JP2009110790A - 有機el素子パネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の上に形成された第1電極2と、有機発光層3と、第2電極4と、少なくともいずれか一方の電極の一部を露出するように覆う保護膜5とを有し、前記保護膜5の周辺に傾斜部6が形成された有機EL素子パネルにおいて、前記電極の露出部7と、前記保護膜の傾斜部6との上に跨って外部接続電極8が接合されており、前記電極と前記外部接続電極8とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
基板の上に形成された第1電極と、有機発光層と、第2電極と、少なくともいずれか一方の電極の一部を露出するように覆う保護膜とを有し、
前記保護膜の周辺に傾斜部が形成された有機EL素子パネルにおいて、
前記電極の露出部と、前記保護膜の傾斜部との上に跨って外部接続電極が接合されており、前記電極と前記外部接続電極とが電気的に接続されていることを特徴とする。
先ず、実施形態1の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。
次に、実施形態2の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。なお、保護膜5を形成する工程までは、同様であるので省略する。
本発明を適用できる実施例を図1、2を用いて説明する。
TFT回路が形成されたガラス基板1上にアクリル樹脂よりなる平坦化膜12をフォトリソグラフィー法にて形成し、回路による凹凸を平坦にした。
平坦化膜12が形成されたガラス基板上にCrターゲットをDCスパッタし、陽極電極2として100nmの厚さにCr膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、20μm×100μmの画素電極とした。成膜はArガスを用いて、0.2Paの圧力、300Wの投入電力条件で行った。
各画素を分離するために、ポリイミド樹脂よりなる素子分離膜11をフォトリソグラフィー法にて形成した。
有機EL蒸着装置へ移し、真空排気し、前処理室で基板付近に設けたリング状電極に50WのRF電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は0.6Pa、処理時間は40秒であった。
基板を前処理室より成膜室へ移動し、成膜室を、1×10-4Paまで排気した後、正孔輸送性を有するαNPDを抵抗加熱蒸着法により成膜速度0.2〜0.3nm/secの条件で成膜し、膜厚35nmの正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層は、同一の蒸着マスクを用いることにより所定の部分に蒸着した。所定の部分とは基板上で、画素電極であるCrが露出している部分である。
正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるAlq3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で成膜し、膜厚15nmの有機発光層を形成した。
有機発光層の上に抵抗加熱共蒸着法によりAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)を膜厚比9:1の割合で混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し、膜厚35nmの電子注入層を形成した。詳しくは、それぞれの蒸着ボートにセットした材料を抵抗加熱方式で蒸発させ、有機層は〜5A/S、共蒸着層もそれぞれのボート電流値を調整することで、あわせて〜5A/Sの蒸着速度で膜形成を行った。
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるよう成膜し、ITOからなる陰極電極4を形成した。
別の成膜室に基板を移し、電極端子部7に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより、窒化シリコン膜を3μmの膜厚で堆積形成して保護膜5及び同保護膜の傾斜部6の形成を行なった。この際、電極端子部7の露出長さを0.5mmになるように保護膜5及び同保護膜の傾斜部6を形成した。
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、基板1上の電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってACF9の仮圧着を行った。次に、FPC8を電極端子部7と位置あわせする。その後、ヒータヘッドによる熱圧着により電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってFPC8の接合を完了した。
電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってFPC8の接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
本発明を適用できる実施例を図3、4を用いて説明する。
平坦化膜が形成されたガラス基板13上にAlターゲットをDCスパッタし、下部電極14として100nmの厚さにAl膜を成膜した。Arガスを用いて、0.2Paの圧力、300Wの投入電力条件で行った。
実施例1と同様の形成方法であるので省略する。
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるように成膜し、ITOからなる上部電極16を形成した。
別の成膜室に基板を移し、電極端子部17に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより窒化シリコン膜を4μmの膜厚で堆積形成し保護膜18及び同保護膜の傾斜部19の形成を行なった。この際、電極端子部17の露出長さを0.5mmになるように保護膜18及び同保護膜の傾斜部19を形成した。
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、基板13上の電極端子部17と保護膜の傾斜部19との上に跨ってACF(不図示)の仮圧着を行った。次に、FPC20を電極端子部17と位置あわせした。その後、ヒータヘッドによる熱圧着により電極端子部17と保護膜の傾斜部19との上に跨ってFPC20を接合した。これを4辺行ないFPCの接合を完了した。
電極端子部17と保護膜の傾斜部19との上に跨ってFPC20の接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
本発明を適用できる実施例を図5を用いて説明する。
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるよう成膜し、ITOからなる陰極電極24を形成した。
別の成膜室に基板を移し、電極端子部27に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより窒化シリコン膜を3μmの膜厚で堆積形成し保護膜25及び同保護膜の傾斜部26の形成を行なった。この際、電極端子部27の露出長さを0.3mmになるように保護膜25及び同保護膜の傾斜部26を形成した。
別の成膜室に基板を移し、CrターゲットをDCスパッタし、取り出し電極28として100nmの厚さにCr膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、300μm×1.5mmとした。この取り出し電極28は、保護膜25の形成時にマスクを用いて電極端子部27と保護膜の傾斜部26との上に跨って形成される。取り出し電極28の幅、長さは細かい精度を要求されないので、マスク成膜のみで十分に形成することができる。このパネルは駆動電流量を多く必要とし、パネルのレイアウト上、左右に追加電極を形成したり、太くすることができないために電極端子部27と保護膜の傾斜部26との上に取り出し電極28を形成した。本実施例では、取り出し電極28を全ての電極端子部27と保護膜の傾斜部26とに形成したが、駆動電流量が多いところのみに形成しても構わない。
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、取り出し電極28上にACF(不図示)の仮圧着を行った。次に、FPC29を取り出し電極28と位置あわせした。その後、熱圧着により取り出し電極28とFPC29との接合を完了した。
取り出し電極28とFPC29との接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
本発明を適用できる実施例を図6、7を用いて説明する。
平坦化膜が形成されたガラス基板32上にAlターゲットをDCスパッタし、下部電極33として100nmの厚さにAl膜を成膜した。Arガスを用いて、0.2Paの圧力、300Wの投入電力条件で行った。
実施例1と同様の形成方法であるので省略する。
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるよう成膜し、ITOからなる上部電極35を形成した。
別の成膜室に基板を移し、電極端子部36に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより窒化シリコン膜を4μmの膜厚で堆積形成し、保護膜37及び同保護膜の傾斜部38の形成を行なった。この際、電極端子部36の露出長さを0.4mmになるように保護膜37及び同保護膜の傾斜部38を形成した。
別の成膜室に基板を移しAlをDCスパッタし、取り出し電極39として120nmの厚さにAl膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、200μm×1.2mmのサイズとした。この取り出し電極39は、保護膜37の形成時にマスクを用いて電極端子部36と保護膜の傾斜部38との上に跨って形成される。取り出し電極39の幅、長さは細かい精度を要求されないので、マスク成膜のみで十分に形成することができる。このパネルはACFの許容電流量が小さく、パネルのレイアウト上、左右に追加電極を形成したり、太くすることができないために電極端子部36と保護膜の傾斜部38との上に取り出し電極39を形成した。
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、取り出し電極39上にACF(不図示)の仮圧着を行った。次に、FPC40を取り出し電極39と位置あわせした。その後、熱圧着により取り出し電極39とFPC40との接合を完了した。
取り出し電極39とFPC40との接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
2、22 陽極電極(第1電極)
3、15、24、34 有機層
4、24 陰極電極(第2電極)
5、18、25、37 保護膜
6、19、26、38 保護膜の傾斜部
7、17、27、36 電極端子部(電極の露出部)
8、20、29、40 FPC(外部接続電極)
9 ACF
10 導電粒子
14、33 下部電極(第1電極)
16、35 上部電極(第2電極)
28、39 取り出し電極
Claims (5)
- 基板の上に形成された第1電極と、有機発光層と、第2電極と、少なくともいずれか一方の電極の一部を露出するように覆う保護膜とを有し、
前記保護膜の周辺に傾斜部が形成された有機EL素子パネルにおいて、
前記電極の露出部と、前記保護膜の傾斜部との上に跨って外部接続電極が接合されており、前記電極と前記外部接続電極とが電気的に接続されていることを特徴とする有機EL素子パネル。 - 前記電極の露出部と、前記保護膜の傾斜部との上に跨って取り出し電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子パネル。
- 前記取り出し電極の上に前記外部接続電極が接合されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機EL素子パネル。
- 前記外部接続電極は異方性導電フィルムを介した熱圧着により、前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機EL素子パネル。
- 前記保護膜の厚みは前記異方性導電フィルムの中にある導電粒子径未満の厚みであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機EL素子パネル。
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