JP2009084669A5 - - Google Patents

Description

すなわち、以下の工程を含む半導体装置の製造方法である：
（ａ）半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止体と、前記封止体から露出する外部接続端子とを備えた中間品を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、めっき処理部と、前記中間品を搬送する搬送手段とを備えためっき装置を用いて、前記外部接続端子に錫系鉛フリー半田層を形成する工程；
ここで、
前記搬送手段の動作時には、前記めっき処理部内に設けられためっき電極間に第１電流を通電し、
前記搬送手段の停止時には、前記めっき処理部内に設けられためっき電極間に、前記第１電流よりも低い第２電流を通電する。

Claims (5)

1. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止体と、前記封止体から露出する外部接続端子とを備えた中間品を準備する工程；
   （ｂ）前記（ａ）工程の後、めっき処理部と、前記中間品を搬送する搬送手段とを備えためっき装置を用いて、前記外部接続端子に錫系鉛フリー半田層を形成する工程；
   ここで、
   前記搬送手段の動作時には、前記めっき処理部内に設けられためっき電極間に第１電流を通電し、
   前記搬送手段の停止時には、前記めっき処理部内に設けられためっき電極間に、前記第１電流よりも低い第２電流を通電する。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２電流は前記第１電流の２０％〜６０％の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記めっき装置は、さらに電源を備えており、
   前記電源は、
   前記搬送手段の動作時には、前記めっき電極間に第１電圧を供給し、
   前記搬送手段の停止時には、前記第１電圧よりも低い第２電圧を前記めっき電極間に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記めっき電極間に通電される電流はパルス電流であり、
   前記第２電流を通電させる場合の前記パルス電流の単位時間当りのＯＮ時間の割合は、前記第１電流を通電させる場合の前記パルス電流の単位時間当りのＯＮ時間の割合よりも短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記めっき装置は、さらに電源を備えており、
   前記電源は、
   前記搬送手段の動作時には、前記めっき電極間に第１電圧を供給し、
   前記搬送手段の停止時には、前記第１電圧よりも低い第２電圧を前記めっき電極間に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。