JP2009101072A - 超音波振動子駆動回路及び超音波診断装置 - Google Patents

Abstract

【課題】出力ラインの電圧を正電圧又は負電圧からグランド電圧に迅速に戻すことができ、なお且つチップのダイサイズを小型化することができる超音波振動子駆動回路を提供する。
【解決手段】Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンしてからオフした直後に出力ラインＷがグランド電圧に戻る前の所定時間だけＮ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンし、このＮ側ＦＥＴ１１Ｎがオン状態になっている所定時間経過後から前記出力ラインＷがグランド電圧に戻るまでの間においてＮ側第二ＦＥＴ１６Ｎをオンにする。また、Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンしてからオフした直後に前記出力ラインＷがグランド電圧に戻る前の所定時間だけ前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンし、このＰ側第一ＦＥＴ１１Ｐがオン状態になっている所定時間経過後から前記出力ラインＷがグランド電圧に戻るまでの間においてＰ側第二ＦＥＴ１６Ｐをオンにする。
【選択図】図２

Description

本発明は、超音波振動子駆動回路及び超音波診断装置に関し、特に正電圧又は負電圧又はグランド電圧を超音波振動子へ出力する出力ラインの電圧を正電圧又は負電圧からグランド電圧に迅速に戻すことができ、なお且つチップ（ｃｈｉｐ）のダイサイズ（ｄｉｅ ｓｉｚｅ）を小型化することができる超音波振動子駆動回路及び超音波診断装置に関する。

従来、オン状態で正電圧を超音波振動子への出力ラインへ出力するＰ側ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）と、オン状態で負電圧を超音波振動子への出力ラインへ出力するＮ側ＦＥＴと、それらＰ側ＦＥＴ及びＮ側ＦＥＴをオン／オフするドライバ回路とを具備した超音波診断装置が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開２００６−１０１９９７号公報 特開２００４−３５８１３３号公報

上記従来の超音波診断装置では、出力ラインのキャパシタンスのため、出力ラインに正電圧又は負電圧をパルス状に印加したとき、出力ラインの電圧が正電圧又は負電圧からグランド電圧に迅速に戻らない問題点がある。

これに対し、出力ラインを強制的にグランド電圧に戻すアクティブグランドクランプ回路を設けることが考えられる。しかし、アクティブグランドクランプ回路のみで出力ラインを強制的にグランド電圧に戻そうとした場合、前記超音波振動子駆動回路のＰ側ＦＥＴ及びＮ側ＦＥＴと同程度のオン抵抗であるＦＥＴが必要となる。ここで、チップのダイサイズは抵抗に反比例する。従って、アクティブグランドクランプ回路のみで出力ラインを強制的にグランド電圧に戻そうとした場合、この回路のＦＥＴのオン抵抗をむやみに大きくすることができないことから、ダイサイズの小型化に限界がある。

本発明の目的は、出力ラインの電圧を正電圧又は負電圧からグランド電圧に迅速に戻すことができ、なお且つチップのダイサイズを小型化することができる超音波振動子駆動回路及び超音波診断装置を提供することである。

この発明は、前記課題を解決するためになされたもので、第１の観点の発明は、オン状態で正電圧を超音波振動子への出力ラインへ出力するＰ側電界効果トランジスタと、オン状態で負電圧を超音波振動子への出力ラインへ出力するＮ側電界効果トランジスタと、入力されたＰ側送波信号に応じて前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記出力ラインがグランド電圧に戻る前の所定時間だけ前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンすること、及び入力されたＮ側送波信号に応じて前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記出力ラインがグランド電圧に戻る前の所定時間だけ前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンすることの少なくとも一方を行うドライバ回路と、前記出力ラインと接続され、少なくとも、前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記Ｎ側電界効果トランジスタがオン状態になっている所定時間経過後から前記出力ラインがグランド電圧に戻るまでの間においてオン状態になること、及び少なくとも、前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記Ｐ側電界効果トランジスタがオン状態になっている所定時間経過後から前記出力ラインがグランド電圧に戻るまでの間においてオン状態になることの少なくとも一方の状態となるアクティブグランドクランプ回路と、を備えたことを特徴とする超音波振動子駆動回路である。

第２の観点の発明は、第１の観点の発明における前記アクティブグランドクランプ回路のトランジスタのオン抵抗を、前記ドライバ回路の前記Ｐ側電界効果トランジスタ及び前記Ｎ側電界効果トランジスタのオン抵抗の少なくとも５倍以上としたことを特徴とする超音波振動子駆動回路である。

第３の観点の発明は、超音波探触子と、請求項１又は２に記載の超音波振動子駆動回路と、前記超音波探触子でエコー信号を受信し音線信号を出力する受信回路と、前記音線信号を基に超音波画像を生成する画像生成手段と、前記超音波画像を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする超音波診断装置である。

第１の観点の発明によれば、前記ドライバ回路は、Ｐ側送波信号に応じて前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記Ｎ側電界効果トランジスタを所定時間だけオンすることにより、出力ラインの電圧がグランド電圧へ向かって引戻され、また少なくとも前記の所定時間、すなわちＮ側電界効果トランジスタによる引戻時間経過後から前記出力ラインがグランド電圧に戻るまでの間において前記アクティブグランドクランプ回路がオンになることにより、グランド電圧に向かって途中まで引戻された出力ラインの電圧がグランド電圧まで引戻される。これにより、前記出力ラインの電圧を正電圧からグランド電圧へ迅速に戻すことができる。また、前記ドライバ回路は、Ｎ側送波信号に応じて前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記Ｐ側電界効果トランジスタを所定時間だけオンすることにより、出力ラインの電圧がグランド電圧に向かって引戻され、また少なくとも前記の所定時間、すなわちＰ側電界効果トランジスタによる引戻時間経過後から前記出力ラインがグランド電圧に戻るまでの間において前記アクティブグランドクランプ回路がオンになることにより、グランド電圧に向かって途中まで引戻された出力ラインの電圧がグランド電圧まで引戻される。これにより、前記出力ラインの電圧を負電圧からグランド電圧に迅速に戻すことができる。また、前記ドライバ回路は、ほとんど電流が流れない論理回路であり、さらに前記アクティブグランドクランプ回路は、少なくともＰ側電界効果トランジスタによる引戻時間経過後又は前記Ｎ側電界効果トランジスタによる引戻時間経過後から、前記出力ラインの電圧がグランド電圧に戻るまでの間においてオンになるようにすればよいので、前記アクティブグランドクランプ回路のトランジスタのオン抵抗を、前記Ｐ側電界効果トランジスタ及び前記Ｎ側電界効果トランジスタのオン抵抗よりも高抵抗とすることができる。従って、アクティブグランドクランプ回路のみで出力ラインをグランド電圧まで強制的に戻す場合に比べて、ダイサイズを小型化することができる。

第２の観点の発明によれば、アクティブグランドクランプ回路のトランジスタのダイサイズを、前記ドライバ回路のＰ側電界効果トランジスタ及びＮ側電界効果トランジスタのダイサイズの少なくとも１／５以下とすることができる。

第３の観点の発明によれば、前記超音波振動子駆動回路のダイサイズを小型化することができる。

以下、本発明の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明に係る超音波診断装置の実施形態の一例の構成を示すブロック図である。

図１に示す超音波診断装置１００は、多数の超音波振動子Ｅが内設され且つそれらにより超音波を被検体内へ送信するとともに被検体内から超音波エコーを受信する超音波探触子１と、超音波エコーから音線信号を生成し出力する受信部２と、音線信号を基に超音波画像を生成する画像生成部３と、超音波画像を表示する表示部４と、超音波を送信するために超音波振動子Ｅを駆動する超音波振動子駆動回路１０と、超音波振動子駆動回路１０へ送信のための信号を入力する送波部５と、全体を制御する制御部６と、操作者が操作するための入力部７とを備えている。

図２は、図１に示す超音波振動子駆動回路１０を示す回路図である。この超音波振動子駆動回路１０は、オン状態で正電圧＋ＨＶを前記超音波振動子Ｅへの出力ラインWへ出力するＰ側第一ＦＥＴ１１Ｐと、オン状態で負電圧−ＨＶを前記出力ラインＷへ出力するＮ側第一ＦＥＴ１１Ｎと、前記送波部５から入力されたＰ側送波信号ＰＰ、Ｎ側送波信号ＰＮ及びＰ側閾値ＴＨＰと、前記出力ラインＷから帰還した帰還電圧Ｖｏとに基づいて、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１ＰをドライブするＰ側ドライバ回路１２Ｐと、Ｐ側送波信号ＰＰ、Ｎ側送波信号ＰＮ及びＮ側閾値ＴＨＮと帰還電圧Ｖｏとに基づいて前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１ＮをドライブするＮ側ドライバ回路１２Ｎとを備えている。

Ｐ側閾値ＴＨＰは、送信電圧である負電圧−ＨＶに応じた値であり、前記送波部５から入力される。
また、Ｎ側閾値ＴＨＮは、送信電圧である正電圧＋ＨＶに応じた値であり、前記送波部５から入力される。

前記Ｐ側ドライバ回路１２Ｐは、帰還電圧ＶｏがＰ側閾値ＴＨＰより高いときに「Ｈ」となりそれ以外は「Ｌ」となるＰ側比較信号ＬＶＰを出力する比較器１３Ｐと、Ｐ側送波信号ＰＰとＮ側送波信号ＰＮとＰ側比較信号ＬＶＰとに基づいてＰ側駆動信号ＤＶＰを出力するＰ側論理回路１４Ｐとを含んでいる。

前記Ｎ側ドライバ回路１２Ｎは、帰還電圧ＶｏがＮ側閾値ＴＨＮより高いときに「Ｈ」となりそれ以外は「Ｌ」となるＮ側比較信号ＬＶＮを出力する比較器１３Ｎと、Ｐ側送波信号ＰＰとＮ側送波信号ＰＮとＮ側比較信号ＬＶＮとに基づいてＮ側駆動信号ＤＶＮを出力するＮ側論理回路１４Ｎとを含んでいる。

なお、図２中のコンデンサＣ５は省略可能である。

また、前記超音波振動子駆動回路１０は、前記出力ラインＷと接続されたＰ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｐと、Ｎ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｎとを有している。

前記Ｐ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｐは、Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐを含んでいる。このＰ側第二ＦＥＴ１６Ｐのゲートには、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンしてからオフした直後に前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎがオン状態になったとき、及び前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンしてからオフした直後に前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐがオン状態になったとき、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐをオンにする信号が、図示しない駆動信号発生回路から入力するようになっている。

前記Ｎ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｎは、Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎを含んでいる。このＮ側第二ＦＥＴ１６Ｎのゲートには、前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンしてからオフした直後に前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐがオン状態になったとき、及び前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンしてからオフした直後に前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎがオン状態になったとき、前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎをオンにする信号が、図示しない駆動信号発生回路から入力するようになっている。

前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐ及び前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎのオン抵抗は、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐ及び前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎのオン抵抗の２倍以上であることが好ましく、さらに好ましくは５〜１０倍程度である。

さて、前記超音波振動子駆動回路１０の動作について説明する。図３は、前記Ｐ側論理回路１４Ｐの論理を示す真理値テーブル及び前記Ｎ側論理回路１４Ｐの論理を示す真理値テーブルである。

Ｘｈは、「Ｈ」でも「Ｌ」でもよいが、フェールセーフの観点から「Ｈ」が望ましいことを示す。
Ｘｌは、「Ｈ」でも「Ｌ」でもよいが、フェールセーフの観点から「Ｌ」が望ましいことを示す。

図４は、前記超音波振動子Ｅに正電圧＋ＨＶを印加し、グランド電圧に戻してから負電圧−ＨＶを印加する場合のタイミングチャートである。また、図５は、図４における各時相での各信号の論理値である。

Ｐ側駆動信号ＤＶＰが「Ｌ」のとき、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐがオン状態になる。また、Ｎ側駆動信号ＤＶＮが「Ｈ」のとき、前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎがオン状態になる。
Ｐ側駆動信号ＤＶＰ及びＮ側駆動信号ＤＶＮから分かるように、Ｐ側送波信号ＰＰに応じて前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンしてからオフした直後に短い所定時間Ｔ２ｄだけ前記Ｎ側第一ＦＥＴをオンして前記出力ラインＷの電圧をグランド電圧へ向かって引戻す。また、Ｎ側送波信号ＰＮに応じて前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンしてからオフした直後に短い所定時間Ｔ４ｄだけ前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンして前記出力ラインＷの電圧をグランド電圧へ向かって引戻す。

図４のＴ２ｄ及びＴ３の間は、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１６Ｐ及び前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎをオンにする。これにより、前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎによる引戻時間であるＴ２ｄの経過後からは、前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎによってグランド電圧へ向かって途中まで引戻された前記出力ラインＷの電圧がグランド電圧まで引戻される。また、Ｔ４ｄ及びＴ５の間は、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐ及び前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎをオンにする。これにより、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐによる引戻時間であるＴ４ｄの経過後からは、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐによってグランド電圧へ向かって途中まで引戻された前記出力ラインＷの電圧がグランド電圧まで引戻される。

本例の超音波振動子駆動回路１０及び超音波診断装置１００によれば、前記Ｐ側ドライバ回路１２Ｐは、Ｐ側送波信号ＰＰに応じて前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンしてからオフした直後に前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎを所定時間Ｔ２ｄだけオンすることにより、前記出力ラインＷの電圧がグランド電圧へ向かって引戻され、またＴｄ２及びＴ３の間、前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎがオンになることにより、前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎによる引戻時間Ｔ２ｄ経過後にこのＮ側第一ＦＥＴ１１Ｎがオフになってからは、グランド電圧へ向かって途中まで引戻された前記出力ラインＷの電圧が、前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎによりグランド電圧まで引戻される。これにより、前記出力ラインＷの電圧を正電圧＋ＨＶからグランド電圧に迅速に戻すことができる。また、前記Ｎ側ドライバ回路１２Ｎは、Ｎ側送波信号ＰＮに応じて前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンしてからオフした直後に前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐを所定時間Ｔ４ｄだけオンすることにより、前記出力ラインＷの電圧がグランド電圧へ向かって引戻され、またＴ４ｄ及びＴ５の間、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐがオンになることにより、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐによる引戻時間Ｔ４ｄ経過後にこのＰ側第一ＦＥＴ１１Ｐがオフになってからは、グランド電圧へ向かって途中まで引戻された前記出力ラインＷの電圧が、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐによりグランド電圧まで引戻される。これにより、前記出力ラインＷの電圧を負電圧−ＨＶからグランド電圧に迅速に戻すことができる。

また、前記ドライバ回路１２Ｐ，１２Ｎは、ほとんど電流が流れない論理回路であり、さらに本例における前記出力ラインＷのグランド電圧への引戻しにあっては、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐ又は前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１ＮをＴ２ｄ及びＴ４ｄだけオンすることで途中まで引戻しを行った後に、前記アクティブグランドクランプ回路１５Ｐ，１５Ｎによる引戻しを行うので、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐ及び前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎのオン抵抗は、前記のように前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐ及び前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎのオン抵抗よりも高抵抗（２倍以上、好ましくは５〜１０倍程度）とすることができる。従って、ダイサイズは抵抗に反比例することから、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐ及び前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎのダイサイズを、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐ及び前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎのダイサイズの少なくとも１／２、或いは１／５〜１／１０程度小さくすることができ、前記アクティブグランドクランプ回路１５Ｐ，１５Ｎのみによって前記出力ラインＷのグランド電圧への引戻しを行う場合に比べてダイサイズを小型化することができる。

ちなみに、前記出力ラインＷに、前記アクティブグランドクランプ回路１５Ｐ，１５Ｎの代わりに抵抗を接続することによっても、前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎによる引戻時間Ｔ２ｄ経過後及び前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐによる引戻時間Ｔ４ｄ経過後に、グランド電圧へ向かって途中まで引戻された前記出力ラインＷの電圧をグランド電圧に迅速に戻すことができるが、この場合には前記アクティブグランドクランプ回路１５Ｐ，１５Ｎを設ける場合と比べて消費電力が大きくなる。従って、本例によれば、前記出力ラインＷに抵抗を設ける場合に比べて消費電力を小さくすることができる。

次に、上記実施形態の第一変形例について説明する。図６は、本発明の実施形態の第一変形例にあって前記超音波振動子Ｅに正電圧＋ＨＶを印加し、次いで負電圧−ＨＶを印加する場合のタイミングチャートである。また、図７は図６における各時相での各信号の論理値である。

この第一変形例では、Ｐ側駆動信号ＤＶＰ及びＮ側駆動信号ＤＶＮから分かるように、Ｎ側送波信号ＰＮに応じて前記Ｎ側第一ＦＥＴ１１Ｎをオンしてからオフした直後に短い所定時間Ｔ４ｄだけ前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐをオンして前記出力ラインＷの電圧をグランド電圧へ向かって引戻す。そして、Ｔ４ｄ及びＴ５の間は、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐ及び前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎをオンにする。これにより、前記Ｐ側第一ＦＥＴ１１Ｐによる引戻時間であるＴ４ｄの経過後にこのＰ側第一ＦＥＴ１１Ｐがオフになってグランド電圧へ向かって途中まで引戻された前記出力ラインＷの電圧が、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐによってグランド電圧まで引戻される。

次に、第二変形例について説明する。図８は、本発明の実施形態の第二変形例の超音波診断装置の構成を示すブロック図であり、この図８に示すように、前記超音波振動子駆動回路１０におけるＰ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｐ及びＮ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｎは、前記出力ラインＷに直列に接続されていてもよい。また、特に図示はしないが、前記Ｎ側アクティブグランドクランプ回路１５Ｎが前記出力ラインＷに２つ直列に接続されていてもよい。

以上、本発明を前記実施形態によって説明したが、本発明はその主旨を変更しない範囲で種々変更実施可能なことはもちろんである。例えば、本発明は、前記超音波振動子Ｅに負電圧−ＨＶを印加し、グランド電圧に戻してから、正電圧＋ＨＶを印加する場合、及び前記超音波振動子Ｅに負電圧−ＨＶを印加し、次いで正電圧＋ＨＶを印加する場合にも、上記実施形態と同様にして適用することができる。

また、前記Ｐ側第二ＦＥＴ１６Ｐは、少なくともＴ２ｄ経過後から前記出力ラインＷがグランド電圧へ戻るまでの間においてオンになればよい。さらに、前記Ｎ側第二ＦＥＴ１６Ｎは、少なくともＴ４ｄ経過後から前記出力ラインＷがグランド電圧へ戻るまでの間においてオンになればよい。

本発明に係る超音波診断装置の実施形態の一例の構成を示すブロック図である。 図１に示す超音波振動子駆動回路を示す回路図である。 Ｐ側論理回路の論理を示す真理値テーブル及び前記Ｎ側論理回路の論理を示す真理値テーブルである。 前記超音波振動子に正電圧を印加し、グランド電圧に戻してから負電圧を印加する場合のタイミングチャートである。 図４における各時相での各信号の論理値である。 本発明の実施形態の変形例にあって前記超音波振動子に正電圧を印加し、次いで負電圧を印加する場合のタイミングチャートである。 図６における各時相での各信号の論理値である。 本発明の実施形態の第二変形例の超音波診断装置の構成を示すブロック図である。

符号の説明

１ 超音波探触子
２ 受信部（受信回路）
３ 画像生成部（画像生成手段）
４ 表示部（表示手段）
１０ 超音波振動子駆動回路
１１Ｐ Ｐ側第一ＦＥＴ（Ｐ側電界効果トランジスタ）
１１Ｎ Ｎ側第一ＦＥＴ（Ｎ側電界効果トランジスタ）
１２Ｐ Ｐ側ドライバ回路（ドライバ回路）
１２Ｎ Ｎ側ドライバ回路（ドライバ回路）
１５Ｐ Ｐ側アクティブグランドクランプ回路（アクティブグランドクランプ回路）
１５Ｎ Ｎ側アクティブグランドクランプ回路（アクティブグランドクランプ回路）
１００ 超音波診断装置
＋ＨＶ 正電圧
−ＨＶ 負電圧
ＰＰ Ｐ側送波信号
ＰＮ Ｎ側送波信号
Ｗ 出力ライン

Claims (3)

1. オン状態で正電圧を超音波振動子への出力ラインへ出力するＰ側電界効果トランジスタと、
   オン状態で負電圧を超音波振動子への出力ラインへ出力するＮ側電界効果トランジスタと、
   入力されたＰ側送波信号に応じて前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記出力ラインがグランド電圧に戻る前の所定時間だけ前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンすること、及び入力されたＮ側送波信号に応じて前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記出力ラインがグランド電圧に戻る前の所定時間だけ前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンすることの少なくとも一方を行うドライバ回路と、
   前記出力ラインと接続され、少なくとも、前記Ｐ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記Ｎ側電界効果トランジスタがオン状態になっている所定時間経過後から前記出力ラインがグランド電圧に戻るまでの間においてオン状態になること、及び少なくとも、前記Ｎ側電界効果トランジスタをオンしてからオフした直後に前記Ｐ側電界効果トランジスタがオン状態になっている所定時間経過後から前記出力ラインがグランド電圧に戻るまでの間においてオン状態になることの少なくとも一方の状態となるアクティブグランドクランプ回路と、
   を備えたことを特徴とする超音波振動子駆動回路。
2. 前記アクティブグランドクランプ回路のトランジスタのオン抵抗を、前記ドライバ回路の前記Ｐ側電界効果トランジスタ及び前記Ｎ側電界効果トランジスタのオン抵抗の少なくとも５倍以上としたことを特徴とする請求項１に記載の超音波振動子駆動回路。
3. 超音波探触子と、請求項１又は２に記載の超音波振動子駆動回路と、前記超音波探触子でエコー信号を受信し音線信号を出力する受信回路と、前記音線信号を基に超音波画像を生成する画像生成手段と、前記超音波画像を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする超音波診断装置。

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