JP2009116060A - 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】ベンド配向状態からスプレイ配向状態へ戻りにくくすることが困難である。
【解決手段】対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、X方向に延びるゲート線93と、ゲート線93及び前記配向膜の間に設けられ、X方向に交差するY方向に延び、且つゲート線93に前記画素ごとに交差するソース線95とを有しており、ソース線95には、前記画素ごとにゲート線93に重なる領域に、切欠き部99が設けられており、前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【選択図】図5
【解決手段】対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、X方向に延びるゲート線93と、ゲート線93及び前記配向膜の間に設けられ、X方向に交差するY方向に延び、且つゲート線93に前記画素ごとに交差するソース線95とを有しており、ソース線95には、前記画素ごとにゲート線93に重なる領域に、切欠き部99が設けられており、前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【選択図】図5
Description
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器に関する。
従来から、液晶の駆動方式として、OCB(Optically Compensated Bend)モードが知られている。OCBモードでは、初期的にスプレイ配向状態にある液晶をベンド配向状態に変化させた状態で、液晶の駆動を制御することによって表示が行われる。
OCBモードの液晶装置としては、従来、ゲート線とソース線とが重なる領域内でソース線に開口部を設けた構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
OCBモードの液晶装置としては、従来、ゲート線とソース線とが重なる領域内でソース線に開口部を設けた構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
上記特許文献1に記載された液晶装置では、図20に示すように、ガラス基板601と、ゲート線(配線)603と、絶縁膜605と、ソース線(配線)607と、絶縁膜609と、配向膜611と、液晶613とを有する構成が採用され得る。ゲート線603は、ガラス基板601上に設けられている。ソース線607は、絶縁膜605を介してゲート線603に交差している。配向膜611には、ラビング処理などの配向処理が施されている。液晶613は、配向処理が施された配向膜611によって配向方向が規制されている。
そして、上記特許文献1に記載された液晶装置では、ゲート線603とソース線607とが重なる領域内でソース線607に開口部615が設けられている。このため、ゲート線603とソース線607との間に電位差が発生すると、開口部615の周辺に電界集中が発生する。この結果、開口部615の周辺に位置する液晶613の分子が核となってスプレイ配向状態からベンド配向状態への変化が速やかに行われ得る。
ところで、凸状物を膜で覆うと、その膜には、凸状物にならって凸部が形成される。開口部615が設けられたソース線607を覆う絶縁膜609や配向膜611には、図20に示すように、開口部615を挟んで2つの凸部617が形成される。そして、2つの凸部617間には、ガラス基板601に向かって凹となる凹部619が形成される。
配向膜611に凹部619があると、凹部619内にラビング処理などの配向処理を十分に施すことが困難となる。配向膜611に配向処理が不十分な領域があると、液晶613がこの領域を起点としてベンド配向状態からスプレイ配向状態に戻りやすくなってしまう。
つまり、配線同士が重なる領域内で一方の配線に開口部を設ける構成では、ベンド配向状態からスプレイ配向状態へ戻りにくくすることが困難であるという未解決の課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
[適用例1]対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、平面視で第1方向に延びる第1配線と、前記第1配線及び前記配向膜の間に設けられ、平面視で前記第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で前記第1配線に前記画素ごとに交差する第2配線とを有しており、前記第2配線には、平面視で前記画素ごとに前記第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられており、前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
適用例1の製造方法にかかる液晶装置は、対向する一対の基板間に液晶が挟持され、一対の基板の液晶側に配向膜が設けられており、液晶が複数の画素の画素ごとに駆動される。一対の基板のうちの一方の基板は、第1配線と第2配線とを有している。第1配線は、一方の基板と、一方の基板に設けられる配向膜との間に設けられており、平面視で第1方向に延びている。第2配線は、第1配線と配向膜との間に設けられ、平面視で第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で第1配線に画素ごとに交差している。第2配線には、平面視で画素ごとに第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられている。
そして、適用例1の液晶装置の製造方法は、一方の基板の配向膜にラビング処理を施す工程を有している。
そして、適用例1の液晶装置の製造方法は、一方の基板の配向膜にラビング処理を施す工程を有している。
ここで、第2配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第2配線は、1つの凸状物を構成する。1つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が1つだけ形成される。そして、適用例1の液晶装置の製造方法では、一方の基板の配向膜にラビング処理を施す工程において、切欠き部を有する第2配線に平面視で重なる配向膜にラビング処理を施す。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。
[適用例2]上記の液晶装置の製造方法であって、各前記切欠き部は、前記第2方向に交差する第3方向に沿って刻まれており(第2配線の幅方向に切り欠かれており)、前記ラビング処理を施す工程では、前記第3方向に沿って前記ラビング処理を施すことを特徴とする液晶装置の製造方法。
適用例2では、ラビング処理を施す工程において、各切欠き部が刻まれている第3方向に沿ってラビング処理を施すので、各切欠き部に平面視で重なる領域に、ラビング処理にかかるラビング布の毛先が到達しやすい。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を一層施しやすくすることができる。
[適用例3]上記の液晶装置の製造方法であって、前記ラビング処理を施す工程では、各前記切欠き部の開口側から奥側に向かって前記ラビング処理を施すことを特徴とする液晶装置の製造方法。
適用例3では、ラビング処理を施す工程において、各切欠き部の開口側から奥側に向かってラビング処理を施すので(第2配線の幅方向に切り欠いた向きにラビング処理を施すので)、ラビング処理にかかるラビング布の毛先を、各切欠き部の開口側から奥側に向かって誘導しやすい。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を一層施しやすくすることができる。
[適用例4]対向する一対の基板と、各前記基板に設けられた配向膜と、前記一対の基板間に前記配向膜を介して挟持され、且つ複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶と、前記一対の基板のうちの一方の前記基板に設けられ、平面視で第1方向に延びる第1配線と、前記一方の基板の前記配向膜及び前記第1配線の間に設けられ、平面視で前記第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で前記第1配線に前記画素ごとに交差する第2配線と、を有し、前記第2配線には、平面視で前記画素ごとに前記第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
適用例4の液晶装置は、対向する一対の基板と、各基板に設けられた配向膜と、複数の画素の画素ごとに駆動される液晶と、第1配線と、第2配線とを有している。液晶は、対向する一対の基板間に、各基板に設けられた配向膜を介して挟持されている。第1配線は、一対の基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で第1方向に延びている。第2配線は、一方の基板の配向膜と第1配線との間に設けられ、平面視で第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で第1配線に画素ごとに交差している。第2配線には、平面視で画素ごとに第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられている。
ここで、第2配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第2配線は、1つの凸状物を構成する。1つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が1つだけ形成される。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、適用例4の液晶装置では、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。
[適用例5]上記の液晶装置であって、各前記切欠き部は、前記第2方向に交差する第3方向に沿って刻まれており、前記一方の基板の前記配向膜には、前記第3方向に沿ってラビング処理が施されていることを特徴とする液晶装置。
適用例5では、各切欠き部が前記第2方向に交差する第3方向に沿って刻まれており、一方の基板の配向膜には、第3方向に沿ってラビング処理が施されている。一方の基板に施されるラビング処理では、各切欠き部に平面視で重なる領域に、ラビング処理にかかるラビング布の毛先を到達させやすくすることができる。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を一層施しやすくすることができる。
[適用例6]上記の液晶装置であって、前記第2配線の各前記切欠き部に対峙する各部位に、前記第2配線を拡張する拡張部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
適用例6では、第2配線の各切欠き部に対峙する各部位に、第2配線を拡張する拡張部が設けられているので、第2配線の電気抵抗を低減することができる。
[適用例7]上記の液晶装置を、表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
適用例7の電子機器は、表示部としての液晶装置が、対向する一対の基板と、各基板に設けられた配向膜と、複数の画素の画素ごとに駆動される液晶と、第1配線と、第2配線とを有している。液晶は、対向する一対の基板間に、各基板に設けられた配向膜を介して挟持されている。第1配線は、一対の基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で第1方向に延びている。第2配線は、一方の基板の配向膜と第1配線との間に設けられ、平面視で第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で第1配線に画素ごとに交差している。第2配線には、平面視で画素ごとに第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられている。
ここで、第2配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第2配線は、1つの凸状物を構成する。1つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が1つだけ形成される。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、この液晶装置では、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。そして、適用例7の電子機器は、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる液晶装置を表示部として備えている。従って、適用例7の電子機器では、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移が低く抑えられる。
ここで、第2配線を横断する方向に各切欠き部を切断したときの断面を見たときに、第2配線は、1つの凸状物を構成する。1つの凸状物に平面視で重なる配向膜には、凸部が1つだけ形成される。このため、各切欠き部に平面視で重なる領域にラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、この液晶装置では、各切欠き部に平面視で重なる液晶の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる。そして、適用例7の電子機器は、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移を抑えやすくすることができる液晶装置を表示部として備えている。従って、適用例7の電子機器では、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶の逆転移が低く抑えられる。
実施形態について、液晶装置の1つである表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示パネル3と、照明装置5とを有している。
実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示パネル3と、照明装置5とを有している。
ここで、表示パネル3には、複数の画素7が設定されている。複数の画素7は、表示領域8内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。表示装置1は、照明装置5から表示パネル3に入射された光を、表示パネル3に設定されている複数の画素7から選択的に表示面9を介して表示パネル3の外に射出することで、表示面9に画像を表示することができる。なお、表示領域8とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、画素7が誇張され、且つ画素7の個数が減じられている。
表示パネル3は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、液晶パネル11と、偏光板13a及び13bとを有している。
液晶パネル11は、駆動素子基板15と、対向基板17と、液晶19とを有している。
駆動素子基板15には、表示面9側すなわち液晶19側に、複数の画素7のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
液晶パネル11は、駆動素子基板15と、対向基板17と、液晶19とを有している。
駆動素子基板15には、表示面9側すなわち液晶19側に、複数の画素7のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板17は、駆動素子基板15よりも表示面9側で駆動素子基板15に対向し、且つ駆動素子基板15との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板17には、表示パネル3における表示面9の裏面に相当する面である底面23側すなわち液晶19側に、後述する対向電極などが設けられている。
液晶19は、駆動素子基板15及び対向基板17の間に介在しており、表示パネル3の周縁よりも内側で表示領域8を囲むシール材25によって、駆動素子基板15及び対向基板17の間に封止されている。液晶19としては、ネマチック液晶が採用され得る。なお、本実施形態では、液晶19の駆動モードとして、OCB(Optically Compensated Bend)モードが採用されている。
偏光板13aは、駆動素子基板15よりも底面23側に設けられている。偏光板13bは、対向基板17よりも表示面9側に設けられている。表示装置1では、偏光板13a及び13bは、偏光板13aにおける光の透過軸の方向と、偏光板13bにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。偏光板13a及び13bは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
なお、偏光板13aと駆動素子基板15との間や、偏光板13bと対向基板17との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶19を表示面9の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶19の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体(例えば、富士フィルム製のWVフィルム)などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体(例えば、日本石油製のNHフィルム)なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がnx>ny>nzとなる二軸性媒体や、負のC−Plate等も採用され得る。
照明装置5は、表示パネル3の底面23側に設けられており、導光板31と、光源33とを有している。導光板31は、図2で見て表示パネル3の下側に設けられており、表示パネル3の底面23に対向する光射出面35bを有している。
光源33は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、図2で見て導光板31の側面35aの右方に設けられている。
光源33は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、図2で見て導光板31の側面35aの右方に設けられている。
光源33からの光は、導光板31の側面35aに入射される。導光板31に入射された光は、導光板31の中で反射を繰り返しながら光射出面35bから射出される。光射出面35bから射出された光は、表示パネル3の底面23から、偏光板13aを介して表示パネル3に入射される。なお、導光板31には、必要に応じて、光射出面35bに拡散板が設けられ、底面35cに反射板が設けられる。
表示パネル3に設定されている複数の画素7は、それぞれ、表示面9から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素7は、Rの光を射出する画素7rと、Gの光を射出する画素7gと、Bの光を射出する画素7bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素7という表記と、画素7r、7g及び7bという表記とが、適宜、使いわけられる。
なお、以下においては、画素7という表記と、画素7r、7g及び7bという表記とが、適宜、使いわけられる。
ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。
マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素7が、1つの画素列41を構成している。1つの画素列41内の各画素7は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素7rがY方向に配列した画素列41rと、複数の画素7gがY方向に配列した画素列41gと、複数の画素7bがY方向に配列した画素列41bとを有している。そして、マトリクスMでは、画素列41r、画素列41g及び画素列41bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列41という表記と、画素列41r、画素列41g及び画素列41bという表記とが、適宜、使いわけられる。
なお、以下においては、画素列41という表記と、画素列41r、画素列41g及び画素列41bという表記とが、適宜、使いわけられる。
ここで、液晶パネル11の駆動素子基板15及び対向基板17のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
駆動素子基板15は、図3中のC−C線における断面図である図4に示すように、第1基板51を有している。第1基板51は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面9側に向けられた第1面53aと、底面23側に向けられた第2面53bとを有している。
駆動素子基板15は、図3中のC−C線における断面図である図4に示すように、第1基板51を有している。第1基板51は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面9側に向けられた第1面53aと、底面23側に向けられた第2面53bとを有している。
第1基板51の第1面53aには、ゲート絶縁膜55が設けられている。ゲート絶縁膜55の表示面9側には、絶縁膜57が設けられている。絶縁膜57の表示面9側には、配向膜59が設けられている。
また、駆動素子基板15には、各画素7に対応して、スイッチング素子の1つであるTFT(Thin Film Transistor)素子61と、画素電極63とが、第1基板51の第1面53a側に設けられている。
また、駆動素子基板15には、各画素7に対応して、スイッチング素子の1つであるTFT(Thin Film Transistor)素子61と、画素電極63とが、第1基板51の第1面53a側に設けられている。
第1基板51の第1面53aと、各画素電極63との間には、容量線65が設けられている。容量線65は、X方向に沿って並ぶ複数の画素7間にわたって一連した状態で設けられている。容量線65の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
TFT素子61は、ゲート電極71と、半導体層73と、ソース電極75と、ドレイン電極77とを有している。
TFT素子61は、ゲート電極71と、半導体層73と、ソース電極75と、ドレイン電極77とを有している。
ゲート電極71は、第1基板51の第1面53aに設けられており、ゲート絶縁膜55によって表示面9側から覆われている。なお、ゲート電極71の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜55の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層73は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜55を挟んでゲート電極71に対向する位置に設けられている。
半導体層73は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜55を挟んでゲート電極71に対向する位置に設けられている。
ソース電極75は、ゲート絶縁膜55の表示面9側に設けられており、一部が半導体層73に重なっている。ドレイン電極77は、ゲート絶縁膜55の表示面9側に設けられており、一部が半導体層73に重なっている。上記の構成を有するTFT素子61は、半導体層73がゲート電極71と、ソース電極75及びドレイン電極77との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
そして、TFT素子61は、絶縁膜57によって表示面9側から覆われている。なお、絶縁膜57の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
そして、TFT素子61は、絶縁膜57によって表示面9側から覆われている。なお、絶縁膜57の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
画素電極63は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の酸化導電膜や、Mg及びAg等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成され、絶縁膜57の表示面9側に設けられている。画素電極63は、絶縁膜57に設けられたコンタクトホール79を介してドレイン電極77につながっている。
配向膜59は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜57及び画素電極63を表示面9側から覆っている。なお、配向膜59には、配向処理が施されている。
配向膜59は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜57及び画素電極63を表示面9側から覆っている。なお、配向膜59には、配向処理が施されている。
対向基板17は、第2基板81を有している。第2基板81は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面9側に向けられた外向面82aと、底面23側に向けられた対向面82bとを有している。
第2基板81の対向面82bには、各画素7を区画する光吸収層83が領域84にわたって設けられている。表示装置1では、各画素7は、光吸収層83によって囲まれた領域であると定義され得る。光吸収層83は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。
第2基板81の対向面82bには、各画素7を区画する光吸収層83が領域84にわたって設けられている。表示装置1では、各画素7は、光吸収層83によって囲まれた領域であると定義され得る。光吸収層83は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。
また、第2基板81の対向面82bには、光吸収層83によって囲まれた各領域、すなわち各画素7の領域を底面23側から覆うカラーフィルタ85が設けられている。
ここで、カラーフィルタ85は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ85は、画素7r、画素7g及び画素7bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素7rに対応するカラーフィルタ85は、Rの光を透過させることができる。画素7gに対応するカラーフィルタ85はGの光を透過させ、画素7bに対応するカラーフィルタ85はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ85に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルタ85r、85g及び85bという表記が用いられる。
ここで、カラーフィルタ85は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ85は、画素7r、画素7g及び画素7bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素7rに対応するカラーフィルタ85は、Rの光を透過させることができる。画素7gに対応するカラーフィルタ85はGの光を透過させ、画素7bに対応するカラーフィルタ85はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ85に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルタ85r、85g及び85bという表記が用いられる。
光吸収層83及びカラーフィルタ85の底面23側には、オーバーコート層87が設けられている。オーバーコート層87は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層83及びカラーフィルタ85を底面23側から覆っている。
オーバーコート層87の底面23側には、対向電極89が設けられている。対向電極89は、例えばITO等の酸化導電膜や、Mg及びAg等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。
オーバーコート層87の底面23側には、対向電極89が設けられている。対向電極89は、例えばITO等の酸化導電膜や、Mg及びAg等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。
対向電極89は、マトリクスMを構成する複数の画素7間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、対向電極89は、マトリクスMを構成する複数の画素7に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素7間にわたって共通して機能する。なお、対向電極89は、図示しない共通線につながっている。
対向電極89の底面23側には、配向膜91が設けられている。配向膜91は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極89を底面23側から覆っている。配向膜91には、配向処理が施されている。
対向電極89の底面23側には、配向膜91が設けられている。配向膜91は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極89を底面23側から覆っている。配向膜91には、配向処理が施されている。
駆動素子基板15及び対向基板17の間に介在する液晶19は、配向膜59と配向膜91との間に介在している。表示装置1では、図2に示すシール材25は、図4に示す第1基板51の第1面53aと、第2基板81の対向面82bとによって挟持されている。つまり、表示装置1では、液晶19は、第1基板51及び第2基板81によって保持されている。なお、シール材25は、配向膜59及び配向膜91の間に設けられていてもよい。この場合、液晶19は、駆動素子基板15及び対向基板17に保持されているとみなされ得る。
ここで、各画素7におけるTFT素子61及び画素電極63の配置について説明する。
画素電極63は、平面図である図5に示すように、画素7の領域にわたって設けられている。そして、画素電極63の周縁部は、領域84に重なっている。なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、画素電極63にハッチングが施されている。
画素電極63は、平面図である図5に示すように、画素7の領域にわたって設けられている。そして、画素電極63の周縁部は、領域84に重なっている。なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、画素電極63にハッチングが施されている。
TFT素子61は、図5で見て下側の領域84内に設けられており、ドレイン電極77が領域84内から画素7の領域内に延長されている。X方向に隣り合う画素7間において、ゲート電極71同士は、ゲート線93によって接続されている。また、Y方向に隣り合う画素7間において、ソース電極75同士は、ソース線95によって接続されている。なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、ゲート線93にハッチングが施されている。
ここで、ゲート電極71は、X方向に沿って並ぶ複数の画素7間にわたって一連したゲート線93として設けられている。そして、画素7ごとにゲート線93に対向する位置に半導体層73が設けられている。各ゲート線93において、平面視で半導体層73に重なる領域がゲート電極71であると定義され得る。
なお、図4におけるTFT素子61、画素電極63及び容量線65の断面は、図5中のF−F線における断面に相当している。
なお、図4におけるTFT素子61、画素電極63及び容量線65の断面は、図5中のF−F線における断面に相当している。
表示装置1では、複数のゲート線93と複数のソース線95とが、図6に示すように、格子状に配線されている。複数のゲート線93は、Y方向に互いに間隔をあけた状態で、X方向に沿って延びている。複数のソース線95は、X方向に互いに間隔をあけた状態で、Y方向に沿って延びている。各画素7は、各ゲート線93と各ソース線95との交差に対応して設定されている。
X方向に沿って延びる各容量線65は、Y方向に間隔をあけた状態で各ゲート線93に隣り合っている。そして、各画素電極63と各容量線65との間に補助容量97が形成される。
X方向に沿って延びる各容量線65は、Y方向に間隔をあけた状態で各ゲート線93に隣り合っている。そして、各画素電極63と各容量線65との間に補助容量97が形成される。
また、表示装置1では、図5に示すように、各ソース線95に複数の切欠き部99が設けられている。各ソース線95において各切欠き部99は、ソース線95と各ゲート線93とが交差する部位に設けられている。各切欠き部99は、ソース線95の輪郭における第1辺101側から第2辺103側に向かって刻まれている。つまり、各切欠き部99は、第1辺101側が開口している。第2辺103は、ソース電極75がソース線95から分岐する側の辺である。また、第1辺101は、第2辺103とは反対側の辺である。
ここで、表示装置1では、配向膜59及び配向膜91のそれぞれに、X方向に沿ってラビング処理を施すことによって、配向処理が施されている。このような配向処理が施された配向膜59及び配向膜91の間に介在する液晶19は、初期的に、図7(a)に示すようなスプレイ配向状態となっている。そして、表示を行う際には、図7(b)に示すようなベンド配向状態に変化させてから使用される。
スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化は、液晶19を電界にさらすことによって実現され得る。ベンド配向状態では、液晶19の分子19aが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がり度合いを変えることで透過率を変調することによって階調表示が行われる。
表示装置1では、ゲート線93とソース線95との間を所定の電位差にすることによって、前述した切欠き部99に電界が発生する。
各切欠き部99は、図5中のH部の拡大図である図8に示すように、開口の幅W1がゲート線93の幅W2以下に設定されている。
ゲート線93とソース線95との間に電位差が生じると、ゲート線93と切欠き部99との間には、図8中のJ−J線における断面図である図9に示すように、切欠き部99を貫く電界Eが発生する。表示装置1では、例えば、5Vの矩形波の交流電圧をゲート線93とソース線95との間に印加することにより、切欠き部99を貫く電界Eを発生させることができる。
各切欠き部99は、図5中のH部の拡大図である図8に示すように、開口の幅W1がゲート線93の幅W2以下に設定されている。
ゲート線93とソース線95との間に電位差が生じると、ゲート線93と切欠き部99との間には、図8中のJ−J線における断面図である図9に示すように、切欠き部99を貫く電界Eが発生する。表示装置1では、例えば、5Vの矩形波の交流電圧をゲート線93とソース線95との間に印加することにより、切欠き部99を貫く電界Eを発生させることができる。
この電界Eには、ゲート線93から切欠き部99を貫く縦方向の成分が含まれる。電界Eにさらされた液晶19の分子19aのうちの分子19a1は、図9に示すように、電界Eの縦方向の成分によって、立ち上がろうとする。
また、電界Eには、切欠き部99を貫いてからソース線95に至るまでに、Y方向に沿った横方向の成分が含まれる。液晶19の分子19aは、初期的に、ラビング処理の方向に沿って配向する。表示装置1では、ラビング処理の方向がX方向に沿っているので、分子19aは、初期的にX方向に沿って配向している。
また、電界Eには、切欠き部99を貫いてからソース線95に至るまでに、Y方向に沿った横方向の成分が含まれる。液晶19の分子19aは、初期的に、ラビング処理の方向に沿って配向する。表示装置1では、ラビング処理の方向がX方向に沿っているので、分子19aは、初期的にX方向に沿って配向している。
初期的にX方向に沿って配向している分子19aのうちの分子19a2は、図9に示すように、電界EのY方向に沿った横方向の成分によって、Y方向に配向しようとする。つまり、分子19a2は、電界EのY方向に沿った横方向の成分によって、回転しようとする。
ここで、液晶19の分子19aは、スプレイ配向状態からベンド配向状態になるまでの間にツイスト配向状態を経る。ツイスト配向状態では、分子19aはラビング処理の方向とは平面視で交差する方向に配向する。つまり、液晶19の分子19aは、スプレイ配向状態からスプレイ配向の方向とは平面視で交差する方向に回転すると、ツイスト配向状態となる。
ここで、液晶19の分子19aは、スプレイ配向状態からベンド配向状態になるまでの間にツイスト配向状態を経る。ツイスト配向状態では、分子19aはラビング処理の方向とは平面視で交差する方向に配向する。つまり、液晶19の分子19aは、スプレイ配向状態からスプレイ配向の方向とは平面視で交差する方向に回転すると、ツイスト配向状態となる。
表示装置1では、電界EのY方向に沿った横方向の成分によって、液晶19の分子19aがツイスト配向状態になろうとする作用と、電界Eの縦方向の成分によって、分子19aが立ち上がろうとする作用とが働く。これらの作用によって、各切欠き部99の近傍に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への変化の核となる転移核が発生する。
そして、転移核が発生した状態で画素電極63と対向電極89との間に、例えば5Vの矩形波の交流電圧を印加することにより、画素電極63と対向電極89との間の広い範囲で液晶19が駆動される。この結果、各切欠き部99の近傍に発生した転移核を起点としてベンド配向状態の領域が広がり、液晶19がベンド配向状態に変化する。
そして、転移核が発生した状態で画素電極63と対向電極89との間に、例えば5Vの矩形波の交流電圧を印加することにより、画素電極63と対向電極89との間の広い範囲で液晶19が駆動される。この結果、各切欠き部99の近傍に発生した転移核を起点としてベンド配向状態の領域が広がり、液晶19がベンド配向状態に変化する。
上記の構成を有する表示装置1では、液晶19をベンド配向状態に維持して照明装置5から表示パネル3に光を照射した状態で、液晶19の配向状態を画素7ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶19の配向状態は、TFT素子61のOFF状態及びON状態を切り替えることによって変化し得る。また、液晶19は、対向電極89を所定の電位に保つことによってベンド配向状態に維持され得る。
各ゲート線93には、図6に示すように、走査信号G1、G2、…、Gnが供給される。各ソース線95には、画像信号S1、S2、…、Smが供給される。走査信号G1、G2、…、Gnは、図10に示すように、それぞれ、1フレーム期間内に1回だけ、1フレーム期間よりも短い期間t1にわたってHiレベルの選択電位に維持される。あるタイミングで選択電位となり得るのは、走査信号G1、G2、…、Gnのうちの1つだけである。
ゲート線93が選択電位となると、このゲート線93につながるTFT素子61がON状態となる。TFT素子61がON状態となっている期間において、ソース線95に供給された画像信号S1,S2,…,Smが、TFT素子61を介して画素電極63に印加される(図6)。画素電極63に印加された所定のレベルの画像信号S1,S2,…,Smと、対向電極89の電位とで定まる電圧が駆動電圧となる。
この駆動電圧は、液晶19の容量及び補助容量97により一定時間保持される。この駆動電圧により、画素電極63と対向電極89との間には、電界が形成される。そして、駆動電圧が印加された画素電極63と対向電極89との間に位置する液晶19は、駆動電圧のレベルに応じて分子19aの配向状態が変化する。これにより、液晶19に入射された光が変調されて階調表示が行われる。
図11(a)は、TFT素子61がOFF状態のときの偏光状態を示す図であり、図11(b)は、TFT素子61がON状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置1では、偏光板13aの透過軸111は、図11(a)及び図11(b)に示すように、平面視でX方向から反時計方向に45度だけ傾いている。また、偏光板13bの透過軸113は、平面視でX方向から時計方向に45度だけ傾いている。
また、配向膜59のラビング処理の方向(以下、ラビング方向と呼ぶ)115は、平面視でX方向に沿っている。配向膜91のラビング方向117も、平面視でX方向に沿っている。
表示装置1では、偏光板13aの透過軸111は、図11(a)及び図11(b)に示すように、平面視でX方向から反時計方向に45度だけ傾いている。また、偏光板13bの透過軸113は、平面視でX方向から時計方向に45度だけ傾いている。
また、配向膜59のラビング処理の方向(以下、ラビング方向と呼ぶ)115は、平面視でX方向に沿っている。配向膜91のラビング方向117も、平面視でX方向に沿っている。
照明装置5から偏光板13aに入射された入射光は、偏光板13aの透過軸111の方向に沿った偏光軸を有する直線偏光119として液晶19に入射される。
ここで、液晶19は、TFT素子61がOFF状態のときに、入射光に略1/2波長の位相差を付与するリタデーションに設定されている。
従って、TFT素子61がOFF状態のときに液晶19に入射された直線偏光119は、図11(a)に示すように、平面視で直線偏光119の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光121として偏光板13bに向けて射出される。
偏光板13bに向けて射出された直線偏光121は、偏光軸が偏光板13bの透過軸113の方向に沿っているため、偏光板13bを透過する。
ここで、液晶19は、TFT素子61がOFF状態のときに、入射光に略1/2波長の位相差を付与するリタデーションに設定されている。
従って、TFT素子61がOFF状態のときに液晶19に入射された直線偏光119は、図11(a)に示すように、平面視で直線偏光119の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光121として偏光板13bに向けて射出される。
偏光板13bに向けて射出された直線偏光121は、偏光軸が偏光板13bの透過軸113の方向に沿っているため、偏光板13bを透過する。
他方で、TFT素子61がON状態のときに、直線偏光119は、図11(b)に示すように、偏光状態が維持されたまま直線偏光119として偏光板13bに向けて射出される。偏光板13bに向けて射出された直線偏光119は、偏光軸の方向が偏光板13bの透過軸113の方向に対して直交しているため、偏光板13bによって吸収される。
表示装置1では、TFT素子61がOFF状態のときに表示面9から光が射出され、TFT素子61がON状態のときに表示面9からの光の射出が遮断される所謂ノーマリホワイトの表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリホワイトに限定されず、ノーマリブラックも採用され得る。偏光板13aの透過軸111の方向と、偏光板13bの透過軸113の方向とを互いに合わせれば、ノーマリブラックが達成され得る。
ここで、表示装置1の製造方法について説明する。
表示装置1の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル11の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置1の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、駆動素子基板15の製造工程と、対向基板17の製造工程とに大別される。
表示装置1の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル11の製造工程と、表示パネル3の製造工程と、表示装置1の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、駆動素子基板15の製造工程と、対向基板17の製造工程とに大別される。
駆動素子基板15の製造工程では、図12(a)に示すように、まず、第1基板51の第1面53aに、ゲート電極71(ゲート線93)と、容量線65とを形成する。ゲート電極71(ゲート線93)及び容量線65は、第1面53aに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、ゲート電極71(ゲート線93)及び容量線65を覆うゲート絶縁膜55を形成する。ゲート絶縁膜55は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)技術、PVD(Physical Vapor Deposition)技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
次いで、ゲート電極71(ゲート線93)及び容量線65を覆うゲート絶縁膜55を形成する。ゲート絶縁膜55は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)技術、PVD(Physical Vapor Deposition)技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
次いで、図12(b)に示すように、ゲート絶縁膜55上に、半導体層73を形成してから、半導体層73の一部に重なるソース電極75とドレイン電極77とを形成する。なお、ソース電極75がつながるソース線95は、ソース電極75を形成するときに、ソース電極75とともに形成される。ソース電極75及びドレイン電極77並びにソース線95は、ゲート絶縁膜55上に金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。このとき、ソース線95には、図5に示す複数の切欠き部99が設けられる。
次いで、ソース電極75及びドレイン電極77並びにソース線95を覆う絶縁膜57を形成する。絶縁膜57は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)技術、PVD(Physical Vapor Deposition)技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜57は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
次いで、図12(c)に示すように、絶縁膜57に、ドレイン電極77に至るコンタクトホール79を形成してから、絶縁膜57上にコンタクトホール79を覆う画素電極63を形成する。コンタクトホール79は、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用することによって形成され得る。画素電極63は、絶縁膜57上にITOやMgやAgなどの膜を形成してから、この膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、図12(d)に示すように、絶縁膜57上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極63を覆う樹脂膜59aを形成する。樹脂膜59aは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜59aにラビング処理を施すことにより、図4に示す配向膜59が形成される。これにより、駆動素子基板15が製造され得る。
次いで、樹脂膜59aにラビング処理を施すことにより、図4に示す配向膜59が形成される。これにより、駆動素子基板15が製造され得る。
樹脂膜59aにラビング処理を施すときに、樹脂膜59aには、X方向に沿ってラビング処理が施される。このとき、樹脂膜59aには、図8に示すL1の向きに、すなわち切欠き部99の開口側から奥側に向かってラビング処理が施される。なお、以下においては、L1の向きは、ラビングの向きL1と表記される。
ここで、ソース線95に重なる絶縁膜57及び樹脂膜59aには、図8中のK−K線における断面図である図13に示すように、凸部131が形成される。そして、ラビング処理の過程で、ラビング布が凸部131を乗り越える。
このとき、ラビングの向きL1の凸部131の下流側に、ラビング布の毛先が樹脂膜59aに接触しにくい場所である所謂ラビングの陰が発生しやすい。
このとき、ラビングの向きL1の凸部131の下流側に、ラビング布の毛先が樹脂膜59aに接触しにくい場所である所謂ラビングの陰が発生しやすい。
表示装置1では、切欠き部99が、図8に示すように、第1辺101側から第2辺103側に向かって刻まれている。つまり、切欠き部99は、図13に示すように、ラビングの向きL1の凸部131の上流側に位置している。このため、ラビング布の毛先は、平面視で切欠き部99の内側に重なる領域の樹脂膜59aに接触しやすい。
対向基板17の製造工程では、図14(a)に示すように、まず、第2基板81の対向面82bに、光吸収層83を、平面視で格子状に形成する。光吸収層83は、対向面82bに、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、図14(b)に示すように、光吸収層83によって囲まれる各画素7の領域内に、カラーフィルタ85を形成する。カラーフィルタ85は、R、G及びBの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素7の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素7の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層83及びカラーフィルタ85上にオーバーコート層87を形成する。オーバーコート層87は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
次いで、光吸収層83及びカラーフィルタ85上にオーバーコート層87を形成する。オーバーコート層87は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
次いで、図14(c)に示すように、オーバーコート層87上に対向電極89を形成する。対向電極89は、例えばスパッタリング技術を活用して、オーバーコート層87上にITOやMgやAgなどの膜を形成することにより形成され得る。
次いで、ポリイミドなどの樹脂で対向電極89を覆う樹脂膜91aを形成する。樹脂膜91aは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、ポリイミドなどの樹脂で対向電極89を覆う樹脂膜91aを形成する。樹脂膜91aは、例えば、スピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、樹脂膜91aにラビング処理を施すことにより、図4に示す配向膜91が形成される。これにより、対向基板17が製造され得る。
樹脂膜91aにラビング処理を施すときに、樹脂膜91aには、X方向に沿ってラビング処理が施される。このとき、樹脂膜91aには、対向基板17の底面図である図15に示すように、ラビングの向きL1に従ってラビング処理が施される。
樹脂膜91aにラビング処理を施すときに、樹脂膜91aには、X方向に沿ってラビング処理が施される。このとき、樹脂膜91aには、対向基板17の底面図である図15に示すように、ラビングの向きL1に従ってラビング処理が施される。
液晶パネル11の製造工程では、まず、駆動素子基板15と対向基板17とを、駆動素子基板15及び対向基板17のいずれか一方に平面視で環状に設けられたシール材25(図2)を介して接合する。このとき、シール材25は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材25の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶19の注入口となる。
次いで、液晶19を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶19を封入する。これにより、図2に示す液晶パネル11が製造され得る。
次いで、液晶19を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶19を封入する。これにより、図2に示す液晶パネル11が製造され得る。
表示パネル3の製造工程では、図4に示す偏光板13a及び13bを液晶パネル11に設ける。偏光板13aは第1基板51の第2面53bに設けられ、偏光板13bは、第2基板81の外向面82aに設けられる。これにより、表示パネル3が製造され得る。
なお、偏光板13a及び13bは、液晶パネル11を製造する前に、第1基板51及び第2基板81に設けられ得る。
表示装置1の製造工程では、表示パネル3と照明装置5とを組み合わせることにより、表示装置1が製造され得る。
なお、偏光板13a及び13bは、液晶パネル11を製造する前に、第1基板51及び第2基板81に設けられ得る。
表示装置1の製造工程では、表示パネル3と照明装置5とを組み合わせることにより、表示装置1が製造され得る。
なお、表示装置1において、ゲート線93が第1配線に対応し、ソース線95が第2配線に対応し、X方向が第1方向に対応し、Y方向が第2方向に対応している。
表示装置1では、各ソース線95に複数の切欠き部99が設けられている。各ソース線95において各切欠き部99は、平面視でソース線95とゲート線93とが重なる部位に設けられている。ゲート線93とソース線95との間に電圧を印加することにより、切欠き部99を貫く電界Eを発生させることができる。この電界Eにより、各切欠き部99の近傍に位置する液晶19に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移核を発生させやすくすることができる。
表示装置1では、各ソース線95に複数の切欠き部99が設けられている。各ソース線95において各切欠き部99は、平面視でソース線95とゲート線93とが重なる部位に設けられている。ゲート線93とソース線95との間に電圧を印加することにより、切欠き部99を貫く電界Eを発生させることができる。この電界Eにより、各切欠き部99の近傍に位置する液晶19に、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移核を発生させやすくすることができる。
また、表示装置1では、平面視でソース線95とゲート線93とが重なる部位に各切欠き部99が設けられているので、ゲート線93とソース線95との間の寄生容量を低減することができる。これにより、表示装置1における表示品位の向上が図られる。
また、表示装置1では、各切欠き部99は、X方向に延びている。換言すれば、各切欠き部99は、ラビング処理が施される方向に開口されている。従って、各切欠き部99に平面視で重なる樹脂膜59aの領域に、ラビング布の毛先が到達しやすい。このため、各切欠き部99に平面視で重なる樹脂膜59aの領域に、十分なラビング処理を施しやすくすることができる。この結果、各切欠き部99に平面視で重なる液晶19の配向を規制しやすくすることができ、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への液晶19の逆転移を抑えやすくすることができる。
また、表示装置1では、各切欠き部99の開口側から奥側に向かってラビング処理が施されるので、ラビング布の毛先を各切欠き部99の開口側から奥側に向かって誘導しやすくすることができる。このため、各切欠き部99に平面視で重なる樹脂膜59aの領域に、十分なラビング処理を一層施しやすくすることができる。
なお、表示装置1では、ボトムゲート型のTFT素子61が採用されているが、TFT素子61はこれに限定されない。TFT素子61は、半導体層73がゲート電極71並びにソース電極75及びドレイン電極77よりも底面23側に位置する所謂トップゲート型も採用され得る。
また、表示装置1では、ソース線95に複数の切欠き部99を設けた場合を例に説明したが、ソース線95の構成はこれに限定されない。ソース線95は、図16に示すように、第2辺103側に拡張部135を設けた構成も採用され得る。各拡張部135は、ゲート線93に交差する第2辺103の切欠き部99に対峙する各位置に設けられている。各拡張部135が設けられたソース線95は、切欠き部99をX方向に沿って切断したときの断面積が拡大されるので、電気抵抗の低減が図られる。なお、拡張部135の幅W3は、切欠き部99の開口の幅W1よりも大きい値に設定されることが、電気抵抗の低減という観点から好ましい。
また、表示装置1では、ソース線95がゲート線93よりも表示面9側に位置し、且つソース線95に切欠き部99を設けた構成を例に説明したが、ソース線95及びゲート線93はこれに限定されない。ソース線95及びゲート線93は、平面図である図17に示すように、ゲート線93がソース線95よりも表示面9側に位置し、且つゲート線93に切欠き部99を設けた構成も採用され得る。
この場合、第1基板51の第1面53aには、図17中のQ−Q線における断面図である図18に示すように、ソース線95と、ソース線95を覆う絶縁膜141とが設けられている。
ゲート線93(ゲート電極71)は、絶縁膜141上に設けられている。そして、ソース電極75は、ゲート絶縁膜55からソース線95に至るコンタクトホール143を介してソース線95につながっている。
ゲート線93(ゲート電極71)は、絶縁膜141上に設けられている。そして、ソース電極75は、ゲート絶縁膜55からソース線95に至るコンタクトホール143を介してソース線95につながっている。
各切欠き部99は、図17に示すように、Y方向に延びている。そして、樹脂膜59aに施すラビング処理は、Y方向に沿って実施される。この場合、樹脂膜59aには、図17に示すL2の向きに、すなわち切欠き部99の開口側から奥側に向かってラビング処理が施される。
対向基板17側の樹脂膜91aにも、平面視で樹脂膜59aと同じ向きL2にラビング処理が施される。
さらに、図17に示す構成の場合、ゲート線93に拡張部135を設けた構成も採用され得る。この図17に示す構成では、ソース線95が第1配線に対応し、ゲート線93が第2配線に対応し、Y方向が第1方向に対応し、X方向が第2方向に対応している。
対向基板17側の樹脂膜91aにも、平面視で樹脂膜59aと同じ向きL2にラビング処理が施される。
さらに、図17に示す構成の場合、ゲート線93に拡張部135を設けた構成も採用され得る。この図17に示す構成では、ソース線95が第1配線に対応し、ゲート線93が第2配線に対応し、Y方向が第1方向に対応し、X方向が第2方向に対応している。
表示装置1では、ソース線95やゲート線93に設けられる切欠き部99が、X方向又はY方向に延びている場合を例に説明したが、切欠き部99が延びる方向はこれらに限定されず、X方向及びY方向の双方に平面視で交差する第3方向とすることができる。
また、表示装置1では、X方向とY方向とが互いに直交する場合を例に説明したが、これに限定されず、X方向とY方向とが互いに交差していれば、X方向とY方向との間の角度は任意の角度に設定され得る。
また、表示装置1では、X方向とY方向とが互いに直交する場合を例に説明したが、これに限定されず、X方向とY方向とが互いに交差していれば、X方向とY方向との間の角度は任意の角度に設定され得る。
上述した表示装置1は、例えば、図19に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示装置1が適用された表示部510においてスプレイ配向への逆転移が生じにくいことに起因して、高品位な表示を行うことができる。
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル3や液晶パネル11は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
1…表示装置、3…表示パネル、7…画素、8…表示領域、9…表示面、11…液晶パネル、15…駆動素子基板、17…対向基板、19…液晶、23…底面、51…第1基板、53a…第1面、53b…第2面、59…配向膜、59a…樹脂膜、71…ゲート電極、75…ソース電極、81…第2基板、82a…外向面、82b…対向面、89…対向電極、91…配向膜、93…ゲート線、95…ソース線、99…切欠き部、101…第1辺、103…第2辺、131…凸部、135…拡張部、500…電子機器、510…表示部、L1,L2…ラビングの向き。
Claims (7)
- 対向する一対の基板間に液晶が挟持され、前記一対の基板の前記液晶側に配向膜が設けられており、前記液晶が複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちの一方の前記基板は、前記配向膜及び前記一方の基板の間に設けられ、平面視で第1方向に延びる第1配線と、前記第1配線及び前記配向膜の間に設けられ、平面視で前記第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で前記第1配線に前記画素ごとに交差する第2配線とを有しており、
前記第2配線には、平面視で前記画素ごとに前記第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられており、
前記一方の基板の前記配向膜にラビング処理を施す工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 各前記切欠き部は、前記第2方向に交差する第3方向に沿って刻まれており、
前記ラビング処理を施す工程では、前記第3方向に沿って前記ラビング処理を施すことを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造方法。 - 前記ラビング処理を施す工程では、各前記切欠き部の開口側から奥側に向かって前記ラビング処理を施すことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置の製造方法。
- 対向する一対の基板と、
各前記基板に設けられた配向膜と、
前記一対の基板間に前記配向膜を介して挟持され、且つ複数の画素の前記画素ごとに駆動される液晶と、
前記一対の基板のうちの一方の前記基板に設けられ、平面視で第1方向に延びる第1配線と、
前記一方の基板の前記配向膜及び前記第1配線の間に設けられ、平面視で前記第1方向に交差する第2方向に延び、且つ平面視で前記第1配線に前記画素ごとに交差する第2配線と、を有し、
前記第2配線には、平面視で前記画素ごとに前記第1配線に重なる領域に、切欠き部が設けられていることを特徴とする液晶装置。 - 各前記切欠き部は、前記第2方向に交差する第3方向に沿って刻まれており、
前記一方の基板の前記配向膜には、前記第3方向に沿ってラビング処理が施されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。 - 前記第2配線の各前記切欠き部に対峙する各部位に、前記第2配線を拡張する拡張部が設けられていることを特徴とする請求項4又は5に記載の液晶装置。
- 請求項4乃至6のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007289322A JP2009116060A (ja) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 |
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JP2007289322A Withdrawn JP2009116060A (ja) | 2007-11-07 | 2007-11-07 | 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108803170A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
-
2007
- 2007-11-07 JP JP2007289322A patent/JP2009116060A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108803170A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN108803170B (zh) * | 2018-06-22 | 2021-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US11448929B2 (en) | 2018-06-22 | 2022-09-20 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Array substrate with light shielding metal portions and manufacturing method thereof, display device |
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