JP2009094534A - Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part - Google Patents

Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part Download PDF

Info

Publication number
JP2009094534A
JP2009094534A JP2008334624A JP2008334624A JP2009094534A JP 2009094534 A JP2009094534 A JP 2009094534A JP 2008334624 A JP2008334624 A JP 2008334624A JP 2008334624 A JP2008334624 A JP 2008334624A JP 2009094534 A JP2009094534 A JP 2009094534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
substrate
etching
peripheral edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008334624A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadao Okamoto
伊雄 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2008334624A priority Critical patent/JP2009094534A/en
Publication of JP2009094534A publication Critical patent/JP2009094534A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus capable of excellently washing a copper film from the peripheral edge part of a substrate. <P>SOLUTION: To the peripheral edge part of the surface of a wafer W where the copper film is formed, an etchant is supplied from a second washing liquid supply nozzle 331. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）基板のような各種の基板の周縁部にエッチング処理を施すための装置および方法に関する。   The present invention relates to an apparatus and a method for performing an etching process on peripheral portions of various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a plasma display panel (PDP) substrate.

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ自体の表面およびウエハ表面に形成された薄膜の表面を清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエハの洗浄が行われる。たとえば、ウエハの表面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて研磨した後には、研磨剤（スラリー）がウエハ表面に残留しているから、このスラリーを除去する必要がある。   The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”). Since the surface of the wafer itself and the surface of the thin film formed on the wafer surface must be kept clean for microfabrication, the wafer is cleaned as necessary. For example, after the thin film formed on the surface of the wafer is polished with an abrasive, the abrasive (slurry) remains on the wafer surface, and thus the slurry needs to be removed.

上述のようなウエハの洗浄を行うための従来技術の概念的な構成は、図１１および図１２に示されている。すなわち、ウエハＷの端面が一対の端面支持ハンド２１０，２１１によって挟持されることにより、ウエハＷの支持が達成されている。そして、ウエハＷの上面は、円板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブラシ２１３とからなるスクラブ洗浄部材２１４によってスクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１３の接触面２１８がウエハＷの上面に接触した状態で、スクラブ洗浄部材２１４が図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１３のほぼ中心に配置されたノズル２２０から洗浄液が吐出されて、ウエハＷの上面がスクラブ洗浄される。また、ウエハＷの下面も同様に、円板状のベース部２１５とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１６とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ２１６の接触面２１９がウエハＷの下面に接触した状態で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１６のほぼ中心に配置されたノズル２２１から洗浄液が吐出されて、ウエハＷの下面がスクラブ洗浄される。   A conceptual configuration of the prior art for cleaning the wafer as described above is shown in FIGS. That is, the wafer W is supported by the end surfaces of the wafer W being sandwiched between the pair of end surface support hands 210 and 211. Then, the upper surface of the wafer W is scrubbed and cleaned by a scrub cleaning member 214 including a disc-shaped base portion 212 and a cleaning brush 213 fixed to the lower surface of the base portion 212. That is, with the contact surface 218 of the cleaning brush 213 in contact with the upper surface of the wafer W, the scrub cleaning member 214 is rotated by a rotational drive mechanism (not shown) and from the nozzle 220 disposed at the substantially center of the cleaning brush 213. The cleaning liquid is discharged, and the upper surface of the wafer W is scrubbed. Similarly, on the lower surface of the wafer W, a scrub cleaning member 217 comprising a disk-shaped base portion 215 and a cleaning brush 216 fixed on the upper surface of the wafer W is used, and a contact surface 219 of the cleaning brush 216 is formed on the wafer W. While being in contact with the lower surface, the cleaning liquid is ejected from a nozzle 221 that is rotated by a rotation drive mechanism (not shown) and disposed at substantially the center of the cleaning brush 216, and the lower surface of the wafer W is scrubbed.

なお、この構成において、端面支持ハンド２１０，２１１は、ウエハＷを保持しつつ、図１１に示すようにウエハＷの中心ＯＷが円軌道を描くように、ウエハＷを円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、ウエハＷのほぼ全面に接触することとなるから、ウエハＷのほぼ全面をスクラブ洗浄できる。   In this configuration, the end surface support hands 210 and 211 hold the wafer W and move the wafer W in a circular motion so that the center OW of the wafer W forms a circular orbit as shown in FIG. As a result, the contact surfaces 218 and 219 come into contact with almost the entire surface of the wafer W, so that almost the entire surface of the wafer W can be scrubbed.

ところで、ウエハＷは、一般に、その表面全体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１３に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがって、ウエハの表面上に薄膜をパターン形成していくと、ウエハＷの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、ウエハＷの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要がある。   Incidentally, the entire surface of the wafer W is not generally used for forming a semiconductor device. As shown in FIG. 13, only the central portion 233 excluding the peripheral portion 232 including the upper and lower surfaces 230 near the periphery and the end surface 231 is used. Is an effective area used for forming a semiconductor device. Therefore, when the thin film is patterned on the surface of the wafer, the film quality such as the film thickness and the film hardness is different between the central portion 233 and the peripheral portion 232 of the wafer W. Therefore, originally, it is necessary to change the method of cleaning the central portion 233 of the wafer W and the method of cleaning the peripheral portion 232. For example, it is necessary to remove the slurry remaining in the central portion 233 by changing the type and concentration of the cleaning liquid used, and to remove the slurry remaining in the peripheral portion 232 and unnecessary thin films.

しかし、上記従来技術の構成では、エッチング処理によるウエハＷの薄膜に対するパターン形成において、ウエハＷの中央部の有効エリア内にのみ注意が払われているから、ウエハＷの周縁部２３２にエッチング不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜となる場合がある。また、ウエハＷは一対の端面支持ハンド２１０，２１１によって挟持されるから、ウエハＷは、常時一定位置で保持される。このため、この保持位置周辺には、洗浄用ブラシ２１３，２１６が侵入することができないので、ウエハＷの周縁部２３２の全域を洗浄することが不可能となり、スラリーがウエハＷの周縁部２３２に残ってしまうことがある。   However, in the configuration of the above prior art, attention is paid only to the effective area in the central portion of the wafer W in the pattern formation for the thin film of the wafer W by the etching process. May remain, which may result in an unnecessary thin film. Further, since the wafer W is sandwiched between the pair of end surface support hands 210 and 211, the wafer W is always held at a fixed position. For this reason, since the cleaning brushes 213 and 216 cannot enter the periphery of the holding position, it becomes impossible to clean the entire peripheral edge portion 232 of the wafer W, and the slurry enters the peripheral edge portion 232 of the wafer W. It may remain.

もしも、ウエハＷの周縁部２３２に不要な薄膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリーとが反応し、その結果生成された物質がウエハＷの周縁部２３２に残る場合もある。このように、上記従来技術の構成においては、ウエハＷの周縁部２３２に、不要な薄膜やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るという不具合がある。この場合、これらの物質はパーティクルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題となっていた。   If an unnecessary thin film and slurry remain on the peripheral edge 232 of the wafer W, the thin film and the slurry may react with each other, and the resulting material may remain on the peripheral edge 232 of the wafer W. As described above, in the configuration of the above prior art, there is a problem that unnecessary thin film or slurry, or a reaction product of the thin film and slurry remains on the peripheral portion 232 of the wafer W. In this case, since these substances become particles, the yield in the manufacturing process of the semiconductor device is reduced, which is a serious problem.

そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の周縁部から銅膜を良好に除去できる基板周縁部のエッチング処理装置および基板周縁部のエッチング処理方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to solve the above technical problem and provide an etching processing apparatus for a substrate peripheral portion and an etching method for the peripheral portion of the substrate that can satisfactorily remove the copper film from the peripheral portion of the substrate. .

上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面に銅膜が形成されている基板を保持する工程と、前記基板の表面の周縁部にエッチング液を供給して、前記エッチング液によるエッチングにより、当該周縁部上から前記銅膜を除去する工程とを含む、基板周縁部のエッチング処理方法である。   The invention according to claim 1 for achieving the above object includes a step of holding a substrate having a copper film formed on a surface thereof, an etching solution is supplied to a peripheral portion of the surface of the substrate, and the etching solution is used. And a step of removing the copper film from the peripheral portion by etching.

このように、エッチング液を用いることによって、基板の周縁部の不要な銅膜を確実にエッチング除去することができる。   Thus, by using the etching solution, it is possible to reliably remove unnecessary copper films on the peripheral edge of the substrate.

請求項２に記載のように、前記基板が回転されつつ、前記基板の表面の周縁部に前記エッチング液が供給されてもよい。   According to a second aspect of the present invention, the etching solution may be supplied to a peripheral portion of the surface of the substrate while the substrate is rotated.

請求項３に記載のように、前記エッチング液は、硝酸と塩酸との混合液、または、硝酸と弗酸との混合液であってもよい。   According to a third aspect of the present invention, the etching solution may be a mixed solution of nitric acid and hydrochloric acid or a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid.

請求項４に記載のように、前記表面に銅膜が形成されている基板は、前記エッチング液が供給される前に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を受けていてもよい。   According to a fourth aspect of the present invention, the substrate on which the copper film is formed on the surface may be subjected to a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process before the etching solution is supplied.

この場合、請求項５に記載のように、前記エッチング液によるエッチングにより、当該周縁部上から前記銅膜とともにその表面に残っているスラリーが除去される。   In this case, as described in claim 5, the slurry remaining on the surface of the copper film together with the copper film is removed from the peripheral portion by etching with the etchant.

請求項６に記載の発明は、表面に銅膜が形成されている基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持される前記基板の表面の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルを有し、前記エッチング液によるエッチングにより、当該周縁部上から前記銅膜を除去する除去手段とを含む、基板周縁部のエッチング処理装置である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate holding means for holding a substrate on which a copper film is formed, and an etching solution for supplying an etching solution to a peripheral portion of the surface of the substrate held by the substrate holding means An etching apparatus for a peripheral portion of a substrate, including a supply nozzle, and a removing unit that removes the copper film from the peripheral portion by etching with the etching solution.

この構成によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様の作用効果を奏することができる。   According to this structure, the effect similar to the effect described in relation to Claim 1 can be show | played.

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態の基板周縁部のエッチング処理装置であるウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。また、図２は、図１のII−II断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer cleaning apparatus which is an etching processing apparatus for a peripheral portion of a substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, with a portion omitted and a portion conceptually shown.

この装置は、ウエハＷの表面に形成された薄膜を研磨するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理が行われた後にウエハＷの表面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去するためのもので、側壁１，２，３，４によって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室５、および処理室５内においてウエハＷを水平に保持し、かつこの状態でウエハＷを回転させることができるウエハ保持装置（基板保持手段）６を備えている。   This apparatus is for removing slurry and unnecessary thin film remaining on the surface of the wafer W after CMP (Chemical Mechanical Polishing) processing for polishing the thin film formed on the surface of the wafer W is performed. A substantially rectangular processing chamber 5 surrounded by 1, 2, 3, 4 and a wafer holding device capable of horizontally holding the wafer W in the processing chamber 5 and rotating the wafer W in this state (Substrate holding means) 6 is provided.

さらに、この装置は、ウエハ保持装置６により保持されたウエハＷの上面および下面の各中央部に残っているスラリーをスクラブして除去するための両面洗浄装置（中央部洗浄手段）９、およびウエハ保持装置６により保持されたウエハＷの周縁付近の上下面および端面を含む周縁部のみを選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス（周縁部洗浄手段）３００を備えている。すなわち、周縁部洗浄ボックス３００によってウエハＷの周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜を除去するようになっている。   Furthermore, this apparatus includes a double-sided cleaning device (center cleaning means) 9 for scrubbing and removing the slurry remaining in the central portions of the upper and lower surfaces of the wafer W held by the wafer holding device 6, and the wafer. A peripheral edge cleaning box (peripheral edge cleaning means) 300 is provided for selectively cleaning only the peripheral edge including the upper and lower surfaces and the end surface near the periphery of the wafer W held by the holding device 6. In other words, the slurry and unnecessary thin film remaining on the peripheral edge of the wafer W are removed by the peripheral edge cleaning box 300.

ウエハ保持装置６は、処理室５の側壁２または４に対して直交する方向（以下「保持方向」という。）Ａに関して対向配置された一対の保持ハンド１０，３０を有している。保持ハンド１０，３０は、保持方向Ａに沿って移動可能なもので、ベース取付部１１，３１に取り付けられたベース部１２，３２と、ベース部１２，３２の上方に配置され、ウエハＷを保持するための各々３つの保持用ローラ（基板保持ピン）１３，３３とをそれぞれ有している。これらの保持用ローラ１３，３３は、ウエハＷの端面形状に対応した円周上に配置されている。ウエハＷは、保持用ローラ１３，３３の側面にその端面が当接した状態で保持される。   The wafer holding device 6 has a pair of holding hands 10 and 30 that are arranged to face each other in a direction (hereinafter referred to as “holding direction”) A orthogonal to the side wall 2 or 4 of the processing chamber 5. The holding hands 10 and 30 are movable in the holding direction A, and are arranged above the base portions 12 and 32 attached to the base attaching portions 11 and 31 and the base portions 12 and 32, respectively. Each has three holding rollers (substrate holding pins) 13 and 33 for holding. These holding rollers 13 and 33 are arranged on a circumference corresponding to the end face shape of the wafer W. The wafer W is held in a state where the end surfaces thereof are in contact with the side surfaces of the holding rollers 13 and 33.

ベース取付部１１，３１には、保持方向Ａに沿って長く形成され、側壁２，４に形成された穴１４，３４を介して側壁２，４の外側まで延びたハンド軸１５，３５の一端が連結されている。ハンド軸１５，３５の他端には、側壁２，４の外側の取付板１６，３６上に固定されたシリンダ１７，３７のロッド１８，３８が連結板１９，３９を介して取り付けられている。ロッド１８，３８は、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできるようになっている。この構成により、シリンダ１７，３７を駆動することによって、保持ハンド１０，３０を保持方向Ａに沿って互いに反対方向に進退させることができ、ウエハＷを保持用ローラ１３，３３の間で挾持したり、この挾持を解放したりすることができる。   One end of a hand shaft 15, 35 that is long in the holding direction A and extends to the outside of the side walls 2, 4 through holes 14, 34 formed in the side walls 2, 4. Are connected. The rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 fixed on the attachment plates 16 and 36 outside the side walls 2 and 4 are attached to the other ends of the hand shafts 15 and 35 via the connection plates 19 and 39. . The rods 18 and 38 can project or retract along the holding direction A. With this configuration, by driving the cylinders 17 and 37, the holding hands 10 and 30 can be advanced and retracted in the opposite directions along the holding direction A, and the wafer W is held between the holding rollers 13 and 33. Or release this possession.

なお、参照符号２０，４０は、保持ハンド１０，３０の移動とともに伸縮自在なベローズであり、両面洗浄装置９および周縁部洗浄ボックス３００において使用される第１の洗浄液および第２の洗浄液、ならびにその雰囲気が、ハンド軸１５，３５に影響を与えないようにするため、あるいは処理室５の外部に漏れるのを防ぐためのものである。また、シリンダ１７，３７のロッド１８，３８やハンド軸１５，３５から発生するパーティクルが処理室５の内部に侵入するのを防止するためのものでもある。   Reference numerals 20 and 40 are bellows which can be expanded and contracted with the movement of the holding hands 10 and 30, and the first and second cleaning liquids used in the double-sided cleaning device 9 and the peripheral edge cleaning box 300, and the same This is to prevent the atmosphere from affecting the hand shafts 15 and 35 or to prevent leakage to the outside of the processing chamber 5. Further, it is also for preventing particles generated from the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 and the hand shafts 15 and 35 from entering the inside of the processing chamber 5.

保持用ローラ１３，３３は、ウエハＷを保持した状態でウエハＷを回転させるべく、ベース部１２，３２に回転可能に設けられている。すなわち、保持用ローラ１３，３３は、ベース部１２，３２に鉛直軸まわりの回転が自在であるように支持されたローラ軸２１，４１に固定されている。ウエハＷを回転させるために必要な駆動力は、保持用ローラ３３にのみ与えられるようになっている。すなわち、保持用ローラ３３のうち中央の保持用ローラ３３ｂには、側壁４の外側に設けられたモータ取付板４２に取り付けられたモータＭ１の駆動力がベルト４３を介して伝達されるようになっている。さらに、中央の保持ローラ３３ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト４４，４５を介して他の２つの保持用ローラ３３ａ，３３ｃにも伝達されるようになっている。このように、この実施形態では、モータＭ１およびベルト４３がピン回転駆動部に対応している。 The holding rollers 13 and 33 are rotatably provided on the base portions 12 and 32 in order to rotate the wafer W while holding the wafer W. That is, the holding rollers 13 and 33 are fixed to the roller shafts 21 and 41 supported by the base portions 12 and 32 so as to be rotatable around the vertical axis. The driving force necessary for rotating the wafer W is applied only to the holding roller 33. That is, the driving force of the motor M 1 attached to the motor attachment plate 42 provided outside the side wall 4 is transmitted to the central holding roller 33 b of the holding rollers 33 via the belt 43. It has become. Further, the driving force transmitted to the central holding roller 33b is also transmitted to the other two holding rollers 33a and 33c via the belts 44 and 45. Thus, in this embodiment, the motor M 1 and the belt 43 corresponds to the pin rotation drive unit.

さらに詳述する。保持用ローラ３３ａのローラ軸４１ａは、図３に示すように、ベース部３２に形成された挿通穴４６ａを通ってベース部３２の下端部付近に形成された空間４７まで延ばされており、挿通穴４６ａに配置された２つの軸受４７ａ，４８ａを介してベース部３２に回転自在に支持されている。他の２つの保持用ローラ３３ｂ，３３ｃのローラ軸４１ｂ，４１ｃも同様に、挿通穴４６ｂ，４６ｃを通って空間４７まで延ばされ、かつ挿通穴４６ｂ，４６ｃに配置された２つの軸受４７ｂ，４８ｂ：４７ｃ，４８ｃを介してベース部３２に回転自在に支持されている。   Further details will be described. As shown in FIG. 3, the roller shaft 41a of the holding roller 33a extends through a through hole 46a formed in the base portion 32 to a space 47 formed near the lower end portion of the base portion 32. It is rotatably supported by the base portion 32 through two bearings 47a and 48a disposed in the insertion hole 46a. Similarly, the roller shafts 41b and 41c of the other two holding rollers 33b and 33c are extended to the space 47 through the insertion holes 46b and 46c, and are arranged in the insertion holes 46b and 46c. 48b: The base portion 32 is rotatably supported via 47c and 48c.

中央のローラ軸４１ｂには、３つのプーリ４９ｂ，５０ｂ，５１ｂが取り付けられている。このうち、最上段のプーリ４９ｂとモータＭ１の駆動軸５２に取り付けられたプーリ５３（図２参照）との間に、ベルト４３が巻き掛けられている。そして、残りの２つのプーリ５０ｂ，５１ｂと他の２つのローラ軸４１ｃ，４１ａにそれぞれ取り付けられたプーリ５１ｃ，５１ａとの間に、ベルト４５，４４がそれぞれ巻き掛けられている。 Three pulleys 49b, 50b, 51b are attached to the central roller shaft 41b. Of these, between the top of the pulley 49b and the pulley 53 attached to the drive shaft 52 of the motor M 1 (see FIG. 2), the belt 43 is wound. The belts 45 and 44 are respectively wound around the remaining two pulleys 50b and 51b and the pulleys 51c and 51a attached to the other two roller shafts 41c and 41a, respectively.

以上の構成により、モータＭ１によって中央の保持用ローラ３３ｂが駆動されると、これに伴って他の２つの保持用ローラ３３ａ，３３ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ１３，３３に保持されているウエハＷは回転を始める。このとき、保持用ローラ１３は、ウエハＷの回転につられて回転する。このようにして、ウエハＷは保持用ローラ１３，３３に保持された状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合におけるウエハＷの回転速度は、たとえば約１０〜２０（回転／分）である。 With the above arrangement, when the center of the holding roller 33b is driven by a motor M 1, the other two holding rollers 33a Along with this, 33c are driven. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 starts to rotate. At this time, the holding roller 13 rotates as the wafer W rotates. In this manner, the wafer W rotates along the rotation direction B while being held by the holding rollers 13 and 33. In this case, the rotation speed of the wafer W is, for example, about 10 to 20 (rotations / minute).

図２に戻って、両面洗浄装置９は、ウエハ保持装置６により保持されたウエハＷの上方および下方に配置された上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を備えている。上面洗浄部６０および下面洗浄部８０は、それぞれ、保持ハンド１０，３０に干渉しない位置に、ウエハＷの中心部から周縁部に至るウエハＷの表面領域を覆うように配置されている。   Returning to FIG. 2, the double-sided cleaning device 9 includes an upper surface cleaning unit 60 and a lower surface cleaning unit 80 disposed above and below the wafer W held by the wafer holding device 6. The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are arranged at positions where they do not interfere with the holding hands 10 and 30 so as to cover the surface area of the wafer W extending from the center portion to the peripheral portion of the wafer W.

上面洗浄部６０および下面洗浄部８０は、ウエハＷに対向する側に取付面６１，８１を有するベース部６２，８２と、ベース部６２，８２に取り付けられた回転軸６３，８３とを有し、回転駆動部６４，８４により鉛直軸方向に沿う回転軸Ｏを中心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされている。さらに、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０は、それぞれ、昇降駆動部６５，８５によって上下方向に移動できるようになっている。これにより、ウエハ洗浄時においてはウエハＷを上面洗浄部６０および下面洗浄部８０で挟み込むことができ、また、ウエハ洗浄後においては、ウエハＷから上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を離すことができるようになっている。   The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 include base units 62 and 82 having mounting surfaces 61 and 81 on the side facing the wafer W, and rotating shafts 63 and 83 mounted on the base units 62 and 82. The rotation drive units 64 and 84 can rotate along the rotation direction C around the rotation axis O along the vertical axis direction. Furthermore, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be moved in the vertical direction by the elevation drive units 65 and 85, respectively. Thus, the wafer W can be sandwiched between the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 during the wafer cleaning, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be separated from the wafer W after the wafer cleaning. It can be done.

上面ベース部６２および下面ベース部８２の各取付面６１，８１には、洗浄用ブラシ（両面スクラブ手段）６６，８６が設けられている。洗浄用ブラシ６６，８６の中央付近には、ウエハＷに第１の洗浄液を供給するための第１洗浄液供給ノズル７，８がそれぞれ配置されている。第１の洗浄液は、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、および純水を含む。   The attachment surfaces 61 and 81 of the upper surface base portion 62 and the lower surface base portion 82 are provided with cleaning brushes (double-side scrub means) 66 and 86, respectively. Near the center of the cleaning brushes 66 and 86, first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 for supplying the first cleaning liquid to the wafer W are arranged, respectively. The first cleaning liquid contains a chemical liquid such as hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia, and pure water.

第１洗浄液供給ノズル７，８には、洗浄用パイプ６７，８７が連結されている。洗浄用パイプ６７，８７は、回転軸６３，８３内に回転しないように挿通されており、その他端には、第１三方弁６８，８８を介して、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供給路６９，８９、および図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路７０，９０が接続されている。この構成により、第１三方弁６８，８８の切換えを制御することによって、洗浄用パイプ６７，８７に薬液および純水を選択的に供給でき、したがって第１洗浄液供給ノズル７，８から薬液および純水を選択的に吐出させることができる。   Cleaning pipes 67 and 87 are connected to the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8. The cleaning pipes 67 and 87 are inserted into the rotary shafts 63 and 83 so as not to rotate, and a chemical solution is guided to the other end from a chemical solution tank (not shown) via the first three-way valves 68 and 88. The chemical liquid supply paths 69 and 89 and pure water supply paths 70 and 90 through which pure water is guided from a pure water tank (not shown) are connected. With this configuration, by controlling the switching of the first three-way valves 68 and 88, the chemical solution and pure water can be selectively supplied to the cleaning pipes 67 and 87. Therefore, the chemical solution and pure water can be supplied from the first cleaning solution supply nozzles 7 and 8. Water can be selectively discharged.

なお、この実施形態では、第１洗浄液供給ノズル７，８、洗浄用パイプ６７，８７、第１三方弁６８，８８、薬液供給路６９，８９、純水供給路７０，９０が、第１洗浄液供給手段に対応している。図４は、周縁部洗浄ボックス３００の構成およびこの周縁部洗浄ボックス３００に関連する構成を示す側面図である。周縁部洗浄ボックス３００は、昇降／水平移動機構（周縁洗浄移動手段）３０１によって上下方向に移動でき、また、ウエハＷに対して近接する方向と離反する方向とに移動できるようになっている。より具体的には、周縁部洗浄ボックス３００は、昇降／水平移動機構３０１に含まれる可動板３０２の上面に固定されたボックス支持板３０３によって支持されている。昇降／水平移動機構３０１は、基台３０４を備えている。基台３０４には、上方向に向けて延びた２本のガイド軸３０５の下端部が固定されている。   In this embodiment, the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8, the cleaning pipes 67 and 87, the first three-way valves 68 and 88, the chemical liquid supply paths 69 and 89, and the pure water supply paths 70 and 90 are the first cleaning liquid. Corresponds to the supply means. FIG. 4 is a side view showing a configuration of the peripheral edge cleaning box 300 and a configuration related to the peripheral edge cleaning box 300. The peripheral edge cleaning box 300 can be moved up and down by an elevating / horizontal moving mechanism (periphery cleaning moving means) 301 and can be moved in a direction approaching and separating from the wafer W. More specifically, the peripheral edge cleaning box 300 is supported by a box support plate 303 fixed to the upper surface of the movable plate 302 included in the lifting / horizontal movement mechanism 301. The elevating / horizontal moving mechanism 301 includes a base 304. Fixed to the base 304 are lower ends of two guide shafts 305 extending upward.

ガイド軸３０５は、可動板３０２の下面に固定されたボールブッシュ３０６をスライド自在に挿通し、かつ可動板３０２およびボックス支持板３０３にそれぞれ形成された穴（図示せず）を通ってボックス支持板３０３の上方まで延び、その上端部において連結板３０７によって連結されている。基台３０４には、ロッド３０８の先端を上向きにした状態のシリンダ３０９が設けられている。可動板３０２は、このシリンダ３０９のロッド３０８によって支持されている。この構成により、シリンダ３０９のロッド３０８が上下方向に進退すれば、周縁部洗浄ボックス３００が上下方向に移動することになる。   The guide shaft 305 is slidably inserted into a ball bush 306 fixed to the lower surface of the movable plate 302, and passes through holes (not shown) formed in the movable plate 302 and the box support plate 303, respectively. It extends to above 303 and is connected by a connecting plate 307 at its upper end. The base 304 is provided with a cylinder 309 with the tip of the rod 308 facing upward. The movable plate 302 is supported by the rod 308 of the cylinder 309. With this configuration, when the rod 308 of the cylinder 309 moves back and forth in the vertical direction, the peripheral edge cleaning box 300 moves in the vertical direction.

基台３０４には、ウエハＷに近接する方向およびウエハＷから離反する方向に沿って延びたボールねじ軸３１０が螺合している。ボールねじ軸３１０にはプーリ３１１が取り付けられており、このプーリ３１１とモータＭ２の駆動軸３１２に取り付けられたプーリ３１３との間にはベルト３１４が巻き掛けられている。この構成により、モータＭ２の駆動力がベルト３１４を介してボールねじ軸３１０に伝達されると、基台３０４はウエハＷに近接する方向およびウエハＷから離反する方向に移動し、これに伴って、周縁部洗浄ボックス３００は、ウエハＷに近接する方向とウエハＷから離反する方向とに移動する。このとき、連結板３０７は、図外のレールによってウエハＷに近接する方向およびウエハＷから離反する方向に沿って案内される。 A ball screw shaft 310 extending in a direction close to the wafer W and a direction away from the wafer W is screwed to the base 304. The ball screw shaft 310 and a pulley 311 is attached, a belt 314 is wound between this pulley 311 and a pulley 313 attached to the drive shaft 312 of the motor M 2. With this configuration, when the driving force of the motor M 2 is transmitted to the ball screw shaft 310 via the belt 314, the base 304 is moved in the direction away from the direction and the wafer W adjacent to the wafer W, along with this Thus, the peripheral edge cleaning box 300 moves in a direction approaching the wafer W and a direction away from the wafer W. At this time, the connecting plate 307 is guided along a direction approaching the wafer W and a direction away from the wafer W by a rail (not shown).

周縁部洗浄ボックス３００のウエハＷに対向する対向面３００ａには、当該周縁部洗浄ボックス３００の長手方向に沿って凹部３２０が形成されており、この凹部３２０の上壁面３３０および下壁面３５０の間に、ウエハＷの周縁部を受け入れることができるようになっている。凹部３２０の上壁面３３０および下壁面３５０には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に第２の洗浄液を供給するための第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１が配設されている。第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１は、ＰＶＣ、ＰＶＤＦなどの樹脂で構成される。第２の洗浄液は、ウエハＷの周縁部に残っているスラリーを除去したり、不要な薄膜をエッチングするためのエッチング液、および純水を含む。エッチング液は、ウエハＷの周縁部に形成される薄膜の種類によって異なる種類のものが用いられる。具体的には、酸化膜（ＳｉＯ２）、アルミニウム膜（Ａｌ）、銅膜（Ｃｕ）およびタングステン膜（Ｗ）に対して、それぞれ、下記（１）〜（４）式の化学式で表したエッチング液が用いられる。 A concave portion 320 is formed along the longitudinal direction of the peripheral edge cleaning box 300 on the opposite surface 300 a of the peripheral edge cleaning box 300 facing the wafer W, and between the upper wall surface 330 and the lower wall surface 350 of the concave portion 320. In addition, the peripheral edge of the wafer W can be received. On the upper wall surface 330 and the lower wall surface 350 of the recess 320, second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 for supplying the second cleaning liquid to the peripheral portions of the upper surface and the lower surface of the wafer W are disposed. The second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 are made of a resin such as PVC or PVDF. The second cleaning liquid contains an etching liquid for removing the slurry remaining on the peripheral edge of the wafer W and etching an unnecessary thin film, and pure water. Different types of etching solutions are used depending on the type of thin film formed on the peripheral edge of the wafer W. Specifically, the etching represented by the following chemical formulas (1) to (4) for the oxide film (SiO 2 ), the aluminum film (Al), the copper film (Cu), and the tungsten film (W), respectively. Liquid is used.

ＨＦ ・・・（１）
Ｈ３ＰＯ４＋ＣＨ３ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ３ ・・・（２）
ＨＮＯ３＋ＨＣｌ または ＨＮＯ３＋ＨＦ ・・・（３）
ＣＨ３ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ３＋ＨＦ または ＨＮＯ３＋ＨＦ ・・・（４）
第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１には、液吐出路３３２，３５２の一端が接続されている。液吐出路３３２，３５２の他端には、それぞれ、第２三方弁３３３，３５３を介して、図示しないエッチング液用タンクからエッチング液が供給されるエッチング液供給路３３４，３５４、および図示しない純水用タンクから純水が供給される純水供給路３３５，３５５が接続されている。この構成により、第２三方弁３３３，３５３の切換えを制御することにより、液吐出路３３２，３５２にエッチング液および純水を選択的に供給でき、したがって第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からエッチング液および純水を選択的に吐出することができる。 HF (1)
H 3 PO 4 + CH 3 COOH + HNO 3 (2)
HNO 3 + HCl or HNO 3 + HF (3)
CH 3 COOH + HNO 3 + HF or HNO 3 + HF (4)
One ends of liquid discharge paths 332 and 352 are connected to the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351. The other ends of the liquid discharge paths 332 and 352 are connected to etching liquid supply paths 334 and 354 through which the etching liquid is supplied from an etching liquid tank (not shown) via second three-way valves 333 and 353, respectively. Pure water supply paths 335 and 355 to which pure water is supplied from the water tank are connected. With this configuration, by controlling the switching of the second three-way valves 333 and 353, the etching liquid and pure water can be selectively supplied to the liquid discharge passages 332 and 352. Therefore, the etching liquid is supplied from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351. And pure water can be selectively discharged.

また、凹部３２０の上壁面３３０および下壁面３５０には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に窒素（Ｎ２）などの不活性ガスまたはエア（以下総称して「ガス」という。）を供給するためのＰＶＣやＰＶＤＦなどの樹脂で構成されたガス供給ノズル３３６，３５６が配設されている。ガス供給ノズル３３６，３５６には、図示しないガス用タンクにその一端が接続されたガス供給路３３７，３５７の他端が接続されている。ガス供給路３３７，３５７の途中部にはガス用弁３３８，３５８が介装されている。この構成により、ガス用弁３３８，３５８の開閉を制御することにより、ガスを必要に応じてガス供給ノズル３３６，３５６から吐出させることができる。 Further, an inert gas such as nitrogen (N 2 ) or air (hereinafter collectively referred to as “gas”) is supplied to the upper wall surface 330 and the lower wall surface 350 of the recess 320 to the peripheral portions of the upper surface and the lower surface of the wafer W. Gas supply nozzles 336 and 356 made of a resin such as PVC or PVDF are disposed. The gas supply nozzles 336 and 356 are connected to the other ends of gas supply passages 337 and 357 each having one end connected to a gas tank (not shown). Gas valves 338 and 358 are interposed in the middle of the gas supply paths 337 and 357. With this configuration, the gas can be discharged from the gas supply nozzles 336 and 356 as necessary by controlling the opening and closing of the gas valves 338 and 358.

ガス供給ノズル３３６，３５６は、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１に対してウエハＷの中心に近い側に、ガスがウエハＷの周縁部に向かって吐出されるような角度で、配置されている。この構成により、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からウエハＷの上面および下面の周縁部にそれぞれ供給された薬液および純水をガスの吐出圧によってウエハＷの外側に向けて吐き出すことができる。そのため、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１から供給されたエッチング液がウエハＷの中心部に達することはない。これにより、半導体装置を作成するのに必要な薄膜が形成されたウエハＷの中央部（有効エリア）の当該薄膜がエッチングされるという不具合の発生が防止される。   The gas supply nozzles 336 and 356 are arranged on the side near the center of the wafer W with respect to the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 and at an angle such that the gas is discharged toward the peripheral edge of the wafer W. . With this configuration, the chemical solution and pure water respectively supplied from the second cleaning solution supply nozzles 331 and 351 to the peripheral portions of the upper surface and the lower surface of the wafer W can be discharged toward the outside of the wafer W by the gas discharge pressure. Therefore, the etching liquid supplied from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 does not reach the center of the wafer W. This prevents the occurrence of a problem that the thin film in the central portion (effective area) of the wafer W on which the thin film necessary for producing the semiconductor device is formed is etched.

なお、この実施形態では、ガス供給ノズル３３６，３５６、ガス供給路３３７，３５７、およびガス用弁３３８，３５８が、気体供給手段に対応している。凹部３２０の奥には、排気口３６０が形成され、この排気口３６０にはＰＶＣやＰＶＤＦなどの樹脂で構成された排気管３６１が接続されている。排気管３６１には負圧源３６２が接続されており、この負圧源３６２によってウエハＷの周縁部の雰囲気が排気管３６１に吸引されるようになっている。すなわち、排気管３６１および負圧源３６２により排気手段が構成される。これにより、ガスの吐出圧によってウエハＷの外側に吐き出される薬液および純水は、排気口３６０を介して排気管３６１内に吸引される。   In this embodiment, the gas supply nozzles 336 and 356, the gas supply paths 337 and 357, and the gas valves 338 and 358 correspond to the gas supply means. An exhaust port 360 is formed at the back of the recess 320, and an exhaust pipe 361 made of a resin such as PVC or PVDF is connected to the exhaust port 360. A negative pressure source 362 is connected to the exhaust pipe 361, and the atmosphere at the periphery of the wafer W is sucked into the exhaust pipe 361 by the negative pressure source 362. That is, the exhaust pipe 361 and the negative pressure source 362 constitute exhaust means. Thereby, the chemical solution and pure water discharged to the outside of the wafer W by the gas discharge pressure are sucked into the exhaust pipe 361 through the exhaust port 360.

排気管３６１の途中部には、液溜まり部３６３が設けられている。液溜まり部３６３からは、ドレン排出路３６４が下方に向けて延びている。この構成により、排気管３６１に導かれてきた薬液および純水は液溜まり部３６３に溜まってドレン排出路３６４から排出され、気液分離が行われる。図５は、このウエハ洗浄装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。このウエハ洗浄装置には、当該装置の制御中枢として機能するマイクロコンピュータなどで構成された制御部１００が備えられている。制御部１００は、ＲＯＭ１０１に格納された制御プログラムに従って、シリンダ１７，３７、モータＭ１、回転駆動部６４，８４、昇降駆動部６５，８５、および第１三方弁６８，８８を制御する。また、制御部１００は、シリンダ３０９、モータＭ２、第２三方弁３３３，３５３およびガス用弁３３８，３５８を制御する。 A liquid reservoir 363 is provided in the middle of the exhaust pipe 361. A drain discharge path 364 extends downward from the liquid reservoir 363. With this configuration, the chemical solution and pure water guided to the exhaust pipe 361 are accumulated in the liquid reservoir 363 and discharged from the drain discharge path 364, and gas-liquid separation is performed. FIG. 5 is a block diagram showing the main electrical configuration of the wafer cleaning apparatus. This wafer cleaning apparatus is provided with a control unit 100 composed of a microcomputer that functions as a control center of the apparatus. The control unit 100 controls the cylinders 17 and 37, the motor M 1 , the rotation drive units 64 and 84, the lift drive units 65 and 85, and the first three-way valves 68 and 88 according to a control program stored in the ROM 101. The control unit 100 includes a cylinder 309, controls the motor M 2, the second three-way valve 333,353 and gas valve 338,358.

次に、このウエハ洗浄装置の洗浄動作について説明する。洗浄前においては、保持ハンド１０，３０はウエハＷを保持する保持位置から退避した待機位置で待機し、かつ上面洗浄部６０および下面洗浄部８０も互いにウエハＷから離れた状態で待機している。前工程であるＣＭＰ処理が終了し図示しない搬送アームによってウエハＷが搬送されてくると、制御部１００は、シリンダ１７，３７のロッド１８，３８を引っ込ませる。その結果、保持ハンド１０，３０は互いに近づく。これにより、ウエハＷがその端面において保持用ローラ１３，３３に保持される。その後、制御部１００は、回転駆動部６４，８４を駆動し、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を回転させる。これと同時に、制御部１００は、第１三方弁６８，８８を制御し、薬液供給路６９，８９と洗浄用パイプ６７，８７とを接続させる。その結果、第１洗浄液供給ノズル７，８から薬液がそれぞれウエハＷの上面および下面に供給される。   Next, the cleaning operation of this wafer cleaning apparatus will be described. Prior to cleaning, the holding hands 10 and 30 stand by in a standby position retracted from the holding position for holding the wafer W, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are also in a state of being separated from the wafer W. . When the CMP process as the previous process is completed and the wafer W is transferred by a transfer arm (not shown), the control unit 100 retracts the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37. As a result, the holding hands 10 and 30 approach each other. As a result, the wafer W is held by the holding rollers 13 and 33 at its end face. Thereafter, the control unit 100 drives the rotation driving units 64 and 84 to rotate the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80. At the same time, the control unit 100 controls the first three-way valves 68 and 88 to connect the chemical solution supply channels 69 and 89 and the cleaning pipes 67 and 87. As a result, the chemical liquid is supplied from the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper surface and the lower surface of the wafer W, respectively.

その後、制御部１００は、モータＭ１を駆動する。その結果、保持用ローラ３３が回転駆動される。これに伴って、ウエハＷが低速回転する。さらに、制御部１００は、昇降駆動部６５，８５を制御し、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を互いに近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ１３，３３に保持されているウエハＷは、洗浄用ブラシ６６，８６によって挟み込まれ、洗浄用ブラシ６６，８６によりウエハＷの上面および下面が擦られる。これにより、ウエハＷの上面および下面が薬液が供給されつつ洗浄用ブラシ６６，８６によってスクラブ洗浄される。その結果、ウエハＷの上面および下面に残っていたスラリーが除去される。 Thereafter, the control unit 100 drives the motor M 1. As a result, the holding roller 33 is rotationally driven. Along with this, the wafer W rotates at a low speed. Furthermore, the control part 100 controls the raising / lowering drive parts 65 and 85, and moves the upper surface washing | cleaning part 60 and the lower surface washing | cleaning part 80 in the direction which mutually approaches. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 is sandwiched by the cleaning brushes 66 and 86, and the upper and lower surfaces of the wafer W are rubbed by the cleaning brushes 66 and 86. Thus, the upper and lower surfaces of the wafer W are scrubbed by the cleaning brushes 66 and 86 while the chemical solution is supplied. As a result, the slurry remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W is removed.

所定の時間経過後、制御部１００は、昇降駆動部６５，８５を制御し、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を互いにウエハＷから離れる方向に移動させ、ウエハＷから洗浄用ブラシ６６，８６を離れさせる。その後、第１三方弁６８，８８を制御し、洗浄用パイプ６７，８７と純水供給路７０，９０とを接続させる。その結果、第１洗浄液供給ノズル７，８から純水がウエハＷの上面および下面に供給され、ウエハＷの上面および下面に残っている薬液等が洗い流される。   After a predetermined time has elapsed, the control unit 100 controls the elevating drive units 65 and 85 to move the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 away from the wafer W, so that the cleaning brushes 66 and 86 are removed from the wafer W. To leave. Thereafter, the first three-way valves 68 and 88 are controlled to connect the cleaning pipes 67 and 87 and the pure water supply passages 70 and 90. As a result, pure water is supplied from the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper and lower surfaces of the wafer W, and the chemicals remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away.

その後、制御部１００は、第１三方弁６８，８８を制御し、第１洗浄液供給ノズル７，８からの純水の吐出を停止させ、また、回転駆動部６４，８４の駆動を停止して上面洗浄部６０および下面洗浄部８０の回転を停止させる。さらに、モータＭ１の駆動を停止させ、ウエハＷの回転を停止させる。これにより、両面洗浄装置９におけるスクラブ洗浄処理が終了する。 Thereafter, the control unit 100 controls the first three-way valves 68 and 88 to stop the discharge of pure water from the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8, and also stops the driving of the rotation driving units 64 and 84. The rotation of the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 is stopped. Furthermore, the driving of the motor M 1 is stopped to stop the rotation of the wafer W. Thereby, the scrub cleaning process in the double-sided cleaning device 9 is completed.

スクラブ洗浄処理終了後、制御部１００は、周縁部洗浄ボックス３００によるウエハＷの周縁部の洗浄処理を実行する。図６および図７は、この周縁部洗浄処理を説明するための図解図である。図６および図７において、上段側はウエハＷを側方から見たときの構成を示し、下段側はウエハＷを上方から見たときの構成を示している。   After the scrub cleaning process is completed, the control unit 100 executes the peripheral edge cleaning process of the wafer W by the peripheral edge cleaning box 300. 6 and 7 are illustrative views for explaining this peripheral edge cleaning process. 6 and 7, the upper side shows the configuration when the wafer W is viewed from the side, and the lower side shows the configuration when the wafer W is viewed from above.

周縁部洗浄ボックス３００は、両面洗浄装置９によるスクラブ洗浄が行われている間、図６（ａ）に示すように、ウエハＷから水平方向に離れた位置であって、かつウエハＷの下方の待機位置で待機している。両面洗浄装置９によるスクラブ洗浄処理が終了すると、制御部１００は、ロッド３０８が上方向に延びるように、シリンダ３０９を駆動する。その結果、周縁部洗浄ボックス３００は、上方向に移動する。シリンダ３０９の駆動は、周縁部洗浄ボックス３００の凹部３２０がウエハＷとほぼ同じ高さになるタイミングで停止される（図６（ｂ））。その後、制御部１００は、モータＭ２を駆動し、周縁部洗浄ボックス３００をウエハＷに近接する方向に向けて移動させる。このモータＭ２の駆動は、周縁部洗浄ボックス３００の凹部３２０にウエハＷの周縁部が所定の距離だけ入り込んだタイミングで停止される（図６（ｃ））。この場合、たとえば、ウエハＷのロットによって洗浄すべき周縁部の領域が異なる場合には、周縁部洗浄ボックス３００の移動量が各ウエハＷのロットに応じて調整される。これにより、周縁部洗浄前の準備が完了する。 While the scrub cleaning by the double-sided cleaning device 9 is being performed, the peripheral edge cleaning box 300 is located at a position away from the wafer W in the horizontal direction and below the wafer W as shown in FIG. Waiting at the standby position. When the scrub cleaning process by the double-sided cleaning device 9 is completed, the control unit 100 drives the cylinder 309 so that the rod 308 extends upward. As a result, the peripheral edge cleaning box 300 moves upward. The driving of the cylinder 309 is stopped at the timing when the recess 320 of the peripheral edge cleaning box 300 becomes almost the same height as the wafer W (FIG. 6B). Thereafter, the control unit 100 drives the motor M 2, is moved toward a direction approaching the peripheral edge flush box 300 to the wafer W. Driving the motor M 2, the peripheral portion of the wafer W in the recess 320 of the peripheral edge flush box 300 is stopped at intruded timing by a predetermined distance (Figure 6 (c)). In this case, for example, when the peripheral area to be cleaned differs depending on the lot of wafers W, the movement amount of the peripheral edge cleaning box 300 is adjusted according to the lot of each wafer W. Thereby, the preparation before the peripheral part cleaning is completed.

その後、制御部１００は、モータＭ１を駆動し、ウエハＷの回転を開始させる（図７（ａ））。また、第２三方弁３３３，３５３を制御し、エッチング液供給路３３４，３５４を液吐出路３３２，３５２に接続させる。その結果、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からエッチング液が吐出される。その結果、ウエハＷの周縁部に残っていたスラリーが除去されたり、不要な薄膜がエッチングされる。 Thereafter, the control unit 100 drives the motor M 1, to start the rotation of the wafer W (FIG. 7 (a)). Further, the second three-way valves 333 and 353 are controlled to connect the etching liquid supply paths 334 and 354 to the liquid discharge paths 332 and 352. As a result, the etching liquid is discharged from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351. As a result, the slurry remaining on the peripheral edge of the wafer W is removed, or unnecessary thin films are etched.

さらに、制御部１００は、エッチング液の吐出と同時に、ガス用弁３３８，３５８を開成させ、ガス供給ノズル３３６，３５６からガスを吐出させる。このガスの吐出圧によって、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１から吐出されたエッチング液がウエハＷの中心部に飛び散るのが防止されるとともに、吐出後のエッチング液がウエハＷの外側に吐き出される。一方、ウエハＷの周縁部付近の雰囲気は排気管３６１によって吸引されている。したがって、ウエハＷの外側に吐き出されたエッチング液は、排気管３６１に吸引され、液溜まり部３６３にいったん溜まった後、ドレン排出路３６４を介して排出される。また、エッチング液雰囲気は負圧源３６２側へ排出される。   Further, the control unit 100 opens the gas valves 338 and 358 simultaneously with the discharge of the etching solution, and discharges the gas from the gas supply nozzles 336 and 356. The discharge pressure of this gas prevents the etching liquid discharged from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 from scattering to the center of the wafer W, and discharges the discharged etching liquid to the outside of the wafer W. On the other hand, the atmosphere near the peripheral edge of the wafer W is sucked by the exhaust pipe 361. Therefore, the etching solution spouted to the outside of the wafer W is sucked into the exhaust pipe 361, temporarily accumulated in the liquid reservoir 363, and then discharged through the drain discharge path 364. Further, the etching solution atmosphere is discharged to the negative pressure source 362 side.

このエッチング処理が、所定のエッチング処理時間だけ、ウエハＷの全周域にわたって行われた後、制御部１００は、第２三方弁３３３，３５３を制御し、純水供給路３３５，３５５を液吐出路３３２，３５２に接続させる。その結果、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１から純水が吐出され、ウエハＷの周縁部の表面上に残っているエッチング液が洗い流される。また、液吐出路３３２，３５２に残っているエッチング液も同時に洗い流される。   After this etching process is performed over the entire circumference of the wafer W for a predetermined etching process time, the control unit 100 controls the second three-way valves 333 and 353 to discharge the pure water supply paths 335 and 355 through the liquid. Connect to paths 332 and 352. As a result, pure water is discharged from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351, and the etching liquid remaining on the peripheral surface of the wafer W is washed away. Further, the etching liquid remaining in the liquid discharge paths 332 and 352 is also washed away.

この純水洗浄処理が、所定の純水洗浄処理時間だけ、ウエハＷの全周域にわたって行われると、制御部１００は、モータＭ１を停止させてウエハＷの回転を停止させ、また、第２三方弁３３３，３５３を制御して第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からの純水の吐出を停止させ、さらに、ガス用弁３３８，３５８を閉成させてガス供給ノズル３３６，３５６からのガスの吐出を停止させる（図７（ｂ））。これにより、周縁部洗浄ボックス３００による周縁部洗浄処理が終了する。 The pure water cleaning process, for a predetermined pure water cleaning time, when carried out over the entire periphery region of the wafer W, the control unit 100, the motor M 1 is stopped to stop the rotation of the wafer W, In addition, the 2 The three-way valves 333 and 353 are controlled to stop the discharge of pure water from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351, and the gas valves 338 and 358 are closed to supply gas from the gas supply nozzles 336 and 356. Is stopped (FIG. 7B). Thereby, the peripheral edge cleaning process by the peripheral edge cleaning box 300 is completed.

周縁部洗浄処理終了後、制御部１００は、モータＭ２を駆動し、周縁部洗浄ボックス３００をウエハＷから離隔する方向に向けて移動させる（図７（ｃ））。また、ロッド３０８が引っ込むようにシリンダ３０９を駆動し、周縁部洗浄ボックス３００を下降させる（図７（ｄ））。これにより、周縁部洗浄ボックス３００は元の待機位置に戻される。 After peripheral edge cleaning process ends, the control unit 100 drives the motor M 2, is moved in a direction separating the periphery flush box 300 from the wafer W (FIG. 7 (c)). Further, the cylinder 309 is driven so that the rod 308 is retracted, and the peripheral edge cleaning box 300 is lowered (FIG. 7D). As a result, the peripheral edge cleaning box 300 is returned to the original standby position.

以上のように本実施形態によれば、ウエハＷの周縁部のみを選択的に洗浄できるようにしているから、ウエハＷの周縁部の膜質に応じた洗浄を行うことができる。したがって、ウエハＷの周縁部の不要な薄膜が残っている場合であっても、当該薄膜を確実に除去できる。また、ウエハＷの周縁部にスラリーが残っている場合であっても、当該スラリーを確実に除去できる。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生することもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウエハＷの全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体装置を提供できる。   As described above, according to the present embodiment, since only the peripheral portion of the wafer W can be selectively cleaned, cleaning according to the film quality of the peripheral portion of the wafer W can be performed. Therefore, even if an unnecessary thin film on the peripheral portion of the wafer W remains, the thin film can be reliably removed. Even if the slurry remains on the peripheral edge of the wafer W, the slurry can be reliably removed. As a result, a reaction product between the slurry and the thin film is not generated. Therefore, the entire wafer W after the CMP process can be cleaned satisfactorily. Therefore, a high-quality semiconductor device can be provided.

しかも、ウエハＷの中央部を洗浄した後にウエハＷの周縁部を洗浄するようにし、かつウエハＷの周縁部に供給され処理に供されたエッチング液等をガスの吐出圧によってウエハＷの外側に吐き出すようにしているから、ウエハＷの周縁部に供給されたエッチング液等が洗浄済のウエハＷの中央部に飛び散ることはない。したがって、ウエハＷの表面の全体を良好に洗浄することができる。   In addition, after cleaning the central portion of the wafer W, the peripheral portion of the wafer W is cleaned, and the etching solution supplied to the peripheral portion of the wafer W and used for processing is moved outside the wafer W by gas discharge pressure. Since the discharge is performed, the etching solution or the like supplied to the peripheral portion of the wafer W does not scatter to the central portion of the cleaned wafer W. Therefore, the entire surface of the wafer W can be cleaned well.

本発明の実施の一形態の説明は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば上記実施形態では、ウエハＷの中央部と周縁部とを１つの処理室５にて洗浄する場合を例にとって説明しているが、たとえばウエハＷの中央部を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にてウエハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この場合、ウエハＷの周縁部を洗浄するために、たとえば図８ないし図１０に示すようなカーテン式周縁部洗浄装置を採用してもよい。   The description of one embodiment of the present invention is as described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the central portion and the peripheral portion of the wafer W are cleaned in one processing chamber 5 has been described as an example. For example, the central portion of the wafer W is cleaned in the first processing chamber. After that, the peripheral portion of the wafer W may be cleaned in another second processing chamber. In this case, in order to clean the peripheral portion of the wafer W, for example, a curtain-type peripheral portion cleaning apparatus as shown in FIGS. 8 to 10 may be employed.

図８は、カーテン式周縁部洗浄装置を側方から見た概念図であり、図９は、カーテン式周縁部洗浄装置を上方から見た概念図である。このカーテン式周縁部洗浄装置は、ウエハＷの下面の中央部を真空吸着してウエハＷを保持し、かつ回転させるバキュームチャック４００と、このバキュームチャック４００に保持されたウエハＷの上方および下方に配置された一対のマニホールド４０１と、排気口４０２を有し、バキュームチャック４００に保持されたウエハＷの端面に対向して排気口４０２が位置するように配置された排気管４０３とを備えている。   FIG. 8 is a conceptual diagram of the curtain-type peripheral edge cleaning device as viewed from the side, and FIG. 9 is a conceptual diagram of the curtain-type peripheral edge cleaning device as viewed from above. This curtain-type peripheral edge cleaning apparatus vacuum-sucks the central portion of the lower surface of the wafer W to hold and rotate the wafer W, and above and below the wafer W held on the vacuum chuck 400. A pair of manifolds 401 arranged and an exhaust port 402 are provided, and an exhaust pipe 403 is disposed so that the exhaust port 402 is positioned so as to face the end surface of the wafer W held by the vacuum chuck 400. .

マニホールド４０１は、図１０に示すように、ウエハＷの端面の形状に対応した円環状のもので、ウエハＷに対向する一対の面４０１ａには、ともに複数の洗浄液供給ノズル４０４およびガス供給ノズル４０５が設けられている。洗浄液供給ノズル４０４からは、洗浄液供給路４０６を介して供給されるエッチング液および純水を選択的に吐出することができるようになっている。すなわち、ウエハＷの周縁部に上下方向からカーテン状にエッチング液および純水を選択的に供給することができるようになっている。また、ガス供給ノズル４０５からは、ガス供給路４０７を介して供給されるガスを吐出することができるようになっている。ガス供給ノズル４０５におけるガス吐出方向は、図８に示すように、ウエハＷの周縁部に向く方向とされている。これにより、洗浄液供給ノズル４０４からウエハＷの周縁部に供給されたエッチング液および純水をガスの吐出圧によってウエハＷの外側に向けて吐き出すことができるようになっている。   As shown in FIG. 10, the manifold 401 has an annular shape corresponding to the shape of the end surface of the wafer W, and a plurality of cleaning liquid supply nozzles 404 and gas supply nozzles 405 are provided on a pair of surfaces 401 a facing the wafer W. Is provided. From the cleaning liquid supply nozzle 404, the etching liquid and pure water supplied through the cleaning liquid supply path 406 can be selectively discharged. That is, the etchant and pure water can be selectively supplied to the peripheral edge of the wafer W from above and below in the form of a curtain. The gas supply nozzle 405 can discharge the gas supplied through the gas supply path 407. The gas discharge direction in the gas supply nozzle 405 is a direction toward the peripheral edge of the wafer W as shown in FIG. Thus, the etching solution and pure water supplied from the cleaning solution supply nozzle 404 to the peripheral portion of the wafer W can be discharged toward the outside of the wafer W by the gas discharge pressure.

排気管４０３は、図９に示すように、ウエハＷの周囲に３つ備えられ、平面視においてウエハＷの端面形状に対応した円弧状のものである。各排気管４０３は、水平駆動部４０８によってウエハＷに近接する方向とウエハＷから離反する方向とに移動できるようになっている。この構成により、ウエハＷが搬送されてくる際に当該ウエハＷの邪魔にならないように排気管４０３を処理位置から退避させておくことができ、また処理時には排気管４０３をウエハＷ近傍の処理位置に配置させることができる。また、排気管４０３は図示しない負圧源に接続されており、ウエハＷの周縁部周辺の雰囲気を吸引するようになっている。   As shown in FIG. 9, three exhaust pipes 403 are provided around the wafer W, and have an arc shape corresponding to the end face shape of the wafer W in a plan view. Each exhaust pipe 403 can be moved in a direction close to the wafer W and a direction away from the wafer W by a horizontal driving unit 408. With this configuration, the exhaust pipe 403 can be retracted from the processing position so as not to interfere with the wafer W when the wafer W is transferred, and the exhaust pipe 403 is disposed near the wafer W during processing. Can be arranged. The exhaust pipe 403 is connected to a negative pressure source (not shown) so as to suck the atmosphere around the periphery of the wafer W.

処理時には、ウエハＷはバキュームチャック４００に保持された状態で回転させられる。また、洗浄液供給ノズル４０４からエッチング液が吐出され、かつガス供給ノズル４０５からガスが吐出される。その結果、洗浄液供給ノズル４０４から吐出されるエッチング液によってウエハＷの周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜が除去され、このときにウエハＷに供給されたエッチング液はガスの吐出圧によってウエハＷの外側に向けて吐き出される。この吐き出されたエッチング液は排気口４０２を介して排気管４０３に吸引され、機外に排出される。その後、洗浄液供給ノズル４０４から純水が吐出され、ウエハＷ表面上に残っているエッチング液が洗い流される。   During processing, the wafer W is rotated while being held by the vacuum chuck 400. Further, the etching liquid is discharged from the cleaning liquid supply nozzle 404 and the gas is discharged from the gas supply nozzle 405. As a result, the slurry and unnecessary thin film remaining on the peripheral edge of the wafer W are removed by the etching liquid discharged from the cleaning liquid supply nozzle 404, and the etching liquid supplied to the wafer W at this time is removed from the wafer by the gas discharge pressure. It is exhaled toward the outside of W. The discharged etchant is sucked into the exhaust pipe 403 through the exhaust port 402 and discharged outside the apparatus. Thereafter, pure water is discharged from the cleaning liquid supply nozzle 404, and the etching liquid remaining on the surface of the wafer W is washed away.

このように、この構成によっても、ウエハＷの中央部と周縁部とを選択的に洗浄することができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の不具合を解消でき、ウエハＷの表面の全体を良好に洗浄できる。また、上記実施形態では、図１から図７までに示すように、ウエハＷを６つの保持用ローラ１３，３３によって保持する構成を例にとって説明しているが、ウエハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３つ以上あればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラのうちいずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するようにしてもよい。この構成によっても、ウエハＷを端面にて保持しつつ回転させることができる。   As described above, even with this configuration, the central portion and the peripheral portion of the wafer W can be selectively cleaned, so that defects such as film residue can be eliminated and the surface of the wafer W can be eliminated. The whole can be washed well. In the above embodiment, as shown in FIGS. 1 to 7, the configuration in which the wafer W is held by the six holding rollers 13 and 33 is described as an example. However, for holding, the wafer W should be held. There may be at least three or more rollers. In this case, the driving force may be transmitted only to any one of the three or more holding rollers. Also with this configuration, the wafer W can be rotated while being held at the end face.

さらに、上記実施形態では、ウエハＷの中央部と周縁部との洗浄を別タイミングで行うようにしているが、たとえばウエハＷの中央部および周縁部を同じ種類の液を用いてそれぞれ物理的および化学的に洗浄するというような場合には、上記洗浄を同時に行うようにしてもよい。さらにまた、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後のウエハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明しているが、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウエハＷの中央部と周縁部とを選択的に洗浄する必要のある場合に広く適用することができる。   Further, in the above-described embodiment, the central portion and the peripheral portion of the wafer W are cleaned at different timings. For example, the central portion and the peripheral portion of the wafer W are respectively physically and In the case of chemical cleaning, the above cleaning may be performed simultaneously. Furthermore, in the above embodiment, the case where the wafer W after the CMP process is cleaned has been described as an example. However, the present invention is not limited to the process after the CMP process, and the center part and the peripheral part of the wafer W are selected. It can be widely applied when it is necessary to clean.

さらに、上記実施形態では、ウエハＷの洗浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができる。その他、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   Furthermore, although the case where the wafer W is cleaned has been described in the above embodiment, the present invention cleans various other substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a plasma display panel (PDP) substrate. Can be widely applied to. In addition, various design changes can be made within the scope described in the claims.

本発明の一実施形態の基板周縁部のエッチング処理装置であるウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer cleaning apparatus which is an etching processing apparatus of the board | substrate peripheral part of one Embodiment of this invention. 図１のII−II断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。It is II-II sectional drawing of FIG. 1, a part is abbreviate | omitted and a part is shown notionally. 保持用ローラの駆動機構を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the drive mechanism of a holding roller. 周縁部洗浄ボックスの構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of a peripheral part cleaning box. ウエハ洗浄装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main electrical structures of a wafer cleaning apparatus. ウエハ周縁部洗浄処理を説明するための図解図である。It is an illustration for demonstrating a wafer peripheral part cleaning process. 同じく、ウエハ周縁部洗浄処理を説明するための図解図である。Similarly, it is an illustrative view for explaining a wafer peripheral edge cleaning process. 本発明の他の実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の側方から見た構成を示す図である。It is a figure which shows the structure seen from the side of the wafer cleaning apparatus which is the substrate processing apparatus of other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の上方から見た構成を示す図である。It is a figure which shows the structure seen from the upper direction of the wafer cleaning apparatus which is the substrate processing apparatus of other embodiment of this invention. マニホールドの構成を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the structure of a manifold. 従来の装置の構成を上方から見た図である。It is the figure which looked at the structure of the conventional apparatus from upper direction. 従来の装置の構成を側方から見た図である。It is the figure which looked at the structure of the conventional apparatus from the side. ウエハの中央部および周縁部を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the center part and peripheral part of a wafer.

符号の説明Explanation of symbols

６ ウエハ保持装置（基板保持手段）
３３１ 第２洗浄液供給ノズル（エッチング液供給ノズル）
３３２ 液吐出路（除去手段）
３３３ 第２三方弁（除去手段）
３３４ エッチング液供給路（除去手段）
Ｗ ウエハ（基板） 6 Wafer holding device (substrate holding means)
331 Second cleaning liquid supply nozzle (etching liquid supply nozzle)
332 Liquid discharge path (removal means)
333 Second three-way valve (removal means)
334 Etching solution supply path (removal means)
W Wafer (Substrate)

Claims (6)

表面に銅膜が形成されている基板を保持する工程と、
前記基板の表面の周縁部にエッチング液を供給して、前記エッチング液によるエッチングにより、当該周縁部上から前記銅膜を除去する工程とを含む、基板周縁部のエッチング処理方法。 A step of holding a substrate having a copper film formed on the surface;
A substrate peripheral portion etching method, comprising: supplying an etchant to a peripheral portion of the surface of the substrate, and removing the copper film from the peripheral portion by etching with the etchant. 前記基板が回転されつつ、前記基板の表面の周縁部に前記エッチング液が供給される、請求項１に記載の基板周縁部のエッチング処理方法。   The substrate peripheral portion etching method according to claim 1, wherein the etching solution is supplied to a peripheral portion of a surface of the substrate while the substrate is rotated. 前記エッチング液は、硝酸と塩酸との混合液、または、硝酸と弗酸との混合液である、請求項１または２に記載の基板周縁部のエッチング処理方法。   3. The method for etching a peripheral portion of a substrate according to claim 1, wherein the etching solution is a mixed solution of nitric acid and hydrochloric acid or a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid. 前記表面に銅膜が形成されている基板は、前記エッチング液が供給される前に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を受けている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板周縁部のエッチング処理方法。   The substrate periphery according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate on which the copper film is formed has undergone a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process before the etching solution is supplied. Etching process method. 前記エッチング液によるエッチングにより、当該周縁部上から前記銅膜とともにその表面に残っているスラリーが除去される、請求項４に記載の基板周縁部のエッチング処理方法。   The etching process method of the peripheral part of a board | substrate of Claim 4 by which the slurry which remains on the surface with the said copper film is removed from the said peripheral part by the etching by the said etching liquid. 表面に銅膜が形成されている基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持される前記基板の表面の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルを有し、前記エッチング液によるエッチングにより、当該周縁部上から前記銅膜を除去する除去手段とを含む、基板周縁部のエッチング処理装置。 Substrate holding means for holding a substrate having a copper film formed on the surface;
Removing means for removing the copper film from the periphery by etching with the etchant, the etching solution supplying nozzle supplying an etchant to the periphery of the surface of the substrate held by the substrate holding means; An etching processing apparatus for a peripheral portion of a substrate.
JP2008334624A 2008-12-26 2008-12-26 Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part Pending JP2009094534A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008334624A JP2009094534A (en) 2008-12-26 2008-12-26 Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008334624A JP2009094534A (en) 2008-12-26 2008-12-26 Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03051197A Division JP4271267B2 (en) 1997-02-14 1997-02-14 Substrate processing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009094534A true JP2009094534A (en) 2009-04-30

Family

ID=40666115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008334624A Pending JP2009094534A (en) 2008-12-26 2008-12-26 Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009094534A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112005344A (en) * 2018-04-27 2020-11-27 东京毅力科创株式会社 Substrate processing system and substrate processing method

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5352252A (en) * 1976-10-25 1978-05-12 Nippon Soda Co Method of chemically treating surface of copper based alloy
JPS5994425A (en) * 1982-11-19 1984-05-31 Nec Kyushu Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS62264626A (en) * 1986-05-12 1987-11-17 Nec Kyushu Ltd Wet etching apparatus
JPH04345029A (en) * 1991-05-22 1992-12-01 Toshiba Corp Semiconductor wafer cleaning device
JPH0657455A (en) * 1992-08-11 1994-03-01 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Liquid chemical abrasive for brass
JPH06120192A (en) * 1992-10-01 1994-04-28 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Both side scrubbing washing device
JPH06208948A (en) * 1993-01-11 1994-07-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate edge cleaning device
JPH0786216A (en) * 1993-09-17 1995-03-31 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPH07142439A (en) * 1993-11-12 1995-06-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Method and equipment for cleaning semiconductor wafer
JPH07263394A (en) * 1994-03-17 1995-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate edge processor

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5352252A (en) * 1976-10-25 1978-05-12 Nippon Soda Co Method of chemically treating surface of copper based alloy
JPS5994425A (en) * 1982-11-19 1984-05-31 Nec Kyushu Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS62264626A (en) * 1986-05-12 1987-11-17 Nec Kyushu Ltd Wet etching apparatus
JPH04345029A (en) * 1991-05-22 1992-12-01 Toshiba Corp Semiconductor wafer cleaning device
JPH0657455A (en) * 1992-08-11 1994-03-01 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Liquid chemical abrasive for brass
JPH06120192A (en) * 1992-10-01 1994-04-28 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Both side scrubbing washing device
JPH06208948A (en) * 1993-01-11 1994-07-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate edge cleaning device
JPH0786216A (en) * 1993-09-17 1995-03-31 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPH07142439A (en) * 1993-11-12 1995-06-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Method and equipment for cleaning semiconductor wafer
JPH07263394A (en) * 1994-03-17 1995-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate edge processor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112005344A (en) * 2018-04-27 2020-11-27 东京毅力科创株式会社 Substrate processing system and substrate processing method
CN112005344B (en) * 2018-04-27 2023-11-17 东京毅力科创株式会社 Substrate processing system and substrate processing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI286782B (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium with recorded program using for the method
JP5279463B2 (en) Single substrate processing apparatus and method
JP4271267B2 (en) Substrate processing method
JP4255459B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR20100059359A (en) Substrate supporting unit, and apparatus and method for polishing substrate using the same
TW201330148A (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP2001070896A (en) Substrate washing device
JP4451429B2 (en) Cleaning device
JP2021185628A (en) Ultrasonic cleaning device and cleaning equipment cleaning device
JP4308832B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP2001212531A (en) Cleaning device
JP3974340B2 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JP4285697B2 (en) Substrate processing method
JP2010080840A (en) Rotary processing device, rotary processing system, and rotary processing method
JP2009094534A (en) Etching treatment method of substrate peripheral edge part, and etching treatment apparatus of substrate peripheral edge part
KR100871821B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP2004247746A (en) Substrate processing equipment
JP4031613B2 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
JP2011066198A (en) Grinding processing device
JP2002319562A (en) Device and method for processing substrate
JP2004214695A (en) Apparatus and method for processing substrate
JP2005123648A (en) Substrate processing apparatus
JP2002319560A (en) Device and method for processing substrate
JP2004200724A (en) Substrate treating equipment and substrate treating method
JP4242396B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100630

A977 Report on retrieval

Effective date: 20110930

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111006

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111128

A02 Decision of refusal

Effective date: 20111222

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02