JP2009060055A - 半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ - Google Patents

半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2009060055A
JP2009060055A JP2007228361A JP2007228361A JP2009060055A JP 2009060055 A JP2009060055 A JP 2009060055A JP 2007228361 A JP2007228361 A JP 2007228361A JP 2007228361 A JP2007228361 A JP 2007228361A JP 2009060055 A JP2009060055 A JP 2009060055A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
portions
resin body
mold
mold resin
internal terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007228361A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Saito
博 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Priority to JP2007228361A priority Critical patent/JP2009060055A/ja
Priority to TW097128714A priority patent/TW200913178A/zh
Priority to CN200810144129.4A priority patent/CN101359645B/zh
Priority to US12/220,867 priority patent/US20090072334A1/en
Priority to KR1020080073837A priority patent/KR20090013067A/ko
Publication of JP2009060055A publication Critical patent/JP2009060055A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Abstract

【課題】複数の半導体チップを収納した小型で簡素な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】モールド樹脂体6が、半導体チップ2,3を並べて搭載する底壁部31と周壁部32とを備える箱型に形成され、リードフレームに、底壁部31内に埋設されて半導体チップ2,3の下方に配置されるシールド板部と、半導体チップ2,3に接続される内部端子部19,21と、モールド樹脂体6から露出する実装用外部端子部とを備え、モールド樹脂体6の周壁部32の内側で半導体チップのそれぞれの一側方位置に、対向状態の両側壁部33A,33Bの長手方向に相互にずれた位置でいずれか一方の側壁部と交互に一体となるように複数の棚部35A,35Bが突設され、棚部35A,35Bの上面に、棚部内を経由して立ち上げられた内部端子部の先端部19a,21aが露出され、モールド樹脂体6を覆う蓋体は導電性材料からなり、シールド板部に電気的接続状態とされている。
【選択図】図3

Description

本発明は、リードフレームを埋設した箱型のモールド樹脂体に半導体チップを収納して蓋体により覆ってなる半導体装置に関する。
シリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置として、例えば特許文献1に記載されたものがある。この半導体装置は、基板と蓋体とにより構成される中空のハウジングを有しており、その基板上に半導体チップが搭載されることにより、ハウジング内に半導体チップが収納された状態とされている。この半導体チップは、基板上の内部端子部とワイヤボンディングによって接続され、その内部端子部に接続状態の実装用外部端子部がハウジングから露出状態に設けられる。
また、この種の半導体装置は、携帯電話等への携行可能な電子機器に搭載される場合があるため、その小型化が望まれており、例えば特許文献2に記載されているように、矩形のハウジングの一方の長辺にのみ半導体チップと電気的に接続する端子部を設けることが考えられる。
特表2004−537182号公報 特開2000−349305号公報
ところで、シリコンマイク等の半導体装置においては、特許文献1に示すように、ハウジングの中にマイクロフォンチップと制御回路チップとの二つの半導体チップを収納することがある。このような複数の半導体チップを一つのハウジング内に収納する場合、特許文献2のようにハウジングの一方の長辺にのみ端子部を設けると、その部分に端子部が密集することになり、その設置間隔を確保する必要があるために小型化に限界が生じる。
また、実装用外部端子部はハウジングの周縁部に均等に配置した方が安定するが、内部端子部が片側にのみ配置される場合には、内部端子部と外部端子部とを連結するために、リードフレームを分断させる必要が生じるなど、その引き回し構造が複雑になる。
本発明は、複数の半導体チップを収納した小型で簡素な構造の半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、リードフレームの少なくとも一部を埋設した状態のモールド樹脂体が、複数の半導体チップを並べて搭載する矩形の底壁部と、該底壁部の周縁部から立設した角筒形の周壁部とを備える箱型に形成され、前記周壁部の上端面に半導体チップの上方を覆う蓋体が固着されてなる半導体装置において、前記リードフレームに、前記底壁部内に埋設されて前記半導体チップの下方に配置されるシールド板部と、前記半導体チップに接続される内部端子部と、これらシールド板部又は内部端子部のいずれかに接続状態で前記モールド樹脂体から露出する複数の実装用外部端子部とを備え、前記モールド樹脂体の周壁部の内側で前記半導体チップのそれぞれの一側方位置に、対向状態の両側壁部の長手方向に相互にずれた位置でいずれか一方の側壁部と交互に一体となるように複数の棚部が突設され、これら棚部の上面に、該棚部内を経由して立ち上げられた前記内部端子部の先端部が露出され、前記蓋体は導電性材料からなり、前記シールド板部に電気的接続状態とされていることを特徴とする。
この半導体装置は、各半導体チップのそれぞれに対しては棚部が片側にのみ配置されることになるから、その上に配置される内部端子部の片側配置による小型化を損なうことがないとともに、この棚部を両側壁部の一方と交互に一体となるように配置したことから、その上に露出される内部端子部が棚部毎に振り分けられることになり、内部端子部のすべてを片側一列に配置する場合に比べて、これら内部端子部が密集して配置されることが防止される。また、この棚部と該棚部に対向している側壁部との間の空間にそれぞれ半導体チップを収納しており、モールド樹脂体上のスペースを無駄なく利用することができる。
さらに、内部端子部から実装用外部端子部への連結部分も、当該内部端子部が設けられている同じ棚部側に配置し得て、リードフレームの引き回し構造をも簡素化することができ、半導体チップの下方に配置されるシールド板部を分断させることなく広い面積で配置することが可能になる。また、内部端子部をいわゆるアップセットして配置していることから、内部端子部とシールド板部との隙間を小さくすることが可能であり、その分でもシールド板部を広く確保することができる。
さらに、内部端子部が相互に対向するモールド樹脂体の両側壁部側に振り分けられるため、各内部端子部にそれぞれ連結される外部端子部も、内部端子部と外部端子部との引き回し構造を簡素化して、容易に両側壁部側に振り分けて配置することが可能となる。
また、モールド樹脂体の両側壁部側に振り分けられた内部端子部の先端部をアップセットしていることから、両側壁部側に振り分けられて対向する外部端子部間の隙間を小さくすることが可能となり、結果として、半導体装置の小型化を図ることができる。
この場合、前記シールド板部は、前記モールド樹脂体の底壁部に、前記半導体チップの配列方向に延びて配置されている構成とするとよい。
前述したように、内部端子部から実装用端子部へは、該内部端子部が設けられている棚部側で連結状態とすることが可能であるから、各半導体チップの配列方向に延びるシールド板部を分断するようなことがなく、シールド効果を高めることができる。
また、本発明の半導体装置において、前記複数の半導体チップは、振動板を有するマイクロフォンチップとその制御回路チップとからなるとともに、前記蓋体又はモールド樹脂体に、これらにより囲まれた状態の内部空間を外部に連通させる音響孔が形成され、前記マイクロフォンチップと制御回路チップとの側方にそれぞれ配置される前記棚部は、前記モールド樹脂体の両側壁部における異なる側壁部に一体となるようにそれぞれ設けられていることを特徴とする。
この半導体装置はシリコンマイクであり、小型化、リードフレームの簡素化、シールド性の向上等を図ることができ、携帯電話等に用いて好適である。
この半導体装置の製造方法としては、前記リードフレームを射出成形金型のキャビティ内に配置して前記モールド樹脂体を成形する際に、前記外部端子部を一方の金型の内面に接触させた状態とし、その接触状態で前記内部端子部の先端部を他方の金型の内面で押さえて前記内部端子部を弾性変形させながら型締めした後、前記キャビティ内に樹脂を射出して前記モールド樹脂体を成形することを特徴とする。
つまり、射出成形金型の一方の金型にリードフレームの外部端子部を接触させ、他方の金型に内部端子部の先端部を接触させた状態として型締めすることにより、弾性変形させられる内部端子部の先端部は金型の内面に押圧した状態となる。この状態で樹脂を射出すると、内部端子部の先端部は金型の内面に押圧されているので、その隙間に樹脂が侵入することが少なく、バリ等を生じることなく確実に内部端子部の先端部をモールド樹脂体から露出させることができる。
また、本発明のモールド樹脂体は、リードフレームを少なくとも一部埋設するとともに、複数の半導体チップを並べて搭載する矩形の底壁部と、該底壁部の周縁部から立設した周壁部とを備え、前記リードフレームは、前記底壁部内に埋設されるシールド板部と、前記半導体チップに電気接続される内部端子部と、これらシールド板部又は内部端子部のいずれかに接続状態で前記底壁部の裏面に露出する複数の実装用外部端子部とを備え、前記周壁部の内側で前記半導体チップのそれぞれの一側方位置に、対向状態の両側壁部の長手方向に相互にずれた位置でいずれか一方の側壁部と交互に一体となるように複数の棚部が突設され、これら棚部の上面に、該棚部内を経由して立ち上げられた前記内部端子部の先端部が露出されていることを特徴とする。
また、本発明のプリモールドパッケージは、前記モールド樹脂体と、前記周壁部の上端面に固着され半導体チップの上方を覆う蓋体とを備え、該蓋体は導電性材料からなり、前記シールド板部に電気的接続状態とされていることを特徴とする。
そして、本発明のマイクロフォンパッケージは、前記プリモールドパッケージを用いたマイクロフォンパッケージであって、前記モールド樹脂体又は前記蓋体に、これらにより囲まれた状態の内部空間を外部に連通させる音響孔が形成され、前記内部空間に前記半導体チップをなすマイクロフォンチップが配されていることを特徴とする。
特に、音響孔がモールド樹脂体に設けられている場合には、このマイクロフォンパッケージを実装する場合の高さを抑えることができる。
本発明の半導体装置によれば、棚部を片側ずつに交互に配置したことにより、小型化を図りつつ内部端子部が密集配置となるのを防止し、また、リードフレームの引き回し構造も簡素化することができる。したがって、シールド板部を分断させることなく広い面積で設置することができ、内部端子部のアップセット構造によるシールド板部の面積増加と合わせて、優れたシールド性を発揮することが可能である。
以下、本発明の半導体装置の実施形態について、図面に基づいて説明する。
図1から図11は本発明の第1の実施形態を示している。この実施形態の半導体装置1は、マイクロフォンパッケージであり、半導体チップとしてマイクロフォンチップ2と制御回路チップ3との二つのチップが設けられている。
この半導体装置1のプリモールドパッケージ4は、図4及び図5に示すように、リードフレーム5と、このリードフレーム5に一体成形された箱型のモールド樹脂体6と、このモールド樹脂体6の上方を閉塞する蓋体7とを備える構成とされている。
リードフレーム5は、金属帯板に、図7に示す単位を1個のものとして1列で又は複数列並んでプレス加工により連続して形成されるものである。この明細書中では、図7に示す1個単位のものをリードフレームと称しており、以下では図7の上下方向を縦方向、左右方向を横方向というものとする。このリードフレーム5は、縦方向の両端部に設けられている外枠部10と、縦方向の中間部の二箇所に設けられている内枠部11とによって隣接するリードフレームとの間が接続状態とされている。
また、リードフレーム5の横方向の中央部には、全体として縦方向に延びるシールド板部12が形成されており、このシールド板部12は、縦方向に延びる幹部16に対して横方向に突出する張り出し部17A〜17Fが複数個所に設けられるとともに、その張り出し部17A〜17Fの一つ17Aに実装用の外部端子部18、具体的には接地用の外部端子部18が形成され、この外部端子部18に接続状態に内部端子部19が一体に形成された構成とされている。なお、幹部16の両端部は、外枠部10に連結され、後述するように切断されることによって外方に向けた突出片20が形成される。
また、このシールド板部12の各張り出し部17A〜17Fの間に、相互に接続状態とされた内部端子部21と実装用の外部端子部22との組み合わせになるものが、前記接地用の外部端子部18が設けられている側に1組、シールド板部12を介して反対側に2組配設され、それぞれ内枠部11に連結されている。つまり、接地用も含めて外部端子部18,22と内部端子部19,21との組み合わせが、シールド板部12の左右に2組ずつ、合計4組配置されており、それぞれ内枠部11に連結されている。
この場合、各外部端子部18,22は、他の部分よりも肉厚とされて裏側に突出して形成されており、この実施形態では、リードフレーム5の他の部分を裏側からハーフエッチングすることにより、各外部端子部18,22を突出形成している。図8は、図7に示すリードフレーム5の裏面を示しており、この図8においてハッチングした領域がハーフエッチングされる。
また、シールド板部12の左右に配置された複数の外部端子部18,22は、互いに隙間を有して対向状態に配置されている。図示例では、シールド板部12の一方側の外部端子部18が他方側の外部端子部22に対向して配置され、シールド板部12の一方側の外部端子部22が他方側の外部端子部22に対向して配置されている(図6及び図8参照)。
図7の一点鎖線は内部端子部19,21に対する折り曲げ線を示している。各内部端子部19,21は、その折り曲げ線に沿って途中の二箇所で折り曲げられることにより、図1に示すようにクランク状に形成されており、その先端部19a,21aがシールド板部12と平行に配置されている。この場合、内部端子部19,21の高さはプリモールドパッケージ4の高さの半分程度とされている。また、各内部端子部19,21の先端部19a,21aの表面とリードフレーム5の反対側の外部端子部18,22の表面との間の高さ寸法hが、このリードフレーム5の単体の状態においては、棚部35A,35Bの高さ寸法Hよりも若干大きく設定されている(図5及び図10参照)。
このように構成されるリードフレーム5にモールド樹脂体6が一体に成形されている。このモールド樹脂体6は、図4及び図5に示すように、マイクロフォンチップ2と制御回路チップ3とを並べることができる長さの矩形板状に形成された底壁部31と、この底壁部31の周縁部から立設した角筒形の周壁部32とを備える箱型に形成されている。
底壁部31は、その裏面に、リードフレーム5における外部端子部18,22の表面を露出させた状態で、シールド板部12及び内部端子部19,21の基端部等を埋設している。周壁部32は、底壁部31の外形よりもわずかに小さい外形の角筒形に形成され、底壁部31の周縁部よりも内側にほぼ垂直に立ち上げられていることにより、この周壁部32の外側に底壁部31の周縁部31aがわずかに突出させられている。そして、この底壁部31の周縁部31aの上面から外周面にかけて前記シールド板部12の両突出片20が露出している。
また、このモールド樹脂体6には、その周壁部32において対向状態の各側壁部33A,33Bに、その内面から底壁部31の上面にかけて棚部35A,35Bが一体に形成されている。これら棚部35A,35Bは、側壁部33A,33Bの長手方向寸法の半分程度の長さに形成され、側壁部33A,33Bの長手方向に相互にずれた位置でいずれかの側壁部33A,33Bと交互に一体となるように配置されている。つまり、二つの棚部35A,35Bが、底壁部31の中心位置を中心としてほぼ点対称位置の二箇所に、両側壁部33A,33Bで互い違いとなるように配置されている。図2及び図3に示す例では、一方の棚部35Aの方が他方の棚部35Bよりも若干長く形成されている。
また、これら棚部35A,35Bは、周壁部32の高さのほぼ半分程度の高さに設定されており、その上面に内部端子部19,21の先端部19a,21aが露出している。これら内部端子部19,21は、前述したようにシールド板部12の左右に2本ずつ配置されており、図示例では、シールド板部12の一方側に内部端子部19と内部端子部21が1本ずつ、他方側に内部端子部21が2本配置されており、一方の棚部35A(図2及び図3の例では右側の棚部)に、内部端子部19の先端部19aと内部端子部21の先端部21aとが一つずつ露出され、他方の棚部35B(図2及び図3の例では左側の棚部)には、内部端子部21の先端部21aが二つ露出している。
そして、これら棚部35A,35Bの側方空間における底壁部31の上面にマイクロフォンチップ2と制御回路チップ3との半導体チップがダイボンドによってそれぞれ固着されており、これら半導体チップ2,3間、及び制御回路チップ3と両棚部35A,35B上の内部端子部19,21との間がボンディングワイヤ36によって接続されている。マイクロフォンチップ2は、音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム電極と固定電極とが対向配置され、ダイヤフラム電極の振動に伴う静電容量変化を検出するものである。また、制御回路チップ3は、マイクロフォンチップ2への電源の供給回路、マイクロフォンチップ2からの出力信号の増幅器等を備える構成とされている。
前記蓋体7は、銅材等の導電性金属材料により、周壁部32の上端面32aの外形と同じ長方形状の天板部37に、周壁部32の外側に配置される側板部38A,38Bが折り曲げ形成された構成とされ、その天板部37に、モールド樹脂体6に被せたときに内部空間39に連通する音響孔40が貫通状態に形成されている。
そして、周壁部32の上端面32aに接着材41を介して接着されることにより、この周壁部32に囲まれた空間39を天板部37によって覆うとともに、側板部38A,38Bが周壁部32の外側に配置された状態に固定され、天板部37の音響孔40によって内部空間39を外部に連通させた状態としている。この場合、各側板部38A,38Bは、周壁部32から突出している底壁部31の周縁部31a上に当接するが、これら側板部38A,38Bが天板部37の各辺の中央部に配置されていることにより、底壁部31の周縁部31aに露出しているリードフレーム5のうち、シールド板部12の両端部の突出片20に接触した状態とされる。
なお、図9に示すように、リードフレーム5における前記外枠部10及び内枠部11は、モールド樹脂体6の周縁において切断されている。
次に、このように構成される半導体装置1の製造方法について説明する。
まず、リードフレームとなる金属帯板にプレス加工によって打ち抜き、各外部端子部18,22となる部分をマスキングしてハーフエッチングすることにより、これら外部端子部18,22を形成し、その後、曲げ加工等を施すことにより、外枠部10及び内枠部11により連結されたリードフレーム5を形成する。
このとき、前述したように、各内部端子部19,21の先端部19a,21aの高さ寸法hが、棚部35A,35Bの高さ寸法Hよりも若干大きくなるように設定しておく。
次いで、図10,11に示すように、このリードフレーム5を射出成形金型51のキャビティ52内に配置する。この射出成形金型51は、相対的に接近離間させられる一組の金型53,54を有しており、リードフレーム5の外枠部10及び内枠部11を両金型53,54の間に挟んだ状態とすると共に内枠部11の間の内部端子部19,21やシールド板部12等の成形部分をキャビティ52内に配置して、このリードフレーム5を埋設するように樹脂を射出成形してモールド樹脂体6を成形するものである。なお、金型54の内面には、棚部35A,35Bを形成するための凹部55が形成されており、この凹部55の天面(棚部35A,35Bの上面となる金型内面)に内部端子部19,21の先端部19a,21aの表面に接触させるようになっている。
この射出成形金型51を図10に示すように開いた状態として、その一方の金型53上にリードフレーム5を配置すると、リードフレーム5の裏側の外部端子部18,22はシールド板部12の他の部分の表面よりも突出して形成されていることから、これら外部端子部18,22の表面が一方の金型53の内面に接触した状態となる。この状態から他方の金型54を接近させていくと、各内部端子部19,21の先端部19a,21aの表面とリードフレーム5の反対側の外部端子部18,22の表面との間の高さ寸法hが、棚部35A,35Bの高さ寸法Hよりも若干大きく設定されていることから、まず、各内部端子部19,21の先端部19a,21aが他方の金型54の内面に接触し、これを押さえながら型締めすることになる。
これら内部端子部19,21は、金型54によってその先端部19a,21aが押されると、図10の鎖線で示すように弾性変形させられる。そして、図11に示す型締め状態となると、弾性変形した内部端子部19,21の復元力によって先端部19a,21aの表面が金型54の内面に押圧した状態となる。併せて、外部端子部18,22の表面も内部端子部19,21の復元力が作用して、金型53の内面に押圧した状態となる。
この型締め状態でキャビティ52内に樹脂を射出してモールド樹脂体6を形成するのであるが、金型53,54内面に接触している内部端子部19,21の先端部19a,21a及び外部端子部18,22が、内部端子部19,21の復元力によってそれぞれ金型53,54に押圧状態とされていることから、溶融樹脂の射出圧力によってリードフレーム5が金型53,54内で動くことがないとともに、内部端子部19,21の先端部19a,21a表面と金型53内面との間、及び、外部端子部18,22表面と金型54内面との間にそれぞれ溶融樹脂が流れ込むことがない。
したがって、モールド樹脂体6の中にリードフレーム5の大部分が埋設状態とされるとともに、モールド樹脂体6の棚部35A,35B上面に内部端子部19,21の先端部19a,21aが、またモールド樹脂体6の底壁部31の裏面に各外部端子部18,22がそれぞれ確実に露出した状態とされる。
そして、このようにして成形したモールド樹脂体6の底壁部31の上に半導体チップ2,3をダイボンドにより固着し、棚部35A,35B上面の内部端子部19,21とワイヤボンディングして接続状態とした後、周壁部32の上端面32aに接着剤41を塗布しておき、別に製作しておいた蓋体7を被せて接着すると、この蓋体7の側板部38A,38Bがモールド樹脂体6の周壁部32の外側に配置され、そのうちの二つの側板部38Aの先端が図9に示すようにモールド樹脂体6の底壁部31の周縁部31aに露出しているシールド板部12に連結状態の外枠部10に接触させられた状態となる。
この蓋体7を取り付けた状態では、プリモールドパッケージ4はリードフレーム5の外枠部10及び内枠部11に接続された状態とされており、最後に、この外枠部10及び内枠部11をモールド樹脂体6の周縁から切断することにより、半導体装置1として完成する。この外枠部10及び内枠部11を切断すると、図9に示すように、内枠部11の切断端部がモールド樹脂体6に露出するとともに、外枠部10の切断後に残る突出片20が蓋体7に接触した状態となる。
このように構成した半導体装置1は、そのプリモールドパッケージ4の裏面に図6に示すように4個の外部端子部18,22が露出され、これら外部端子部18,22を基板(図示略)にはんだ付けすることにより実装される。この実装状態において、モールド樹脂体6の底壁部31を半導体チップ2,3の配列方向に沿って縦断するように埋設されているシールド板部12が、半導体チップ2,3の下方に配置され、このシールド板部12の両端部をなす突出片20に蓋体7の側板部38Aが接触状態とされ、その蓋体7が半導体チップ2,3の上方を覆っているので、半導体チップ2,3はその周囲をシールド板部12や蓋体7等によって囲まれた状態となり、このシールド板部12に接続状態の外部端子部18を接地状態とすることにより、半導体チップ2,3を外部磁界からシールドすることができる。
また、この半導体装置1は、内部端子部19,21が左右の両棚部35A,35Bに振り分けられているので、これらすべてを片側一箇所に集める場合に比べて、内部端子部19,21の密集配置が防止され、適度に分散されることにより、内部端子部19,21の配置スペースに余裕が生じる。また、マイクロフォンチップ2と制御回路チップ3とがそれぞれの側方の棚部35A,35Bと反対側の側壁部33A,33Bとの間の空間に収納されており、スペースに無駄のない配置となっている。
また、両棚部35A,35Bに内部端子部19,21を振り分けたことにより、図7に示すように、右側の内部端子部19,21は右側の外部端子部18,22に、一方、左側の内部端子部21は左側の外部端子部22にそれぞれ連結状態となり、リードフレーム5を横断して連結状態とする必要がない。したがって、縦方向に延びるシールド板部12が底壁部31の全長にわたって分断されることなく配置され、広い面積を確保することができる。また、内部端子部19,21がいわゆるアップセットして配置されていることから、同一平面上に配置する場合に比べて、内部端子部19,21とシールド板部12との隙間を小さく設定することができ、その分でもシールド板部12の面積を広く確保することが可能であり、シールド性を高めることができる。
また、内部端子部19,21が相互に対向するモールド樹脂体6の両側壁部33A,33B側に振り分けられるため、各内部端子部19,21にそれぞれ連結される外部端子部18,22も、内部端子部19,21と外部端子部18,22との引き回し構造を簡素化して、容易に両側壁部33A,33B側に振り分けて配置することが可能となる。
また、モールド樹脂体6の両側壁部33A,33B側に振り分けられた内部端子部19,21の先端部19a,21aをアップセットしていることから、両側壁部33A,33B側に振り分けられて対向する外部端子部18,22間の隙間を小さくすることが可能となり、結果として、半導体装置1やこれを構成するプリモールドパッケージ4、モールド樹脂体6の小型化を図ることができる。
なお、棚部35A,35B上の内部端子部19,21と半導体チップ2,3との間がボンディングワイヤ36によって接続されるが、そのワイヤ36の各端部が接続される棚部35A,35Bの上面と半導体チップ2,3の上面とをほぼ同じ高さに設定することができ、内部端子部19,21が分散される効果と相まって、ボンディング作業性が良い。
また、図12から図19は本発明の第2の実施形態を示している。この実施形態において、第1の実施形態と共通の構成要素には同一の符号を付して説明を簡略化する。
この実施形態における半導体装置61もマイクロフォンチップパッケージであるが、前記第1の実施形態のプリモールドパッケージにおいては音響孔38が蓋体7に形成されていたのに対して、この実施形態のプリモールドパッケージ62では、図17に示すように蓋体63は孔のない天板部37に側板部38A(38B)(図17には側板部38Bは不図示)が折り曲げ加工された構成とされ、モールド樹脂体64に、内部に埋設されているリードフレーム65を貫通するように音響孔66が設けられている構成である。
すなわち、リードフレーム65は、図12及び図13に示すように、シールド板部12の縦方向の端部に配されて幹部16から互いに逆向きに突出する2つの張り出し部17A,17Bが、比較的大きな面積に形成されて相互に連結状態とされた平板部67とされており、この平板部67の幅方向の中央部に貫通孔68が形成されている。この場合、このリードフレーム65の裏面の外部端子部18,22は、前記第1の実施形態の場合と同様、他の部分をハーフエッチングすることによって形成されるが、このときに、貫通孔68の周辺部にも、該貫通孔68の周縁からわずかな間隔をおいて複数の突起部69が貫通孔68を囲むように形成される。図14においてハッチングした領域がハーフエッチングされる領域を示している。
そして、図15から図17に示すように、このリードフレーム65にはモールド樹脂体64が一体に成形されており、このモールド樹脂体64の底壁部31に前記音響孔66が貫通状態に形成されている。この音響孔66は、モールド樹脂体64の底壁部31に埋設されているリードフレーム65の貫通孔68よりも小径に形成されるとともに、この貫通孔68と同心上に配置されており、この貫通孔68の内側に樹脂が筒状に形成され、その筒状の樹脂部分は、底壁部31の上面に突出していることにより、音響孔66を内部空間39に向けて延長する筒状突起部71とされている。
このように構成されたプリモールドパッケージ62を製造する場合、金属帯板にプレス加工、ハーフエッチング加工等を施すことにより、図12に示すようなリードフレーム65を形成する。この場合も前記第1の実施形態の場合と同様、各内部端子部19,21の先端部19a,21aの表面と外部端子部18,22の表面との間の高さ寸法hが、このリードフレーム5の単体の状態においては、棚部35A,35Bの高さ寸法Hよりも若干大きくなるように設定しておく(図5及び図10参照)。
次いで、図18及び図19に示すように、このリードフレーム65を射出成形金型72のキャビティ73内に配置する。この射出成形金型72は、一組の金型74,75の一方にピン76が突出状態に設けられるとともに、他方に、型締め時にピン76の先端部を挿入する穴77と、この穴77より若干大径の座ぐり部78とが同心上に形成され、ピン76を穴77に挿入状態としたときにピン76の回りで座ぐり部78が筒状の空所を形成するようになっている。なお、図示はしていないが、他方の金型75の内面には、前記第1の実施形態と同様に、棚部35A,35Bを形成するための凹部55(図10及び図11参照)が形成されている。
そして、このピン76をリードフレーム65の貫通孔68内に配置した状態として両金型74,75を閉じると、ピン76がキャビティ73内を貫通するように配置されることになり、そのピン76の部分が音響孔66になるものである。また、この型締め状態においては、リードフレーム65の貫通孔68の周囲の突起部69が金型74の内面に接触することから、前記第1の実施形態において説明した外部端子部18,22と同様に、他方の金型75により内部端子部19,21の先端部19a,21a(図18,19では不図示)が押さえられて弾性変形することで、弾性変形した内部端子部19,21の復元力によって突起部69の表面が金型74の内面に押圧した状態となる。
そして、この型締め状態でキャビティ73内に樹脂を射出することによりモールド樹脂体64が形成され、その底壁部31上に半導体チップ2,3をダイボンドにより固着し、ワイヤボンディング後、周壁部32の上端面32aに蓋体63を固着する。この場合、音響孔66の周囲に形成されている筒状突起部71は、ダイボンド時の接着剤をせき止め、音響孔66内に流れ込むことを防止することができる。
この実施形態のように音響孔66をモールド樹脂体64に設けたことにより、この半導体装置61を基板に実装して携帯電話機等に内蔵する場合に、その実装状態の高さを抑えることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の具体的構成については、この実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、前記実施形態では、外部端子部18,22をモールド樹脂体6の裏面に露出させた表面実装型としたが、モールド樹脂体の側方に外部端子部を突出させる構成としてもよい。
また、前記外部端子部は、前記実施形態では4端子の構成とし、例えば電源用、出力用、ゲイン用、接地用にそれぞれ供されるようにしたが、少なくとも電源用、出力用、接地用の端子部があればよい。その場合、接地用外部端子部を2個設けるようにしてもよい。また、内部に格納される半導体チップによっては端子数が実施形態のものより増えることもある。
さらに、前記実施形態では半導体装置としてマイクロフォンパッケージに適用した例を示したが、中空のプリモールドパッケージに半導体チップを収納するタイプの他の半導体装置にも適用することができ、例えば、圧力センサ、加速度センサ、磁気センサ、流量センサ、風圧センサ等に適用することが可能である。この場合、前記実施形態のマイクロフォンパッケージにおいては、音響孔のような内部空間と外部とを連通させる連通孔が必要であったが、センサの種類によっては連通孔が不要になる場合や、流量センサのように二つの連通孔が必要になる場合がある。また、モールド樹脂体に搭載する半導体チップは必ずしも2個に限らない。
本発明の第1の実施形態の半導体装置においてモールド樹脂体に埋設されているリードフレームの一部を省略した斜視図である。 リードフレームに一体化されているモールド樹脂体の平面図である。 図2に示す状態から半導体チップを搭載した状態を示す平面図である。 蓋体を固着した組み立て状態における縦断面図であり、図3のA−A線に沿う部分に相当する。 図4の組み立て状態における横断面図であり、図3のB−B線に沿う部分に相当する。 図4の組み立て状態における裏面図である。 リードフレームを展開した平面図である。 図7に示す展開したリードフレームの裏面図である。 蓋体を固着した組み立て状態の全体斜視図である。 プレス加工されたリードフレームを射出成形金型の一方の金型に設置した状態を示す断面図である。 図10に示す状態から型締めした状態を示す断面図である。 本発明の第2の実施形態の半導体装置においてモールド樹脂体に埋設されているリードフレームの一部を省略した斜視図である。 図12のリードフレームを展開した平面図である。 図13に示す展開したリードフレームの裏面図である。 リードフレームに一体化されているモールド樹脂体に半導体チップを搭載した状態を示す平面図である。 図15に示すプリモールドパッケージの裏面図である。 蓋体を固着した組み立て状態のプリモールドパッケージの縦断面図であり、図16のC−C線に沿う部分に相当する。 プレス加工されたリードフレームを射出成形金型を構成する一対の金型の間に設置した状態を示す断面図である。 図18に示す状態から型締めした状態を示す断面図である。
符号の説明
1 半導体装置(マイクロフォンパッケージ)
2 マイクロフォンチップ(半導体チップ)
3 回路チップ(半導体チップ)
4 プリモールドパッケージ
5 リードフレーム
6 モールド樹脂体
7 蓋体
10 外枠部
11 内枠部
12 シールド板部
18 外部端子部
19 内部端子部
20 突出片
21 内部端子部
22 外部端子部
31 底壁部
31a 周縁部
32 周壁部
33A,33B 側壁部
35A,35B 棚部
36 ボンディングワイヤ
39 内部空間
40 音響孔
41 接着材
51 射出成形金型
52 キャビティ
53,54 金型
61 半導体装置(マイクロフォンパッケージ)
62 プリモールドパッケージ
63 蓋体
64 モールド樹脂体
65 リードフレーム
66 音響孔
68 貫通孔
69 突起部
71 筒状突起部
72 射出成形金型
73 キャビティ
74,75 金型

Claims (7)

  1. リードフレームの少なくとも一部を埋設した状態のモールド樹脂体が、複数の半導体チップを並べて搭載する矩形の底壁部と、該底壁部の周縁部から立設した角筒形の周壁部とを備える箱型に形成され、前記周壁部の上端面に半導体チップの上方を覆う蓋体が固着されてなる半導体装置において、
    前記リードフレームに、前記底壁部内に埋設されて前記半導体チップの下方に配置されるシールド板部と、前記半導体チップに接続される内部端子部と、これらシールド板部又は内部端子部のいずれかに接続状態で前記モールド樹脂体から露出する複数の実装用外部端子部とを備え、
    前記モールド樹脂体の周壁部の内側で前記半導体チップのそれぞれの一側方位置に、対向状態の両側壁部の長手方向に相互にずれた位置でいずれか一方の側壁部と交互に一体となるように複数の棚部が突設され、これら棚部の上面に、該棚部内を経由して立ち上げられた前記内部端子部の先端部が露出され、
    前記蓋体は導電性材料からなり、前記シールド板部に電気的接続状態とされていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記シールド板部は、前記モールド樹脂体の底壁部に、前記半導体チップの配列方向に延びて配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記複数の半導体チップは、振動板を有するマイクロフォンチップとその制御回路チップとからなるとともに、前記蓋体又はモールド樹脂体に、これらにより囲まれた状態の内部空間を外部に連通させる音響孔が形成され、前記マイクロフォンチップと制御回路チップとの側方にそれぞれ配置される前記棚部は、前記モールド樹脂体の両側壁部における異なる側壁部に一体となるようにそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
  4. 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記リードフレームを射出成形金型のキャビティ内に配置して前記モールド樹脂体を成形する際に、前記外部端子部を一方の金型の内面に接触させた状態とし、その接触状態で前記内部端子部の先端部を他方の金型の内面で押さえて前記内部端子部を弾性変形させながら型締めした後、前記キャビティ内に樹脂を射出して前記モールド樹脂体を成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. リードフレームを少なくとも一部埋設するとともに、複数の半導体チップを並べて搭載する矩形の底壁部と、該底壁部の周縁部から立設した周壁部とを備え、
    前記リードフレームは、前記底壁部内に埋設されるシールド板部と、前記半導体チップに電気接続される内部端子部と、これらシールド板部又は内部端子部のいずれかに接続状態で前記底壁部の裏面に露出する複数の実装用外部端子部とを備え、
    前記周壁部の内側で前記半導体チップのそれぞれの一側方位置に、対向状態の両側壁部の長手方向に相互にずれた位置でいずれか一方の側壁部と交互に一体となるように複数の棚部が突設され、これら棚部の上面に、該棚部内を経由して立ち上げられた前記内部端子部の先端部が露出されていることを特徴とするモールド樹脂体。
  6. 請求項5に記載のモールド樹脂体と、前記周壁部の上端面に固着され半導体チップの上方を覆う蓋体とを備え、
    該蓋体は導電性材料からなり、前記シールド板部に電気的接続状態とされていることを特徴とするプリモールドパッケージ。
  7. 請求項6に記載のプリモールドパッケージを用いたマイクロフォンパッケージであって、
    前記モールド樹脂体又は前記蓋体に、これらにより囲まれた状態の内部空間を外部に連通させる音響孔が形成され、
    前記内部空間に前記半導体チップをなすマイクロフォンチップが配されていることを特徴とするマイクロフォンパッケージ。
JP2007228361A 2007-07-31 2007-09-03 半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ Pending JP2009060055A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007228361A JP2009060055A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ
TW097128714A TW200913178A (en) 2007-07-31 2008-07-29 Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor
CN200810144129.4A CN101359645B (zh) 2007-07-31 2008-07-29 半导体装置、预模制封装结构及其制造方法
US12/220,867 US20090072334A1 (en) 2007-07-31 2008-07-29 Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor
KR1020080073837A KR20090013067A (ko) 2007-07-31 2008-07-29 반도체 장치, 예비 주형 패키지, 및 그의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007228361A JP2009060055A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009060055A true JP2009060055A (ja) 2009-03-19

Family

ID=40555490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007228361A Pending JP2009060055A (ja) 2007-07-31 2007-09-03 半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009060055A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011018973A1 (ja) * 2009-08-11 2011-02-17 アルプス電気株式会社 Memsセンサパッケージ
ITTO20130651A1 (it) * 2013-07-31 2015-02-01 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo incapsulato, in particolare un sensore micro-elettro-meccanico incapsulato, dotato di una struttura accessibile, quale un microfono mems e dispositivo incapsulato cosi' ottenuto

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011018973A1 (ja) * 2009-08-11 2011-02-17 アルプス電気株式会社 Memsセンサパッケージ
ITTO20130651A1 (it) * 2013-07-31 2015-02-01 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo incapsulato, in particolare un sensore micro-elettro-meccanico incapsulato, dotato di una struttura accessibile, quale un microfono mems e dispositivo incapsulato cosi' ottenuto
US9708174B2 (en) 2013-07-31 2017-07-18 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing a packaged device, in particular a packaged micro-electro-mechanical sensor, having an accessible structure, such as a MEMS microphone and packaged device obtained thereby
US10294096B2 (en) 2013-07-31 2019-05-21 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing a packaged device, in particular a packaged micro-electro-mechanical sensor, having an accessible structure, such as a mems microphone and packaged device obtained thereby

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7550828B2 (en) Leadframe package for MEMS microphone assembly
JP2009246116A (ja) リードフレーム及びパッケージ本体、パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
KR101046465B1 (ko) 반도체 장치의 리드 프레임 및 패키지
US8705776B2 (en) Microphone package and method for manufacturing same
US8385569B2 (en) Acoustic transducer unit
US20090072334A1 (en) Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor
JP4777406B2 (ja) Memsマイクロホンパッケージ
KR101320573B1 (ko) 멤스 마이크로폰
US20070040231A1 (en) Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
JP2009038077A (ja) プリモールドパッケージ型半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ
US20080150104A1 (en) Leadframe with different topologies for mems package
JP4779614B2 (ja) 半導体装置
JP2009118468A (ja) Pcbに音孔が形成されたmemsマイクロホンパッケージ
US8999757B2 (en) Top port MEMS cavity package and method of manufacture thereof
JP2010153519A (ja) 半導体装置用パッケージ本体及びその製造方法、半導体装置、マイクロフォンパッケージ
JP2010035070A (ja) マイクロフォンモジュール
JP2009060055A (ja) 半導体装置及びその製造方法、モールド樹脂体、プリモールドパッケージ、マイクロフォンチップパッケージ
JP2019016792A (ja) 収容されたic構成要素
JP2009289924A (ja) 半導体装置用パッケージ本体及びその製造方法、パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
CN102316393A (zh) 麦克风
JP2011124748A (ja) マイクロホンユニット
JP2010021519A (ja) リードフレーム用平フレーム部材、リードフレーム及びその製造方法、パッケージ本体、パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
JP2010040656A (ja) 半導体パッケージ、半導体装置及びその製造方法、並びにマイクロフォンパッケージ
JP2010040655A (ja) 半導体装置用パッケージ本体及びその製造方法、パッケージ、半導体装置並びにマイクロフォンパッケージ
JP2007199049A (ja) 半導体装置