JP2009043906A - Euv露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】EUV露光装置は、EUV光源からのEUV光束を入射するように構成され、前記光源からの光を被照射面に導く複数の反射ミラーと、前記複数の反射ミラーの少なくとも一つの反射ミラーの位置および傾きを調整する反射ミラー調整機構と、を備える。EUV露光装置は、前記EUV光源が発する光の波長と異なる波長の光を発する調整用光源(101)と、前記調整用光源の発する光が前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整する光経路調整機構(103,105)と、前記調整用光源が発し、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光を検出するように、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光束を検出可能に配置されたセンサ(1111)と、をさらに備える。
【選択図】図2
Description
Claims (11)
- EUV光源からのEUV光束を入射するように構成され、前記光源からの光を被照射面に導く複数の反射ミラーと、
前記複数の反射ミラーの少なくとも一つの反射ミラーの位置および傾きを調整する反射ミラー調整機構と、
前記EUV光源が発する光の波長と異なる波長の光を発する調整用光源と、
前記調整用光源の発する光が前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整する光経路調整機構と、
前記調整用光源が発し、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光を検出するように、前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する光束を検出可能に配置されたセンサと、
を備えたEUV露光装置。 - 前記調整用光源の発する光が、前記少なくとも一つの反射ミラーの前記EUV光源側に形成されるEUV光束の集光領域を通過するように構成され、前記光経路調整機構が、前記集光領域において、前記調整用光源の発する光の経路を変えることによって、前記調整用光源の発する光が前記少なくとも一つの反射ミラーに入射する位置および傾きを調整するように構成された請求項1に記載のEUV露光装置。
- 前記調整用光源の発する光を通過させる開口を備えたマスクステージと、
前記少なくとも一つの反射ミラーで反射され、前記開口を通過した、前記調整用光源の発する光を投影するスクリーンと、をさらに備えた請求項1または2に記載のEUV露光装置。 - 前記調整用光源が、発する光の方向を変化させることができるように構成された請求項1から3のいずれか一項に記載のEUV露光装置。
- 前記調整用光源が、ステージ上で移動可能なように構成された請求項4に記載のEUV露光装置。
- 前記集光領域に、直交する複数の軸の周りに回転可能であるように構成された回転可能なミラーをさらに備え、前記調整用光源の発する光が、前記回転可能なミラーによって、前記集光領域内で、経路を変えることができるように構成された請求項1乃至5のいずれか1項に記載のEUV露光装置。
- 前記調整用光源と前記回転可能なミラーとの間の、前記調整用光源の発する光の経路上に、回転可能に設置された平行平板をさらに備え、前記調整用光源の発する光が、前記平行平板によって、前記集光領域内で、経路を変えることができるように構成された請求項6に記載のEUV露光装置。
- 前記少なくとも一つの反射ミラーは、複数のミラー要素を有するフライアイ光学系である請求項1乃至7のいずれか1項に記載のEUV露光装置。
- 前記調整用光源の発する光が、前記フライアイ光学系の各ミラー要素に入射するように前記光経路調整機構が制御される請求項8に記載のEUV露光装置。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載のEUV露光装置を使用する露光方法。
- 請求項10に記載の露光方法を用いてウェハに塗布したレジストに回路パターンを露光する露光工程と、
前記レジストに露光された前記回路パターンの像を顕在化する現像工程と、
前記顕在化された回路パターンにしたがって、ウェハのエッチングを行うエッチング工程と、
を含むデバイス製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012507160A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系 |
JP2012074677A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Imec | Euvマスクの平坦度の評価方法およびシステム |
JP2013506277A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム |
US9482959B2 (en) | 2009-03-27 | 2016-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV microlithography illumination optical system and EUV attenuator for same |
KR20220160609A (ko) | 2020-03-30 | 2022-12-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
JP2004080021A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-03-11 | Canon Inc | 光学系の調整方法及び装置、露光装置 |
JP2005079470A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 照明光学系の調整方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005166785A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 位置検出装置及び方法、並びに、露光装置 |
JP2006080446A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Nikon Corp | 露光装置、波面計測装置、反射レチクル、波面計測用マスク、露光方法、波面計測方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2008263173A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Canon Inc | 露光装置 |
-
2007
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
JP2004080021A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-03-11 | Canon Inc | 光学系の調整方法及び装置、露光装置 |
JP2005079470A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 照明光学系の調整方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005166785A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 位置検出装置及び方法、並びに、露光装置 |
JP2006080446A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Nikon Corp | 露光装置、波面計測装置、反射レチクル、波面計測用マスク、露光方法、波面計測方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2008263173A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Canon Inc | 露光装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012507160A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系 |
US9482959B2 (en) | 2009-03-27 | 2016-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV microlithography illumination optical system and EUV attenuator for same |
JP2013506277A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム |
US8654345B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-02-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2012074677A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Imec | Euvマスクの平坦度の評価方法およびシステム |
KR20220160609A (ko) | 2020-03-30 | 2022-12-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 |
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