JP2009120813A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epoxy resin composition exhibiting excellent flowability in molding, mold releasability, continuous moldability, and solder reflow resistance, for sealing a semiconductor. <P>SOLUTION: The epoxy resin composition for sealing a semiconductor includes (A) an epoxy resin including a biphenyl type epoxy resin (a1) and/or a bisphenol type epoxy resin (a2), (B) a phenolic resin-based curing agent, (C) a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxy group and/or a reaction product (c2) between the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxy group and an epoxy resin, and (D) a pentaerythritol tetra-fatty acid ester (d1) and/or a dipentaerythritol hexa-fatty acid ester (d2). <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関するものであり、特に流動性、離型性、連続成形性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた耐半田リフロー性に優れた半導体装置に関するものである。   The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device using the same, and in particular, an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having characteristics excellent in fluidity, releasability, and continuous moldability, and The present invention relates to a semiconductor device using the same and having excellent solder reflow resistance.

近年、電子機器の高度化、軽薄短小化が求められる中、半導体素子の高集積化、半導体装置の表面実装化が進んでいる。これに伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しくなっているのが現状である。特に半導体装置の薄型化に際しては、封止成形時における金型と半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物との間の離型不足に伴う応力の発生により、半導体装置内部の半導体素子自体にクラックを生じたり、樹脂組成物の硬化物と半導体素子との界面における密着性が低下したりするといった問題が生じている。また、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行に伴い、半田処理時の温度が高くなり、半導体装置中に含まれる水分の気化によって発生する爆発的な応力による耐半田リフロー性が、従来以上に大きな問題となってきている。また、リードフレームについても脱鉛の観点から、外装有鉛半田メッキの代わりに予めニッケルメッキ、ニッケル／パラジウム合金に金メッキが施されたプレプリーティングフレームを用いた半導体装置が増加している。これらのメッキは半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物との密着性が著しく悪いという欠点があり、表面実装時に界面において剥離が発生する等の問題が生じており、耐半田リフロー性の向上が求められている。   In recent years, as electronic devices have become more sophisticated and lighter, thinner and smaller, semiconductor elements have been highly integrated and semiconductor devices have been surface-mounted. As a result, the demand for epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation is becoming increasingly severe. In particular, when the semiconductor device is thinned, due to the generation of stress due to insufficient release between the mold and the cured product of the epoxy resin composition for semiconductor sealing during sealing molding, the semiconductor element itself in the semiconductor device itself There have been problems such as cracks and reduced adhesion at the interface between the cured resin composition and the semiconductor element. In addition, with the transition from leaded solder to lead-free solder, which started with environmental problems, the temperature during soldering processing increased, and solder reflow resistance caused by explosive stress generated by vaporization of moisture contained in semiconductor devices Is becoming a bigger problem than before. In addition, from the viewpoint of lead removal, the number of semiconductor devices using a pre-plating frame in which nickel plating and nickel / palladium alloy are gold-plated in advance is increasing from the viewpoint of lead removal. These platings have the disadvantage that the adhesion to the cured resin of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation is extremely poor, causing problems such as peeling at the interface during surface mounting, improving solder reflow resistance Is required.

このため、上記耐半田リフロー性を向上させるための種々の提案がされている。例えば、無機質充填材の高充填化が可能な低粘度型エポキシ樹脂であるビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物が提案されているが（特許文献１、２参照。）、更なる無機質充填材の高充填化により、流動性の低下が懸念される。そこで流動性、離型性、連続成形性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた耐半田リフロー性に優れた半導体装置の開発が求められている。   For this reason, various proposals for improving the solder reflow resistance have been made. For example, although an epoxy resin composition containing a biphenyl type epoxy resin, which is a low viscosity type epoxy resin capable of high filling of an inorganic filler, has been proposed (see Patent Documents 1 and 2), further inorganic fillers are proposed. There is a concern that the fluidity may be lowered due to the high filling. Therefore, development of an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having characteristics excellent in fluidity, releasability and continuous moldability, and a semiconductor device excellent in solder reflow resistance using the same has been demanded.

特開平５−１３１４８６号公報JP-A-5-131486 特開平８−２５３５５５号公報JP-A-8-253555

本発明は、流動性、離型性、連続成形性に優れ、かつ低吸湿性、低応力性、金属系部材との密着力に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた耐半田リフロー性に優れた半導体装置を提供するものである。   The present invention provides an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent properties such as fluidity, releasability, and continuous moldability, and low moisture absorption, low stress, and excellent adhesion to metal-based members, and The present invention provides a semiconductor device having excellent solder reflow resistance.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）、並びに（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）、を含むことを特徴とする。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention comprises (A) an epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and / or an epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2). Epoxy resin, (B) phenolic resin-based curing agent, (C) butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, and / or butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin And (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2).

Figure 2009120813
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は水素又は炭素数４以下の炭化水素基で、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ１の平均値は０又は５以下の正数である。）
Figure 2009120813
 (However, in the above general formula (1), R1 is hydrogen or a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms, and they may be the same or different. The average value of n1 is 0 or 5 or less. Number.)

Figure 2009120813
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ２は水素又は炭素数４以下の炭化水素基で、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ２の平均値は０又は５以下の正数である。）
Figure 2009120813
 (However, in the above general formula (2), R2 is hydrogen or a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms, and they may be the same or different. The average value of n2 is a positive value of 0 or 5 or less. Number.)

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）と、前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の合計量との重量比Ｗ（ｃ１）／（Ｗ（ｄ１）＋Ｗ（ｄ２））が３／１から１／５までの範囲であるものとすることができる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention comprises a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having the carboxyl group, the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2). The weight ratio W (c1) / (W (d1) + W (d2)) with respect to the total amount may be in the range from 3/1 to 1/5.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）と前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）との合計量が全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に０．０１重量％以上、１重量％以下の割合であるものとすることができる。   In the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the total amount of the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is 0 in the total epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. It can be a ratio of 0.01% by weight or more and 1% by weight or less.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）がペンタエリスリトールと炭素数２２以上、３６以下の飽和脂肪酸とのテトラエステルであるものとすることができる。   In the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) may be a tetraester of pentaerythritol and a saturated fatty acid having 22 to 36 carbon atoms.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）がペンタエリスリトールテトラモンタン酸エステルであるものとすることができる。   In the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) may be a pentaerythritol tetramontanic acid ester.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）がジペンタエリスリトールと炭素数２２以上、３６以下の飽和脂肪酸とのヘキサエステルであるものとすることができる。   In the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) may be a hexaester of dipentaerythritol and a saturated fatty acid having 22 to 36 carbon atoms. .

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪
酸エステル（ｄ２）がジペンタエリスリトールヘキサモンタン酸エステルであるものとすることができる。 In the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) may be dipentaerythritol hexamontanic acid ester.

本発明の半導体装置は、上述の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されてなることを特徴とする。   The semiconductor device of the present invention is characterized in that a semiconductor element is sealed with a cured product of the above-described epoxy resin composition for semiconductor sealing.

本発明に従うと、成形封止する時の流動性、離型性、連続成形性に優れ、かつ低吸湿、低応力性、リードフレーム等の金属系部材との密着性、特にメッキを施された銅リードフレーム（銀メッキリードフレーム、ニッケルメッキリードフレーム、ニッケル／パラジウム合金に金メッキが施されたプレプリーティングフレーム等）との密着力に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに耐半田リフロー性に優れた半導体装置を得ることができる。   According to the present invention, it has excellent fluidity, releasability, and continuous moldability during molding and sealing, and has low moisture absorption, low stress, and adhesion to a metal member such as a lead frame, particularly plated. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent adhesion to copper lead frames (silver-plated lead frames, nickel-plated lead frames, pre-plating frames in which nickel / palladium alloy is gold-plated, etc.), and A semiconductor device having excellent solder reflow resistance can be obtained.

本発明は、（Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）、並びに（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）、を含むことにより、成形封止する時の流動性、離型性、連続成形性に優れ、かつ低吸湿、低応力性、リードフレーム等の金属系部材との密着性、特にメッキが施された銅リードフレーム（銀メッキリードフレーム、ニッケルメッキリードフレーム、ニッケル／パラジウム合金に金メッキが施されたプレプリーティングフレーム等）との密着力に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びに耐半田リフロー性に優れた半導体装置が得られるものである。以下、各成分について詳細に説明する。   The present invention comprises (A) an epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and / or an epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2), and (B) a phenol resin. A curing agent, (C) a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, and / or a reaction product (c2) of a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin, And (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2), the fluidity, mold release, and continuous moldability when molding and sealing are excellent, and Low moisture absorption, low stress, adhesion to metal parts such as lead frame, especially plated copper lead frame (silver plated lead frame) , Nickel-plated lead frame, pre-plating frame in which nickel / palladium alloy is gold-plated, and the like, and an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent adhesive strength and excellent solder reflow resistance A semiconductor device is obtained. Hereinafter, each component will be described in detail.

本発明では、（Ａ）エポキシ樹脂として、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明で用いられる下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）、及び下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）は、いずれも結晶性エポキシ樹脂であり、常温時には固体で取り扱い性に優れ、かつ成形時の溶融粘度が非常に低い特長を有する。これらのエポキシ樹脂は溶融粘度が低いことにより、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の高流動化を得ることができ、無機質充填材を高充填化することができる。また、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）、及び下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を用いると、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｄ）成分との相溶性が最も適正な状態になることから、後述する（Ｃ）成分と（Ｄ）成分とを併用することで得られる、成形時における樹脂硬化物表面の外観と離型性とを両立させる効果を、理想的に得ることができる。   In the present invention, the epoxy resin (A) includes an epoxy resin containing an epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and / or an epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2). It is preferable. The epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and the epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2) used in the present invention are both crystalline epoxy resins, and at normal temperature It is solid and easy to handle and has a very low melt viscosity during molding. Since these epoxy resins have a low melt viscosity, a high fluidity of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation can be obtained, and the inorganic filler can be highly filled. Moreover, when the epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and the epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2) are used, the (A) epoxy resin and the (D) component Since compatibility is in the most appropriate state, it is possible to achieve both the appearance of the resin cured product surface and the releasability at the time of molding, which is obtained by using the (C) component and the (D) component described later together. Can be obtained ideally.

Figure 2009120813
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は水素又は炭素数４以下の炭化水素基で、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ１の平均値は０又は５以下の正数である。）
Figure 2009120813
 (However, in the above general formula (1), R1 is hydrogen or a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms, and they may be the same or different. The average value of n1 is 0 or 5 or less. Number.)

Figure 2009120813
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ２は水素又は炭素数４以下の炭化水素基で、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ２の平均値は０又は５以下の正数である。）
Figure 2009120813
 (However, in the above general formula (2), R2 is hydrogen or a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms, and they may be the same or different. The average value of n2 is a positive value of 0 or 5 or less. Number.)

一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）の内では、作業性、実用性のバランスの取れた４，４’−ジグリシジルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジグリシジルビフェニル及びこの両者の溶融混合物等が好ましい。   Among the epoxy resins (a1) represented by the general formula (1), 4,4′-diglycidylbiphenyl, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-, which has a balance between workability and practicality. 4,4′-diglycidylbiphenyl and a molten mixture of both are preferred.

一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）の内では、ｎ２＝０体の成分を９０重量％以上含むビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。また、その場合の融点としては、３５℃以上、１００℃以下が好ましく、より好ましくは４０℃以上、９０℃以下である。融点が上記範囲内であると、常温で樹脂がブロッキングを起こすことによる取り扱い作業性の低下や樹脂組成物の常温保存性の低下を抑えることができ、また、無機質充填材の高充填化を阻害する粘度の上昇を抑えることができる。   Among the epoxy resins (a2) represented by the general formula (2), bisphenol A type epoxy resins and bisphenol F type epoxy resins containing 90% by weight or more of n2 = 0 components are preferable. Moreover, as melting | fusing point in that case, 35 degreeC or more and 100 degrees C or less are preferable, More preferably, they are 40 degreeC or more and 90 degrees C or less. When the melting point is within the above range, it is possible to suppress a decrease in handling workability due to blocking of the resin at room temperature and a decrease in the room temperature storage stability of the resin composition, and also inhibit the high filling of the inorganic filler. Increase in viscosity can be suppressed.

尚、本発明でのエポキシ樹脂の融点とは、示差走査熱量計（セイコー電子工業（株）製）を用い、常温から昇温速度５℃／分で測定したときの、融解ピークの頂点の温度を言う。   The melting point of the epoxy resin in the present invention is the temperature at the apex of the melting peak when measured from room temperature to a heating rate of 5 ° C./min using a differential scanning calorimeter (Seiko Electronics Co., Ltd.). Say.

本発明で用いることができる一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）、一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂を用いることによる効果が損なわれない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用することができるエポキシ樹脂は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ビフェニル骨格等を有する）、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。   The range which does not impair the effect by using the epoxy resin (a1) represented by General formula (1) which can be used by this invention, and the epoxy resin containing the epoxy resin (a2) represented by General formula (2). Thus, it can be used in combination with other epoxy resins. Epoxy resins that can be used in combination are monomers, oligomers, and polymers in general having two or more epoxy groups in one molecule, and the molecular weight and molecular structure thereof are not particularly limited. For example, phenol novolac type epoxy resins Orthocresol novolac type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin having phenylene skeleton, phenol aralkyl type epoxy resin having biphenylene skeleton, naphthol aralkyl type epoxy resin (having phenylene skeleton, biphenyl skeleton, etc.), Dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, triphenolmethane-type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane-type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy Resins, and the like. These may be used in combination of two or more be used one kind alone.

本発明で用いることができる一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）と一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）との合計の配合比率としては、全エポキシ樹脂中に１０重量％以上であることが好ましく、３０重量％以上であることがより好ましく、５０重量％以上であることが更に好ましい。   The total blending ratio of the epoxy resin (a1) represented by the general formula (1) and the epoxy resin (a2) represented by the general formula (2) that can be used in the present invention is as follows. It is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, and further preferably 50% by weight or more.

本発明で用いられる（Ａ）エポキシ樹脂全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、２重量％以上であることが好ましく、４重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、（Ａ）エポキシ樹脂全体の配合割合の上限値については、１０重量％以下であることが好ましく、８重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、耐半田リフロー性の低下等を引き起こす恐れが少ない。   Although it does not specifically limit about the lower limit of the compounding ratio of the whole (A) epoxy resin used by this invention, It is preferable that it is 2 weight% or more in the epoxy resin composition for whole semiconductor sealing, 4 weight% More preferably. When the lower limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in fluidity. Moreover, (A) About the upper limit of the mixture ratio of the whole epoxy resin, it is preferable that it is 10 weight% or less, and it is more preferable that it is 8 weight% or less. When the upper limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in solder reflow resistance.

本発明で用いられる（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤とは、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフトールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。耐半田リフロー性の向上という観点からは、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましく、下記一般式（３）で表されるフェノール樹脂（ｂ１）がより好ましい。粘度上昇を抑える観点から、下記一般式（３）において、ｎ３の平均値は１以上、１０以下の正数であることが好ましく、１以上、６以下の正数であることがより好ましい。

Figure 2009120813
（ただし、上記一般式（３）において、ｎ３の平均値は１以上、１０以下の正数である。） The (B) phenolic resin-based curing agent used in the present invention is a monomer, oligomer or polymer in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and its molecular weight and molecular structure are not particularly limited. For example, phenol novolak resin, cresol novolak resin, dicyclopentadiene modified phenol resin, terpene modified phenol resin, triphenolmethane type resin, phenol aralkyl resin (having phenylene skeleton, biphenylene skeleton, etc.), naphthol novolak resin, naphthol aralkyl resin (Having a phenylene skeleton, a biphenylene skeleton, etc.) and the like. These may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of improving solder reflow resistance, a phenol aralkyl resin having a biphenylene skeleton is preferable, and a phenol resin (b1) represented by the following general formula (3) is more preferable. From the viewpoint of suppressing an increase in viscosity, in the following general formula (3), the average value of n3 is preferably a positive number of 1 or more and 10 or less, and more preferably a positive number of 1 or more and 6 or less.
Figure 2009120813
 (However, in the general formula (3), the average value of n3 is a positive number of 1 or more and 10 or less.)

本発明で用いられる（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、２重量％以上であることが好ましく、４重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤の配合割合の上限値については、１０重量％以下であることが好ましく、８重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、耐半田リフロー性の低下等を引き起こす恐れが少ない。   The lower limit of the blending ratio of the (B) phenol resin curing agent used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 2% by weight or more in the total epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. More preferably, it is at least wt%. When the lower limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in fluidity. Moreover, about the upper limit of the mixture ratio of (B) phenol resin type hardening | curing agent, it is preferable that it is 10 weight% or less, and it is more preferable that it is 8 weight% or less. When the upper limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in solder reflow resistance.

また、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤との配合比率としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数（ＥＰ）と全フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基数（ＯＨ）との当量比（ＥＰ）／（ＯＨ）が０．８以上、１．３以下であることが好ましい。当量比がこの範囲であると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化性の低下、又は樹脂硬化物の物性の低下等を引き起こす恐れが少ない。   The blending ratio of (A) epoxy resin and (B) phenol resin curing agent is equivalent to the number of epoxy groups (EP) of all epoxy resins and the number of phenolic hydroxyl groups (OH) of all phenol resin curing agents. The ratio (EP) / (OH) is preferably 0.8 or more and 1.3 or less. When the equivalent ratio is within this range, there is little risk of causing a decrease in the curability of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation or a decrease in the physical properties of the resin cured product.

本発明では、更に（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）を用いる。カルボキシル基を有するブ
タジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）は、ブタジエンとアクリロニトリルの共重合体であり、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の低応力性を向上させる効果を有するものである。また、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）中のカルボキシル基、アクリロニトリル基が極性を有しているため、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の原料として含まれるエポキシ樹脂との相溶性が適正な状態となり、封止用エポキシ樹脂組成物中でのカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）の分散性が良好となる。このため、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）は、成形時の金型表面の汚れや樹脂硬化物表面の汚れの進行を抑えることができ、また連続成形性を向上させる効果も有するものである。 In the present invention, (C) a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and / or a reaction product (c2) of a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin. Is used. The butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group is a copolymer of butadiene and acrylonitrile, and has an effect of improving the low stress property of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. In addition, since the carboxyl group and acrylonitrile group in the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group have polarity, compatibility with the epoxy resin contained as a raw material of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation Becomes an appropriate state, and the dispersibility of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group in the epoxy resin composition for sealing becomes good. For this reason, the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group can suppress the progress of the mold surface stain and the resin cured product surface stain during molding, and also has the effect of improving the continuous moldability. It is what you have.

更に、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）の全量又は一部を、エポキシ樹脂と硬化促進剤により予め溶融・反応させた反応生成物（ｃ２）を用いることにより、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中でのカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）の分散性をより向上させることができ、連続成形後の金型表面の汚れがより発生し難く、連続成形性を極めて良好にすることができる。本発明で用いることができるカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）の製法については、特に限定するものではないが、例えば、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂とを、硬化促進剤の存在下で溶融・反応させて得ることができる。ここで言う、エポキシ樹脂とは、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではなく、一般式（１）で表される構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、又は該エポキシ樹脂（Ａ）と併用することができるエポキシ樹脂として前述したものと同じものを用いることができる。また、ここで言う硬化促進剤とは、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体中のカルボキシル基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との硬化反応を促進させるものであればよく、後述する（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基と（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる硬化促進剤と同じものも用いることができる。   Further, by using a reaction product (c2) obtained by previously melting and reacting the whole or part of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group with an epoxy resin and a curing accelerator, for semiconductor encapsulation. The dispersibility of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group in the epoxy resin composition can be further improved, and the mold surface after the continuous molding is less likely to be stained, and the continuous moldability is improved. Can be very good. The method for producing the reaction product (c2) of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and the epoxy resin that can be used in the present invention is not particularly limited. A butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) and an epoxy resin can be obtained by melting and reacting in the presence of a curing accelerator. The term “epoxy resin” as used herein refers to monomers, oligomers, and polymers in general having two or more epoxy groups in one molecule. The molecular weight and molecular structure thereof are not particularly limited, and are represented by the general formula (1). As the epoxy resin (A) having a structure or an epoxy resin that can be used in combination with the epoxy resin (A), the same ones as described above can be used. The curing accelerator referred to here may be any accelerator that promotes the curing reaction between the carboxyl group in the butadiene / acrylonitrile copolymer and the epoxy group in the epoxy resin, and will be described later. The same thing as the hardening accelerator which accelerates | stimulates hardening reaction with group and the phenolic hydroxyl group of (B) phenol resin-type hardening | curing agent can also be used.

本発明では、（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）と、（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）と、を併用する。これにより、エポキシ樹脂マトリックスと（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）とを適正な状態に相溶化させることができるため、これらを併用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、その成形時において、樹脂硬化物表面の外観と離型性とを両立させることができ、連続成形性が良好になる。   In the present invention, (C) a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, and / or a reaction product (c2) of a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin, (D) Pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) are used in combination. As a result, the epoxy resin matrix and (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) can be compatibilized in an appropriate state. The epoxy resin composition for stopping can achieve both the appearance of the surface of the cured resin and the releasability at the time of molding, and the continuous moldability becomes good.

一方、（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）を使用せずに、（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）のみを使用した場合では、離型性が不充分となり、連続成形性が低下する。また、（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）を使用せずに、（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）のみを使用した場合では、エポキシ樹脂マトリックス中における（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の相溶化が不充分となり、樹脂硬化物表面の外観が悪化する。カルボキシル基を有
するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）としての正味の配合量Ｗ（ｃ１）と、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）の配合量Ｗ（ｄ１）及びジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の配合量Ｗ（ｄ２）の合計量との重量比Ｗ（ｃ１）／（Ｗ（ｄ１）＋Ｗ（ｄ２））としては、３／１から１／５までの範囲が好ましく、この範囲内にあるときが最も両者を併用する効果が高くなる。尚、（Ｃ）成分としてカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）を用いる場合のカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）としての正味の配合量Ｗ（ｃ１）とは、エポキシ樹脂と反応させる前のカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）としての全半導体封止用エポキシ樹脂組成物に対する配合量を意味する。 On the other hand, without using (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2), (C) a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, and / or Or when only the reaction product (c2) of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and the epoxy resin is used, the releasability becomes insufficient and the continuous moldability is lowered. In addition, (C) a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and / or a reaction product (c2) of a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin should be used. Without using (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) alone, (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / Or Compatibilization of dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) becomes insufficient, and the appearance of the surface of the cured resin product is deteriorated. Net compounding amount W (c1) as butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, compounding amount W (d1) of pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) The weight ratio W (c1) / (W (d1) + W (d2)) to the total amount of the blending amount W (d2) is preferably in the range of 3/1 to 1/5, and is within this range. Sometimes the effect of using both in combination becomes higher. As the component (C), a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group when a reaction product (c2) of a butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin is used. Net compounding quantity W (c1) means the compounding quantity with respect to the epoxy resin composition for whole semiconductor sealing as a butadiene acrylonitrile copolymer (c1) which has a carboxyl group before making it react with an epoxy resin.

本発明で用いられるカルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）としては、特に限定するものではないが、その構造の両端にカルボキシル基を有する化合物が好ましく、下記一般式（４）で表される化合物がより好ましい。

Figure 2009120813
（ただし、上記一般式（４）において、ｉは１未満の正数、ｊは１未満の正数で、かつｉ＋ｊ＝１。ｋは５０〜８０の整数。） The butadiene / acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group used in the present invention is not particularly limited, but a compound having a carboxyl group at both ends of the structure is preferable, and represented by the following general formula (4). More preferred is a compound.
Figure 2009120813
 (In the general formula (4), i is a positive number less than 1, j is a positive number less than 1, and i + j = 1. K is an integer of 50 to 80.)

一般式（４）において、ｉは１未満の正数、ｊは１未満の正数で、かつｉ＋ｊ＝１。ｋは５０〜８０の整数である。一般式（４）で表される化合物におけるアクリロニトリル含量ｊとしては、０．０５以上、０．３０以下が好ましく、より好ましくは０．１０以上、０．２５以下である。アクリロニトリル含量ｊは、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性に影響し、アクリロニトリル含量ｊが上記範囲内であると、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）はエポキシ樹脂マトリックスと適正な相溶状態となり、金型表面の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を引き起こす恐れが少ない。また、アクリロニトリル含量ｊが上記範囲内であると、流動性の低下による充填不良等の発生や、高粘度化による電子部品装置内における金線流れ等の不都合の発生を引き起こす恐れが少ない。   In the general formula (4), i is a positive number less than 1, j is a positive number less than 1, and i + j = 1. k is an integer of 50-80. The acrylonitrile content j in the compound represented by the general formula (4) is preferably 0.05 or more and 0.30 or less, more preferably 0.10 or more and 0.25 or less. The acrylonitrile content j affects the compatibility with the epoxy resin matrix. When the acrylonitrile content j is within the above range, the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) is in an appropriate compatibility state with the epoxy resin matrix, and the mold There is little risk of causing surface contamination or deterioration of the appearance of the cured resin. In addition, when the acrylonitrile content j is within the above range, there is little possibility of causing a defective filling due to a decrease in fluidity, or inconvenience such as a gold wire flow in the electronic component device due to an increase in viscosity.

本発明で用いることができる（Ｃ）成分の総配合量は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）としての配合量で、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上、１重量％以下が好ましく、０．０５重量％以上、０．５重量％以下がより好ましく、０．１重量％以上、０．３重量％以下が特に好ましい。上記範囲にすることで、流動性の低下による成形時における充填不良の発生や高粘度化によるワイヤー流れ等の不具合の発生を抑えることができる。   The total blending amount of the component (C) that can be used in the present invention is a blending amount as a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, and 0.01 wt% in the epoxy resin composition for encapsulating all semiconductors. % To 1% by weight, more preferably 0.05% to 0.5% by weight, and particularly preferably 0.1% to 0.3% by weight. By setting it as the said range, generation | occurrence | production of malfunctions, such as generation | occurrence | production of the filling failure at the time of shaping | molding by fall of fluidity | liquidity, and the wire flow by high viscosity can be suppressed.

カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）の数平均分子量は、２０００以上、５０００以下が好ましく、より好ましくは３０００以上、４０００以下である。上記範囲内にすることで、流動性の低下による成形時における充填不良の発生や高粘度化による金線流れ等の不具合の発生を抑えることができる。   The number average molecular weight of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group is preferably 2000 or more and 5000 or less, more preferably 3000 or more and 4000 or less. By making it within the above range, it is possible to suppress the occurrence of defective filling during molding due to a decrease in fluidity and the occurrence of defects such as gold wire flow due to increased viscosity.

また、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）のカルボキシル基当量は、１２００以上、３０００以下が好ましく、より好ましくは１７００以上、２５００以下である。上記範囲内にすることで、樹脂組成物の成形時における流動性や離型性を低下させることなく、金型や樹脂硬化物の汚れがより発生し難く、連続成形性
が特に良好となる効果が得られる。 In addition, the carboxyl group equivalent of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group is preferably 1200 or more and 3000 or less, more preferably 1700 or more and 2500 or less. By making it within the above range, the mold and the cured resin are less likely to be stained without lowering the fluidity and releasability at the time of molding the resin composition, and the effect that the continuous moldability is particularly good. Is obtained.

本発明に用いられる（Ｃ）成分に含まれるナトリウムイオン量、塩素イオン量は、（ｃ１）換算量に対して、それぞれ、１０ｐｐｍ以下、４５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。ナトリウムイオン量及び塩素イオン量は以下の方法で求めることができる。（Ｃ）成分を乾式分解・灰化後酸溶解し、ＩＣＰ発光分析法にてナトリウムイオン量を測定する。また塩素イオン量は燃焼管式酸素法−ＩＣ法にて測定する。ナトリウムイオン量や塩素イオン量が上記範囲内であると、ナトリウムイオンや塩素イオンによる半田応対回路の腐食が進み易くなることによる半田応対装置の耐湿信頼性の低下を引き起こす恐れが少ない。   It is preferable that the amount of sodium ions and the amount of chlorine ions contained in the component (C) used in the present invention are 10 ppm or less and 450 ppm or less, respectively, with respect to the equivalent amount of (c1). The amount of sodium ions and the amount of chloride ions can be determined by the following method. Component (C) is subjected to dry decomposition / ashing and acid dissolution, and the amount of sodium ions is measured by ICP emission analysis. Chlorine ion content is measured by the combustion tube oxygen method-IC method. When the amount of sodium ions or chlorine ions is within the above range, the corrosion resistance of the solder receiving circuit due to sodium ions or chlorine ions is likely to proceed, and there is little possibility of causing a decrease in the moisture resistance reliability of the solder receiving device.

本発明では、離型剤として、（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）を用いる。   In the present invention, (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is used as a release agent.

本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）は、ペンタエリスリトールと飽和脂肪酸より得られるフルエステルであり、離型性が非常に優れている。フルエステルではない場合、残存する水酸基の影響により半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の耐湿性が低下し、その結果として耐半田リフロー性に悪影響を及ぼす場合があるところ、フルエステルである（ｄ１）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステルでは、上記のような悪影響が生じないため、半導体封止用樹脂組成物に用いる離型剤として好適である。本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）としては、具体的にはペンタエリスリトールテトラカプロン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラカプリル酸エステル、ペンタエリスリトールテトラカプリン酸エステル、ペンタエリスリトールテトララウリン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラミリスチン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラパルミチン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラステアリン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラアラキン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラベヘン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラリグノセリン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラセロチン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラモンタン酸エステル、ペンタエリスリトールテトラメリシン酸エステル等が挙げられる。中でもペンタエリスリトールと炭素数２２以上、３６以下の飽和脂肪酸とのテトラエステルが、離型性と樹脂硬化物外観の観点から、好ましい。さらにペンタエリスリトールテトラモンタン酸エステルがより好ましい。尚、本発明中の飽和脂肪酸の炭素数とは飽和脂肪酸中のアルキル基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。   The pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) used in the present invention is a full ester obtained from pentaerythritol and a saturated fatty acid, and has excellent release properties. When it is not a full ester, the moisture resistance of the cured product of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation decreases due to the influence of the remaining hydroxyl group, and as a result, it may adversely affect the solder reflow resistance. (D1) Pentaerythritol tetrafatty acid ester is suitable as a mold release agent for use in a resin composition for semiconductor encapsulation because it does not cause the adverse effects described above. As the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) used in the present invention, specifically, pentaerythritol tetracaproate, pentaerythritol tetracaprylate, pentaerythritol tetracaprate, pentaerythritol tetralaurate, pentaerythritol Tetramyristic acid ester, pentaerythritol tetrapalmitic acid ester, pentaerythritol tetrastearic acid ester, pentaerythritol tetraarachinic acid ester, pentaerythritol tetrabehenic acid ester, pentaerythritol tetralignoceric acid ester, pentaerythritol tetracerotic acid ester, penta Erythritol tetramontanate, pentaerythritol Toramerishin acid ester and the like. Among these, a tetraester of pentaerythritol and a saturated fatty acid having 22 to 36 carbon atoms is preferable from the viewpoint of releasability and appearance of a cured resin product. Furthermore, pentaerythritol tetramontanate is more preferable. In addition, the carbon number of the saturated fatty acid in the present invention refers to the sum of the carbon number of the alkyl group and the carboxyl group in the saturated fatty acid.

本発明で用いられるジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）は、ジペンタエリスリトールと飽和脂肪酸より得られるフルエステルであり、離型性が非常に優れている。フルエステルではない場合、残存する水酸基の影響により半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の耐湿性が低下し、その結果として耐半田リフロー性に悪影響を及ぼす場合があるところ、フルエステルである（ｄ２）ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステルでは、上記のような悪影響が生じないため、半導体封止用樹脂組成物に用いる離型剤として好適である。本発明で用いられるジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）としては、具体的にはジペンタエリスリトールヘキサカプロン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサカプリル酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサカプリン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサラウリン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサミリスチン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサパルミチン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサステアリン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサアラキン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサベヘン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサリグノセリン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサセロチン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサモンタン酸エステル、ジペンタエリスリトールヘキサメリシン酸エステル等が挙げられる。中でもジペンタエリスリトールと炭素数２２以上、３６以下の飽和脂肪酸とのヘキサエステルが、離型性と樹脂硬化物の外観の観点から、好
ましい。さらにジペンタエリスリトールヘキサモンタン酸エステルがより好ましい。尚、本発明中の飽和脂肪酸の炭素数とは飽和脂肪酸中のアルキル基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。 The dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention is a full ester obtained from dipentaerythritol and a saturated fatty acid, and has excellent release properties. When it is not a full ester, the moisture resistance of the cured product of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation decreases due to the influence of the remaining hydroxyl group, and as a result, it may adversely affect the solder reflow resistance. (D2) Dipentaerythritol hexafatty acid ester is suitable as a mold release agent for use in a semiconductor sealing resin composition because it does not cause the adverse effects described above. Specific examples of the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention include dipentaerythritol hexacaproate, dipentaerythritol hexacaprylate, dipentaerythritol hexacaprate, dipentaerythritol hexalaurin. Acid ester, dipentaerythritol hexamyristic acid ester, dipentaerythritol hexapalmitic acid ester, dipentaerythritol hexastearic acid ester, dipentaerythritol hexaaracinic acid ester, dipentaerythritol hexabehenic acid ester, dipentaerythritol hexalignoceric acid Esters, dipentaerythritol hexacerotate, dipentaerythritol hexamontanate Le, dipentaerythritol hexa Meri Shin acid ester and the like. Among these, a hexaester of dipentaerythritol and a saturated fatty acid having 22 to 36 carbon atoms is preferable from the viewpoint of releasability and appearance of the cured resin. Furthermore, dipentaerythritol hexamontanate is more preferable. In addition, the carbon number of the saturated fatty acid in the present invention refers to the sum of the carbon number of the alkyl group and the carboxyl group in the saturated fatty acid.

本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の滴点は、６０℃以上、１００℃以下が好ましく、より好ましくは７０℃以上、９０℃以下である。滴点は、ＡＳＴＭ Ｄ１２７に準拠した方法により測定することができる。具体的には、金属ニップルを用いて、溶融したワックスが金属ニップルから最初に滴下するときの温度として測定される。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。滴点が上記範囲内であると、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）は熱安定性に優れ、成形時にペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）が焼き付きにくい。そのため、金型からの樹脂硬化物の離型性に優れるとともに、連続成形性にも優れる。さらに、上記範囲内であると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させる際、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）が十分に溶融する。これにより、樹脂硬化物中にペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）が略均一に分散する。そのため、樹脂硬化物表面におけるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の偏析が抑制され、金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を低減することができる。   The dropping point of the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention is preferably 60 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, more preferably 70 ° C. or higher and 90 ° C. or lower. It is. The dropping point can be measured by a method based on ASTM D127. Specifically, using a metal nipple, it is measured as the temperature at which molten wax first drops from the metal nipple. In the following examples, it can be measured by the same method. When the dropping point is within the above range, pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is excellent in thermal stability, and at the time of molding, pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or Dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is difficult to seize. Therefore, it is excellent in the mold release property of the resin cured material from a metal mold | die, and is excellent also in continuous moldability. Furthermore, when it is within the above range, when the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation is cured, pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) are sufficiently melted. Thereby, pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) are dispersed substantially uniformly in the cured resin. Therefore, segregation of pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) on the surface of the cured resin product is suppressed, and deterioration of the appearance of the mold and the cured resin product can be reduced. it can.

本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の酸価は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、より好ましくは１５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。酸価は樹脂硬化物との相溶性に影響を及ぼす。酸価は、ＪＩＳ
Ｋ ３５０４に準拠した方法により測定することができる。具体的には、ワックス類１ｇ中に含有する遊離脂肪酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数として測定される。以下の例においても、同様の方法により測定することができる。酸価が上記範囲内にあると、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）は、樹脂硬化物中において、エポキシ樹脂マトリックスと好ましい相溶状態となる。これにより、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）と、エポキシ樹脂マトリックスとが、相分離を起こすことがない。そのため、樹脂硬化物表面におけるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の偏析が抑制され、金型の汚れや樹脂硬化物の外観の悪化を低減することができる。さらに、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）が樹脂硬化物表面に存在するため、樹脂硬化物は金型からの離型性に優れる。一方、エポキシ樹脂マトリックスとの相溶性が高すぎると、ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）が樹脂硬化物表面に染み出すことができず、十分な離型性を確保することができない場合がある。 The acid value of the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention is preferably 10 mgKOH / g or more and 50 mgKOH / g or less, more preferably 15 mgKOH / g or more, 40 mgKOH / g or less. The acid value affects the compatibility with the cured resin. Acid value is JIS
It can be measured by a method based on K 3504. Specifically, it is measured as the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize free fatty acids contained in 1 g of waxes. In the following examples, it can be measured by the same method. When the acid value is within the above range, the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) are in a compatible state with the epoxy resin matrix in the cured resin. Thereby, the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) and the epoxy resin matrix do not cause phase separation. Therefore, segregation of pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) on the surface of the cured resin product is suppressed, and deterioration of the appearance of the mold and the cured resin product can be reduced. it can. Furthermore, since pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is present on the surface of the cured resin, the cured resin is excellent in releasability from the mold. On the other hand, if the compatibility with the epoxy resin matrix is too high, the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) cannot ooze out on the surface of the cured resin, and sufficient separation is obtained. In some cases, it is not possible to ensure the type.

本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及びジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の合計の配合量は半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、０．０１重量％以上、１重量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．０３重量％以上、０．５重量％以下である。配合量が上記範囲内であると、金型からの樹脂硬化物の離型性に優れる。さらに、リードフレーム部材との密着性に優れるため、半田処理時において、リードフレーム部材と樹脂硬化物との剥離を抑制することができ
る。また、金型の汚れや樹脂樹脂硬化物の外観の悪化を抑制することもできる。 The total amount of pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention is 0.01% by weight or more and 1% by weight in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. Or less, more preferably 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less. When the blending amount is within the above range, the mold releasability of the cured resin from the mold is excellent. Furthermore, since the adhesiveness with the lead frame member is excellent, peeling between the lead frame member and the cured resin can be suppressed during the soldering process. In addition, it is possible to suppress deterioration of the mold and the appearance of the cured resin resin.

本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の製法については、特に限定するものではないが、例えば、原料化合物としてペンタエリスリトール又はジペンタエリスリトール、脂肪酸を用い、公知の方法に従ってエステル反応させる方法などにより得ることができる。また、本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）は、理研ビタミン（株）製、リケスター（登録商標）ＥＷ−８６１、クラリアントジャパン（株）製、リコモント（登録商標）ＥＴ１４１等、市販のものを入手し、必要に応じて回転円板型ミル（ピンミル）、スクリーンミル（ハンマーミル）、遠心分離型ミル（ターボミル）、ジェットミル等の粉砕機を用い、粉砕し粒度調整して使用することができる。   The production method of the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention is not particularly limited. For example, pentaerythritol or dipentaerythritol as a raw material compound, It can be obtained by a method of performing an ester reaction using a fatty acid according to a known method. Further, pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention are manufactured by Riken Vitamin Co., Ltd., Richester (registered trademark) EW-861, Clariant Japan Co., Ltd. Manufactured, Recommon (registered trademark) ET141, etc., commercially available, and pulverization of rotating disk mill (pin mill), screen mill (hammer mill), centrifugal mill (turbo mill), jet mill, etc. as necessary It can be used after pulverization and particle size adjustment using a machine.

本発明で用いられるペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）を用いることによる効果を損なわない範囲で他の離型剤を併用することもできる。併用できる離型剤としては、例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。   Other mold release agents can be used in combination as long as the effects of using the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) used in the present invention are not impaired. Examples of release agents that can be used in combination include natural waxes such as carnauba wax, and metal salts of higher fatty acids such as zinc stearate.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）、並びに（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）を含むものであるが、その他の主要構成成分として（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）無機質充填材等を配合することができる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention comprises (A) an epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and / or an epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2). Epoxy resin, (B) phenolic resin-based curing agent, (C) butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group, and / or butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin Product (c2), and (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2), but (E) a curing accelerator as the other main constituent (F) An inorganic filler or the like can be blended.

本発明に用いることができる（Ｅ）硬化促進剤としては、（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基と（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用いることができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体；トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類；２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用しても差し支えない。   As the (E) curing accelerator that can be used in the present invention, any curing accelerator may be used as long as it promotes the curing reaction between the epoxy group of (A) the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group of the (B) phenol resin curing agent, What is generally used for a sealing material can be used. For example, diazabicycloalkenes such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 and derivatives thereof; organic phosphines such as triphenylphosphine and methyldiphenylphosphine; imidazole compounds such as 2-methylimidazole; tetra Examples thereof include tetra-substituted phosphonium and tetra-substituted borates such as phenylphosphonium and tetraphenylborate, and these may be used alone or in combination of two or more.

本発明に用いることができる（Ｅ）硬化促進剤の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中０．０５重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、硬化性の低下等を引き起こす恐れが少ない。また、（Ｅ）硬化促進剤の配合割合の上限値については、特に限定されないが、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中１重量％以下であることが好ましく、０．５重量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、流動性の低下等を引き起こす恐れが少ない。   The lower limit of the blending ratio of the (E) curing accelerator that can be used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.05% by weight or more in the total epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and 0 More preferably, it is 1% by weight or more. When the lower limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in curability. Further, the upper limit of the blending ratio of the (E) curing accelerator is not particularly limited, but it is preferably 1% by weight or less, and 0.5% by weight or less in the total epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. It is more preferable. When the upper limit of the blending ratio is within the above range, there is little possibility of causing a decrease in fluidity.

本発明に用いることができる（Ｆ）無機質充填材としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、最も好適に使用されるものは、球状の溶融シリカである。これらの（Ｆ）無機質充填材は、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用しても差し支えない。またこれらがカップリング剤により表面処理されていても
かまわない。（Ｆ）無機質充填材の形状としては、流動性の観点から、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。 As the inorganic filler (F) that can be used in the present invention, those generally used in epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation can be used. For example, fused silica, crystalline silica, talc, alumina, silicon nitride and the like can be mentioned, and the most preferably used is spherical fused silica. These (F) inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. These may be surface-treated with a coupling agent. (F) The shape of the inorganic filler is preferably as spherical as possible from the viewpoint of fluidity, and the particle size distribution is broad.

本発明に用いることができる（Ｆ）無機質充填材の含有量の下限値については、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中８４重量％以上であることが好ましく、８６重量％以上であることがより好ましい。含有量の下限値が上記範囲内であると、実装時における良好な耐半田リフロー性を得ることができる。また、（Ｆ）無機質充填材の含有量の上限値については、全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中９２重量％以下であることが好ましく、９０重量％以下であることがより好ましい。含有量の上限値が上記範囲内であると、成形時における充分な流動性を得ることができる。   About the lower limit of content of the (F) inorganic filler which can be used for this invention, it is preferable that it is 84 weight% or more in the epoxy resin composition for whole semiconductor sealing, and it is 86 weight% or more. More preferred. When the lower limit of the content is within the above range, good solder reflow resistance during mounting can be obtained. Moreover, about the upper limit of content of (F) inorganic filler, it is preferable that it is 92 weight% or less in the epoxy resin composition for whole semiconductor sealing, and it is more preferable that it is 90 weight% or less. When the upper limit of the content is within the above range, sufficient fluidity at the time of molding can be obtained.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、更に必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤；カーボンブラック等の着色剤；シリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤；臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ほう酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合しても差し支えない。   In addition to the above components (A) to (F), the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention may further include silane cups such as epoxy silane, mercapto silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, and vinyl silane. Ring agents, titanate coupling agents, aluminum coupling agents, coupling agents such as aluminum / zirconium coupling agents; colorants such as carbon black; low-stress additives such as silicone oil and rubber; brominated epoxy resins and three Additives such as flame retardants such as antimony oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, and phosphazene may be appropriately blended.

また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分、その他の添加剤等を、ミキサー等を用いて充分に均一に混合したもの、その後、更に熱ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕したものなど、必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したものを用いることができる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is a mixture of the above components (A) to (F) and other additives sufficiently uniformly using a mixer or the like, and then further heated rolls. In addition, it is possible to use a material in which the dispersity, the fluidity, and the like are appropriately adjusted as necessary, such as those obtained by melt-kneading with a kneader such as a kneader or an extruder and pulverizing after cooling.

封止を行う素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等で特に限定されるものではなく、電子部品装置の形態も特に限定されない。低圧トランスファー成形などの方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは８０〜２００℃の温度で１５秒〜１０時間かけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。   The element for sealing is not particularly limited, for example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, a solid-state imaging element, or the like, and the form of the electronic component device is not particularly limited. A semiconductor device sealed by a method such as low-pressure transfer molding is mounted on an electronic device or the like as it is or after being completely cured at a temperature of 80 to 200 ° C. for 15 seconds to 10 hours.

本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等が挙げられる。   The form of the semiconductor device of the present invention is not particularly limited. For example, the dual in-line package (DIP), the plastic lead chip carrier (PLCC), the quad flat package (QFP), the low profile package, and the like. Quad Flat Package (LQFP), Small Outline Package (SOP), Small Outline J Lead Package (SOJ), Thin Small Outline Package (TSOP), Thin Quad Flat Package (TQFP), Examples include a tape carrier package (TCP), a ball grid array (BGA), and a chip size package (CSP).

上記トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは８０℃から２００℃程度の温度で、１０分から１０時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。   A semiconductor device sealed by a molding method such as the above transfer mold is completely cured at a temperature of about 80 ° C. to 200 ° C. for about 10 minutes to 10 hours, and then mounted on an electronic device or the like. Is done.

図１は、本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。   FIG. 1 is a view showing a cross-sectional structure of an example of a semiconductor device using the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention. The semiconductor element 1 is fixed on the die pad 3 via the die bond material cured body 2. The electrode pad of the semiconductor element 1 and the lead frame 5 are connected by a gold wire 4. The semiconductor element 1 is sealed with a cured body 6 of an epoxy resin composition for semiconductor sealing.

図２は、本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた片面封止型の半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。基板８上にダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドと基板８上の電極パッドとの間は金線４によって接続されている。半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体６によって、基板８の半導体素子１が搭載された片面側のみが封止されている。基板８上の電極パッドは基板８上の非封止面側の半田ボール９と内部で接合されている。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。 FIG. 2 is a view showing a cross-sectional structure of an example of a single-side sealed semiconductor device using the epoxy resin composition for semiconductor sealing according to the present invention. The semiconductor element 1 is fixed on the substrate 8 through the die bond material cured body 2. The electrode pad of the semiconductor element 1 and the electrode pad on the substrate 8 are connected by a gold wire 4. Only the single side | surface side in which the semiconductor element 1 of the board | substrate 8 was mounted is sealed with the hardening body 6 of the epoxy resin composition for semiconductor sealing. The electrode pads on the substrate 8 are bonded to the solder balls 9 on the non-sealing surface side on the substrate 8 inside.
Conventional molding such as transfer molding, compression molding, injection molding, etc., is used to manufacture semiconductor devices by sealing various electronic components such as semiconductor elements using the epoxy resin composition for semiconductor sealing of the present invention. It may be cured by the method.

以下、本発明を実施例で具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these. The blending ratio is parts by weight.

実施例１
エポキシ樹脂１：下記式（５）で表される化合物を主成分とするエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）［ジャバンエポキシレジン（株）製、ｊＥＲ（登録商標）ＹＸ−４０００ＨＫ。融点１０５℃。エポキシ当量１９１。］ ５．７７重量部

Figure 2009120813
Example 1
Epoxy resin 1: Epoxy resin (biphenyl type epoxy resin) whose main component is a compound represented by the following formula (5) [manufactured by Jaban Epoxy Resin Co., Ltd., jER (registered trademark) YX-4000HK. Melting point 105 ° C. Epoxy equivalent 191. 5.77 parts by weight
Figure 2009120813

フェノール樹脂系硬化剤１：下記式（３）で表されるフェノール樹脂系硬化剤（ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂）［明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ。軟化点６７℃。水酸基当量２０３。下記式（３）において、ｎ３の平均値は３．５。］
６．１３重量部

Figure 2009120813
Phenol resin-based curing agent 1: phenol resin-based curing agent (biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin) represented by the following formula (3) [MEH-7851SS, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. Softening point 67 ° C. Hydroxyl equivalent weight 203. In the following formula (3), the average value of n3 is 3.5. ]
6.13 parts by weight
Figure 2009120813

Ｃ１−１：カルボキシル基を両末端に有するブタジエン−アクリロニトリル共重合体（宇部興産（株）製、ＣＴＢＮ−１００８ＳＰ。下記一般式（４）において、ｉ＝０．８２、ｊ＝０．１８、ｋの平均値は６２。数平均分子量３５５０、カルボキシル基当量２２００ｇ／ｅｑ。ナトリウムイオン量５ｐｐｍ、塩素イオン量２００ｐｐｍ。）
０．２０重量部

Figure 2009120813
C1-1: A butadiene-acrylonitrile copolymer having a carboxyl group at both ends (manufactured by Ube Industries, Ltd., CTBN-1008SP. In the following general formula (4), i = 0.82, j = 0.18, k The average value is 62. Number average molecular weight 3550, carboxyl group equivalent 2200 g / eq. Sodium ion amount 5 ppm, chlorine ion amount 200 ppm.)
0.20 parts by weight
Figure 2009120813

離型剤１：ペンタエリスリトールテトラモンタン酸エステル（クラリアントジャパン（株）製、リコモント（登録商標）ＥＴ１４１。滴点７６℃。酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ。）
０．２０重量部
硬化促進剤１：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
０．２０重量部
無機質充填材１：球状溶融シリカ（平均粒径３０μｍ） ８７．００重量部
シランカップリング剤１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
０．２０重量部
着色剤１：カーボンブラック ０．３０重量部
をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、半導体封止用エポキシ樹脂組成物とした。得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。 Release agent 1: Pentaerythritol tetramontanate (manufactured by Clariant Japan Co., Ltd., Recommon (registered trademark) ET141, dropping point 76 ° C., acid value 25 mgKOH / g)
0.20 part by weight Curing accelerator 1: 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7
0.20 parts by weight Inorganic filler 1: spherical fused silica (average particle size 30 μm) 87.00 parts by weight Silane coupling agent 1: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane
0.20 part by weight Colorant 1: Carbon black 0.30 part by weight was mixed using a mixer, and then kneaded 20 times using a biaxial roll having surface temperatures of 95 ° C. and 25 ° C. The sheet was cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. The characteristics of the obtained epoxy resin composition for semiconductor encapsulation were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.

評価方法
スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、保圧時間１２０秒の条件で半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を注入し、流動長を測定した。単位はｃｍ。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が良好な流動性を示す。 Evaluation method: Spiral flow: Using a low-pressure transfer molding machine (KTS-15, manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.), a mold for spiral flow measurement according to EMMI-1-66, a mold temperature of 175 ° C. and an injection pressure of 6. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation was injected under the conditions of 9 MPa and a holding time of 120 seconds, and the flow length was measured. The unit is cm. Spiral flow is a parameter of fluidity, and a larger value indicates better fluidity.

連続成形性：低圧トランスファー自動成形機（第一精工製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間７０秒の条件で、半導体封止用エポキシ樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止して８０ピンＱＦＰ（プリプレーティングフレーム、ニッケル／パラジウム合金に金メッキしたもの、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×３５０μｍ厚）を得る成形を、連続で１０００ショットまで行なった。判定基準は未充填、離型不良等の問題が全く発生せずに１０００ショットまで連続成形できたものを◎、８００ショットまで連続成形できたものを○、５００ショットまで連続成形できたものを△、それ以外を×とした。   Continuous moldability: epoxy resin composition for semiconductor encapsulation using a low pressure transfer automatic molding machine (Daiichi Seiko, GP-ELF) under conditions of a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 70 seconds. 80-pin QFP (preprating frame, nickel / palladium alloy gold-plated, package outer dimensions: 14 mm x 20 mm x 2 mm thick, pad size: 6.5 mm x 6.5 mm, chip Molding to obtain a size of 6.0 mm × 6.0 mm × 350 μm thickness was continuously performed up to 1000 shots. Judgment criteria are ◎ for continuous molding up to 1000 shots without causing problems such as unfilling and mold release failure, ◯ for continuous molding up to 800 shots, △ for continuous molding up to 500 shots Other than that, it was set as x.

パッケージ外観及び金型汚れ性：上記連続成形性の評価において５００ショット経過後、８００ショット経過後及び１０００ショット経過後のパッケージ及び金型について、目視で汚れを評価した。パッケージ外観判断及び金型汚れ基準は、５００ショットまでに汚れているものを×、５００ショットまで汚れていないものを△、８００ショットまで汚れていないものを○、１０００ショットまで汚れていないものを◎で表す。また、上記連続成形性において、５００ショットまで問題なく成形できなかったものについては、連続成形を断念した時点でのパッケージ外観及び金型汚れ状況で判断した。   Package appearance and mold stain resistance: In the evaluation of the continuous formability, the package and mold after 500 shots, 800 shots, and 1000 shots were visually evaluated for stains. The package appearance judgment and mold contamination criteria are x for those that are dirty up to 500 shots, Δ for those that are not dirty up to 500 shots, ○ that are not dirty up to 800 shots, and ◎ those that are not dirty up to 1000 shots. Represented by Further, in the above-mentioned continuous formability, those that could not be formed without any problem up to 500 shots were judged based on the package appearance and mold contamination status when the continuous forming was abandoned.

耐半田リフロー性：上記連続成形性の評価において成形したパッケージを１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％で１６８時間加湿処理後、ＩＲリフロー（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅｖｅｌ１条件に従う）処理を行った。評価
したパッケージの数は２０個。半導体素子と半導体封止用エポキシ樹脂組成物界面の密着状態を超音波探傷装置（日立建機ファインテック株式会社製、ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ）により観察した。処理後の内部の剥離、及びクラックの有無を超音波傷機で観察し、剥離、クラックのいずれか一方でも発生したものを不良パッケージとした。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／２０と表示した。 Solder reflow resistance: The package molded in the above-described evaluation of continuous formability was post-cured at 175 ° C. for 8 hours, and the resulting package was humidified for 168 hours at 85 ° C. and 85% relative humidity, followed by IR reflow (260 ° C. , According to JEDEC / Level1 conditions). The number of packages evaluated was 20. The adhesion state of the semiconductor element and the epoxy resin composition interface for semiconductor encapsulation was observed with an ultrasonic flaw detector (manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd., mi-scope hyper II). The internal peeling after the treatment and the presence or absence of cracks were observed with an ultrasonic scratching machine, and those that occurred in either peeling or cracking were defined as defective packages. When the number of defective packages was n, it was displayed as n / 20.

実施例２〜１４、比較例１〜５
表１、２に示す割合で各成分を配合し、実施例１と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、表２に示す。
実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。 Examples 2-14, Comparative Examples 1-5
Each component was mix | blended in the ratio shown in Table 1, 2, the epoxy resin composition for semiconductor sealing was obtained like Example 1, and it evaluated like Example 1. The results are shown in Tables 1 and 2.
The components used in other than Example 1 are shown below.

エポキシ樹脂２：下記式（６）で表される化合物を主成分とするエポキシ樹脂（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）［ジャバンエポキシレジン（株）製、ｊＥＲ（登録商標）ＹＬ６８１０。融点４５℃、エポキシ当量１７２。一般式（２）におけるｎ２＝０体の含有比率が９８重量％である。］

Figure 2009120813
Epoxy resin 2: Epoxy resin (bisphenol A type epoxy resin) whose main component is a compound represented by the following formula (6) [JER (registered trademark) YL6810, manufactured by Jaban Epoxy Resin Co., Ltd. Melting point 45 ° C., epoxy equivalent 172. The content ratio of n2 = 0 isomer in the general formula (2) is 98% by weight. ]
Figure 2009120813

エポキシ樹脂３：下記式（７）で表される化合物を主成分とするエポキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）［東都化成（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ。融点８０℃、エポキシ当量１９５。一般式（２）におけるｎ２＝０体の含有比率が９４重量％である。］

Figure 2009120813
Epoxy resin 3: Epoxy resin (bisphenol F type epoxy resin) having a compound represented by the following formula (7) as a main component (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., YSLV-80XY). Melting point 80 ° C., epoxy equivalent 195. The content ratio of n2 = 0 body in the general formula (2) is 94% by weight. ]
Figure 2009120813

エポキシ樹脂４：下記式（５）で表される化合物及び下記式（８）で表される化合物を主成分とするエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）［ジャバンエポキシレジン（株）製、ｊＥＲ（登録商標）ＹＬ６１２１Ｈ。エポキシ当量１７２。］

Figure 2009120813
Figure 2009120813
 Epoxy resin 4: Epoxy resin (biphenyl type epoxy resin) whose main component is a compound represented by the following formula (5) and a compound represented by the following formula (8) [manufactured by Jaban Epoxy Resin Co., Ltd., jER (registered) Trademark) YL6121H. Epoxy equivalent 172. ]
Figure 2009120813
Figure 2009120813

エポキシ樹脂５：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂［住友化学（株）製、スミエポキシ（登録商標）ＥＳＣＮ−１９５ＬＢ。軟化点６５℃、エポキシ当量２００。］   Epoxy resin 5: Orthocresol novolak type epoxy resin [Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumiepoxy (registered trademark) ESCN-195LB. Softening point 65 ° C., epoxy equivalent 200. ]

フェノール樹脂系硬化剤２：下記式（９）で表される樹脂（フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂）［三井化学（株）製、ミレックス（登録商標）ＸＬＣ−４Ｌ。軟化点６５℃、水酸基当量１６５。下記式（９）におけるｎ９の平均値は３．５。］

Figure 2009120813
Phenol resin curing agent 2: Resin represented by the following formula (9) (phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin) [Mitsui Chemicals, Inc., Milex (registered trademark) XLC-4L. Softening point 65 ° C., hydroxyl equivalent 165. In the following formula (9), the average value of n9 is 3.5. ]
Figure 2009120813

Ｃ２−1：下記式（６）で表される化合物を主成分とするエポキシ樹脂（ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂）［ジャバンエポキシレジン（株）製、ｊＥＲ（登録商標）ＹＬ６８１０。融点４５℃、エポキシ当量１７２。一般式（２）におけるｎ２＝０体の含有比率が９８重量％である。］６５重量部を１４０℃で加温溶融し、前記Ｃ１−１を３３重量部、トリフェニルホスフィンを０．８重量部添加して、１４０℃にて３０分間溶融混合して得た溶融反応物

Figure 2009120813
C2-1: Epoxy resin (bisphenol A type epoxy resin) having a compound represented by the following formula (6) as a main component [manufactured by Jaban Epoxy Resin Co., Ltd., jER (registered trademark) YL6810. Melting point 45 ° C., epoxy equivalent 172. The content ratio of n2 = 0 isomer in the general formula (2) is 98% by weight. 65 parts by weight was melted by heating at 140 ° C., 33 parts by weight of C1-1 and 0.8 parts by weight of triphenylphosphine were added, and the molten reactant obtained by melting and mixing at 140 ° C. for 30 minutes.
Figure 2009120813

離型剤２：ペンタエリスリトールテトラベヘン酸エステル（ベヘン酸を溶融し、ペンタエリスリトール（ペンタエリスリトールとベヘン酸のモル比＝１：４．２）及びスズ化合物（ペンタエリスリトールとベヘン酸の合計量１００重量％に対し０．１５重量％）を加え、２００℃、窒素雰囲気下、反応水の留出下、酸価が３５未満に低下するまで攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム水溶液を用いて反応混合物中の遊離脂肪酸を中和し、その後温水による洗浄、脱水、ろ過、粉砕の処理を行った。滴点７１℃、酸価３０ｍｇＫＯＨ／ｇ）
離型剤３：ジペンタエリスリトールヘキサベヘン酸エステル（理研ビタミン（株）製、リケスター（登録商標）ＥＷ−８６１、滴点８０℃、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）
離型剤４：ジペンタエリスリトールヘキサモンタン酸エステル（モンタン酸を溶融し、ジペンタエリスリトール（ジペンタエリスリトールとモンタン酸のモル比＝１：６．３）
及び７０％濃度メタンスルホン酸（ジペンタエリスリトールとモンタン酸の合計量１００重量％に対し０．２重量％）を加え、２２０℃、窒素雰囲気下、反応水の留出下、酸価が３０未満に低下するまで攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム水溶液を用いて反応混合物中の遊離脂肪酸を中和し、その後温水による洗浄、脱水、ろ過、粉砕の処理を行った。滴点８４℃、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ）
離型剤５：ペンタエリスリトールジステアリン酸エステル（理研ビタミン（株）製、リケマール（登録商標）ＨＴ−１０、滴点５２℃、酸価３ｍｇＫＯＨ／ｇ）
離型剤６：カルナバワックス Release agent 2: pentaerythritol tetrabehenate (melting behenic acid, pentaerythritol (molar ratio of pentaerythritol and behenic acid = 1: 4.2)) and tin compound (total amount of pentaerythritol and behenic acid 100 weight) The mixture was stirred at 200 ° C. under a nitrogen atmosphere and distilled in reaction water until the acid value decreased to less than 35. After completion of the reaction, the reaction was performed using an aqueous potassium hydroxide solution. The free fatty acid in the mixture was neutralized, and then washed with warm water, dehydrated, filtered, and pulverized (drop point 71 ° C., acid value 30 mgKOH / g).
Release agent 3: Dipentaerythritol hexabehenate (Riken Vitamin Co., Ltd., Riquester (registered trademark) EW-861, dropping point 80 ° C., acid value 20 mgKOH / g)
Mold release agent 4: dipentaerythritol hexamontanic acid ester (melting montanic acid, dipentaerythritol (molar ratio of dipentaerythritol and montanic acid = 1: 6.3))
And 70% methanesulfonic acid (0.2% by weight with respect to 100% by weight of the total amount of dipentaerythritol and montanic acid), 220 ° C. in a nitrogen atmosphere, distilled of reaction water, acid value is less than 30 The mixture was stirred until it decreased. After completion of the reaction, the free fatty acid in the reaction mixture was neutralized using an aqueous potassium hydroxide solution, and then washed with hot water, dehydrated, filtered, and pulverized. (Drip point 84 ° C, acid value 25mgKOH / g)
Release agent 5: pentaerythritol distearate (Riken Vitamin Co., Ltd., Riquemar (registered trademark) HT-10, dropping point 52 ° C., acid value 3 mgKOH / g)
Release agent 6: Carnauba wax

Figure 2009120813
Figure 2009120813

Figure 2009120813
Figure 2009120813

実施例１〜１４は、いずれも良好な流動性、離型性、連続成形性、パッケージ外観、金型汚れ性が得られ、かつ良好な耐半田リフロー性を有する半導体装置が得られる結果となった。   In each of Examples 1 to 14, good fluidity, mold release property, continuous moldability, package appearance, mold stain resistance are obtained, and a semiconductor device having good solder reflow resistance is obtained. It was.

一方、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）と（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）を用いていない比較例１、２、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）と（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）を用いていない比較例３、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を用いていない比較例４、並びに（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）を用いていない比較例５では、流動性、離型性、連続成形性及び耐半田リフロー性のバランスが悪い結果となった。   On the other hand, the epoxy resin (a1) represented by the general formula (1) and / or the epoxy resin (a2) represented by the general formula (2) and (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipenta Comparative Examples 1 and 2 not using erythritol hexafatty acid ester (d2), epoxy resin (a1) represented by general formula (1) and / or epoxy resin (a2) represented by general formula (2) and ( C) Comparative example not using a reaction product (c2) of a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and / or a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin 3. Comparative example not using the epoxy resin (a1) represented by the general formula (1) and / or the epoxy resin (a2) represented by the general formula (2) And (D) Comparative Example 5 in which pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is not used, the fluidity, mold release property, continuous moldability, and solder reflow resistance The result was unbalanced.

以上より、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は流動性、離型性、連続成形性のバランスに優れており、これを用いることにより耐半田リフロー性に優れた半導体装置が得られることが判った。   From the above, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention has an excellent balance of fluidity, releasability and continuous formability, and by using this, a semiconductor device having excellent solder reflow resistance can be obtained. I understood.

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、低吸湿、低応力性に優れた特性を有しており、これを用いて半導体素子を成形封止する時の流動性、離型性、連続成形性に優れ、かつリードフレーム等の金属系部材に対し密着力が高く、耐半田リフロー性に優れた半導体装置を得ることができるため、無鉛半田を用いて表面実装を行う半導体装置に好適に用いることができる。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention has excellent characteristics of low moisture absorption and low stress, and fluidity, releasability and continuousness when molding and sealing a semiconductor element using this. Suitable for semiconductor devices that use lead-free solder for surface mounting because it is possible to obtain a semiconductor device that has excellent moldability, high adhesion to metal-based members such as lead frames, and excellent solder reflow resistance. Can be used.

本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。It is the figure which showed the cross-section about an example of the semiconductor device using the epoxy resin composition for semiconductor sealing which concerns on this invention. 本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた片面封止型の半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。It is the figure which showed the cross-sectional structure about an example of the single-side sealing type semiconductor device using the epoxy resin composition for semiconductor sealing which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 半導体素子
２ ダイボンド材硬化体
３ ダイパッド
４ 金線
５ リードフレーム
６ 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体
７ レジスト
８ 基板
９ 半田ボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor element 2 Die-bonding material hardening body 3 Die pad 4 Gold wire 5 Lead frame 6 Hardening body of epoxy resin composition for semiconductor sealing 7 Resist 8 Substrate 9 Solder ball

Claims (8)

（Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）及び／又は下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、
（Ｃ）カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）、
並びに（Ｄ）ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）、
を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Figure 2009120813
 （ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は水素又は炭素数４以下の炭化水素基で、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ１の平均値は０又は５以下の正数である。）
Figure 2009120813
 （ただし、上記一般式（２）において、Ｒ２は水素又は炭素数４以下の炭化水素基で、それらは互いに同じであっても異なっていても良い。ｎ２の平均値は０又は５以下の正数である。） (A) an epoxy resin containing an epoxy resin (a1) represented by the following general formula (1) and / or an epoxy resin (a2) represented by the following general formula (2),
(B) a phenolic resin-based curing agent,
(C) a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and / or a reaction product (c2) of a butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having a carboxyl group and an epoxy resin,
And (D) pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and / or dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2),
An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising:
Figure 2009120813
 (However, in the general formula (1), R1 is hydrogen or a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms, and they may be the same or different. The average value of n1 is a positive value of 0 or 5 or less. Number.)
Figure 2009120813
 (However, in the above general formula (2), R2 is hydrogen or a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms, and they may be the same or different. The average value of n2 is a positive value of 0 or 5 or less. Number.) 前記カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ｃ１）と、前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）及び前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）の合計量との重量比Ｗ（ｃ１）／（Ｗ（ｄ１）＋Ｗ（ｄ２））が３／１から１／５までの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。   Weight ratio W (c1) / (W of the butadiene-acrylonitrile copolymer (c1) having the carboxyl group and the total amount of the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2). 2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein (d1) + W (d2)) is in the range of 3/1 to 1/5. 前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）と前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）との合計量が全半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に０．０１重量％以上、１重量％以下の割合であることを特徴とする請求項２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。   The total amount of the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) and the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is 0.01% by weight or more and 1% by weight or less in the total epoxy resin composition for semiconductor encapsulation. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 2, wherein the epoxy resin composition is for semiconductor encapsulation. 前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）がペンタエリスリトールと炭素数２２以上、３６以下の飽和脂肪酸とのテトラエステルであることを特徴とする請求項３に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) is a tetraester of pentaerythritol and a saturated fatty acid having 22 to 36 carbon atoms. 前記ペンタエリスリトールテトラ脂肪酸エステル（ｄ１）がペンタエリスリトールテトラモンタン酸エステルであることを特徴とする請求項３に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the pentaerythritol tetrafatty acid ester (d1) is pentaerythritol tetramontanate. 前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）がジペンタエリスリトールと炭素数２２以上、３６以下の飽和脂肪酸とのヘキサエステルであることを特徴とする請求項３に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is a hexaester of dipentaerythritol and a saturated fatty acid having 22 to 36 carbon atoms. . 前記ジペンタエリスリトールヘキサ脂肪酸エステル（ｄ２）がジペンタエリスリトールヘキサモンタン酸エステルであることを特徴とする請求項３に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。   The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 3, wherein the dipentaerythritol hexafatty acid ester (d2) is dipentaerythritol hexamontanate. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device, wherein a semiconductor element is sealed with a cured product of the epoxy resin composition for sealing a semiconductor according to any one of claims 1 to 7.
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154867A (en) * 1990-10-19 1992-05-27 Dainippon Ink & Chem Inc Polyarylene sulfide composition
JPH04159369A (en) * 1990-10-23 1992-06-02 Dainippon Ink & Chem Inc Polyarylene sulfide composition
JP2006176554A (en) * 2004-12-21 2006-07-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor apparatus
JP2006219543A (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2006312720A (en) * 2005-04-07 2006-11-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2008081733A (en) * 2006-08-31 2008-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for use in semiconductor sealing, and semiconductor device
JP2008106230A (en) * 2006-09-28 2008-05-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device
JP2008223004A (en) * 2007-02-16 2008-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor-sealing epoxy resin composition and semiconductor device
JP2009091537A (en) * 2007-09-21 2009-04-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor-sealing epoxy resin composition, and semiconductor apparatus

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154867A (en) * 1990-10-19 1992-05-27 Dainippon Ink & Chem Inc Polyarylene sulfide composition
JPH04159369A (en) * 1990-10-23 1992-06-02 Dainippon Ink & Chem Inc Polyarylene sulfide composition
JP2006176554A (en) * 2004-12-21 2006-07-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor apparatus
JP2006219543A (en) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2006312720A (en) * 2005-04-07 2006-11-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2008081733A (en) * 2006-08-31 2008-04-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for use in semiconductor sealing, and semiconductor device
JP2008106230A (en) * 2006-09-28 2008-05-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device
JP2008223004A (en) * 2007-02-16 2008-09-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor-sealing epoxy resin composition and semiconductor device
JP2009091537A (en) * 2007-09-21 2009-04-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd Semiconductor-sealing epoxy resin composition, and semiconductor apparatus

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