JP2009116060A - 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ベンド配向状態からスプレイ配向状態へ戻りにくくすることが困難である。
【解決手段】対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、Ｘ方向に延びるゲート線９３と、ゲート線９３及び前記配向膜の間に設けられ、Ｘ方向に交差するＹ方向に延び、且つゲート線９３に前記画素ごとに交差するソース線９５とを有しており、ソース線９５には、前記画素ごとにゲート線９３に重なる領域に、切欠き部９９が設けられており、前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器に関する。

従来から、液晶の駆動方式として、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが知られている。ＯＣＢモードでは、初期的にスプレイ配向状態にある液晶をベンド配向状態に変化させた状態で、液晶の駆動を制御することによって表示が行われる。
ＯＣＢモードの液晶装置としては、従来、ゲート線とソース線とが重なる領域内でソース線に開口部を設けた構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１０７５３１号公報（第９頁、図１９）

上記特許文献１に記載された液晶装置では、図２０に示すように、ガラス基板６０１と、ゲート線（配線）６０３と、絶縁膜６０５と、ソース線（配線）６０７と、絶縁膜６０９と、配向膜６１１と、液晶６１３とを有する構成が採用され得る。ゲート線６０３は、ガラス基板６０１上に設けられている。ソース線６０７は、絶縁膜６０５を介してゲート線６０３に交差している。配向膜６１１には、ラビング処理などの配向処理が施されている。液晶６１３は、配向処理が施された配向膜６１１によって配向方向が規制されている。

そして、上記特許文献１に記載された液晶装置では、ゲート線６０３とソース線６０７とが重なる領域内でソース線６０７に開口部６１５が設けられている。このため、ゲート線６０３とソース線６０７との間に電位差が発生すると、開口部６１５の周辺に電界集中が発生する。この結果、開口部６１５の周辺に位置する液晶６１３の分子が核となってスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化が速やかに行われ得る。

ところで、凸状物を膜で覆うと、その膜には、凸状物にならって凸部が形成される。開口部６１５が設けられたソース線６０７を覆う絶縁膜６０９や配向膜６１１には、図２０に示すように、開口部６１５を挟んで２つの凸部６１７が形成される。そして、２つの凸部６１７間には、ガラス基板６０１に向かって凹となる凹部６１９が形成される。

配向膜６１１に凹部６１９があると、凹部６１９内にラビング処理などの配向処理を十分に施すことが困難となる。配向膜６１１に配向処理が不十分な領域があると、液晶６１３がこの領域を起点としてベンド配向状態からスプレイ配向状態に戻りやすくなってしまう。

つまり、配線同士が重なる領域内で一方の配線に開口部を設ける構成では、ベンド配向状態からスプレイ配向状態へ戻りにくくすることが困難であるという未解決の課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。

［適用例１］対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、平面視で第１方向に延びる第１配線と、前記第１配線及び前記配向膜の間に設けられ、平面視で前記第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で前記第１配線に前記画素ごとに交差する第２配線とを有しており、前記第２配線には、平面視で前記画素ごとに前記第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられており、前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。

適用例１の製造方法にかかる液晶装置は、対向する一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板の液晶側に配向膜が設けられており、液晶が複数の画素の画素ごとに駆動される。一対の基板のうちの一方の基板は、第１配線と第２配線とを有している。第１配線は、一方の基板と、一方の基板に設けられる配向膜との間に設けられており、平面視で第１方向に延びている。第２配線は、第１配線と配向膜との間に設けられ、平面視で第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で第１配線に画素ごとに交差している。第２配線には、平面視で画素ごとに第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられている。
そして、適用例１の液晶装置の製造方法は、一方の基板の配向膜にラビング処理を施す工程を有している。

ここで、第２配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第２配線は、１つの凸状物を構成する。１つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が１つだけ形成される。そして、適用例１の液晶装置の製造方法では、一方の基板の配向膜にラビング処理を施す工程において、切欠き部を有する第２配線に平面視で重なる配向膜にラビング処理を施す。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。

［適用例２］上記の液晶装置の製造方法であって、各前記切欠き部は、前記第２方向に交差する第３方向に沿って刻まれており（第２配線の幅方向に切り欠かれており）、前記ラビング処理を施す工程では、前記第３方向に沿って前記ラビング処理を施すことを特徴とする液晶装置の製造方法。

適用例２では、ラビング処理を施す工程において、各切欠き部が刻まれている第３方向に沿ってラビング処理を施すので、各切欠き部に平面視で重なる領域に、ラビング処理にかかるラビング布の毛先が到達しやすい。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を一層施しやすくすることができる。

［適用例３］上記の液晶装置の製造方法であって、前記ラビング処理を施す工程では、各前記切欠き部の開口側から奥側に向かって前記ラビング処理を施すことを特徴とする液晶装置の製造方法。

適用例３では、ラビング処理を施す工程において、各切欠き部の開口側から奥側に向かってラビング処理を施すので（第２配線の幅方向に切り欠いた向きにラビング処理を施すので）、ラビング処理にかかるラビング布の毛先を、各切欠き部の開口側から奥側に向かって誘導しやすい。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を一層施しやすくすることができる。

［適用例４］対向する一対の基板と、各前記基板に設けられた配向膜と、前記一対の基板間に前記配向膜を介して挟持され、且つ複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板に設けられ、平面視で第１方向に延びる第１配線と、前記一方の基板の前記配向膜及び前記第１配線の間に設けられ、平面視で前記第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で前記第１配線に前記画素ごとに交差する第２配線と、を有し、前記第２配線には、平面視で前記画素ごとに前記第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられていることを特徴とする液晶装置。

適用例４の液晶装置は、対向する一対の基板と、各基板に設けられた配向膜と、複数の画素の画素ごとに駆動される液晶と、第１配線と、第２配線とを有している。液晶は、対向する一対の基板間に、各基板に設けられた配向膜を介して挟持されている。第１配線は、一対の基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で第１方向に延びている。第２配線は、一方の基板の配向膜と第１配線との間に設けられ、平面視で第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で第１配線に画素ごとに交差している。第２配線には、平面視で画素ごとに第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられている。

ここで、第２配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第２配線は、１つの凸状物を構成する。１つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が１つだけ形成される。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、適用例４の液晶装置では、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。

［適用例５］上記の液晶装置であって、各前記切欠き部は、前記第２方向に交差する第３方向に沿って刻まれており、前記一方の基板の前記配向膜には、前記第３方向に沿ってラビング処理が施されていることを特徴とする液晶装置。

適用例５では、各切欠き部が前記第２方向に交差する第３方向に沿って刻まれており、一方の基板の配向膜には、第３方向に沿ってラビング処理が施されている。一方の基板に施されるラビング処理では、各切欠き部に平面視で重なる領域に、ラビング処理にかかるラビング布の毛先を到達させやすくすることができる。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を一層施しやすくすることができる。

［適用例６］上記の液晶装置であって、前記第２配線の各前記切欠き部に対峙する各部位に、前記第２配線を拡張する拡張部が設けられていることを特徴とする液晶装置。

適用例６では、第２配線の各切欠き部に対峙する各部位に、第２配線を拡張する拡張部が設けられているので、第２配線の電気抵抗を低減することができる。

［適用例７］上記の液晶装置を、表示部として備えたことを特徴とする電子機器。

適用例７の電子機器は、表示部としての液晶装置が、対向する一対の基板と、各基板に設けられた配向膜と、複数の画素の画素ごとに駆動される液晶と、第１配線と、第２配線とを有している。液晶は、対向する一対の基板間に、各基板に設けられた配向膜を介して挟持されている。第１配線は、一対の基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で第１方向に延びている。第２配線は、一方の基板の配向膜と第１配線との間に設けられ、平面視で第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で第１配線に画素ごとに交差している。第２配線には、平面視で画素ごとに第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられている。
ここで、第２配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第２配線は、１つの凸状物を構成する。１つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が１つだけ形成される。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、この液晶装置では、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。そして、適用例７の電子機器は、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる液晶装置を表示部として備えている。従って、適用例７の電子機器では、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移が低く抑えられる。

実施形態について、液晶装置の１つである表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示パネル３と、照明装置５とを有している。

ここで、表示パネル３には、複数の画素７が設定されている。複数の画素７は、表示領域８内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、照明装置５から表示パネル３に入射された光を、表示パネル３に設定されている複数の画素７から選択的に表示面９を介して表示パネル３の外に射出することで、表示面９に画像を表示することができる。なお、表示領域８とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素７が誇張され、且つ画素７の個数が減じられている。

表示パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、液晶パネル１１と、偏光板１３ａ及び１３ｂとを有している。
液晶パネル１１は、駆動素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９とを有している。
駆動素子基板１５には、表示面９側すなわち液晶１９側に、複数の画素７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。

対向基板１７は、駆動素子基板１５よりも表示面９側で駆動素子基板１５に対向し、且つ駆動素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示パネル３における表示面９の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する対向電極などが設けられている。

液晶１９は、駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、表示パネル３の周縁よりも内側で表示領域８を囲むシール材２５によって、駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。液晶１９としては、ネマチック液晶が採用され得る。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動モードとして、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが採用されている。

偏光板１３ａは、駆動素子基板１５よりも底面２３側に設けられている。偏光板１３ｂは、対向基板１７よりも表示面９側に設けられている。表示装置１では、偏光板１３ａ及び１３ｂは、偏光板１３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板１３ａ及び１３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。

なお、偏光板１３ａと駆動素子基板１５との間や、偏光板１３ｂと対向基板１７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面９の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。

光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。

照明装置５は、表示パネル３の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図２で見て表示パネル３の下側に設けられており、表示パネル３の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図２で見て導光板３１の側面３５ａの右方に設けられている。

光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル３の底面２３から、偏光板１３ａを介して表示パネル３に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。

表示パネル３に設定されている複数の画素７は、それぞれ、表示面９から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素７は、Ｒの光を射出する画素７ｒと、Ｇの光を射出する画素７ｇと、Ｂの光を射出する画素７ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素７という表記と、画素７ｒ、７ｇ及び７ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。

マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素７が、１つの画素列４１を構成している。１つの画素列４１内の各画素７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素７ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素７ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素７ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

ここで、液晶パネル１１の駆動素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
駆動素子基板１５は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図４に示すように、第１基板５１を有している。第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた第１面５３ａと、底面２３側に向けられた第２面５３ｂとを有している。

第１基板５１の第１面５３ａには、ゲート絶縁膜５５が設けられている。ゲート絶縁膜５５の表示面９側には、絶縁膜５７が設けられている。絶縁膜５７の表示面９側には、配向膜５９が設けられている。
また、駆動素子基板１５には、各画素７に対応して、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６１と、画素電極６３とが、第１基板５１の第１面５３ａ側に設けられている。

第１基板５１の第１面５３ａと、各画素電極６３との間には、容量線６５が設けられている。容量線６５は、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素７間にわたって一連した状態で設けられている。容量線６５の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
ＴＦＴ素子６１は、ゲート電極７１と、半導体層７３と、ソース電極７５と、ドレイン電極７７とを有している。

ゲート電極７１は、第１基板５１の第１面５３ａに設けられており、ゲート絶縁膜５５によって表示面９側から覆われている。なお、ゲート電極７１の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜５５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５５を挟んでゲート電極７１に対向する位置に設けられている。

ソース電極７５は、ゲート絶縁膜５５の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７７は、ゲート絶縁膜５５の表示面９側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子６１は、半導体層７３がゲート電極７１と、ソース電極７５及びドレイン電極７７との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
そして、ＴＦＴ素子６１は、絶縁膜５７によって表示面９側から覆われている。なお、絶縁膜５７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。

画素電極６３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成され、絶縁膜５７の表示面９側に設けられている。画素電極６３は、絶縁膜５７に設けられたコンタクトホール７９を介してドレイン電極７７につながっている。
配向膜５９は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜５７及び画素電極６３を表示面９側から覆っている。なお、配向膜５９には、配向処理が施されている。

対向基板１７は、第２基板８１を有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面９側に向けられた外向面８２ａと、底面２３側に向けられた対向面８２ｂとを有している。
第２基板８１の対向面８２ｂには、各画素７を区画する光吸収層８３が領域８４にわたって設けられている。表示装置１では、各画素７は、光吸収層８３によって囲まれた領域であると定義され得る。光吸収層８３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。

また、第２基板８１の対向面８２ｂには、光吸収層８３によって囲まれた各領域、すなわち各画素７の領域を底面２３側から覆うカラーフィルタ８５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ８５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８５は、画素７ｒ、画素７ｇ及び画素７ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素７ｒに対応するカラーフィルタ８５は、Ｒの光を透過させることができる。画素７ｇに対応するカラーフィルタ８５はＧの光を透過させ、画素７ｂに対応するカラーフィルタ８５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８５ｒ、８５ｇ及び８５ｂという表記が用いられる。

光吸収層８３及びカラーフィルタ８５の底面２３側には、オーバーコート層８７が設けられている。オーバーコート層８７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８３及びカラーフィルタ８５を底面２３側から覆っている。
オーバーコート層８７の底面２３側には、対向電極８９が設けられている。対向電極８９は、例えばＩＴＯ等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。

対向電極８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素７間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、対向電極８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素７に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素７間にわたって共通して機能する。なお、対向電極８９は、図示しない共通線につながっている。
対向電極８９の底面２３側には、配向膜９１が設けられている。配向膜９１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極８９を底面２３側から覆っている。配向膜９１には、配向処理が施されている。

駆動素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜５９と配向膜９１との間に介在している。表示装置１では、図２に示すシール材２５は、図４に示す第１基板５１の第１面５３ａと、第２基板８１の対向面８２ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、液晶１９は、第１基板５１及び第２基板８１によって保持されている。なお、シール材２５は、配向膜５９及び配向膜９１の間に設けられていてもよい。この場合、液晶１９は、駆動素子基板１５及び対向基板１７に保持されているとみなされ得る。

ここで、各画素７におけるＴＦＴ素子６１及び画素電極６３の配置について説明する。
画素電極６３は、平面図である図５に示すように、画素７の領域にわたって設けられている。そして、画素電極６３の周縁部は、領域８４に重なっている。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、画素電極６３にハッチングが施されている。

ＴＦＴ素子６１は、図５で見て下側の領域８４内に設けられており、ドレイン電極７７が領域８４内から画素７の領域内に延長されている。Ｘ方向に隣り合う画素７間において、ゲート電極７１同士は、ゲート線９３によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素７間において、ソース電極７５同士は、ソース線９５によって接続されている。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、ゲート線９３にハッチングが施されている。

ここで、ゲート電極７１は、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素７間にわたって一連したゲート線９３として設けられている。そして、画素７ごとにゲート線９３に対向する位置に半導体層７３が設けられている。各ゲート線９３において、平面視で半導体層７３に重なる領域がゲート電極７１であると定義され得る。
なお、図４におけるＴＦＴ素子６１、画素電極６３及び容量線６５の断面は、図５中のＦ−Ｆ線における断面に相当している。

表示装置１では、複数のゲート線９３と複数のソース線９５とが、図６に示すように、格子状に配線されている。複数のゲート線９３は、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｘ方向に沿って延びている。複数のソース線９５は、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に沿って延びている。各画素７は、各ゲート線９３と各ソース線９５との交差に対応して設定されている。
Ｘ方向に沿って延びる各容量線６５は、Ｙ方向に間隔をあけた状態で各ゲート線９３に隣り合っている。そして、各画素電極６３と各容量線６５との間に補助容量９７が形成される。

また、表示装置１では、図５に示すように、各ソース線９５に複数の切欠き部９９が設けられている。各ソース線９５において各切欠き部９９は、ソース線９５と各ゲート線９３とが交差する部位に設けられている。各切欠き部９９は、ソース線９５の輪郭における第１辺１０１側から第２辺１０３側に向かって刻まれている。つまり、各切欠き部９９は、第１辺１０１側が開口している。第２辺１０３は、ソース電極７５がソース線９５から分岐する側の辺である。また、第１辺１０１は、第２辺１０３とは反対側の辺である。

ここで、表示装置１では、配向膜５９及び配向膜９１のそれぞれに、Ｘ方向に沿ってラビング処理を施すことによって、配向処理が施されている。このような配向処理が施された配向膜５９及び配向膜９１の間に介在する液晶１９は、初期的に、図７（ａ）に示すようなスプレイ配向状態となっている。そして、表示を行う際には、図７（ｂ）に示すようなベンド配向状態に変化させてから使用される。

スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化は、液晶１９を電界にさらすことによって実現され得る。ベンド配向状態では、液晶１９の分子１９ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がり度合いを変えることで透過率を変調することによって階調表示が行われる。

表示装置１では、ゲート線９３とソース線９５との間を所定の電位差にすることによって、前述した切欠き部９９に電界が発生する。
各切欠き部９９は、図５中のＨ部の拡大図である図８に示すように、開口の幅Ｗ１がゲート線９３の幅Ｗ２以下に設定されている。
ゲート線９３とソース線９５との間に電位差が生じると、ゲート線９３と切欠き部９９との間には、図８中のＪ−Ｊ線における断面図である図９に示すように、切欠き部９９を貫く電界Ｅが発生する。表示装置１では、例えば、５Ｖの矩形波の交流電圧をゲート線９３とソース線９５との間に印加することにより、切欠き部９９を貫く電界Ｅを発生させることができる。

この電界Ｅには、ゲート線９３から切欠き部９９を貫く縦方向の成分が含まれる。電界Ｅにさらされた液晶１９の分子１９ａのうちの分子１９ａ₁は、図９に示すように、電界Ｅの縦方向の成分によって、立ち上がろうとする。
また、電界Ｅには、切欠き部９９を貫いてからソース線９５に至るまでに、Ｙ方向に沿った横方向の成分が含まれる。液晶１９の分子１９ａは、初期的に、ラビング処理の方向に沿って配向する。表示装置１では、ラビング処理の方向がＸ方向に沿っているので、分子１９ａは、初期的にＸ方向に沿って配向している。

初期的にＸ方向に沿って配向している分子１９ａのうちの分子１９ａ₂は、図９に示すように、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、Ｙ方向に配向しようとする。つまり、分子１９ａ₂は、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、回転しようとする。
ここで、液晶１９の分子１９ａは、スプレイ配向状態からベンド配向状態になるまでの間にツイスト配向状態を経る。ツイスト配向状態では、分子１９ａはラビング処理の方向とは平面視で交差する方向に配向する。つまり、液晶１９の分子１９ａは、スプレイ配向状態からスプレイ配向の方向とは平面視で交差する方向に回転すると、ツイスト配向状態となる。

表示装置１では、電界ＥのＹ方向に沿った横方向の成分によって、液晶１９の分子１９ａがツイスト配向状態になろうとする作用と、電界Ｅの縦方向の成分によって、分子１９ａが立ち上がろうとする作用とが働く。これらの作用によって、各切欠き部９９の近傍に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の核となる転移核が発生する。
そして、転移核が発生した状態で画素電極６３と対向電極８９との間に、例えば５Ｖの矩形波の交流電圧を印加することにより、画素電極６３と対向電極８９との間の広い範囲で液晶１９が駆動される。この結果、各切欠き部９９の近傍に発生した転移核を起点としてベンド配向状態の領域が広がり、液晶１９がベンド配向状態に変化する。

上記の構成を有する表示装置１では、液晶１９をベンド配向状態に維持して照明装置５から表示パネル３に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６１のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。また、液晶１９は、対向電極８９を所定の電位に保つことによってベンド配向状態に維持され得る。

各ゲート線９３には、図６に示すように、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎが供給される。各ソース線９５には、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｍが供給される。走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎは、図１０に示すように、それぞれ、１フレーム期間内に１回だけ、１フレーム期間よりも短い期間ｔ１にわたってＨｉレベルの選択電位に維持される。あるタイミングで選択電位となり得るのは、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎのうちの１つだけである。

ゲート線９３が選択電位となると、このゲート線９３につながるＴＦＴ素子６１がＯＮ状態となる。ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態となっている期間において、ソース線９５に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子６１を介して画素電極６３に印加される（図６）。画素電極６３に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、対向電極８９の電位とで定まる電圧が駆動電圧となる。

この駆動電圧は、液晶１９の容量及び補助容量９７により一定時間保持される。この駆動電圧により、画素電極６３と対向電極８９との間には、電界が形成される。そして、駆動電圧が印加された画素電極６３と対向電極８９との間に位置する液晶１９は、駆動電圧のレベルに応じて分子１９ａの配向状態が変化する。これにより、液晶１９に入射された光が変調されて階調表示が行われる。

図１１（ａ）は、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときの偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置１では、偏光板１３ａの透過軸１１１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、平面視でＸ方向から反時計方向に４５度だけ傾いている。また、偏光板１３ｂの透過軸１１３は、平面視でＸ方向から時計方向に４５度だけ傾いている。
また、配向膜５９のラビング処理の方向（以下、ラビング方向と呼ぶ）１１５は、平面視でＸ方向に沿っている。配向膜９１のラビング方向１１７も、平面視でＸ方向に沿っている。

照明装置５から偏光板１３ａに入射された入射光は、偏光板１３ａの透過軸１１１の方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１１９として液晶１９に入射される。
ここで、液晶１９は、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに、入射光に略１／２波長の位相差を付与するリタデーションに設定されている。
従って、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに液晶１９に入射された直線偏光１１９は、図１１（ａ）に示すように、平面視で直線偏光１１９の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２１として偏光板１３ｂに向けて射出される。
偏光板１３ｂに向けて射出された直線偏光１２１は、偏光軸が偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向に沿っているため、偏光板１３ｂを透過する。

他方で、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときに、直線偏光１１９は、図１１（ｂ）に示すように、偏光状態が維持されたまま直線偏光１１９として偏光板１３ｂに向けて射出される。偏光板１３ｂに向けて射出された直線偏光１１９は、偏光軸の方向が偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向に対して直交しているため、偏光板１３ｂによって吸収される。

表示装置１では、ＴＦＴ素子６１がＯＦＦ状態のときに表示面９から光が射出され、ＴＦＴ素子６１がＯＮ状態のときに表示面９からの光の射出が遮断される所謂ノーマリホワイトの表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリホワイトに限定されず、ノーマリブラックも採用され得る。偏光板１３ａの透過軸１１１の方向と、偏光板１３ｂの透過軸１１３の方向とを互いに合わせれば、ノーマリブラックが達成され得る。

ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル１１の製造工程と、表示パネル３の製造工程と、表示装置１の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、駆動素子基板１５の製造工程と、対向基板１７の製造工程とに大別される。

駆動素子基板１５の製造工程では、図１２（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５３ａに、ゲート電極７１（ゲート線９３）と、容量線６５とを形成する。ゲート電極７１（ゲート線９３）及び容量線６５は、第１面５３ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、ゲート電極７１（ゲート線９３）及び容量線６５を覆うゲート絶縁膜５５を形成する。ゲート絶縁膜５５は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。

次いで、図１２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５５上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７５とドレイン電極７７とを形成する。なお、ソース電極７５がつながるソース線９５は、ソース電極７５を形成するときに、ソース電極７５とともに形成される。ソース電極７５及びドレイン電極７７並びにソース線９５は、ゲート絶縁膜５５上に金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。このとき、ソース線９５には、図５に示す複数の切欠き部９９が設けられる。

次いで、ソース電極７５及びドレイン電極７７並びにソース線９５を覆う絶縁膜５７を形成する。絶縁膜５７は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜５７は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。

次いで、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜５７に、ドレイン電極７７に至るコンタクトホール７９を形成してから、絶縁膜５７上にコンタクトホール７９を覆う画素電極６３を形成する。コンタクトホール７９は、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用することによって形成され得る。画素電極６３は、絶縁膜５７上にＩＴＯやＭｇやＡｇなどの膜を形成してから、この膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、図１２（ｄ）に示すように、絶縁膜５７上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極６３を覆う樹脂膜５９ａを形成する。樹脂膜５９ａは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜５９ａにラビング処理を施すことにより、図４に示す配向膜５９が形成される。これにより、駆動素子基板１５が製造され得る。

樹脂膜５９ａにラビング処理を施すときに、樹脂膜５９ａには、Ｘ方向に沿ってラビング処理が施される。このとき、樹脂膜５９ａには、図８に示すＬ１の向きに、すなわち切欠き部９９の開口側から奥側に向かってラビング処理が施される。なお、以下においては、Ｌ１の向きは、ラビングの向きＬ１と表記される。

ここで、ソース線９５に重なる絶縁膜５７及び樹脂膜５９ａには、図８中のＫ−Ｋ線における断面図である図１３に示すように、凸部１３１が形成される。そして、ラビング処理の過程で、ラビング布が凸部１３１を乗り越える。
このとき、ラビングの向きＬ１の凸部１３１の下流側に、ラビング布の毛先が樹脂膜５９ａに接触しにくい場所である所謂ラビングの陰が発生しやすい。

表示装置１では、切欠き部９９が、図８に示すように、第１辺１０１側から第２辺１０３側に向かって刻まれている。つまり、切欠き部９９は、図１３に示すように、ラビングの向きＬ１の凸部１３１の上流側に位置している。このため、ラビング布の毛先は、平面視で切欠き部９９の内側に重なる領域の樹脂膜５９ａに接触しやすい。

対向基板１７の製造工程では、図１４（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８２ｂに、光吸収層８３を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８３は、対向面８２ｂに、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。

次いで、図１４（ｂ）に示すように、光吸収層８３によって囲まれる各画素７の領域内に、カラーフィルタ８５を形成する。カラーフィルタ８５は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素７の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素７の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８３及びカラーフィルタ８５上にオーバーコート層８７を形成する。オーバーコート層８７は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。

次いで、図１４（ｃ）に示すように、オーバーコート層８７上に対向電極８９を形成する。対向電極８９は、例えばスパッタリング技術を活用して、オーバーコート層８７上にＩＴＯやＭｇやＡｇなどの膜を形成することにより形成され得る。
次いで、ポリイミドなどの樹脂で対向電極８９を覆う樹脂膜９１ａを形成する。樹脂膜９１ａは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。

次いで、樹脂膜９１ａにラビング処理を施すことにより、図４に示す配向膜９１が形成される。これにより、対向基板１７が製造され得る。
樹脂膜９１ａにラビング処理を施すときに、樹脂膜９１ａには、Ｘ方向に沿ってラビング処理が施される。このとき、樹脂膜９１ａには、対向基板１７の底面図である図１５に示すように、ラビングの向きＬ１に従ってラビング処理が施される。

液晶パネル１１の製造工程では、まず、駆動素子基板１５と対向基板１７とを、駆動素子基板１５及び対向基板１７のいずれか一方に平面視で環状に設けられたシール材２５（図２）を介して接合する。このとき、シール材２５は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２５の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図２に示す液晶パネル１１が製造され得る。

表示パネル３の製造工程では、図４に示す偏光板１３ａ及び１３ｂを液晶パネル１１に設ける。偏光板１３ａは第１基板５１の第２面５３ｂに設けられ、偏光板１３ｂは、第２基板８１の外向面８２ａに設けられる。これにより、表示パネル３が製造され得る。
なお、偏光板１３ａ及び１３ｂは、液晶パネル１１を製造する前に、第１基板５１及び第２基板８１に設けられ得る。
表示装置１の製造工程では、表示パネル３と照明装置５とを組み合わせることにより、表示装置１が製造され得る。

なお、表示装置１において、ゲート線９３が第１配線に対応し、ソース線９５が第２配線に対応し、Ｘ方向が第１方向に対応し、Ｙ方向が第２方向に対応している。
表示装置１では、各ソース線９５に複数の切欠き部９９が設けられている。各ソース線９５において各切欠き部９９は、平面視でソース線９５とゲート線９３とが重なる部位に設けられている。ゲート線９３とソース線９５との間に電圧を印加することにより、切欠き部９９を貫く電界Ｅを発生させることができる。この電界Ｅにより、各切欠き部９９の近傍に位置する液晶１９に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移核を発生させやすくすることができる。

また、表示装置１では、平面視でソース線９５とゲート線９３とが重なる部位に各切欠き部９９が設けられているので、ゲート線９３とソース線９５との間の寄生容量を低減することができる。これにより、表示装置１における表示品位の向上が図られる。

また、表示装置１では、各切欠き部９９は、Ｘ方向に延びている。換言すれば、各切欠き部９９は、ラビング処理が施される方向に開口されている。従って、各切欠き部９９に平面視で重なる樹脂膜５９ａの領域に、ラビング布の毛先が到達しやすい。このため、各切欠き部９９に平面視で重なる樹脂膜５９ａの領域に、十分なラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、各切欠き部９９に平面視で重なる液晶１９の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶１９の逆転移を抑えやすくすることができる。

また、表示装置１では、各切欠き部９９の開口側から奥側に向かってラビング処理が施されるので、ラビング布の毛先を各切欠き部９９の開口側から奥側に向かって誘導しやすくすることができる。このため、各切欠き部９９に平面視で重なる樹脂膜５９ａの領域に、十分なラビング処理を一層施しやすくすることができる。

なお、表示装置１では、ボトムゲート型のＴＦＴ素子６１が採用されているが、ＴＦＴ素子６１はこれに限定されない。ＴＦＴ素子６１は、半導体層７３がゲート電極７１並びにソース電極７５及びドレイン電極７７よりも底面２３側に位置する所謂トップゲート型も採用され得る。

また、表示装置１では、ソース線９５に複数の切欠き部９９を設けた場合を例に説明したが、ソース線９５の構成はこれに限定されない。ソース線９５は、図１６に示すように、第２辺１０３側に拡張部１３５を設けた構成も採用され得る。各拡張部１３５は、ゲート線９３に交差する第２辺１０３の切欠き部９９に対峙する各位置に設けられている。各拡張部１３５が設けられたソース線９５は、切欠き部９９をＸ方向に沿って切断したときの断面積が拡大されるので、電気抵抗の低減が図られる。なお、拡張部１３５の幅Ｗ３は、切欠き部９９の開口の幅Ｗ１よりも大きい値に設定されることが、電気抵抗の低減という観点から好ましい。

また、表示装置１では、ソース線９５がゲート線９３よりも表示面９側に位置し、且つソース線９５に切欠き部９９を設けた構成を例に説明したが、ソース線９５及びゲート線９３はこれに限定されない。ソース線９５及びゲート線９３は、平面図である図１７に示すように、ゲート線９３がソース線９５よりも表示面９側に位置し、且つゲート線９３に切欠き部９９を設けた構成も採用され得る。

この場合、第１基板５１の第１面５３ａには、図１７中のＱ−Ｑ線における断面図である図１８に示すように、ソース線９５と、ソース線９５を覆う絶縁膜１４１とが設けられている。
ゲート線９３（ゲート電極７１）は、絶縁膜１４１上に設けられている。そして、ソース電極７５は、ゲート絶縁膜５５からソース線９５に至るコンタクトホール１４３を介してソース線９５につながっている。

各切欠き部９９は、図１７に示すように、Ｙ方向に延びている。そして、樹脂膜５９ａに施すラビング処理は、Ｙ方向に沿って実施される。この場合、樹脂膜５９ａには、図１７に示すＬ２の向きに、すなわち切欠き部９９の開口側から奥側に向かってラビング処理が施される。
対向基板１７側の樹脂膜９１ａにも、平面視で樹脂膜５９ａと同じ向きＬ２にラビング処理が施される。
さらに、図１７に示す構成の場合、ゲート線９３に拡張部１３５を設けた構成も採用され得る。この図１７に示す構成では、ソース線９５が第１配線に対応し、ゲート線９３が第２配線に対応し、Ｙ方向が第１方向に対応し、Ｘ方向が第２方向に対応している。

表示装置１では、ソース線９５やゲート線９３に設けられる切欠き部９９が、Ｘ方向又はＹ方向に延びている場合を例に説明したが、切欠き部９９が延びる方向はこれらに限定されず、Ｘ方向及びＹ方向の双方に平面視で交差する第３方向とすることができる。
また、表示装置１では、Ｘ方向とＹ方向とが互いに直交する場合を例に説明したが、これに限定されず、Ｘ方向とＹ方向とが互いに交差していれば、Ｘ方向とＹ方向との間の角度は任意の角度に設定され得る。

上述した表示装置１は、例えば、図１９に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示装置１が適用された表示部５１０においてスプレイ配向への逆転移が生じにくいことに起因して、高品位な表示を行うことができる。

なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル３や液晶パネル１１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。

本発明の実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。 図１中のＡ−Ａ線における断面図。 本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。 図３中のＣ−Ｃ線における断面図。 本実施形態におけるＴＦＴ素子及び画素電極の配置を説明する平面図。 本実施形態における駆動素子基板の等価回路図。 本実施形態における液晶の配向状態を模式的に示す断面図。 図５中のＨ部の拡大図。 図８中のＪ−Ｊ線における断面図。 本実施形態における各ゲート線に供給される走査信号のタイミングチャート。 本実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。 本実施形態における駆動素子基板の製造工程を説明する図。 図８中のＫ−Ｋ線における断面図。 本実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。 本実施形態における対向基板の底面図。 本実施形態におけるソース線の他の構成例を説明する平面図。 本実施形態におけるゲート線及びソース線の他の構成例を説明する平面図。 図１７中のＱ−Ｑ線における断面図。 本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。 従来技術の課題を説明する断面図。

符号の説明

１…表示装置、３…表示パネル、７…画素、８…表示領域、９…表示面、１１…液晶パネル、１５…駆動素子基板、１７…対向基板、１９…液晶、２３…底面、５１…第１基板、５３ａ…第１面、５３ｂ…第２面、５９…配向膜、５９ａ…樹脂膜、７１…ゲート電極、７５…ソース電極、８１…第２基板、８２ａ…外向面、８２ｂ…対向面、８９…対向電極、９１…配向膜、９３…ゲート線、９５…ソース線、９９…切欠き部、１０１…第１辺、１０３…第２辺、１３１…凸部、１３５…拡張部、５００…電子機器、５１０…表示部、Ｌ１，Ｌ２…ラビングの向き。

Claims (7)

1. 対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、
   前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、平面視で第１方向に延びる第１配線と、前記第１配線及び前記配向膜の間に設けられ、平面視で前記第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で前記第１配線に前記画素ごとに交差する第２配線とを有しており、
   前記第２配線には、平面視で前記画素ごとに前記第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられており、
   前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 各前記切欠き部は、前記第２方向に交差する第３方向に沿って刻まれており、
   前記ラビング処理を施す工程では、前記第３方向に沿って前記ラビング処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
3. 前記ラビング処理を施す工程では、各前記切欠き部の開口側から奥側に向かって前記ラビング処理を施すことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
4. 対向する一対の基板と、
   各前記基板に設けられた配向膜と、
   前記一対の基板間に前記配向膜を介して挟持され、且つ複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶と、
   前記一対の基板のうちの一方の前記基板に設けられ、平面視で第１方向に延びる第１配線と、
   前記一方の基板の前記配向膜及び前記第１配線の間に設けられ、平面視で前記第１方向に交差する第２方向に延び、且つ平面視で前記第１配線に前記画素ごとに交差する第２配線と、を有し、
   前記第２配線には、平面視で前記画素ごとに前記第１配線に重なる領域に、切欠き部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
5. 各前記切欠き部は、前記第２方向に交差する第３方向に沿って刻まれており、
   前記一方の基板の前記配向膜には、前記第３方向に沿ってラビング処理が施されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
6. 前記第２配線の各前記切欠き部に対峙する各部位に、前記第２配線を拡張する拡張部が設けられていることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶装置。
7. 請求項４乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。

Images