JP2009058698A - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009058698A JP2009058698A JP2007225015A JP2007225015A JP2009058698A JP 2009058698 A JP2009058698 A JP 2009058698A JP 2007225015 A JP2007225015 A JP 2007225015A JP 2007225015 A JP2007225015 A JP 2007225015A JP 2009058698 A JP2009058698 A JP 2009058698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- micromirror
- micromirrors
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 82
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】TFT基板6を搬送する搬送手段1と、複数のマイクロミラーをマトリクス状に配置したDMD15の各マイクロミラーを個別に傾動して光源14から入射する露光光をTFT基板6側に反射し、露光パターンを生成して露光する露光光学系2と、露光位置を撮像する撮像手段3と、各構成要素を制御する制御手段5と、を備え、制御手段5は、露光開始前に上記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーを傾動させて基準パターンを生成させ、撮像手段3で撮像された基準パターンの位置をメモリに記憶し、露光時に撮像手段3で撮像されたTFT基板6のアライメントマークの位置と、メモリに記憶された基準パターンの位置との間の搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、この位置ずれ量を補正するようにシフトさせた露光パターンを生成させるものである。
【選択図】図1
Description
先ず、ステップS1においては、露光工程実行前に図示省略の入力手段を操作して、搬送手段1によるTFT基板6の搬送速度、光源14のパワー及び点灯時間等を図示省略のメモリに保存し、図3に示すような露光開始点基準マーク13のエッジ部から所定の露光領域45A,45B,45C,…の中心位置までの距離(設計値)D1,(D1+D2),(D1+2D2),…を露光開始点メモリ43に保存し、上記各露光領域45A,45B,45C,…に対応した例えば引出線パターン18のCADデータをビットマップデータ作成部31のメモリに保存して初期設定を行なう。
2…露光光学系
3…撮像手段
5…制御手段
6…TFT基板(被露光体)
12…アライメントマーク
14…光源
15…DMD
18…引出線パターン(露光パターン)
46…マイクロミラー
47…基準パターン
49a…搬送方向手前側のマイクロミラー群
49b…搬送方向奥側のマイクロミラー群
L1…露光光
L2…可視光
Claims (5)
- 被露光体を載置して所定方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の上方に配設され、複数のマイクロミラーをマトリクス状に配置したマイクロミラーデバイスの各マイクロミラーを個別に傾動して光源から入射する露光光を前記被露光体側に反射し、露光パターンを生成して前記被露光体上に露光する露光光学系と、
前記露光光学系による露光位置又は該露光位置の前記被露光体の搬送方向手前側の位置を撮像する撮像手段と、
前記各構成要素を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
露光開始前に前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーを傾動させて基準パターンを生成させ、前記撮像手段で撮像された前記基準パターンの位置をメモリに記憶し、
露光時に前記撮像手段で撮像された前記被露光体のアライメントマークの位置と、前記メモリに記憶された前記基準パターンの位置との間の前記搬送方向に交差する方向の位置ずれ量を算出し、前記複数のマイクロミラーの傾動を制御して前記位置ずれ量を補正するようにシフトさせた前記露光パターンを生成させることを特徴とする露光装置。 - 前記撮像手段は、前記露光光学系の露光位置を撮像するように前記露光光学系に対向して前記搬送手段側に設けられ、前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記マイクロミラーデバイスの複数のマイクロミラーは、前記被露光体方向から入射する可視光を前記光源からの光の入射方向と異なる方向に反射するように傾動するように形成され、
前記撮像手段は、前記複数のマイクロミラーによって前記被露光体方向から入射する可視光が反射される方向に配設され、前記複数のマイクロミラーのうち所定のマイクロミラーが傾動されて生成された基準パターンを撮像することを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 前記マイクロミラーデバイスは、前記被露光体の搬送方向と交差する方向を境界として搬送方向手前側のマイクロミラー群と搬送方向奥側のマイクロミラー群とに分割され、前記搬送方向手前側のマイクロミラー群のうちの所定のマイクロミラーを傾動して露光パターンを生成し、搬送方向奥側のマイクロミラー群のうちの少なくとも一列のマイクロミラーを傾動して前記被露光体方向からの可視光を前記撮像手段へ反射することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
- 前記光源は、前記複数のマイクロミラーが傾動して前記露光パターンが生成されるのに同期して間欠的に発光するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225015A JP5235062B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225015A JP5235062B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009058698A true JP2009058698A (ja) | 2009-03-19 |
JP5235062B2 JP5235062B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=40554497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007225015A Active JP5235062B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5235062B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011002512A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
WO2011001816A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | アライメント方法、アライメント装置及び露光装置 |
KR20120031007A (ko) * | 2009-06-16 | 2012-03-29 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치 |
WO2014174352A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-30 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001033976A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Nikon Corp | 位置合わせ装置、位置合わせ方法および露光装置 |
JP2001035769A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Matsushita Electronics Industry Corp | パターン形成方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2005284046A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Kumamoto Univ | パターンずれ量検出方法及び露光装置 |
JP2006284890A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | アライメントセンサの位置校正方法、基準パターン校正方法、露光位置補正方法、校正用パターン及びアライメント装置 |
JP4871145B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2012-02-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007225015A patent/JP5235062B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035769A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Matsushita Electronics Industry Corp | パターン形成方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP2001033976A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Nikon Corp | 位置合わせ装置、位置合わせ方法および露光装置 |
JP2005284046A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Kumamoto Univ | パターンずれ量検出方法及び露光装置 |
JP2006284890A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | アライメントセンサの位置校正方法、基準パターン校正方法、露光位置補正方法、校正用パターン及びアライメント装置 |
JP4871145B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2012-02-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101674132B1 (ko) * | 2009-06-16 | 2016-11-08 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치 |
KR20120031007A (ko) * | 2009-06-16 | 2012-03-29 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치 |
JP2011002512A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
WO2011001816A1 (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | アライメント方法、アライメント装置及び露光装置 |
JP2011008180A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | V Technology Co Ltd | アライメント方法、アライメント装置及び露光装置 |
KR20120101977A (ko) * | 2009-06-29 | 2012-09-17 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치 |
CN102804075A (zh) * | 2009-06-29 | 2012-11-28 | 株式会社V技术 | 对准方法、对准装置及曝光装置 |
US9069266B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-06-30 | V Technology Co., Ltd. | Alignment method, alignment apparatus, and exposure apparatus |
KR101674131B1 (ko) * | 2009-06-29 | 2016-11-08 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치 |
WO2014174352A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-30 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
KR20150143622A (ko) * | 2013-04-17 | 2015-12-23 | 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 | 노광 장치 |
TWI607291B (zh) * | 2013-04-17 | 2017-12-01 | Orc Manufacturing Co Ltd | Exposure device |
KR102142747B1 (ko) | 2013-04-17 | 2020-08-07 | 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 | 노광 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5235062B2 (ja) | 2013-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008249958A (ja) | 基準位置計測装置及び方法、並びに描画装置 | |
WO2006003863A1 (ja) | 露光装置 | |
JP2006201586A (ja) | 露光装置 | |
JP4871145B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP4309874B2 (ja) | 露光装置 | |
JP5032821B2 (ja) | 基板移動装置 | |
JP5235062B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2006308994A (ja) | 露光装置 | |
JP4338577B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2008058477A (ja) | 描画装置 | |
WO2005106591A1 (ja) | 露光パターン形成方法 | |
JP5205101B2 (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
JP4679999B2 (ja) | 露光装置 | |
KR101098729B1 (ko) | 노광 장치 및 패턴 형성 방법 | |
JP6879484B2 (ja) | 画像取得装置、露光装置、及び画像取得方法 | |
JP4613098B2 (ja) | 露光装置 | |
JP4338628B2 (ja) | 露光装置 | |
JP4983399B2 (ja) | マスクアライメント装置 | |
JP4951036B2 (ja) | 露光装置 | |
JP4235584B2 (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
JP7489913B2 (ja) | 描画装置および描画方法 | |
JP4195413B2 (ja) | 露光装置及びパターン形成方法 | |
JP2010075952A (ja) | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 | |
JP2014199861A (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
JP4914043B2 (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5235062 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |