JP2009111092A - 半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】W膜を適切に除去することができる半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置を提供する。
【解決手段】リテーナリング12の内径は、研磨対象である半導体基板10の直径よりも大きく、また、研磨パッド14に囲まれた領域の直径も半導体基板10の直径よりも大きい。つまり、リテーナリング12と半導体基板10との間に、スラリーが通流する空間が確保されている。このため、半導体基板10はリテーナリング12の内側で遊動することができる。研磨の際には、ステージ21及び研磨ヘッド1を回転させながら研磨パッド22の表面に研磨剤を含有するスラリーを供給し、研磨ヘッド1を下降させて半導体基板10の研磨面(被処理膜の表面)を研磨パッド22に接触させる。この結果、半導体基板10が、研磨ヘッド1の回転に伴って自転すると共に、研磨パッド22に対して公転する。また、研磨ヘッド1を研磨パッド22の半径方向に往復移動させる。
【選択図】図1
【解決手段】リテーナリング12の内径は、研磨対象である半導体基板10の直径よりも大きく、また、研磨パッド14に囲まれた領域の直径も半導体基板10の直径よりも大きい。つまり、リテーナリング12と半導体基板10との間に、スラリーが通流する空間が確保されている。このため、半導体基板10はリテーナリング12の内側で遊動することができる。研磨の際には、ステージ21及び研磨ヘッド1を回転させながら研磨パッド22の表面に研磨剤を含有するスラリーを供給し、研磨ヘッド1を下降させて半導体基板10の研磨面(被処理膜の表面)を研磨パッド22に接触させる。この結果、半導体基板10が、研磨ヘッド1の回転に伴って自転すると共に、研磨パッド22に対して公転する。また、研磨ヘッド1を研磨パッド22の半径方向に往復移動させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、タングステン膜等の研磨残りの抑制を図った半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置に関する。
半導体装置を構成する導電性プラグとしてタングステン(W)製のプラグが多用されている。このタングステンプラグ(以下、Wプラグという。)の形成の際には、層間絶縁膜に形成された開口部内及び層間絶縁膜上にWからなる膜(以下W膜という。)を形成し、その後、化学機械的研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)技術により層間絶縁膜上のW膜を除去している。
ここで、従来のCMP装置について説明する。CMP装置には、半導体基板を保持する研磨ヘッド、及び研磨パッドが貼り付けられたステージが設けられている。図12は、従来のCMP装置を示す断面図である。図12に示すように、研磨ヘッド101には、基部111が設けられており、この基部111の下面に、メンブレン113がリテーナリング112を用いて取り付けられている。図13は、リテーナリング112と研磨対象である半導体基板110との関係を示す下面図である。図12及び図13に示すように、リテーナリング112の内径は、研磨対象である半導体基板110の直径と一致している。
半導体基板110を研磨する際には、リテーナリング112の内側に半導体基板110を取り付け、研磨ヘッド101を、回転可能なステージ121に貼り付けられた研磨パッド122上に移動させる。次いで、ステージ121及び研磨ヘッド101を回転させながら研磨パッド122の表面に研磨剤を含有するスラリーを供給し、研磨ヘッド101を下降させて半導体基板110の研磨面を研磨パッド122に接触させる。この結果、半導体基板110が、研磨ヘッド101の回転に伴って自転すると共に、研磨パッド122に対して公転する。また、メンブレン113の上方の空間に空気を供給することにより、半導体基板110と研磨パッド122との間の接触を確保する。
従来の半導体装置の製造方法では、上述のようなCMP装置を用いてW膜の研磨を行っている。しかし、半導体基板110の外周部においては、W膜が十分に除去されないことがある。この現象は、半導体基板が大口径化するに連れて顕著となっている。除去されなかったW膜はその後の工程において剥がれることがあり、これに伴ってパターニング不良が引き起こされ、歩留まりが低下してしまう。
そこで、W膜の形成時に、W膜の除去が十分とならない領域にガイドリングを用いてW膜が形成されないようにする方法がとられることがある。
しかしながら、ガイドリングが高価であるため、コストが上昇してしまう。また、ガイドリングの保守が必要となるため、そのために時間が費やされてしまう。この結果、スループットが低下してしまう。
本発明の目的は、W膜を適切に除去することができる半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置を提供することにある。
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
本発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板上に被処理膜を形成し、その後、前記半導体基板を保持して研磨パッド上を移動する研磨ヘッドの開口部内に前記半導体基板を取り付ける。そして、前記開口部の内面と前記半導体基板の間を経由して前記研磨パッド上に研磨材を供給し、前記被処理膜を研磨する。
本発明に係る装置は、被処理膜が形成された半導体基板を研磨する化学機械的研磨装置を対象とする。そして、この化学機械的研磨装置には、回転可能な支持台に貼り付けられた研磨パッドと、前記半導体基板を保持して前記研磨パッド上を移動する研磨ヘッドと、が設けられている。また、前記研磨ヘッドには、前記半導体基板を保持可能な開口部が設けられている。そして、前記開口部の内面と前記半導体基板の間から前記研磨パッド上に研磨材が供給される。
従来のCMP装置では、図12及び図13に示すように、半導体基板110の外周部が常にメンブレン113から研磨パッド122に押し付けられにくい状態となっている。これは、メンブレン113が球状に膨張しようとするからである。これに対し、本発明では、半導体基板と研磨パッドの開口部の内面との間に研磨材が通流する程度の空間を設けるため、半導体基板の外周部も研磨パッドに適切に押し付けられ、被処理膜の研磨が適切に行われる。
本発明によれば、半導体基板の外周部においても、タングステン膜等の被処理膜を適切に研磨して除去することができる。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。
(第1の実施形態)
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るCMP装置を示す断面図である。図1に示すように、第1の実施形態においては、研磨ヘッド1に基部11が設けられており、この基部11の下面にメンブレン13がリテーナリング12を用いて取り付けられている。基部11は、CMP装置の回転軸23に連結されている。また、リテーナリング12の内側面には円環状の研磨パッド14が貼り付けられている。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係るCMP装置を示す断面図である。図1に示すように、第1の実施形態においては、研磨ヘッド1に基部11が設けられており、この基部11の下面にメンブレン13がリテーナリング12を用いて取り付けられている。基部11は、CMP装置の回転軸23に連結されている。また、リテーナリング12の内側面には円環状の研磨パッド14が貼り付けられている。
ここで、リテーナリング12と研磨対象である半導体基板10との関係について説明する。図2は、リテーナリング12と研磨対象である半導体基板10との関係を示す下面図である。図1及び図2に示すように、リテーナリング12の内径は、研磨対象である半導体基板10の直径よりも大きく、また、研磨パッド14に囲まれた領域の直径も半導体基板10の直径よりも大きい。この差は5mm乃至10mm程度である。つまり、本実施形態では、リテーナリング12と半導体基板10との間に、スラリーが通流する空間が確保されている。なお、半導体基板10の表面には、W膜等の被処理膜(図示せず)が形成されているが、簡略化のため、半導体基板10と被処理膜とを一体としたものも半導体基板10ということがある。
次に、上述のCMP装置を用いた研磨方法について説明する。図3は、CMP装置を用いた研磨方法を示す模式図である。先ず、リテーナリング12の内側に、被処理膜が形成された半導体基板10を取り付け、回転可能なステージ21に貼り付けられた研磨パッド22上に、半導体基板10が取り付けられた研磨ヘッド1を移動させる。次いで、ステージ21及び研磨ヘッド1を回転させながら研磨パッド22の表面に研磨剤を含有するスラリーをスラリー供給部31から供給し、研磨ヘッド1を下降させて半導体基板10の研磨面(被処理膜の表面)を研磨パッド22に接触させる。この結果、半導体基板10が、回転軸23の駆動による研磨ヘッド1の回転に伴って自転すると共に、研磨パッド22に対して公転する。また、研磨ヘッド1を研磨パッド22の半径方向に往復移動させる。また、メンブレン13の上方の空間に空気を供給することにより、半導体基板10と研磨パッド22との間の接触を確保する。なお、研磨ヘッド1の移動方向は、研磨パッド22の回転方向と交差する方向であれば、研磨パッド22の半径方向に限定されない。
本実施形態では、上述のように、リテーナリング12の内径は半導体基板10の直径よりも大きく、また、研磨パッド14に囲まれた領域の直径も半導体基板10の直径よりも大きい。このため、半導体基板10はリテーナリング12の内側で遊動することができる。従って、研磨ヘッド1を研磨パッド22の中心から離間する向きに移動させている時には、図4に示すように、半導体基板10は、研磨パッド22の中心寄りの位置で研磨パッド14に接触する。逆に、研磨ヘッド1を研磨パッド22の中心に向けて移動させている時には、図5に示すように、半導体基板10は、研磨パッド22の中心から離間した位置で研磨パッド14に接触する。また、研磨ヘッド1を移動させていない時でも、研磨パッド22の回転に伴って、半導体基板10は、研磨パッド22の回転方向の前方において研磨パッド14に接触する。つまり、本実施形態では、半導体基板10がリテーナリング12の内側において偏って位置することとなる。このため、半導体基板10の中心部だけでなく外周部も、半導体基板10の自転に伴って、メンブレン13によって研磨パッド22に押さえ付けられやすい位置を繰り返し通過する。また、上述のように、リテーナリング12と半導体基板10との間にスラリーが通流する空間が存在するため、スラリーがこの空間を介して半導体基板10の外周部の研磨面に供給されやすい。つまり、上記の空間を介して半導体基板10の外側から被処理膜の表面に向けてスラリーが浸入してくる。従って、これらの協働作用によって半導体基板10の外周部においても研磨面が適切に研磨される。
更に、本実施形態では、半導体基板10が研磨パッド14と接触しながら基部11及びリテーナリング12と同じ方向に自転する。但し、半導体基板10は研磨パッド22から摩擦力を受けるため、リテーナリング12よりも低速で回転する。従って、半導体基板10の端面が研磨パッド14によって研磨される。このため、端面に異物が存在する場合でも、これを除去することができる。
このように、本実施形態によれば、半導体基板10の研磨面を全体にわたって適切に研磨することができる。従って、ガイドリングの使用を回避することができる。また、半導体基板10の端面の研磨を同時に行うことができる。
なお、端面の研磨の必要性が低い場合には、研磨パッド14をリテーナリング12の内側面に貼り付ける必要はない。逆に、端面の研磨速度を高める場合には、例えば、図6に示すように、リテーナリング12及び研磨パッド14の回転方向を基部11の回転方向(半導体基板10の回転方向)とは逆向きにすればよい。回転方向を逆向きにすることにより、速度差が大きくなるためである。回転方向を逆方向にするためには、例えば、モータ等の駆動装置を各々に対して個別に設ければよい。更に、被処理膜はW膜に限定されず、他の金属膜又は絶縁膜であってもよい。
次に、上述のようなCMP装置を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。図7A乃至図7Dは、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
先ず、図7Aに示すように、半導体基板51の表面にSTI法により素子分離絶縁膜52を形成する。素子分離絶縁膜52の形成に当たっては、半導体基板51に溝を形成し、この溝内及び半導体基板51上に絶縁膜を形成し、これを研磨する。この研磨の際に上述のCMP装置を用いて上述の処理を行う。素子分離絶縁膜52の形成後に、ウェル53を形成する。
ウェル53の形成後に、図7Bに示すように、ゲート絶縁膜54及びゲート電極55を形成する。ゲート絶縁膜54及びゲート電極55の形成後に、不純物拡散層56及びサイドウォール絶縁膜57を形成する。このようにして、電界効果トランジスタが形成される。
電界効果トランジスタの形成後に、図7Cに示すように、この電界効果トランジスタを覆う層間絶縁膜58を形成し、これに不純物拡散層56まで達するコンタクトホール59を形成する。コンタクトホール59の形成後に、コンタクトホール59内にコンタクトプラグ60を形成する。コンタクトプラグ60の形成の際には、先ず、コンタクトホール59の側面上及び底面上、並びに層間絶縁膜58上に薄いバリアメタル膜を形成する。次いで、バリアメタル膜上にW膜を形成する。その後、W膜及びバリアメタル膜を層間絶縁膜58の表面が露出するまで研磨する。この研磨の際に、上述のCMP装置を用いて上述の処理を行う。
コンタクトプラグ60の形成後に、図7Dに示すように、コンタクトプラグ60に接続される配線61を層間絶縁膜58上に形成する。
その後、上層の配線、プラグ及び層間絶縁膜等を形成し、半導体装置を完成させる。プラグの形成に当たっては、コンタクトプラグ60の形成と同様に、上述のCMP装置を用いて上述の処理を行う。
このような方法によれば、ガイドリングを用いずともW膜等の研磨漏れを抑制することができる。従って、パターニング不良の発生及び歩留まりの低下を抑制することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図8は、本発明の第2の実施形態に係るCMP装置を示す断面図である。図8に示すように、第2の実施形態においては、メンブレン13にリテーナリング12の内側面に倣う円環状で下向きの凸部13aが形成されている。凸部13aの幅はリテーナリング12の半径と半導体基板10の直径との差とほぼ一致しており、凸部13aによってリテーナリング12と半導体基板10との相対的な位置が固定される。なお、研磨パッド14は設けられていない。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図8は、本発明の第2の実施形態に係るCMP装置を示す断面図である。図8に示すように、第2の実施形態においては、メンブレン13にリテーナリング12の内側面に倣う円環状で下向きの凸部13aが形成されている。凸部13aの幅はリテーナリング12の半径と半導体基板10の直径との差とほぼ一致しており、凸部13aによってリテーナリング12と半導体基板10との相対的な位置が固定される。なお、研磨パッド14は設けられていない。
ここで、リテーナリング12と研磨対象である半導体基板10との関係について説明する。図9は、リテーナリング12と研磨対象である半導体基板10との関係を示す下面図である。図8及び図9に示すように、本実施形態でも、リテーナリング12の内径は、研磨対象である半導体基板10の直径よりも大きい。この差は5mm乃至10mm程度である。つまり、本実施形態でも、リテーナリング12と半導体基板10との間に、スラリーが通流する空間が確保されている。他の構成は、第1の実施形態と同様である。
このように構成されたCMP装置では、上述のように、リテーナリング12の内径は半導体基板10の直径よりも大きい。しかし、メンブレン13に凸部13aが形成されているため、第1の実施形態とは異なり、半導体基板10はリテーナリング12の内側で遊動することができず、半導体基板10とリテーナリング12との相対的な位置は固定されている。その一方で、凸部13aが形成されているために、メンブレン13の凸部13a及びその内側の部分によって、半導体基板10の外周部が中心部と同程度に研磨パッド22に押し付けられる。また、第1の実施形態と同様に、リテーナリング12と半導体基板10との間にスラリーが通流する空間が存在するため、スラリーがこの空間を介して半導体基板10の外周部の研磨面に供給されやすい。従って、これらの協働作用によって半導体基板10の外周部においても研磨面が適切に研磨される。
従って、第2の実施形態によっても、第1の実施形態と同様に、半導体基板10の研磨面を全体にわたって適切に研磨することができる。従って、ガイドリングの使用を回避することができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図10は、本発明の第3の実施形態に係るCMP装置を示す断面図である。図10に示すように、第3の実施形態においては、リテーナリング12の内側に、リテーナリング12と半導体基板10との相対的な位置を固定する円環状の位置固定材15が取り付けられている。また、位置固定材15の下面はリテーナリング12の下面よりもメンブレン13に近く位置している。なお、研磨パッド14は設けられていない。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図10は、本発明の第3の実施形態に係るCMP装置を示す断面図である。図10に示すように、第3の実施形態においては、リテーナリング12の内側に、リテーナリング12と半導体基板10との相対的な位置を固定する円環状の位置固定材15が取り付けられている。また、位置固定材15の下面はリテーナリング12の下面よりもメンブレン13に近く位置している。なお、研磨パッド14は設けられていない。
ここで、リテーナリング12と研磨対象である半導体基板10との関係について説明する。図11は、リテーナリング12と研磨対象である半導体基板10との関係を示す下面図である。図10及び図11に示すように、本実施形態でも、リテーナリング12の内径は、研磨対象である半導体基板10の直径よりも大きい。この差は5mm乃至10mm程度である。また、上述のように、位置固定材15の下面がリテーナリング12の下面よりもメンブレン13に近く位置している。従って、本実施形態でも、リテーナリング12と半導体基板10との間に、スラリーが通流する空間が確保されている。他の構成は、第1の実施形態と同様である。
このように構成されたCMP装置では、半導体基板10とリテーナリング12との相対的な位置が固定されているものの、第1の実施形態と同様に、リテーナリング12と半導体基板10との間にスラリーが通流する空間が存在する。このため、スラリーがこの空間を介して半導体基板10の外周部の研磨面に供給されやすい。従って、半導体基板10の外周部においても研磨面が適切に研磨される。つまり、第3の実施形態では、半導体基板10の外周部の研磨パッド22への押し付けが第1及び第2の実施形態よりも弱くなるものの、確実にスラリーが供給されるため、半導体基板10の外周部においても研磨面が適切に研磨されるのである。
従って、第3の実施形態によっても、半導体基板10の研磨面を全体にわたって適切に研磨することができる。従って、ガイドリングの使用を回避することができる。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)
半導体基板上に被処理膜を形成する工程と、
前記半導体基板を保持して研磨パッド上を移動する研磨ヘッドの開口部内に前記半導体基板を取り付ける工程と、
前記開口部の内面と前記半導体基板の間を経由して前記研磨パッド上に研磨材を供給し、前記被処理膜を研磨する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板上に被処理膜を形成する工程と、
前記半導体基板を保持して研磨パッド上を移動する研磨ヘッドの開口部内に前記半導体基板を取り付ける工程と、
前記開口部の内面と前記半導体基板の間を経由して前記研磨パッド上に研磨材を供給し、前記被処理膜を研磨する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記研磨ヘッドが、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記半導体基板が前記基部の回転に伴って自転することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記研磨ヘッドが、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記半導体基板が前記基部の回転に伴って自転することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記被処理膜を研磨する工程において、前記研磨ヘッドを前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に移動させることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
前記被処理膜を研磨する工程において、前記研磨ヘッドを前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に移動させることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記リテーナリングの内側面に第2の研磨パッドが設けられていることを特徴とする付記2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
前記リテーナリングの内側面に第2の研磨パッドが設けられていることを特徴とする付記2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記被処理膜を研磨する工程において、前記リテーナリングの回転速度を前記半導体基板の回転速度と異ならせることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
前記被処理膜を研磨する工程において、前記リテーナリングの回転速度を前記半導体基板の回転速度と異ならせることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記被処理膜を研磨する工程において、前記リテーナリングの回転方向を前記半導体基板の回転方向と逆方向とすることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
前記被処理膜を研磨する工程において、前記リテーナリングの回転方向を前記半導体基板の回転方向と逆方向とすることを特徴とする付記4に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記開口部の内面と前記半導体基板の間に、前記半導体基板と前記リテーナリングとの相対的な位置を固定する部材が設けられていることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記開口部の内面と前記半導体基板の間に、前記半導体基板と前記リテーナリングとの相対的な位置を固定する部材が設けられていることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記部材は、メンブレンの一部であることを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
前記部材は、メンブレンの一部であることを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記被処理膜は、金属からなる膜であることを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記被処理膜は、金属からなる膜であることを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
被処理膜が形成された半導体基板を研磨する化学機械的研磨装置であって、
回転可能な支持台に貼り付けられた研磨パッドと、
前記半導体基板を保持して前記研磨パッド上を移動する研磨ヘッドと、
を有し、
前記研磨ヘッドは、前記半導体基板を保持可能な開口部を有し、
前記開口部の内面と前記半導体基板の間から前記研磨パッド上に研磨材が供給されることを特徴とする化学機械的研磨装置。
被処理膜が形成された半導体基板を研磨する化学機械的研磨装置であって、
回転可能な支持台に貼り付けられた研磨パッドと、
前記半導体基板を保持して前記研磨パッド上を移動する研磨ヘッドと、
を有し、
前記研磨ヘッドは、前記半導体基板を保持可能な開口部を有し、
前記開口部の内面と前記半導体基板の間から前記研磨パッド上に研磨材が供給されることを特徴とする化学機械的研磨装置。
(付記11)
前記研磨ヘッドは、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記リテーナリングの内側面に、前記前記半導体基板の側面と接触可能な第2の研磨パッドが設けられていることを特徴とする付記10に記載の化学機械的研磨装置。
前記研磨ヘッドは、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記リテーナリングの内側面に、前記前記半導体基板の側面と接触可能な第2の研磨パッドが設けられていることを特徴とする付記10に記載の化学機械的研磨装置。
(付記12)
前記研磨ヘッドは、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記リテーナリングの内面と前記半導体基板の間に、前記半導体基板と前記リテーナリングとの相対的な位置を固定する部材が設けられていることを特徴とする付記10に記載の化学機械的研磨装置。
前記研磨ヘッドは、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記リテーナリングの内面と前記半導体基板の間に、前記半導体基板と前記リテーナリングとの相対的な位置を固定する部材が設けられていることを特徴とする付記10に記載の化学機械的研磨装置。
(付記13)
前記部材は、メンブレンの一部であることを特徴とする付記12に記載の化学機械的研磨装置。
前記部材は、メンブレンの一部であることを特徴とする付記12に記載の化学機械的研磨装置。
1:研磨ヘッド
10:半導体基板
11:基部
12:リテーナリング
13:メンブレン
13a:凸部
14:研磨パッド
15:位置固定材
21:ステージ
22:研磨パッド
23:回転軸
10:半導体基板
11:基部
12:リテーナリング
13:メンブレン
13a:凸部
14:研磨パッド
15:位置固定材
21:ステージ
22:研磨パッド
23:回転軸
Claims (8)
- 半導体基板上に被処理膜を形成する工程と、
前記半導体基板を保持して研磨パッド上を移動する研磨ヘッドの開口部内に前記半導体基板を取り付ける工程と、
前記開口部の内面と前記半導体基板の間を経由して前記研磨パッド上に研磨材を供給し、前記被処理膜を研磨する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記研磨ヘッドが、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記半導体基板が前記基部の回転に伴って自転することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記リテーナリングの内側面に第2の研磨パッドが設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部の内面と前記半導体基板の間に、前記半導体基板と前記リテーナリングとの相対的な位置を固定する部材が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被処理膜は、金属からなる膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 被処理膜が形成された半導体基板を研磨する化学機械的研磨装置であって、
回転可能な支持台に貼り付けられた研磨パッドと、
前記半導体基板を保持して前記研磨パッド上を移動する研磨ヘッドと、
を有し、
前記研磨ヘッドは、前記半導体基板を保持可能な開口部を有し、
前記開口部の内面と前記半導体基板の間から前記研磨パッド上に研磨材が供給されることを特徴とする化学機械的研磨装置。 - 前記研磨ヘッドは、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記リテーナリングの内側面に、前記前記半導体基板の側面と接触可能な第2の研磨パッドが設けられていることを特徴とする請求項6に記載の化学機械的研磨装置。 - 前記研磨ヘッドは、
回転軸に連結された基部と、
内径が前記半導体基板の直径よりも大きい環状のリテーナリングと、
を備え、
前記リテーナリングの内面と前記半導体基板の間に、前記半導体基板と前記リテーナリングとの相対的な位置を固定する部材が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の化学機械的研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007280893A JP2009111092A (ja) | 2007-10-29 | 2007-10-29 | 半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置 |
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JP2007280893A JP2009111092A (ja) | 2007-10-29 | 2007-10-29 | 半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置 |
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JP2009111092A true JP2009111092A (ja) | 2009-05-21 |
Family
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JP2007280893A Withdrawn JP2009111092A (ja) | 2007-10-29 | 2007-10-29 | 半導体装置の製造方法及び化学機械的研磨装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009111092A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101134177B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-04-09 | 주식회사리온 | Cmp헤드의 리테이너 링 및 이를 포함하는 cmp헤드 |
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2007
- 2007-10-29 JP JP2007280893A patent/JP2009111092A/ja not_active Withdrawn
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