

図９は、実施例５に係る受光センサの断面模式図である。
本実施例に係る受光素子１０の構成は、実施例１に係る受光素子と同一である。また、波長選択フィルタ２０の構成は、実施例１〜４に係る波長選択フィルタと同一である。

受光素子１０は、筐体２と波長選択フィルタ２０とで形成される空洞部分に収容される。すなわち、本実施例では、波長選択フィルタ２０を窓材３として使用する。これにより、波長選択フィルタ２０を受光素子１０に近づけて配置することができ、受光センサ１を小型化することができる。
なお、波長選択フィルタ２０は、表裏反転させて、吸収層２３を受光素子１０側に配置することもできる。

本実施例に係る受光センサ１の光感度特性は、実施例１〜３に係る受光センサ１の光感度特性（図５（Ｂ）参照）とほぼ同一である。

図１０は、実施例６に係る受光センサの断面模式図である。
本実施例で使用される受光素子１０は、図１（Ｂ）に示すＰＮ接合型の受光素子１０であって、ＳｉＣ基板１１上に適当なバッファ層１２を積層し、さらにその上に受光層１３を積層したものである。受光層１３は、膜厚が９５０ｎｍのｕ−ＡｌＧａＮ／ｐ−ＡｌＧａＮである。
また、波長選択フィルタ２０の構成は、実施例１〜５に係る波長選択フィルタと同一である。

本実施例に係る受光センサ１の光感度特性は、実施例１〜３に係る受光センサ１の光感度特性（図５（Ｂ）参照）とほぼ同一である。

図１１に、実施例１〜６に係る受光センサを適用した特定成分向けの分析装置を示す。
図１１（Ａ）に示す分析装置において、受光センサ１は、例えば、実施例１に係る受光センサ（図５（Ａ）参照）で、波長３２０ｎｍ付近の光の強度を検知できるものである。光源Ｌは、例えばブラックライトで、少なくとも３２０ｎｍの波長成分を含む光を受光センサ１側に向かって照射する。測定対象物Ｓは、ホルダーＨによって光源Ｌと受光センサ１の間に保持される。測定対象物Ｓは、例えば、日焼け防止剤である。また、日焼け防止剤には、波長３２０ｎｍの光を吸収するパラジメチルアミノ安息香酸オクチルが含まれる。

光源Ｌから測定対象物Ｓに光が照射されると、３２０ｎｍの波長成分は、パラジメチルアミノ安息香酸オクチルによって吸収される。吸収量は、日焼け防止剤中に含まれるパラジメチルアミノ安息香酸オクチルの多寡に応じて変化する。一方、その他の波長成分は、吸収されずにそのまま波長選択フィルタ２０に照射される。
受光センサ１は、波長３２０ｎｍの光の強度を検知できるものなので、３２０ｎｍの波長成分は、波長選択フィルタ２０を透過して受光素子１０に照射される。そして、パラジメチルアミノ安息香酸オクチルによって全部、または一部が吸収された波長３２０ｎｍの光は、受光素子１０によって強度が検知される。

また、図１１（Ｂ）に示すように、本発明に係る分析装置は、受光素子１の波長選択フィルタ２０と受光素子１０の間にホルダーＨを配置してもよい。この場合、測定対象物Ｓには、波長選択フィルタ２０で吸収されなかった長波長成分のみが照射される。これにより、高いエネルギーを有する不必要な短波長側の光によって、測定対象物Ｓが損傷するのを回避することができる。

図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示す本発明に係る分析装置は、特定波長の光を検知する受光センサ１を使用するので、測定対象物Ｓは限定されてしまう。しかしながら、この分析装置によれば、検知可能な波長を連続的に変化させることにより、あらゆる測定対象物Ｓに対応できるタイプの分析装置に比べて、大幅に製造コストを削減することができるとともに、持ち運び可能な程度にまで小型化することができる。

［変形例］
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記構成に限定されるものではない。

例えば、各実施例では、受光層１３及び吸収層２３の化合物半導体材料としてＡｌＧａＮまたはＧａＮを使用したが、これに替えて、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ｚｎ_xＭｇ_yＣｄ_1-x-yＯ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）等の他の化合物半導体材料を適宜組み合わせて使用することもできる。また、組成比ｘ、ｙは、検知したい波長に合わせて適宜変更することができる。
受光層１３及び吸収層２３の化合物半導体材料として、さらに、ＳｉＣ、サファイア、ＳｉＯ_２、Ｇａ_２Ｏ_３、ダイヤモンド等のバンドギャップのシフトが比較的困難な材料を使用することもできる。ただし、この場合は検知したい波長を自在に変更することは困難となる。
また、実施例１〜４、６では、窓材３としてサファイアを使用したが、石英、ガラス等の透光性を有する他の材料に置き換えることができる。

また、波長選択フィルタ２０の基板２１はサファイアに限定されず、例えば、石英、ガラス等の透光性を有する他の基板材料を使用することもできる。さらに、波長選択フィルタ２０の基板２１は、裏面がすりガラス状に加工されているのが好ましい。当該加工によれば、入射してきた光が散乱して受光素子１０に照射されるので、光の入射角度による検出感度変化が小さく、より広い角度での特定波長検出を簡素な形式で実現することができる。

また、実施例１〜４、６における波長選択フィルタ２０は、表裏反転させて吸収層２３を窓材３側に配置してもよいし、さらに受光素子１０と波長選択フィルタ２０を貼り合わせてもよい（図１２（Ａ）参照）。
また、受光素子１０と波長選択フィルタ２０は、別々の部材とする必要はない。例えば、図１２（Ｂ）に示すように、受光素子１０上に吸収層２３をエピ成長によって積層しても、上記各実施例と同様の効果を得ることができる。

受光素子の断面図であって、（Ａ）はＳｉＣを基板としたショットキー型の受光素子、（Ｂ）はＳｉＣを基板としたＰＮ接合型の受光素子、（Ｃ）はサファイアを基板としたショットキー型の受光素子である。 従来の受光センサであって、（Ａ）は外観斜視図、（Ｂ）は断面図である。 従来の受光センサの光感度特性を示すグラフである。 本発明に係る波長選択フィルタ付き受光センサの基本概念を説明する図であって、（Ａ）は受光素子自体の光感度特性のグラフ、（Ｂ）は波長選択フィルタの透過率のグラフ、（Ｃ）はこれらを組み合わせてなる本発明に係る受光センサの光感度特性のグラフである。 実施例１に係る波長選択フィルタ付き受光センサであって、（Ａ）は断面模式図、（Ｂ）は光感度特性のグラフである。 実施例２に係る波長選択フィルタ付き受光センサの断面模式図である。 実施例３に係る波長選択フィルタ付き受光センサの断面模式図である。 実施例４に係る波長選択フィルタ付き受光センサであって、（Ａ）は断面模式図、（Ｂ）は光感度特性のグラフである。 実施例５に係る波長選択フィルタ付き受光センサの断面模式図である。 実施例６に係る波長選択フィルタ付き受光センサの断面模式図である。 実施例７に係る特定成分向け分析装置であって、（Ａ）は、測定対象物が光源と波長選択フィルタの間に配置される分析装置の断面模式図、（Ｂ）は、測定対象物が波長選択フィルタと受光素子の間に配置される分析装置の断面模式図である。 変形例に係る波長選択フィルタ付き受光センサの断面模式図である。

符号の説明

１ 受光センサ
２ 筐体
３ 窓材
４ 端子
１０ 受光素子
１１ 基板
１２ バッファ層
１３ 受光層
１４ 電極
１５ 電極
２０ 波長選択フィルタ
２１ 基板
２２ バッファ層
２３ 受光層
Ｌ 光源
Ｈ ホルダー
Ｓ 測定対象物

Claims (8)

1. 波長選択フィルタを透過してきた光の強度が受光素子によって検知されるようになっている受光センサであって、
   前記受光素子は第１の化合物半導体材料からなる受光層を含み、前記波長選択フィルタは第２の化合物半導体材料からなる吸収層を含み、
   前記第２の化合物半導体材料のバンドギャップが、前記第１の化合物半導体材料のバンドギャップと実質同一であることを特徴とする受光センサ。
2. 波長選択フィルタを透過してきた光の強度が受光素子によって検知されるようになっている受光センサであって、
   前記受光素子は第１の化合物半導体材料からなる受光層を含み、前記波長選択フィルタは第２の化合物半導体材料からなる吸収層を含み、
   前記第２の化合物半導体材料のバンドギャップが、前記第１の化合物半導体材料のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする受光センサ。
3. 前記第１及び第２の化合物半導体材料は、それぞれ、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）またはＺｎ_xＭｇ_yＣｄ_1-x-yＯ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の受光センサ。
4. 前記第１及び第２の化合物半導体材料が同一であることを特徴とする請求項１または２に記載の受光センサ。
5. 前記受光層の膜厚に対する前記吸収層の膜厚の比が０．２〜１０．０であることを特徴とする請求項１または２に記載の受光センサ。
6. 前記波長選択フィルタは、サファイア、石英、ガラスの群から選択された基板の表面に前記第２の化合物半導体材料を積層したものであることを特徴とする請求項１または２に記載の受光センサ。
7. 前記基板の裏面がすりガラス状に加工されていることを特徴とする請求項６に記載の受光センサ。
8. 測定対象物に含まれる特定成分の多寡を検知するための分析装置であって、
   請求項１〜７のいずれかに記載された、波長選択フィルタ及び受光素子からなる受光センサと、
   前記受光センサが検知し得る波長を含む光を、前記波長選択フィルタ側から前記受光素子に向かって照射する光源と、
   前記光源と前記波長選択フィルタの間、または前記波長選択フィルタと前記受光素子の間に前記測定物を保持するホルダーと、
   を備え、
   前記受光センサが検知し得る光の波長が、前記特定成分によって吸収される光の波長を含むように設定され、前記特定成分によって吸収されなかった光の強度が前記受光センサによって検知されることを特徴とする分析装置。

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