JP2009123757A - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Keizo Sakurai
敬三 櫻井
Naohiro Katori
直広 鹿取
Koichi Osumi
孝一 大隅
Yoshitaka Shiga
美隆 志賀
Makoto Sano
誠 佐野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board on which a solder ball can be positioned precisely and easily and which does not cause the dropout of the solder ball or the shorting of counterpart solder balls, and includes a solder connection pad excellent in the reliability of connection with the solder ball, and to provide a manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: The wiring board includes an insulating board 1 and the solder connection pad 4 attached to the surface of the insulating board 1. The solder connection pad 4 is composed of a ring-shaped perimetric electrode 4a forming the perimetric portion of the solder connection pad 4 and a plurality of projections 4b projecting from the perimetric electrode 4a so that their widths become smaller toward the center c of the solder connection pad 4. Also, the manufacturing method thereof is provided. The solder connection pad 4 preferably has a center electrode 4c at the center c to which tips of the plurality of projections 4b are connected. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子等を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board used for mounting a semiconductor element or the like and a manufacturing method thereof.

従来から、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するために用いられる配線基板として、図5に示すようなものがある。図5は、従来の配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。同図に示すように、この配線基板100は、例えばガラス−エポキシ板等やエポキシ樹脂等から成る絶縁層が複数積層された絶縁基板101の内部および表面に、銅箔や銅めっき膜等の銅から成る配線導体102が配設されて成る。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is a wiring board as shown in FIG. 5 used for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional wiring board and solder balls. As shown in the figure, this wiring board 100 includes a copper foil or a copper plating film on the inside and surface of an insulating substrate 101 in which a plurality of insulating layers made of, for example, a glass-epoxy plate or an epoxy resin are laminated. A wiring conductor 102 made of is provided.

絶縁基板101の上面中央部には、半導体素子の電極が半田バンプ106を介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッド103が複数形成されている。絶縁基板101の下面には、外部電気回路基板の配線導体に半田ボール108を介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッド104が複数形成されている。   In the central portion of the upper surface of the insulating substrate 101, a plurality of solder connection pads 103 for connecting a semiconductor element to which the electrodes of the semiconductor element are electrically connected via the solder bumps 106 are formed. A plurality of solder connection pads 104 for external connection are formed on the lower surface of the insulating substrate 101 and are electrically connected to the wiring conductors of the external electric circuit board via the solder balls 108.

絶縁基板101の上下面には、各半田接続パッド103,104の中央部を露出させる開口部105a,105bを有するソルダーレジスト層105が、各半田接続パッド103,104の外周部を覆うようにして被着されている。   Solder resist layers 105 having openings 105a and 105b exposing the central portions of the solder connection pads 103 and 104 are formed on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 101 so as to cover the outer peripheral portions of the solder connection pads 103 and 104. It is attached.

ソルダーレジスト層105から露出する半田接続パッド103,104のうち、半田接続パッド103には、ソルダーレジスト層105より高い半田バンプ106が、半田接続パッド104には、ソルダーレジスト層105より低い半田層107がそれぞれ溶着されている。   Of the solder connection pads 103 and 104 exposed from the solder resist layer 105, the solder connection pad 103 has a solder bump 106 higher than the solder resist layer 105, and the solder connection pad 104 has a solder layer 107 lower than the solder resist layer 105. Are welded.

半田接続パッド103,104上に予め溶着された半田バンプ106,半田層107は、いわゆる予備半田と呼ばれるものであり、半田接続パッド103への半導体素子の接続作業性、半田接続パッド104への半田ボール108の接合作業性を良好にするためのものである。   The solder bumps 106 and the solder layer 107 previously welded onto the solder connection pads 103 and 104 are so-called pre-solder, and the workability of connecting the semiconductor element to the solder connection pad 103 and the solder to the solder connection pad 104 are described. This is to improve the joining workability of the ball 108.

すなわち、半導体素子の電極を半田接続パッド103に溶着させた半田バンプ106上に当接させると共に、その半田バンプ106を加熱溶融させることによって半導体素子が配線基板100上に実装される。   That is, the semiconductor element is mounted on the wiring board 100 by bringing the electrode of the semiconductor element into contact with the solder bump 106 welded to the solder connection pad 103 and heating and melting the solder bump 106.

また、半田接続パッド104上に溶着させた半田層107上に半田ボール108を載置すると共に、その半田層107および半田ボール108を加熱溶融させることによって、半田接続パッド104上に半田ボール108が接合され、この半田ボール108を外部電気回路基板の配線導体上に接触させた状態で加熱溶融させることによって、配線基板100が半田ボール108を介して外部電気回路基板上に実装される。   Further, the solder ball 108 is placed on the solder layer 107 welded onto the solder connection pad 104, and the solder layer 107 and the solder ball 108 are heated and melted, whereby the solder ball 108 is formed on the solder connection pad 104. The solder balls 108 are bonded and heated and melted in contact with the wiring conductors of the external electric circuit board, whereby the wiring board 100 is mounted on the external electric circuit board via the solder balls 108.

このような配線基板100は、一般に以下のようにして製作される。すなわち、まず、内部および表面に銅から成る配線導体102が配設された絶縁基板101の上下面に、銅から成る半田接続パッド103,104を形成する。ついで、その絶縁基板101の上下面に各半田接続パッド103,104の中央部を露出させるようにしてソルダーレジスト層105を被着する。このソルダーレジスト層105から露出する半田接続パッド103,104の表面に半田を供給する。ついで、その半田を加熱溶融させることによって、半田接続パッド103,104上に半田バンプ106,半田層107をそれぞれ溶着させ、配線基板100を得る。   Such a wiring board 100 is generally manufactured as follows. That is, first, solder connection pads 103 and 104 made of copper are formed on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 101 in which the wiring conductors 102 made of copper are disposed inside and on the surface. Next, a solder resist layer 105 is deposited on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 101 so that the central portions of the solder connection pads 103 and 104 are exposed. Solder is supplied to the surfaces of the solder connection pads 103 and 104 exposed from the solder resist layer 105. Next, the solder is heated and melted to weld the solder bumps 106 and the solder layer 107 onto the solder connection pads 103 and 104, respectively, thereby obtaining the wiring board 100.

しかしながら、半田接続パッド104上に溶着させた半田層107は、その表面張力の作用によってその中央部が盛り上がった形状になり、その表面は曲面になる(図6(a),(b)参照)。このような半田層107上に半田ボール108を載置すると、半田ボール108が半田層107上を転がり易く、正確な位置決めが困難となり、半田ボール108の欠落や、半田ボール108同士の接触による短絡が発生するという問題がある。
特開2003−258156号公報
However, the solder layer 107 deposited on the solder connection pad 104 has a shape in which the central portion is raised by the action of the surface tension, and the surface becomes a curved surface (see FIGS. 6A and 6B). . When the solder ball 108 is placed on such a solder layer 107, the solder ball 108 easily rolls on the solder layer 107, and accurate positioning becomes difficult, and the solder ball 108 is missing or short-circuited due to contact between the solder balls 108. There is a problem that occurs.
JP 2003-258156 A

本発明の課題は、半田ボールを正確かつ容易に位置決めすることができ、半田ボールの欠落や半田ボール同士の短絡を発生させることがなく、さらに半田ボールとの接続信頼性に優れた半田接続パッドを備えた配線基板およびその製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a solder connection pad that can position a solder ball accurately and easily, does not cause a lack of a solder ball or a short circuit between solder balls, and has excellent connection reliability with the solder ball. And a manufacturing method thereof.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
(1)絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着された半田接続パッドとを備えて成る配線基板であって、前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成ることを特徴とする配線基板。
(2)前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有する前記(1)記載の配線基板。
(3)前記半田接続パッド上には、該半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増す半田が溶着されている前記(1)または(2)記載の配線基板。
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found a solution means having the following constitution and have completed the present invention.
(1) A wiring board comprising an insulating substrate and a solder connection pad deposited on the surface of the insulating substrate, wherein the solder connection pad has a ring shape that forms the outer periphery of the solder connection pad A wiring board comprising: an outer peripheral electrode; and a plurality of projecting portions that project from the outer peripheral electrode toward a central portion of the solder connection pad so that the width thereof becomes narrower.
(2) The wiring board according to (1), wherein the solder connection pad has a center electrode with the tips of the plurality of protrusions connected to the center thereof.
(3) The wiring board according to (1) or (2), wherein a solder whose thickness increases from the center of the solder connection pad toward the outer peripheral electrode is welded onto the solder connection pad.

本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基板の表面に半田接続パッドを設ける工程と、前記半田接続パッド上に半田を溶着する工程とを含み、前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成り、この半田接続パッド上に、前記半田を、前記半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増すように溶着することを特徴とする。
前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有するのが好ましい。
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of providing a solder connection pad on a surface of an insulating substrate and a step of welding solder onto the solder connection pad, the solder connection pad including an outer periphery of the solder connection pad. A ring-shaped outer peripheral electrode forming a portion, and a plurality of projecting portions projecting from the outer peripheral electrode toward the center portion of the solder connection pad so that the width thereof becomes narrower. Solder is welded so that the thickness increases from the center of the solder connection pad toward the outer peripheral electrode.
It is preferable that the solder connection pad has a center electrode with the tips of the plurality of protrusions connected to the center thereof.

本発明によれば、半田接続パッドが該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成る。これにより、この接続パッド上に半田を供給して該半田を加熱溶融させた際には、その表面張力の作用によって、半田接続パッド上に前記(3)のような半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増す半田(予備半田)を溶着させることができる。このような形状を有する半田上に半田ボールを載置すると、半田ボールが半田上を転がり難く、半田接続パッドから転がり出るのを抑制でき、正確な位置決めが可能となる。その結果、半田ボールの欠落や、半田ボール同士の接触による短絡の発生を抑制することができる。   According to the present invention, the solder connection pad projects from the outer peripheral electrode forming the outer peripheral portion of the solder connection pad, and the width of the solder connection pad decreases from the outer peripheral electrode toward the central portion of the solder connection pad. It consists of a plurality of protrusions. As a result, when solder is supplied onto this connection pad and the solder is heated and melted, the surface tension acts on the solder connection pad from the center of the solder connection pad as described in (3) above. Solder (preliminary solder) whose thickness increases toward the outer peripheral electrode can be welded. When the solder ball is placed on the solder having such a shape, it is difficult for the solder ball to roll on the solder, and it is possible to prevent the solder ball from rolling out from the solder connection pad, thereby enabling accurate positioning. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit due to lack of solder balls or contact between solder balls.

さらに、本発明にかかる半田接続パッドを絶縁基板の表面に被着すると、半田接続パッドの外周電極および突出部によって囲まれた領域内から絶縁基板の表面の一部が露出する。このため、半田接続パッド上に溶着させた半田上に半田ボールを載置すると、載置された半田ボール下部と、前記領域内に露出する絶縁基板の表面との間に間隙が形成される。この状態で半田および半田ボールを加熱溶融させて、半田接続パッド上に半田ボールを接合すると、前記領域内に露出する絶縁基板と形成された半田との間に空洞が形成される。これにより、半田と半田接続パッドとの熱膨張率の差に起因して発生する応力を前記空洞へ逃がすことによって該応力を低減することができるので、半田にクラック等が発生するのを抑制することができ、半田接続パッドと半田ボールとの接続信頼性を優れたものにすることができる。   Furthermore, when the solder connection pad according to the present invention is applied to the surface of the insulating substrate, a part of the surface of the insulating substrate is exposed from the region surrounded by the outer peripheral electrode and the protruding portion of the solder connection pad. For this reason, when a solder ball is placed on the solder welded onto the solder connection pad, a gap is formed between the lower part of the placed solder ball and the surface of the insulating substrate exposed in the region. In this state, when the solder and the solder balls are heated and melted and the solder balls are joined onto the solder connection pads, a cavity is formed between the insulating substrate exposed in the region and the formed solder. As a result, the stress generated due to the difference in thermal expansion coefficient between the solder and the solder connection pad can be reduced by releasing the stress to the cavity, so that the occurrence of cracks or the like in the solder is suppressed. Therefore, the connection reliability between the solder connection pad and the solder ball can be made excellent.

特に、前記(2)のように、半田接続パッドの中央部に前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有すると、該中心電極に電気テスト用のプローブの先端を押し当てて簡単に電気テストを行うことができる。また、該中心電極を介して外周電極と複数の突出部とが連続した形状になるので、半田接続パッド上に半田を溶着させる際には、溶融した半田がパッド上を均一に流れて、前記(3)のような形状を有する半田が溶着されやすくなる。さらに、中心電極を有すると、半田ボールが半田接続パッドの中央部に固定されやすくなり、これにより半田ボール溶融後に半田接続パッド内に均一な厚みを有する半田による接続部を形成することができる。   In particular, as described in (2) above, when the center electrode of the solder connection pad has the center electrode connected to the tips of the plurality of protrusions, the tip of the probe for electrical testing is pressed against the center electrode for easy processing. An electrical test can be performed. In addition, since the outer peripheral electrode and the plurality of protruding portions are continuous through the central electrode, when solder is welded onto the solder connection pad, the molten solder flows uniformly on the pad, Solder having the shape as in (3) is easily welded. Further, when the center electrode is provided, the solder ball can be easily fixed to the center portion of the solder connection pad, whereby a solder connection portion having a uniform thickness can be formed in the solder connection pad after the solder ball is melted.

以下、本発明にかかる配線基板およびその製造方法の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施形態にかかる配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。図2(a)は、図1に示した配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、図2(b)は、図2(a)のI−I線の破断面を示す図であり、図2(c)は、図2(a)のII−II線の破断面を示す図である。   Hereinafter, an embodiment of a wiring board and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wiring board and solder balls according to the present embodiment. 2A is a plan view showing a solder connection pad for external connection in the wiring board shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a broken cross-sectional view taken along the line I-I in FIG. FIG. 2C is a diagram showing a broken section taken along line II-II in FIG.

図1に示すように、本実施形態にかかる配線基板15は、絶縁層1aの上下面に絶縁層1bを複数積層して絶縁基板1を形成しており、最表層の絶縁層1b上にソルダーレジスト層5が積層されている。絶縁基板1の上面中央部には、半導体素子の電極が半田バンプ6を介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッド3が複数形成されている。絶縁基板1の下面には、外部電気回路基板に半田ボール8を介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッド4が複数形成されている。絶縁基板1の上面から下面にかけて、対応する半田接続パッド3と半田接続パッド4とを互いに電気的に接続する配線導体2が配設されている。そして、半田接続パッド3には半田バンプ6が、半田接続パッド4には半田層7がそれぞれ被着されている。   As shown in FIG. 1, in the wiring board 15 according to the present embodiment, the insulating substrate 1 is formed by laminating a plurality of insulating layers 1b on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1a, and the solder is formed on the outermost insulating layer 1b. A resist layer 5 is laminated. In the central portion of the upper surface of the insulating substrate 1, a plurality of solder connection pads 3 for connecting a semiconductor element, to which the electrodes of the semiconductor element are electrically connected via solder bumps 6, are formed. On the lower surface of the insulating substrate 1, a plurality of external connection solder connection pads 4 are formed which are electrically connected to the external electric circuit substrate via solder balls 8. A wiring conductor 2 that electrically connects the corresponding solder connection pad 3 and the solder connection pad 4 to each other is disposed from the upper surface to the lower surface of the insulating substrate 1. Solder bumps 6 are applied to the solder connection pads 3, and solder layers 7 are applied to the solder connection pads 4.

絶縁層1aは、配線基板15の芯体となる部材であり、例えばガラス繊維束を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る。絶縁層1aの厚みとしては、例えば0.3〜1.5mm程度であり、その上面から下面にかけて直径が0.1〜1mm程度の複数の貫通孔9を有している。絶縁層1aの上下面および各貫通孔9の内面には、配線導体2の一部が被着されており、上下面の配線導体2が貫通孔9を介して電気的に接続されている。   The insulating layer 1a is a member that becomes a core of the wiring board 15, and is formed, for example, by impregnating a glass fabric in which glass fiber bundles are woven vertically and horizontally with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The thickness of the insulating layer 1a is, for example, about 0.3 to 1.5 mm, and has a plurality of through holes 9 having a diameter of about 0.1 to 1 mm from the upper surface to the lower surface. A part of the wiring conductor 2 is attached to the upper and lower surfaces of the insulating layer 1 a and the inner surface of each through hole 9, and the upper and lower wiring conductors 2 are electrically connected through the through hole 9.

このような絶縁層1aは、例えばガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。絶縁層1a上下面の配線導体2は、絶縁層1a用の絶縁シートの上下全面に厚みが3〜50μm程度の銅箔を張着しておくと共に、この銅箔をシート硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、貫通孔9内面の配線導体2は、絶縁層1aに貫通孔9を設けた後に、この貫通孔9内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。   Such an insulating layer 1a is manufactured, for example, by thermally curing an insulating sheet in which a glass fabric is impregnated with an uncured thermosetting resin, and then drilling the insulating sheet from the upper surface to the lower surface. The wiring conductors 2 on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1a have a copper foil having a thickness of about 3 to 50 μm applied to the entire upper and lower surfaces of the insulating sheet for the insulating layer 1a, and the copper foil is etched after the sheet is cured. Thus, a predetermined pattern is formed. The wiring conductor 2 on the inner surface of the through hole 9 is provided with a copper plating film having a thickness of about 3 to 50 μm by an electroless plating method and an electrolytic plating method on the inner surface of the through hole 9 after the through hole 9 is provided in the insulating layer 1a. Formed by precipitation.

貫通孔9の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂10が充填されている。孔埋め樹脂10は、貫通孔9を塞ぐことにより、該貫通孔9の直上および直下に配線導体2および各絶縁層1bを形成可能とするためのものであり、例えば未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔9内にスクリーン印刷法により充填し、それを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。この孔埋め樹脂10を含む絶縁層1aの上下面に、絶縁層1bが複数積層されている。   The through hole 9 is filled with a hole filling resin 10 made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The hole-filling resin 10 is for making it possible to form the wiring conductor 2 and each insulating layer 1b directly above and below the through-hole 9 by closing the through-hole 9, for example, an uncured paste-like heat A curable resin is filled into the through-holes 9 by screen printing, thermally cured, and then the upper and lower surfaces thereof are polished to be substantially flat. A plurality of insulating layers 1 b are laminated on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1 a including the hole filling resin 10.

絶縁層1aの上下面に積層された各絶縁層1bは、それぞれの厚みが20〜60μm程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が30〜100μm程度の複数の貫通孔11を有している。各絶縁層1bは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものである。そして、上層の配線導体2と下層の配線導体2とを貫通孔11を介して電気的に接続することにより高密度配線が立体的に形成可能となっている。   Each insulating layer 1b laminated on the upper and lower surfaces of the insulating layer 1a has a thickness of about 20 to 60 μm, and has a plurality of through holes 11 having a diameter of about 30 to 100 μm from the upper surface to the lower surface of each layer. . Each insulating layer 1b is for providing an insulating interval for wiring the wiring conductor 2 with high density. A high-density wiring can be three-dimensionally formed by electrically connecting the upper wiring conductor 2 and the lower wiring conductor 2 via the through hole 11.

このような各絶縁層1bは、例えば厚みが20〜60μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂から成る絶縁フィルムを絶縁層1aの上下面に張着し、これを熱硬化させると共に、レーザ加工により貫通孔11を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層1bを順次積み重ねることによって形成される。各絶縁層1bの表面および貫通孔11内に被着された配線導体2は、各絶縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面および貫通孔11内に5〜50μm程度の厚みを有する銅めっき膜を公知のセミアディティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。   Each such insulating layer 1b is formed by, for example, attaching an insulating film made of an uncured thermosetting resin having a thickness of about 20 to 60 μm to the upper and lower surfaces of the insulating layer 1a, thermosetting the film, and performing laser processing. The through-hole 11 is formed, and the next insulating layer 1b is sequentially stacked thereon in the same manner. The wiring conductor 2 deposited on the surface of each insulating layer 1b and in the through hole 11 has a thickness of about 5 to 50 μm in the surface of each insulating layer 1b and in the through hole 11 every time each insulating layer 1b is formed. It is formed by depositing a copper plating film on a predetermined pattern by a known pattern forming method such as a semi-additive method.

絶縁基板1の上面に形成された半導体素子接続用の半田接続パッド3、絶縁基板1の下面に形成された外部接続用の半田接続パッド4は、厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜から成り、それぞれ配線導体2に電気的に接続されている。半田接続パッド3は半導体素子を接続するための端子として、半田接続パッド4は外部電気回路に接続するための端子としてそれぞれ機能する。このような半田接続パッド3,4は、例えば絶縁層1bの表面に公知のセミアディティブ法により銅めっき膜を所定のパターンに被着させることにより形成される。   The solder connection pads 3 for connecting semiconductor elements formed on the upper surface of the insulating substrate 1 and the solder connection pads 4 for external connection formed on the lower surface of the insulating substrate 1 are made of a copper plating film having a thickness of about 3 to 50 μm. Are electrically connected to the wiring conductor 2, respectively. The solder connection pad 3 functions as a terminal for connecting a semiconductor element, and the solder connection pad 4 functions as a terminal for connecting to an external electric circuit. Such solder connection pads 3 and 4 are formed, for example, by depositing a copper plating film in a predetermined pattern on the surface of the insulating layer 1b by a known semi-additive method.

半田接続パッド3の表面に被着された半田バンプ6は、例えば鉛−錫合金等の鉛含有半田から成り、半田接続パッド3と半導体素子とを接続するための接続部材として機能する。そして、半導体素子の電極を半田バンプ6に接触させた状態で半田バンプ6を溶融させることにより、半田接続パッド3と半導体素子の電極とが半田バンプ6を介して電気的に接続される。半田バンプ6を半田接続パッド3に予め被着させておくと、半田接続パッド3への半導体素子の接続の作業性が極めて良好なものとなる。   The solder bump 6 deposited on the surface of the solder connection pad 3 is made of lead-containing solder such as a lead-tin alloy, and functions as a connection member for connecting the solder connection pad 3 and the semiconductor element. The solder bump 6 is melted in a state where the electrode of the semiconductor element is in contact with the solder bump 6, whereby the solder connection pad 3 and the electrode of the semiconductor element are electrically connected via the solder bump 6. If the solder bumps 6 are previously attached to the solder connection pads 3, the workability of connecting the semiconductor elements to the solder connection pads 3 becomes extremely good.

半田バンプ6は、例えば半田接続パッド3上に鉛−錫合金等から成る鉛入り半田粉末を含有する半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布すると共に、半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより半田接続パッド3上に被着される。   The solder bump 6 is formed by, for example, applying a solder paste containing a lead-containing solder powder made of a lead-tin alloy or the like on the solder connection pad 3 by a screen printing method and heating and melting the solder in the solder paste. It is deposited on the connection pad 3.

半田接続パッド4に被着された半田層7は、例えば錫−銀−銅合金等の鉛フリー半田から成り、半田接続パッド4の酸化を防止すると共に、この半田接続パッド4に半田ボール8を接合させる際にその接合を容易かつ強固とするための下地金属として機能する。そして、半田ボール8を半田層7に接触させた状態で半田層7を加熱溶融させることにより、半田ボール8が半田接続パッド4に接合される。   The solder layer 7 applied to the solder connection pad 4 is made of lead-free solder such as tin-silver-copper alloy, for example, and prevents the solder connection pad 4 from being oxidized. When joining, it functions as a base metal for making the joining easy and strong. Then, the solder ball 8 is bonded to the solder connection pad 4 by heating and melting the solder layer 7 in a state where the solder ball 8 is in contact with the solder layer 7.

半田層7は、例えば半田接続パッド4上に錫−銀−銅合金等から成る鉛フリー半田粉末を含有する半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布すると共に、半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより半田接続パッド4上に被着される。   The solder layer 7 is formed by, for example, printing and applying a solder paste containing lead-free solder powder made of tin-silver-copper alloy or the like on the solder connection pad 4 by a screen printing method and heating and melting the solder in the solder paste. To be applied onto the solder connection pads 4.

ここで、半田接続パッド4は、図2(a)に示すように、その外周部を形成するリング状の外周電極4aと、該外周電極4aから半田接続パッド4の中央部cに向かってその幅が狭くなるように突出する4つの突出部4b,4b,4b,4bとから成る。これにより、半田接続パッド4上に印刷塗布された前記半田ペースト中の半田を加熱溶融させた際には、その表面張力の作用によって、図2(b)に示すように、半田接続パッド4の中央部cから外周電極4a方向に向かって厚みが増すように半田層7を溶着させることができる。この半田層7上に半田ボール8を載置すると、半田ボール8が半田層7上を転がり難く、半田接続パッド4から転がり出るのを抑制でき、正確な位置決めが可能となる。   Here, as shown in FIG. 2A, the solder connection pad 4 includes a ring-shaped outer peripheral electrode 4 a that forms the outer peripheral portion thereof, and the outer peripheral electrode 4 a toward the central portion c of the solder connection pad 4. It consists of four projecting portions 4b, 4b, 4b, 4b projecting so that the width becomes narrower. As a result, when the solder in the solder paste printed and applied on the solder connection pad 4 is heated and melted, the surface tension of the solder connection pad 4 as shown in FIG. The solder layer 7 can be deposited so that the thickness increases from the central portion c toward the outer peripheral electrode 4a. When the solder ball 8 is placed on the solder layer 7, it is difficult for the solder ball 8 to roll on the solder layer 7, and it is possible to prevent the solder ball 8 from rolling out of the solder connection pad 4, thereby enabling accurate positioning.

さらに、半田層7上に半田ボール8を載置すると、図2(c)に示すように、載置された半田ボール8下部と、外周電極4a,突出部4b,4b,・・・,下記で説明する中心電極4cによって囲まれた領域内に露出する絶縁層1bの表面との間に間隙dが形成される。この状態で半田層7,半田ボール8を加熱溶融させて、半田接続パッド4上に半田ボール8を接合すると、絶縁層1bと形成される半田との間に空洞が形成される。これにより、半田と半田接続パッド4との熱膨張率の差に起因して発生する応力を前記空洞に逃がして低減することができ、半田にクラック等が発生するのを抑制することができる。またこのとき、接合された半田ボール8は、外周電極4aの内側側面および突出部4bの側面とも接合するので、半田接続パッド4と半田ボール8との接合面が立体的となり、それによっても半田ボール8が強固にかつ信頼性高く接合される。   Further, when the solder ball 8 is placed on the solder layer 7, as shown in FIG. 2C, the lower part of the placed solder ball 8, the outer peripheral electrode 4a, the protruding portions 4b, 4b,. A gap d is formed between the surface of the insulating layer 1b exposed in the region surrounded by the center electrode 4c described in the above. When the solder layer 7 and the solder ball 8 are heated and melted in this state and the solder ball 8 is joined to the solder connection pad 4, a cavity is formed between the insulating layer 1b and the solder to be formed. Thereby, the stress generated due to the difference in thermal expansion coefficient between the solder and the solder connection pad 4 can be released to the cavity and reduced, and the occurrence of cracks or the like in the solder can be suppressed. At this time, the bonded solder ball 8 is also bonded to the inner side surface of the outer peripheral electrode 4a and the side surface of the protruding portion 4b, so that the bonding surface between the solder connection pad 4 and the solder ball 8 becomes three-dimensional, and the solder The ball 8 is bonded firmly and with high reliability.

半田接続パッド4は、その中央部cに、突出部4b,4b,・・・の先端が接続された中心電極4cを有している。これにより、この中心電極4cに電気テスト用のプローブの先端を押し当てて簡単に電気テストを行うことができる。また、中心電極4cを有すると、該中心電極4cを介して外周電極4aと突出部4b,4b,・・・とが連続した形状になるので、溶融した半田をパッド上に均一に流すことができ、半田層7が図2(b)に示すような形状に形成されやすくなる。さらに、中心電極4cを有すると、半田ボール8が半田接続パッド4の中央部に固定されやすくなり、これにより半田ボール8溶融後に半田接続パッド4内に均一な厚みを有する半田による接続部を形成することができる。   The solder connection pad 4 has a central electrode 4c with the tips of the protruding portions 4b, 4b,. As a result, the electrical test can be easily performed by pressing the tip of the probe for electrical testing against the center electrode 4c. Further, when the center electrode 4c is provided, the outer peripheral electrode 4a and the protrusions 4b, 4b,... Are continuous through the center electrode 4c, so that the molten solder can be flowed uniformly on the pad. Thus, the solder layer 7 is easily formed in a shape as shown in FIG. Further, when the center electrode 4c is provided, the solder ball 8 is easily fixed to the center portion of the solder connection pad 4, thereby forming a solder connection portion having a uniform thickness in the solder connection pad 4 after the solder ball 8 is melted. can do.

一方、最表層の絶縁層1bの上に積層されたソルダーレジスト層5は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等のフィラーを含有させて成る。上面側のソルダーレジスト層5は、半田接続パッド3の中央部を露出させる開口部5aを有しており、半田バンプ6の高さよりも薄い厚みで形成されている。下面側のソルダーレジスト層5は、半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5bを有しており、半田層7の高さよりも大きい厚みで形成されている。   On the other hand, the solder resist layer 5 laminated on the outermost insulating layer 1b is formed by adding a filler such as silica or talc to a thermosetting resin such as an acrylic-modified epoxy resin. The solder resist layer 5 on the upper surface side has an opening 5 a that exposes the central portion of the solder connection pad 3, and is formed with a thickness thinner than the height of the solder bump 6. The solder resist layer 5 on the lower surface side has an opening 5 b that exposes the central portion of the solder connection pad 4, and is formed with a thickness larger than the height of the solder layer 7.

これらのソルダーレジスト層5は、隣接する半田接続パッド3同士または半田接続パッド4同士の電気的な絶縁信頼性を高めると共に、半田接続パッド3,4の絶縁層1bへの接合強度を大きなものとする作用をなす。   These solder resist layers 5 increase the electrical insulation reliability between adjacent solder connection pads 3 or between solder connection pads 4, and increase the bonding strength of the solder connection pads 3 and 4 to the insulating layer 1b. To act.

また、ソルダーレジスト層5の厚みが半田バンプ6の高さよりも薄いことにより、半導体素子を半田接続パッド3に半田バンプ6を介して電気的に接続する際には、半導体素子の電極と半田バンプ6とを良好に接触させることができるので、半田バンプ6を介した半導体素子と半田接続パッド3との電気的な接続が容易となる。   Further, since the thickness of the solder resist layer 5 is thinner than the height of the solder bump 6, when the semiconductor element is electrically connected to the solder connection pad 3 via the solder bump 6, the electrode of the semiconductor element and the solder bump 6 can be satisfactorily brought into contact with each other, and electrical connection between the semiconductor element and the solder connection pad 3 via the solder bump 6 is facilitated.

また、ソルダーレジスト層5の厚みが半田層7の高さよりも大きいことにより、半田層7上にソルダーレジスト層5の開口部5bによる窪みが形成されるので、半田接続パッド4上に半田ボール8を接合させる際には、半田ボール8がソルダーレジスト層5の開口部5b内の窪みに良好に位置決めされて、半田ボール8と半田接続パッド4との接合が容易となる。   In addition, since the solder resist layer 5 is thicker than the solder layer 7, a depression due to the opening 5 b of the solder resist layer 5 is formed on the solder layer 7, so that the solder balls 8 are formed on the solder connection pads 4. When bonding the solder balls 8, the solder balls 8 are well positioned in the depressions in the openings 5 b of the solder resist layer 5, and the solder balls 8 and the solder connection pads 4 can be easily bonded.

このようなソルダーレジスト層5は、その厚みが10〜50μm程度であり、例えば感光性を有するソルダーレジスト層5用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して最表層の絶縁層1b上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって半田接続パッド3,4の中央部を露出させる開口部5a,5bを形成した後、これを熱硬化させることによって形成される。あるいは、ソルダーレジスト層5用の未硬化の樹脂フィルムを最表層の絶縁層1b上に張着した後、これを熱硬化させ、しかる後、半田接続パッド3,4の中央部に対応する位置にレーザ光を照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去することによって半田接続パッド3,4の中央部を露出させる開口部5a,5bを有するように形成される。   Such a solder resist layer 5 has a thickness of about 10 to 50 μm. For example, an uncured resin paste for the solder resist layer 5 having photosensitivity adopts a roll coater method or a screen printing method to insulate the outermost layer. After coating on the layer 1b and drying it, exposure and development processes are performed to form openings 5a and 5b that expose the central portions of the solder connection pads 3 and 4, and then this is thermally cured. It is formed. Alternatively, after an uncured resin film for the solder resist layer 5 is stuck on the outermost insulating layer 1b, it is thermally cured, and then at a position corresponding to the central portion of the solder connection pads 3 and 4. By irradiating a laser beam and partially removing the cured resin film, it is formed to have openings 5a and 5b that expose the central portions of the solder connection pads 3 and 4.

次に、本発明にかかる配線基板の他の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図3(a)は、本実施形態の配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、図3(b)は、図3(a)のIII−III線の破断面を示す図である。なお、図3(a),(b)においては、前述した図1,図2と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。   Next, another embodiment of the wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3A is a plan view showing a solder connection pad for external connection in the wiring board of this embodiment, and FIG. 3B shows a fractured surface taken along line III-III in FIG. FIG. 3A and 3B, the same components as those in FIGS. 1 and 2 described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図3(a),(b)に示すように、本実施形態にかかる外部接続用の半田接続パッド20は、リング状の外周電極20aと、該外周電極20aから半田接続パッド20の中央部cに向かってその幅が狭くなるように突出する4つの突出部20b,20b,・・・とから成る。外部接続用の半田接続パッドをこのように構成しても、前記した一実施形態にかかる半田接続パッド4と同様の効果を奏することができる。なお、電気テストを行う際には、先端が平坦加工された電気テスト用のプローブを用いればよい。その他の構成は、前記した一実施形態にかかる半田接続パッド4と同様である。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the solder connection pad 20 for external connection according to this embodiment includes a ring-shaped outer peripheral electrode 20a and a central portion c of the solder connection pad 20 from the outer peripheral electrode 20a. , And four projecting portions 20b, 20b,... Projecting so that the width thereof becomes narrower. Even if the solder connection pad for external connection is configured in this way, the same effect as the solder connection pad 4 according to the above-described embodiment can be obtained. When performing an electrical test, an electrical test probe having a flat tip may be used. Other configurations are the same as those of the solder connection pad 4 according to the above-described embodiment.

以上、本発明にかかるいくつかの実施形態について説明したが、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において種々の改善や変更が可能である。例えば前記した実施形態では、半導体素子接続用の半田接続パッドおよび外部接続用の半田接続パッドのうち、外部接続用の半田接続パッドを本発明にかかる形状で構成した場合について説明したが、半導体素子接続用の半田接続パッドについても同様に本発明にかかる形状で構成してもよい。   As mentioned above, although some embodiment concerning this invention was described, this invention is not limited to the above embodiment, A various improvement and change are possible within the range described in the claim. . For example, in the above-described embodiment, the description has been given of the case where the solder connection pad for external connection is configured in the shape according to the present invention among the solder connection pad for connecting the semiconductor element and the solder connection pad for external connection. Similarly, the solder connection pads for connection may be configured in the shape according to the present invention.

突出部の数が4つである半田接続パッド4,20について説明したが、本発明にかかる突出部の数はこれに限定されるものではなく、3〜7つ程度の範囲から任意に選定すればよい。したがって、突出部の数を例えば図4に示すような3つにしてもよい。すなわち、図4に示す半田接続パッド25は、リング状の外周電極25aと、該外周電極25aから半田接続パッド25の中央部cに向かってその幅が狭くなるように突出する3つの突出部25b,25b,25bとから成る。その他の構成は、前記した実施形態にかかる半田接続パッド4,20と同様である。   Although the solder connection pads 4 and 20 having four protrusions have been described, the number of protrusions according to the present invention is not limited to this, and can be arbitrarily selected from a range of about 3 to 7. That's fine. Therefore, the number of protrusions may be three as shown in FIG. That is, the solder connection pad 25 shown in FIG. 4 has a ring-shaped outer peripheral electrode 25a and three protruding portions 25b that protrude from the outer peripheral electrode 25a toward the central portion c of the solder connecting pad 25 so that the width thereof becomes narrower. , 25b, 25b. Other configurations are the same as those of the solder connection pads 4 and 20 according to the above-described embodiment.

半田接続パッド4に被着された半田層7は、鉛フリー半田から成る場合について説明したが、該鉛フリー半田に代えて、半田バンプ6で例示した鉛含有半田等を用いてもよい。   The case where the solder layer 7 attached to the solder connection pad 4 is made of lead-free solder has been described, but lead-containing solder exemplified by the solder bump 6 may be used instead of the lead-free solder.

本発明の一実施形態にかかる配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wiring board concerning one Embodiment of this invention, and a solder ball. (a)は、図1に示した配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、(b)は、(a)のI−I線の破断面を示す図であり、(c)は、(a)のII−II線の破断面を示す図である。(A) is a top view which shows the solder connection pad for the external connection in the wiring board shown in FIG. 1, (b) is a figure which shows the fracture surface of the II line | wire of (a), (c) is a figure which shows the fracture surface of the II-II line of (a). (a)は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、(b)は、(a)のIII−III線の破断面を示す図である。(A) is a top view which shows the solder connection pad for the external connection in the wiring board concerning other embodiment of this invention, (b) is a figure which shows the fracture surface of the III-III line of (a) It is. 本発明のさらに他の実施形態にかかる配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図である。It is a top view which shows the solder connection pad for the external connection in the wiring board concerning further another embodiment of this invention. 従来の配線基板と、半田ボールとを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional wiring board and a solder ball. (a)は、図5に示した配線基板における外部接続用の半田接続パッドを示す平面図であり、(b)は、(a)のIV−IV線の破断面を示す図である。(A) is a top view which shows the solder connection pad for the external connection in the wiring board shown in FIG. 5, (b) is a figure which shows the fracture surface of the IV-IV line of (a).

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁基板
1a,1b 絶縁層
2 配線導体
3 半導体素子接続用の半田接続パッド
4,20,25 外部接続用の半田接続パッド
4a,20a,25a 外周電極
4b,20b,25b 突出部
4c 中心電極
5 ソルダーレジスト層
5a,5b 開口部
6 半田バンプ
7 半田層
8 半田ボール
9 貫通孔
10 孔埋め樹脂
11 貫通孔
15 配線基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation board | substrate 1a, 1b Insulating layer 2 Wiring conductor 3 Solder connection pad for semiconductor element connection 4, 20, 25 Solder connection pad for external connection 4a, 20a, 25a Peripheral electrode 4b, 20b, 25b Protrusion part 4c Center electrode 5 Solder resist layer 5a, 5b Opening 6 Solder bump 7 Solder layer 8 Solder ball 9 Through hole 10 Filling resin 11 Through hole 15 Wiring board

Claims (5)

絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着された半田接続パッドとを備えて成る配線基板であって、前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成ることを特徴とする配線基板。   A wiring board comprising an insulating substrate and a solder connection pad deposited on the surface of the insulating substrate, wherein the solder connection pad includes a ring-shaped outer peripheral electrode forming an outer peripheral portion of the solder connection pad A wiring board comprising a plurality of projecting portions projecting from the outer peripheral electrode so as to narrow toward the center portion of the solder connection pad. 前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有する請求項1記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the solder connection pad has a center electrode at a center portion of which the tips of the plurality of protrusions are connected. 前記半田接続パッド上には、該半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増す半田が溶着されている請求項1または2記載の配線基板。   3. The wiring board according to claim 1, wherein solder having a thickness increasing from a central portion of the solder connection pad toward the outer peripheral electrode is deposited on the solder connection pad. 絶縁基板の表面に半田接続パッドを設ける工程と、前記半田接続パッド上に半田を溶着する工程とを含み、
前記半田接続パッドは、該半田接続パッドの外周部を形成するリング状の外周電極と、該外周電極から前記半田接続パッドの中央部に向かってその幅が狭くなるように突出する複数の突出部とから成り、
この半田接続パッド上に、前記半田を、前記半田接続パッドの中央部から前記外周電極方向に向かって厚みが増すように溶着することを特徴とする配線基板の製造方法。
Providing a solder connection pad on the surface of the insulating substrate; and welding the solder on the solder connection pad;
The solder connection pad includes a ring-shaped outer peripheral electrode that forms an outer peripheral portion of the solder connection pad, and a plurality of protrusions that protrude from the outer peripheral electrode toward the central portion of the solder connection pad so that the width thereof is reduced. And
A method of manufacturing a wiring board, comprising: welding the solder on the solder connection pad so that the thickness increases from a central portion of the solder connection pad toward the outer peripheral electrode.
前記半田接続パッドは、その中央部に、前記複数の突出部の先端が接続された中心電極を有する請求項4記載の配線基板の製造方法。   The method of manufacturing a wiring board according to claim 4, wherein the solder connection pad has a center electrode at a center portion of which the tips of the plurality of protrusions are connected.
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