JP2009058698A - 露光装置 - Google Patents

露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009058698A
JP2009058698A JP2007225015A JP2007225015A JP2009058698A JP 2009058698 A JP2009058698 A JP 2009058698A JP 2007225015 A JP2007225015 A JP 2007225015A JP 2007225015 A JP2007225015 A JP 2007225015A JP 2009058698 A JP2009058698 A JP 2009058698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
pattern
micromirror
micromirrors
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007225015A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5235062B2 (ja
Inventor
Koichi Kajiyama
康一 梶山
Daisuke Ishii
大助 石井
Michinobu Mizumura
通伸 水村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Priority to JP2007225015A priority Critical patent/JP5235062B2/ja
Publication of JP2009058698A publication Critical patent/JP2009058698A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5235062B2 publication Critical patent/JP5235062B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】マイクロミラーデバイスと撮像手段との組み立てを容易にする。
【解決手段】TFT基板6を搬送する搬送手段1と、複数のマイクロミラーをマトリクス状に配置したDMD15の各マイクロミラーを個別に傾動して光源14から入射する露光光をTFT基板6側に反射し、露光パターンを生成して露光する露光光学系2と、露光位置を撮像する撮像手段3と、各構成要素を制御する制御手段5と、を備え、制御手段5は、露光開始前に上記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーを傾動させて基準パターンを生成させ、撮像手段3で撮像された基準パターンの位置をメモリに記憶し、露光時に撮像手段3で撮像されたTFT基板6のアライメントマークの位置と、メモリに記憶された基準パターンの位置との間の搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、この位置ずれ量を補正するようにシフトさせた露光パターンを生成させるものである。
【選択図】図1

Description

本発明は、マイクロミラーデバイスにより露光パターンを生成し、所定方向に搬送される被露光体のアライメントマークを撮像手段で撮像し、該撮像されたアライメントマークに基づいて位置補正して露光する露光装置に関し、詳しくは、マイクロミラーデバイスと撮像手段との組み立てを容易にした露光装置に係るものである。
従来のこの種の露光装置は、複数のマイクロミラーが所定状態に配列され、入力する駆動制御信号に基づいて個々のマイクロミラーが傾動して光源からの露光光を反射し、該露光光に強度変調を与えて射出するマイクロミラーデバイスを有し、強度変調された露光光に基づいて所定の機能パターンの像を生成して被露光体上に露光する露光光学系と、被露光体の移動方向にて露光光学系による露光位置の手前側を撮像位置とし、被露光体に予め形成された基準となる機能パターンを撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像された上記基準となる機能パターンに予め設定された基準位置を検出し、該基準位置を基準にしてマイクロミラーデバイスの駆動を制御する制御手段と、を備えたものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
そして、このような構成により、搬送手段で被露光体を所定の速度で搬送し、撮像手段で被露光体上に予め形成された基準となる機能パターンを撮像し、制御手段で該撮像された基準となる機能パターンに設定された基準位置を検出し、マイクロミラーデバイスの個々のマイクロミラーを駆動制御信号に基づいて傾動させ、マイクロミラーデバイスで光源からの露光光に強度変調を与えて射出し、該強度変調された露光光に基づいて所定の機能パターンの像を生成し、上記基準となる機能パターンに設定された基準位置を基準にして上記機能パターンの像を被露光体上に露光するようになっていた。
特開2006−178056号公報
しかし、このような従来の露光装置においては、マイクロミラーデバイスと撮像手段とが予め所定の基準位置を基準にして正確に組み立てられていないと、被露光体の所定位置にマイクロミラーデバイスで生成した露光パターンを精度よく露光することができないおそれがあった。したがって、マイクロミラーデバイスと撮像手段との組み立てには高精度が要求され、上記組み立ては容易でなかった。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、マイクロミラーデバイスと撮像手段との組み立てを容易にした露光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による露光装置は、被露光体を載置して所定方向に搬送する搬送手段と、前記搬送手段の上方に配設され、複数のマイクロミラーをマトリクス状に配置したマイクロミラーデバイスの各マイクロミラーを個別に傾動して光源から入射する露光光を前記被露光体側に反射し、露光パターンを生成して前記被露光体上に露光する露光光学系と、前記露光光学系による露光位置又は該露光位置の前記被露光体の搬送方向手前側の位置を撮像する撮像手段と、前記各構成要素を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、露光開始前に前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーを傾動させて基準パターンを生成させ、前記撮像手段で撮像された前記基準パターンの位置をメモリに記憶し、露光時に前記撮像手段で撮像された前記被露光体のアライメントマークの位置と、前記メモリに記憶された前記基準パターンの位置との間の前記搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、前記複数のマイクロミラーの傾動を制御して前記位置ずれ量を補正するようにシフトさせた前記露光パターンを生成させるものである。
このような構成により、搬送手段で被露光体を載置して所定方向に搬送し、撮像手段で露光光学系による露光位置又は該露光位置の被露光体の搬送方向手前側の位置を撮像し、露光光学系でマトリクス状に配置された複数のマイクロミラーを個別に傾動して光源から入射する露光光を被露光体側に反射し、露光パターンを生成して被露光体上に露光する。この場合、制御手段で露光開始前に上記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーを傾動させて基準パターンを生成させ、撮像手段で撮像された基準パターンの位置をメモリに記憶し、露光時に撮像手段で撮像された被露光体のアライメントマークの位置と、上記メモリに記憶された基準パターンの位置との間の上記搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、上記複数のマイクロミラーの傾動を制御して位置ずれ量を補正するようにシフトさせた露光パターンを生成させる。
また、前記撮像手段は、前記露光光学系の露光位置を撮像するように前記露光光学系に対向して前記搬送手段側に設けられ、前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像するものである。これにより、露光光学系の露光位置を撮像するように前記露光光学系に対向して前記搬送手段側に設けられた撮像手段で、複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像する。
さらに、前記マイクロミラーデバイスの複数のマイクロミラーは、前記被露光体方向から入射する可視光を前記光源からの光の入射方向と異なる方向に反射するように傾動するように形成され、前記撮像手段は、前記複数のマイクロミラーによって前記被露光体方向から入射する可視光が反射される方向に配設され、前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像するものである。これにより、マイクロミラーデバイスの複数のマイクロミラーを被露光体方向から入射する可視光が光源からの光の入射方向と異なる方向に反射するように傾動し、上記可視光がマイクロミラーデバイスで反射さる方向に配設された撮像手段で上記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像する。
さらにまた、前記マイクロミラーデバイスは、前記被露光体の搬送方向と交差する方向を境界として搬送方向手前側のマイクロミラー群と搬送方向奥側のマイクロミラー群とに分割され、前記搬送方向手前側のマイクロミラー群のうちの所定のマイクロミラーを傾動して露光パターンを生成し、搬送方向奥側のマイクロミラー群のうちの少なくとも一列のマイクロミラーを傾動して前記被露光体方向からの可視光を前記撮像手段へ反射するものである。これにより、被露光体の搬送方向と交差する方向を境界として搬送方向手前側のマイクロミラー群のうちの所定のマイクロミラーを傾動して露光パターンを生成し、搬送方向奥側のマイクロミラー群のうちの少なくとも一列のマイクロミラーを傾動して被露光体方向からの可視光を撮像手段へ反射する。
そして、前記光源は、前記複数のマイクロミラーが傾動して前記露光パターンが生成されるのに同期して間欠的に発光するものである。これにより、複数のマイクロミラーが傾動して露光パターンが生成されるのに同期して光源を間欠的に発光させる。
請求項1に係る発明によれば、マイクロミラーデバイスの複数のマイクロミラーを傾動させて生成された基準パターンを撮像手段で撮像すると共に、同じ撮像手段で被露光体に形成されたアライメントマークを撮像して、上記基準パターンの位置とアライメントマークの位置との位置ずれを補正するようにシフトさせた露光パターンを生成するようにしているので、従来技術におけるようにマイクロミラーデバイスと撮像手段とを所定の基準位置を基準にして互いに正確に組立てる必要がない。したがって、露光位置精度を維持してマイクロミラーデバイスと撮像手段との組み立てを容易に行なうことができる。
また、請求項2に係る発明によれば、被露光体の下側から撮像するようにしているので、例えばTFT基板の配線パターンを露光する場合に、基板表面に不透明なアルミニウムの膜がコーティングされて基板面に形成されたアライメントマークが基板表面側から観察できないときにも、裏面側から透明なガラス基板から成るTFT基板を透してアライメントマークを観察することができる。したがって、露光パターンを所定値に正確に露光することができる。
さらに、請求項3及び4に係る発明によれば、マイクロミラーデバイスを介して撮像手段により被露光体表面を撮像するようにしているので、例えば撮像位置を調整する場合には、搬送方向と交差するマイクロミラー列のうち、被露光体方向から入射する可視光を撮像手段へ反射するように傾動される少なくとも一列分のマイクロミラー列を他のマイクロミラー列に切り換えるだけでよく、撮像位置の調整を容易に行なうことができる。したがって、撮像時を基準にした露光タイミングを適切に合わせて被露光体の所定位置に露光パターンを精度よく露光形成することができる。また、マイクロミラーデバイスと撮像手段との組み立てがより容易になる。
そして、請求項5に係る発明によれば、複数のマイクロミラーが傾動して露光パターンが生成された後に光源が発光するので、マイクロミラーの傾動中の露光が防止され、露光パターンの縁部の分解能を向上することができる。したがって、縁部が鮮明な露光パターンを露光形成することができる。これにより、被露光体の搬送速度を速くすることができ、露光工程の時間を短縮することができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による露光装置の第1の実施形態を示す概要図である。この露光装置は、マイクロミラーデバイスにより露光パターンを生成し、所定方向に搬送される被露光体のアライメントマークを撮像手段で撮像し、該撮像されたアライメントマークに基づいて位置補正して露光するもので、搬送手段1と、露光光学系2と、撮像手段3と、オートフォーカス手段4と、制御手段5とから成る。なお、以下の説明においては、被露光体が感光性樹脂を塗布したTFT(Thin Film Transistor)基板である場合について述べる。
ここで、上記TFT基板6は、図2に示すように、透明なガラス基板表面に液晶を駆動して画像を表示するアクティブ領域7と、該アクティブ領域7の周辺の非アクティブ領域8とを有し、上記アクティブ領域7内に、図3に示すように複数の画素電極9と、該複数の画素電極9に夫々電位を供給する複数の薄膜トランジスタ10とをマトリクス状に並べて形成している。さらに、この複数の薄膜トランジスタ10の各ゲートに電位を供給する複数のゲート線11を所定間隔で形成し、該ゲート線11に直交して上記複数の薄膜トランジスタ10のドレインにデータ信号を供給する複数のデータ線17を所定間隔で形成している。そして、ゲート線11と平行に位置する非アクティブ領域8には、不透明な例えばクロム(Cr)膜により矢印Aで示す搬送方向に平行な細線状のアライメントマーク12と、矢印Aで示す搬送方向に直交する細線状の露光開始点基準マーク13とを形成し、さらにTFT基板6面を覆って不透明なアルミニウムの薄膜をコーティングしている。なお、アライメントマーク12と露光開始点基準マーク13とは、図3に示すように十字状に形成されていても、又は夫々別々に離れて形成されていてもよい。以下の説明においては、アライメントマーク12と露光開始点基準マーク13とが十字状に形成されている場合について説明する。
上記搬送手段1は、載置面であるステージ上面に感光性樹脂を塗布したTFT基板6を載置して矢印A方向に搬送するものであり、図示省略の搬送用モータが後述の制御手段5により制御されてステージを移動するようになっている。また、上記搬送手段1には、図示省略の例えばエンコーダやリニアセンサー等の位置検出センサーや速度センサーが設けられており、その出力を制御手段5にフィードバックして位置検出及び速度制御を可能にしている。
上記搬送手段1の上方には、露光光学系2が設けられている。この露光光学系2は、マトリクス状に配置された複数のマイクロミラー46(図7(a)参照)を個別に傾動して光源14から入射する露光光LをTFT基板6側に反射し、露光パターンを生成してTFT基板6上に露光するものであり、光源14と、マイクロミラーデバイス15と、投影レンズ16とを備えている。そして、TFT基板6上に一定周期で形成された、例えば図3に示すゲート線11やデータ線17等の配線パターンとドライバICとを接続する周期性のない引出線パターン18を露光形成できるようになっている。
上記搬送手段1の上方には、光源14が設けられている。この光源14は、紫外線の露光光Lを放射するものであり、例えば所定の周期で間欠的に発光する例えば固体結晶のYAGレーザを使用したパルスレーザや、フラッシュランプである。そして、放射される露光光Lを反射ミラー19により反射して後述のマイクロミラーデバイス15を斜め下方から照射するようになっている。なお、常時点灯するキセノンランプや、レーザ光源を使用し、シャッターにより所定周期で光路を遮断してマイクロミラーデバイス15を間欠的に照射するようにしてもよい。
上記搬送手段1の上方にて上記光源14から放射される露光光Lの放射方向前方には、マイクロミラーデバイス15が配設されている。このマイクロミラーデバイス15は、光源14から入射する露光光LをTFT基板6方向に反射するように傾動されて二次元の露光パターンを生成する複数のマイクロミラー46を矢印Aで示すTFT基板6の搬送方向及び該搬送方向と直交する方向に沿ってマトリクス状に配置して備えたものである(図7(a)参照)。なお、マイクロミラー46が光源14から入射する露光光LをTFT基板6の方向に反射するように傾動している状態を以下「オン」状態といい、TFT基板6方向と異なる方向に反射するように傾動している状態を以下「オフ」状態という。
そして、上記マイクロミラーデバイス15には、例えば、表示用デバイスとして汎用のデジタルマイクロミラーデバイス(DMD:米国テキサス・インスツルメンツ社の商標)を使用することができる。以下、マイクロミラーデバイス15がDMDの場合について説明する。
上記搬送手段1とDMD15との間には、投影レンズ16が配設されている。この投影レンズ16は、DMD15で生成された露光パターンをTFT基板6上に投影するものであり、結像レンズ21と対物レンズ22とを組み合わせてテレセントリック光学系を構成している。なお、図1において、符号23は、光源14から放射された光の断面積を拡張してDMD15に均一に照射するビームエキスパンダである。
上記露光光学系2に対向して搬送手段1側には、撮像手段3が設けられている。この撮像手段3は、DMD15の複数のマイクロミラー46のうち所定のマイクロミラー46が傾動され、光源14から入射する露光光Lが例えばTFT基板6側と異なる方向に反射されて生成された黒い基準パターン47を撮像すると共に、TFT基板6に形成された例えば黒いアライメントマーク12及び露光開始点基準マーク13を撮像するものであり、図1に矢印Aで示すTFT基板6の搬送方向と直交する方向に複数の受光素子48を一直線状に並べて備え(図7(b)参照)、一次元画像を撮像する例えばラインカメラである。そして、図1に示すように、上記露光光学系2の露光位置Pを撮像するようになっている。なお、同図において、符号52は、照明手段であり、TFT基板6に形成されたアライメントマーク12等を照明して撮像手段3による撮像を可能にしている。
上記露光光学系2と一体的にオートフォーカス手段4が設けられている。このオートフォーカス手段4は、DMD15で生成された露光パターンがTFT基板6面に正しく結像するように、露光光学系2の高さを自動調整するものであり、図1に示すように、TFT基板6側からDMD15に向かう露光光学系2の光路がハーフミラー24で分岐された光路上に設けられたフォーカス点検出センサー25と、露光光学系2の側部に設けられたZ軸変位手段26とから成る。ここで、フォーカス点検出センサー25は、レーザ光源27とラインセンサー28とを備え、レーザ光源27からレーザ光を発射し、TFT基板6面におけるその反射光をラインセンサー28で受光するようになっている。そして、後述の制御手段5により、上記反射光のラインセンサー28上の受光位置が所定位置となるようにZ軸変位手段26を駆動して、露光光学系2をその光軸方向に変位させるようになっている。なお、図1において、符号29は、TFT基板6からの反射光をラインセンサー28上に集光する結像レンズである。フォーカス点検出センサー25は、上述のものに限られず、他の公知技術を適用してもよい。
上記搬送手段1、露光光学系2、撮像手段3、及びオートフォーカス手段4に結線して制御手段5が設けられている。この制御手段5は、各構成要素を制御するものであり、特に、露光開始前にDMD15の複数のマイクロミラー46のうち所定のマイクロミラー46を傾動させて基準パターン47を生成させ、撮像手段3で撮像された上記基準パターン47の位置をメモリに記憶し、露光時に撮像手段3で撮像されたTFT基板6のアライメントマーク12の位置と、上記メモリに記憶された上記基準パターン47の位置との間の矢印Aで示す搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、DMD15の複数のマイクロミラー46の傾動を制御して上記位置ずれ量を補正するようにシフトさせた露光パターンを生成させるようになっている。そして、図4に示すように、画像処理部30と、ビットマップデータ作成部31と、DMD駆動コントローラ32と、光源駆動コントローラ33と、搬送手段駆動コントローラ34と、オートフォーカスコントローラ35と、制御部36と、を備えている。
上記画像処理部30は、撮像手段3で撮像された画像を処理して、TFT基板6の搬送方向に直交する方向におけるDMD15の基準パターン47の位置とTFT基板6のアライメントマーク12の位置とを検出し、両者間の位置ずれ量を算出すると共に、TFT基板6に形成された露光開始点基準マーク13を検出するものであり、図5に示すように、バッファメモリ37と、アライメントマーク位置検出部38と、エッジメモリ39と、位置ずれ量算出部40と、露光開始点基準マーク検出部41と、基板移動距離計測部42と、露光開始点メモリ43と、比較回路44と、を備えて構成されている。
ここで、上記バッファメモリ37は、撮像手段3で撮像された一次元画像を一時的に保存するものである。また、上記バッファメモリ37に結線してアライメントマーク位置検出部38が設けられている。このアライメントマーク位置検出部38は、撮像手段3で撮像された一次元画像データに基づいてDMD15の基準パターン47のエッジ位置と、TFT基板6のアライメントマーク12のエッジ位置とを検出するものであり、撮像手段3で撮像された一次元画像を撮像手段3の受光素子48の並び方向にピクセル補間して上記一次元画像の輝度変化の急変位置を検出し、該急変位置をマークのエッジ部として抽出し、例えば明部(以下、「白」という)から暗部(以下、「黒」という)に変化するエッジ部を選択するようになっている。なお、黒から白に変化するエッジ部を選択してもよく、又は両エッジ部の中間位置を演算して求めてもよいが、ここでは、白から黒に変化するエッジ部を選択する場合について説明する。
また、上記アライメントマーク位置検出部38に結線してエッジメモリ39が設けられている。このエッジメモリ39は、撮像手段3で撮像されたDMD15の基準パターン47の位置(エッジ位置)を保存するものである。さらに、上記アライメントマーク位置検出部38とエッジメモリ39とに結線して位置ずれ量算出部40が設けられている。この位置ずれ量算出部40は、エッジメモリ39に保存されたDMD15の基準パターン47のエッジ位置を基準にしてアライメントマーク12のエッジ位置を減算処理して両エッジ部間の位置ずれ量を算出し、その位置ずれ量を後述のビットマップデータ作成部31に出力するものである。
また、上記バッファメモリ37に結線して露光開始点基準マーク検出部41が設けられている。この露光開始点基準マーク検出部41は、撮像手段3の一次元画像がバッファメモリ37に一時的に保存されて生成された二次元画像(図9(b)参照)を図1において矢印Aで示す搬送方向にピクセル補間して輝度変化の急変位置を検出し、該急変位置を露光開始点基準マーク13のエッジ部として抽出し、例えば白から黒に変化するエッジ部を選択するようになっている。なお、黒から白に変化するエッジ部を選択してもよく、又は両エッジ部の中間位置を演算して求めてもよいが、ここでは、白から黒に変化するエッジ部を選択する場合について説明する。
さらに、上記露光開始点基準マーク検出部41に結線して基板移動距離計測部42が設けられている。この基板移動距離計測部42は、搬送手段1の位置検出センサーから入力するステージの位置情報に基づいて、露光開始点基準マーク検出部41における露光開始点基準マーク13検出時からのTFT基板6の移動距離を計測するものである。
さらにまた、後述の比較回路44に結線して露光開始点メモリ43が設けられている。この露光開始点メモリ43は、図3に示すような露光開始点基準マーク13のエッジ部から所定の露光領域45A,45B,45C,…の中心位置までの設計値D,(D+D),(D+2D),…を予め保存するものである。そして、上記露光開始点メモリ43と基板移動距離計測部42とに結線して比較回路44が設けられている。この比較回路44は、露光開始点メモリ43に保存された値D,(D+D),(D+2D),…と、基板移動距離計測部42で計測された露光開始点基準マーク13検出時からのTFT基板6の移動距離とを比較し、両値が一致すると露光開始信号を後述の光源駆動コントローラ33に出力するものである。
図4に示すビットマップデータ作成部31は、図示省略のメモリに保存されたCADデータに基づいて所定の露光領域45A,45B,45C,…に対応する例えば引出線パターン18のビットマップデータを作成するものであり、上記画像処理部30から入力したDMD15の基準パターン47の位置と、TFT基板6のアライメントマーク12の位置との間の位置ずれ量を補正するようにシフトして上記ビットマップデータを作成するようになっている。
DMD駆動コントローラ32は、上記ビットマップデータ作成部31から出力されたビットマップデータに基づいてDMD15の複数のマイクロミラー46を個別に駆動制御するものである。また、光源駆動コントローラ33は、DMD15の複数のマイクロミラー46が傾動して露光パターンが生成されるのに同期して間欠的に発光させるように光源14を駆動制御するものである。さらに、搬送手段駆動コントローラ34は、搬送手段1のステージを所定速度で所定方向に移動させるものである。
オートフォーカスコントローラ35は、オートフォーカス手段4のラインセンサー28の出力に基づいてTFT基板6で反射されて戻ったレーザ光の受光位置を検出し、図示省略のメモリに予め保存された基準位置と比較して両者間が所定距離となるようにZ軸変位手段26を駆動して露光光学系2をその光軸方向に変位させるものである。そして、制御部36は、制御手段5全体が適切に駆動するように制御するものである。
次に、このように構成された第1の実施形態に係る露光装置の動作及び露光手順を図6のフローチャートを参照して説明する。
先ず、ステップS1においては、露光工程実行前に図示省略の入力手段を操作して、搬送手段1によるTFT基板6の搬送速度、光源14のパワー及び点灯時間等を図示省略のメモリに保存し、図3に示すような露光開始点基準マーク13のエッジ部から所定の露光領域45A,45B,45C,…の中心位置までの距離(設計値)D,(D+D),(D+2D),…を露光開始点メモリ43に保存し、上記各露光領域45A,45B,45C,…に対応した例えば引出線パターン18のCADデータをビットマップデータ作成部31のメモリに保存して初期設定を行なう。
次に、ステップS2においては、図7(a)に示すように、DMD15の例えば矢印Aに平行な中心線上の所定のマイクロミラー46をオフ駆動し、他のマイクロミラー46は全てオン駆動して矢印A方向に延びた細線状の黒い基準パターン47を生成し、該基準パターン47を搬送手段1により搬送されるTFT基板6と同一面上に投影する。
ステップS3においては、図7(b)に示すように、DMD15の上記基準パターン47を撮像手段3により撮像する。撮像手段3により撮像された上記基準パターン47の同図(c)に示す輝度情報は、図4に示す制御手段5の画像処理部30に入力し、図5に示すバッファメモリ37を介してアライメントマーク位置検出部38に入力する。
アライメントマーク位置検出部38においては、上記輝度情報を図7(b)に示すように撮像手段3の受光素子48の並び方向にピクセル補間し、同図(c),(d)に示すように輝度が白から黒に急変した位置E及び黒から白に急変した位置Eを基準パターン47のエッジ部として検出する。そして、白から黒に急変した位置Eを選択し、これを基準パターン47の位置としてエッジメモリ39に保存する。
ステップS4においては、表面にアルミニウムがコーティングされ、感光性樹脂が塗布されたTFT基板6を所定速度で搬送開始する。
ステップS5においては、撮像手段3により透明なガラス基板から成るTFT基板6を透して、裏面側から基板表面に形成された図8(a)に示すような十字状のマークを撮像する。ここでは、先ず、同図(b)に示すように、矢印Aで示す基板搬送方向に平行な細長状のアライメントマーク12が撮像される。撮像手段3により撮像されたアライメントマーク12の同図(c)に示す輝度情報は、図4に示す制御手段5の画像処理部30に入力し、図5に示すバッファメモリ37を介してアライメントマーク位置検出部38に入力する。
アライメントマーク位置検出部38においては、上記輝度情報を図8(b)に示すように撮像手段3の受光素子48の並び方向にピクセル補間し、同図(c),(d)に示すように輝度が白から黒に急変した位置E及び黒から白に急変した位置Eをアライメントマーク12のエッジ部として検出する。そして、白から黒に急変した位置Eを選択する。なお、ここでは、矢印A方向と直交する方向の幅がアライメントマーク12の同方向の幅よりも広い露光開始点基準マーク13は、無視される。
ステップS6においては、図5に示す画像処理部30の位置ずれ量算出部40で上記アライメントマーク12のエッジ位置Eと、エッジメモリ39から読み出した基準パターン47のエッジ位置Eとの間の位置ずれ量を、Eを基準に減算処理して算出する。
次に、ステップS7においては、図9(a)に示す露光開始点基準マーク13を撮像手段3により矢印Aで示すTFT基板6の搬送方向に所定時間間隔で順次撮像する。撮像手段3により所定時間間隔で順次撮像された上記露光開始点基準マーク13の画像情報は、図4に示す制御手段5の画像処理部30に入力し、図5に示すバッファメモリ37に一時的に保存される。そして、同図(b)に示すような二次元画像が生成されて、露光開始点基準マーク検出部41に出力される。なお、ここでは、矢印A方向の幅が露光開始点基準マーク13の同方向の幅よりも広いアライメントマーク12は、無視される。
露光開始点基準マーク検出部41においては、上記二次元画像を矢印Aで示す基板搬送方向にピクセル補間し、図9(c),(d)に示すように輝度が白から黒に急変した位置E及び黒から白に急変した位置Eを露光開始点基準マーク13のエッジ部として検出する。そして、白から黒に急変した位置Eを選択する。
ステップS8においては、上記露光開始点基準マーク13のエッジ部Eを検出すると、図5に示す露光開始点基準マーク検出部41から基板移動距離計測部42にトリガー信号を出力する。基板移動距離計測部42においては、上記トリガー信号を入力すると、搬送手段1の位置検出センサーから入力する位置情報に基づいてTFT基板6の移動距離の計測を開始する。そして、計測された基板の移動距離は、比較回路44に出力される。
ステップS9においては、基板移動距離計測部42から入力した基板の移動距離と、露光開始点メモリ43に保存されている露光開始点から各露光領域45A,45B,45C,…の中心位置までの距離(設計値)D,(D+D),(D+2D),…とが比較回路44において比較される。ここで、TFT基板6が露光開始点基準マーク13を検出してから距離Dだけ移動して露光開始点メモリ43に保存された設計値Dと一致すると、“YES”判定となって露光開始信号を図4に示す光源駆動コントローラ33に出力する。そして、ステップ10に進む。
ステップS10においては、図4に示すビットマップデータ作成部31で例えば露光領域45Aに対応した引出線パターン18のビットマップデータを、ステップS6で算出された基準パターン47とアライメントマーク12との位置ずれ量を補正するようにシフトさせて作成する。そして、このシフトしたビットマップデータに基づいてDMD15の複数のマイクロミラー46をオン駆動する。
ステップS11においては、DMD15の複数のマイクロミラー46がオン駆動されて傾動し終えると、それに同期して光源14が所定時間点灯され、図3に示す例えば露光領域45Aに引出線パターン18が露光される。なお、同図に示すように、例えばデータ線パターン17及びそれに接続される引出線パターン18の少なくとも一方の接続端部の面積を広く形成すれば、両パターンの接続を確実に行なうことができる。
ステップS12においては、所定の露光領域45A,45B,45C,…への露光が全て終了したか否かが、TFT基板6の移動距離から判定される。ここで、“NO”判定となるとステップS8に戻り、上述と同様にして次の露光領域、例えば露光領域45Bに対して露光が実行される。以下、ステップS12において、“YES”判定となるまでステップS8〜S12が繰返し実行される。
図10は本発明による露光装置の第2の実施形態を示す概要図である。この露光装置は、DMD15の複数のマイクロミラー46がオフ状態においてTFT基板6方向から入射する可視光Lを光源14からの露光光Lの入射方向と異なる方向に反射するように傾動するように形成され、撮像手段3がDMD15の複数のマイクロミラー46によってTFT基板6方向から入射する可視光Lが反射される方向に配設されている。
この場合、DMD15の複数のマイクロミラー46は、図11に示すように、矢印Aで示すTFT基板6の搬送方向と交差する方向を境界として搬送方向手前側のマイクロミラー群49aと搬送方向奥側のマイクロミラー群49bとに分割され、搬送方向手前側のマイクロミラー群49aのうちの所定のマイクロミラー46を傾動(オン駆動)して露光パターンを生成し、搬送方向奥側のマイクロミラー群49bのうちの少なくとも一列のマイクロミラー46を傾動(オフ駆動)してTFT基板6方向からの可視光Lを撮像手段3へ反射するようになっている。これにより、撮像手段3は、マイクロミラー群49aで生成された露光パターンの露光位置Pの矢印Aで示す基板搬送方向手前側の位置を撮像することになる。なお、図10において、符号50a,50b,50cは、反射ミラーであり、符号51はマイクロミラー群49bのマイクロミラー46の像を撮像手段3の受光面に結像する結像レンズである。
このように構成された露光装置においては、先ず、図12(a)に示すように、露光開始前にDMD15の搬送方向奥側のマイクロミラー群49bのうちの少なくとも一列のマイクロミラー46にて搬送方向に平行なDMD15の中心位置のマイクロミラー46をオン駆動し、他のマイクロミラー46をオフ駆動する。これにより、TFT基板6側からの可視光Lが少なくとも一列のマイクロミラー46にてオフ駆動されたマイクロミラー46により撮像手段3側に反射されて、中央部に黒い基準パターン47が生成される。なお、同図においては、マイクロミラー群49bの一列のマイクロミラー46のみを示し、他のマイクロミラー46は図示省略している。
次に、図12(b)に示すように、撮像手段3により上記少なくとも一列のマイクロミラー46により生成された基準パターン47を撮像してその輝度情報を制御手段5の画像処理部30に出力する。画像処理部30においては、上記輝度情報を撮像手段3の受光素子48の並び方向にピクセル補間して、同図(c),(d)に示すように輝度が急変した位置E,Eを検出する。そして、白から黒に急変した位置Eを基準パターン47のエッジ部として選択してエッジメモリ39に保存する。以下、前述の第1の実施形態と同様の手順により露光が実行される。
この第2の実施形態においては、図10に示すように、撮像手段3は、露光光学系2の露光位置Pに対して矢印Aで示すTFT基板6の搬送方向手前に所定距離ずれた位置を撮像するようになっている。したがって、撮像手段3でTFT基板6の露光開始点基準マーク13を撮像してから露光を実行するまでの基板の移動距離には、上記露光位置Pと撮像位置との位置ずれ量を加味しなければならない。この場合、装置の組み立て精度の影響により撮像位置がずれたときには、マイクロミラー群49bのオフ駆動されるマイクロミラー列を他のマイクロミラー列に切り換えることにより、撮像位置を正しく調整することができる。
なお、上記第2の実施形態において、撮像手段3は、TFT基板6の上方からその表面を撮像するものであるため、TFT基板6に形成されたアライメントマーク12及び露光開始点基準マーク13を覆って不透明なアルミニウム等の膜がコーティングされている場合には、適用できない。この場合には、TFT基板6にアルミニウム等の膜をコーティングした後に、このアルミニウムの膜をエッチングして上記アライメントマーク12及び露光開始点基準マーク13を形成するとよい。また、TFT基板6面に不透明膜をコーティングすることなく、感光性樹脂を直接塗布してこれを露光する場合には、感光性樹脂を透してTFT基板6面に形成されたアライメントマーク12及び露光開始点基準マーク13を撮像することが可能である。
また、上記第1及び第2の実施形態においては、周辺が白く(明るく)基準パターン47が黒く(暗く)なるように複数のマイクロミラー46を傾動させる場合について説明したが、本発明はこれに限られず、周辺が黒く(暗く)基準パターン47が白く(明るく)なるようにしてもよい。これは、被露光体側のアライメントマークの明暗に応じて適宜選択される。
そして、以上の説明においては、被露光体がTFT基板6である場合について述べたが、本発明はこれに限られず、被露光体は半導体基板や回路基板等如何なるものであってもよい。
本発明による露光装置の第1の実施形態を示す概要図である。 上記露光装置に適用されるTFT基板の一構成例を示す平面図である。 上記TFT基板における引出線パターンの露光を示す説明図である。 上記露光装置の制御手段を示すブロック図である。 上記制御手段の画像処理部を示すブロック図である。 上記第1の実施形態の露光装置による露光手順を説明するフローチャートである。 上記第1の実施形態におけるDMDの基準パターンの位置検出について示す説明図である。 上記第1の実施形態におけるTFT基板のアライメントマークの位置検出について示す説明図である。 上記第1の実施形態におけるTFT基板の露光開始点基準マークの位置検出について示す説明図である。 本発明による露光装置の第2の実施形態を示す概要図である。 上記第2の実施形態におけるDMDの複数のマイクロミラーの傾動を示す説明図である。 上記第2の実施形態におけるDMDの基準パターンの位置検出について示す説明図である。
符号の説明
1…搬送手段
2…露光光学系
3…撮像手段
5…制御手段
6…TFT基板(被露光体)
12…アライメントマーク
14…光源
15…DMD
18…引出線パターン(露光パターン)
46…マイクロミラー
47…基準パターン
49a…搬送方向手前側のマイクロミラー群
49b…搬送方向奥側のマイクロミラー群
…露光光
…可視光

Claims (5)

  1. 被露光体を載置して所定方向に搬送する搬送手段と、
    前記搬送手段の上方に配設され、複数のマイクロミラーをマトリクス状に配置したマイクロミラーデバイスの各マイクロミラーを個別に傾動して光源から入射する露光光を前記被露光体側に反射し、露光パターンを生成して前記被露光体上に露光する露光光学系と、
    前記露光光学系による露光位置又は該露光位置の前記被露光体の搬送方向手前側の位置を撮像する撮像手段と、
    前記各構成要素を制御する制御手段と、を備え、
    前記制御手段は、
    露光開始前に前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーを傾動させて基準パターンを生成させ、前記撮像手段で撮像された前記基準パターンの位置をメモリに記憶し、
    露光時に前記撮像手段で撮像された前記被露光体のアライメントマークの位置と、前記メモリに記憶された前記基準パターンの位置との間の前記搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、前記複数のマイクロミラーの傾動を制御して前記位置ずれ量を補正するようにシフトさせた前記露光パターンを生成させることを特徴とする露光装置。
  2. 前記撮像手段は、前記露光光学系の露光位置を撮像するように前記露光光学系に対向して前記搬送手段側に設けられ、前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 前記マイクロミラーデバイスの複数のマイクロミラーは、前記被露光体方向から入射する可視光を前記光源からの光の入射方向と異なる方向に反射するように傾動するように形成され、
    前記撮像手段は、前記複数のマイクロミラーによって前記被露光体方向から入射する可視光が反射される方向に配設され、前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  4. 前記マイクロミラーデバイスは、前記被露光体の搬送方向と交差する方向を境界として搬送方向手前側のマイクロミラー群と搬送方向奥側のマイクロミラー群とに分割され、前記搬送方向手前側のマイクロミラー群のうちの所定のマイクロミラーを傾動して露光パターンを生成し、搬送方向奥側のマイクロミラー群のうちの少なくとも一列のマイクロミラーを傾動して前記被露光体方向からの可視光を前記撮像手段へ反射することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
  5. 前記光源は、前記複数のマイクロミラーが傾動して前記露光パターンが生成されるのに同期して間欠的に発光するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の露光装置。
JP2007225015A 2007-08-31 2007-08-31 露光装置 Active JP5235062B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225015A JP5235062B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225015A JP5235062B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009058698A true JP2009058698A (ja) 2009-03-19
JP5235062B2 JP5235062B2 (ja) 2013-07-10

Family

ID=40554497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007225015A Active JP5235062B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5235062B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011002512A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2011001816A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 株式会社ブイ・テクノロジー アライメント方法、アライメント装置及び露光装置
KR20120031007A (ko) * 2009-06-16 2012-03-29 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치
WO2014174352A1 (ja) * 2013-04-17 2014-10-30 株式会社オーク製作所 露光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001033976A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp 位置合わせ装置、位置合わせ方法および露光装置
JP2001035769A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Matsushita Electronics Industry Corp パターン形成方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP2005284046A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Kumamoto Univ パターンずれ量検出方法及び露光装置
JP2006284890A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd アライメントセンサの位置校正方法、基準パターン校正方法、露光位置補正方法、校正用パターン及びアライメント装置
JP4871145B2 (ja) * 2007-01-11 2012-02-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035769A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Matsushita Electronics Industry Corp パターン形成方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP2001033976A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp 位置合わせ装置、位置合わせ方法および露光装置
JP2005284046A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Kumamoto Univ パターンずれ量検出方法及び露光装置
JP2006284890A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd アライメントセンサの位置校正方法、基準パターン校正方法、露光位置補正方法、校正用パターン及びアライメント装置
JP4871145B2 (ja) * 2007-01-11 2012-02-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101674132B1 (ko) * 2009-06-16 2016-11-08 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치
KR20120031007A (ko) * 2009-06-16 2012-03-29 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치
JP2011002512A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2011001816A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 株式会社ブイ・テクノロジー アライメント方法、アライメント装置及び露光装置
JP2011008180A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 V Technology Co Ltd アライメント方法、アライメント装置及び露光装置
KR20120101977A (ko) * 2009-06-29 2012-09-17 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치
CN102804075A (zh) * 2009-06-29 2012-11-28 株式会社V技术 对准方法、对准装置及曝光装置
US9069266B2 (en) 2009-06-29 2015-06-30 V Technology Co., Ltd. Alignment method, alignment apparatus, and exposure apparatus
KR101674131B1 (ko) * 2009-06-29 2016-11-08 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치
WO2014174352A1 (ja) * 2013-04-17 2014-10-30 株式会社オーク製作所 露光装置
KR20150143622A (ko) * 2013-04-17 2015-12-23 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 노광 장치
TWI607291B (zh) * 2013-04-17 2017-12-01 Orc Manufacturing Co Ltd Exposure device
KR102142747B1 (ko) 2013-04-17 2020-08-07 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 노광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP5235062B2 (ja) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008249958A (ja) 基準位置計測装置及び方法、並びに描画装置
WO2006003863A1 (ja) 露光装置
JP2006201586A (ja) 露光装置
JP4871145B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP4309874B2 (ja) 露光装置
JP5032821B2 (ja) 基板移動装置
JP5235062B2 (ja) 露光装置
JP2006308994A (ja) 露光装置
JP4338577B2 (ja) 露光装置
JP2008058477A (ja) 描画装置
WO2005106591A1 (ja) 露光パターン形成方法
JP5205101B2 (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
JP4679999B2 (ja) 露光装置
KR101098729B1 (ko) 노광 장치 및 패턴 형성 방법
JP6879484B2 (ja) 画像取得装置、露光装置、及び画像取得方法
JP4613098B2 (ja) 露光装置
JP4338628B2 (ja) 露光装置
JP4983399B2 (ja) マスクアライメント装置
JP4951036B2 (ja) 露光装置
JP4235584B2 (ja) 露光装置及びパターン形成方法
JP7489913B2 (ja) 描画装置および描画方法
JP4195413B2 (ja) 露光装置及びパターン形成方法
JP2010075952A (ja) レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP2014199861A (ja) パターン描画装置およびパターン描画方法
JP4914043B2 (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120821

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130325

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5235062

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250