JP2004200724A - Substrate treating equipment and substrate treating method - Google Patents

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伊雄 岡本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating equipment and a substrate treating method capable of well cleaning the central part and periphery of a substrate. <P>SOLUTION: First cleaning liquid feeding nozzles 7, 8 which can feed liquid containing hydrofluoric acid or the like to a wafer W are each disposed in the vicinity of the center of cleaning brushes 66, 86 disposed above and under the wafer W. Further, second cleaning liquid feeding nozzles which can feed the liquid containing hydrofluoric acid or the like to remove slurry from the periphery and to perform etching on unnecessary films in the periphery or the like are disposed around the peripheries of the upper and lower surfaces of the wafer W in a peripheral section cleaning box 300 for selectively cleaning the periphery of the wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）基板のような各種の基板に処理を施すための装置および方法に関する。   The present invention relates to an apparatus and a method for performing processing on various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a PDP (plasma display panel) substrate.

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ自体の表面およびウエハ表面に形成された薄膜の表面を清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエハの洗浄が行われる。たとえば、ウエハの表面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて研磨した後には、研磨剤（スラリー）がウエハ表面に残留しているから、このスラリーを除去する必要がある。   The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”). Since the surface of the wafer itself and the surface of the thin film formed on the wafer surface need to be kept clean for microfabrication, the wafer is cleaned as necessary. For example, after a thin film formed on the surface of a wafer is polished with an abrasive, the slurry (slurry) needs to be removed because the abrasive (slurry) remains on the wafer surface.

上述のようなウエハの洗浄を行うための従来技術の概念的な構成は、図１１および図１２に示されている。すなわち、ウエハＷの端面が一対の端面支持ハンド２１０，２１１によって挟持されることにより、ウエハＷの支持が達成されている。そして、ウエハＷの上面は、円板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブラシ２１３とからなるスクラブ洗浄部材２１４によってスクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１３の接触面２１８がウエハＷの上面に接触した状態で、スクラブ洗浄部材２１４が図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１３のほぼ中心に配置されたノズル２２０から洗浄液が吐出されて、ウエハＷの上面がスクラブ洗浄される。また、ウエハＷの下面も同様に、円板状のベース部２１５とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１６とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ２１６の接触面２１９がウエハＷの下面に接触した状態で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１６のほぼ中心に配置されたノズル２２１から洗浄液が吐出されて、ウエハＷの下面がスクラブ洗浄される。   FIGS. 11 and 12 show a conceptual configuration of the related art for cleaning a wafer as described above. That is, the wafer W is supported by the end faces of the wafer W being sandwiched by the pair of end face support hands 210 and 211. Then, the upper surface of the wafer W is scrub-cleaned by a scrub cleaning member 214 including a disk-shaped base portion 212 and a cleaning brush 213 fixed to the lower surface. That is, in a state where the contact surface 218 of the cleaning brush 213 is in contact with the upper surface of the wafer W, the scrub cleaning member 214 is rotated by a rotation driving mechanism (not shown), and the scrub cleaning member 214 is moved from the nozzle 220 disposed substantially at the center of the cleaning brush 213. The cleaning liquid is discharged, and the upper surface of the wafer W is scrubbed. Similarly, on the lower surface of the wafer W, a scrub cleaning member 217 composed of a disk-shaped base portion 215 and a cleaning brush 216 fixed on the upper surface thereof is used, and the contact surface 219 of the cleaning brush 216 is In a state of being in contact with the lower surface, the cleaning liquid is rotated by a rotation driving mechanism (not shown), and the cleaning liquid is discharged from a nozzle 221 disposed substantially at the center of the cleaning brush 216, so that the lower surface of the wafer W is scrubbed.

なお、この構成において、端面支持ハンド２１０，２１１は、ウエハＷを保持しつつ、図１１に示すようにウエハＷの中心ＯＷが円軌道を描くように、ウエハＷを円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、ウエハＷのほぼ全面に接触することとなるから、ウエハＷのほぼ全面をスクラブ洗浄できる。
特開平６−２７５５８６号公報 In this configuration, the end face supporting hands 210 and 211 move the wafer W in a circular motion while holding the wafer W such that the center OW of the wafer W follows a circular orbit as shown in FIG. As a result, since the contact surfaces 218 and 219 come into contact with almost the entire surface of the wafer W, scrub cleaning can be performed on almost the entire surface of the wafer W.
JP-A-6-275586

ところで、ウエハＷは、一般に、その表面全体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１３に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがって、ウエハの表面上に薄膜をパターン形成していくと、ウエハＷの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、ウエハＷの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要がある。   Incidentally, the entire surface of the wafer W is generally not used for forming a semiconductor device. As shown in FIG. 13, only a central portion 233 excluding a peripheral portion 232 including an upper and lower surface 230 and an end surface 231 near the peripheral edge. Is an effective area used for forming a semiconductor device. Therefore, when a thin film is patterned on the surface of the wafer, the central portion 233 and the peripheral portion 232 of the wafer W have different film quality such as film thickness and film hardness. Therefore, it is normally necessary to change the way of cleaning the central part 233 of the wafer W and the way of cleaning the peripheral part 232. For example, it is necessary to remove the slurry remaining in the central portion 233 and to remove the slurry remaining in the peripheral portion 232 and unnecessary thin films by changing the type and concentration of the cleaning liquid used.

しかし、上記従来技術の構成では、エッチング処理によるウエハＷの薄膜に対するパターン形成において、ウエハＷの中央部の有効エリア内にのみ注意が払われているから、ウエハＷの周縁部２３２にエッチング不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜となる場合がある。
また、ウエハＷは一対の端面支持ハンド２１０，２１１によって挟持されるから、ウエハＷは、常時一定位置で保持される。このため、この保持位置周辺には、洗浄用ブラシ２１３，２１６が侵入することができないので、ウエハＷの周縁部２３２の全域を洗浄することが不可能となり、スラリーがウエハＷの周縁部２３２に残ってしまうことがある。 However, in the above-described configuration of the related art, in forming a pattern on the thin film of the wafer W by the etching process, attention is paid only to the effective area at the center of the wafer W. May remain, which may become an unnecessary thin film.
Further, since the wafer W is sandwiched between the pair of end surface support hands 210 and 211, the wafer W is always held at a fixed position. For this reason, since the cleaning brushes 213 and 216 cannot enter the periphery of the holding position, it becomes impossible to clean the entire peripheral edge portion 232 of the wafer W, and the slurry is transferred to the peripheral edge portion 232 of the wafer W. It may remain.

もしも、ウエハＷの周縁部２３２に不要な薄膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリーとが反応し、その結果生成された物質がウエハＷの周縁部２３２に残る場合もある。
このように、上記従来技術の構成においては、ウエハＷの周縁部２３２に、不要な薄膜やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るという不具合がある。この場合、これらの物質はパーティクルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題となっていた。 If an unnecessary thin film and slurry remain on the peripheral portion 232 of the wafer W, the thin film and the slurry react with each other, and the resulting substance may remain on the peripheral portion 232 of the wafer W.
As described above, in the configuration of the above-described conventional technique, there is a problem that an unnecessary thin film or slurry or a reaction product of the thin film and the slurry remains on the peripheral portion 232 of the wafer W. In this case, since these substances become particles, the yield is reduced in the manufacturing process of the semiconductor device, which has been a serious problem.

そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板の中央部および周縁部を良好に洗浄できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of satisfactorily cleaning a central portion and a peripheral portion of a substrate.

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を回転させる基板回転手段と、この基板回転手段によって回転される基板の中央部に洗浄液を供給するための第１洗浄液供給手段と、上記基板回転手段によって回転される基板の周縁部に上記洗浄液と同種の洗浄液を供給するための第２洗浄液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate rotating means for rotating a substrate, and a first cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to a central portion of the substrate rotated by the substrate rotating means. And a second cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid of the same type as the cleaning liquid to a peripheral portion of the substrate rotated by the substrate rotation means.

この発明によれば、基板の中央部に洗浄液を供給することができ、この洗浄液によって、基板の中央部を良好に洗浄することができる。また、基板の中央部に供給する洗浄液と同種の洗浄液を基板の周縁部に供給することができ、その洗浄液によって、基板の周縁部を良好に洗浄することができる。
上記洗浄液は、請求項２に記載のように、酸であってもよいし、請求項３ないし７に記載のように、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸または酢酸を含むものであってもよい。また、請求項８に記載のように、純水であってもよい。 According to the present invention, the cleaning liquid can be supplied to the central portion of the substrate, and the cleaning liquid can satisfactorily clean the central portion of the substrate. Further, a cleaning liquid of the same type as the cleaning liquid supplied to the central portion of the substrate can be supplied to the peripheral portion of the substrate, and the peripheral portion of the substrate can be satisfactorily cleaned by the cleaning liquid.
The cleaning solution may be an acid as described in claim 2 or a solution containing hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid or acetic acid as described in claims 3 to 7. Good. Further, as described in claim 8, pure water may be used.

上記第１液供給手段は、請求項９に記載のように、基板の表面の中央部に洗浄液を供給するためのノズルを含んでいてもよいし、請求項１０に記載のように、基板の裏面の中央部に洗浄液を供給するためのノズルを含んでいてもよい。
上記第２液供給手段は、請求項１１に記載のように、基板の表面の周縁部に洗浄液を供給するためのノズルを含んでいてもよい。 The first liquid supply means may include a nozzle for supplying a cleaning liquid to a central portion of the surface of the substrate, as described in claim 9, or as described in claim 10, A nozzle for supplying the cleaning liquid may be included in the center of the back surface.
The second liquid supply means may include a nozzle for supplying a cleaning liquid to a peripheral portion of the surface of the substrate.

請求項１２に記載の発明は、上記基板処理装置は、ＣＭＰ処理後の基板を洗浄するものであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置である。
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理では、基板の表面に形成された薄膜が研磨剤を用いて研磨されるから、このＣＭＰ処理後の基板の表面には、研磨剤がスラリーとして残っていたり、不要な薄膜が残っていたりする。 According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the substrate processing apparatus cleans the substrate after the CMP processing.
In a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process, a thin film formed on the surface of the substrate is polished using an abrasive, so that the abrasive remains on the surface of the substrate after the CMP process as slurry or becomes unnecessary. A thin film remains.

請求項１２の発明によれば、ＣＭＰ処理後の基板の中央部および周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜を良好に除去することができる。よって、高品質な半導体装置を提供できる。
請求項１３に記載の発明は、基板を回転させる基板回転工程と、この基板回転工程中に、基板の中央部に洗浄液を供給する第１洗浄液供給工程と、上記基板回転工程中に、基板の周縁部に上記洗浄液と同種の洗浄液を供給する第２洗浄液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。 According to the twelfth aspect of the present invention, it is possible to satisfactorily remove the slurry and the unnecessary thin film remaining in the central part and the peripheral part of the substrate after the CMP processing. Therefore, a high-quality semiconductor device can be provided.
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate rotating step of rotating a substrate, a first cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to a central portion of the substrate during the substrate rotating step, and a step of rotating the substrate during the substrate rotating step. A second cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid of the same type as the cleaning liquid to the peripheral portion.

この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
なお、請求項１４に記載のように、上記第１洗浄液供給工程および上記第２洗浄液供給工程は、同時に行われてもよい。
また、上記洗浄液は、請求項１５に記載のように、酸であってもよいし、請求項１６ないし２０に記載のように、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸または酢酸を含むものであってもよい。また、請求項２１に記載のように、純水であってもよい。 According to this method, the same effect as the effect described in claim 1 can be obtained.
In addition, as described in claim 14, the first cleaning liquid supply step and the second cleaning liquid supply step may be performed simultaneously.
Further, the cleaning liquid may be an acid as described in claim 15, or may include hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid or acetic acid as described in claims 16 to 20. You may. Further, as described in claim 21, pure water may be used.

さらに、上記第１液供給工程は、請求項２２に記載のように、基板の表面の中央部に洗浄液を供給する工程を含んでいてもよいし、請求項２３に記載のように、基板の裏面の中央部に洗浄液を供給する工程を含んでいてもよい。
上記第２液供給工程は、請求項２４に記載のように、基板の表面の周縁部に洗浄液を供給する工程を含んでいてもよい。 Further, the first liquid supply step may include a step of supplying a cleaning liquid to a central portion of the surface of the substrate as described in claim 22, or as described in claim 23, The method may include a step of supplying a cleaning liquid to a central portion of the back surface.
The second liquid supply step may include a step of supplying a cleaning liquid to a peripheral portion of the surface of the substrate, as described in claim 24.

請求項２５に記載の発明は、上記基板回転工程は、ＣＭＰ処理後の基板を回転させる工程であることを特徴とする請求項１３ないし２４のいずれかに記載の基板処理方法である。
この方法によれば、請求項１２に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 The invention according to claim 25 is the substrate processing method according to any one of claims 13 to 24, wherein the substrate rotating step is a step of rotating the substrate after the CMP processing.
According to this method, the same effect as the effect described in claim 12 can be obtained.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。また、図２は、図１のII−II断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。
この装置は、ウエハＷの表面に形成された薄膜を研磨するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理が行われた後にウエハＷの表面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去するためのもので、側壁１，２，３，４によって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室５、および処理室５内においてウエハＷを水平に保持し、かつこの状態でウエハＷを回転させることができるウエハ保持装置６を備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer cleaning apparatus which is a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, with some parts omitted and some parts conceptually shown.
This apparatus removes slurry and unnecessary thin films remaining on the surface of the wafer W after a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process for polishing a thin film formed on the surface of the wafer W is performed. A processing chamber 5 that is substantially rectangular in plan view and surrounded by 1, 2, 3, and 4, and a wafer holding device that can horizontally hold the wafer W in the processing chamber 5 and rotate the wafer W in this state 6 is provided.

さらに、この装置は、ウエハ保持装置６により保持されたウエハＷの上面および下面の各中央部に残っているスラリーをスクラブして除去するための両面洗浄装置９、およびウエハ保持装置６により保持されたウエハＷの周縁付近の上下面および端面を含む周縁部のみを選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００を備えている。すなわち、周縁部洗浄ボックス３００によってウエハＷの周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜を除去するようになっている。   Further, this apparatus is held by a double-sided cleaning apparatus 9 for scrubbing and removing the slurry remaining in each central portion of the upper surface and the lower surface of the wafer W held by the wafer holding apparatus 6, and the wafer holding apparatus 6. A peripheral edge cleaning box 300 for selectively cleaning only the peripheral portion including the upper and lower surfaces and the end surface near the peripheral edge of the wafer W is provided. That is, the peripheral edge cleaning box 300 removes slurry and unnecessary thin films remaining on the peripheral edge of the wafer W.

ウエハ保持装置６は、処理室５の側壁２または４に対して直交する方向（以下「保持方向」という。）Ａに関して対向配置された一対の保持ハンド１０，３０を有している。保持ハンド１０，３０は、保持方向Ａに沿って移動可能なもので、ベース取付部１１，３１に取り付けられたベース部１２，３２と、ベース部１２，３２の上方に配置され、ウエハＷを保持するための各々３つの保持用ローラ１３，３３とをそれぞれ有している。これらの保持用ローラ１３，３３は、ウエハＷの端面形状に対応した円周上に配置されている。ウエハＷは、保持用ローラ１３，３３の側面にその端面が当接した状態で保持される。   The wafer holding device 6 includes a pair of holding hands 10 and 30 that are opposed to each other in a direction A (hereinafter, referred to as a “holding direction”) orthogonal to the side wall 2 or 4 of the processing chamber 5. The holding hands 10 and 30 are movable in the holding direction A, and are disposed above the bases 12 and 32 attached to the base attachments 11 and 31 and the bases 12 and 32, respectively. It has three holding rollers 13 and 33 for holding, respectively. These holding rollers 13 and 33 are arranged on a circumference corresponding to the shape of the end face of the wafer W. The wafer W is held in a state where the end surfaces thereof are in contact with the side surfaces of the holding rollers 13 and 33.

ベース取付部１１，３１には、保持方向Ａに沿って長く形成され、側壁２，４に形成された穴１４，３４を介して側壁２，４の外側まで延びたハンド軸１５，３５の一端が連結されている。ハンド軸１５，３５の他端には、側壁２，４の外側の取付板１６，３６上に固定されたシリンダ１７，３７のロッド１８，３８が連結板１９，３９を介して取り付けられている。ロッド１８，３８は、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできるようになっている。この構成により、シリンダ１７，３７を駆動することによって、保持ハンド１０，３０を保持方向Ａに沿って互いに反対方向に進退させることができ、ウエハＷを保持用ローラ１３，３３の間で挾持したり、この挾持を解放したりすることができる。   One end of each of hand shafts 15 and 35 formed in base mounting portions 11 and 31 along the holding direction A and extending to the outside of side walls 2 and 4 via holes 14 and 34 formed in side walls 2 and 4. Are connected. Rods 18, 38 of cylinders 17, 37 fixed on mounting plates 16, 36 outside the side walls 2, 4 are attached to the other ends of the hand shafts 15, 35 via connecting plates 19, 39. . The rods 18 and 38 can be protruded or retracted along the holding direction A. With this configuration, by driving the cylinders 17 and 37, the holding hands 10 and 30 can be moved back and forth in the opposite directions along the holding direction A, and the wafer W is held between the holding rollers 13 and 33. Or release the pinch.

なお、参照符号２０，４０は、保持ハンド１０，３０の移動とともに伸縮自在なベローズであり、両面洗浄装置９および周縁部洗浄ボックス３００において使用される第１の洗浄液および第２の洗浄液、ならびにその雰囲気が、ハンド軸１５，３５に影響を与えないようにするため、あるいは処理室５の外部に漏れるのを防ぐためのものである。また、シリンダ１７，３７のロッド１８，３８やハンド軸１５，３５から発生するパーティクルが処理室５の内部に侵入するのを防止するためのものでもある。   Reference numerals 20 and 40 denote bellows that can expand and contract with the movement of the holding hands 10 and 30. The first cleaning liquid and the second cleaning liquid used in the double-side cleaning device 9 and the peripheral edge cleaning box 300, and the same. The purpose is to prevent the atmosphere from affecting the hand shafts 15 and 35 or to prevent the atmosphere from leaking out of the processing chamber 5. Further, it is for preventing particles generated from the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 and the hand shafts 15 and 35 from entering the inside of the processing chamber 5.

保持用ローラ１３，３３は、ウエハＷを保持した状態でウエハＷを回転させるべく、ベース部１２，３２に回転可能に設けられている。すなわち、保持用ローラ１３，３３は、ベース部１２，３２に鉛直軸まわりの回転が自在であるように支持されたローラ軸２１，４１に固定されている。
ウエハＷを回転させるために必要な駆動力は、保持用ローラ３３にのみ与えられるようになっている。すなわち、保持用ローラ３３のうち中央の保持用ローラ３３ｂには、側壁４の外側に設けられたモータ取付板４２に取り付けられたモータＭ1の駆動力がベルト４３を介して伝達されるようになっている。さらに、中央の保持ローラ３３ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト４４，４５を介して他の２つの保持用ローラ３３ａ，３３ｃにも伝達されるようになっている。 The holding rollers 13 and 33 are rotatably provided on the base portions 12 and 32 so as to rotate the wafer W while holding the wafer W. That is, the holding rollers 13 and 33 are fixed to roller shafts 21 and 41 supported by the base portions 12 and 32 so as to be rotatable around a vertical axis.
The driving force required to rotate the wafer W is applied only to the holding roller 33. That is, the driving force of the motor M 1 attached to the motor attachment plate 42 provided outside the side wall 4 is transmitted to the center holding roller 33 b of the holding rollers 33 via the belt 43. Has become. Further, the driving force transmitted to the central holding roller 33b is also transmitted to the other two holding rollers 33a and 33c via the belts 44 and 45.

さらに詳述する。保持用ローラ３３ａのローラ軸４１ａは、図３に示すように、ベース部３２に形成された挿通穴４６ａを通ってベース部３２の下端部付近に形成された空間４７まで延ばされており、挿通穴４６ａに配置された２つの軸受４７ａ，４８ａを介してベース部３２に回転自在に支持されている。他の２つの保持用ローラ３３ｂ，３３ｃのローラ軸４１ｂ，４１ｃも同様に、挿通穴４６ｂ，４６ｃを通って空間４７まで延ばされ、かつ挿通穴４６ｂ，４６ｃに配置された２つの軸受４７ｂ，４８ｂ：４７ｃ，４８ｃを介してベース部３２に回転自在に支持されている。   Further details will be described. As shown in FIG. 3, the roller shaft 41a of the holding roller 33a extends through a through hole 46a formed in the base 32 to a space 47 formed near the lower end of the base 32. It is rotatably supported by the base 32 via two bearings 47a and 48a arranged in the insertion hole 46a. Similarly, the roller shafts 41b and 41c of the other two holding rollers 33b and 33c are extended to the space 47 through the insertion holes 46b and 46c, and are also disposed in the insertion holes 46b and 46c. 48b: rotatably supported by the base portion 32 via 47c and 48c.

中央のローラ軸４１ｂには、３つのプーリ４９ｂ，５０ｂ，５１ｂが取り付けられている。このうち、最上段のプーリ４９ｂとモータＭ1の駆動軸５２に取り付けられたプーリ５３（図２参照）との間に、ベルト４３が巻き掛けられている。そして、残りの２つのプーリ５０ｂ，５１ｂと他の２つのローラ軸４１ｃ，４１ａにそれぞれ取り付けられたプーリ５１ｃ，５１ａとの間に、ベルト４５，４４がそれぞれ巻き掛けられている。 Three pulleys 49b, 50b, 51b are attached to the central roller shaft 41b. Of these, between the top of the pulley 49b and the pulley 53 attached to the drive shaft 52 of the motor M 1 (see FIG. 2), the belt 43 is wound. The belts 45 and 44 are wound around the remaining two pulleys 50b and 51b and the pulleys 51c and 51a attached to the other two roller shafts 41c and 41a, respectively.

以上の構成により、モータＭ1によって中央の保持用ローラ３３ｂが駆動されると、これに伴って他の２つの保持用ローラ３３ａ，３３ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ１３，３３に保持されているウエハＷは回転を始める。このとき、保持用ローラ１３は、ウエハＷの回転につられて回転する。このようにして、ウエハＷは保持用ローラ１３，３３に保持された状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合におけるウエハＷの回転速度は、たとえば、約１０〜２０（回転／分）である。 With the above arrangement, when the center of the holding roller 33b is driven by a motor M 1, the other two holding rollers 33a Along with this, 33c are driven. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 starts rotating. At this time, the holding roller 13 rotates with the rotation of the wafer W. In this way, the wafer W rotates along the rotation direction B while being held by the holding rollers 13 and 33. The rotation speed of wafer W in this case is, for example, about 10 to 20 (rotation / minute).

図２に戻って、両面洗浄装置９は、ウエハ保持装置６により保持されたウエハＷの上方および下方に配置された上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を備えている。上面洗浄部６０および下面洗浄部８０は、それぞれ、保持ハンド１０，３０に干渉しない位置に、ウエハＷの中心部から周縁部に至るウエハＷの表面領域を覆うように配置されている。
上面洗浄部６０および下面洗浄部８０は、ウエハＷに対向する側に取付面６１，８１を有するベース部６２，８２と、ベース部６２，８２に取り付けられた回転軸６３，８３とを有し、回転駆動部６４，８４により鉛直軸方向に沿う回転軸Ｏを中心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされている。 Returning to FIG. 2, the double-sided cleaning device 9 includes an upper surface cleaning unit 60 and a lower surface cleaning unit 80 disposed above and below the wafer W held by the wafer holding device 6. The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are arranged at positions that do not interfere with the holding hands 10 and 30 so as to cover the surface area of the wafer W from the center to the peripheral edge of the wafer W.
The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 include base portions 62, 82 having mounting surfaces 61, 81 on the side facing the wafer W, and rotating shafts 63, 83 mounted on the base portions 62, 82. The rotation driving units 64 and 84 can rotate in the rotation direction C about the rotation axis O along the vertical axis direction.

さらに、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０は、それぞれ、昇降駆動部６５，８５によって上下方向に移動できるようになっている。これにより、ウエハ洗浄時においてはウエハＷを上面洗浄部６０および下面洗浄部８０で挟み込むことができ、また、ウエハ洗浄後においては、ウエハＷから上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を離すことができるようになっている。   Further, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be moved in the vertical direction by the elevation drive units 65 and 85, respectively. Thereby, the wafer W can be sandwiched between the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 during the wafer cleaning, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be separated from the wafer W after the wafer cleaning. I can do it.

上面ベース部６２および下面ベース部８２の各取付面６１，８１には、洗浄用ブラシ６６，８６が設けられている。洗浄用ブラシ６６，８６の中央付近には、ウエハＷに第１の洗浄液を供給するための第１洗浄液供給ノズル７，８がそれぞれ配置されている。第１の洗浄液は、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、および純水を含む。   Cleaning brushes 66 and 86 are provided on the mounting surfaces 61 and 81 of the upper base 62 and the lower base 82. Near the center of the cleaning brushes 66 and 86, first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 for supplying a first cleaning liquid to the wafer W are arranged, respectively. The first cleaning liquid includes a chemical such as hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, acetic acid, and ammonia, and pure water.

第１洗浄液供給ノズル７，８には、洗浄用パイプ６７，８７が連結されている。洗浄用パイプ６７，８７は、回転軸６３，８３内に回転しないように挿通されており、その他端には、第１三方弁６８，８８を介して、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供給路６９，８９、および図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路７０，９０が接続されている。この構成により、第１三方弁６８，８８の切換えを制御することによって、洗浄用パイプ６７，８７に薬液および純水を選択的に供給でき、したがって第１洗浄液供給ノズル７，８から薬液および純水を選択的に吐出させることができる。   Cleaning pipes 67 and 87 are connected to the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8. The cleaning pipes 67 and 87 are inserted into the rotating shafts 63 and 83 so as not to rotate, and a chemical liquid is guided to the other end from a chemical liquid tank (not shown) through first three-way valves 68 and 88. Chemical solution supply paths 69 and 89 and pure water supply paths 70 and 90 through which pure water is guided from a pure water tank (not shown) are connected. With this configuration, by controlling the switching of the first three-way valves 68 and 88, the chemical solution and pure water can be selectively supplied to the cleaning pipes 67 and 87. Therefore, the chemical solution and pure water can be supplied from the first cleaning solution supply nozzles 7 and 8. Water can be selectively discharged.

図４は、周縁部洗浄ボックス３００の構成およびこの周縁部洗浄ボックス３００に関連する構成を示す側面図である。周縁部洗浄ボックス３００は、昇降／水平移動機構３０１によって上下方向に移動でき、また、ウエハＷに対して近接する方向と離反する方向とに移動できるようになっている。より具体的には、周縁部洗浄ボックス３００は、昇降／水平移動機構３０１に含まれる可動板３０２の上面に固定されたボックス支持板３０３によって支持されている。昇降／水平移動機構３０１は、基台３０４を備えている。基台３０４には、上方向に向けて延びた２本のガイド軸３０５の下端部が固定されている。   FIG. 4 is a side view showing a configuration of the peripheral edge cleaning box 300 and a configuration related to the peripheral edge cleaning box 300. The peripheral edge cleaning box 300 can be moved up and down by the elevation / horizontal movement mechanism 301, and can be moved in a direction approaching to and away from the wafer W. More specifically, the peripheral edge cleaning box 300 is supported by a box support plate 303 fixed to the upper surface of a movable plate 302 included in the lifting / horizontal movement mechanism 301. The lifting / horizontal movement mechanism 301 includes a base 304. The lower ends of two guide shafts 305 extending upward are fixed to the base 304.

ガイド軸３０５は、可動板３０２の下面に固定されたボールブッシュ３０６をスライド自在に挿通し、かつ可動板３０２およびボックス支持板３０３にそれぞれ形成された穴（図示せず）を通ってボックス支持板３０３の上方まで延び、その上端部において連結板３０７によって連結されている。基台３０４には、ロッド３０８の先端を上向きにした状態のシリンダ３０９が設けられている。可動板３０２は、このシリンダ３０９のロッド３０８によって支持されている。この構成により、シリンダ３０９のロッド３０８が上下方向に進退すれば、周縁部洗浄ボックス３００が上下方向に移動することになる。   The guide shaft 305 is slidably inserted through a ball bush 306 fixed to the lower surface of the movable plate 302, and passes through holes (not shown) formed in the movable plate 302 and the box support plate 303, respectively. It extends to above 303 and is connected at its upper end by a connecting plate 307. The base 304 is provided with a cylinder 309 with the tip of the rod 308 facing upward. The movable plate 302 is supported by the rod 308 of the cylinder 309. With this configuration, if the rod 308 of the cylinder 309 moves up and down, the peripheral edge cleaning box 300 moves up and down.

基台３０４には、ウエハＷに近接する方向およびウエハＷから離反する方向に沿って延びたボールねじ軸３１０が螺合している。ボールねじ軸３１０にはプーリ３１１が取り付けられており、このプーリ３１１とモータＭ2の駆動軸３１２に取り付けられたプーリ３１３との間にはベルト３１４が巻き掛けられている。この構成により、モータＭ2の駆動力がベルト３１４を介してボールねじ軸３１０に伝達されると、基台３０４はウエハＷに近接する方向およびウエハＷから離反する方向に移動し、これに伴って、周縁部洗浄ボックス３００は、ウエハＷに近接する方向とウエハＷから離反する方向とに移動する。このとき、連結板３０７は、図外のレールによってウエハＷに近接する方向およびウエハＷから離反する方向に沿って案内される。 A ball screw shaft 310 extending in a direction approaching the wafer W and in a direction away from the wafer W is screwed to the base 304. The ball screw shaft 310 and a pulley 311 is attached, a belt 314 is wound between this pulley 311 and a pulley 313 attached to the drive shaft 312 of the motor M 2. With this configuration, when the driving force of the motor M 2 is transmitted to the ball screw shaft 310 via the belt 314, the base 304 is moved in the direction away from the direction and the wafer W adjacent to the wafer W, along with this Thus, the peripheral edge cleaning box 300 moves in a direction approaching the wafer W and in a direction away from the wafer W. At this time, the connection plate 307 is guided by a rail (not shown) in a direction approaching the wafer W and in a direction away from the wafer W.

周縁部洗浄ボックス３００のウエハＷに対向する対向面３００ａには、当該周縁部洗浄ボックス３００の長手方向に沿って凹部３２０が形成されており、この凹部３２０の上壁面３３０および下壁面３５０の間に、ウエハＷの周縁部を受け入れることができるようになっている。
凹部３２０の上壁面３３０および下壁面３５０には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に第２の洗浄液を供給するための第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１が配設されている。第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１は、ＰＶＣ、ＰＶＤＦなどの樹脂で構成される。第２の洗浄液は、ウエハＷの周縁部に残っているスラリーを除去したり、不要な薄膜をエッチングするためのエッチング液、および純水を含む。エッチング液は、ウエハＷの周縁部に形成される薄膜の種類によって異なる種類のものが用いられる。具体的には、酸化膜（ＳｉＯ2）、アルミニウム膜（Ａｌ）、銅膜（Ｃｕ）およびタングステン膜（Ｗ）に対して、それぞれ、下記(1)〜(4)式の化学式で表したエッチング液が用いられる。 A concave portion 320 is formed on the facing surface 300 a of the peripheral portion cleaning box 300 facing the wafer W along the longitudinal direction of the peripheral portion cleaning box 300, and between the upper wall surface 330 and the lower wall surface 350 of the concave portion 320. In addition, the peripheral portion of the wafer W can be received.
On the upper wall surface 330 and the lower wall surface 350 of the concave portion 320, second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 for supplying a second cleaning liquid to the upper and lower peripheral edges of the wafer W are provided. The second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 are made of a resin such as PVC or PVDF. The second cleaning liquid includes an etching liquid for removing slurry remaining on the peripheral portion of the wafer W, etching an unnecessary thin film, and pure water. A different type of etchant is used depending on the type of thin film formed on the peripheral portion of the wafer W. Specifically, the oxide film (SiO 2 ), the aluminum film (Al), the copper film (Cu), and the tungsten film (W) are respectively etched by the following chemical formulas (1) to (4). Liquid is used.

ＨＦ ・・・・・・(1)
Ｈ3ＰＯ4＋ＣＨ3ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ3 ・・・・・・(2)
ＨＮＯ3＋ＨＣｌ または ＨＮＯ3＋ＨＦ ・・・・・・(3)
ＣＨ3ＣＯＯＨ＋ＨＮＯ3＋ＨＦ または ＨＮＯ3＋ＨＦ ・・・・・・(4)
第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１には、液吐出路３３２，３５２の一端が接続されている。液吐出路３３２，３５２の他端には、それぞれ、第２三方弁３３３，３５３を介して、図示しないエッチング液用タンクからエッチング液が供給されるエッチング液供給路３３４，３５４、および図示しない純水用タンクから純水が供給される純水供給路３３５，３５５が接続されている。この構成により、第２三方弁３３３，３５３の切換えを制御することにより、液吐出路３３２，３５２にエッチング液および純水を選択的に供給でき、したがって第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からエッチング液および純水を選択的に吐出することができる。 HF ・ ・ ・ ・ ・ ・ (1)
H 3 PO 4 + CH 3 COOH + HNO 3 (2)
HNO 3 + HCl or HNO 3 + HF (3)
CH 3 COOH + HNO 3 + HF or HNO 3 + HF (4)
One ends of liquid discharge paths 332 and 352 are connected to the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351. The other ends of the liquid discharge paths 332 and 352 are respectively connected to the etchant supply paths 334 and 354 through which the etchant is supplied from an etchant tank (not shown) through the second three-way valves 333 and 353, and the pure liquid (not shown). Pure water supply paths 335 and 355 to which pure water is supplied from the water tank are connected. With this configuration, by controlling the switching of the second three-way valves 333 and 353, the etching liquid and the pure water can be selectively supplied to the liquid discharge paths 332 and 352. Therefore, the etching liquid is supplied from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351. And pure water can be selectively discharged.

また、凹部３２０の上壁面３３０および下壁面３５０には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に窒素（Ｎ2）などの不活性ガスまたはエア（以下、総称して「ガス」という。）を供給するためのＰＶＣやＰＶＤＦなどの樹脂で構成されたガス供給ノズル３３６，３５６が配設されている。ガス供給ノズル３３６，３５６には、図示しないガス用タンクにその一端が接続されたガス供給路３３７，３５７の他端が接続されている。ガス供給路３３７，３５７の途中部にはガス用弁３３８，３５８が介装されている。この構成により、ガス用弁３３８，３５８の開閉を制御することにより、ガスを必要に応じてガス供給ノズル３３６，３５６から吐出させることができる。 In addition, on the upper wall surface 330 and the lower wall surface 350 of the concave portion 320, an inert gas such as nitrogen (N 2 ) or air (hereinafter, referred to as “gas”) such as nitrogen (N 2 ) is provided on the upper and lower peripheral edges of the wafer W. Gas supply nozzles 336 and 356 made of a resin such as PVC or PVDF for supply are provided. The gas supply nozzles 336 and 356 are connected to the other ends of the gas supply paths 337 and 357 each having one end connected to a gas tank (not shown). Gas valves 338 and 358 are interposed in the gas supply paths 337 and 357, respectively. With this configuration, by controlling the opening and closing of the gas valves 338 and 358, gas can be discharged from the gas supply nozzles 336 and 356 as needed.

ガス供給ノズル３３６，３５６は、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１に対してウエハＷの中心に近い側に、ガスがウエハＷの周縁部に向かって吐出されるような角度で、配置されている。この構成により、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からウエハＷの上面および下面の周縁部にそれぞれ供給された薬液および純水をガスの吐出圧によってウエハＷの外側に向けて吐き出すことができる。そのため、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１から供給されたエッチング液がウエハＷの中心部に達することはない。これにより、半導体装置を作成するのに必要な薄膜が形成されたウエハＷの中央部（有効エリア）の当該薄膜がエッチングされるという不具合の発生が防止される。   The gas supply nozzles 336 and 356 are disposed on the side closer to the center of the wafer W with respect to the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 at an angle such that the gas is discharged toward the peripheral portion of the wafer W. . With this configuration, the chemical solution and pure water supplied from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 to the peripheral portions of the upper surface and the lower surface of the wafer W can be discharged toward the outside of the wafer W by the discharge pressure of the gas. Therefore, the etching liquid supplied from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 does not reach the center of the wafer W. This prevents a problem that the thin film at the center (effective area) of the wafer W on which the thin film necessary for manufacturing the semiconductor device is formed is etched.

凹部３２０の奥には、排気口３６０が形成され、この排気口３６０にはＰＶＣやＰＶＤＦなどの樹脂で構成された排気管３６１が接続されている。排気管３６１には負圧源３６２が接続されており、この負圧源３６２によってウエハＷの周縁部の雰囲気が排気管３６１に吸引されるようになっている。すなわち、排気管３６１および負圧源３６２により排気手段が構成される。これにより、ガスの吐出圧によってウエハＷの外側に吐き出される薬液および純水は、排気口３６０を介して排気管３６１内に吸引される。   An exhaust port 360 is formed at the back of the recess 320, and an exhaust pipe 361 made of a resin such as PVC or PVDF is connected to the exhaust port 360. A negative pressure source 362 is connected to the exhaust pipe 361, and the atmosphere at the peripheral portion of the wafer W is sucked into the exhaust pipe 361 by the negative pressure source 362. That is, an exhaust unit is configured by the exhaust pipe 361 and the negative pressure source 362. As a result, the chemical solution and pure water discharged to the outside of the wafer W by the discharge pressure of the gas are sucked into the exhaust pipe 361 through the exhaust port 360.

排気管３６１の途中部には、液溜まり部３６３が設けられている。液溜まり部３６３からは、ドレン排出路３６４が下方に向けて延びている。この構成により、排気管３６１に導かれてきた薬液および純水は液溜まり部３６３に溜まってドレン排出路３６４から排出され、気液分離が行われる。
図５は、このウエハ洗浄装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。このウエハ洗浄装置には、当該装置の制御中枢として機能するマイクロコンピュータなどで構成された制御部１００が備えられている。制御部１００は、ＲＯＭ１０１に格納された制御プログラムに従って、シリンダ１７，３７、モータＭ1、回転駆動部６４，８４、昇降駆動部６５，８５、および第１三方弁６８，８８を制御する。また、制御部１００は、シリンダ３０９、モータＭ2、第２三方弁３３３，３５３およびガス用弁３３８，３５８を制御する。 A liquid reservoir 363 is provided in the middle of the exhaust pipe 361. A drain discharge path 364 extends downward from the liquid reservoir 363. With this configuration, the chemical solution and the pure water guided to the exhaust pipe 361 accumulate in the liquid reservoir 363 and are discharged from the drain discharge path 364, and gas-liquid separation is performed.
FIG. 5 is a block diagram showing a main electrical configuration of the wafer cleaning apparatus. This wafer cleaning apparatus is provided with a control unit 100 composed of a microcomputer or the like that functions as a control center of the apparatus. The control unit 100 controls the cylinders 17 and 37, the motor M 1 , the rotation drive units 64 and 84, the elevation drive units 65 and 85, and the first three-way valves 68 and 88 according to a control program stored in the ROM 101. The control unit 100 includes a cylinder 309, controls the motor M 2, the second three-way valve 333,353 and gas valve 338,358.

次に、このウエハ洗浄装置の洗浄動作について説明する。洗浄前においては、保持ハンド１０，３０はウエハＷを保持する保持位置から退避した待機位置で待機し、かつ上面洗浄部６０および下面洗浄部８０も互いにウエハＷから離れた状態で待機している。前工程であるＣＭＰ処理が終了し、図示しない搬送アームによってウエハＷが搬送されてくると、制御部１００は、シリンダ１７，３７のロッド１８，３８を引っ込ませる。その結果、保持ハンド１０，３０は互いに近づく。これにより、ウエハＷがその端面において保持用ローラ１３，３３に保持される。その後、制御部１００は、回転駆動部６４，８４を駆動し、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を回転させる。これと同時に、制御部１００は、第１三方弁６８，８８を制御し、薬液供給路６９，８９と洗浄用パイプ６７，８７とを接続させる。その結果、第１洗浄液供給ノズル７，８から薬液がそれぞれウエハＷの上面および下面に供給される。   Next, the cleaning operation of the wafer cleaning apparatus will be described. Before cleaning, the holding hands 10 and 30 stand by at a standby position retracted from the holding position for holding the wafer W, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 also stand by at a distance from the wafer W. . When the wafer W is transferred by the transfer arm (not shown) after the CMP process, which is the previous process, is completed, the controller 100 causes the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 to retract. As a result, the holding hands 10, 30 approach each other. As a result, the wafer W is held by the holding rollers 13 and 33 on the end surface. Thereafter, the control unit 100 drives the rotation driving units 64 and 84 to rotate the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80. At the same time, the control unit 100 controls the first three-way valves 68 and 88 to connect the chemical supply paths 69 and 89 and the cleaning pipes 67 and 87. As a result, the chemical liquid is supplied from the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper surface and the lower surface of the wafer W, respectively.

その後、制御部１００は、モータＭ1を駆動する。その結果、保持用ローラ３３が回転駆動される。これに伴って、ウエハＷが低速回転する。さらに、制御部１００は、昇降駆動部６５，８５を制御し、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を互いに近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ１３，３３に保持されているウエハＷは、洗浄用ブラシ６６，８６によって挟み込まれ、洗浄用ブラシ６６，８６によりウエハＷの上面および下面が擦られる。これにより、ウエハＷの上面および下面が薬液が供給されつつ洗浄用ブラシ６６，８６によってスクラブ洗浄される。その結果、ウエハＷの上面および下面に残っていたスラリーが除去される。 Thereafter, the control unit 100 drives the motor M 1. As a result, the holding roller 33 is driven to rotate. Along with this, the wafer W rotates at a low speed. Further, the control unit 100 controls the elevation drive units 65 and 85 to move the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 in directions approaching each other. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 is sandwiched by the cleaning brushes 66 and 86, and the upper and lower surfaces of the wafer W are rubbed by the cleaning brushes 66 and 86. As a result, the upper and lower surfaces of the wafer W are scrub-cleaned by the cleaning brushes 66 and 86 while the chemical solution is supplied. As a result, the slurry remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W is removed.

所定の時間経過後、制御部１００は、昇降駆動部６５，８５を制御し、上面洗浄部６０および下面洗浄部８０を互いにウエハＷから離れる方向に移動させ、ウエハＷから洗浄用ブラシ６６，８６を離れさせる。その後、第１三方弁６８，８８を制御し、洗浄用パイプ６７，８７と純水供給路７０，９０とを接続させる。その結果、第１洗浄液供給ノズル７，８から純水がウエハＷの上面および下面に供給され、ウエハＷの上面および下面に残っている薬液等が洗い流される。   After a lapse of a predetermined time, the control unit 100 controls the lifting / lowering driving units 65 and 85 to move the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 away from the wafer W, and the cleaning brushes 66 and 86 from the wafer W. Let go. After that, the first three-way valves 68 and 88 are controlled to connect the cleaning pipes 67 and 87 and the pure water supply paths 70 and 90. As a result, pure water is supplied from the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper and lower surfaces of the wafer W, and the chemicals and the like remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away.

その後、制御部１００は、第１三方弁６８，８８を制御し、第１洗浄液供給ノズル７，８からの純水の吐出を停止させ、また、回転駆動部６４，８４の駆動を停止して上面洗浄部６０および下面洗浄部８０の回転を停止させる。さらに、モータＭ1の駆動を停止させ、ウエハＷの回転を停止させる。これにより、両面洗浄装置９におけるスクラブ洗浄処理が終了する。 Thereafter, the control unit 100 controls the first three-way valves 68 and 88 to stop the discharge of the pure water from the first cleaning liquid supply nozzles 7 and 8, and also stops the driving of the rotary driving units 64 and 84. The rotation of the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 is stopped. Furthermore, the driving of the motor M 1 is stopped to stop the rotation of the wafer W. Thus, the scrub cleaning process in the double-sided cleaning device 9 ends.

スクラブ洗浄処理終了後、制御部１００は、周縁部洗浄ボックス３００によるウエハＷの周縁部の洗浄処理を実行する。
図６および図７は、この周縁部洗浄処理を説明するための図解図である。図６および図７において、上段側はウエハＷを側方から見たときの構成を示し、下段側はウエハＷを上方から見たときの構成を示している。 After the scrub cleaning process is completed, the control unit 100 executes a cleaning process of the peripheral portion of the wafer W by the peripheral portion cleaning box 300.
6 and 7 are illustrative views for explaining the peripheral edge cleaning processing. 6 and 7, the upper side shows the configuration when the wafer W is viewed from the side, and the lower side shows the configuration when the wafer W is viewed from above.

周縁部洗浄ボックス３００は、両面洗浄装置９によるスクラブ洗浄が行われている間、図６(a)に示すように、ウエハＷから水平方向に離れた位置であって、かつウエハＷの下方の待機位置で待機している。
両面洗浄装置９によるスクラブ洗浄処理が終了すると、制御部１００は、ロッド３０８が上方向に延びるように、シリンダ３０９を駆動する。その結果、周縁部洗浄ボックス３００は、上方向に移動する。シリンダ３０９の駆動は、周縁部洗浄ボックス３００の凹部３２０がウエハＷとほぼ同じ高さになるタイミングで停止される（図６(b)参照）。その後、制御部１００は、モータＭ2を駆動し、周縁部洗浄ボックス３００をウエハＷに近接する方向に向けて移動させる。このモータＭ2の駆動は、周縁部洗浄ボックス３００の凹部３２０にウエハＷの周縁部が所定の距離だけ入り込んだタイミングで停止される（図６(c)参照）。この場合、たとえば、ウエハＷのロットによって洗浄すべき周縁部の領域が異なる場合には、周縁部洗浄ボックス３００の移動量が各ウエハＷのロットに応じて調整される。これにより、周縁部洗浄前の準備が完了する。 As shown in FIG. 6A, the peripheral edge cleaning box 300 is located at a position horizontally separated from the wafer W and below the wafer W during the scrub cleaning by the double-sided cleaning device 9. Waiting at standby position.
When the scrub cleaning process by the double-sided cleaning device 9 is completed, the control unit 100 drives the cylinder 309 so that the rod 308 extends upward. As a result, the peripheral edge cleaning box 300 moves upward. The driving of the cylinder 309 is stopped at the timing when the concave portion 320 of the peripheral edge cleaning box 300 becomes substantially the same height as the wafer W (see FIG. 6B). Thereafter, the control unit 100 drives the motor M 2, is moved toward a direction approaching the peripheral edge flush box 300 to the wafer W. Driving of the motor M 2 is the peripheral portion of the wafer W in the recess 320 of the peripheral edge flush box 300 is stopped at intruded timing by a predetermined distance (see Figure 6 (c)). In this case, for example, when the area of the peripheral portion to be cleaned differs depending on the lot of wafer W, the moving amount of the peripheral portion cleaning box 300 is adjusted according to the lot of each wafer W. This completes the preparation before the peripheral edge cleaning.

その後、制御部１００は、モータＭ1を駆動し、ウエハＷの回転を開始させる（図７(a)参照）。また、第２三方弁３３３，３５３を制御し、エッチング液供給路３３４，３５４を液吐出路３３２，３５２に接続させる。その結果、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からエッチング液が吐出される。その結果、ウエハＷの周縁部に残っていたスラリーが除去されたり、不要な薄膜がエッチングされたりしていく。 Thereafter, the control unit 100 drives the motor M 1, to start the rotation of the wafer W (see FIG. 7 (a)). Also, the second three-way valves 333 and 353 are controlled to connect the etching liquid supply paths 334 and 354 to the liquid discharge paths 332 and 352. As a result, the etching liquid is discharged from the second cleaning liquid supply nozzles 331, 351. As a result, the slurry remaining on the peripheral portion of the wafer W is removed or an unnecessary thin film is etched.

さらに、制御部１００は、エッチング液の吐出と同時に、ガス用弁３３８，３５８を開成させ、ガス供給ノズル３３６，３５６からガスを吐出させる。このガスの吐出圧によって、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１から吐出されたエッチング液がウエハＷの中心部に飛び散るのが防止されるとともに、吐出後のエッチング液がウエハＷの外側に吐き出される。一方、ウエハＷの周縁部付近の雰囲気は排気管３６１によって吸引されている。したがって、ウエハＷの外側に吐き出されたエッチング液は、排気管３６１に吸引され、液溜まり部３６３にいったん溜まった後、ドレン排出路３６４を介して排出される。また、エッチング液雰囲気は負圧源３６２側へ排出される。   Further, the control unit 100 opens the gas valves 338 and 358 simultaneously with the discharge of the etching liquid, and discharges the gas from the gas supply nozzles 336 and 356. The discharge pressure of the gas prevents the etching liquid discharged from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 from scattering to the center of the wafer W, and the discharged etching liquid is discharged to the outside of the wafer W. On the other hand, the atmosphere near the periphery of the wafer W is sucked by the exhaust pipe 361. Therefore, the etching liquid discharged to the outside of the wafer W is sucked into the exhaust pipe 361, temporarily stored in the liquid pool 363, and then discharged through the drain discharge path 364. The etching solution atmosphere is discharged to the negative pressure source 362 side.

このエッチング処理が、所定のエッチング処理時間だけ、ウエハＷの全周域にわたって行われた後、制御部１００は、第２三方弁３３３，３５３を制御し、純水供給路３３５，３５５を液吐出路３３２，３５２に接続させる。その結果、第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１から純水が吐出され、ウエハＷの周縁部の表面上に残っているエッチング液が洗い流される。また、液吐出路３３２，３５２に残っているエッチング液も同時に洗い流される。   After this etching process is performed over the entire peripheral area of the wafer W for a predetermined etching process time, the control unit 100 controls the second three-way valves 333 and 353 to discharge liquid from the pure water supply paths 335 and 355. To the roads 332 and 352. As a result, pure water is discharged from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351, and the etching liquid remaining on the surface of the peripheral portion of the wafer W is washed away. Further, the etching liquid remaining in the liquid discharge paths 332 and 352 is also washed away at the same time.

この純水洗浄処理が、所定の純水洗浄処理時間だけ、ウエハＷの全周域にわたって行われると、制御部１００は、モータＭ1を停止させてウエハＷの回転を停止させ、また、第２三方弁３３３，３５３を制御して第２洗浄液供給ノズル３３１，３５１からの純水の吐出を停止させ、さらに、ガス用弁３３８，３５８を閉成させてガス供給ノズル３３６，３５６からのガスの吐出を停止させる（図７(b)参照）。これにより、周縁部洗浄ボックス３００による周縁部洗浄処理が終了する。 The pure water cleaning process, for a predetermined pure water cleaning time, when carried out over the entire periphery region of the wafer W, the control unit 100, the motor M 1 is stopped to stop the rotation of the wafer W, In addition, the 2 By controlling the three-way valves 333 and 353, the discharge of the pure water from the second cleaning liquid supply nozzles 331 and 351 is stopped, and further, the valves 338 and 358 for gas are closed to release the gas from the gas supply nozzles 336 and 356. Is stopped (see FIG. 7B). Thus, the peripheral edge cleaning processing by the peripheral edge cleaning box 300 ends.

周縁部洗浄処理終了後、制御部１００は、モータＭ2を駆動し、周縁部洗浄ボックス３００をウエハＷから離隔する方向に向けて移動させる（図７(c)参照）。また、ロッド３０８が引っ込むようにシリンダ３０９を駆動し、周縁部洗浄ボックス３００を下降させる（図７(d)参照）。これにより、周縁部洗浄ボックス３００は元の待機位置に戻される。
以上のように本実施形態によれば、ウエハＷの周縁部のみを選択的に洗浄できるようにしているから、ウエハＷの周縁部の膜質に応じた洗浄を行うことができる。したがって、ウエハＷの周縁部の不要な薄膜が残っている場合であっても、当該薄膜を確実に除去できる。また、ウエハＷの周縁部にスラリーが残っている場合であっても、当該スラリーを確実に除去できる。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生することもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウエハＷの全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体装置を提供できる。 After peripheral edge cleaning process ends, the control unit 100 drives the motor M 2, is moved in a direction separating the periphery flush box 300 from the wafer W (see FIG. 7 (c)). In addition, the cylinder 309 is driven so that the rod 308 is retracted, and the peripheral edge cleaning box 300 is lowered (see FIG. 7D). As a result, the peripheral edge cleaning box 300 is returned to the original standby position.
As described above, according to the present embodiment, only the peripheral portion of the wafer W can be selectively cleaned, so that cleaning according to the film quality of the peripheral portion of the wafer W can be performed. Therefore, even when an unnecessary thin film on the peripheral portion of the wafer W remains, the thin film can be surely removed. Further, even when the slurry remains on the peripheral portion of the wafer W, the slurry can be surely removed. As a result, there is no generation of a reaction product between the slurry and the thin film. Therefore, the entire wafer W after the CMP processing can be favorably cleaned. Therefore, a high-quality semiconductor device can be provided.

しかも、ウエハＷの中央部を洗浄した後にウエハＷの周縁部を洗浄するようにし、かつウエハＷの周縁部に供給され処理に供されたエッチング液等をガスの吐出圧によってウエハＷの外側に吐き出すようにしているから、ウエハＷの周縁部に供給されたエッチング液等が洗浄済のウエハＷの中央部に飛び散ることはない。したがって、ウエハＷの表面の全体を良好に洗浄することができる。   In addition, after cleaning the central portion of the wafer W, the peripheral portion of the wafer W is cleaned, and the etching solution or the like supplied to the peripheral portion of the wafer W and subjected to the processing is discharged to the outside of the wafer W by the discharge pressure of the gas. Since the discharge is performed, the etching liquid or the like supplied to the peripheral portion of the wafer W does not scatter to the central portion of the cleaned wafer W. Therefore, the entire surface of wafer W can be favorably cleaned.

この発明の実施の一形態の説明は以上のとおりであるが、この発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの中央部と周縁部とを１つの処理室５にて洗浄する場合を例にとって説明しているが、たとえば、ウエハＷの中央部を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にてウエハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この場合、ウエハＷの周縁部を洗浄するために、たとえば、図８ないし図１０に示すようなカーテン式周縁部洗浄装置を採用してもよい。   Although the description of one embodiment of the present invention is as described above, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the central portion and the peripheral portion of the wafer W are cleaned in one processing chamber 5 is described as an example. For example, the central portion of the wafer W is cleaned in the first processing chamber. After cleaning, the peripheral portion of the wafer W may be cleaned in another second processing chamber. In this case, in order to clean the peripheral portion of the wafer W, for example, a curtain-type peripheral portion cleaning apparatus as shown in FIGS. 8 to 10 may be employed.

図８は、カーテン式周縁部洗浄装置を側方から見た概念図であり、図９は、カーテン式周縁部洗浄装置を上方から見た概念図である。このカーテン式周縁部洗浄装置は、ウエハＷの下面の中央部を真空吸着してウエハＷを保持し、かつ回転させるバキュームチャック４００と、このバキュームチャック４００に保持されたウエハＷの上方および下方に配置された一対のマニホールド４０１と、排気口４０２を有し、バキュームチャック４００に保持されたウエハＷの端面に対向して排気口４０２が位置するように配置された排気管４０３とを備えている。   FIG. 8 is a conceptual diagram of the curtain-type peripheral edge cleaning device as viewed from the side, and FIG. 9 is a conceptual diagram of the curtain-type peripheral edge cleaning device as viewed from above. The curtain-type peripheral edge cleaning apparatus includes a vacuum chuck 400 that holds and rotates the wafer W by vacuum-sucking a central portion of a lower surface of the wafer W, and a vacuum chuck 400 above and below the wafer W held by the vacuum chuck 400. An exhaust pipe 403 having a pair of manifolds 401 disposed therein and an exhaust port 402 is provided so that the exhaust port 402 is disposed so as to face the end surface of the wafer W held by the vacuum chuck 400. .

マニホールド４０１は、図１０に示すように、ウエハＷの端面の形状に対応した円環状のもので、ウエハＷに対向する一対の面４０１ａには、ともに複数の洗浄液供給ノズル４０４およびガス供給ノズル４０５が設けられている。洗浄液供給ノズル４０４からは、洗浄液供給路４０６を介して供給されるエッチング液および純水を選択的に吐出することができるようになっている。すなわち、ウエハＷの周縁部に上下方向からカーテン状にエッチング液および純水を選択的に供給することができるようになっている。また、ガス供給ノズル４０５からは、ガス供給路４０７を介して供給されるガスを吐出することができるようになっている。ガス供給ノズル４０５におけるガス吐出方向は、図８に示すように、ウエハＷの周縁部に向く方向とされている。これにより、洗浄液供給ノズル４０４からウエハＷの周縁部に供給されたエッチング液および純水をガスの吐出圧によってウエハＷの外側に向けて吐き出すことができるようになっている。   As shown in FIG. 10, the manifold 401 has an annular shape corresponding to the shape of the end face of the wafer W, and a plurality of cleaning liquid supply nozzles 404 and a plurality of gas supply nozzles 405 are provided on a pair of surfaces 401a facing the wafer W. Is provided. From the cleaning liquid supply nozzle 404, the etching liquid and pure water supplied through the cleaning liquid supply path 406 can be selectively discharged. That is, the etching solution and the pure water can be selectively supplied to the peripheral portion of the wafer W from above and below in a curtain shape. The gas supplied from the gas supply nozzle 405 via the gas supply path 407 can be discharged. The direction in which the gas is supplied from the gas supply nozzle 405 is directed to the peripheral portion of the wafer W, as shown in FIG. Thus, the etching liquid and pure water supplied from the cleaning liquid supply nozzle 404 to the peripheral portion of the wafer W can be discharged toward the outside of the wafer W by the discharge pressure of the gas.

排気管４０３は、図９に示すように、ウエハＷの周囲に３つ備えられ、平面視においてウエハＷの端面形状に対応した円弧状のものである。各排気管４０３は、水平駆動部４０８によってウエハＷに近接する方向とウエハＷから離反する方向とに移動できるようになっている。この構成により、ウエハＷが搬送されてくる際に当該ウエハＷの邪魔にならないように排気管４０３を処理位置から退避させておくことができ、また処理時には排気管４０３をウエハＷ近傍の処理位置に配置させることができる。また、排気管４０３は図示しない負圧源に接続されており、ウエハＷの周縁部周辺の雰囲気を吸引するようになっている。   As shown in FIG. 9, three exhaust pipes 403 are provided around the wafer W, and have an arc shape corresponding to the end face shape of the wafer W in plan view. Each exhaust pipe 403 can be moved by the horizontal drive unit 408 in a direction approaching the wafer W and in a direction away from the wafer W. With this configuration, when the wafer W is transferred, the exhaust pipe 403 can be retracted from the processing position so as not to obstruct the wafer W. In processing, the exhaust pipe 403 is moved to the processing position near the wafer W. Can be arranged. Further, the exhaust pipe 403 is connected to a negative pressure source (not shown) so as to suck the atmosphere around the peripheral portion of the wafer W.

処理時には、ウエハＷはバキュームチャック４００に保持された状態で回転させられる。また、洗浄液供給ノズル４０４からエッチング液が吐出され、かつガス供給ノズル４０５からガスが吐出される。その結果、洗浄液供給ノズル４０４から吐出されるエッチング液によってウエハＷの周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜が除去され、このときにウエハＷに供給されたエッチング液はガスの吐出圧によってウエハＷの外側に向けて吐き出される。この吐き出されたエッチング液は排気口４０２を介して排気管４０３に吸引され、機外に排出される。その後、洗浄液供給ノズル４０４から純水が吐出され、ウエハＷ表面上に残っているエッチング液が洗い流される。   During processing, the wafer W is rotated while being held by the vacuum chuck 400. Further, the etching liquid is discharged from the cleaning liquid supply nozzle 404, and the gas is discharged from the gas supply nozzle 405. As a result, the slurry or unnecessary thin film remaining on the peripheral portion of the wafer W is removed by the etching liquid discharged from the cleaning liquid supply nozzle 404. At this time, the etching liquid supplied to the wafer W is reduced by the gas discharge pressure. It is exhaled toward the outside of W. The discharged etchant is sucked into the exhaust pipe 403 through the exhaust port 402 and discharged outside the apparatus. Thereafter, pure water is discharged from the cleaning liquid supply nozzle 404, and the etching liquid remaining on the surface of the wafer W is washed away.

このように、この構成によっても、ウエハＷの中央部と周縁部とを選択的に洗浄することができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の不具合を解消でき、ウエハＷの表面の全体を良好に洗浄できる。
また、上記実施形態では、図１から図７までに示すように、ウエハＷを６つの保持用ローラ１３，３３によって保持する構成を例にとって説明しているが、ウエハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３つ以上あればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラのうちいずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するようにしてもよい。この構成によっても、ウエハＷを端面にて保持しつつ回転させることができる。 As described above, also with this configuration, the central portion and the peripheral portion of the wafer W can be selectively cleaned, so that defects such as film residue can be eliminated and the surface of the wafer W can be eliminated as in the above embodiment. The whole can be cleaned well.
Further, in the above-described embodiment, as shown in FIGS. 1 to 7, a configuration in which the wafer W is held by the six holding rollers 13 and 33 is described as an example. The number of rollers should be at least three or more. In this case, the driving force may be transmitted to only one of the three or more holding rollers. With this configuration, the wafer W can be rotated while being held at the end face.

さらに、上記実施形態では、ウエハＷの中央部と周縁部との洗浄を別タイミングで行うようにしているが、たとえば、ウエハＷの中央部および周縁部を同じ種類の液を用いてそれぞれ物理的および化学的に洗浄するというような場合には、上記洗浄を同時に行うようにしてもよい。
さらにまた、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後のウエハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明しているが、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウエハＷの中央部と周縁部とを選択的に洗浄する必要のある場合に広く適用することができる。 Further, in the above embodiment, the cleaning of the central portion and the peripheral portion of the wafer W is performed at different timings. However, for example, the central portion and the peripheral portion of the wafer W are physically separated using the same type of liquid. If the cleaning is performed chemically, the above-described cleaning may be performed simultaneously.
Furthermore, in the above embodiment, the case where the wafer W is cleaned after the CMP processing is described as an example. It can be widely applied in cases where it is necessary to perform cleaning.

さらに、上記実施形態では、ウエハＷの洗浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Further, in the above embodiment, the case where the wafer W is cleaned is described. However, the present invention is directed to cleaning various other substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a PDP (plasma display panel) substrate. Can be widely applied to
In addition, various design changes can be made within the scope described in the claims.

本発明の一実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１のII−II断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1, with some parts omitted and some parts conceptually shown. 保持用ローラの駆動機構を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a driving mechanism of a holding roller. 周縁部洗浄ボックスの構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of a peripheral part cleaning box. ウエハ洗浄装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a main electrical configuration of the wafer cleaning apparatus. ウエハ周縁部洗浄処理を説明するための図解図である。FIG. 9 is an illustrative view for explaining a wafer peripheral portion cleaning process; 同じく、ウエハ周縁部洗浄処理を説明するための図解図である。FIG. 9 is an illustrative view for explaining a wafer peripheral portion cleaning process; 本発明の他の実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の側方から見た構成を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration as viewed from a side of a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置の上方から見た構成を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration as viewed from above a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. マニホールドの構成を説明するための斜視図である。It is a perspective view for explaining the composition of a manifold. 従来の装置の構成を上方から見た図である。FIG. 7 is a view of a configuration of a conventional device as viewed from above. 従来の装置の構成を側方から見た図である。It is the figure which looked at the structure of the conventional device from the side. ウエハの中央部および周縁部を説明するための図である。It is a figure for explaining a central part and a peripheral part of a wafer.

符号の説明Explanation of reference numerals

６ ウエハ保持装置
７ 第１洗浄液供給ノズル
８ 第１洗浄液供給ノズル
３３１ 第２洗浄液供給ノズル
３５１ 第２洗浄液供給ノズル
Ｗ ウエハ Reference Signs List 6 Wafer holding device 7 First cleaning liquid supply nozzle 8 First cleaning liquid supply nozzle 331 Second cleaning liquid supply nozzle 351 Second cleaning liquid supply nozzle W Wafer

Claims (25)

基板を回転させる基板回転手段と、
この基板回転手段によって回転される基板の中央部に洗浄液を供給するための第１洗浄液供給手段と、
上記基板回転手段によって回転される基板の周縁部に上記洗浄液と同種の洗浄液を供給するための第２洗浄液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 Substrate rotating means for rotating the substrate,
First cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to a central portion of the substrate rotated by the substrate rotation means;
A substrate processing apparatus comprising: a second cleaning liquid supply unit configured to supply a cleaning liquid of the same type as the cleaning liquid to a peripheral portion of a substrate rotated by the substrate rotation unit. 上記洗浄液は、酸であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。   2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid is an acid. 上記洗浄液は、フッ酸を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。   3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid contains hydrofluoric acid. 上記洗浄液は、硝酸を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。   4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid contains nitric acid. 上記洗浄液は、塩酸を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。   5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said cleaning liquid contains hydrochloric acid. 上記洗浄液は、リン酸を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid contains phosphoric acid. 上記洗浄液は、酢酸を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。   7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid contains acetic acid. 上記洗浄液は、純水であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。   2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid is pure water. 上記第１液供給手段は、基板の表面の中央部に洗浄液を供給するためのノズルを含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。   9. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first liquid supply unit includes a nozzle for supplying a cleaning liquid to a central portion of a surface of the substrate. 上記第１液供給手段は、基板の裏面の中央部に洗浄液を供給するためのノズルを含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置。   10. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first liquid supply unit includes a nozzle for supplying a cleaning liquid to a central portion of a back surface of the substrate. 上記第２液供給手段は、基板の表面の周縁部に洗浄液を供給するためのノズルを含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置。   11. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second liquid supply unit includes a nozzle for supplying a cleaning liquid to a peripheral portion of a surface of the substrate. 上記基板処理装置は、ＣＭＰ処理後の基板を洗浄するものであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置。   12. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus cleans a substrate after the CMP processing. 基板を回転させる基板回転工程と、
この基板回転工程中に、基板の中央部に洗浄液を供給する第１洗浄液供給工程と、
上記基板回転工程中に、基板の周縁部に上記洗浄液と同種の洗浄液を供給する第２洗浄液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。 A substrate rotating step of rotating the substrate,
A first cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to a central portion of the substrate during the substrate rotating step;
A second cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid of the same type as the cleaning liquid to a peripheral portion of the substrate during the substrate rotating step. 上記第１洗浄液供給工程および上記第２洗浄液供給工程は、同時に行われることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。   14. The substrate processing method according to claim 13, wherein the first cleaning liquid supply step and the second cleaning liquid supply step are performed simultaneously. 上記洗浄液は、酸であることを特徴とする請求項１３または１４記載の基板処理方法。   15. The method according to claim 13, wherein the cleaning liquid is an acid. 上記洗浄液は、フッ酸を含むことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれかに記載の基板処理方法。   16. The substrate processing method according to claim 13, wherein the cleaning liquid contains hydrofluoric acid. 上記洗浄液は、硝酸を含むことを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれかに記載の基板処理方法。   17. The substrate processing method according to claim 13, wherein the cleaning liquid contains nitric acid. 上記洗浄液は、塩酸を含むことを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれかに記載の基板処理方法。   18. The substrate processing method according to claim 13, wherein the cleaning liquid contains hydrochloric acid. 上記洗浄液は、リン酸を含むことを特徴とする請求項１３ないし１８のいずれかに記載の基板処理方法。   19. The method according to claim 13, wherein the cleaning liquid contains phosphoric acid. 上記洗浄液は、酢酸を含むことを特徴とする請求項１３ないし１９のいずれかに記載の基板処理方法。   20. The substrate processing method according to claim 13, wherein the cleaning liquid contains acetic acid. 上記洗浄液は、純水であることを特徴とする請求項１３または１４記載の基板処理方法。   15. The substrate processing method according to claim 13, wherein the cleaning liquid is pure water. 上記第１液供給工程は、基板の表面の中央部に洗浄液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし２１のいずれかに記載の基板処理方法。   22. The substrate processing method according to claim 13, wherein the first liquid supply step includes a step of supplying a cleaning liquid to a central portion of the surface of the substrate. 上記第１液供給工程は、基板の裏面の中央部に洗浄液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし２２のいずれかに記載の基板処理方法。   23. The substrate processing method according to claim 13, wherein the first liquid supply step includes a step of supplying a cleaning liquid to a central portion of a back surface of the substrate. 上記第２液供給工程は、基板の表面の周縁部に洗浄液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし２３のいずれかに記載の基板処理方法。   24. The substrate processing method according to claim 13, wherein the second liquid supply step includes a step of supplying a cleaning liquid to a peripheral portion of a surface of the substrate. 上記基板回転工程は、ＣＭＰ処理後の基板を回転させる工程であることを特徴とする請求項１３ないし２４のいずれかに記載の基板処理方法。   25. The substrate processing method according to claim 13, wherein the substrate rotating step is a step of rotating the substrate after the CMP processing.
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