JP2009075142A - Exposing method - Google Patents

Exposing method Download PDF

Info

Publication number
JP2009075142A
JP2009075142A JP2007227970A JP2007227970A JP2009075142A JP 2009075142 A JP2009075142 A JP 2009075142A JP 2007227970 A JP2007227970 A JP 2007227970A JP 2007227970 A JP2007227970 A JP 2007227970A JP 2009075142 A JP2009075142 A JP 2009075142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
photomask
mask
exposed
reference pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007227970A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5098041B2 (en
Inventor
Koichi Kajiyama
康一 梶山
Daisuke Ishii
大助 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Priority to JP2007227970A priority Critical patent/JP5098041B2/en
Publication of JP2009075142A publication Critical patent/JP2009075142A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5098041B2 publication Critical patent/JP5098041B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable positioning of a substrate to be exposed with a photomask without needing detection of the photomask's position in every positioning by providing a storage means for storing the photomask's positions. <P>SOLUTION: The position of a mask-side reference pattern is stored by the storage means 33 in advance prior to input of the substrate 7 to be exposed to an exposing position, and the substrate 7 is then carried and input to the exposing position to detect the position of a substrate-side reference pattern. The stored position of the mask-side reference pattern is compared with the detected position of the substrate-side reference pattern to position the photomask 12 to the substrate 7, and exposing light is emitted from an exposing light source 3 to the substrate 7 at a predetermined time to expose a predetermined pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、被露光基板を一方向に搬送し、被露光基板に対して位置合わせをしたフォトマスクを介して、光源から被露光基板に所定のタイミングで露光光を照射し所定のパターンを露光する露光方法に関し、詳しくは、フォトマスクの位置を記憶する記憶手段を備えることにより、位置合わせの度にフォトマスクの位置を検出することなく、被露光基板とフォトマスクとの位置合わせをすることができる露光方法に係るものである。   The present invention exposes a predetermined pattern by irradiating a substrate to be exposed at a predetermined timing from a light source through a photomask that is conveyed in one direction and aligned with the substrate to be exposed. In detail, the exposure method to be performed includes the storage means for storing the position of the photomask, thereby aligning the substrate to be exposed and the photomask without detecting the position of the photomask each time alignment is performed. The present invention relates to an exposure method capable of

従来の露光装置は、感光性樹脂を塗布した基板を上面に載置するステージと、前記ステージの上方に配設され、前記基板に近接対向させてフォトマスクを保持するマスクヘッドと、前記基板に形成された基板側アライメントマークと前記フォトマスクに形成されたマスク側アライメントマークとをそれぞれ同一視野内に捉えて撮像する撮像手段と、を備え、前記撮像手段により前記基板側及びマスク側アライメントマークを同時に撮像し、この撮像された画像に基づいて前記ステージとマスクヘッドとを相対的に移動し、前記基板とフォトマスクとの位置合わせをして露光するようになっていた(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−102094号公報
A conventional exposure apparatus includes a stage on which a substrate coated with a photosensitive resin is placed on an upper surface, a mask head disposed above the stage and holding a photomask in close proximity to the substrate, and the substrate Imaging means for capturing and imaging the formed substrate-side alignment mark and the mask-side alignment mark formed on the photomask in the same field of view, and the substrate-side and mask-side alignment marks are captured by the imaging means. Images are taken at the same time, and the stage and the mask head are relatively moved on the basis of the taken images, and the substrate and the photomask are aligned and exposed (for example, Patent Document 1). reference).
JP 2007-102094 A

しかし、前記従来の露光装置における露光方法は、フォトマスクに形成されたマスク側基準パターンを記憶する記憶手段を有していないため、被露光基板に対してフォトマスクを位置合わせする度にフォトマスクと被露光基板とを同一視野内で同時に撮像する必要があった。また、被露光基板が、TFT配線露光用のアルミコーティングがなされる等により撮像のための照明光に対して不透明である場合、照明光は被露光基板を透過することができず、反射光を利用しなければならなかった。このため、撮像手段の配置位置は、被露光基板に対してフォトマスクの配置側と同じ側にする必要があり、スペースの有効利用ができなかった。さらに、撮像手段が被露光基板に対してフォトマスクと反対側に配置されている既存の装置では、上述の様な不透明な被露光基板の露光を行うことができなかった。   However, since the exposure method in the conventional exposure apparatus has no storage means for storing the mask side reference pattern formed on the photomask, the photomask is aligned each time the photomask is aligned with the substrate to be exposed. And the exposed substrate must be imaged simultaneously in the same field of view. Also, if the substrate to be exposed is opaque to the illumination light for imaging due to the aluminum coating for TFT wiring exposure, etc., the illumination light cannot pass through the substrate to be exposed and the reflected light Had to use. For this reason, the arrangement position of the imaging means needs to be on the same side as the photomask arrangement side with respect to the substrate to be exposed, and the space cannot be effectively used. Further, in the existing apparatus in which the imaging means is disposed on the opposite side of the photomask with respect to the substrate to be exposed, the opaque substrate to be exposed as described above cannot be exposed.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、フォトマスクの位置を記憶する記憶手段を備えることにより、位置合わせの度にフォトマスクの位置を検出することなく、被露光基板とフォトマスクとの位置合わせをすることができる露光方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention addresses such problems and includes a storage means for storing the position of the photomask so that the substrate to be exposed and the photomask can be detected without detecting the position of the photomask each time alignment is performed. It is an object of the present invention to provide an exposure method that can be aligned with each other.

前記目的を達成するために、本発明による露光方法は、フォトマスクに形成されたマスク側基準パターンを表面に基板側基準パターンが設けられた被露光基板の搬送方向と略直交する方向に複数の受光素子を一直線状に並べた撮像手段により撮像する段階と、前記撮像したフォトマスクの画像を処理して前記フォトマスクのマスク側基準パターンの位置を検出し記憶手段に記憶する段階と、前記フォトマスクの一方の面側にて搬送手段により基板撮像位置及び基板露光位置に向けて前記被露光基板の搬送を開始する段階と、前記被露光基板に形成された基板側基準パターンを前記撮像手段によって撮像し、前記被露光基板の基板側基準パターンの位置を検出する段階と、前記記憶手段に記憶したフォトマスクのマスク側基準パターンの位置と前記検出した被露光基板の基板側基準パターンの位置とを比較して、前記被露光基板とフォトマスクとの位置のずれ量を算出する段階と、前記算出した位置のずれ量に従って前記フォトマスクを被露光基板の搬送方向と直交する方向に移動し該フォトマスクを前記被露光基板に位置合わせする段階と、前記算出した位置のずれ量から前記搬送される被露光基板の基板パターンと、前記フォトマスク上に被露光基板の搬送方向と略直交する方向に直線状に伸びるマスクパターンの位置とが合致するタイミングを算出する段階と、前記位置合わせをしたフォトマスクを介して前記搬送される被露光基板に対して前記算出したタイミングで光源から露光光を照射する段階と、を実行するものである。   In order to achieve the above object, an exposure method according to the present invention comprises a plurality of mask side reference patterns formed on a photomask in a direction substantially orthogonal to a transport direction of a substrate to be exposed on which a substrate side reference pattern is provided. A step of picking up an image by means of image pickup means in which light receiving elements are arranged in a straight line; a step of processing the picked-up photomask image to detect the position of a mask side reference pattern of the photomask; A step of starting conveyance of the substrate to be exposed toward a substrate imaging position and a substrate exposure position by a conveyance unit on one surface side of the mask; and a substrate-side reference pattern formed on the substrate to be exposed by the imaging unit. Imaging, detecting the position of the substrate-side reference pattern of the substrate to be exposed, and the position of the mask-side reference pattern of the photomask stored in the storage means; Comparing the detected position of the substrate-side reference pattern of the substrate to be detected to calculate a displacement amount between the substrate to be exposed and the photomask, and adjusting the photomask according to the calculated displacement amount. Moving the substrate in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate to be exposed and aligning the photomask with the substrate to be exposed; a substrate pattern of the substrate to be exposed transported from the calculated displacement amount; and the photo Calculating a timing at which a position of a mask pattern linearly extending in a direction substantially orthogonal to the transport direction of the substrate to be exposed on the mask is matched, and the exposure to be transported through the aligned photomask Irradiating the substrate with exposure light from the light source at the calculated timing.

また、前記撮像手段は、前記被露光基板を挟んで前記フォトマスクと反対側に配置したものである。これにより、前記被露光基板を挟んで前記フォトマスクと反対側に配置された撮像手段によって、前記マスク側基準パターンと基板側基準パターンとを撮像する。   The imaging means is arranged on the opposite side of the photomask with the substrate to be exposed in between. As a result, the mask side reference pattern and the substrate side reference pattern are imaged by the imaging means arranged on the opposite side of the photomask across the substrate to be exposed.

さらに、前記撮像手段は、前記フォトマスク表面から反射又は透過して前記受光素子の光路手前側に設けられた集光レンズを透過した光と、前記被露光基板表面から反射又は透過して前記集光レンズを透過した光とを、共に前記複数の受光素子を一直線状に並べて形成した受光面上に結像させる光学距離補正手段を備えたものである。これにより、光学距離補正手段によって、前記フォトマスク表面から反射又は透過して前記受光素子の光路手前側に設けられた集光レンズを透過した光と、前記被露光基板表面から反射又は透過して前記集光レンズを透過した光とは、共に前記複数の受光素子を一直線状に並べて形成した受光面上に結像する。   Further, the imaging means reflects or transmits light from the surface of the photomask and passes through a condensing lens provided on the front side of the light path of the light receiving element, and reflects or transmits from the surface of the exposed substrate and collects the light. An optical distance correction unit is provided that forms an image of light transmitted through the optical lens on a light receiving surface formed by arranging the plurality of light receiving elements in a straight line. Thus, the optical distance correction means reflects or transmits the light reflected or transmitted from the surface of the photomask and transmitted through the condenser lens provided on the front side of the optical path of the light receiving element, and reflected or transmitted from the surface of the exposed substrate. The light transmitted through the condensing lens forms an image on a light receiving surface formed by arranging the plurality of light receiving elements in a straight line.

そして、前記光学距離補正手段は、少なくとも前記撮像手段の受光面とフォトマスクとを結ぶ光路上に配設された所定の屈折率を有する透明な部材から成る。これにより、所定の屈折率を有する透明な部材から成る光学距離補正手段によって、前記フォトマスク表面から反射又は透過して前記受光素子の光路手前側に設けられた集光レンズを透過した光と、前記被露光基板表面から反射又は透過して前記集光レンズを透過した光とを、共に前記複数の受光素子を一直線状に並べて形成した受光面上に結像させる。   The optical distance correction means is made of a transparent member having a predetermined refractive index disposed on an optical path connecting at least the light receiving surface of the imaging means and a photomask. Thereby, by the optical distance correction means composed of a transparent member having a predetermined refractive index, the light reflected or transmitted from the surface of the photomask and transmitted through the condenser lens provided on the front side of the optical path of the light receiving element, The light reflected or transmitted from the surface of the substrate to be exposed and transmitted through the condenser lens is imaged on a light receiving surface formed by arranging the plurality of light receiving elements in a straight line.

請求項1に係る発明によれば、マスク側基準パターンを撮像手段により撮像し、前記撮像したフォトマスクの画像を処理して前記マスク側基準パターンの位置を検出して記憶手段に記憶し、前記フォトマスクの一方の面側にて搬送手段により基板撮像位置及び基板露光位置に向けて前記被露光基板の搬送を開始し、前記基板側基準パターンを前記撮像手段によって撮像して基板側基準パターンの位置を検出し、前記記憶手段に記憶したマスク側基準パターンの位置と前記検出した基板側基準パターンの位置とを比較して、前記被露光基板とフォトマスクとの位置のずれ量を算出し、前記算出した位置のずれ量に従って前記フォトマスクを被露光基板の搬送方向と直交する方向に移動し該フォトマスクを前記被露光基板に位置合わせし、前記算出した位置のずれ量から前記搬送される被露光基板の基板パターンと、前記フォトマスク上に設けられたマスクパターンの位置とが合致するタイミングを算出し、前記位置合わせをしたフォトマスクを介して前記搬送される被露光基板に対して前記算出したタイミングで光源から露光光を照射することができる。これにより、被露光基板が露光位置に投入される前に、記憶手段によって事前にマスク側基準パターンの位置を記憶し、基板投入後は記憶されたマスク側基準パターンの位置と位置合わせの度に検出される基板側基準パターンの位置とを比較して、被露光基板に対するフォトマスクの位置合わせをすることができる。したがって、被露光基板に対してフォトマスクを位置合わせする度にフォトマスクと被露光基板とを同一視野内で同時に撮像する必要がない。また、被露光基板が、撮像のための照明光に対して不透明な場合であっても、照明光を被露光基板に透過させる必要がないため、撮像手段の配置位置は、被露光基板に対してフォトマスクの配置側と反対側にすることができ、スペースの有効利用ができる。このため、撮像手段が被露光基板に対してフォトマスクと反対側に配置されている既存の装置であっても、記憶手段を追加する等の簡単な変更で、上述の様な不透明な被露光基板の露光に対しても適用することができる。   According to the first aspect of the present invention, the mask-side reference pattern is imaged by the imaging unit, the image of the captured photomask is processed to detect the position of the mask-side reference pattern, and is stored in the storage unit. On one surface side of the photomask, the conveyance means starts conveying the substrate to be exposed toward the substrate imaging position and the substrate exposure position, and the substrate-side reference pattern is imaged by the imaging means. Detecting the position, comparing the position of the mask-side reference pattern stored in the storage means and the position of the detected substrate-side reference pattern, and calculating the amount of displacement between the exposed substrate and the photomask, The photomask is moved in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate to be exposed in accordance with the calculated displacement amount of the exposure substrate, the photomask is aligned with the substrate to be exposed, and the calculation is performed. The timing at which the substrate pattern of the substrate to be transported to be transferred matches the position of the mask pattern provided on the photomask is calculated from the amount of positional deviation, and the position is adjusted via the aligned photomask. Exposure light can be irradiated from the light source to the substrate to be exposed at the calculated timing. Thereby, the position of the mask side reference pattern is stored in advance by the storage means before the substrate to be exposed is put into the exposure position, and after the substrate is put in, the position of the mask side reference pattern is aligned each time. The position of the photomask relative to the substrate to be exposed can be aligned by comparing the position of the detected substrate-side reference pattern. Therefore, it is not necessary to simultaneously image the photomask and the substrate to be exposed within the same field of view every time the photomask is aligned with the substrate to be exposed. In addition, even when the substrate to be exposed is opaque to the illumination light for imaging, it is not necessary to transmit the illumination light to the substrate to be exposed. Therefore, it can be on the side opposite to the photomask placement side, and the space can be used effectively. For this reason, even in an existing apparatus in which the image pickup means is disposed on the opposite side of the photomask from the substrate to be exposed, the opaque exposure as described above can be performed by a simple change such as addition of a storage means. The present invention can also be applied to substrate exposure.

また、請求項2に係る発明によれば、前記被露光基板を挟んで前記フォトマスクと反対側に配置された撮像手段によって、前記マスク側基準パターンと基板側基準パターンとを撮像することができる。これにより、被露光基板が撮像位置に投入される前に、記憶手段によって事前にマスク側基準パターンの位置を記憶し、その後、被露光基板を搬送して撮像位置に投入し、基板側基準パターンの位置を検出して前記記憶したマスク側基準パターンの位置と検出した基板側基準パターンの位置とを比較して被露光基板に対してフォトマスクを位置合わせすることにより、撮像のための照明光に対して不透明な被露光基板に対しても適用することができる。また、フォトマスク側に配置される機器の数を減らすことができ、スペースの有効利用を図ることができる。   According to the second aspect of the present invention, the mask-side reference pattern and the substrate-side reference pattern can be imaged by the imaging means disposed on the opposite side of the photomask across the substrate to be exposed. . As a result, the position of the mask side reference pattern is stored in advance by the storage means before the substrate to be exposed is input to the imaging position, and then the substrate to be exposed is transported and input to the imaging position. Illuminating light for imaging by comparing the position of the stored mask-side reference pattern with the detected position of the substrate-side reference pattern and aligning the photomask with respect to the exposed substrate. However, the present invention can also be applied to a substrate to be exposed that is opaque. In addition, the number of devices arranged on the photomask side can be reduced, and space can be effectively used.

さらに、請求項3に係る発明によれば、光学距離補正手段によって、前記フォトマスク表面から反射又は透過して前記受光素子の光路手前側に設けられた集光レンズを透過した光と、前記被露光基板表面から反射又は透過して前記集光レンズを透過した光とは、共に前記複数の受光素子を一直線状に並べて形成した受光面上に結像させることができる。したがって、フォトマスクの撮像時と被露光基板の撮像時とで、各々の光学距離に合わせるために撮像手段をその光軸方向に移動する必要がなく、撮像手段の移動ずれによる位置ずれを生じることがなく、位置合わせ精度を向上することができる。   Further, according to the invention of claim 3, the light that has been reflected or transmitted from the surface of the photomask by the optical distance correction means and passed through the condenser lens provided on the front side of the optical path of the light receiving element, and The light reflected or transmitted from the surface of the exposure substrate and transmitted through the condenser lens can be imaged on a light receiving surface formed by arranging the plurality of light receiving elements in a straight line. Therefore, it is not necessary to move the image pickup means in the optical axis direction in order to match each optical distance between the photomask image pickup and the exposure substrate image pickup, and a positional shift occurs due to the movement shift of the image pickup means. Therefore, the alignment accuracy can be improved.

そして、請求項4に係る発明によれば、所定の屈折率を有する透明な部材から成る光学距離補正手段によって、前記フォトマスク表面から反射又は透過して前記受光素子の光路手前側に設けられた集光レンズを透過した光と、前記被露光基板表面から反射又は透過して前記集光レンズを透過した光とを、共に前記複数の受光素子を一直線状に並べて形成した受光面上に結像させることができる。したがって、簡単な構成で光学距離を補正することができる。   According to the fourth aspect of the present invention, the optical distance correction means made of a transparent member having a predetermined refractive index reflects or transmits from the surface of the photomask and is provided on the front side of the optical path of the light receiving element. The light transmitted through the condenser lens and the light reflected or transmitted from the surface of the substrate to be exposed and transmitted through the condenser lens are both imaged on a light receiving surface formed by arranging the plurality of light receiving elements in a straight line. Can be made. Therefore, the optical distance can be corrected with a simple configuration.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による露光方法に用いる露光装置の実施形態を示す概要図である。この露光装置は、被露光基板を一方向に搬送し、被露光基板に対して位置合わせをしたフォトマスクを介して、光源から被露光基板に所定のタイミングで露光光を照射し所定のパターンを露光するもので、搬送手段1と、マスクヘッド2と、露光光源3と、撮像手段4と、照明光源5a,5b,5cと、制御手段6とを備えて成る。なお、以下の説明においては、被露光基板がTFT配線露光用のアルミニウムがコーティングされた後述のTFT基板7から成る場合について述べる。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of an exposure apparatus used in the exposure method according to the present invention. The exposure apparatus conveys the substrate to be exposed in one direction and irradiates the substrate to be exposed from the light source at a predetermined timing through a photomask aligned with the substrate to be exposed to form a predetermined pattern. The exposure means comprises a transport means 1, a mask head 2, an exposure light source 3, an imaging means 4, illumination light sources 5a, 5b, 5c, and a control means 6. In the following description, the case where the substrate to be exposed is composed of a TFT substrate 7 described later coated with aluminum for TFT wiring exposure will be described.

搬送手段1は、載置面であるステージ8上面にTFT基板7を載置して矢印A方向に搬送するものであり、後述のステージ駆動モーター41(図7参照)が後述の制御手段6により制御されてステージ8を駆動するようになっている。また、前記搬送手段1には、例えば後述のエンコーダー9(図7参照)やリニアセンサー等の位置検出センサーと速度センサーとが設けられており、その出力を制御手段6にフィードバックして位置検出及び速度制御を可能としている。なお、前記ステージ8には、TFT基板7の全領域に対応して図示省略の開口部が設けられており、ステージ8の下方に配設された撮像手段4によりTFT基板7を下方から撮像できるようになっている。   The transport means 1 is for placing the TFT substrate 7 on the upper surface of the stage 8 as a placement surface and transporting it in the direction of arrow A. A stage drive motor 41 (see FIG. 7) described later is controlled by the control means 6 described later. The stage 8 is driven under control. Further, the transport means 1 is provided with a position detection sensor and a speed sensor such as an encoder 9 (see FIG. 7) described later and a linear sensor, for example, and the output is fed back to the control means 6 to detect the position. Speed control is possible. The stage 8 is provided with an opening (not shown) corresponding to the entire area of the TFT substrate 7, and the TFT substrate 7 can be imaged from below by the imaging means 4 disposed below the stage 8. It is like that.

前記搬送手段1の上方には、マスクヘッド2が設けられている。このマスクヘッド2は、複数のマスクパターン11(図2参照)を設けたフォトマスク12をTFT基板7に対して、例えば100〜300μmのギャップを介して近接対向して保持するものであり、フォトマスク12の複数のマスクパターン11が形成された領域に対応して開口部が設けられており、フォトマスク12の周縁部を保持するようになっている。また、マスクヘッド2は、制御手段6により制御されてTFT基板7の搬送方向(図1の矢印A方向)と略直交する方向(図2の矢印B方向)に移動可能となっており、フォトマスク12を変位可能にしている。この場合、マスクヘッド2を駆動する手段は、後述のマスクヘッド駆動モーター51(図7参照)と、ボールネジと、ガイドレールとを組み合わせて形成されている。   A mask head 2 is provided above the conveying means 1. The mask head 2 holds a photomask 12 provided with a plurality of mask patterns 11 (see FIG. 2) in close proximity to the TFT substrate 7 with a gap of, for example, 100 to 300 μm. An opening is provided corresponding to the region of the mask 12 where the plurality of mask patterns 11 are formed, and the peripheral edge of the photomask 12 is held. The mask head 2 is controlled by the control means 6 and can move in a direction (arrow B direction in FIG. 2) substantially perpendicular to the transport direction of the TFT substrate 7 (arrow A direction in FIG. 1). The mask 12 can be displaced. In this case, the means for driving the mask head 2 is formed by combining a mask head driving motor 51 (see FIG. 7) described later, a ball screw, and a guide rail.

ここで、前記フォトマスク12は、図2に示すように、透明基材13と、遮光膜14と、マスクパターン11と、マスク側アライメントマーク15とから成っている。   Here, as shown in FIG. 2, the photomask 12 includes a transparent base material 13, a light shielding film 14, a mask pattern 11, and a mask side alignment mark 15.

前記透明基材13は、紫外線及び可視光を高効率で透過する透明なガラス板であり、例えば石英ガラスから成る。図3(a)又は(b)に示すように、前記透明基材13の一方の面13aには、遮光膜14が形成されている。この遮光膜14は、露光光を遮光するものであり、不透明な薄膜、例えばクロム(Cr)の薄膜で形成されている。   The transparent substrate 13 is a transparent glass plate that transmits ultraviolet light and visible light with high efficiency, and is made of, for example, quartz glass. As shown in FIG. 3A or 3B, a light shielding film 14 is formed on one surface 13 a of the transparent base material 13. The light shielding film 14 shields exposure light and is formed of an opaque thin film, for example, a thin film of chromium (Cr).

前記遮光膜14には、図2に示すように、複数のマスクパターン11が形成されている。この複数のマスクパターン11は、前記フォトマスク12に対向して搬送されるTFT基板7に露光光を照射可能とする所定形状の開口であり、TFT基板7上に略同形状に形成された基板パターン16(図4参照)上に転写されるものである。この実施形態においては、前記マスクパターン11は、直線部17と、凸部18と、矩形部19とから形成され、直線部17は、前記フォトマスク12のマスク移動方向(図2の矢印B方向)の一方の端部12a近傍から他方の端部12b近傍にかけて直線状に伸びて形成されている。また、凸部18は、前記直線部17の基板搬送方向手前側の辺にて、その長手方向に所定の間隔で凸形状に複数形成されている。さらに、矩形部19は、前記凸部18から基板搬送方向手前側に所定の距離を隔てて形成されている。そして、例えば、前記フォトマスク12のマスク移動方向の中央近傍部に位置する凸部18の下側縁部が基準位置M1として予め設定されている。なお、図2においては、マスクパターン11を2列に並べて設けた場合について示しているが、マスクパターン11の列は1列であってもよい。 A plurality of mask patterns 11 are formed on the light shielding film 14 as shown in FIG. The plurality of mask patterns 11 are openings having a predetermined shape that can irradiate the TFT substrate 7 conveyed facing the photomask 12 with exposure light, and are formed on the TFT substrate 7 in substantially the same shape. It is transferred onto the pattern 16 (see FIG. 4). In this embodiment, the mask pattern 11 is formed of a straight line portion 17, a convex portion 18, and a rectangular portion 19, and the straight line portion 17 is the mask movement direction of the photomask 12 (in the direction of arrow B in FIG. 2). ) Is extended linearly from the vicinity of one end 12a to the vicinity of the other end 12b. Further, a plurality of convex portions 18 are formed in a convex shape at a predetermined interval in the longitudinal direction on the side of the straight portion 17 on the front side in the substrate transport direction. Further, the rectangular portion 19 is formed at a predetermined distance from the convex portion 18 toward the front side in the substrate transport direction. Then, for example, the lower edge of the protrusion 18 located near the center portion of the mask moving direction of the photomask 12 is set in advance as a reference position M 1. Although FIG. 2 shows the case where the mask patterns 11 are arranged in two rows, the mask pattern 11 may be one row.

また、前記遮光膜14には、図2に示すように、前記フォトマスク12のマスク移動方向の中央部側から他方の端部12bに向かって複数のマスク側アライメントマーク15が並べて形成されている。この複数のマスク側アライメントマーク15は、前記マスクパターン11に予め設定された基準位置M1と後述のTFT基板7の基板パターン16に予め設定された基準位置M2(図4参照)との位置合わせをするマスク側基準パターンとなるものであり、前記マスクパターン11に対応して形成されている。さらに、その形成位置は、図2においてマスク側アライメントマーク15の下側縁部が対応するマスクパターン11の凸部18の下側縁部と一致するようにされている。そして、例えば、前記フォトマスク12のマスク移動方向の中央部側に形成されたマスク側アライメントマーク15が基準マーク15aとして予め設定されている。これにより、前記基準マーク15aと前記TFT基板7の基板側アライメントマーク22(図4参照)とが所定の位置関係となるように位置調整されることにより、前記マスクパターン11の基準位置M1と後述のTFT基板7の基準位置M2とが位置合わせできるようになっている。 Further, as shown in FIG. 2, a plurality of mask-side alignment marks 15 are formed side by side on the light-shielding film 14 from the central side in the mask moving direction of the photomask 12 toward the other end 12b. . The plurality of mask side alignment marks 15 are positions between a reference position M 1 preset on the mask pattern 11 and a reference position M 2 preset on a substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 described later (see FIG. 4). The mask side reference pattern to be aligned is formed corresponding to the mask pattern 11. Further, the formation position is set so that the lower edge of the mask alignment mark 15 in FIG. 2 coincides with the lower edge of the projection 18 of the corresponding mask pattern 11. For example, a mask side alignment mark 15 formed on the center side in the mask moving direction of the photomask 12 is preset as a reference mark 15a. Thus, by substrate-side alignment mark 22 of the said reference mark 15a TFT substrate 7 (see FIG. 4) are adjusted in position so that a predetermined positional relationship, the reference position M 1 of the mask pattern 11 A reference position M 2 of a TFT substrate 7 described later can be aligned.

また、図3(a)に示すように、前記透明基材13の他方の面13bにて前記マスクパターン11の形成領域に対応した領域(図2参照)には、紫外線反射防止膜21が形成されており、露光光に含まれる紫外線成分の透過効率を向上できるようになっている。   Further, as shown in FIG. 3A, an ultraviolet antireflection film 21 is formed in a region corresponding to the formation region of the mask pattern 11 on the other surface 13b of the transparent substrate 13 (see FIG. 2). Therefore, the transmission efficiency of the ultraviolet component contained in the exposure light can be improved.

ここで、使用されるTFT基板7は、透明なガラス基板の一面にアルミニウム等からなる不透明膜がコーティングされ、さらにその表面に、レジストによって基板側基準パターンが形成されたものである。この基板側基準パターンは、図4に示すように、基板パターン16と、基板側アライメントマーク22と、アライメント確認マーク23とから成る。基板パターン16は、後述の露光光源3から前記フォトマスク12を介して照射される露光光の露光パターンを示すと共に、前記フォトマスク12とTFT基板7との位置合わせに用いられるもので、前記フォトマスク12のマスクパターン11と略同形状に形成され、このマスクパターン11に対応して直線部55と凸部24と矩形部57とから成り、基板搬送方向前方側から後方側に等間隔に複数列設けられている。また、前記基板パターン16のマスク移動方向の中央近傍部に位置する凸部24の右下角部は、予め基準位置M2として設定されている。また、前記TFT基板7の搬送方向前方側にて、マスク移動方向の略中央部には基板側アライメントマーク22が設けられている。この基板側アライメントマーク22は、前記フォトマスク12(図2参照)に予め設定された基準位置M1と前記TFT基板7に予め設定された基準位置M2との位置のずれ量を補正してアライメントをとるためのもので、基板搬送方向を長手方向とする細長状に形成されている。さらに、前記基板側アライメントマーク22の側方には、マスク移動方向の中央側から一方の端部7aに向かって複数のアライメント確認マーク23が凸部24に対応させて並べて形成されている。なお、前記基板側アライメントマーク22及びアライメント確認マーク23は、図4においてそれぞれ各マークの下側縁部と対応する凸部24の下側縁部とが一致するように形成されている。 Here, the TFT substrate 7 to be used is one in which an opaque film made of aluminum or the like is coated on one surface of a transparent glass substrate, and a substrate-side reference pattern is formed on the surface by a resist. As shown in FIG. 4, the substrate-side reference pattern includes a substrate pattern 16, a substrate-side alignment mark 22, and an alignment confirmation mark 23. The substrate pattern 16 indicates an exposure pattern of exposure light irradiated from the exposure light source 3 to be described later through the photomask 12, and is used for alignment between the photomask 12 and the TFT substrate 7. The mask 12 is formed in substantially the same shape as the mask pattern 11, and includes a linear portion 55, a convex portion 24, and a rectangular portion 57 corresponding to the mask pattern 11, and a plurality of them are equally spaced from the front side to the rear side in the substrate transport direction. A column is provided. Further, the lower right corner of the convex portion 24 positioned near the center portion of the mask moving direction of the substrate pattern 16 is set in advance as the reference position M 2. In addition, a substrate-side alignment mark 22 is provided at a substantially central portion in the mask moving direction on the front side in the transport direction of the TFT substrate 7. The substrate-side alignment mark 22 corrects a positional deviation between a reference position M 1 preset on the photomask 12 (see FIG. 2) and a reference position M 2 preset on the TFT substrate 7. It is for taking alignment, and is formed in an elongated shape with the substrate transport direction as the longitudinal direction. Further, a plurality of alignment confirmation marks 23 are formed on the side of the substrate-side alignment mark 22 so as to correspond to the convex portions 24 from the center side in the mask moving direction toward the one end 7a. The substrate-side alignment mark 22 and the alignment confirmation mark 23 are formed so that the lower edge of each mark coincides with the lower edge of the corresponding projection 24 in FIG.

前記マスクヘッド2の上方には、図1に示すように、露光光源3が設けられている。この露光光源3は、前記フォトマスク12を介してTFT基板7に露光光を放射するものであり、制御手段6によって制御されて点灯及び消灯する紫外線を放射するフラッシュランプである。なお、露光光源3から放射される露光光は、例えばコンデンサレンズ25により平行光にされてフォトマスク12を照射するようになっている。 An exposure light source 3 is provided above the mask head 2 as shown in FIG. The exposure light source 3 emits exposure light to the TFT substrate 7 through the photomask 12, and is a flash lamp that emits ultraviolet light that is controlled by the control means 6 to be turned on and off. The exposure light emitted from the exposure light source 3 is collimated by, for example, a condenser lens 25 and irradiates the photomask 12.

前記搬送手段1のステージ8の下方には、撮像手段4が設けられている。この撮像手段4は、TFT基板7に形成された基板パターン16(図4参照)とフォトマスク12に形成されたマスク側アライメントマーク15(図2参照)とをそれぞれ撮像するものであり、TFT基板7の搬送方向と略直交する方向に一直線状に並べて複数の受光素子26からなるラインCCDを有するラインカメラである。その具体的構成例は、ラインCCD26と、その前方に配設されてTFT基板7に形成された基板パターン16やフォトマスク12に形成されたマスク側アライメントマーク15をそれぞれ前記ラインCCD26の受光面上に結像させる集光レンズ27と、ラインCCD26と集光レンズ27との間に設けられた光学距離補正手段28と、を備えている。   An imaging unit 4 is provided below the stage 8 of the transport unit 1. The imaging means 4 images the substrate pattern 16 (see FIG. 4) formed on the TFT substrate 7 and the mask side alignment mark 15 (see FIG. 2) formed on the photomask 12, respectively. 7 is a line camera having a line CCD composed of a plurality of light receiving elements 26 arranged in a straight line in a direction substantially orthogonal to the conveying direction 7. Specifically, the line CCD 26 and the substrate pattern 16 formed on the TFT substrate 7 and the mask side alignment mark 15 formed on the photomask 12 are arranged on the light receiving surface of the line CCD 26. And a condensing lens 27 that forms an image on the optical axis, and an optical distance correction means 28 provided between the line CCD 26 and the condensing lens 27.

前記光学距離補正手段28は、図5に示すように、前記ステージ8(図1参照)の上方に設けられた後述の照明光源5aから照射されて前記フォトマスク12表面を透過し前記ラインCCD26の光路手前側に設けられた集光レンズ27を透過した光と、図6に示すように、前記ステージ8の下方に設けられた後述の照明光源5b,5cから照射されて前記フォトマスク12の下方に搬送されてきた前記TFT基板7表面で反射し前記集光レンズ27を透過した光とを、共に前記ラインCCD26により形成された受光面上に結像させるものであり、空気の屈折率よりも大きい所定の屈折率を有する透明な部材、例えばガラスプレートから成っている。これにより、撮像手段4(図1参照)の光軸方向にずれて位置するTFT基板7の基板パターン16等の基板側基準パターンとフォトマスク12のマスク側アライメントマーク15とを同じ受光面上にフォーカスさせて撮像することができる。   As shown in FIG. 5, the optical distance correction means 28 is irradiated from an illumination light source 5a, which will be described later, provided above the stage 8 (see FIG. 1), passes through the surface of the photomask 12, and passes through the line CCD 26. The light transmitted through the condenser lens 27 provided on the front side of the optical path and the illumination light sources 5b and 5c described below provided below the stage 8 as shown in FIG. The light reflected by the surface of the TFT substrate 7 and transmitted through the condenser lens 27 is imaged on the light receiving surface formed by the line CCD 26, and is more than the refractive index of air. It consists of a transparent member having a large predetermined refractive index, for example a glass plate. As a result, the substrate-side reference pattern such as the substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 and the mask-side alignment mark 15 of the photomask 12 that are shifted in the optical axis direction of the imaging means 4 (see FIG. 1) and the mask-side alignment mark 15 of the photomask 12 are placed on the same light receiving surface. The image can be taken in focus.

図1に示すように、前記搬送手段1のステージ8の上方には、前記フォトマスク12と対向して透過用の照明光源5aが設けられており、前記ステージ8の下方には、前記TFT基板7と対向して反射用の照明光源5b,5cが設けられている。この照明光源5a,5b,5cは、可視光からなる照明光を放射して前記TFT基板7及びフォトマスク12を照明し、撮像手段4によりTFT基板7の基板側基準パターンやフォトマスク12のマスク側基準パターンを撮像可能にするものであり、例えばハロゲンランプ等である。前記フォトマスク12の上方の照明光源5aは、前記撮像手段4の真上にて照明光を真下の前記撮像手段4に照射する向きに設置され、前記フォトマスク12を透過させることにより、フォトマスク12のマスク側アライメントマーク15を撮像可能としている。また、前記TFT基板7の下方の照明光源5b,5cは、前記撮像手段4の前後の近傍にて照明光を前記撮像手段4の真上に位置するTFT基板7の領域を照射するように設置され、前記TFT基板7で反射させることにより、TFT基板7の基板パターン16等の基板側基準パターンを撮像可能としている。そして、前記照明光源5b,5cの照明光の放射方向前方には、図示省略の紫外線カットフィルタが設けられており、前記照明光源5b,5cから放射される可視光に含まれる紫外線によりTFT基板7のレジストが露光されるのを防止している。   As shown in FIG. 1, a transmission illumination light source 5a is provided above the stage 8 of the transfer means 1 so as to face the photomask 12, and below the stage 8, the TFT substrate is provided. Opposing illumination light sources 5b and 5c for reflection are provided. The illumination light sources 5a, 5b, and 5c emit illumination light composed of visible light to illuminate the TFT substrate 7 and the photomask 12, and the imaging unit 4 uses the substrate-side reference pattern of the TFT substrate 7 and the mask of the photomask 12 to illuminate. The side reference pattern can be imaged, such as a halogen lamp. The illumination light source 5a above the photomask 12 is installed in a direction to irradiate the imaging light 4 directly below the imaging unit 4 with illumination light, and transmits the photomask 12 to transmit the photomask 12 Twelve mask-side alignment marks 15 can be imaged. Further, the illumination light sources 5b and 5c below the TFT substrate 7 are installed so as to irradiate the area of the TFT substrate 7 located immediately above the image pickup means 4 with illumination light in the vicinity of the front and rear of the image pickup means 4. Then, the substrate side reference pattern such as the substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 can be imaged by being reflected by the TFT substrate 7. An ultraviolet cut filter (not shown) is provided in front of the illumination light sources 5b and 5c in the radiation direction, and the TFT substrate 7 is irradiated with ultraviolet rays contained in visible light emitted from the illumination light sources 5b and 5c. The resist is prevented from being exposed.

前記搬送手段1、マスクヘッド2、露光光源3、撮像手段4及び照明光源5a〜5cは制御手段6に接続されている。この制御手段6は、前記撮像手段4により撮像された画像を処理し、前記TFT基板7に対するフォトマスク12のマスク移動方向のずれ量を算出し、前記フォトマスク12を移動して位置合わせすると共に、前記フォトマスク12に対するTFT基板7の基板搬送方向の位置のずれ量を算出し、前記TFT基板7の基板パターン16とフォトマスク12のマスクパターン11の位置とが合致するタイミングを算出し、この算出したタイミングで露光光源3を点灯し、前記TFT基板7に露光光を照射するものであり、図7に示すように、ステージコントローラ29と、撮像手段コントローラ31と、マスク移動方向画像処理部32と、記憶手段33と、マスク移動距離算出回路34と、マスクヘッド駆動回路35と、基板搬送方向画像処理部36と、点灯位置算出回路37と、位置比較回路38と、光源駆動回路39と、を備えている。   The transport means 1, mask head 2, exposure light source 3, imaging means 4 and illumination light sources 5 a to 5 c are connected to the control means 6. The control means 6 processes the image picked up by the image pickup means 4, calculates the amount of shift in the mask moving direction of the photomask 12 with respect to the TFT substrate 7, moves the photomask 12 and aligns it. The amount of displacement of the position of the TFT substrate 7 in the substrate transport direction with respect to the photomask 12 is calculated, and the timing at which the substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 and the position of the mask pattern 11 of the photomask 12 match is calculated. The exposure light source 3 is turned on at the calculated timing, and the TFT substrate 7 is irradiated with exposure light. As shown in FIG. 7, a stage controller 29, an imaging means controller 31, and a mask movement direction image processing unit 32 are provided. Storage means 33, mask movement distance calculation circuit 34, mask head drive circuit 35, substrate transport direction image processing unit 36, lighting position A calculating circuit 37, and a position comparison circuit 38, a light source drive circuit 39, a.

ステージコントローラ29は、図1に示す搬送手段1のステージ8を矢印A方向に所定速度で移動させるものであり、ステージエンコーダー9の出力をフィードバックしてステージ駆動モーター41を介してステージ8を速度制御するようになっている。   The stage controller 29 moves the stage 8 of the conveying means 1 shown in FIG. 1 at a predetermined speed in the direction of arrow A, and feeds back the output of the stage encoder 9 to control the speed of the stage 8 via the stage drive motor 41. It is supposed to be.

前記撮像手段コントローラー31は、入力手段42による撮像開始の信号を受けて、前記照明光源5a〜5c(図1参照)の点灯及び消灯の制御と、撮像手段4の撮像開始及び終了の制御を行うものである。 The imaging means controller 31 receives an imaging start signal from the input means 42 and controls the illumination light sources 5a to 5c (see FIG. 1) to be turned on and off, and the imaging means 4 to start and end imaging. Is.

前記撮像手段4の出力側には、画素補間用メモリー44が接続されている。この画素補間用メモリー44は、前記撮像手段4から撮像した画像データを受け取り、この画像データを、前記撮像手段4のラインCCD26により決定される画素数のまま記憶するもので、一列の前記ラインCCD26により1次元情報として記憶される画像を順次記憶することにより、2次元の画像を形成する。   A pixel interpolation memory 44 is connected to the output side of the imaging means 4. The pixel interpolation memory 44 receives the image data picked up from the image pickup means 4 and stores the image data as the number of pixels determined by the line CCD 26 of the image pickup means 4. By sequentially storing images stored as one-dimensional information, a two-dimensional image is formed.

前記画素補間用メモリー44の出力側には、マスク移動方向画像処理部32が接続されている。このマスク移動方向画像処理部32は、前記撮像手段4により撮像され前記画素補間用メモリー44に記憶された前記TFT基板7及び前記フォトマスク12の画像の内、マスク移動方向の必要情報を検出するもので、マスク移動方向画素補間回路45と、マスク移動方向エッジ抽出回路46と、マスク移動方向エッジ選別回路47とを有して形成されている。   A mask movement direction image processing unit 32 is connected to the output side of the pixel interpolation memory 44. The mask movement direction image processing unit 32 detects necessary information in the mask movement direction from the images of the TFT substrate 7 and the photomask 12 captured by the imaging unit 4 and stored in the pixel interpolation memory 44. The mask movement direction pixel interpolation circuit 45, the mask movement direction edge extraction circuit 46, and the mask movement direction edge selection circuit 47 are formed.

マスク移動方向画素補間回路45は、前記画素補間用メモリー44の出力側に接続されている。このマスク移動方向画素補間回路45は、前記画素補間用メモリー44から画像データを受け取り、一列毎に順次マスク移動方向の画素を補間するものである。   The mask movement direction pixel interpolation circuit 45 is connected to the output side of the pixel interpolation memory 44. The mask movement direction pixel interpolation circuit 45 receives image data from the pixel interpolation memory 44 and sequentially interpolates pixels in the mask movement direction for each column.

前記マスク移動方向画素補間回路45の出力側にはマスク移動方向エッジ抽出回路46が接続されている。このマスク移動方向エッジ抽出回路46は、前記画素補間回路45から画素補間された画像データを受け取り、マスク移動方向に直交する方向に伸びる所定の長さの線分をマスク移動方向エッジとして認識し抽出するものである。   A mask movement direction edge extraction circuit 46 is connected to the output side of the mask movement direction pixel interpolation circuit 45. The mask movement direction edge extraction circuit 46 receives the pixel-interpolated image data from the pixel interpolation circuit 45, recognizes and extracts a line segment having a predetermined length extending in a direction orthogonal to the mask movement direction as a mask movement direction edge. To do.

前記マスク移動方向エッジ抽出回路46の出力側にはマスク移動方向エッジ選別回路47が接続されている。このマスク移動方向エッジ選別回路47は、前記マスク移動方向エッジ抽出回路46によって抽出された複数のマスク移動方向エッジの中から、前記マスク側アライメントマーク15、基板側アライメントマーク22、アライメント確認マーク23、基準位置M2等の位置合わせに必要なエッジのみを選別するものである。 A mask movement direction edge selection circuit 47 is connected to the output side of the mask movement direction edge extraction circuit 46. The mask movement direction edge selection circuit 47 includes the mask side alignment mark 15, the substrate side alignment mark 22, the alignment confirmation mark 23, among the plurality of mask movement direction edges extracted by the mask movement direction edge extraction circuit 46. Only edges necessary for alignment of the reference position M 2 and the like are selected.

前記マスク移動方向エッジ選別回路47の出力側には記憶手段33及びマスク移動距離算出回路34が接続されている。この記憶手段33は、前記マスク移動方向エッジ選別回路47によって選別された前記フォトマスク12のマスク移動方向エッジの情報を記憶すると共に、前記マスク移動距離算出回路34と送受することにより、前記フォトマスク12のマスク移動方向エッジの情報を更新するもので、マスク用メモリー更新回路48とマスク用メモリー49とを有して構成されている。   A storage means 33 and a mask movement distance calculation circuit 34 are connected to the output side of the mask movement direction edge selection circuit 47. The storage means 33 stores information on the mask movement direction edge of the photomask 12 selected by the mask movement direction edge selection circuit 47, and transmits and receives the information to and from the mask movement distance calculation circuit 34 to thereby transmit the photomask. 12 is used to update information on 12 mask movement direction edges, and includes a mask memory update circuit 48 and a mask memory 49.

マスク用メモリー更新回路48は、前記マスク移動方向エッジ選別回路47の出力側に接続されると共に、マスク移動距離算出回路34と送受することにより、マスク用メモリー49内の情報の更新の必要性の可否を判断し、必要と判断した場合にマスク用メモリー49内の情報を更新するものである。   The mask memory update circuit 48 is connected to the output side of the mask movement direction edge selection circuit 47 and transmits / receives to / from the mask movement distance calculation circuit 34 to thereby update the information in the mask memory 49. The information in the mask memory 49 is updated when it is determined whether or not it is necessary.

前記マスク用メモリー更新回路48の出力側にはマスク用メモリー49が接続されている。このマスク用メモリー49は、前記マスク用メモリー更新回路48と送受することにより、前記フォトマスク12の最新の位置情報を記憶するものである。   A mask memory 49 is connected to the output side of the mask memory update circuit 48. The mask memory 49 stores the latest position information of the photomask 12 by transmitting and receiving with the mask memory update circuit 48.

前記マスク移動距離算出回路34は、前記マスク移動方向エッジ選別回路47によって選別された前記TFT基板7の基板側アライメントマーク22、アライメント確認マーク23及び基準位置M2と、前記記憶手段によって記憶された前記フォトマスク12のマスク側アライメントマーク15、基準マーク15a及び基準位置M1とを比較することにより、前記TFT基板7とフォトマスク12とのマスク移動方向のずれ量を算出するものである。 The mask moving distance calculating circuit 34, the substrate side alignment mark 22 of the TFT substrate 7 which is selected by the mask moving direction edge selection circuit 47, and the alignment check mark 23 and the reference position M 2, which is stored by the storage means By comparing the mask side alignment mark 15, the reference mark 15 a and the reference position M 1 of the photomask 12, the amount of shift in the mask moving direction between the TFT substrate 7 and the photomask 12 is calculated.

前記マスク移動距離算出回路34の出力側には、マスクヘッド駆動回路35が接続されている。このマスクヘッド駆動回路35は、前記マスク移動距離算出回路34によって算出された前記TFT基板7とフォトマスク12とのマスク移動方向のずれ量の分だけ、前記フォトマスク12を移動させるために、前記マスクヘッド駆動回路35の出力側に接続されたマスクヘッド駆動モーター51に駆動制御信号を送るものである。   A mask head drive circuit 35 is connected to the output side of the mask movement distance calculation circuit 34. The mask head drive circuit 35 moves the photomask 12 by the amount of deviation in the mask movement direction between the TFT substrate 7 and the photomask 12 calculated by the mask movement distance calculation circuit 34. A drive control signal is sent to the mask head drive motor 51 connected to the output side of the mask head drive circuit 35.

基板搬送方向画像処理部36は、前記撮像手段4により撮像された前記TFT基板7の画像の内の基板搬送方向の必要情報を検出するもので、基板搬送方向画素補間回路52と、基板搬送方向エッジ抽出回路53と、基板搬送方向エッジ選別回路54とを有して形成されている。   The substrate transport direction image processing unit 36 detects necessary information in the substrate transport direction in the image of the TFT substrate 7 imaged by the imaging means 4, and includes a substrate transport direction pixel interpolation circuit 52 and a substrate transport direction. An edge extraction circuit 53 and a substrate transport direction edge selection circuit 54 are formed.

基板搬送方向画素補間回路52は、前記画素補間用メモリー44の出力側に接続されている。この基板搬送方向画素補間回路52は、前記画素補間用メモリー44から2次元情報として記憶された画像データを受け取り、基板搬送方向の画素を補間するものである。   The substrate transport direction pixel interpolation circuit 52 is connected to the output side of the pixel interpolation memory 44. The substrate transport direction pixel interpolation circuit 52 receives image data stored as two-dimensional information from the pixel interpolation memory 44 and interpolates pixels in the substrate transport direction.

前記基板搬送方向画素補間回路52の出力側には基板搬送方向エッジ抽出回路53が接続されている。この基板搬送方向エッジ抽出回路53は、前記画素補間回路52から画素補間された画像データを受け取り、基板搬送方向に直交する方向に伸びる所定の長さの線分をマスク移動方向エッジとして認識し抽出するものである。   A substrate transport direction edge extraction circuit 53 is connected to the output side of the substrate transport direction pixel interpolation circuit 52. The substrate transport direction edge extraction circuit 53 receives the image-interpolated image data from the pixel interpolation circuit 52, recognizes and extracts a line segment of a predetermined length extending in a direction orthogonal to the substrate transport direction as a mask movement direction edge. To do.

前記基板搬送方向エッジ抽出回路53の出力側には基板搬送方向エッジ選別回路54が接続されている。この基板搬送方向エッジ選別回路54は、前記基板搬送方向エッジ抽出回路53によって抽出された複数の基板搬送方向エッジの中から、直線部55(図4参照)の搬送方向先頭側縁部56等の基板搬送位置検出に必要なエッジのみを選別するものである。   A substrate transport direction edge selection circuit 54 is connected to the output side of the substrate transport direction edge extraction circuit 53. The substrate transport direction edge selection circuit 54 includes a plurality of substrate transport direction edges extracted by the substrate transport direction edge extraction circuit 53, such as the leading edge 56 in the transport direction of the linear portion 55 (see FIG. 4). Only the edges necessary for detecting the substrate transfer position are selected.

前記基板搬送方向エッジ選別回路54の出力側には点灯位置算出回路37が接続されている。この点灯位置算出回路37は、前記フォトマスク12に対するTFT基板7の基板搬送方向の位置のずれ量を算出するもので、算出した位置のずれ量から、前記TFT基板7の前記基板パターン16とフォトマスク12のマスクパターン11の位置とが合致するタイミングを算出するものである。   A lighting position calculation circuit 37 is connected to the output side of the substrate transport direction edge selection circuit 54. The lighting position calculation circuit 37 calculates a displacement amount of the position of the TFT substrate 7 in the substrate transport direction with respect to the photomask 12, and the substrate pattern 16 and the photo pattern of the TFT substrate 7 are calculated from the calculated displacement amount of the position. The timing at which the position of the mask pattern 11 of the mask 12 matches is calculated.

前記点灯位置算出回路37の出力側には位置比較回路38が接続されている。この位置比較回路38は、前記点灯位置算出回路37によって算出された前記TFT基板7の基板パターン16とフォトマスク12のマスクパターン11の位置とが合致するタイミングに対して、前記ステージエンコーダー9により検出された前記TFT基板7の実際の位置情報を比較するものである。   A position comparison circuit 38 is connected to the output side of the lighting position calculation circuit 37. The position comparison circuit 38 detects the timing at which the substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 calculated by the lighting position calculation circuit 37 matches the position of the mask pattern 11 of the photomask 12 by the stage encoder 9. The actual position information of the TFT substrate 7 is compared.

前記位置比較回路38の出力側には光源駆動回路39が接続されている。この光源駆動回路39は、前記位置比較回路38によって比較された位置情報から、露光光源3の点灯の可否を判断し、前記露光光源3の点灯及び消灯を制御するものである。   A light source drive circuit 39 is connected to the output side of the position comparison circuit 38. The light source driving circuit 39 determines whether or not the exposure light source 3 can be turned on from the position information compared by the position comparison circuit 38, and controls the turning on and off of the exposure light source 3.

次に、このように構成された露光装置の動作、及び該露光装置を使用して行なう露光方法について説明する。
先ず、図1に示すように、フォトマスク12を遮光膜14が形成された側を下にし、マスク側アライメントマーク15(図2参照)をTFT基板7の基板搬送方向手前側に位置させ、且つマスクパターン11(図2参照)の直線部17の長手方向を、前記搬送方向と略直交するようにしてマスクヘッド2に載置する。次に、TFT基板7を、レジストを塗布した面を上面にし、且つ基板側アライメントマーク22を搬送方向の先頭側に向けて搬送手段1のステージ8上にてフォトマスク12のマスク側アライメントマーク11より基板搬送方向手前側に載置する。これにより、図5に示すように、フォトマスク12の下方にはTFT基板7がまだ投入されていない状態が形成される。そして、入力手段42(図7参照)によって露光開始の信号が入力されると、以下の手順に従って露光動作が実行される。
Next, the operation of the exposure apparatus configured as described above and the exposure method performed using the exposure apparatus will be described.
First, as shown in FIG. 1, the photomask 12 is placed with the light-shielding film 14 side down, and the mask-side alignment mark 15 (see FIG. 2) is positioned on the near side of the TFT substrate 7 in the substrate transport direction. The mask pattern 11 (see FIG. 2) is placed on the mask head 2 so that the longitudinal direction of the linear portion 17 is substantially orthogonal to the transport direction. Next, on the TFT substrate 7, the mask-side alignment mark 11 of the photomask 12 is placed on the stage 8 of the transport means 1 with the resist-coated surface on the top surface and the substrate-side alignment mark 22 facing the leading side in the transport direction. It is placed on the near side in the substrate transport direction. Thereby, as shown in FIG. 5, a state where the TFT substrate 7 is not yet input is formed below the photomask 12. Then, when an exposure start signal is input by the input means 42 (see FIG. 7), an exposure operation is executed according to the following procedure.

まず、図8に示すステップS1においては、図1に示すフォトマスク12に形成されたマスク側基準パターンを撮像手段4により撮像する。具体的には、撮像手段コントローラー31(図7参照)により、図1に示すように、フォトマスク12の上方の照明光源5aが点灯して照明光が照射され、フォトマスク12の基準パターンを形成するマスク側アライメントマーク15(図2参照)を透過し、撮像手段4によって撮像される。   First, in step S1 shown in FIG. 8, the mask side reference pattern formed on the photomask 12 shown in FIG. Specifically, as shown in FIG. 1, the imaging means controller 31 (see FIG. 7) turns on the illumination light source 5a above the photomask 12 and irradiates illumination light, thereby forming a reference pattern of the photomask 12. The mask side alignment mark 15 (refer to FIG. 2) to be transmitted is imaged by the imaging means 4.

次に、ステップS2において、マスク移動方向エッジ抽出手段及びマスク移動方向エッジ選別手段によりマスク側基準パターンのマスク移動方向のエッジを抽出・選別して検出し、記憶手段33(図7参照)に記憶する。具体的には、図7に示すように、前記ステップS1で撮像された画像は、先ず、画素補間用メモリー44に記憶され、マスク移動方向画素補間回路45によってマスク移動方向の画素が補間される。次に、マスク移動方向エッジ抽出回路46によって、マスク側基準パターンのマスク移動方向に直交する方向に伸びる所定の長さの線分をマスク移動方向エッジとして認識し抽出する。次に、マスク移動方向エッジ選別回路47によって、前記抽出された複数のマスク移動方向エッジの中から、マスク側アライメントマーク15(図2参照)と基準マーク15a及び基準位置M1が選別される。次に、マスク用メモリー49に、前記選別したマスク側アライメントマーク15と基準マーク15aを検出したラインCCD26(図1参照)の受光素子のセル番号を記憶する。 Next, in step S2, the mask moving direction edge extracting unit and the mask moving direction edge selecting unit extract and detect the edge of the mask side reference pattern in the mask moving direction and detect it, and store it in the storage unit 33 (see FIG. 7). To do. Specifically, as shown in FIG. 7, the image captured in step S 1 is first stored in the pixel interpolation memory 44, and pixels in the mask movement direction are interpolated by the mask movement direction pixel interpolation circuit 45. . Next, the mask movement direction edge extraction circuit 46 recognizes and extracts a line segment of a predetermined length extending in a direction orthogonal to the mask movement direction of the mask side reference pattern as a mask movement direction edge. Next, the mask moving direction edge selection circuit 47, from the plurality of mask moving direction edges the extracted mask-side alignment mark 15 (see FIG. 2) and the reference marks 15a and reference position M 1 is selected. Next, the cell number of the light receiving element of the line CCD 26 (see FIG. 1) where the selected mask side alignment mark 15 and the reference mark 15a are detected is stored in the mask memory 49.

次に、ステップS3において、図1に示す搬送手段1により基板撮像位置及び基板露光位置に向けてTFT基板7の搬送が開始される。   Next, in step S3, the transport unit 1 shown in FIG. 1 starts transporting the TFT substrate 7 toward the substrate imaging position and the substrate exposure position.

次に、ステップS4において、図4に示すTFT基板7に形成された基板側基準パターンを撮像手段4(図1参照)により撮像する。具体的には、図6に示すように、TFT基板7が撮像位置の上方に搬送されると、図1に示すように、撮像手段コントローラー31(図7参照)によりTFT基板7の下方の照明光源5b,5cが点灯し、照明光が照射されて基板側基準パターンを形成するTFT基板7の基板側アライメントマーク22(図4参照)、アライメント確認マーク23及び基板パターン16等で反射し、撮像手段4によってその反射光が撮像される。   Next, in step S4, the substrate-side reference pattern formed on the TFT substrate 7 shown in FIG. 4 is imaged by the imaging means 4 (see FIG. 1). Specifically, as shown in FIG. 6, when the TFT substrate 7 is transported above the imaging position, as shown in FIG. 1, illumination below the TFT substrate 7 is performed by the imaging means controller 31 (see FIG. 7). The light sources 5b and 5c are turned on and reflected by the substrate-side alignment mark 22 (see FIG. 4), the alignment confirmation mark 23, the substrate pattern 16 and the like of the TFT substrate 7 that forms the substrate-side reference pattern when illuminated with illumination light, and captures an image. The reflected light is imaged by the means 4.

次に、ステップS5において、マスク移動方向エッジ抽出手段及びマスク移動方向エッジ選別手段により基板側基準パターンのマスク移動方向のエッジを抽出・選別して検出する。具体的には、前記ステップS4で撮像された画像は、先ず、図7に示す画素補間用メモリー44に記憶され、マスク移動方向画素補間回路45によってマスク移動方向の画素が補間される。次に、マスク移動方向エッジ抽出回路46によって、マスク側基準パターンのマスク移動方向に直交する方向に伸びる所定の長さの線分をマスク移動方向エッジとして認識し抽出する。次に、マスク移動方向エッジ選別回路47によって、前記抽出された複数のマスク移動方向エッジの中から、図4に示す基板側アライメントマーク22とアライメント確認マーク23及び基準位置M2が選別される。 In step S5, the mask moving direction edge extracting unit and the mask moving direction edge selecting unit extract and detect the edge of the substrate side reference pattern in the mask moving direction. Specifically, the image captured in step S4 is first stored in the pixel interpolation memory 44 shown in FIG. 7, and the mask movement direction pixel interpolation circuit 45 interpolates pixels in the mask movement direction. Next, the mask movement direction edge extraction circuit 46 recognizes and extracts a line segment of a predetermined length extending in a direction orthogonal to the mask movement direction of the mask side reference pattern as a mask movement direction edge. Next, the mask moving direction edge selection circuit 47, from the plurality of mask moving direction edges the extracted, the substrate side alignment marks 22 and the alignment check mark 23 and the reference position M 2 shown in FIG. 4 is selected.

次に、ステップS6において、マスク移動距離算出手段により図1に示すTFT基板7に対するフォトマスク12のマスク移動方向の位置のずれ量を算出する。具体的には、先ず、ステップS5で検出されたTFT基板7の基板側アライメントマーク22(図4参照)を検出したラインCCD26の受光素子のセル番号と、ステップS2で記憶されたフォトマスク12の基準マーク15a(図2参照)を検出したラインCCD26の受光素子のセル番号とが読み取られ、そのセル番号で表される受光素子間の距離L(図9参照)が演算される。そして、予め設定して記憶された所定の距離L0(図10参照)と比較され、ずれ量が算出される。 Next, in step S6, the amount of displacement of the position of the photomask 12 in the mask moving direction with respect to the TFT substrate 7 shown in FIG. Specifically, first, the cell number of the light receiving element of the line CCD 26 that detected the substrate-side alignment mark 22 (see FIG. 4) of the TFT substrate 7 detected in step S5, and the photomask 12 stored in step S2. The cell number of the light receiving element on the line CCD 26 where the reference mark 15a (see FIG. 2) is detected is read, and the distance L (see FIG. 9) between the light receiving elements represented by the cell number is calculated. Then, it is compared with a predetermined distance L 0 (see FIG. 10) that has been set and stored in advance, and a deviation amount is calculated.

次に、ステップS7において、算出した位置のずれ量に従ってフォトマスク12を移動しTFT基板7に対してマスク移動方向の位置合わせをする。具体的には、図9に示すように、TFT基板7に対してフォトマスク12が矢印C方向にずれている場合には、図10に示すように、基板側アライメントマーク22と基準マーク15aとの距離Lが所定の距離L0となるようにフォトマスク12が矢印D方向に移動される。これにより、フォトマスク12の基準位置M1とTFT基板7の基準位置M2とが合致することとなる。 Next, in step S 7, the photomask 12 is moved according to the calculated position shift amount and aligned with the TFT substrate 7 in the mask moving direction. Specifically, as shown in FIG. 9, when the photomask 12 is displaced in the arrow C direction with respect to the TFT substrate 7, as shown in FIG. 10, the substrate-side alignment mark 22 and the reference mark 15a photomask 12 is moved in the direction of arrow D as the distance L becomes a predetermined distance L 0. As a result, the reference position M 1 of the photomask 12 matches the reference position M 2 of the TFT substrate 7.

次に、図10に示すように、ステップS5で検出されたTFT基板7の各アライメント確認マーク23の位置を示すラインCCD26の受光素子のセル番号、及びステップS2で記憶されたフォトマスク12の各マスク側アライメントマーク15の位置を示すラインCCD26の受光素子のセル番号とが読み取られ、各セル番号の平均値が演算されることにより、検出した各アライメント確認マーク23と記憶された各マスク側アライメントマーク15の平均位置が算出される。そして、この平均値と、アライメント調整直後に前記TFT基板7の基板側アライメントマーク22を検出したラインCCD26の位置を示す受光素子のセル番号とを比較して、両者が一致した場合にはアライメントが確実に行なわれたと判断される。   Next, as shown in FIG. 10, the cell number of the light receiving element on the line CCD 26 indicating the position of each alignment confirmation mark 23 on the TFT substrate 7 detected in step S5, and each photomask 12 stored in step S2. The cell number of the light receiving element on the line CCD 26 indicating the position of the mask side alignment mark 15 is read, and the average value of each cell number is calculated, whereby each detected alignment confirmation mark 23 and each stored mask side alignment are stored. The average position of the mark 15 is calculated. Then, the average value is compared with the cell number of the light receiving element indicating the position of the line CCD 26 where the substrate side alignment mark 22 of the TFT substrate 7 is detected immediately after alignment adjustment. It is judged that it was done reliably.

また、ステップS4の後、ステップS5と同時にステップS8が行われる。このステップS8において、基板搬送方向エッジ抽出手段及び基板搬送方向エッジ選別手段により基板側基準パターンの搬送方向のエッジを抽出・選別して検出する。具体的には、前記ステップS4で撮像された画像は、先ず、図7に示すように、画素補間用メモリー44に記憶され、基板搬送方向画素補間回路52によって基板搬送方向の画素が補間される。次に、基板搬送方向エッジ抽出回路53によって、基板側基準パターンの基板搬送方向に直交する方向に伸びる所定の長さの線分を基板搬送方向エッジとして認識し抽出する。次に、基板搬送方向エッジ選別回路54によって、前記抽出された複数の基板搬送方向エッジの中から、図4に示す基板パターン16の直線部55の基板搬送方向の先頭側に位置する先頭側縁部56が選別される。   Further, after step S4, step S8 is performed simultaneously with step S5. In step S8, the edge in the transport direction of the substrate-side reference pattern is extracted and selected by the substrate transport direction edge extracting means and the substrate transport direction edge selecting means. Specifically, the image captured in step S4 is first stored in the pixel interpolation memory 44 as shown in FIG. 7, and the substrate transport direction pixel interpolation circuit 52 interpolates the pixels in the substrate transport direction. . Next, a line segment having a predetermined length extending in a direction orthogonal to the substrate transport direction of the substrate-side reference pattern is recognized and extracted as a substrate transport direction edge by the substrate transport direction edge extraction circuit 53. Next, the leading edge of the linear portion 55 of the substrate pattern 16 shown in FIG. 4 located on the leading side in the substrate transport direction among the plurality of extracted substrate transport direction edges by the substrate transport direction edge selection circuit 54. The part 56 is selected.

次に、ステップS9において、図10に示すように、点灯位置算出手段によりフォトマスク12に対するTFT基板7の基板搬送方向の位置のずれ量を算出する。具体的には、ステップS8で検出されたTFT基板7の直線部55の基板搬送方向の先頭側に位置する先頭側縁部56がラインCCD26(図1参照)の受光素子によって捉えられた時点において、ラインCCDからフォトマスク12に形成されたマスクパターン11の直線部17の基板搬送方向先頭側に位置する縁部20までの距離Eがずれ量となる。   Next, in step S9, as shown in FIG. 10, the amount of deviation of the position of the TFT substrate 7 in the substrate transport direction with respect to the photomask 12 is calculated by the lighting position calculation means. Specifically, at the time when the leading edge 56 located on the leading side in the substrate transport direction of the linear portion 55 of the TFT substrate 7 detected in step S8 is captured by the light receiving element of the line CCD 26 (see FIG. 1). The distance E from the line CCD to the edge 20 located on the front side in the substrate transport direction of the linear portion 17 of the mask pattern 11 formed on the photomask 12 is the amount of deviation.

次に、ステップS10において、算出した位置のずれ量EからTFT基板7の基板パターン16とマスクパターン11の位置とが合致するタイミングを算出する。具体的には、TFT基板7の先頭側縁部56がラインCCD26(図1参照)の受光素子によって捉えられた瞬間から、前記距離EをTFT基板7の搬送速度Vで除した時間T経過後が、TFT基板7の基板パターン16とマスクパターン11の位置とが合致するタイミングとなる。   Next, in step S10, the timing at which the substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 matches the position of the mask pattern 11 is calculated from the calculated positional deviation amount E. Specifically, after the elapse of time T, the distance E is divided by the transport speed V of the TFT substrate 7 from the moment when the leading edge 56 of the TFT substrate 7 is captured by the light receiving element of the line CCD 26 (see FIG. 1). However, this is the timing when the substrate pattern 16 of the TFT substrate 7 and the position of the mask pattern 11 coincide.

次に、ステップS11において、算出したタイミングで露光光源3を点灯しフォトマスク12を介してTFT基板7に露光光を照射する。   Next, in step S <b> 11, the exposure light source 3 is turned on at the calculated timing, and the TFT substrate 7 is irradiated with exposure light via the photomask 12.

次に、ステップS12において、TFT基板7上に複数列形成されている基板パターン16の最後尾の列まで露光を終了したか否か確認し、まだ終了していない場合はステップS4の終了時点の段階まで戻って以下のステップを繰り返し、終了が確認された場合は露光を終了する。   Next, in step S12, it is confirmed whether or not the exposure has been completed up to the last column of the substrate pattern 16 formed on the TFT substrate 7 in a plurality of rows. Returning to the stage, the following steps are repeated, and when the completion is confirmed, the exposure is terminated.

なお、前記実施形態においては、TFT基板7に基板側アライメントマーク22及びアライメント確認マーク23を形成した場合について説明したが、これに限られず、前記基板側アライメントマーク22及びアライメント確認マーク23はなくてもよい。この場合、TFT基板7の搬送方向両側方の所定位置に別のアライメントマークを形成し、それに対応してフォトマスク12の両端部にもアライメントマークを形成し、TFT基板7を搬送する前に両アライメントマークによってアライメントの粗調整をして位置合わせを行なってもよい。   In the embodiment, the case where the substrate-side alignment mark 22 and the alignment confirmation mark 23 are formed on the TFT substrate 7 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the substrate-side alignment mark 22 and the alignment confirmation mark 23 are not provided. Also good. In this case, another alignment mark is formed at a predetermined position on both sides of the TFT substrate 7 in the transport direction, and an alignment mark is formed on both ends of the photomask 12 correspondingly. The alignment may be performed by coarsely adjusting the alignment with the alignment mark.

また、前記実施形態においては、フォトマスク12の上方に照明光源5aを配置し、TFT基板7の下方に照明光源5b,5cを配置し、照明光源5aの照明によりフォトマスク12の撮像を行い、照明光源5b,5cの照明によりTFT基板7の撮像を行っているが、これに限られず、照明光源5b又は5cのみを設け、照明光源5b又は5cのみによってフォトマスク12及びTFT基板7の撮像を行ってもよい。   In the embodiment, the illumination light source 5a is disposed above the photomask 12, the illumination light sources 5b and 5c are disposed below the TFT substrate 7, and the photomask 12 is imaged by illumination of the illumination light source 5a. Although the TFT substrate 7 is imaged by illumination of the illumination light sources 5b and 5c, the present invention is not limited to this. Only the illumination light source 5b or 5c is provided, and the photomask 12 and the TFT substrate 7 are imaged only by the illumination light source 5b or 5c. You may go.

そして、以上の説明においては、基板が不透明なTFT基板7である場合について述べたが、これに限られず、所定の露光パターンを形成するものであれば半導体基板等また透明不透明に関係なく如何なるものであってもよい。   In the above description, the case where the substrate is the opaque TFT substrate 7 has been described. However, the present invention is not limited to this, and any substrate that can form a predetermined exposure pattern may be used regardless of whether it is transparent or opaque. It may be.

本発明による露光方法に用いる露光装置の実施形態を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows embodiment of the exposure apparatus used for the exposure method by this invention. 前記露光装置において使用されるフォトマスクの平面図である。It is a top view of the photomask used in the said exposure apparatus. 前記フォトマスクを示す断面図であり、(a)は図2のX−X線断面図、(b)は図2のY−Y線断面図である。3A and 3B are cross-sectional views showing the photomask, wherein FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line Y-Y of FIG. 前記露光装置において使用されるTFT基板の平面図である。2 is a plan view of a TFT substrate used in the exposure apparatus. FIG. 被露光基板投入前における前記露光装置に備えられた撮像手段の撮像状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the imaging state of the imaging means with which the said exposure apparatus was equipped before board | substrate to be exposed was thrown. 被露光基板投入後における前記露光装置に備えられた撮像手段の撮像状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the imaging state of the imaging means with which the said exposure apparatus was equipped after board | substrate to be exposed was supplied. 前記露光装置の制御手段の内部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the internal structure of the control means of the said exposure apparatus. 本発明による露光方法に用いる露光装置の動作を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining operation | movement of the exposure apparatus used for the exposure method by this invention. 図2に示すフォトマスクと図4に示すTFT基板とのアライメント調整を説明する図であり、調整前の状態を示す説明図である。It is a figure explaining alignment adjustment with the photomask shown in FIG. 2, and the TFT substrate shown in FIG. 4, and is explanatory drawing which shows the state before adjustment. 図2に示すフォトマスクと図4に示すTFT基板とのアライメント調整を説明する図であり、マスク移動方向の調整が終了した状態を示す説明図である。It is a figure explaining alignment adjustment with the photomask shown in FIG. 2, and the TFT substrate shown in FIG. 4, and is explanatory drawing which shows the state which adjustment of the mask moving direction was complete | finished.

符号の説明Explanation of symbols

1…搬送手段
2…マスクヘッド
3…露光光源
4…撮像手段
6…制御手段
7…TFT基板(被露光基板)
11…マスクパターン
12…フォトマスク
15…マスク側アライメントマーク(マスク側基準パターン)
16…基板パターン
22…基板側アライメントマーク
23…アライメント確認マーク
26…ラインCCD(受光素子)
27…集光レンズ
28…光学距離補正手段
33…記憶手段
56…先頭側縁部
2…基準位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conveyance means 2 ... Mask head 3 ... Exposure light source 4 ... Imaging means 6 ... Control means 7 ... TFT substrate (exposed substrate)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Mask pattern 12 ... Photomask 15 ... Mask side alignment mark (mask side reference pattern)
16 ... Substrate pattern 22 ... Substrate side alignment mark 23 ... Alignment confirmation mark 26 ... Line CCD (light receiving element)
27 ... converging lens 28 ... optical distance correcting means 33 ... storage means 56 ... top-side edge M 2 ... reference position

Claims (4)

フォトマスクに形成されたマスク側基準パターンを、表面に基板側基準パターンが設けられた被露光基板の搬送方向と略直交する方向に複数の受光素子を一直線状に並べた撮像手段により撮像する段階と、
前記撮像したフォトマスクの画像を処理して前記フォトマスクのマスク側基準パターンの位置を検出し記憶手段に記憶する段階と、
前記フォトマスクの一方の面側にて、搬送手段により基板撮像位置及び基板露光位置に向けて前記被露光基板の搬送を開始する段階と、
前記被露光基板に形成された基板側基準パターンを前記撮像手段によって撮像し、前記被露光基板の基板側基準パターンの位置を検出する段階と、
前記記憶手段に記憶したフォトマスクのマスク側基準パターンの位置と、前記検出した被露光基板の基板側基準パターンの位置とを比較して、前記被露光基板とフォトマスクとの位置のずれ量を算出する段階と、
前記算出した位置のずれ量に従って前記フォトマスクを被露光基板の搬送方向と直交する方向に移動し、該フォトマスクを前記被露光基板に位置合わせする段階と、
前記算出した位置のずれ量から前記搬送される被露光基板の基板パターンと、前記フォトマスク上に被露光基板の搬送方向と略直交する方向に直線状に伸びるマスクパターンの位置とが合致するタイミングを算出する段階と、
前記位置合わせをしたフォトマスクを介して、前記搬送される被露光基板に対して前記算出したタイミングで光源から露光光を照射する段階と、
を実行することを特徴とする露光方法。
A step of imaging a mask side reference pattern formed on a photomask by an imaging means in which a plurality of light receiving elements are arranged in a straight line in a direction substantially orthogonal to a transport direction of an exposed substrate having a substrate side reference pattern provided on the surface. When,
Processing the captured image of the photomask to detect the position of the mask-side reference pattern of the photomask and storing it in a storage means;
On one surface side of the photomask, the conveyance means starts conveying the substrate to be exposed toward the substrate imaging position and the substrate exposure position;
Imaging the substrate-side reference pattern formed on the substrate to be exposed by the imaging means, and detecting the position of the substrate-side reference pattern of the substrate to be exposed;
The position of the mask-side reference pattern of the photomask stored in the storage means is compared with the detected position of the substrate-side reference pattern of the exposed substrate, and the amount of positional deviation between the exposed substrate and the photomask is calculated. Calculating the stage;
Moving the photomask in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate to be exposed according to the calculated amount of positional deviation, and aligning the photomask with the substrate to be exposed;
The timing at which the substrate pattern of the substrate to be exposed conveyed from the calculated displacement amount of the substrate matches the position of the mask pattern that extends linearly on the photomask in a direction substantially orthogonal to the direction of conveyance of the substrate to be exposed. Calculating
Irradiating exposure light from a light source at the calculated timing with respect to the substrate to be transported through the aligned photomask;
The exposure method characterized by performing.
前記撮像手段は、前記被露光基板を挟んで前記フォトマスクと反対側に配置したことを特徴とする請求項1記載の露光方法。   2. The exposure method according to claim 1, wherein the imaging means is disposed on the opposite side of the photomask across the substrate to be exposed. 前記撮像手段は、前記フォトマスク表面から反射又は透過して前記受光素子の光路手前側に設けられた集光レンズを透過した光と、前記被露光基板表面から反射又は透過して前記集光レンズを透過した光とを、共に前記複数の受光素子を一直線状に並べて形成した受光面上に結像させる光学距離補正手段を備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。   The imaging means reflects or transmits from the surface of the photomask and passes through a condenser lens provided on the front side of the light path of the light receiving element, and reflects or transmits from the surface of the substrate to be exposed and transmits the condenser lens. 3. An exposure method according to claim 1, further comprising optical distance correction means for forming an image of the light transmitted through the light on a light receiving surface formed by arranging the plurality of light receiving elements in a straight line. 前記光学距離補正手段は、少なくとも前記撮像手段の受光面とフォトマスクとを結ぶ光路上に配設された所定の屈折率を有する透明な部材から成ることを特徴とする請求項3記載の露光方法。   4. The exposure method according to claim 3, wherein the optical distance correcting means comprises a transparent member having a predetermined refractive index and disposed on an optical path connecting at least a light receiving surface of the imaging means and a photomask. .
JP2007227970A 2007-08-31 2007-09-03 Exposure method Active JP5098041B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227970A JP5098041B2 (en) 2007-08-31 2007-09-03 Exposure method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225950 2007-08-31
JP2007225950 2007-08-31
JP2007227970A JP5098041B2 (en) 2007-08-31 2007-09-03 Exposure method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009075142A true JP2009075142A (en) 2009-04-09
JP5098041B2 JP5098041B2 (en) 2012-12-12

Family

ID=40610195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007227970A Active JP5098041B2 (en) 2007-08-31 2007-09-03 Exposure method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5098041B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010147019A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-23 株式会社ブイ・テクノロジー Alignment method, alignment device, and exposure device
JP2013113766A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Alignment method and pattern formation method
JP2013195468A (en) * 2012-03-15 2013-09-30 V Technology Co Ltd Substrate
US9327488B2 (en) 2011-11-30 2016-05-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Alignment method, transfer method and transfer apparatus
CN111279270A (en) * 2017-12-08 2020-06-12 株式会社V技术 Exposure apparatus and exposure method
CN114107937A (en) * 2020-08-26 2022-03-01 佳能特机株式会社 Alignment apparatus and alignment method, and film forming apparatus and film forming method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120790A (en) * 2004-10-20 2006-05-11 Ushio Inc Exposure device
JP2007114357A (en) * 2005-10-19 2007-05-10 Mejiro Precision:Kk Projection exposure apparatus
JP2007121344A (en) * 2005-10-25 2007-05-17 V Technology Co Ltd Exposure apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120790A (en) * 2004-10-20 2006-05-11 Ushio Inc Exposure device
JP2007114357A (en) * 2005-10-19 2007-05-10 Mejiro Precision:Kk Projection exposure apparatus
JP2007121344A (en) * 2005-10-25 2007-05-17 V Technology Co Ltd Exposure apparatus

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010147019A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-23 株式会社ブイ・テクノロジー Alignment method, alignment device, and exposure device
JP2011002475A (en) * 2009-06-16 2011-01-06 V Technology Co Ltd Alignment method, alignment device, and exposure apparatus
CN102460309A (en) * 2009-06-16 2012-05-16 株式会社V技术 Alignment method, alignment device, and exposure device
US8717544B2 (en) 2009-06-16 2014-05-06 V Technology Co., Ltd. Alignment method, alignment apparatus, and exposure apparatus
TWI472885B (en) * 2009-06-16 2015-02-11 V Technology Co Ltd Alignment method, alignment apparatus and exposure apparatus
JP2013113766A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Alignment method and pattern formation method
US9327488B2 (en) 2011-11-30 2016-05-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Alignment method, transfer method and transfer apparatus
JP2013195468A (en) * 2012-03-15 2013-09-30 V Technology Co Ltd Substrate
CN111279270A (en) * 2017-12-08 2020-06-12 株式会社V技术 Exposure apparatus and exposure method
CN111279270B (en) * 2017-12-08 2023-04-04 株式会社V技术 Exposure apparatus and exposure method
CN114107937A (en) * 2020-08-26 2022-03-01 佳能特机株式会社 Alignment apparatus and alignment method, and film forming apparatus and film forming method
CN114107937B (en) * 2020-08-26 2024-02-02 佳能特机株式会社 Alignment device, alignment method, film forming device, and film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5098041B2 (en) 2012-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4754924B2 (en) Exposure equipment
JP5382899B2 (en) Exposure equipment
TWI397776B (en) Exposing apparatus
KR101674131B1 (en) Alignment method, alignment device, and exposure device
JP5098041B2 (en) Exposure method
JP2010102149A (en) Exposure apparatus and photomask
JP2008076709A (en) Exposure device
JP4324606B2 (en) Alignment apparatus and exposure apparatus
KR101650116B1 (en) Exposure apparatus and photomask used therein
TWI391796B (en) Exposure apparatus and exposed substance
KR20040002495A (en) Projection exposure device and position alignment device and position alignment method
JP4971835B2 (en) Exposure method and exposure apparatus
JP5261847B2 (en) Alignment method, alignment apparatus, and exposure apparatus
JP5344766B2 (en) Photomask, laser annealing apparatus using the same, and exposure apparatus
KR20120109481A (en) Photomask
JP2009251290A (en) Exposure apparatus
JP2007041448A (en) Exposure device
JP4773158B2 (en) Exposure equipment
KR101242185B1 (en) Exposure apparatus
JP2009239310A (en) Exposure equipment
JP2010048986A (en) Exposure device, and photomask used for the same
KR20140144211A (en) Exposure head and exposure device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120312

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120807

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120831

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5098041

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250