JP2009086830A - メモリコントローラ - Google Patents
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Abstract
【課題】外部からメモリ部への直接的なアクセスが可能なメモリコントローラを提供する。
【解決手段】外部装置10との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第1のI/Oセル221、222と、データを記憶するメモリ部21との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第2のI/Oセル223、224と、外部装置10から供給されるコマンド及びデータを内部で処理してメモリ部21をアクセスするノーマルモードと、外部装置10から供給されるコマンド及びデータをスルー状態でメモリ部21に供給すると共にメモリ部21から供給されるデータをスルー状態で外部に出力するパススルーモードとを有する。ノーマルモード時とパススルーモード時とで第1及び第2のI/Oセルの機能と特性を変更する。
【選択図】図2
【解決手段】外部装置10との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第1のI/Oセル221、222と、データを記憶するメモリ部21との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第2のI/Oセル223、224と、外部装置10から供給されるコマンド及びデータを内部で処理してメモリ部21をアクセスするノーマルモードと、外部装置10から供給されるコマンド及びデータをスルー状態でメモリ部21に供給すると共にメモリ部21から供給されるデータをスルー状態で外部に出力するパススルーモードとを有する。ノーマルモード時とパススルーモード時とで第1及び第2のI/Oセルの機能と特性を変更する。
【選択図】図2
Description
本発明は、データを記憶するメモリ部と外部装置との間に配置されて、メモリ部の読み出し/書き込み制御を行うメモリコントローラに関する。
メモリカード等においては、メモリとメモリコントローラとをパッケージ化して、外部のホストから供給されるコマンドとデータにより、メモリコントローラがメモリの読み出し/書き込みを制御することが行われる。例えば、ホストから論理アドレスとセクタ数を与えることにより、複数セクタのデータ読み出しを行うことも提案されている。
このようなメモリの動作モードとして、例えばパッケージ状態でのテストや初期不良をスクリーニングするテストモードを備えたものが知られている(特許文献1参照)。しかし、これらのメモリシステムでは、メモリを直接アクセスすることができないため、メモリチップの単独テストが行えず、これを解決するために、内部にテスト回路を内蔵しなければならないという問題があった(特許文献1参照)。
特開2004−158098号公報
本発明は、外部からメモリ部への直接的なアクセスが可能なメモリコントローラを提供することを目的とする。
本発明の一つの態様において、メモリコントローラは、外部装置との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第1の入出力処理部と、データを記憶するメモリ部との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第2の入出力処理部と、外部装置から供給されるコマンド及びデータを内部で処理してメモリ部をアクセスするノーマルモードと、外部装置から供給されるコマンド及びデータをスルー状態でメモリ部に供給すると共にメモリ部から供給されるデータをスルー状態で前記外部装置に出力するパススルーモードとを有し、ノーマルモード時とパススルーモード時とで前記第1及び第2の入出力処理部の機能と特性を変更する制御回路とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、外部からメモリ部への直接的なアクセスが可能なメモリコントローラを提供することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体記憶装置の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るメモリコントローラを備えたメモリシステムを示すブロック図である。
この実施の形態のメモリシステム20は、例えば一つあるいは複数個のNANDフラッシュメモリ21と、その読み出し/書き込みを制御するメモリコントローラ22とにより一体にパッケージ化されたメモリモジュールを構成する。このメモリシステム20は、ホストデバイス10との間でコマンド及びデータのやり取りをしてNANDフラッシュメモリ21のリード/ライトを行う。
メモリコントローラ22は、ノーマルモードとパススルーモードとを有する。図1(a)はノーマルモード動作を示し、図1(b)はパススルーモード動作を示す。説明の都合上、ホストデバイス10とメモリシステム20との間の入出力をコマンドバスを介したコマンドとI/Oバスを介したデータとに分けて示す。
ノーマルモードでは、ホストデバイス10から供給されるコマンド及びデータは、NANDフラッシュメモリ21へ直接入力することはできず、必ずメモリコントローラ22による入出力処理及び必要な論理−物理アドレス変換処理等を経た上でNANDフラッシュメモリ21に入力される。また、NANDフラッシュメモリ21から読み出されたデータもメモリコントローラ内での入出力処理を経てホストデバイス10側に読み出される。
これに対して、パススルーモードでは、コマンド及びデータは、メモリコントローラ22内部の入出力処理等を介さずに、外部装置10’とNANDフラッシュメモリ21との間でスルー状態で入出力される。この場合の外部装置10’の例として、ホストデバイス、メモリテスタ、LSIテスタ、評価治具等がある。
図2は、メモリコントローラ22の更に詳細な構成を示すブロック図である。メモリコントローラ22には、ホストデバイス10とNANDフラッシュメモリ21との間のコマンド及びデータの入出力処理を行うための、ホストデバイス側に第1のI/Oセル221、222及びメモリ側に第2のI/Oセル223、224をそれぞれ使用する。
I/Oセル221は、ホストデバイス10からのコマンドをコマンド端子T1を介して入力する回路で、入力されたコマンドを増幅するシュミット機能を有するドライバD1と、このドライバD1の出力からノイズを除去するノイズキャンセラNC1と、このノイズキャンセラNC1の出力とドライバD1の出力とを選択して出力するセレクタS1とを備えて構成されている。
I/Oセル222は、ホストデバイス10とメモリコントローラ22との間でI/O端子T2を介してデータを入出力する回路で、ホストデバイス10側から供給されたデータを入力するシュミット機能を有する入力ゲートG1と、この入力ゲートG1の出力からノイズを除去するノイズキャンセラNC2と、このノイズキャンセラNC2の出力と入力ゲートG1の出力とを選択して出力するセレクタS2と、NANDフラッシュメモリ21側から読み出されたデータを増幅する出力ドライバD2とを備えて構成されている。
I/Oセル223は、コマンドをコマンド端子T3を介してNANDフラッシュメモリ21に出力する回路で、コマンドを増幅する出力ドライバD3を備えて構成されている。
I/Oセル224は、メモリコントローラ22とNANDフラッシュメモリ21との間でI/O端子T4を介してデータを入出力する回路で、NANDフラッシュメモリ21側から供給されたデータを入力するシュミット機能を有する入力ゲートG2と、この入力ゲートG2の出力からノイズを除去するノイズキャンセラNC3と、このノイズキャンセラNC3の出力とゲートG2の出力とを選択して出力するセレクタS3と、ホストデバイス10側から供給されたデータを増幅する出力ドライバD4とを備えて構成されている。
I/Oセル221の出力端子とI/Oセル223の入力端子との間には、両者を直結するか、両者を他の回路に接続するかを選択するスイッチ回路SW1、SW2が接続されている。また、I/Oセル222の出力端子とI/Oセル224の入力端子との間には、両者を直結するか、両者を他の回路に接続するかを選択するスイッチ回路SW3、SW4が接続されている。更に、I/Oセル222の入力端子とI/Oセル224の出力端子との間には、両者を直結するか、両者を他の回路に接続するかを選択するスイッチ回路SW5、SW6が接続されている。
制御回路225は、ノーマルモード時に、スイッチ回路SW1〜SW6を他の回路側に接続し、パススルーモード時に、スイッチ回路SW1〜SW6を直結側に切り換える。制御回路225は、メモリコントローラ22内部において、他の制御回路モジュール内の一部として構成されても、独立の回路として構成されてもよい。
以上のように構成されたメモリコントローラ22では、ノーマルモード時には、ホストデバイス10側から供給されたコマンドが、I/Oセル221内のドライバD1及びノイズキャンセラNC1を介して入力され、I/Oセル223内の出力ドライバD3を介してNANDフラッシュメモリ21へ出力される。また、ノーマルモード時、ホストデバイス10からメモリコントローラ22へと供給されるデータは、I/Oセル222の入力ゲートG1及びノイズキャンセラNC2を介して入力され、メモリコントローラ22からホストデバイス10へ出力されるデータは、I/Oセル222内の出力ドライバD2で増幅される。更に、ノーマルモード時、NANDフラッシュメモリ21からメモリコントローラ22へと供給されるデータは、I/Oセル224の入力ゲートG2及びノイズキャンセラNC3を介して入力され、メモリコントローラ22からNANDフラッシュメモリ21へ出力されるデータは、I/Oセル224内の出力ドライバD4で増幅される。
一方、パススルーモードで、ノーマルモードと同様のI/Oセル221〜224の機能を使用した場合、ホストデバイス10とNANDフラッシュメモリ21との間で信号伝播遅延の問題が生じる。
すなわち、ホストデバイス10のコマンド端子T1から入力されたコマンドは、I/Oセル221内部のノイズキャンセラNC1及びNAND出力I/Oセル223内部の出力ドライバD3を介して、NANDフラッシュメモリ21側のコマンド端子T3から出力される。このとき、ノイズキャンセラNC1によるノイズ除去機能により、信号が5nsec〜10nsec程度遅延する。また、出力ドライバD3による信号遅延もこれに加わる。
また、ホストデバイス10からI/O端子T2を通じて入力されるデータは、I/Oセル222内のノイズキャンセラNC2及びI/Oセル224内の出力ドライバD4を介して、NANDフラッシュメモリ21側のI/O端子T4から出力される。このとき、ノイズキャンセラNC2によるノイズ除去機能により、信号が5nsec〜10nsec程度遅延する。また、出力ドライバD4による信号遅延もこれに加わる。
更に、NANDフラッシュメモリ21からI/O端子T4を通じて入力されるデータは、I/Oセル224内のノイズキャンセラNC3及びI/Oセル222内の出力ドライバD2を介して、ホストデバイス10側のI/O端子T2から出力される。このとき、ノイズキャンセラNC3によるノイズ除去機能により、信号が5nsec〜10nsec程度遅延する。また、出力ドライバD2による信号遅延もこれに加わる。
ここで、出力ドライバD1〜D4は、I/OバスのACタイミングを満たし、かつノイズ発生を抑制するようドライブ強度が比較的小さく設定されている。外部装置10’が負荷容量の大きいメモリテスタや評価ボードである場合には、出力ドライバの強度が小さいと、外部装置10’への信号伝播遅延が生じる。したがって、この場合には、更に大きい信号遅延が生じる。
これらの信号遅延により、外部装置10’によるNANDフラッシュメモリ21の高速アクセスが妨げられる。結果として、NANDフラッシュメモリ21のACタイミングをチェックすることができないか、テスト時間が増大するといった問題が生じる。
これ以外にも、低電圧モードと高電圧モードの2電源をサポートするNANDフラッシュメモリ21のバーイン試験を実行する際に、低電圧モードで使用されるNANDフラッシュメモリ21を、バーイン試験の都合上、高電圧モードを行うことがあり、この場合には、NANDフラッシュメモリ21のI/Oバスのドライバの強度が高すぎてノイズが発生し、バーインが適切に動作しないという問題が生じる場合もある。
そこで、本実施形態のメモリコントローラ22では、これらの問題を次のように解決する。
制御回路225は、ノーマルモード時に、I/Oセル221、222、224のノイズキャンセラNC1〜NC3の出力を選択し、パススルーモード時にはノイズキャンセラNC1〜NC3の出力を選択しないようにセレクタS1〜S3を制御する。また、I/Oセル222〜224の出力ドライバD2〜D4は、そのサイズ(強度)が調整可能な構成となっており、制御回路225は、ノーマルモード時とパススルーモード時とでドライバD2〜D4のサイズを調整する。更に、I/Oセル221のドライバD1及びI/Oセル22の入力ゲートG1は、シュミット機能をオン/オフすることができ、制御回路225は、ノーマルモード時とパススルーモード時とでシュミット機能のオン/オフを切り換える。
図3は、本実施形態に係るメモリコントローラ22の制御回路225を使ったパススルーモード時のI/Oセル最適化動作シーケンスのタイミングチャートを示す。ここで、H_CEZ, H_CLE, H_ALE, H_REZ, H_WEZはコマンド入力端子T1に入力されるコントロール信号であり、本実施形態ではコマンドに相当する。また、H_IO[7:0]は、I/O端子T2に入力されるデータ(ホストのコマンドを含む)であり、H_RBZは、メモリコントローラ22の内部で発生するレディ/ビジー信号である。
まず、工程1(C1)として、I/O端子T2を通じてパススルーエントリーコマンド“xxh”が入力され、メモリコントローラ22がパススルーモードにエントリーされる。図3の例では、4バイトのコマンド入力であるが、これに限定されない。
次に、工程2(C2)として、I/O端子T2を通じてノイズキャンセル機能オフコマンド“xxh”が入力され、制御回路225を通じて、I/Oセル221、222、224のノイズキャンセラNC1〜NC3がオフされる。
次に、工程3(C3)として、I/O端子T2を通じて出力強度設定コマンド“xxh”が入力され、制御回路225を通じて、ホストデバイス10へ出力ドライバD2のドライバサイズが設定変更される。
次に、工程4(C4)として、I/O端子T2を通じて出力強度設定コマンド“xxh”が入力され、制御回路225を通じて、NANDフラッシュメモリ21への出力ドライバD3、D4のドライバサイズが設定変更される。
次に、工程5(C5)として、I/O端子T2を通じてCE選択コマンド“xxh”が入力され、NANDフラッシュメモリ21のチップが複数ある場合、いずれか1つのチップまたはすべてのチップがテスト対象として選択される。
尚、以上の工程は、外部装置10’の種類等により、必要に応じて最適化して実行することができる。
例えば、工程2(C2)において、各I/Oセル221、222、224のノイズキャンセル機能をオフすることにより、ホストデバイス10からNANDフラッシュメモリ21へのコマンド及びデータの速度は速くなる。しかし、一方で信号にノイズが乗る危険性もある。したがって、ノイズが大きく、誤動作するおそれがある場合には、適宜、ノイズキャンセラNC1〜NC3の一部または全てをオンに切り替えることもできる。
また、工程3(C3)において、ホストデバイス10が、メモリテスタ、LSIテスタ、評価ボード等のように外部負荷の大きいものである場合には、ドライバサイズの強度を強く設定することにより、NANDフラッシュメモリ21からのリードデータをホスト側に伝播する際の信号速度を速くすることができる。しかし、一方で信号にノイズが乗る危険性もある。したがって、ドライバサイズの強度が強く、誤動作するおそれがある場合には、適宜、ドライバサイズの変更を行わないか、または程度の低い変更に留めることもできる。
すなわち、信号ノイズを誤動作が起こさない範囲内に抑えるようにI/Oセルの機能及び特性を最適化することにより、高速化と信頼性の向上を同時に達成することができる。結果として、パススルーモードでのNANDキャッシュメモリ21へのアクセスを高速化することができ、テスト時間を大幅に短縮することが可能となる。
制御回路がパススルーモードへのエントリー時に変更するI/Oセルの機能及び特性としては、上述した例のほか、グリッジキャンセル機能、プルアップ機能、プルダウン機能等も考えられる。
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、追加、応用等が可能である。例えば、上記実施形態では、フラッシュメモリとしてNAND型を使用しているが、NOR型等他の形式のメモリに対する制御を行うものでも良い。
10…ホストデバイス、10’…外部装置、20…メモリシステム、21…NANDフラッシュメモリ、22…メモリコントローラ、221〜224…I/Oセル。
Claims (5)
- 外部装置との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第1の入出力処理部と、
データを記憶するメモリ部との間でコマンド及びデータの入出力処理を行う第2の入出力処理部と、
前記外部装置から供給されるコマンド及びデータを内部で処理して前記メモリ部をアクセスするノーマルモードと、前記外部装置から供給されるコマンド及びデータをスルー状態で前記メモリ部に供給すると共に前記メモリ部から供給されるデータをスルー状態で前記外部装置に出力するパススルーモードとを有し、前記ノーマルモード時と前記パススルーモード時とで前記第1及び第2の入出力処理部の機能と特性を変更する制御回路と
を備えたことを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記制御回路は、外部装置からのコマンドによって、前記ノーマルモードから前記パススルーモードに切り替える
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 - 前記制御回路は、外部装置からコマンドを受信した後であって外部装置が前記メモリ部をアクセスする前に、前記第1及び第2の入出力処理部の機能と特性を変更する
ことを特徴とする請求項2に記載のメモリコントローラ。 - 前記制御回路は、外部装置からのコマンドによって、前記第1及び第2の入出力処理部の機能と特性を変更する
ことを特徴とする請求項3に記載のメモリコントローラ。 - 前記第1及び第2の入出力処理部の機能と特性の変更は、前記外部装置の種類により異なる
ことを特徴とする請求項4に記載のメモリコントローラ。
Priority Applications (1)
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JP2007253352A JP2009086830A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | メモリコントローラ |
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JP (1) | JP2009086830A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012208827A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Nec Corp | マイクロプロセッサ、メモリアクセス方法 |
US10579302B2 (en) | 2015-10-20 | 2020-03-03 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device |
JP2022507523A (ja) * | 2018-11-15 | 2022-01-18 | マイクロン テクノロジー,インク. | メモリのためのアドレス難読化 |
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2007
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012208827A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Nec Corp | マイクロプロセッサ、メモリアクセス方法 |
US9081673B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-07-14 | Nec Corporation | Microprocessor and memory access method |
US10579302B2 (en) | 2015-10-20 | 2020-03-03 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device |
JP2022507523A (ja) * | 2018-11-15 | 2022-01-18 | マイクロン テクノロジー,インク. | メモリのためのアドレス難読化 |
US11853230B2 (en) | 2018-11-15 | 2023-12-26 | Micron Technology, Inc. | Address obfuscation for memory |
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