JP2009092913A - Optical thin film laminate - Google Patents

Optical thin film laminate Download PDF

Info

Publication number
JP2009092913A
JP2009092913A JP2007263032A JP2007263032A JP2009092913A JP 2009092913 A JP2009092913 A JP 2009092913A JP 2007263032 A JP2007263032 A JP 2007263032A JP 2007263032 A JP2007263032 A JP 2007263032A JP 2009092913 A JP2009092913 A JP 2009092913A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
refractive index
film layer
film laminate
extinction coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007263032A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigenobu Yoneyama
茂信 米山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2007263032A priority Critical patent/JP2009092913A/en
Publication of JP2009092913A publication Critical patent/JP2009092913A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical thin film laminate having decoration properties, metal glossiness, both of light transmittance and light absorbance, and conductivity. <P>SOLUTION: The optical thin film laminate includes a thin film laminate on one surface of a substrate, wherein the thin film laminate includes a lamination structure in which one or more layers of a high refractive index thin film layer and a low refractive index thin film layer are laminated, and a conductive thin film layer is formed on a surface of the substrate opposite to the surface on which the thin film laminate is formed. The surface resistivity of the surface on which the conductive thin film layer is formed is less than 1.00×10<SP>-4</SP>Ω/Square. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、自動車部材、車両部材、家電用品部材、携帯電話部材、携帯ゲーム機部材、パーソナルコンピューター部材、PDA部材、オーディオ製品部材、カーナビゲーション部材、事務用品部材、スポーツ用品部材、雑貨部材、メガネ・サングラス部材、カメラ部材、光学用品部材、計測機器部材等に用いられる光学薄膜積層体であって、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体に関するものである。   The present invention includes an automobile member, a vehicle member, a household appliance member, a mobile phone member, a portable game machine member, a personal computer member, a PDA member, an audio product member, a car navigation member, an office supplies member, a sports article member, a miscellaneous goods member, and glasses.・ Optical thin film laminates used for sunglasses members, camera members, optical article members, measuring instrument members, etc., have decorativeness and metallic luster, have both light transmission and light absorption, and are conductive. The present invention relates to an optical thin film laminate having properties.

現在、各種部材を彩色する手段として塗料による塗装が一般的に行われている。しかし、塗装は基材により塗料を適宜選択する必要があるため面倒であること、均一な膜厚で塗装することが困難で熟練した技術が必要なこと、曲面への塗装では平面と異なる仕上がりになり易いこと、塗料の塗装ムラや異物の混入により塗膜の欠陥が生じること等の問題がある。   Currently, coating with a paint is generally performed as a means for coloring various members. However, painting is cumbersome because it is necessary to select the paint appropriately depending on the base material, it is difficult to paint with a uniform film thickness and skillful technology is required, and painting on curved surfaces has a different finish from flat There are problems such as that the coating film is easily formed, and that the coating film has defects due to the coating unevenness of the paint and the inclusion of foreign matter.

加えて、塗装は多数の工程を要すること、塗装を行うための特殊な専用ブースが必要なこと、塗装ブースおよび塗料の乾燥室の設置には広い面積を占有すること、塗装は必要以上に塗料を消費するためエネルギー効率が悪いこと、一旦塗装された塗膜は回収が困難なためリサイクル性に乏しいこと、塗料の溶剤による作業環境・安全衛生環境の悪化・汚染が付きまとうこと等の問題もある。   In addition, painting requires a large number of processes, requires a special booth for painting, occupies a large area for the installation of the painting booth and paint drying room, and paints more than necessary There are problems such as low energy efficiency due to consumption of the paint, poor recyclability because the painted film is difficult to collect, deterioration of the working environment / safety and health environment due to paint solvents, and contamination. .

金属光沢を有する彩色を行う方法としては、塗装による方法、着色フィルムに金属材料を蒸着する方法がある。前者としては塗料の中にアルミニウムなどの金属フレーク、あるいは雲母フレークを混ぜて行うことができる。しかし、塗料に金属や雲母のフレークを混ぜる方法は、塗料中へのフレークの混入割合に限度があること、ある程度の金属光沢性および光反射性を得るためには3μm程度の厚膜に塗装する必要があること、金属光沢感が不十分なため違和感のある見た目になること、更には、乾燥手段に時間を要するため生産性に劣るという問題がある。   As a method of performing coloring with metallic luster, there are a method by painting and a method of depositing a metal material on a colored film. The former can be performed by mixing metal flakes such as aluminum or mica flakes in the paint. However, the method of mixing metal or mica flakes with the paint has a limit on the mixing ratio of the flakes in the paint, and in order to obtain a certain level of metallic luster and light reflectivity, it is applied to a thick film of about 3 μm. There is a problem that it is necessary, the metallic luster feeling is insufficient, and the appearance is uncomfortable, and further, the drying means requires time and the productivity is inferior.

一方、後者は金属材料の薄膜が緻密に形成されるため十分な金属光沢が得られる(特許文献1参照)。金属材料の一例としてはアルミニウムが用いられている。アルミニウムの蒸着は比較的容易であり、蒸着レートは速く、安価であり、何より容易に白金色が出せるため一般に利用されている。しかし、この方法によって所望の色の金属光沢を持つフィルムを得るためには色毎の着色フィルムを用意する必要があるため工程管理が面倒になる。更には、着色フィルムに色ムラがあると、着色フィルム上に形成される金属薄膜層の反射により色ムラが拡大されて目立ってしまうという問題がある。   On the other hand, in the latter, a thin metallic film is densely formed, so that a sufficient metallic luster is obtained (see Patent Document 1). Aluminum is used as an example of the metal material. Vapor deposition of aluminum is relatively easy, the vapor deposition rate is fast and inexpensive, and it is generally used because platinum color can be easily produced. However, in order to obtain a film having a metallic luster of a desired color by this method, it is necessary to prepare a colored film for each color, which makes process management troublesome. Furthermore, when there is color unevenness in the colored film, there is a problem that the color unevenness is enlarged due to reflection of the metal thin film layer formed on the colored film and becomes noticeable.

特開平10−139063号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-139063

本発明にあっては、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体を提供することを課題とする。   In the present invention, it is an object to provide an optical thin film laminate having decorativeness and metallic luster, having both light transmission and light absorption properties, and further having conductivity.

上記課題を解決するために請求項1に係る発明としては、基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも1層以上積層した積層構造であり、且つ、前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体とした。   In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is an optical thin film laminate including a thin film laminate on one surface of a substrate, the thin film laminate being a high refractive index thin film layer, a low refractive index. An optical structure having a laminated structure in which at least one thin film layer is laminated, and a conductive thin film layer is formed on a surface opposite to the surface on which the thin film laminate of the substrate is formed. A thin film laminate was obtained.

また、請求項2に係る発明としては、前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が1.00×10−4Ω/□未満であることを特徴とする請求項1記載の光学薄膜積層体とした。 The invention according to claim 2 is characterized in that the surface resistivity of the surface on which the conductive thin film layer is formed is less than 1.00 × 10 −4 Ω / □. It was set as the optical thin film laminated body of description.

また、請求項3に係る発明としては、前記導電性薄膜層が、三酸化インジウム(In)、二酸化錫(SnO)、一酸化亜鉛(ZnO)、一酸化カドミウム(CdO)、カドミウム錫の三酸化物(CdSnO)、カドミウム錫の四酸化物(CdSnO)のいずれの化合物も含まないことを特徴とする請求項1または請求項2記載の光学薄膜積層体とした。 According to a third aspect of the present invention, the conductive thin film layer is formed of indium trioxide (In 2 O 3 ), tin dioxide (SnO 2 ), zinc monoxide (ZnO), cadmium monoxide (CdO), cadmium. 3. The optical thin film laminate according to claim 1 or 2, which does not contain any compound of tin trioxide (CdSnO 3 ) and cadmium tin tetraoxide (Cd 2 SnO 4 ).

また、請求項4に係る発明としては、前記薄膜積層体における高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層が、真空成膜法により形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光学薄膜積層体とした。   The invention according to claim 4 is characterized in that the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer in the thin film laminate are formed by a vacuum film forming method. It was set as the optical thin film laminated body of description.

また、請求項5に係る発明としては、請求項1乃至4のいずれかに記載の光学薄膜積層体を具備してなることを特徴とする成形品とした。   An invention according to claim 5 is a molded article comprising the optical thin film laminate according to any one of claims 1 to 4.

上記構成の光学薄膜積層体とすることにより、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体とすることができた。   By setting it as the optical thin film laminated body of the said structure, it was able to be set as the optical thin film laminated body which has decorating property and metallic luster, is compatible with light transmittance and light absorptivity, and also has electroconductivity.

本発明の光学薄膜積層体について説明する。
本発明の光学薄膜積層体は、基材の一方の面に高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも1層以上積層した薄膜積層体を備え、基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層を備える。
The optical thin film laminate of the present invention will be described.
The optical thin film laminate of the present invention comprises a thin film laminate in which at least one high refractive index thin film layer and low refractive index thin film layer are laminated on one surface of a substrate, and the substrate thin film laminate is formed. A conductive thin film layer is provided on the surface opposite to the surface on which the surface is located.

図1は、本発明の光学薄膜積層体の一例の断面模式図を示した。この光学薄膜積層体1は、基材2と、基材2の一方の面上に設けられた薄膜積層体3と、基材2のもう一方の面上に設けられた導電性薄膜層4から構成される。   FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an example of the optical thin film laminate of the present invention. The optical thin film laminate 1 includes a base material 2, a thin film laminate 3 provided on one surface of the base material 2, and a conductive thin film layer 4 provided on the other surface of the base material 2. Composed.

図1の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体3が基材2に近い側から順に高屈折率薄膜層5、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層7の3層が順次積層された積層構造をもつ。本発明にあって光学薄膜積層体は、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも1層以上備えていれば良く、図1に限定されるものではない。   In the optical thin film laminate of FIG. 1, the high refractive index thin film layer 5, the low refractive index thin film layer 6, and the high refractive index thin film layer 7 are sequentially formed in order from the side where the thin film laminate 3 is close to the substrate 2. It has a laminated structure. In the present invention, the optical thin film laminate may be provided with at least one high refractive index thin film layer and low refractive index thin film layer, and is not limited to FIG.

本発明の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び/または低屈折率薄膜層の光学干渉により、彩色を備える。また、本発明の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び/または低屈折率薄膜層を形成する材料により金属光沢を備える。   In the optical thin film laminate of the present invention, coloring is provided by optical interference of the high refractive index thin film layer and / or the low refractive index thin film layer of the thin film laminate. Further, the optical thin film laminate of the present invention has a metallic luster due to the material forming the high refractive index thin film layer and / or the low refractive index thin film layer of the thin film laminate.

また、本発明にあっては、薄膜積層体3が設けられた側の反対側の基材上に導電性薄膜層を備える。導電性薄膜層を備えることにより、光学薄膜積層体の導電性薄膜層表面は導電性を備えることが可能となる。導電性薄膜層は、電極層、帯電防止層、もしくは電波吸収層として機能させることができる。導電性薄膜層を、薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に設けることによって他の層に挟まれずに表出した構造となるため、表面抵抗率がより低減でき、更には、製造時の表面抵抗率の制御及び再現性も容易になる。   Moreover, in this invention, an electroconductive thin film layer is provided on the base material on the opposite side to the side in which the thin film laminated body 3 was provided. By providing the conductive thin film layer, the surface of the conductive thin film layer of the optical thin film laminate can be provided with conductivity. The conductive thin film layer can function as an electrode layer, an antistatic layer, or a radio wave absorption layer. By providing the conductive thin film layer on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate is formed, the structure is exposed without being sandwiched between other layers, so that the surface resistivity can be further reduced. The control and reproducibility of the surface resistivity during manufacture is also facilitated.

なお、本発明の光学薄膜積層体の導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率は1.00×10−4Ω/□以下であることが好ましい。導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率を1.00×10−4Ω/□以下とすることにより、低抵抗な導電性機能が必要とされる、タッチパネル、無機・有機ELの陽極、液晶パネルの電極、電波吸収体等の電子機器部材に適用することができる。 The surface resistivity of the surface on which the conductive thin film layer of the optical thin film laminate of the present invention is formed is preferably 1.00 × 10 −4 Ω / □ or less. By making the surface resistivity of the surface on which the conductive thin film layer is formed 1.00 × 10 −4 Ω / □ or less, a low resistance conductive function is required, touch panel, inorganic / organic The present invention can be applied to electronic device members such as EL anodes, liquid crystal panel electrodes, and radio wave absorbers.

なお、本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成する高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層、また、導電性薄膜層の形成材料及び各層の膜厚を変更することにより、光透過性と光吸収性を両立することができる。   In the optical thin film laminate of the present invention, the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer forming the thin film laminate, and the conductive thin film layer forming material and the film thickness of each layer are changed, Both light permeability and light absorption can be achieved.

また、本発明の光学薄膜積層体において導電性薄膜層は、三酸化インジウム(In)、二酸化錫(SnO)、一酸化亜鉛(ZnO)、一酸化カドミウム(CdO)、カドミウム錫の三酸化物(CdSnO)、カドミウム錫の四酸化物(CdSnO)のいずれも含まないことが好ましい。 In the optical thin film laminate of the present invention, the conductive thin film layer is made of indium trioxide (In 2 O 3 ), tin dioxide (SnO 2 ), zinc monoxide (ZnO), cadmium monoxide (CdO), or cadmium tin. It is preferable that neither a trioxide (CdSnO 3 ) nor a cadmium tin tetraoxide (Cd 2 SnO 4 ) is contained.

理由は次のようになる。すなわち、三酸化インジウム(In)に関しては、希少金属であるインジウムが世界的に供給不足のため価格が高騰しており、問題となっている。インジウムの市場価格は、2004年以降価格が急激に上昇しており、2002年には80〜95USドル/kgであったものが、2004年には200USドル/kgを超え、2005年には1000USドル/kgを突破するまでに達している。2006年以降は価格が下降基調にあるものの未だ高水準であり、今後も当面、高値で推移するものと予測されている。更に、二酸化錫(SnO)に関しては、ある程度の厚膜にしないと低抵抗にならない、ウェットエッチングによるパターンニングが困難であるといった問題がある。一酸化亜鉛(ZnO)に関しては、大気中での抵抗率が経時的に不安定であり、温度の上昇により抵抗率が変化し易いといった問題がある。一酸化カドミウム(CdO)、カドミウム錫の三酸化物(CdSnO)、カドミウム錫の四酸化物(CdSnO)に関しては、毒性を有するカドミウムの化合物であるといった問題がある。 The reason is as follows. That is, indium trioxide (In 2 O 3 ) is a problem because the price of indium, which is a rare metal, is rising worldwide due to a shortage of supply worldwide. The market price of indium has increased sharply since 2004, and it was 80-95 US dollars / kg in 2002, but exceeded 200 US dollars / kg in 2004, and 1000 US dollars in 2005. It has reached the point of breaking through the dollar / kg. Although the price has been on a downward trend since 2006, it is still at a high level and is expected to remain high for the time being. Further, regarding tin dioxide (SnO 2 ), there is a problem that the resistance is not reduced unless the film is thick to some extent, and patterning by wet etching is difficult. With respect to zinc monoxide (ZnO), the resistivity in the atmosphere is unstable over time, and there is a problem that the resistivity is likely to change due to an increase in temperature. Regarding cadmium monoxide (CdO), cadmium tin trioxide (CdSnO 3 ), and cadmium tin tetroxide (Cd 2 SnO 4 ), there is a problem that they are toxic cadmium compounds.

導電性薄膜層を、三酸化インジウム(In)、二酸化錫(SnO)、一酸化亜鉛(ZnO)、一酸化カドミウム(CdO)、カドミウム錫の三酸化物(CdSnO)、カドミウム錫の四酸化物(CdSnO)のいずれも含まないとすることにより、上記の問題を回避した導電性を有する光学薄膜積層体を提供することができる。 The conductive thin film layer is formed of indium trioxide (In 2 O 3 ), tin dioxide (SnO 2 ), zinc monoxide (ZnO), cadmium monoxide (CdO), cadmium tin trioxide (CdSnO 3 ), cadmium tin. By not including any of these tetraoxides (Cd 2 SnO 4 ), it is possible to provide an optical thin film laminate having conductivity that avoids the above problems.

また、本発明の光学薄膜積層体の薄膜積層体において、高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層は真空成膜法により形成されることが好ましい。本発明の光学薄膜積層体にあっては、薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び/または低屈折率薄膜層の光学干渉により、彩色を備える。したがって、高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層は面内において膜厚が均一であることが求められる。   In the thin film laminate of the optical thin film laminate of the present invention, the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer are preferably formed by a vacuum film forming method. In the optical thin film laminate of the present invention, coloring is provided by optical interference of the high refractive index thin film layer and / or the low refractive index thin film layer of the thin film laminate. Therefore, the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer are required to have a uniform film thickness in the plane.

真空成膜法では基材表面の形状を保持したまま薄膜を形成することが可能であり、真空成膜法で堆積していく薄膜形成材料のサイズはオングストロームオーダーの原子・分子であるため、例えば、マイクロメーターオーダーの微細な凹凸を有する基材上に成膜しても表面に均一の厚さで堆積して凹部分を埋めずに元の凹凸形状を保持する。したがって、高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層を真空成膜法により形成することにより、得られる光学薄膜積層体は色ムラのない表面加飾性を得ることができる。   In the vacuum film formation method, it is possible to form a thin film while maintaining the shape of the substrate surface, and since the size of the thin film forming material deposited by the vacuum film formation method is angstrom order atoms and molecules, for example, Even when a film is formed on a substrate having fine irregularities on the order of micrometer, the original irregularity shape is maintained without filling the concave portions by depositing on the surface with a uniform thickness. Therefore, by forming the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer by a vacuum film forming method, the obtained optical thin film laminate can obtain surface decoration without color unevenness.

本発明の光学薄膜積層体は、具体的には、液晶ディスプレイ部材、自動車部材、車両部材、家電用品部材、携帯電話部材、パーソナルコンピューター部材、オーディオ製品部材、カーナビゲーション部材、事務用品部材、スポーツ用品部材、雑貨部材、メガネ・サングラス部材、カメラ部材、光学用品部材、計測機器部材等に適用され、成形品として用いることができる。   Specifically, the optical thin film laminate of the present invention includes a liquid crystal display member, an automobile member, a vehicle member, a household appliance member, a mobile phone member, a personal computer member, an audio product member, a car navigation member, an office supplies member, and a sports article. It is applied to members, sundries members, glasses / sunglasses members, camera members, optical article members, measuring instrument members, etc., and can be used as molded products.

特に、本発明の光学薄膜積層体は携帯電話、PDA、スマートフォン、携帯ゲーム機等の薄型携帯端末機の部材の成形品として用いることができる。薄型携帯端末機は液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の間に溝、あるいは段差を有している場合が多い。溝、あるいは段差が存在することによってディスプレイ部が額縁のように縁取られるため形状デザインが醜くなり好ましくない。   In particular, the optical thin film laminate of the present invention can be used as a molded product for members of thin portable terminals such as mobile phones, PDAs, smartphones and portable game machines. Thin portable terminals often have a groove or a step between a liquid crystal display unit and a casing unit surrounding the liquid crystal display unit. Due to the presence of the grooves or steps, the display portion is framed like a frame, which is not preferable because the shape design becomes ugly.

本発明の光学薄膜積層体を筐体及び液晶ディスプレイ表面に貼り合わせることによって、ディスプレイ点灯時はカラーフィルムを通して画像を視認でき、一方、ディスプレイ消灯時はディスプレイを囲う筐体部をカラーフィルムと同じ色調の部材で構成すればディスプレイ部と筐体部の色調が同じになってカラーデザインの統一感を演出できる。   By laminating the optical thin film laminate of the present invention to the casing and the surface of the liquid crystal display, an image can be visually recognized through the color film when the display is turned on, while the casing surrounding the display has the same color tone as the color film when the display is turned off. If it comprises, the color tone of a display part and a housing | casing part will become the same, and it can produce the unification feeling of a color design.

液晶ディスプレイ消灯時の液晶素子の色は濃い灰色をしているが、液晶素子の色自体を彩色することは出来ず、液晶ディスプレイとその回りを囲む筐体に色彩デザイン上の統一感を喪失しており好ましくない。本発明の光学薄膜積層体を用いることにより、消灯時に液晶ディスプレイと筐体の色調が一体となり、ディスプレイ部の存在を意識させないように隠すことができる。一方、点灯時はディスプレイ部が明るくなって画面を浮き上がらせることができる。   The color of the liquid crystal element when the liquid crystal display is turned off is dark gray, but the color of the liquid crystal element itself cannot be colored, and the liquid crystal display and the surrounding enclosure lose a sense of unity in color design. It is not preferable. By using the optical thin film laminate of the present invention, the color tone of the liquid crystal display and the casing is integrated when the light is turned off, and can be hidden so as not to be aware of the presence of the display unit. On the other hand, when it is lit, the display unit becomes bright and the screen can be lifted.

また、本発明の光学薄膜積層体は、タッチパネル部材の成形品として用いることができる。本発明の光学薄膜積層体は、加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有するため、液晶ディスプレイの視認側に貼り合わせることにより、種々の機能の選択をディスプレイ上で展開することが可能になり、多彩なエンターテイメント性を演出できる。   Moreover, the optical thin film laminated body of this invention can be used as a molded article of a touch panel member. The optical thin film laminate of the present invention has a decorative property and a metallic luster, has both light transmission and light absorption properties, and has electrical conductivity. It is possible to expand the selection of functions on the display and produce a variety of entertainment.

以下に本発明の光学薄膜積層体の製造方法について説明する。   The method for producing the optical thin film laminate of the present invention will be described below.

(基材)
本発明における基材としては、透明性を有しているものであれば特に限定されるものではなく、プラスチック、ガラス、あるいはこれらを複合した素材が挙げられる。
プラスチック素材としては、例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリウレタン、ポリエチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイト、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルフォン、ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリパラキシレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルオキサイド、トリアセチルセルロース、セルロースアセテート、珪素樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ABS樹脂、ABSアロイ等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ガラス素材としては、例えば、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラス、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、これらプラスチック素材、ガラス素材を各種複合した素材でも構わない。
(Base material)
The substrate in the present invention is not particularly limited as long as it has transparency, and examples thereof include plastic, glass, or a composite material of these.
Examples of plastic materials include polyester, polyamide, polyimide, polypropylene, polyethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetal, polyvinyl alcohol, polyurethane, polyethyl methacrylate, polycarbonate, polystyrene, polyphenylene sulfite, and polyethersulfide. Hong, polyethersulfone, polyolefin, polyarylate, polysulfone, polyparaxylene, polyetheretherketone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenyl oxide, triacetylcellulose, cellulose acetate, silicon resin, fluororesin, acrylic resin, phenol Resin, epoxy resin, ABS resin, ABS alloy, etc. Not intended to be constant.
Examples of the glass material include, but are not limited to, soda lime glass, borosilicate glass, quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, alkali-free glass, lead glass, and the like.
Further, a material obtained by combining these plastic materials and glass materials may be used.

基材の形状としては、表面が平滑であれば特に限定されず、板状、ロール状等が挙げられる。   The shape of the substrate is not particularly limited as long as the surface is smooth, and examples thereof include a plate shape and a roll shape.

基材の表面は薄膜積層体を形成する前に、目的に応じて表面処理を施してもよい。表面処理法としては、例えば、コロナ処理法、蒸着処理法、電子ビーム処理法、高周波放電プラズマ処理法、スパッタリング処理法、イオンビーム処理法、大気圧グロー放電プラズマ処理法、アルカリ処理法、酸処理法等が挙げられる。   The surface of the substrate may be subjected to a surface treatment according to the purpose before forming the thin film laminate. As the surface treatment method, for example, corona treatment method, vapor deposition treatment method, electron beam treatment method, high frequency discharge plasma treatment method, sputtering treatment method, ion beam treatment method, atmospheric pressure glow discharge plasma treatment method, alkali treatment method, acid treatment Law.

基材の厚さは、目的の用途に応じて適宜選択され、通常5μm以上10mm以下である。プラスチック素材には、公知の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤、酸化防止剤、難燃剤等が含有されていてもよい。   The thickness of the substrate is appropriately selected according to the intended use, and is usually 5 μm or more and 10 mm or less. The plastic material may contain a known additive, for example, an ultraviolet absorber, a plasticizer, a lubricant, a colorant, an antioxidant, a flame retardant and the like.

(薄膜積層体)
本発明における薄膜積層体は、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層の少なくとも1層以上の薄膜層を積層して形成されたものである。
(Thin film laminate)
The thin film laminate in the present invention is formed by laminating at least one thin film layer of a high refractive index thin film layer and a low refractive index thin film layer.

図1には、基材2に近い側から高屈折率薄膜層5、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層7の3層が順次積層してなる薄膜積層体3が示されているが、これは一実施例にすぎず、基材2の一方の面上に、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層の少なくとも一層以上を積層していれば、1層であっても、2層以上であってもよく、層数に制限はない。   FIG. 1 shows a thin film laminate 3 in which three layers of a high refractive index thin film layer 5, a low refractive index thin film layer 6, and a high refractive index thin film layer 7 are sequentially laminated from the side close to the substrate 2. However, this is only an example, and if at least one of a high refractive index thin film layer and a low refractive index thin film layer is laminated on one surface of the substrate 2, even if it is a single layer, There may be two or more layers, and the number of layers is not limited.

(高屈折率薄膜層)
本発明における高屈折率薄膜層とは、光の波長550nmでの屈折率が1.75以上の層である。
光の透過性に優れた高屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を0.01未満にすれば良く、一方、光吸収性を有する高屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を0.01以上にすれば良い。
(High refractive index thin film layer)
The high refractive index thin film layer in the present invention is a layer having a refractive index of 1.75 or more at a light wavelength of 550 nm.
In the case of a high refractive index thin film layer excellent in light transmittance, the extinction coefficient in the visible light region should be less than 0.01, while on the other hand, a high refractive index thin film layer having light absorption The extinction coefficient in the visible light region may be 0.01 or more.

高屈折率薄膜層の材料としては、例えば、
テルル化鉛(PbTe)(屈折率 1.75、消衰係数 2.90)、
三酸化イットリウム(Y)(屈折率 1.79、消衰係数 0)、
二酸化トリウム(ThO)(屈折率 1.80、消衰係数 0)、
ニッケル(Ni)(屈折率 1.87、消衰係数 3.32)、
三酸化ビスマス(Bi)(屈折率 1.91、消衰係数 0)、
三酸化ガドリニウム(Gd)(屈折率 1.93、消衰係数 0)、
三酸化ランタン(La)(屈折率 1.95、消衰係数 0)、
十一酸化プラセオジム(Pr11)(屈折率 1.95、消衰係数 0)、
ロジウム(Rh)(屈折率 1.97、消衰係数 5.02)、
二酸化ハフニウム(HfO)(屈折率 1.99、消衰係数 0)、
三酸化ネオジウム(Nd)(屈折率 2.00、消衰係数 0)、
一酸化珪素(SiO)(屈折率 2.00、消衰係数 0.03)、
三酸化アンチモン(Sb)(屈折率 2.04、消衰係数 0)、
一窒化珪素(SiN)(屈折率 2.06、消衰係数 0)、
二酸化ジルコニウム(ZrO)(屈折率 2.06、消衰係数 0)、
白金(Pt)(屈折率 2.13、消衰係数 3.71)、
五酸化タンタル(Ta)(屈折率 2.14、消衰係数 0)、
二酸化セリウム(CeO)(屈折率 2.20、消衰係数 0)、
三酸化クロム(Cr)(屈折率 2.24、消衰係数 0.07)、
五酸化ニオブ(Nb)(屈折率 2.27、消衰係数 0)、
二酸化チタン(TiO)(屈折率 2.32、消衰係数 0)、
一硫化亜鉛(ZnS)(屈折率 2.35、消衰係数 0)、
タンタル(Ta)(屈折率 2.48、消衰係数 1.83)、
チタン(Ti)(屈折率 2.54、消衰係数 3.34)、
一炭化珪素(SiC)(屈折率 2.66、消衰係数 0)、
セレン化亜鉛(ZnSe)(屈折率 2.69、消衰係数 0.02)、
鉄(Fe)(屈折率 2.89、消衰係数 3.35)、
三硫化アンチモン(Sb)(屈折率 3.00、消衰係数 0)、
クロム(Cr)(屈折率 3.12、消衰係数 4.42)、
タングステン(W)(屈折率 3.24、消衰係数 2.49)、
モリブデン(Mo)(屈折率 3.79、消衰係数 3.51)、
ゲルマニウム(Ge)(屈折率 3.95、消衰係数 1.98)、
珪素(Si)(屈折率 4.08、消衰係数 0.04)、
または、これら材料の混合物が挙げられる。屈折率、消衰係数は光の波長550nmのときの値である。
As a material for the high refractive index thin film layer, for example,
Lead telluride (PbTe) (refractive index 1.75, extinction coefficient 2.90),
Yttrium trioxide (Y 2 O 3 ) (refractive index 1.79, extinction coefficient 0),
Thorium dioxide (ThO 2 ) (refractive index 1.80, extinction coefficient 0),
Nickel (Ni) (refractive index 1.87, extinction coefficient 3.32),
Bismuth trioxide (Bi 2 O 3 ) (refractive index 1.91, extinction coefficient 0),
Gadolinium trioxide (Gd 2 O 3 ) (refractive index 1.93, extinction coefficient 0),
Lanthanum trioxide (La 2 O 3 ) (refractive index 1.95, extinction coefficient 0),
11 praseodymium oxide (Pr 6 O 11 ) (refractive index 1.95, extinction coefficient 0),
Rhodium (Rh) (refractive index 1.97, extinction coefficient 5.02),
Hafnium dioxide (HfO 2 ) (refractive index 1.99, extinction coefficient 0),
Neodymium trioxide (Nd 2 O 3 ) (refractive index 2.00, extinction coefficient 0),
Silicon monoxide (SiO) (refractive index 2.00, extinction coefficient 0.03),
Antimony trioxide (Sb 2 O 3 ) (refractive index 2.04, extinction coefficient 0),
Silicon mononitride (SiN) (refractive index 2.06, extinction coefficient 0),
Zirconium dioxide (ZrO 2 ) (refractive index 2.06, extinction coefficient 0),
Platinum (Pt) (refractive index 2.13, extinction coefficient 3.71),
Tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) (refractive index 2.14, extinction coefficient 0),
Cerium dioxide (CeO 2 ) (refractive index 2.20, extinction coefficient 0),
Chromium trioxide (Cr 2 O 3 ) (refractive index 2.24, extinction coefficient 0.07),
Niobium pentoxide (Nb 2 O 5 ) (refractive index 2.27, extinction coefficient 0),
Titanium dioxide (TiO 2 ) (refractive index 2.32, extinction coefficient 0),
Zinc monosulfide (ZnS) (refractive index 2.35, extinction coefficient 0),
Tantalum (Ta) (refractive index 2.48, extinction coefficient 1.83),
Titanium (Ti) (refractive index 2.54, extinction coefficient 3.34),
Silicon monocarbide (SiC) (refractive index 2.66, extinction coefficient 0),
Zinc selenide (ZnSe) (refractive index 2.69, extinction coefficient 0.02),
Iron (Fe) (refractive index 2.89, extinction coefficient 3.35),
Antimony trisulfide (Sb 2 S 3 ) (refractive index 3.00, extinction coefficient 0),
Chromium (Cr) (refractive index 3.12, extinction coefficient 4.42),
Tungsten (W) (refractive index 3.24, extinction coefficient 2.49),
Molybdenum (Mo) (refractive index 3.79, extinction coefficient 3.51),
Germanium (Ge) (refractive index 3.95, extinction coefficient 1.98),
Silicon (Si) (refractive index 4.08, extinction coefficient 0.04),
Or the mixture of these materials is mentioned. The refractive index and the extinction coefficient are values at a light wavelength of 550 nm.

光吸収性を有する高屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数が0.01以上の材料を使用すればよいが、可視光領域の光透過性を有する程度の膜厚とする必要がある。膜厚が厚過ぎると光透過性のない層になり、逆に、膜厚が薄過ぎると光吸収性が不十分な層になる。光透過性と光吸収性を両立させる好ましい膜厚は0.3nm以上100nm以下である。   In the case of a high refractive index thin film layer having light absorptivity, a material having an extinction coefficient in the visible light region of 0.01 or more may be used. It is necessary to. If the film thickness is too thick, it becomes a layer without light transmission, and conversely, if the film thickness is too thin, it becomes a layer with insufficient light absorption. A preferable film thickness that achieves both light transmission and light absorption is 0.3 nm or more and 100 nm or less.

ここで、図1に示す高屈折率薄膜層5、および7とは、必ずしも同一の材料でなくてもよく、目的に合わせて適宜選択されるものである。   Here, the high-refractive-index thin film layers 5 and 7 shown in FIG. 1 are not necessarily the same material, and are appropriately selected according to the purpose.

(低屈折率薄膜層)
本発明における低屈折率薄膜層とは、光の波長550nmでの屈折率が1.75未満の層である。光の透過性に優れた低屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を0.01未満にすれば良く、一方、光吸収性を有する低屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数を0.01以上にすれば良い。
(Low refractive index thin film layer)
The low refractive index thin film layer in the present invention is a layer having a refractive index of less than 1.75 at a light wavelength of 550 nm. In the case of a low refractive index thin film layer excellent in light transmittance, the extinction coefficient in the visible light region should be less than 0.01, while on the other hand, a low refractive index thin film layer having light absorptivity. The extinction coefficient in the visible light region may be 0.01 or more.

低屈折率薄膜層の材料としては、例えば、
銀(Ag)(屈折率 0.055、消衰係数 3.32)、
金(Au)(屈折率 0.331、消衰係数 2.32)、
銅(Cu)(屈折率 0.670、消衰係数 2.86)、
アルミニウム(Al)(屈折率 0.834、消衰係数 6.03)、
一窒化チタン(TiN)(屈折率 1.25、消衰係数 2.10)、
クライオライト(NaAlF)(屈折率 1.35、消衰係数 0)、
二弗化マグネシウム(MgF)(屈折率 1.38、消衰係数 0)、
一弗化リチウム(LiF)(屈折率 1.39、消衰係数 0)、
二弗化カルシウム(CaF)(屈折率 1.43、消衰係数 0)、
二酸化珪素(SiO)(屈折率 1.46、消衰係数 0)、
二弗化ストロンチウム(SrF)(屈折率 1.46、消衰係数 0)、
二弗化バリウム(BaF)(屈折率 1.48、消衰係数 0)、
三弗化イッテルビウム(YbF)(屈折率 1.52、消衰係数 0)、
タングステンとチタンの窒化物(TiN)(屈折率 1.54、消衰係数 1.52)、
四弗化トリウム(ThF)(屈折率 1.56、消衰係数 0)、
四弗化ハフニウム(HfF)(屈折率 1.57、消衰係数 0)、
三弗化ランタン(LaF)(屈折率 1.58、消衰係数 0)、
三弗化ネオジウム(NdF)(屈折率 1.60、消衰係数 0)、
三弗化セリウム(CeF)(屈折率 1.64、消衰係数 0)、
パラジウム(Pd)(屈折率 1.64、消衰係数 3.85)、
三酸化アルミニウム(Al)(屈折率 1.67、消衰係数 0)、
一酸化マグネシウム(MgO)(屈折率 1.74、消衰係数 0)、
または、これら材料の混合物が挙げられる。屈折率、消衰係数は光の波長550nmのときの値である。
As a material for the low refractive index thin film layer, for example,
Silver (Ag) (refractive index 0.055, extinction coefficient 3.32),
Gold (Au) (refractive index 0.331, extinction coefficient 2.32),
Copper (Cu) (refractive index 0.670, extinction coefficient 2.86),
Aluminum (Al) (refractive index 0.834, extinction coefficient 6.03),
Titanium mononitride (TiN) (refractive index 1.25, extinction coefficient 2.10),
Cryolite (Na 3 AlF 6 ) (refractive index 1.35, extinction coefficient 0),
Magnesium difluoride (MgF 2 ) (refractive index 1.38, extinction coefficient 0),
Lithium monofluoride (LiF) (refractive index 1.39, extinction coefficient 0),
Calcium difluoride (CaF 2 ) (refractive index 1.43, extinction coefficient 0),
Silicon dioxide (SiO 2 ) (refractive index 1.46, extinction coefficient 0),
Strontium difluoride (SrF 2 ) (refractive index 1.46, extinction coefficient 0),
Barium difluoride (BaF 2 ) (refractive index 1.48, extinction coefficient 0),
Ytterbium trifluoride (YbF 3 ) (refractive index 1.52, extinction coefficient 0),
Tungsten and titanium nitride (TiN x W y ) (refractive index 1.54, extinction coefficient 1.52),
Thorium tetrafluoride (ThF 4 ) (refractive index 1.56, extinction coefficient 0),
Hafnium tetrafluoride (HfF 4 ) (refractive index 1.57, extinction coefficient 0),
Lanthanum trifluoride (LaF 3 ) (refractive index 1.58, extinction coefficient 0),
Neodymium trifluoride (NdF 3 ) (refractive index 1.60, extinction coefficient 0),
Cerium trifluoride (CeF 3 ) (refractive index 1.64, extinction coefficient 0),
Palladium (Pd) (refractive index 1.64, extinction coefficient 3.85),
Aluminum trioxide (Al 2 O 3 ) (refractive index 1.67, extinction coefficient 0),
Magnesium monoxide (MgO) (refractive index 1.74, extinction coefficient 0),
Or the mixture of these materials is mentioned. The refractive index and the extinction coefficient are values at a light wavelength of 550 nm.

光吸収性を有する低屈折率薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数が0.01以上の材料を使用すればよいが、可視光領域の光透過性を有する程度の膜厚とする必要がある。膜厚が厚過ぎると光透過性のない層になり、逆に、膜厚が薄過ぎると光吸収性が不十分な層になる。光透過性と光吸収性を両立させる好ましい膜厚は0.3nm以上100nm以下である。   In the case of a low refractive index thin film layer having light absorption, a material having an extinction coefficient in the visible light region of 0.01 or more may be used. It is necessary to. If the film thickness is too thick, it becomes a layer without light transmission, and conversely, if the film thickness is too thin, it becomes a layer with insufficient light absorption. A preferable film thickness that achieves both light transmission and light absorption is 0.3 nm or more and 100 nm or less.

本発明における薄膜積層体の高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層は、蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等の真空成膜法により形成することが好ましい。   The high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer of the thin film laminate in the present invention can be formed by a vacuum film forming method such as an evaporation method, a sputtering method, a plasma CVD method, an ion plating method, or an ion beam assist method. preferable.

真空成膜法では基材表面の形状を保持したまま薄膜を形成することが可能である。真空成膜法で堆積していく薄膜形成材料のサイズはオングストロームオーダーの原子・分子であるため、例えば、マイクロメーターオーダーの微細な凹凸を有する基材上に成膜しても表面に均一の厚さで堆積して凹部分を埋めずに元の凹凸形状を保持するため、色ムラのない表面加飾性を得ることができる。   In the vacuum film formation method, it is possible to form a thin film while maintaining the shape of the substrate surface. Since the size of the thin film forming material deposited by the vacuum film formation method is angstrom order atoms / molecules, for example, even if a film is formed on a substrate having fine irregularities of micrometer order, the surface has a uniform thickness Since the original concave / convex shape is maintained without being deposited by filling up the concave portion, it is possible to obtain a surface decorating property without color unevenness.

高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層に腐食、劣化性の金属材料を用いる場合は、腐食、劣化を防止するために高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層に隣接して保護層を形成してもよい。JIS Z0103−2004は腐食を「金属がそれをとり囲む環境物質によって、化学的または電気化学的に浸食されるか若しくは材質的に劣化する現象。」と定義している。更に、耐食性を「金属が腐食に耐える性質。」、防食を「金属が腐食するのを防止すること。」としている。従って、保護層に使用する防食剤としては金属を防食する性能を有するものであれば如何なる材料でも構わない。   When corrosive or degradable metal materials are used for the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer, a protective layer is provided adjacent to the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer to prevent corrosion and deterioration. It may be formed. JIS Z0103-2004 defines corrosion as "a phenomenon in which a metal is chemically or electrochemically eroded or deteriorated by the environmental material surrounding it." Furthermore, the corrosion resistance is “the property that the metal resists corrosion”, and the anticorrosion is “to prevent the metal from corroding”. Therefore, any material may be used as the anticorrosive used in the protective layer as long as it has a performance to prevent corrosion of metals.

防食剤としては、例えば、アミン類およびその誘導体、ピロール環を有する物、トリアゾール環を有する物、ピラゾール環を有する物、チアゾール環を有する物、イミダゾール環を有する物、インダゾール環を有する物、銅キレート化合物類、チオ尿素類、メルカプト基を有する物、ナフタレン系の少なくとも一種またはこれらの混合物が挙げられる。   Examples of anticorrosives include amines and derivatives thereof, those having a pyrrole ring, those having a triazole ring, those having a pyrazole ring, those having a thiazole ring, those having an imidazole ring, those having an indazole ring, copper Examples thereof include chelate compounds, thioureas, products having a mercapto group, at least one naphthalene group, or a mixture thereof.

防食剤を塗布する方法としては、スプレー法、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスに加えて、蒸着法、CVD法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスにより成膜することができる。防食剤の成分の有効範囲に関しては、防食剤を成膜した箇所の表面に成分が存在する場合のみならず、成分が内部に浸透して表面以外の箇所でも存在する場合も含む。   In addition to wet processes such as spraying, microgravure, screen coating, and dip coating, the method for applying the anticorrosive is to form a film by a vacuum dry process such as vapor deposition, CVD, or plasma polymerization. Can do. The effective range of the anticorrosive component includes not only the case where the component exists on the surface of the portion where the anticorrosive film is formed, but also the case where the component permeates into the interior and also exists at a location other than the surface.

本発明における薄膜積層体は、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも1層以上積層して形成されたものである。これによると、彩色、金属光沢、光透過性、及び光吸収性を有する光学薄膜積層体を得ることができる。   The thin film laminate in the present invention is formed by laminating at least one high refractive index thin film layer and low refractive index thin film layer. According to this, the optical thin film laminated body which has coloring, metallic luster, light transmittance, and light absorptivity can be obtained.

本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が15以上75以下、a*が10以上80以下、b*が−80以上80以下であることが好ましい。これによると、金属光沢と赤色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。   In the optical thin film laminate of the present invention, a measurement light source is installed on the side on which the thin film laminate is formed, and L * of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light. Is preferably 15 or more and 75 or less, a * is 10 or more and 80 or less, and b * is preferably −80 or more and 80 or less. According to this, it can be set as the optical thin film laminated body which has metallic luster and red coloring.

本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*を15以上60以下、a*を−20以上70以下、b*を−80以上−10以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と青色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。   In the optical thin film laminate of the present invention, a measurement light source is installed on the side on which the thin film laminate is formed, and L * of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light. Is preferably from 15 to 60, a * is from -20 to 70, and b * is preferably from -80 to -10. According to this, it can be set as the optical thin film laminated body which has metallic luster and blue coloring.

本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*を15以上80以下、a*を−35以上35以下、b*を−20以上20以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と銀色、または黒色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。   In the optical thin film laminate of the present invention, a measurement light source is installed on the side on which the thin film laminate is formed, and L * of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light. Is preferably from 15 to 80, a * is from -35 to 35, and b * is preferably from -20 to 20. According to this, it can be set as the optical thin film laminated body which has a metallic luster and silver or black coloring.

本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*を15以上80以下、a*を−30以上30以下、b*を5以上70以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と黄色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。   In the optical thin film laminate of the present invention, a measurement light source is installed on the side on which the thin film laminate is formed, and L * of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light. Is preferably 15 to 80, a * is preferably −30 to 30 and b * is preferably 5 to 70. According to this, it can be set as the optical thin film laminated body which has metallic luster and yellow coloring.

本発明の光学薄膜積層体においては、薄膜積層体を形成した側に測定光源を設置し、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*を15以上80以下、a*を−75以上−5以下、b*を−45以上45以下とすることが好ましい。これによると、金属光沢と緑色の彩色を有する光学薄膜積層体とすることができる。   In the optical thin film laminate of the present invention, a measurement light source is installed on the side on which the thin film laminate is formed, and L * of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light. Is preferably from 15 to 80, a * is from −75 to −5, and b * is preferably from −45 to 45. According to this, it can be set as the optical thin film laminated body which has metallic luster and green coloring.

なお、本発明の光学薄膜積層体におけるCIELABの明度L*、色相・彩度a*、b*は、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光を用いて、JIS Z 8729に準拠して測定したものであり、薄膜積層体4を形成した側と反対側の導電性薄膜層表面を黒く塗り、測定光源は基材の薄膜積層体を形成した側に設置している。   The lightness L *, hue / saturation a *, and b * of CIELAB in the optical thin film laminate of the present invention conform to JIS Z 8729 using a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light. The surface of the conductive thin film layer opposite to the side on which the thin film laminate 4 is formed is painted black, and the measurement light source is installed on the side of the substrate on which the thin film laminate is formed.

(導電性薄膜層)
本発明おける導電性薄膜層は、薄膜積層体を形成した側と反対の基材の面上に、高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層から選ばれる1層の薄膜層を形成したものである。
(Conductive thin film layer)
The conductive thin film layer according to the present invention is obtained by forming a single thin film layer selected from a high refractive index thin film layer and a low refractive index thin film layer on the surface of the substrate opposite to the side on which the thin film laminate is formed. is there.

導電性薄膜層は、三酸化インジウム(In)、二酸化錫(SnO)、一酸化亜鉛(ZnO)、一酸化カドミウム(CdO)、カドミウム錫の三酸化物(CdSnO)、カドミウム錫の四酸化物(CdSnO)のいずれも含まないことが好ましい。 The conductive thin film layer is composed of indium trioxide (In 2 O 3 ), tin dioxide (SnO 2 ), zinc monoxide (ZnO), cadmium monoxide (CdO), cadmium tin trioxide (CdSnO 3 ), cadmium tin. It is preferable that none of these tetraoxides (Cd 2 SnO 4 ) is contained.

導電性薄膜層の材料としては、例えば、
銀(Ag)(屈折率 0.055、消衰係数 3.32)、
金(Au)(屈折率 0.331、消衰係数 2.32)、
銅(Cu)(屈折率 0.670、消衰係数 2.86)、
アルミニウム(Al)(屈折率 0.834、消衰係数 6.03)、
一窒化チタン(TiN)(屈折率 1.25、消衰係数 2.10)、
タングステンとチタンの窒化物(TiN)(屈折率 1.54、消衰係数 1.52)、
パラジウム(Pd)(屈折率 1.64、消衰係数 3.85)、
ニッケル(Ni)(屈折率 1.87、消衰係数 3.32)、
ロジウム(Rh)(屈折率 1.97、消衰係数 5.02)、
白金(Pt)(屈折率 2.13、消衰係数 3.71)、
タンタル(Ta)(屈折率 2.48、消衰係数 1.83)、
チタン(Ti)(屈折率 2.54、消衰係数 3.34)、
クロム(Cr)(屈折率 3.12、消衰係数 4.42)、
タングステン(W)(屈折率 3.24、消衰係数 2.49)、
モリブデン(Mo)(屈折率 3.79、消衰係数 3.51)、
ゲルマニウム(Ge)(屈折率 3.95、消衰係数 1.98)、
または、これら材料の混合物が挙げられる。屈折率、消衰係数は光の波長550nmのときの値である。
As a material of the conductive thin film layer, for example,
Silver (Ag) (refractive index 0.055, extinction coefficient 3.32),
Gold (Au) (refractive index 0.331, extinction coefficient 2.32),
Copper (Cu) (refractive index 0.670, extinction coefficient 2.86),
Aluminum (Al) (refractive index 0.834, extinction coefficient 6.03),
Titanium mononitride (TiN) (refractive index 1.25, extinction coefficient 2.10),
Tungsten and titanium nitride (TiN x W y ) (refractive index 1.54, extinction coefficient 1.52),
Palladium (Pd) (refractive index 1.64, extinction coefficient 3.85),
Nickel (Ni) (refractive index 1.87, extinction coefficient 3.32),
Rhodium (Rh) (refractive index 1.97, extinction coefficient 5.02),
Platinum (Pt) (refractive index 2.13, extinction coefficient 3.71),
Tantalum (Ta) (refractive index 2.48, extinction coefficient 1.83),
Titanium (Ti) (refractive index 2.54, extinction coefficient 3.34),
Chromium (Cr) (refractive index 3.12, extinction coefficient 4.42),
Tungsten (W) (refractive index 3.24, extinction coefficient 2.49),
Molybdenum (Mo) (refractive index 3.79, extinction coefficient 3.51),
Germanium (Ge) (refractive index 3.95, extinction coefficient 1.98),
Or the mixture of these materials is mentioned. The refractive index and the extinction coefficient are values at a light wavelength of 550 nm.

光吸収性を有する導電性薄膜層とする場合は、可視光領域での消衰係数が0.01以上の材料を使用すればよいが、可視光領域の光透過性を有する程度の膜厚とする必要がある。膜厚が厚過ぎると光透過性のない層になり、逆に、膜厚が薄過ぎると光吸収性が不十分な層になる。光透過性と光吸収性を両立させる好ましい膜厚は0.3nm以上50nm以下である。   When a conductive thin film layer having a light absorption property is used, a material having an extinction coefficient in the visible light region of 0.01 or more may be used. There is a need to. If the film thickness is too thick, it becomes a layer without light transmission, and conversely, if the film thickness is too thin, it becomes a layer with insufficient light absorption. A preferable film thickness that achieves both light transmission and light absorption is 0.3 nm or more and 50 nm or less.

導電性薄膜層は、ドライプロセスやウェットプロセスにより形成が可能である。ドライプロセスの場合、例えば、蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法等で成膜することができる。   The conductive thin film layer can be formed by a dry process or a wet process. In the case of a dry process, the film can be formed by, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, a plasma CVD method, an ion plating method, an ion beam assist method, or the like.

ウェットプロセスの場合、透明樹脂中に導電性材料を分散させた溶液を用いて、例えば、スプレー法、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等で成膜することができる。勿論、導電性材料を分散させた溶液を真空蒸着法によって飛散させて成膜してもよい。 In the case of a wet process, the film can be formed by, for example, a spray method, a micro gravure method, a screen coating method, a dip coating method, or the like, using a solution in which a conductive material is dispersed in a transparent resin. Of course, a film in which a conductive material is dispersed may be scattered by a vacuum deposition method.

導電性薄膜層に腐食、劣化性の金属材料を用いる場合は、腐食、劣化を防止するために導電性薄膜層に隣接して保護層を形成してもよい。保護層に使用する防食剤としては金属を防食する性能を有するものであれば如何なる材料でもよく、例えば、上記で記載した材料、あるいは混合物が挙げられる。 When a corrosive or degradable metal material is used for the conductive thin film layer, a protective layer may be formed adjacent to the conductive thin film layer in order to prevent corrosion or deterioration. As the anticorrosive used in the protective layer, any material may be used as long as it has a performance to prevent corrosion of metals, and examples thereof include the materials described above or mixtures.

防食剤を塗布する方法としては、スプレー法、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスに加えて、蒸着法、CVD法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスにより成膜することができる。導電性薄膜層をウェットプロセスによって形成する場合は、導電性薄膜層を形成する溶液中に防食剤を添加してもよい。防食剤の成分の有効範囲に関しては、防食剤を成膜した箇所の表面に成分が存在する場合のみならず、成分が内部に浸透して表面以外の箇所でも存在する場合も含む。   In addition to wet processes such as spraying, microgravure, screen coating, and dip coating, the method for applying the anticorrosive is to form a film by a vacuum dry process such as vapor deposition, CVD, or plasma polymerization. Can do. In the case where the conductive thin film layer is formed by a wet process, an anticorrosive agent may be added to the solution for forming the conductive thin film layer. The effective range of the anticorrosive component includes not only the case where the component exists on the surface of the portion where the anticorrosive film is formed, but also the case where the component permeates into the interior and also exists at a location other than the surface.

屈折率、および、消衰係数の光学定数に関しては、分光エリプソメトリー法を用いて、薄膜層試料の表面から反射してくる光の偏光状態の変化を測定することで求めることが可能である。消衰係数に関しては、0.01以上になると光の吸収が大きくなり、一方、0.01未満では光の吸収が小さくなるため、光吸収性を有する光吸収薄膜と光透過性に優れた透明薄膜を消衰係数の値で使い分けることが可能である。   The optical constants of the refractive index and the extinction coefficient can be obtained by measuring the change in the polarization state of the light reflected from the surface of the thin film layer sample using a spectroscopic ellipsometry method. Regarding the extinction coefficient, light absorption increases when it is 0.01 or more, while light absorption decreases when it is less than 0.01. Therefore, a light-absorbing thin film having light absorptivity and transparent with excellent light transmittance. It is possible to properly use the thin film depending on the extinction coefficient.

本発明の光学薄膜積層体は、以下の式で定義される5°入射、正反射光における波長550nmの光での吸収率が2%以上70%以下であることが好ましい。
(式) 吸収率(%)=100%−透過率(%)−反射率(%)
光学薄膜積層体の吸収率を2%以上70%以下とすることにより、光吸収性と光透過性を両立させた性能を付与することができる。光学薄膜積層体の吸収率が70%を超えるような場合、光透過性が不十分となってしまい、例えば、液晶ディスプレイ部材に適用した場合、ディスプレイ画面の画像の視認性が悪くなり問題になる。一方、光学薄膜積層体の吸収率が2%を満たない場合、光吸収性が不十分となってしまい、例えば、本発明の光学薄膜積層体を薄型携帯端末機の液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の全面を覆うように貼り合わせた場合、ディスプレイ部と筐体部の色調が異なり、カラーデザインの統一感を演出できなくなり問題になる。
The optical thin film laminate of the present invention preferably has an absorptance of 2% or more and 70% or less for light having a wavelength of 550 nm in 5 ° incidence and regular reflection light defined by the following formula.
(Expression) Absorbance (%) = 100% −Transmittance (%) − Reflectance (%)
By setting the absorptivity of the optical thin film laminate to 2% or more and 70% or less, it is possible to provide performance that achieves both light absorption and light transmission. When the absorption rate of the optical thin film laminate exceeds 70%, the light transmittance becomes insufficient. For example, when it is applied to a liquid crystal display member, the visibility of the image on the display screen is deteriorated, which becomes a problem. . On the other hand, when the optical thin film laminate has an absorptance of less than 2%, the light absorptivity becomes insufficient. For example, the optical thin film laminate of the present invention is disposed around the liquid crystal display section of a thin portable terminal. When pasting together so as to cover the entire surface of the enclosing casing, the color tone of the display section and the casing is different, which makes it impossible to produce a unified color design.

本発明の光学薄膜積層体は、具体的には、自動車部材、車両部材、家電用品部材、携帯電話部材、携帯ゲーム機部材、パーソナルコンピューター部材、PDA部材、オーディオ製品部材、カーナビゲーション部材、事務用品部材、スポーツ用品部材、雑貨部材、メガネ・サングラス部材、カメラ部材、光学用品部材、計測機器部材等に適用される。   Specifically, the optical thin film laminate of the present invention includes an automobile member, a vehicle member, a household appliance member, a mobile phone member, a portable game machine member, a personal computer member, a PDA member, an audio product member, a car navigation member, and office supplies. It is applied to members, sporting goods members, miscellaneous goods members, glasses / sunglasses members, camera members, optical goods members, measuring equipment members, and the like.

本発明の光学薄膜積層体を、携帯電話、PDA、スマートフォン、携帯ゲーム機等の薄型携帯端末機の液晶ディスプレイ部上に貼り合わせることにより、ディスプレイ消灯時は液晶素子を見えなくして隠し、一方、ディスプレイ点灯時は光学薄膜積層体を通してディスプレイ画面の画像が視認できるようになる。更に、液晶ディスプレイ部のみならず、ディスプレイ部の周囲にある筐体をディスプレイ部も含めて本発明の光学薄膜積層体で被覆することによって、ディスプレイ消灯時にディスプレイ部と筐体の見た目の質感を一体にすることが可能になる。つまり、ディスプレイ点灯時だけディスプレイ部の画像が浮かび上がって視認できるようになるため、ディスプレイ部と周囲の筐体部のデザインに統一感を持たせることができるようになる。   By laminating the optical thin film laminate of the present invention on the liquid crystal display part of a thin portable terminal such as a mobile phone, PDA, smart phone, portable game machine, etc. When the display is lit, the image on the display screen can be seen through the optical thin film laminate. Furthermore, by covering not only the liquid crystal display part but also the casing around the display part, including the display part, with the optical thin film laminate of the present invention, the appearance of the display part and the casing is integrated when the display is turned off. It becomes possible to. In other words, since the image on the display unit emerges and can be viewed only when the display is lit, the design of the display unit and the surrounding housing unit can have a sense of unity.

加えて、本発明の光学薄膜積層体を、薄型携帯端末機の液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の全面を覆うように貼り合わせれば、液晶ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の間に溝、あるいは段差が無く滑らかになり、形状デザインがすっきりとした統一感のあるものになる。ディスプレイ部とその回りを囲む筐体部の形状が一体となることで構造上の容積を減らせるため薄型携帯端末機をより一層薄型化することも可能になる。 In addition, if the optical thin film laminate of the present invention is bonded so as to cover the entire surface of the liquid crystal display part of the thin portable terminal and the casing part surrounding it, the liquid crystal display part and the casing part surrounding the liquid crystal display part There will be no gaps or steps between them, and it will be smooth and the shape design will have a clean and unified feeling. By integrating the shape of the display unit and the casing unit surrounding the display unit, the structural volume can be reduced, so that the thin portable terminal can be further reduced in thickness.

更に、本発明の光学薄膜積層体は、導電性を有しているためタッチパネル部材として使用することができる。特に、導電性材料に三酸化インジウム、二酸化錫、一酸化亜鉛、一酸化カドミウム、カドミウム錫の三酸化物、カドミウム錫の四酸化物を使用しない場合には、安価でかつ生産供給が安定した、ウェットエッチングによるパターンニングが容易で、大気中での抵抗率が安定した、毒性の無い、加飾性、金属光沢性、光透過性、光吸収性を兼備した導電性部材を提供することが可能である。   Furthermore, since the optical thin film laminate of the present invention has conductivity, it can be used as a touch panel member. In particular, in the case of not using indium trioxide, tin dioxide, zinc monoxide, cadmium monoxide, cadmium tin trioxide, cadmium tin tetroxide as the conductive material, it is inexpensive and stable in production and supply. It is possible to provide conductive members that are easy to pattern by wet etching, have stable resistivity in the atmosphere, are non-toxic, have decorative properties, metallic luster, light transmission, and light absorption. It is.

以下、本発明の実施例を具体的に説明する。   Examples of the present invention will be specifically described below.

[実施例1]
図2に示すように、基材2である、厚さ100μmの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層5、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層7、低屈折率薄膜層8、高屈折率薄膜層9からなる薄膜積層体3を以下のように形成した。
[Example 1]
As shown in FIG. 2, a high refractive index thin film layer 5, a low refractive index thin film layer 6, and a high refractive index thin film layer are formed on one surface of a colorless and transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm as a base material 2. 7. A thin film laminate 3 composed of a low refractive index thin film layer 8 and a high refractive index thin film layer 9 was formed as follows.

まず、基材2上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚30nmの高屈折率薄膜層5を形成した。 First, titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited on the substrate 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 5 having a physical film thickness of 30 nm.

高屈折率薄膜層5の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚15nmの低屈折率薄膜層6を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 5 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 6 having a physical film thickness of 15 nm.

低屈折率薄膜層6の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚55nmの高屈折率薄膜層7を形成した。 On the low refractive index thin film layer 6, titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 7 having a physical film thickness of 55 nm.

高屈折率薄膜層7の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚65nmの低屈折率薄膜層8を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 7 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam, thereby forming a low refractive index thin film layer 8 having a physical film thickness of 65 nm.

低屈折率薄膜層8の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚10nmの高屈折率薄膜層9を形成し、薄膜積層体3を完成させた。 Titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited on the low refractive index thin film layer 8 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 9 having a physical film thickness of 10 nm, thereby completing the thin film laminate 3. I let you.

次に、基材2の薄膜積層体3を形成した面と反対の面上に、1層の薄膜層からなる導電性薄膜層4を以下のように形成した。   Next, on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate 3 of the substrate 2 was formed, the conductive thin film layer 4 composed of one thin film layer was formed as follows.

基材2上に、ニッケル(Ni)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚7nmの導電性薄膜層4を形成し、光学薄膜積層体1を完成させた。   Nickel (Ni) was deposited on the substrate 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a conductive thin film layer 4 having a physical film thickness of 7 nm, thereby completing the optical thin film stack 1.

得られた光学薄膜積層体1について、薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗り、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が35.9、a*が0.6、b*が0.2であった。   About the obtained optical thin film laminated body 1, the electroconductive thin film layer 4 surface on the opposite side to the side which formed the thin film laminated body 3 was painted black, and the measurement light source was installed in the side in which the thin film laminated body 3 of the base material 2 was formed. At that time, L * was 35.9, a * was 0.6, and b * was 0.2 for CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light.

得られた光学薄膜積層体1について、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、透過光における視感平均透過率Yは46.6%であった。   For the obtained optical thin film laminate 1, when a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° visual field, luminous average transmittance Y in transmitted light Was 46.6%.

以下の式で定義される5°入射、波長550nmの光における光学薄膜積層体1の吸収率は48.1%であった。

(式) 吸収率(%)=100%−透過率(%)−反射率(%)
The absorptance of the optical thin film laminate 1 in light having an incident angle of 5 ° and a wavelength of 550 nm defined by the following formula was 48.1%.

(Expression) Absorbance (%) = 100% −Transmittance (%) − Reflectance (%)

得られた光学薄膜積層体1を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、銀色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体1を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。   When the obtained optical thin film laminate 1 was bonded to a liquid crystal display, it was confirmed that a silver metallic luster was produced when the display was turned off, and that the liquid crystal element was excellent in concealment. On the other hand, when the display was turned on, an image projected on the display through the optical thin film laminate 1 emerged, and the image was visible.

上記した分光測定は、U−4000形 自記分光光度計(株式会社 日立製作所製)を用いて行った。測定手順は次に示すとおりである。まず、反射明度、および反射色相・彩度の場合、光学薄膜積層体1の薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面全面を黒い塗料でムラの出ないように塗りつぶした。黒い塗料で塗りつぶした基材2を太陽光の自然光あるいは蛍光灯などの人工光にかざして、基材2を通して光が漏れていないか確認した。基材2の黒塗りしなかった面側をU−4000形 自記分光光度計の測定光源に向けて設置した。このとき、薄膜積層体を形成した基材2表面における鉛直線に対して測定光が5°の角度を持って基材2表面に入射するように設置した。基材2表面で正反射される光の方向で、かつ、2°視野になる位置に測光器を設置して可視光領域(380〜780nm)における分光反射率を測定し、JIS Z 8701に規定される三刺激値X、Y、Zを求めた。三刺激値X、Y、Zの計算は5nm間隔で実施した。続いて、三刺激値を用いてJIS Z 8729に規定されるL*a*b*表色系の明度L*、色相・彩度a*、b*を求めた。   The above-mentioned spectroscopic measurement was performed using U-4000 type self-recording spectrophotometer (made by Hitachi, Ltd.). The measurement procedure is as follows. First, in the case of reflected lightness and reflected hue / saturation, the entire surface of the conductive thin film layer 4 opposite to the side on which the thin film stack 3 of the optical thin film stack 1 is formed is filled with black paint so as not to cause unevenness. It was. The base material 2 painted with black paint was held over natural light of sunlight or artificial light such as a fluorescent lamp, and it was confirmed whether light leaked through the base material 2. The surface side of the base material 2 that was not painted black was placed toward the measurement light source of the U-4000 type self-recording spectrophotometer. At this time, it was installed so that the measurement light was incident on the surface of the base material 2 at an angle of 5 ° with respect to the vertical line on the surface of the base material 2 on which the thin film laminate was formed. A spectrophotometer is installed in the direction of the light that is regularly reflected on the surface of the base material 2 and at a position that becomes a 2 ° field of view, and the spectral reflectance in the visible light region (380 to 780 nm) is measured, and specified in JIS Z 8701 The tristimulus values X, Y, Z to be obtained were determined. Tristimulus values X, Y, and Z were calculated at 5 nm intervals. Subsequently, the lightness L *, hue / saturation a *, and b * of the L * a * b * color system defined in JIS Z 8729 were determined using tristimulus values.

次に、視感平均透過率Yの場合、光学薄膜積層体1の薄膜積層体3を形成した側をU−4000形 自記分光光度計の測定光源に向けて設置した。このとき、薄膜積層体を形成した基材2表面における鉛直線に対して測定光が5°の角度を持って基材2表面に入射するように設置した。基材2を透過した光の方向で、かつ、2°視野になる位置に測光器を設置して可視光領域(380〜780nm)における分光透過率を測定し、JIS Z 8701に規定される三刺激値X、Y、Zを求めた。三刺激値X、Y、Zの計算は5nm間隔で実施した。   Next, in the case of the luminous average transmittance Y, the side on which the thin film laminate 3 of the optical thin film laminate 1 was formed was placed toward the measurement light source of the U-4000 type self-recording spectrophotometer. At this time, it was installed so that the measurement light was incident on the surface of the base material 2 at an angle of 5 ° with respect to the vertical line on the surface of the base material 2 on which the thin film laminate was formed. A photometer is installed in the direction of the light transmitted through the substrate 2 and at a position where the 2 ° field of view is set, and the spectral transmittance in the visible light region (380 to 780 nm) is measured, and three as defined in JIS Z 8701 Stimulus values X, Y and Z were determined. Tristimulus values X, Y, and Z were calculated at 5 nm intervals.

更に、吸収率に関しては、予め測定した可視光領域(380〜780nm)における分光反射率、および分光透過率のうち波長550nmのときのそれぞれの値を百分率から引いて求めた。吸収率を求める際の分光反射率の測定に関しては、光学薄膜積層体1の薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗らずに、光学薄膜積層体1の薄膜積層体3を形成した側をU−4000形 自記分光光度計の測定光源に向けて設置して行った。   Furthermore, regarding the absorptance, each value at the wavelength of 550 nm out of the spectral reflectance in the visible light region (380 to 780 nm) and spectral transmittance measured in advance was subtracted from the percentage. Regarding the measurement of the spectral reflectance when obtaining the absorptance, the surface of the conductive thin film layer 4 on the side opposite to the side on which the thin film stack 3 of the optical thin film stack 1 is formed is not painted black. The side on which the thin film laminate 3 was formed was installed facing the measurement light source of the U-4000 type self-recording spectrophotometer.

なお、本発明におけるCIELABの明度L*、色相・彩度a*、b*は、D65光源、5°入射、2°視野の条件でJIS Z 8729に準拠して測定したものである。   The lightness L *, hue / saturation a *, and b * of CIELAB in the present invention are measured in accordance with JIS Z 8729 under the conditions of a D65 light source, 5 ° incidence, and 2 ° visual field.

また、得られた光学薄膜積層体1の導電性薄膜層4側の表面抵抗率を測定したところ6.93×10+1Ω/□であった。 Further, the surface resistivity of the obtained optical thin film laminate 1 on the conductive thin film layer 4 side was measured and found to be 6.93 × 10 +1 Ω / □.

上記した表面抵抗率の測定は、ロレスタ−HP(三菱化学株式会社製)を用いて行った。プローブには四探針プローブ(プローブのピン間隔 5mm)を使用した。測定手順に関しては、JIS K 7194−1994に準拠した。   The above-described surface resistivity was measured using Loresta-HP (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation). A four-probe probe (probe pin interval 5 mm) was used as the probe. The measurement procedure was based on JIS K 7194-1994.

[実施例2]
図3に示すように、基材2である、厚さ100μmの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層5、高屈折率薄膜層7、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層9からなる薄膜積層体3を以下のように形成した。
[Example 2]
As shown in FIG. 3, a high refractive index thin film layer 5, a high refractive index thin film layer 7, and a low refractive index thin film layer are formed on one surface of a colorless and transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm as the base material 2. 6. The thin film laminate 3 composed of the high refractive index thin film layer 9 was formed as follows.

基材2上に、ニッケル(Ni)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚1.5nmの高屈折率薄膜層5を形成した。   Nickel (Ni) was deposited on the base material 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 5 having a physical film thickness of 1.5 nm.

高屈折率薄膜層5の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚40nmの高屈折率薄膜層7を形成した。 Titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 5 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 7 having a physical film thickness of 40 nm.

高屈折率薄膜層7の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚50nmの低屈折率薄膜層6を形成した。 On the high refractive index thin film layer 7, silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited by a vacuum evaporation method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 6 having a physical film thickness of 50 nm.

低屈折率薄膜層6の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚15nmの高屈折率薄膜層9を形成し、薄膜積層体3を完成させた。 Titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited on the low refractive index thin film layer 6 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 9 having a physical film thickness of 15 nm, thereby completing the thin film laminate 3. I let you.

次に、基材2の薄膜積層体3を形成した面と反対の面上に、1層の薄膜層からなる導電性薄膜層4を以下のように形成した。   Next, on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate 3 of the substrate 2 was formed, the conductive thin film layer 4 composed of one thin film layer was formed as follows.

基材2上に、クロム(Cr)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚10nmの導電性薄膜層4を形成し、光学薄膜積層体1を完成させた。   Chromium (Cr) was deposited on the substrate 2 by a vacuum evaporation method using an electron beam to form a conductive thin film layer 4 having a physical film thickness of 10 nm, thereby completing the optical thin film stack 1.

薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗り、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が54.5、a*が−0.5、b*が−0.9であった。   When the surface of the conductive thin film layer 4 opposite to the side on which the thin film laminate 3 is formed is painted black, and a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 CIELAB (according to JIS Z 8729) in visual field and specular reflection light had L * of 54.5, a * of -0.5, and b * of -0.9.

得られた光学薄膜積層体1について、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、透過光における視感平均透過率Yは15.5%であった。   For the obtained optical thin film laminate 1, when a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° visual field, luminous average transmittance Y in transmitted light Was 15.5%.

5°入射、波長550nmの光における光学薄膜積層体1の吸収率は65.6%であった。   The absorptance of the optical thin film laminate 1 with respect to light having an incident angle of 5 ° and a wavelength of 550 nm was 65.6%.

得られた光学薄膜積層体1を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、黒色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体1を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。   When the obtained optical thin film laminate 1 was bonded to a liquid crystal display, a black metallic luster was produced when the display was turned off, and it was confirmed that the liquid crystal element was excellent in concealment. On the other hand, when the display was turned on, an image projected on the display through the optical thin film laminate 1 emerged, and the image was visible.

得られた光学薄膜積層体1の導電性薄膜層4側の表面抵抗率を測定したところ1.17×10+3Ω/□であった。 When the surface resistivity of the obtained optical thin film laminate 1 on the conductive thin film layer 4 side was measured, it was 1.17 × 10 +3 Ω / □.

[実施例3]
図4に示すように、基材2である、厚さ100μmの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層5、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層7、低屈折率薄膜層8、高屈折率薄膜層9からなる薄膜積層体3を以下のように形成した。
[Example 3]
As shown in FIG. 4, a high refractive index thin film layer 5, a low refractive index thin film layer 6, and a high refractive index thin film layer are formed on one surface of a colorless and transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm as the base material 2. 7. A thin film laminate 3 composed of a low refractive index thin film layer 8 and a high refractive index thin film layer 9 was formed as follows.

まず、基材2上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚70nmの高屈折率薄膜層5を形成した。 First, titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited on the substrate 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 5 having a physical film thickness of 70 nm.

高屈折率薄膜層5の上に、一窒化チタン(TiN)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚15nmの低屈折率薄膜層6を形成した。   Titanium mononitride (TiN) was deposited on the high refractive index thin film layer 5 by a vacuum evaporation method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 6 having a physical film thickness of 15 nm.

低屈折率薄膜層6の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚55nmの高屈折率薄膜層7を形成した。 On the low refractive index thin film layer 6, titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 7 having a physical film thickness of 55 nm.

高屈折率薄膜層7の上に、一窒化チタン(TiN)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚15nmの低屈折率薄膜層8を形成した。   Titanium mononitride (TiN) was deposited on the high refractive index thin film layer 7 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 8 having a physical film thickness of 15 nm.

低屈折率薄膜層8の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚35nmの高屈折率薄膜層9を形成し、薄膜積層体3を完成させた。 Titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited on the low refractive index thin film layer 8 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 9 having a physical film thickness of 35 nm, thereby completing the thin film laminate 3. I let you.

次に、基材2の薄膜積層体3を形成した面と反対の面上に、1層の薄膜層からなる導電性薄膜層4を以下のように形成した。   Next, on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate 3 of the substrate 2 was formed, the conductive thin film layer 4 composed of one thin film layer was formed as follows.

基材2上に、銀(Ag)中に金(Au)を2.5原子パーセント含有させた合金を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚9nmの導電性薄膜層4を形成した。   On the base material 2, an alloy containing 2.5 atomic percent of gold (Au) in silver (Ag) is deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a conductive thin film layer 4 having a physical thickness of 9 nm. Formed.

更に、導電性薄膜層4の上に、防食剤の2‐ヘプタデシルイミダゾールをメタノールの溶媒に溶解した溶液をマイクログラビア法で塗布して保護層10を形成し、光学薄膜積層体1を完成させた。   Further, a protective layer 10 is formed on the conductive thin film layer 4 by applying a solution prepared by dissolving the anticorrosive agent 2-heptadecylimidazole in a methanol solvent by a microgravure method, thereby completing the optical thin film laminate 1. It was.

得られた光学薄膜積層体1について、薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗り、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が38.5、a*が−29.5、b*が0.4であった。 About the obtained optical thin film laminated body 1, the electroconductive thin film layer 4 surface on the opposite side to the side which formed the thin film laminated body 3 was painted black, and the measurement light source was installed in the side in which the thin film laminated body 3 of the base material 2 was formed. L65 of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) for D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and specularly reflected light was 38.5, a * was −29.5, and b * was 0.4. .

得られた光学薄膜積層体1について、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、透過光における視感平均透過率Yは25.0%であった。   For the obtained optical thin film laminate 1, when a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° visual field, luminous average transmittance Y in transmitted light Was 25.0%.

5°入射、波長550nmの光における光学薄膜積層体1の吸収率は62.2%であった。   The absorptance of the optical thin film laminate 1 in light having an incident angle of 5 ° and a wavelength of 550 nm was 62.2%.

得られた光学薄膜積層体1を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、緑色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体1を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。   When the obtained optical thin film laminate 1 was bonded to a liquid crystal display, it was confirmed that a green metallic luster was produced when the display was turned off, and that the liquid crystal element was excellent in concealment. On the other hand, when the display was turned on, an image projected on the display through the optical thin film laminate 1 emerged, and the image was visible.

得られた光学薄膜積層体1の導電性薄膜層4側の表面抵抗率を測定したところ1.15×10+1Ω/□であった。 The surface resistivity of the obtained optical thin film laminate 1 on the conductive thin film layer 4 side was measured and found to be 1.15 × 10 +1 Ω / □.

[実施例4]
図3に示すように、基材2である、厚さ100μmの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層5、高屈折率薄膜層7、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層9からなる薄膜積層体3を以下のように形成した。
[Example 4]
As shown in FIG. 3, a high refractive index thin film layer 5, a high refractive index thin film layer 7, and a low refractive index thin film layer are formed on one surface of a colorless and transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm as the base material 2. 6. The thin film laminate 3 composed of the high refractive index thin film layer 9 was formed as follows.

基材2上に、ニッケル(Ni)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚2.0nmの高屈折率薄膜層5を形成した。   On the base material 2, nickel (Ni) was deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 5 having a physical film thickness of 2.0 nm.

高屈折率薄膜層5の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚65nmの高屈折率薄膜層7を形成した。 Titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 5 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 7 having a physical film thickness of 65 nm.

高屈折率薄膜層7の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚65nmの低屈折率薄膜層6を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 7 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 6 having a physical film thickness of 65 nm.

低屈折率薄膜層6の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚30nmの高屈折率薄膜層9を形成し、薄膜積層体3を完成させた。 Titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited on the low refractive index thin film layer 6 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 9 having a physical thickness of 30 nm, thereby completing the thin film stack 3. I let you.

次に、基材2の薄膜積層体3を形成した面と反対の面上に、1層の薄膜層からなる導電性薄膜層4を以下のように形成した。   Next, on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate 3 of the substrate 2 was formed, the conductive thin film layer 4 composed of one thin film layer was formed as follows.

基材2上に、ニッケル(Ni)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚5nmの導電性薄膜層4を形成し、光学薄膜積層体1を完成させた。   Nickel (Ni) was deposited on the substrate 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a conductive thin film layer 4 having a physical film thickness of 5 nm, thereby completing the optical thin film stack 1.

薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗り、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が47.5、a*が0.7、b*が−40.0であった。   When the surface of the conductive thin film layer 4 opposite to the side on which the thin film laminate 3 is formed is painted black, and a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 CIELAB (according to JIS Z 8729) in visual field and specular reflection light had L * of 47.5, a * of 0.7, and b * of −40.0.

得られた光学薄膜積層体1について、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、透過光における視感平均透過率Yは41.2%であった。   For the obtained optical thin film laminate 1, when a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° visual field, luminous average transmittance Y in transmitted light Was 41.2%.

5°入射、波長550nmの光における光学薄膜積層体1の吸収率は44.0%であった。   The absorptance of the optical thin film laminate 1 with respect to light having an incident angle of 5 ° and a wavelength of 550 nm was 44.0%.

得られた光学薄膜積層体1を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、青色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体1を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。   When the obtained optical thin film laminate 1 was bonded to a liquid crystal display, a blue metallic luster was produced when the display was extinguished, and it was confirmed that the liquid crystal element was excellent in concealment. On the other hand, when the display was turned on, an image projected on the display through the optical thin film laminate 1 emerged, and the image was visible.

得られた光学薄膜積層体1の導電性薄膜層4側の表面抵抗率を測定したところ2.67×10+2Ω/□であった。 It was 2.67 * 10 < +2 > ohm / square when the surface resistivity by the side of the conductive thin film layer 4 of the obtained optical thin film laminated body 1 was measured.

[実施例5]
図2に示すように、基材2である、厚さ100μmの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層5、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層7、低屈折率薄膜層8、高屈折率薄膜層9からなる薄膜積層体3を以下のように形成した。
[Example 5]
As shown in FIG. 2, a high refractive index thin film layer 5, a low refractive index thin film layer 6, and a high refractive index thin film layer are formed on one surface of a colorless and transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm as a base material 2. 7. A thin film laminate 3 composed of a low refractive index thin film layer 8 and a high refractive index thin film layer 9 was formed as follows.

基材2上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚85nmの高屈折率薄膜層5を形成した。 Titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited on the substrate 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 5 having a physical film thickness of 85 nm.

高屈折率薄膜層5の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚90nmの低屈折率薄膜層6を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 5 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 6 having a physical film thickness of 90 nm.

低屈折率薄膜層6の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚25nmの高屈折率薄膜層7を形成した。 On the low refractive index thin film layer 6, titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 7 having a physical film thickness of 25 nm.

高屈折率薄膜層7の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚40nmの低屈折率薄膜層8を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 7 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 8 having a physical thickness of 40 nm.

低屈折率薄膜層8の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚20nmの高屈折率薄膜層9を形成し、薄膜積層体3を完成させた。 Titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited on the low refractive index thin film layer 8 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 9 having a physical film thickness of 20 nm, thereby completing the thin film laminate 3. I let you.

次に、基材2の薄膜積層体3を形成した面と反対の面上に、1層の薄膜層からなる導電性薄膜層4を以下のように形成した。   Next, on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate 3 of the substrate 2 was formed, the conductive thin film layer 4 composed of one thin film layer was formed as follows.

基材2上に、タングステン(W)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚7nmの導電性薄膜層4を形成し、光学薄膜積層体1を完成させた。   Tungsten (W) was deposited on the base material 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a conductive thin film layer 4 having a physical film thickness of 7 nm, thereby completing the optical thin film stack 1.

得られた光学薄膜積層体1について、薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗り、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、
D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が32.6、a*が−0.7、b*が43.0であった。
About the obtained optical thin film laminated body 1, the electroconductive thin film layer 4 surface on the opposite side to the side which formed the thin film laminated body 3 was painted black, and the measurement light source was installed in the side in which the thin film laminated body 3 of the base material 2 was formed. When
L65 of CIELAB (conforming to JIS Z 8729) in a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, and regular reflection light was 32.6, a * was −0.7, and b * was 43.0.

得られた光学薄膜積層体1について、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、透過光における視感平均透過率Yは30.2%であった。   For the obtained optical thin film laminate 1, when a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° visual field, luminous average transmittance Y in transmitted light Was 30.2%.

5°入射、波長550nmの光における光学薄膜積層体1の吸収率は39.0%であった。   The absorptance of the optical thin film laminate 1 with respect to light having an incident angle of 5 ° and a wavelength of 550 nm was 39.0%.

得られた光学薄膜積層体1を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、黄色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体1を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。   When the obtained optical thin film laminate 1 was bonded to a liquid crystal display, it was confirmed that a yellow metallic luster was produced when the display was turned off, and that the liquid crystal element was excellent in concealment. On the other hand, when the display was turned on, an image projected on the display through the optical thin film laminate 1 emerged, and the image was visible.

得られた光学薄膜積層体1の導電性薄膜層4側の表面抵抗率を測定したところ3.50×10+1Ω/□であった。 The surface resistivity of the obtained optical thin film laminate 1 on the conductive thin film layer 4 side was measured and found to be 3.50 × 10 +1 Ω / □.

[実施例6]
図2に示すように、基材2である、厚さ100μmの無色透明なポリエチレンテレフタレートのフィルムの一方の面上に、高屈折率薄膜層5、低屈折率薄膜層6、高屈折率薄膜層7、低屈折率薄膜層8、高屈折率薄膜層9からなる薄膜積層体3を以下のように形成した。
[Example 6]
As shown in FIG. 2, a high refractive index thin film layer 5, a low refractive index thin film layer 6, and a high refractive index thin film layer are formed on one surface of a colorless and transparent polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μm as a base material 2. 7. A thin film laminate 3 composed of a low refractive index thin film layer 8 and a high refractive index thin film layer 9 was formed as follows.

基材2上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚100nmの高屈折率薄膜層5を形成した。 Titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited on the substrate 2 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 5 having a physical film thickness of 100 nm.

高屈折率薄膜層5の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚115nmの低屈折率薄膜層6を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 5 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 6 having a physical film thickness of 115 nm.

低屈折率薄膜層6の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚60nmの高屈折率薄膜層7を形成した。 On the low refractive index thin film layer 6, titanium dioxide (TiO 2 ) was deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 7 having a physical film thickness of 60 nm.

高屈折率薄膜層7の上に、二酸化珪素(SiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚150nmの低屈折率薄膜層8を形成した。 Silicon dioxide (SiO 2 ) was deposited on the high refractive index thin film layer 7 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a low refractive index thin film layer 8 having a physical film thickness of 150 nm.

低屈折率薄膜層8の上に、二酸化チタン(TiO)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚85nmの高屈折率薄膜層9を形成し、薄膜積層体3を完成させた。 Titanium dioxide (TiO 2 ) is deposited on the low refractive index thin film layer 8 by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a high refractive index thin film layer 9 having a physical film thickness of 85 nm, thereby completing the thin film laminate 3. I let you.

次に、基材2の薄膜積層体3を形成した面と反対の面上に、1層の薄膜層からなる導電性薄膜層4を以下のように形成した。   Next, on the surface opposite to the surface on which the thin film laminate 3 of the substrate 2 was formed, the conductive thin film layer 4 composed of one thin film layer was formed as follows.

基材2上に、ニッケル(Ni)を電子ビームを利用した真空蒸着法によって堆積させ、物理膜厚7.5nmの導電性薄膜層4を形成し、光学薄膜積層体1を完成させた。   On the base material 2, nickel (Ni) was deposited by a vacuum vapor deposition method using an electron beam to form a conductive thin film layer 4 having a physical film thickness of 7.5 nm, thereby completing the optical thin film stack 1.

得られた光学薄膜積層体1について、薄膜積層体3を形成した側と反対側の導電性薄膜層4表面を黒く塗り、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、正反射光におけるCIELAB(JIS Z 8729に準拠)のL*が60.5、a*が48.6、b*が−0.1であった。   About the obtained optical thin film laminated body 1, the electroconductive thin film layer 4 surface on the opposite side to the side which formed the thin film laminated body 3 was painted black, and the measurement light source was installed in the side in which the thin film laminated body 3 of the base material 2 was formed. When D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° field of view, CIELAB (conforms to JIS Z 8729) in specular reflection light, L * was 60.5, a * was 48.6, and b * was -0.1. .

得られた光学薄膜積層体1について、基材2の薄膜積層体3を形成した側に測定光源を設置したとき、D65光源、5°入射、2°視野、透過光における視感平均透過率Yが34.8%であった。   For the obtained optical thin film laminate 1, when a measurement light source is installed on the side of the substrate 2 on which the thin film laminate 3 is formed, a D65 light source, 5 ° incidence, 2 ° visual field, luminous average transmittance Y in transmitted light Was 34.8%.

5°入射、波長550nmの光における光学薄膜積層体1の吸収率は45.4%であった。   The absorptance of the optical thin film laminate 1 with respect to light having an incident angle of 5 ° and a wavelength of 550 nm was 45.4%.

得られた光学薄膜積層体1を液晶ディスプレイに貼り合わせたところ、ディスプレイ消灯時は、赤色の金属光沢感が演出されており、更に、液晶素子の隠蔽性に優れていることが確認できた。一方、ディスプレイ点灯時は、光学薄膜積層体1を通してディスプレイに写し出された画像が浮かび上がり、画像が視認できた。   When the obtained optical thin film laminate 1 was bonded to a liquid crystal display, a red metallic luster was produced when the display was turned off, and it was confirmed that the liquid crystal element was excellent in concealment. On the other hand, when the display was turned on, an image projected on the display through the optical thin film laminate 1 emerged, and the image was visible.

得られた光学薄膜積層体1の導電性薄膜層4側の表面抵抗率を測定したところ4.84×10+1Ω/□であった。 When the surface resistivity of the obtained optical thin film laminate 1 on the conductive thin film layer 4 side was measured, it was 4.84 × 10 +1 Ω / □.

本発明の光学薄膜積層体の一例の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of an example of the optical thin film laminated body of this invention. 実施例1、5、6の光学薄膜積層体を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the optical thin film laminated body of Examples 1, 5, and 6. FIG. 実施例2、4の光学薄膜積層体を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the optical thin film laminated body of Example 2, 4. 実施例3の光学薄膜積層体を示す断面模式図である。6 is a schematic cross-sectional view showing an optical thin film laminate of Example 3. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 光学薄膜積層体
2 基材
3 薄膜積層体
4 導電性薄膜層
5 高屈折率薄膜層
6 低屈折率薄膜層
7 高屈折率薄膜層
8 低屈折率薄膜層
9 高屈折率薄膜層
10 保護層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical thin film laminated body 2 Base material 3 Thin film laminated body 4 Conductive thin film layer 5 High refractive index thin film layer 6 Low refractive index thin film layer 7 High refractive index thin film layer 8 Low refractive index thin film layer 9 High refractive index thin film layer 10 Protective layer

Claims (5)

基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、
該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも1層以上積層した積層構造であり、且つ、
前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体。
An optical thin film laminate comprising a thin film laminate on one surface of a substrate,
The thin film laminate has a laminated structure in which at least one high refractive index thin film layer and low refractive index thin film layer are laminated, and
An optical thin film laminate, wherein a conductive thin film layer is formed on a surface opposite to a surface on which the thin film laminate of the substrate is formed.
前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が1.00×10−4Ω/□未満であることを特徴とする請求項1記載の光学薄膜積層体。 2. The optical thin film laminate according to claim 1, wherein the surface resistivity of the surface on which the conductive thin film layer is formed is less than 1.00 × 10 −4 Ω / □. 前記導電性薄膜層が、三酸化インジウム(In)、二酸化錫(SnO)、一酸化亜鉛(ZnO)、一酸化カドミウム(CdO)、カドミウム錫の三酸化物(CdSnO)、カドミウム錫の四酸化物(CdSnO)のいずれの化合物も含まないことを特徴とする請求項1または請求項2記載の光学薄膜積層体。 The conductive thin film layer is composed of indium trioxide (In 2 O 3 ), tin dioxide (SnO 2 ), zinc monoxide (ZnO), cadmium monoxide (CdO), cadmium tin trioxide (CdSnO 3 ), cadmium. The optical thin film laminate according to claim 1 or 2, wherein any compound of tin tetraoxide (Cd 2 SnO 4 ) is not contained. 前記薄膜積層体における高屈折率薄膜層及び低屈折率薄膜層が、真空成膜法により形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光学薄膜積層体。   The optical thin film laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the high refractive index thin film layer and the low refractive index thin film layer in the thin film laminate are formed by a vacuum film forming method. 請求項1乃至4のいずれかに記載の光学薄膜積層体を具備してなることを特徴とする成形品。   A molded article comprising the optical thin film laminate according to any one of claims 1 to 4.
JP2007263032A 2007-10-09 2007-10-09 Optical thin film laminate Pending JP2009092913A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007263032A JP2009092913A (en) 2007-10-09 2007-10-09 Optical thin film laminate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007263032A JP2009092913A (en) 2007-10-09 2007-10-09 Optical thin film laminate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009092913A true JP2009092913A (en) 2009-04-30

Family

ID=40664967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007263032A Pending JP2009092913A (en) 2007-10-09 2007-10-09 Optical thin film laminate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009092913A (en)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011059677A (en) * 2009-08-11 2011-03-24 Sumitomo Chemical Co Ltd Notch filter
JP2011191338A (en) * 2010-03-11 2011-09-29 Etsumi Kogaku:Kk Transparent coloring article
JP2012101544A (en) * 2010-11-12 2012-05-31 Bmc Co Ltd Transparent conductive layered film, method for producing the same, and touch panel including the same
JP2013148844A (en) * 2012-01-23 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd Light absorber and imaging apparatus using the same
CN103472514A (en) * 2013-09-26 2013-12-25 沈阳仪表科学研究院有限公司 Notch filter with quasi-rugate film structure
WO2015079652A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 凸版印刷株式会社 Display body and method for manufacturing same
WO2015107968A1 (en) * 2014-01-15 2015-07-23 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing transparent conductor and transparent conductor
WO2015125558A1 (en) * 2014-02-20 2015-08-27 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing transparent electroconductive body and electroconductive body
JP2015205946A (en) * 2014-04-17 2015-11-19 介面光電股▲ふん▼有限公司 Black paint and electrode structure using the same
JP2016153845A (en) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 Front plate for display device and display device including the same
JP2017167557A (en) * 2017-05-22 2017-09-21 旭硝子株式会社 Light absorber and image capturing device using the same
JP2018045249A (en) * 2017-11-21 2018-03-22 キヤノン株式会社 Optical element and optical system having the same
CN108028461A (en) * 2015-09-23 2018-05-11 金勋来 Layered product
US10107894B2 (en) 2015-12-09 2018-10-23 Hyundai Motor Company Radio-wave-penetrable layer having metallic luster
CN108686911A (en) * 2018-04-16 2018-10-23 维沃移动通信有限公司 Surface treatment method, the shell of shell
KR101925467B1 (en) 2017-06-27 2018-12-05 주식회사 엘지화학 Decoration element and preparing method thereof
JPWO2018123219A1 (en) * 2016-12-27 2019-11-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 Wavelength conversion body and wavelength conversion member
US11179912B2 (en) 2017-06-27 2021-11-23 Lg Chem, Ltd. Decorative member and method for preparing same
US11192334B2 (en) 2017-06-27 2021-12-07 Lg Chem, Ltd. Decorative member and method for preparing same
CN115980898A (en) * 2023-03-21 2023-04-18 成都沃达惠康科技股份有限公司 Multi-element multi-layer middle infrared high-reflection film and preparation method thereof
WO2023092770A1 (en) * 2021-11-25 2023-06-01 江门亿都半导体有限公司 Surface polarizer and smart lcd sunglasses
WO2024051164A1 (en) * 2022-09-06 2024-03-14 Corning Incorporated Semitransparent antireflective assemblies for deadfront display applications

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000222967A (en) * 1999-02-02 2000-08-11 Polymatech Co Ltd Decorated key top
JP2002122703A (en) * 2000-10-19 2002-04-26 Toppan Printing Co Ltd Antireflection laminate and optical functional laminate and display device using the same
JP2004322380A (en) * 2003-04-22 2004-11-18 Nof Corp Transparent electroconductive material and touch panel

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000222967A (en) * 1999-02-02 2000-08-11 Polymatech Co Ltd Decorated key top
JP2002122703A (en) * 2000-10-19 2002-04-26 Toppan Printing Co Ltd Antireflection laminate and optical functional laminate and display device using the same
JP2004322380A (en) * 2003-04-22 2004-11-18 Nof Corp Transparent electroconductive material and touch panel

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011059677A (en) * 2009-08-11 2011-03-24 Sumitomo Chemical Co Ltd Notch filter
JP2011191338A (en) * 2010-03-11 2011-09-29 Etsumi Kogaku:Kk Transparent coloring article
JP2012101544A (en) * 2010-11-12 2012-05-31 Bmc Co Ltd Transparent conductive layered film, method for producing the same, and touch panel including the same
JP2013148844A (en) * 2012-01-23 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd Light absorber and imaging apparatus using the same
CN103472514A (en) * 2013-09-26 2013-12-25 沈阳仪表科学研究院有限公司 Notch filter with quasi-rugate film structure
JP2015101024A (en) * 2013-11-26 2015-06-04 凸版印刷株式会社 Display body and method for manufacturing display body
WO2015079652A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 凸版印刷株式会社 Display body and method for manufacturing same
WO2015107968A1 (en) * 2014-01-15 2015-07-23 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing transparent conductor and transparent conductor
WO2015125558A1 (en) * 2014-02-20 2015-08-27 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing transparent electroconductive body and electroconductive body
JP2015205946A (en) * 2014-04-17 2015-11-19 介面光電股▲ふん▼有限公司 Black paint and electrode structure using the same
JP2016153845A (en) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 Front plate for display device and display device including the same
CN108028461B (en) * 2015-09-23 2021-10-26 金勋来 Laminated body
EP3355408A4 (en) * 2015-09-23 2019-04-17 Hun Rae Kim Stacked body
CN108028461A (en) * 2015-09-23 2018-05-11 金勋来 Layered product
US10107894B2 (en) 2015-12-09 2018-10-23 Hyundai Motor Company Radio-wave-penetrable layer having metallic luster
US20190018104A1 (en) * 2015-12-09 2019-01-17 Hyundai Motor Company Radio-wave-penetrable layer having metallic luster
JPWO2018123219A1 (en) * 2016-12-27 2019-11-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 Wavelength conversion body and wavelength conversion member
JP2017167557A (en) * 2017-05-22 2017-09-21 旭硝子株式会社 Light absorber and image capturing device using the same
US11192334B2 (en) 2017-06-27 2021-12-07 Lg Chem, Ltd. Decorative member and method for preparing same
KR101925467B1 (en) 2017-06-27 2018-12-05 주식회사 엘지화학 Decoration element and preparing method thereof
US11559966B2 (en) 2017-06-27 2023-01-24 Lg Chem, Ltd. Decorative member and manufacturing method therefor
US11179912B2 (en) 2017-06-27 2021-11-23 Lg Chem, Ltd. Decorative member and method for preparing same
JP2018045249A (en) * 2017-11-21 2018-03-22 キヤノン株式会社 Optical element and optical system having the same
CN108686911A (en) * 2018-04-16 2018-10-23 维沃移动通信有限公司 Surface treatment method, the shell of shell
WO2023092770A1 (en) * 2021-11-25 2023-06-01 江门亿都半导体有限公司 Surface polarizer and smart lcd sunglasses
WO2024051164A1 (en) * 2022-09-06 2024-03-14 Corning Incorporated Semitransparent antireflective assemblies for deadfront display applications
CN115980898A (en) * 2023-03-21 2023-04-18 成都沃达惠康科技股份有限公司 Multi-element multi-layer middle infrared high-reflection film and preparation method thereof
CN115980898B (en) * 2023-03-21 2023-06-20 成都沃达惠康科技股份有限公司 Multi-element multi-layer middle infrared high-reflection film and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009092913A (en) Optical thin film laminate
CN110838262B (en) Cover plate assembly, preparation method of cover plate assembly and electronic equipment
CN103460303B (en) Conductive structure, contact panel and manufacture method thereof
KR100563419B1 (en) Light absorptive antireflector and method for its production
CN102543267B (en) Transparent conducting film and touch panel
CN110933888B (en) Shell assembly, preparation method of shell assembly and electronic equipment
CN104246667B (en) Method for the transparent body and the manufacture transparent body of contact panel
TWI545591B (en) Transparent conductive film and touch panel
CN105144045B (en) Conductive structure and its manufacture method
JP2009083183A (en) Optical membrane laminate
CN102165088A (en) Method for producing a layer system on a substrate and layer system
CN104602909A (en) Metal structure and method for manufacturing same
WO1989012033A1 (en) Transparent conductive coatings
JP2008275737A (en) Optical thin film layered product
JP2009122416A (en) Optical thin film
EP1816495A1 (en) Optical filter and plasma display panel employing the same
KR101681878B1 (en) Laminate, method for manufacturing same, and electronic device
JP5262039B2 (en) Optical thin film laminate
JP3034218B2 (en) Transparent laminate, dimmer using the same, and filter for display
JP4773145B2 (en) Ag or Ag alloy reflective electrode film with increased reflection film and method for producing the same
JP2000147244A (en) Optical filter
JP2001047549A (en) Transparent conductive film
US7851065B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
CN111683484B (en) Colored substrate, manufacturing method thereof and shell of electronic equipment
Jia et al. Study of optical and electrical properties of TiO2/Ag/TiO2 multilayers

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100921

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110915

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120703

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120808