JP2009105210A - Chip id marking method for semiconductor chip and marking device - Google Patents

Chip id marking method for semiconductor chip and marking device Download PDF

Info

Publication number
JP2009105210A
JP2009105210A JP2007275325A JP2007275325A JP2009105210A JP 2009105210 A JP2009105210 A JP 2009105210A JP 2007275325 A JP2007275325 A JP 2007275325A JP 2007275325 A JP2007275325 A JP 2007275325A JP 2009105210 A JP2009105210 A JP 2009105210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
semiconductor chip
marking
semiconductor
marked
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007275325A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5041957B2 (en
Inventor
Chigusa Inaka
千草 井中
Hiroshi Kawaguchi
浩志 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Engineering Co Ltd
Original Assignee
Toray Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Engineering Co Ltd filed Critical Toray Engineering Co Ltd
Priority to JP2007275325A priority Critical patent/JP5041957B2/en
Publication of JP2009105210A publication Critical patent/JP2009105210A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5041957B2 publication Critical patent/JP5041957B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a marking method and device, which can be applied to the traceabilty of a chip level in marking the chip ID of a semiconductor chip. <P>SOLUTION: In the method and device of marking a chip ID, when the chip ID is marked until a step in which chips are arranged in the form of a wafer, the wafer or a chip coordinate value in the wafer can be traced by detecting the chip ID even when a defect occurs during chip steps or after shipping of the chip. When an inspection result of a previous step is included in the chip ID, level identification on a defective or acceptable chip can be carried out by only reading the chip ID and thus this can quickly cope with the defect-cause analysis, shipping by characteristics, or the like. Since the chip ID is marked on a surface protective film regardless of circuit locations, this can even cope with chip miniaturization. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体チップのチップIDマーキング方法及びマーキング装置に関する。特に、ウエハ状態の時点から各半導体チップのチップIDを各半導体チップにマーキングすることによってチップレベルのトレーサビリティーに適用できるマーキング方法及びマーキング装置に関する。   The present invention relates to a chip ID marking method and a marking device for a semiconductor chip. In particular, the present invention relates to a marking method and a marking apparatus that can be applied to chip-level traceability by marking each semiconductor chip with a chip ID of each semiconductor chip from the time of the wafer state.

従来、半導体チップの製造工程ではウエハカセットへのIDマーキング又は、ウエハへのIDマーキングによって生産管理及び品質管理が行われていた。そのため、管理できる生産情報、品質情報はウエハカセット単位又は、ウエハ単位迄であった。   Conventionally, in the semiconductor chip manufacturing process, production control and quality control are performed by ID marking on a wafer cassette or ID marking on a wafer. Therefore, the production information and quality information that can be managed are up to the wafer cassette unit or wafer unit.

半導体チップに固有のIDをマーキングする事によって、生産時の歩留まり向上のためにウエハ内のチップ位置による問題点の改善等に利用できる。また、半導体チップ出荷後においての不具合発生時にチップIDを検出する事によって、製造情報の解析や不良品の絞り込みにも利用することができる。   By marking a unique ID on a semiconductor chip, it can be used to improve the problem caused by the position of the chip in the wafer in order to improve the yield during production. Further, by detecting a chip ID when a defect occurs after shipment of a semiconductor chip, it can be used for analyzing manufacturing information and narrowing down defective products.

チップIDのマーキング方法には、特開2000−252176号等に開示されているレーザによるマーキング方法や、特開平7−307257号等に開示されている、ヒューズやメモリセルによる電気的なID付加方法が知られている。   As a chip ID marking method, a laser marking method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-252176 or an electrical ID adding method using a fuse or a memory cell disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-307257 is disclosed. It has been known.

しかし、これらの方法を摘要するためには半導体チップの回路部内にIDエリアやヒューズまたはメモリセルの為のエリアを設ける必要があり、チップにIDマーキングする場所を確保することによる物理的チップサイズの拡大化、あるいはIDマーキングサイズを小さくする為にIDドットの微細化やマーキング装置の精度向上による技術的困難さや装置のコスト高の要因となっていた。   However, in order to summarize these methods, it is necessary to provide an ID area, an area for a fuse or a memory cell in the circuit part of the semiconductor chip, and a physical chip size by securing a place for ID marking on the chip. In order to enlarge or reduce the ID marking size, it has become a factor of technical difficulty and cost of the apparatus due to the refinement of the ID dots and the improvement of the accuracy of the marking apparatus.

チップIDには、特開2002−280276号に開示されている様に、プローブテストの結果から良品のチップにのみにIDをマーキングする方法があった。しかし、不良品のレベルを識別する事ができず、不良品の不具合の原因解析やその後の工程の検査結果との比較ができなかった。   As disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-280276, there is a method of marking an ID only on a non-defective chip based on the result of a probe test. However, the level of the defective product could not be identified, and the cause analysis of the defect of the defective product and the comparison with the inspection result of the subsequent process could not be performed.

特開2000−252176号JP 2000-252176 A 特開平07−307257号JP 07-307257 A 特開2002−280276号JP 2002-280276

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解消し、コスト的に有利なIDサイズを確保できるマーキング方法及びマーキング装置を提供する事にある。   An object of the present invention is to provide a marking method and a marking device that can solve the problems of the prior art and secure an advantageous ID size in terms of cost.

請求項1及び請求項13に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、ウエハ工程中および/またはダイシング工程後であってもウエハ形状に配列姿が残っている状態までに半導体チップにチップIDをマーキングする事を特徴とする。ここで述べるチップIDとは、各チップ固有に設定された情報であり、ウエハの識別やウエハ面内のチップ位置情報も含む識別情報を意味する。   As described in claim 1 and claim 13, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, an array remains in the wafer shape even during the wafer process and / or after the dicing process. It is characterized by marking the chip ID on the semiconductor chip by the state. The chip ID described here is information set uniquely for each chip, and means identification information including wafer identification and chip position information on the wafer surface.

請求項2及び請求項14に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、各半導体チップのチップIDに通常のチップ識別情報だけでなく、チップIDマーキングよりも前工程の検査結果の情報を含める事を特徴とする。   As described in claim 2 and claim 14, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, the chip ID of each semiconductor chip includes not only normal chip identification information but also before chip ID marking. It is characterized by including information on process inspection results.

これにより、不良品や良品のレベルの識別がチップIDの読取りを行うだけで可能となり、不具合の原因解析や特性別の出荷などを迅速に行うことができる。   As a result, it is possible to identify the level of a defective product or a non-defective product simply by reading the chip ID, and it is possible to quickly perform the cause analysis of the failure, the shipment according to the characteristics, and the like.

請求項3及び請求項15に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面保護膜上にチップIDをマーキングする事を特徴とする。   As described in claim 3 and claim 15, the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention is characterized in that the chip ID is marked on the surface protective film of each semiconductor chip.

請求項4及び請求項16に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面に少なくとも一辺が500マイクロメートル以上のチップIDをマーキングする事を特徴とする。   As described in claim 4 and claim 16, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, a chip ID having at least one side of 500 micrometers or more is marked on the surface of each semiconductor chip. And

従来のIDマーキングで用いられていた、「電気的」な方法、例えば、ヒューズやメモリでIDを付加する方法では、回路内にその領域が必要であり、製品によってはヒューズやメモリが無く、前記の方式が用いられない場合もあった。本出願の発明の様に、半導体チップの表面保護膜上にチップIDをマーキングする場合は、チップサイズは製品機能として必要な回路部のみを要し、製品となる半導体チップの表面保護膜上にチップの全面サイズを用いてIDマーキングをすることができる。当該出願の発明の方式であれば、半導体チップサイズ全面にマーキングするため、IDサイズの一辺を500〜1000マイクロメートル程度にまで拡大してマーキングすることができ、マーキング装置の過度な高精度化が不要となり、コストダウンが望める。   The “electrical” method used in the conventional ID marking, for example, the method of adding an ID with a fuse or memory, requires an area in the circuit, and depending on the product, there is no fuse or memory. In some cases, this method was not used. When marking the chip ID on the surface protective film of the semiconductor chip as in the invention of the present application, the chip size requires only a circuit portion necessary for the product function, and on the surface protective film of the semiconductor chip to be the product. ID marking can be performed using the entire size of the chip. In the case of the method of the invention of the application, since marking is performed on the entire surface of the semiconductor chip size, one side of the ID size can be enlarged to about 500 to 1000 micrometers, and marking can be performed with excessively high accuracy. It becomes unnecessary and can reduce costs.

上記の発明により、従来の方法の様にIDマーキングを追記する部分の場所確保のためにチップサイズが大きくなり、要求されるIDサイズ全体を小さくするという、マーキング装置の高精度化に費用と労力をかけるなどの欠点を回避できる。   With the above invention, as in the conventional method, the chip size is increased to secure the location of the portion where the ID marking is additionally written, and the required ID size is reduced, so that the cost and labor for improving the accuracy of the marking device are reduced. You can avoid the disadvantages such as applying.

請求項5及び請求項17に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面にベース部材を塗布した後、チップIDをマーキングする事を特徴とする。   As described in claim 5 and claim 17, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, the chip ID is marked after a base member is applied to the surface of each semiconductor chip. To do.

請求項6及び請求項18に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップ表面の段差部を吸収し、チップ表面を平坦にする事を特徴とする。   As described in claim 6 and claim 18, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, a base member is applied to the surface of each semiconductor chip to absorb the stepped portion on the chip surface. The chip surface is flattened.

請求項7及び請求項19に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップIDとチップIDの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする。   As described in claim 7 and claim 19, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, by applying a base member to the surface of the semiconductor chip, the chip ID and the chip ID application surface are applied. It is characterized by enhancing contrast.

半導体チップ内の回路や素子の構成によって、半導体チップの表面の色が大きく変化している物がある。そのような半導体チップの表面にチップIDを塗布すると、チップIDの塗布面の色の変化とIDドットの色のコントラストを見分ける必要が生じ、IDドットに使用できるID材料の色が限定されたり、塗布したチップIDの読み取り時に照明の工夫が必要になったりしていた欠点を回避することができる。   There is a thing in which the color of the surface of a semiconductor chip changes greatly by the structure of the circuit and element in a semiconductor chip. When the chip ID is applied to the surface of such a semiconductor chip, it is necessary to distinguish the color change of the application surface of the chip ID from the color contrast of the ID dot, and the color of the ID material that can be used for the ID dot is limited. It is possible to avoid the disadvantage that it is necessary to devise illumination when reading the applied chip ID.

上記の問題点を解決するために、塗布面の変化を隠す様に、例えば、チップ表面色よりも濃い色のベース部材を塗布し、その上にベース部材よりも薄い色のチップIDのID材料を使うことで、チップIDの読み取りを容易且つ確実にすることができる。   In order to solve the above problems, for example, a base member having a color darker than the chip surface color is applied so as to conceal changes in the application surface, and a chip ID ID material having a lighter color than the base member is applied thereon. By using this, it is possible to easily and reliably read the chip ID.

請求項8及び請求項20に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップID塗布面の濡れ性を調整し、IDドットの大きさを調整することにより、チップIDの大きさを調整する事を特徴とする。   As described in claim 8 and claim 20, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, the wettability of the chip ID application surface is adjusted by applying a base member to the surface of the semiconductor chip. The size of the chip ID is adjusted by adjusting the size of the ID dot.

濡れ性については、半導体チップの表面に直接チップIDのIDドットを塗布すると、直径が250ミクロンメートルに濡れ広がる場合であっても、チップ表面に撥水コートを塗布することで、直径が50マイクロメートルまでIDドットを小さくすることができるなど、チップIDのIDドットの大きさを調整することができる。   As for wettability, when the ID dot of the chip ID is directly applied to the surface of the semiconductor chip, even when the diameter spreads to 250 μm, the water repellent coat is applied to the chip surface, so that the diameter is 50 μm. The ID dot size of the chip ID can be adjusted, for example, the ID dot can be reduced to a meter.

請求項9及び請求項21に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、チップIDのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする。   As described in claim 9 and claim 21, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, the chip ID marking is performed by multiple times of material application.

半導体チップの表面に段差がある場合、IDドットを一層塗布とした場合、ID材料がその段差の部分に流れ込んだり、IDドットの形状が崩れる場合があるが、IDドットを複数回重ねて塗布することで、そのIDドットの形状を保ち、チップIDの視認性が良好になるという利点がある。   When there is a step on the surface of the semiconductor chip, when ID dots are applied in a single layer, the ID material may flow into the stepped portion or the shape of the ID dot may collapse. Thus, there is an advantage that the shape of the ID dot is maintained and the visibility of the chip ID is improved.

請求項10及び請求項22に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にX線を透過しにくい材料を使用してチップIDをマーキングする事を特徴とする。   As described in claim 10 and claim 22, in the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention, the chip ID is marked on the surface of the semiconductor chip using a material that does not easily transmit X-rays. It is characterized by.

上記の様に、X線を透過しにくい材料を使用してチップIDをマーキングする事によって、組立後のチップであっても非破壊でチップIDを検出することができ、確実且つ迅速にチップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。   By marking the chip ID using a material that does not easily transmit X-rays as described above, it is possible to detect the chip ID in a non-destructive manner even for an assembled chip, and reliably and quickly at the chip level. Traceability is possible.

チップの生産過程において、X線を透過しやすいチップIDのID材料を使用した場合、パッケージング工程後はチップIDが見えなくなりチップIDを確認する手段が無くなる。この場合、チップIDの情報はパッケージング工程前に読み取り機で読取りを行い、チップID情報を記憶装置に格納するなどして、パッケージング工程後のパッケージ表面へのパッケージIDマーキング工程まで情報の伝達が必要となる。   In the chip production process, when an ID material having a chip ID that easily transmits X-rays is used, the chip ID becomes invisible after the packaging process and there is no means for confirming the chip ID. In this case, the chip ID information is read by a reader before the packaging process, and the chip ID information is stored in a storage device so that the information is transmitted to the package ID marking process on the package surface after the packaging process. Is required.

該情報の伝達は生産ラインが正常に動作しておれば問題ないが、異常の発生などで、整列している生産中の半導体チップの数が変動した場合、どのチップがどのチップID情報だったかという関係が不明確になってしまう。従い、確実なトレーサビリティーができなくなる問題点が考えられる。   There is no problem in transmitting the information as long as the production line is operating normally. However, when the number of semiconductor chips in production that are aligned fluctuates due to the occurrence of an abnormality, which chip ID information is which chip. The relationship becomes unclear. Therefore, there is a problem that reliable traceability cannot be achieved.

従い、X線を透過し難いID材料を使用した場合は、パッケージング工程後のパッケージ表面にパッケージIDをマーキングする直前にX線でチップ表面のチップIDを読取り、そのチップID、又は、チップID情報と関連のあるIDを直ちにパッケージ表面にパッケージIDとしてマーキングする事ができる。さらに、パッケージ表面へのパッケージIDマーキング後であっても確認のために、X線でチップIDを確認する事も可能となる。それによって、確実なトレーサビリティーが可能となる。   Therefore, when an ID material that does not easily transmit X-rays is used, the chip ID on the chip surface is read with X-rays immediately before marking the package ID on the package surface after the packaging process, and the chip ID or chip ID An ID associated with the information can be immediately marked on the package surface as a package ID. Further, it is possible to confirm the chip ID with X-rays for confirmation even after the package ID marking on the package surface. As a result, reliable traceability is possible.

請求項11及び請求項23に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、チップIDのマーキングが半導体チップに非接触のマーキングである事を特徴とする。   The semiconductor chip ID marking method and apparatus according to the present invention are characterized in that the chip ID marking is a non-contact marking on the semiconductor chip.

非接触でのマーキングであれば、チップIDの塗布面と塗布ヘッドの高さ方向(Z方向)の間隔を厳密に補正することなく、当該記載方法に限らないが、例えば、インクジェット方式や非接触ディスペンサ方式など間隔調整がラフで良い塗布方法も採用することができ、高さ方向の調整機構などの装置の簡易化が図れる。また、塗布ヘッドの高さ方向(Z方向)の動作が不要となり、塗布速度の高速化が図れる。   In the case of non-contact marking, the method is not limited to the description method without strictly correcting the gap between the chip ID application surface and the height direction (Z direction) of the application head. A coating method such as a dispenser method that allows rough spacing adjustment can also be adopted, and simplification of devices such as a height adjusting mechanism can be achieved. Further, the operation in the height direction (Z direction) of the coating head is not required, and the coating speed can be increased.

請求項12及び請求項24に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップIDマーキング方法及び装置では、チップIDのマーキングをインクジェットによりマーキングする事を特徴とする。   As described in claim 12 and claim 24, the chip ID marking method and apparatus for a semiconductor chip according to the present invention is characterized in that the marking of the chip ID is marked by inkjet.

非接触でのマーキングについては、特に上記の様な効果が得られるが、特にその方法の中でも、インクジェット方式を用いることが優れている。例えば、数から数十kHzでIDドットを連続塗布することができ、塗布対象の半導体ウエハを数十mm/secから数百mm/secで高速走行塗布する事が可能になる。また、チップIDの塗布面と塗布ヘッドの高さ方向(Z方向)の間隔を0.5〜1.0mm程度と大きく、且つ、間隔に±0.1mm程度の変動があっても塗布への影響がない。   For the non-contact marking, the above-described effects can be obtained, but among these methods, it is particularly excellent to use an ink jet method. For example, ID dots can be continuously applied at several to several tens kHz, and a semiconductor wafer to be applied can be applied at a high speed running at several tens mm / sec to several hundred mm / sec. Further, the distance between the chip ID application surface and the height direction (Z direction) of the application head is as large as about 0.5 to 1.0 mm, and even if there is a variation of about ± 0.1 mm in the distance, There is no effect.

本発明のマーキング方法及びマーキング装置はウエハ形状で配列している工程までにチップIDをマーキングすることで、半導体チップの生産工程時やチップ出荷後の不具合発生時であってもチップIDを検出する事によって、ウエハやウエハ内チップ座標までトレースする事ができる。チップIDに前工程の検査結果を含ませる事で、不良品や良品のレベルの識別がチップIDの読取りを行うだけで可能となり、不具合の原因解析や特性別の出荷などを迅速に行うことができる。   The marking method and the marking apparatus of the present invention detect a chip ID even during a semiconductor chip production process or when a defect occurs after chip shipment by marking the chip ID before the process of arranging in a wafer shape. By doing this, it is possible to trace to the wafer and the chip coordinates within the wafer. By including the inspection result of the previous process in the chip ID, it is possible to identify the level of defective products and non-defective products simply by reading the chip ID, and it is possible to quickly analyze the cause of defects and ship by characteristics. it can.

また、回路部に関係なく表面保護膜上にチップIDをマーキングする事でチップの微細化にも対応でき、マーキング装置のコストも安くできる。さらに、X線を透過しにくい材料を使用してチップIDをマーキングする事によって、組立後のチップであっても非破壊でチップIDを検出するこができ、確実で迅速なチップレベルのトレーサビリティーが可能となる。   Further, by marking the chip ID on the surface protective film regardless of the circuit portion, it is possible to cope with the miniaturization of the chip, and the cost of the marking device can be reduced. Furthermore, by marking the chip ID using a material that does not transmit X-rays, the chip ID can be detected in a non-destructive manner even with an assembled chip, ensuring reliable and rapid chip level traceability. Is possible.

以下に添付の図面に示す実施例に基づいて、本発明のマーキング方法及びマーキング装置を詳細に説明する。   Hereinafter, a marking method and a marking apparatus according to the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.

図1は半導体ウエハ内にウエハ形状で配列している半導体チップを示す図である。図に示すように半導体ウエハ1にはウエハ固有のIDであるウエハID2がマーキングされており、半導体チップ3は規則的にウエハ面内に配列している。各半導体チップ3にはそれぞれ固有のチップID4がマーキングされる。   FIG. 1 is a diagram showing semiconductor chips arranged in a wafer shape in a semiconductor wafer. As shown in the figure, a wafer ID 2, which is an ID unique to the wafer, is marked on the semiconductor wafer 1, and the semiconductor chips 3 are regularly arranged on the wafer surface. Each semiconductor chip 3 is marked with a unique chip ID 4.

図2は半導体製造工程とチップID4の関係を示す図である。図に示すようにウエハ工程100で、例えばウエハ検査のプローブ電気テスト101が実施された場合、該ウエハの検査結果111は該ウエハのウエハID2のIDとともにデータベース110に格納される。ウエハ工程で実施されるその他の検査や工程情報は同様にウエハID2のIDとともにデータベースに格納される。   FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the semiconductor manufacturing process and the chip ID 4. As shown in the figure, in the wafer process 100, for example, when a probe electrical test 101 for wafer inspection is performed, the inspection result 111 of the wafer is stored in the database 110 together with the ID of the wafer ID 2 of the wafer. Other inspections and process information performed in the wafer process are similarly stored in the database together with the ID of wafer ID2.

ウエハ工程100中であって、ダイシング104工程であっても半導体ウエハ1形状に配列している工程までにチップIDマーキング103を実施する。その際、チップID4と半導体ウエハ1面内の座標やウエハID2などの関連情報をID情報113としてデータベース110に格納される。又は、半導体ウエハ1面内の座標やウエハID2などの関連情報をチップID4のIDに含ませることもできる。   The chip ID marking 103 is performed during the wafer process 100 and before the process of arranging the semiconductor wafer 1 in the dicing 104 process. At this time, related information such as the chip ID 4 and coordinates within the surface of the semiconductor wafer 1 and the wafer ID 2 is stored in the database 110 as ID information 113. Alternatively, related information such as the coordinates in the surface of the semiconductor wafer 1 and the wafer ID 2 can be included in the ID of the chip ID 4.

ダイシング104工程後で半導体チップ3が個片になり、チップ検査105が実施された場合、該チップの検査結果115は該チップのチップID4のIDとともにデータベース110に格納される。又は、該チップの検査結果115はデータベース110に格納する代わりに、チップID4のIDに含ませることもできる。   When the semiconductor chip 3 is separated into pieces after the dicing 104 step and the chip inspection 105 is performed, the inspection result 115 of the chip is stored in the database 110 together with the ID of the chip ID 4 of the chip. Alternatively, the inspection result 115 of the chip can be included in the ID of the chip ID 4 instead of being stored in the database 110.

このように全ての検査や工程情報とウエハID2、チップID4がデータベース110に集まる事で、情報が途切れる事無く、チップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。例えば、チップ出荷後に不具合が発生した場合であっても、チップID4を検出する事ができれば、データベース110と照合する事で、どのウエハのどの座標にあったチップであるか、製造時のウエハ検査結果111はどうか、チップ検査結果115はどうか、と云うように追って解析することができる。   By collecting all inspection and process information, wafer ID 2 and chip ID 4 in the database 110 in this way, traceability at the chip level is possible without interruption of information. For example, even if a defect occurs after chip shipment, if the chip ID 4 can be detected, the wafer 110 at the time of manufacture can be identified by checking the database 110 to determine which chip is at which coordinate. It can be analyzed later such as how the result 111 is and what the chip inspection result 115 is.

図3は半導体チップとチップIDの関係であって、従来方法15、本発明の方法16を示す図である。従来方法15では半導体チップ3の回路部6内にレーザによるマーキング方法等でIDをマーキングしていた。そのため、回路部6と同様にチップID4の大きさがチップの大きさに影響を与え、チップサイズの増加、又はIDサイズを縮小化する場合に、平行して、IDドットの微細化やマーキング装置の精度向上を施さなければならず、技術的にも煩雑さが増し、それに基づきコスト高となっていた。   FIG. 3 shows the relationship between the semiconductor chip and the chip ID and shows the conventional method 15 and the method 16 of the present invention. In the conventional method 15, the ID is marked in the circuit portion 6 of the semiconductor chip 3 by a laser marking method or the like. Therefore, in the same way as the circuit unit 6, the size of the chip ID4 affects the size of the chip, and when the chip size is increased or the ID size is reduced, the ID dot miniaturization or marking device is performed in parallel. Therefore, the technical complexity has increased, and the cost has been increased accordingly.

一方、本願発明の方法16では半導体チップ3の回路部6を保護している表面保護膜5の上面にチップID4をマーキングする。このことによって、回路部6のサイズや配置に左右されることなく、半導体チップ3の表面保護膜5上にチップ全面の大きさとなるチップID4をマーキングするので、チップの微細化にも対応でき、マーキング装置の製造コストも安くできる。   On the other hand, in the method 16 of the present invention, the chip ID 4 is marked on the upper surface of the surface protective film 5 protecting the circuit portion 6 of the semiconductor chip 3. As a result, the chip ID 4 is marked on the surface protective film 5 of the semiconductor chip 3 on the surface protection film 5 of the semiconductor chip 3 without being influenced by the size and arrangement of the circuit unit 6, so that the chip can be made finer. The manufacturing cost of the marking device can be reduced.

図4はベース部材9が無い場合の半導体チップの断面を示す図である。図に示すように半導体チップ3の回路部6に段差部10がある場合を示し、表面保護膜5の上面にIDドット7を塗布すると段差部分に塗布部材が流れ込んだり、ドット形状が崩れ異常なIDドット8の様になる場合があった。また、半導体チップ3の回路部6に色の変化(回路部6に対し異色回路部66)がある場合、IDドット7と透明に近い表面保護膜5を介して見える回路部6と色の異なる異色回路部66のコントラストが悪くなる場合が生じた。   FIG. 4 is a view showing a cross section of the semiconductor chip when the base member 9 is not provided. As shown in the figure, the step portion 10 is shown in the circuit portion 6 of the semiconductor chip 3. When the ID dots 7 are applied on the upper surface of the surface protective film 5, the coating member flows into the step portion, or the dot shape collapses and is abnormal. There was a case where it became like ID dot 8. Further, when the circuit portion 6 of the semiconductor chip 3 has a color change (a circuit portion 66 different in color from the circuit portion 6), the color is different from that of the circuit portion 6 seen through the surface protection film 5 close to the ID dot 7 and transparency. There was a case where the contrast of the different color circuit portion 66 deteriorated.

而して、図5にベース部材9が有る場合の半導体チップの断面を示す。図5に示すように半導体チップ3の表面の回路部6に段差部10や色の変化(回路部6に対し色の異なる異色回路部66)がある場合、表面保護膜5の上にベース部材9を塗布した後、IDドット7を塗布することによってチップIDがマーキングされる。この事によって、IDドットの塗布面を平坦にする事ができ、IDドット7のドット形状を保ち、IDドット7と塗布面となるベース部材9のコントラストを強調し、チップID4の視認性を良好にすることができた。   Thus, FIG. 5 shows a cross section of the semiconductor chip when the base member 9 is provided. As shown in FIG. 5, when the circuit portion 6 on the surface of the semiconductor chip 3 has a stepped portion 10 or a color change (a different color circuit portion 66 having a different color from the circuit portion 6), a base member is formed on the surface protective film 5. After applying 9, the chip ID is marked by applying ID dots 7. This makes it possible to flatten the ID dot application surface, maintain the dot shape of the ID dot 7, enhance the contrast between the ID dot 7 and the base member 9 serving as the application surface, and improve the visibility of the chip ID 4 I was able to.

また、ベース部材9をチップID4の塗布面の濡れ性を調整できる材料にすることで、IDドット7の大きさを調整し、チップID4の大きさを調整する事ができた。   In addition, by making the base member 9 a material that can adjust the wettability of the application surface of the chip ID 4, the size of the ID dot 7 can be adjusted and the size of the chip ID 4 can be adjusted.

また、図6は複数回の材料塗布でチップID4をマーキングする場合の半導体チップの断面を示す図である。図6に示すように半導体チップ3の表面に段差部10がある場合、IDドット7の1層目を塗布する場合、段差部分に塗布部材が流れ込んだりすることにより、ドット形状が崩れる場合があるが、IDドット7の2層目やIDドット7の3層目を塗布する場合のようにIDドット7を複数回重ねて塗布することで、該IDドット7は図に示す様に積層された塗布層からなる形状を保ち、チップID4の視認性を良好にすることができた。   Moreover, FIG. 6 is a figure which shows the cross section of the semiconductor chip in case chip ID4 is marked by multiple times of material application. As shown in FIG. 6, when there is a stepped portion 10 on the surface of the semiconductor chip 3, when applying the first layer of the ID dot 7, the dot shape may collapse due to the application member flowing into the stepped portion. However, the ID dot 7 was laminated as shown in the figure by applying the ID dot 7 a plurality of times as in the case of applying the second layer of the ID dot 7 and the third layer of the ID dot 7. It was possible to maintain the shape of the coating layer and improve the visibility of the chip ID4.

さらに、図7は、半導体チップのチップIDマーキングがチップに非接触のマーキングである場合の例であるが、非接触のディスペンサーやインクジェットなどの方式が用いられるが、本願では、インクジェットを用いた例を図で示している。   Further, FIG. 7 shows an example in which the chip ID marking of the semiconductor chip is a non-contact marking on the chip, but a non-contact dispenser or an ink-jet method is used. In this application, an example using an ink-jet is used. Is shown in the figure.

図4、図5に対応する実施例は、同一のID部材を塗布した場合でも、図4のベース部材9が無い場合はチップ表面の段差部10に塗布部材が流れ込んだり、IDドット7の形状が崩れる場合があり、IDドット7を塗布したチップID4を2次元コードリーダで読取る事ができなかった。また、図4の様にベース部材9が無い場合はIDドット7の直径が300〜200マイクロメートルと大きくなったが、図5の様に撥水効果のあるベース部材9を塗布する事でIDドット7の直径を100〜50マイクロメートルまで微細化することができた。   In the embodiment corresponding to FIGS. 4 and 5, even when the same ID member is applied, if the base member 9 of FIG. 4 is not provided, the application member flows into the stepped portion 10 on the chip surface or the shape of the ID dot 7. The chip ID4 coated with the ID dot 7 could not be read by a two-dimensional code reader. Further, when the base member 9 is not provided as shown in FIG. 4, the diameter of the ID dot 7 is as large as 300 to 200 micrometers. However, by applying the base member 9 having a water repellent effect as shown in FIG. The diameter of the dot 7 could be reduced to 100 to 50 micrometers.

図6に対応する実施例は、IDドット7を1回塗布したチップID4は、2次元コードリーダで読取る事ができなかったが、2回又は3回塗布したチップID4は2次元コードリーダで読取る事ができた。   In the example corresponding to FIG. 6, the chip ID 4 coated with the ID dot 7 once could not be read by the two-dimensional code reader, but the chip ID 4 coated twice or three times is read by the two-dimensional code reader. I was able to.

図7に対応する実施例は、図の様に、半導体ウエハ上に配列した半導体チップ3は、Z軸方向24に示す上下方向に高さ調整するとともに、インクジェットヘッド21に相対してウエハの走行方向23方向へ走行させるものである。インクジェットヘッド21のノズルから半導体チップ3の位置に応じてチップID4のIDドット7として、ID材料22を順次吐き出し、チップID4をマーキングする。   In the embodiment corresponding to FIG. 7, as shown in the figure, the height of the semiconductor chips 3 arranged on the semiconductor wafer is adjusted in the vertical direction shown in the Z-axis direction 24 and the wafer travels relative to the inkjet head 21. The vehicle travels in direction 23. The ID material 22 is sequentially discharged from the nozzles of the inkjet head 21 as the ID dots 7 of the chip ID 4 according to the position of the semiconductor chip 3 to mark the chip ID 4.

図7では、表面保護膜5上に直接IDドット7を塗布しているが、図5に示す様に、ベース部材9を使用する場合は、ベース部材9表面にID材料22を同様に塗布しマーキングする。   In FIG. 7, ID dots 7 are applied directly on the surface protective film 5. However, as shown in FIG. 5, when the base member 9 is used, the ID material 22 is applied similarly to the surface of the base member 9. Mark.

非接触でのマーキングなので、チップID4の塗布面と図7に図示する様に、インクジェットヘッド21の高さ方向(Z軸方向24)の間隔を厳密に補正することが不要となり、塗布速度の高速化が図れた。   Since it is a non-contact marking, it is not necessary to strictly correct the gap between the application surface of the chip ID 4 and the height direction (Z-axis direction 24) of the inkjet head 21 as shown in FIG. Was achieved.

本発明は半導体チップのIDマーキング方法及びマーキング装置に関する発明であり、特に、ウエハ状態の時点から各半導体チップのチップIDを各半導体チップにマーキングすることによって半導体チップレベルのトレーサビリティーを可能とするマーキング方法及びマーキング装置に関する。   The present invention relates to an ID marking method and a marking device for a semiconductor chip, and in particular, marking that enables traceability at the semiconductor chip level by marking the chip ID of each semiconductor chip on each semiconductor chip from the time of the wafer state. The present invention relates to a method and a marking device.

半導体ウエハ内にウエハ形状で配列している半導体チップを示す図である。It is a figure which shows the semiconductor chip arranged in the wafer shape in the semiconductor wafer. 半導体製造工程とチップIDの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a semiconductor manufacturing process and chip ID. 半導体チップとチップIDの関係であって、従来方法と本発明の方法を示す図である。It is a relationship between a semiconductor chip and a chip ID, and is a diagram showing a conventional method and a method of the present invention. ベース部材が無い場合の半導体チップの断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of a semiconductor chip when there is no base member. ベース部材が有る場合の半導体チップの断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of a semiconductor chip in case there exists a base member. 複数回の材料塗布でチップIDをマーキングする場合の半導体チップの断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of the semiconductor chip in case chip ID is marked by multiple times of material application | coating. インクジェットでチップIDのIDドットを走行塗布している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which is carrying out the application | coating of the ID dot of chip ID with an inkjet.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体ウエハ
2 ウエハID
3 半導体チップ
4 チップID
5 表面保護膜
6 回路部
66 異色回路部
7 IDドット
8 異常なIDドット
9 ベース部材
10 段差部
12 組立後チップ
21 インクジェットヘッド
22 ID材料
23 ウエハの走行方向
24 Z軸方向
100 ウエハ工程
101 ウエハ検査
102 ウエハ最終検査
103 チップIDマーキング
104 ダイシング
105 チップ検査
110 データベース
111 ウエハ検査結果
113 ID情報
115 チップ検査結果
120 チップ組立工程
1 Semiconductor wafer 2 Wafer ID
3 Semiconductor chip 4 Chip ID
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Surface protective film 6 Circuit part 66 Dissimilar circuit part 7 ID dot 8 Abnormal ID dot 9 Base member 10 Step part 12 Chip | tip 21 After assembly Inkjet head 22 ID material 23 Wafer traveling direction 24 Z-axis direction 100 Wafer process 101 Wafer inspection 102 Wafer final inspection 103 Chip ID marking 104 Dicing 105 Chip inspection 110 Database 111 Wafer inspection result 113 ID information 115 Chip inspection result 120 Chip assembly process

Claims (24)

半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および/またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップIDを半導体チップにマーキングする事を特徴とする半導体チップのチップIDマーキング方法。 A chip ID of a semiconductor chip characterized in that a unique chip ID is marked on the semiconductor chip by the process of arranging the wafer shape even during the semiconductor chip manufacturing process and / or after the dicing process. Marking method. 半導体チップのチップIDに前工程の検査結果を含む情報をマーキングする事を特徴とする請求項1に記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 2. The chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 1, wherein the information including the inspection result of the previous process is marked on the chip ID of the semiconductor chip. 半導体チップの表面保護膜上に半導体チップのチップIDをマーキングする事を特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 3. The chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 1, wherein the chip ID of the semiconductor chip is marked on the surface protective film of the semiconductor chip. 半導体チップ表面に少なくとも一辺が500マイクロメートル以上の寸法のチップIDをマーキングする事を特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 4. A chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 1, wherein a chip ID having a dimension of at least one side of 500 micrometers or more is marked on the surface of the semiconductor chip. 半導体チップ表面にベース部材を塗布した後、チップIDをマーキングする事を特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 5. The chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 1, wherein a chip ID is marked after a base member is applied to the surface of the semiconductor chip. 前記ベース部材が半導体チップ表面の段差を吸収し、半導体チップの表面を平坦にする事を特徴とする請求項5に記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 6. The chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 5, wherein the base member absorbs a step on the surface of the semiconductor chip and flattens the surface of the semiconductor chip. 前記ベース部材が半導体チップのチップIDとチップIDの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする請求項5に記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 6. The chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 5, wherein the base member emphasizes a contrast between a chip ID of the semiconductor chip and a coating surface of the chip ID. 前記ベース部材が半導体チップのチップIDの塗布面の濡れ性を調整し、半導体チップのチップIDマーキングの大きさを調整する事を特徴とする請求項5に記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 6. The chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 5, wherein the base member adjusts the wettability of the chip ID application surface of the semiconductor chip to adjust the size of the chip ID marking of the semiconductor chip. 半導体チップのチップIDのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング方法 5. A chip ID marking method for a semiconductor chip according to claim 1, wherein the chip ID marking of the semiconductor chip is performed by applying the material a plurality of times. 半導体チップ表面にチップIDマーキングが材料を塗布することでおこなわれるにおいて、X線を透過しにくい材料を使用してチップIDマーキングをする事を特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 The chip ID marking is performed using a material that hardly transmits X-rays when chip ID marking is performed by applying a material to the surface of the semiconductor chip. The chip ID marking method of the semiconductor chip of description. 半導体チップのチップIDマーキングがチップに非接触のマーキングである事を特徴とする請求項1から請求項10のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング方法。 The chip ID marking method of a semiconductor chip according to any one of claims 1 to 10, wherein the chip ID marking of the semiconductor chip is a non-contact marking on the chip. 半導体チップのチップIDマーキングがインクジェットによりおこなわれる事を特徴とする請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング方法 The chip ID marking method for a semiconductor chip according to any one of claims 1 to 11, wherein the chip ID marking of the semiconductor chip is performed by inkjet. 半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および/またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップIDを半導体チップにマーキングする事を特徴とする半導体チップのチップIDマーキング装置。 A chip ID of a semiconductor chip characterized in that a unique chip ID is marked on the semiconductor chip by the process of arranging the wafer shape even during the semiconductor chip manufacturing process and / or after the dicing process. Marking device. 半導体チップのチップIDに前工程の検査結果を含む情報をマーキングする事を特徴とする請求項13に記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 14. The chip ID marking device for a semiconductor chip according to claim 13, wherein the information including the inspection result of the previous process is marked on the chip ID of the semiconductor chip. 半導体チップの表面保護膜上に半導体チップのチップIDをマーキングする事を特徴とする請求項13または請求項14に記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 15. The chip ID marking device for a semiconductor chip according to claim 13, wherein the chip ID of the semiconductor chip is marked on the surface protective film of the semiconductor chip. 半導体チップ表面に少なくとも一辺が500マイクロメートル以上の寸法のチップIDをマーキングする事を特徴とする請求項13から請求項15のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 The chip ID marking device for a semiconductor chip according to any one of claims 13 to 15, wherein a chip ID having a dimension of at least one side of 500 micrometers or more is marked on the surface of the semiconductor chip. 半導体チップ表面にベース部材を塗布した後、チップIDをマーキングする事を特徴とする請求項13から請求項16のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 The chip ID marking device for a semiconductor chip according to any one of claims 13 to 16, wherein the chip ID is marked after a base member is applied to the surface of the semiconductor chip. 前記ベース部材が半導体チップ表面の段差を吸収し、半導体チップの表面を平坦にする事を特徴とする請求項17に記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 18. The chip ID marking device for a semiconductor chip according to claim 17, wherein the base member absorbs a step on the surface of the semiconductor chip and flattens the surface of the semiconductor chip. 前記ベース部材が半導体チップのチップIDとチップIDの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする請求項17に記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 18. The chip ID marking device for a semiconductor chip according to claim 17, wherein the base member emphasizes a contrast between a chip ID of the semiconductor chip and a coating surface of the chip ID. 前記ベース部材が半導体チップのチップIDの塗布面の濡れ性を調整し、半導体チップのチップIDマーキングの大きさを調整する事を特徴とする請求項17に記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 18. The chip ID marking device for a semiconductor chip according to claim 17, wherein the base member adjusts the wettability of the chip ID application surface of the semiconductor chip to adjust the size of the chip ID marking of the semiconductor chip. 半導体チップのチップIDのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする請求項13から請求項16のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 The chip ID marking device for a semiconductor chip according to any one of claims 13 to 16, wherein the chip ID marking of the semiconductor chip is performed by applying the material a plurality of times. 半導体チップ表面にチップIDマーキングが材料を塗布することでおこなわれるにおいて、X線を透過しにくい材料を使用してチップIDをマーキングする事を特徴とする請求項13から請求項21のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 The chip ID is marked by using a material that hardly transmits X-rays when chip ID marking is performed by applying a material to the surface of the semiconductor chip. The chip ID marking device of the semiconductor chip as described. 半導体チップのチップIDマーキングがチップに非接触のマーキングである事を特徴とする請求項13から請求項22のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 23. The chip ID marking device for a semiconductor chip according to claim 13, wherein the chip ID marking of the semiconductor chip is a non-contact marking on the chip. 半導体チップのチップIDマーキングがインクジェットによりおこなわれる事を特徴とする請求項13から請求項23のいずれかに記載の半導体チップのチップIDマーキング装置。 The chip ID marking device for a semiconductor chip according to any one of claims 13 to 23, wherein the chip ID marking of the semiconductor chip is performed by inkjet.
JP2007275325A 2007-10-23 2007-10-23 Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip Expired - Fee Related JP5041957B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007275325A JP5041957B2 (en) 2007-10-23 2007-10-23 Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007275325A JP5041957B2 (en) 2007-10-23 2007-10-23 Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012139411A Division JP5395931B2 (en) 2012-06-21 2012-06-21 Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009105210A true JP2009105210A (en) 2009-05-14
JP5041957B2 JP5041957B2 (en) 2012-10-03

Family

ID=40706613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007275325A Expired - Fee Related JP5041957B2 (en) 2007-10-23 2007-10-23 Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5041957B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129617A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Toray Eng Co Ltd Device and method of marking identification code and semiconductor device marked with identification code
US20130080088A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device
JP2013153039A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Seiko Epson Corp Marking system and marking method
US9035308B2 (en) 2013-06-25 2015-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
CN111383938A (en) * 2018-12-28 2020-07-07 海太半导体(无锡)有限公司 Method for testing coordinate distribution of bad chip wafer
WO2021025052A1 (en) * 2019-08-07 2021-02-11 株式会社カネカ Large-size thin-film deposition substrate and method for manufacturing same, segmented thin-film deposition substrate and method for manufacturing same, and production management method and production management system for segmented thin-film deposition substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196575A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Kawasaki Steel Corp Information indicating method on the surface of semiconductor chip
JPH118328A (en) * 1997-06-17 1999-01-12 Hitachi Ltd Semiconductor device, its manufacturing method and method is identifying the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196575A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Kawasaki Steel Corp Information indicating method on the surface of semiconductor chip
JPH118328A (en) * 1997-06-17 1999-01-12 Hitachi Ltd Semiconductor device, its manufacturing method and method is identifying the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129617A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Toray Eng Co Ltd Device and method of marking identification code and semiconductor device marked with identification code
US20130080088A1 (en) * 2011-09-26 2013-03-28 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device
JP2013069991A (en) * 2011-09-26 2013-04-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device
US9153502B2 (en) 2011-09-26 2015-10-06 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor chip testing method and semiconductor chip testing device
JP2013153039A (en) * 2012-01-25 2013-08-08 Seiko Epson Corp Marking system and marking method
US9035308B2 (en) 2013-06-25 2015-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
CN111383938A (en) * 2018-12-28 2020-07-07 海太半导体(无锡)有限公司 Method for testing coordinate distribution of bad chip wafer
WO2021025052A1 (en) * 2019-08-07 2021-02-11 株式会社カネカ Large-size thin-film deposition substrate and method for manufacturing same, segmented thin-film deposition substrate and method for manufacturing same, and production management method and production management system for segmented thin-film deposition substrate
JPWO2021025052A1 (en) * 2019-08-07 2021-02-11
JP7119233B2 (en) 2019-08-07 2022-08-16 株式会社カネカ Large film-formed substrate and manufacturing method thereof, divided film-formed substrate and manufacturing method thereof, production control method and production control system for divided film-formed substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP5041957B2 (en) 2012-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5041957B2 (en) Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip
JP5395931B2 (en) Chip ID marking method and marking device for semiconductor chip
KR20090126854A (en) Array head type inkjet image forming apparatus and the method for compensating alignment error thereof
JP2009038329A (en) Marking method of wafer, marking method of the next item dice, positioning method of wafer, and wafer inspection equipment
KR102510963B1 (en) Method for Inspecting Droplet
US20090189949A1 (en) Method for arranging print head chips
JP2007095953A (en) Method and device for sorting semiconductor device
US8694148B2 (en) Tracking and marking specimens having defects formed during laser via drilling
JP2012209311A (en) Method of forming id mark, semiconductor chip, semiconductor device, and x-ray inspection method of semiconductor device
US9589902B2 (en) Semiconductor wafer
JP2007042882A (en) Semiconductor device, its manufacturing method and method for recognizing individual management information of semiconductor device
CN103813878A (en) Carrier with a test surface wettable with liquid solder and method for application thereof
JP6185764B2 (en) Laser processing apparatus, substrate processing method, and substrate manufacturing method
JP2008249457A (en) Defect part marking method and device
US20150273915A1 (en) System For Detecting Inoperative Inkjets In Three-Dimensional Object Printing Using A Profilometer And Predetermined Test Pattern Printing
JP2006013012A (en) Bonding device
TWI660437B (en) Method for positioning a carrier with electronic components
JP5341359B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
CN110174375B (en) Chemical liquid inspection method
KR102275971B1 (en) Inspection method of nozzles of inkjet head
US10197659B2 (en) Pattern quality management chart, pattern quality management method, and pattern formation method
CN109565638B (en) Process test piece for use in the production of a flexural component
JP5335283B2 (en) Component mounting member, quality determination method and production apparatus
JP6569670B2 (en) Ink jet recording apparatus and nozzle state detection method
KR20220090286A (en) Ink droplet inspection method of inkjet print head

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120621

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120706

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120710

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5041957

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees