JP2009041061A - Method for manufacturing mask for vapor deposition - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a mask for vapor deposition, through which a film with a fine pattern can be precisely formed. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the mask 1 for vapor deposition includes the steps of: forming a mask body 20 by providing a plurality of pattern regions 20A each of which has a plurality of passing holes 20A-1 therein, in a metal thin film; forming a combination mask by attaching the mask body to a central portion of a screen mesh 30; forming a stress relief region 40 around the mask body 20 of the combination mask; and fixing a peripheral part of the mask body 20 onto a frame body having an aperture 10A while pulling the screen mesh 30. The predetermined tensile force which has been applied to the mask body 20 by pulling the screen mesh 30 makes cockle and curtaining hardly occur. Then, the stress relief region 40 which is formed on the screen mesh 30 inhibits distortion from occurring in the pattern regions 20A. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光素子の有機層等を真空蒸着によって成膜する際に用いられる蒸着用マスクの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a vapor deposition mask used when forming an organic layer or the like of an organic light emitting element by vacuum vapor deposition.

従来、低分子材料を用いた有機発光素子の製造には、蒸着用マスクによる真空蒸着法が広く用いられている。蒸着用マスクは、例えば、枠体に対して金属薄膜よりなるマスク本体が一定の張力をもって取り付けられた構成を有しており、金属薄膜に蒸着材料透過用に多数の通過孔からなるパターン領域を形成したのち、この金属薄膜を引っ張りながら張力を与えつつ枠体に固定させることにより作製することができる。   Conventionally, a vacuum evaporation method using an evaporation mask has been widely used for manufacturing an organic light emitting device using a low molecular material. For example, the mask for vapor deposition has a structure in which a mask main body made of a metal thin film is attached to the frame body with a certain tension, and a pattern region consisting of a large number of through holes for vapor deposition material transmission is formed on the metal thin film. After the formation, the metal thin film can be produced by pulling the metal thin film and fixing it to the frame while applying tension.

ところが、このような蒸着用マスクの作製方法では、枠体にマスク本体を取り付ける際に、マスク本体のパターン領域で歪みが発生し、通過孔の位置ずれが生じてしまう。また、真空蒸着の際には、輻射熱によりマスク本体が熱膨張してしまうため、これによっても通過孔の位置精度が低下してしまう。   However, in such a method for manufacturing a vapor deposition mask, when the mask main body is attached to the frame, distortion occurs in the pattern region of the mask main body, resulting in positional deviation of the passage holes. Moreover, since the mask main body thermally expands due to radiant heat during vacuum deposition, the position accuracy of the passage hole is also lowered by this.

そこで、金属薄膜からなるマスク本体をスクリーンメッシュに取り付けて固定した、所謂コンビネーションマスクを用いることにより、枠体にマスク本体を取り付ける際に、しわやたるみが生じることを防ぐと共に、通過孔パターンの位置や寸法を調節する手法が提案されている（特許文献１参照）。また、マスク本体において、通過孔が設けられた有効蒸着領域の周辺部に応力緩和領域を形成することにより、取り付けの際の応力を緩和し、通過孔の位置ずれを低減させる手法が提案されている（特許文献２参照）。
特開２００６−０９２７５２号公報 特開２００６−１６３１１１号公報 Therefore, by using a so-called combination mask in which a mask main body made of a metal thin film is fixed to a screen mesh, when the mask main body is attached to the frame, wrinkles and sagging are prevented, and the position of the passage hole pattern And a method of adjusting dimensions has been proposed (see Patent Document 1). Also, in the mask body, a method has been proposed in which a stress relaxation region is formed in the periphery of the effective vapor deposition region in which the passage hole is provided, so that the stress at the time of mounting is relaxed and the positional deviation of the passage hole is reduced. (See Patent Document 2).
JP 2006-092752 A JP 2006-163111 A

ところが、近年、マスク本体における通過孔の微細化が進んでおり、μｍオーダーでの位置精度が要求されるようになってきている。しかしながら、上記特許文献１，２の手法では、このような微細化に対応して、通過孔の位置精度を高く保つことが困難であるという問題があった。   However, in recent years, the passage holes in the mask main body have been miniaturized, and positional accuracy on the order of μm has been required. However, the methods of Patent Documents 1 and 2 have a problem that it is difficult to keep the positional accuracy of the passage hole high in response to such miniaturization.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、微細なパターンで精度良く成膜することが可能な蒸着用マスクの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a vapor deposition mask capable of forming a film with a fine pattern with high accuracy.

本発明による蒸着用マスクの製造方法は、金属薄膜に、複数の通過孔を配列して少なくとも一のパターン領域を設けることによりマスク本体を形成する工程と、マスク本体をメッシュ部の中央部に取り付けてコンビネーションマスクを形成する工程と、コンビネーションマスクのマスク本体の周囲の領域に応力緩和領域を形成する工程と、コンビネーションマスクに応力緩和領域を形成したのち、そのメッシュ部を引っ張りつつ、マスク本体の周縁部を、開口を有する枠体に対して固定させる張設工程とを含むものである。   The method for manufacturing a deposition mask according to the present invention includes a step of forming a mask body by arranging a plurality of through holes in a metal thin film to provide at least one pattern region, and attaching the mask body to a central portion of the mesh portion. Forming a combination mask, forming a stress relaxation region in a region around the mask body of the combination mask, and forming a stress relaxation region on the combination mask, and then pulling the mesh portion, the periphery of the mask body A tensioning step of fixing the portion to the frame having an opening.

本発明による蒸着用マスクの製造方法では、コンビネーションマスクのメッシュ部を引っ張りつつ、マスク本体を枠体に固着させることにより、マスク本体には所定の張力が付加されて、マスク本体にしわや弛みが生じにくくなる。このとき、コンビネーションマスクのマスク本体の周囲に設けられた応力緩和領域により、マスク本体にかかる応力が分散され、パターン領域での歪みの発生が抑制される。   In the method for manufacturing a deposition mask according to the present invention, a predetermined tension is applied to the mask body by pulling the mesh portion of the combination mask and fixing the mask body to the frame, and the mask body is wrinkled and loosened. It becomes difficult to occur. At this time, the stress applied to the mask main body is dispersed by the stress relaxation region provided around the mask main body of the combination mask, and the occurrence of distortion in the pattern region is suppressed.

本発明の蒸着用マスクの製造方法によれば、コンビネーションマスクのメッシュ部を引っ張りつつ、マスク本体を枠体に固着させるようにしたので、マスク本体には所定の張力が付加され、しわや弛みが生じにくくなる。このとき、コンビネーションマスクのマスク本体の周囲に応力緩和領域を形成するようにしたので、マスク本体のパターン領域での歪みの発生が抑制される。よって、微細なパターンで精度良く成膜することが可能な蒸着用マスクを製造することができる。   According to the vapor deposition mask manufacturing method of the present invention, the mask main body is fixed to the frame body while pulling the mesh portion of the combination mask, so that a predetermined tension is applied to the mask main body, and wrinkles and slackening occur. It becomes difficult to occur. At this time, since the stress relaxation region is formed around the mask body of the combination mask, the occurrence of distortion in the pattern region of the mask body is suppressed. Therefore, it is possible to manufacture an evaporation mask capable of forming a film with a fine pattern with high accuracy.

また、応力緩和領域をコンビネーションマスクのメッシュ部に形成することにより、マスク本体の内部にのみ応力緩和領域を形成した従来の構成に比べて、マスク本体のサイズを変えることなく、その有効蒸着領域を十分に広く確保することができるようになる。よって、特に大型の有機発光ディスプレイなどの成膜過程において、有機層を高精度に効率良く形成することができる蒸着用マスクを製造することが可能となる。   In addition, by forming the stress relaxation area in the mesh portion of the combination mask, the effective deposition area can be increased without changing the size of the mask body compared to the conventional configuration in which the stress relaxation area is formed only inside the mask body. It can be secured sufficiently wide. Therefore, it becomes possible to manufacture a vapor deposition mask capable of efficiently forming an organic layer with high accuracy in a film forming process such as a large organic light emitting display.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施の形態に係る蒸着用マスク１の概略構成を表す斜視図である。蒸着用マスク１は、後述するコンビネーションマスクによって製造されるもので、例えば有機発光素子の有機層を所定のパターンで真空蒸着法により成膜する際に用いられる。この蒸着用マスク１は、開口１０Ａを有する枠体１０と、枠体１０に対してその開口１０Ａを覆うように固着されると共に、所定の張力が付加されたマスク本体２０とにより構成されている。マスク本体２０では、その周縁領域が枠体１０に固着される固着領域２１となっており、この固着領域２１によって囲まれる領域のほぼ全域が、実際に蒸着材料を透過させてパターンを形成することのできる有効蒸着領域２２となっている。   FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a vapor deposition mask 1 according to an embodiment of the present invention. The vapor deposition mask 1 is manufactured by a combination mask, which will be described later. For example, the vapor deposition mask 1 is used when forming an organic layer of an organic light emitting element in a predetermined pattern by a vacuum vapor deposition method. The vapor deposition mask 1 includes a frame body 10 having an opening 10A, and a mask body 20 fixed to the frame body 10 so as to cover the opening 10A and to which a predetermined tension is applied. . In the mask main body 20, the peripheral region is a fixing region 21 fixed to the frame body 10, and almost all of the region surrounded by the fixing region 21 actually forms a pattern through the vapor deposition material. This is an effective vapor deposition region 22 that can be formed.

枠体１０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、インバー、４２アロイ等の金属材料によって方形の枠状に形成されたものであり、例えば後述の有機層が形成される駆動用基板１１０と同等の線熱膨張係数を有する材料により構成されていることが好ましい。蒸着時の温度変化に伴い、枠体１０と駆動用基板１１０とを同期して膨張収縮させると共に、膨張収縮による寸法変化量を等しくすることができるからである。更に、枠体１０は、高い剛性および十分な厚みを有し、線熱膨張係数のほか、熱容量、表面の輻射射出率、周囲の支持体（図示せず）との熱伝導により流入流出する伝熱量、および蒸着源（図示せず）からの輻射熱を遮る断熱板（図示せず）により制限される流入熱量などを最適に調節して設計されていることが望ましい。   The frame 10 is formed in a rectangular frame shape by a metal material such as aluminum (Al), invar, 42 alloy, for example, and is, for example, a wire equivalent to the driving substrate 110 on which an organic layer described later is formed. It is preferable that it is made of a material having a thermal expansion coefficient. This is because the frame body 10 and the driving substrate 110 can be expanded and contracted in synchronization with the temperature change during vapor deposition, and the amount of dimensional change due to expansion and contraction can be made equal. Further, the frame body 10 has high rigidity and sufficient thickness, and in addition to the linear thermal expansion coefficient, the heat flow, the radiation emission rate of the surface, and heat conduction with the surrounding support body (not shown) are transferred into and out of the frame body 10. It is desirable that the heat amount and the inflow heat amount limited by a heat insulating plate (not shown) that shields radiant heat from a vapor deposition source (not shown) are optimally adjusted.

マスク本体２０は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）もしくは銅（Ｃｕ）などの金属または合金、圧延ステンレス鋼、インバー、４２アロイなどの金属薄膜により構成され、厚みは例えば１０μｍ〜５０μｍである。マスク本体２０には、枠体１０の開口１０Ａに対応する位置に、１２面のパターン領域２０Ａが全体として例えば３行×４列の矩形状に配置されている。各パターン領域２０Ａには、蒸着材料を通過させるための複数の通過孔２０Ａ−１が設けられ、これらの通過孔２０Ａ−１は、例えば５行×３列の矩形状に配置されている。通過孔２０Ａ−１は、その平面形状が、例えば有機発光素子の一つの画素領域に対応した長方形状となっている。これら複数の通過孔２０Ａ−１をそれぞれ有する複数のパターン領域２０Ａが、マスク本体２０における有効蒸着領域２２を構成している。   The mask body 20 is made of, for example, a metal or alloy such as nickel (Ni) or copper (Cu), a metal thin film such as rolled stainless steel, Invar, or 42 alloy, and has a thickness of 10 μm to 50 μm, for example. In the mask main body 20, twelve pattern areas 20 </ b> A as a whole are arranged in a rectangular shape of 3 rows × 4 columns, for example, at positions corresponding to the openings 10 </ b> A of the frame 10. Each pattern region 20A is provided with a plurality of passage holes 20A-1 for allowing the vapor deposition material to pass therethrough, and these passage holes 20A-1 are arranged in a rectangular shape of, for example, 5 rows × 3 columns. The planar shape of the passage hole 20A-1 is, for example, a rectangular shape corresponding to one pixel region of the organic light emitting element. A plurality of pattern regions 20 </ b> A each having the plurality of through holes 20 </ b> A- 1 constitutes an effective vapor deposition region 22 in the mask body 20.

マスク本体２０は、固着領域２１において、例えばスポット溶接などにより、枠体１０に対して張設されている。このように、マスク本体２０が枠体１０に張設されていることにより、マスク本体２０にしわや弛みが生じることがないため、通過孔２０Ａ−１の位置精度を確保し易くなる。また、マスク本体２０に与えられる張力は、その張力によりマスク本体２０に生じる歪み量が、蒸着時の輻射熱による熱応力により生じる歪み量により相殺される大きさおよび方向に設定されていることが好ましい。蒸着時のマスク本体２０の熱膨張を吸収し、通過孔２０Ａ−１の位置精度を高めることができるからである。   The mask body 20 is stretched with respect to the frame body 10 by, for example, spot welding in the fixing region 21. Thus, since the mask main body 20 is stretched around the frame body 10, the mask main body 20 is not wrinkled or loosened, so that the positional accuracy of the passage hole 20A-1 can be easily ensured. The tension applied to the mask body 20 is preferably set to a magnitude and direction in which the amount of strain generated in the mask body 20 due to the tension is offset by the amount of strain generated by thermal stress due to radiant heat during vapor deposition. . This is because the thermal expansion of the mask body 20 during vapor deposition can be absorbed, and the positional accuracy of the passage hole 20A-1 can be increased.

次に、上記のような構成を有する蒸着用マスク１の作製方法について、図２〜図５を参照して説明する。図２はマスク本体２０に張力Ｔを与えて枠体１０に固定した場合のマスク本体２０の応力解析結果の一例、図３はスクリーンメッシュ（メッシュ部）３０にマスク本体２０を取り付ける（コンビネーションマスクを形成する）工程、図４は応力緩和領域４０を形成する工程、図５はマスク本体２０を枠体１０に張設する工程を表すものである。なお、図１で示したパターン領域２０Ａについては、簡略化のため、透過孔２０Ａ−１の図示を省略している。   Next, a method for producing the vapor deposition mask 1 having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows an example of a stress analysis result of the mask body 20 when the mask body 20 is fixed to the frame body 10 by applying a tension T, and FIG. 3 shows that the mask body 20 is attached to a screen mesh (mesh portion) 30 (a combination mask is attached). FIG. 4 shows a step of forming the stress relaxation region 40, and FIG. 5 shows a step of stretching the mask body 20 on the frame body 10. In addition, about the pattern area | region 20A shown in FIG. 1, illustration of transmission-hole 20A-1 is abbreviate | omitted for the simplification.

まず、上述したパターン領域２０Ａを有するマスク本体２０を、例えば電気めっき法、エッチング法などを用いて、上述した材料よりなる金属薄膜により形成する。このとき、金属薄膜のほぼ全域（枠体１０に固着される領域を除く）に対してパターン領域２０Ａを形成する。   First, the mask main body 20 having the above-described pattern region 20A is formed of a metal thin film made of the above-described material by using, for example, an electroplating method or an etching method. At this time, the pattern region 20A is formed over almost the entire area of the metal thin film (excluding the region fixed to the frame 10).

次いで、図２に示したように、マスク本体２０をマスク本体２０の外側に向けて引っ張り、張力Ｔを付加した際のマスク本体２０の変形量（歪み量）を、例えば有限要素法による演算処理により予め解析しておく。これは、マスク本体２０の応力分布は、パターン領域２０Ａの数や配置、通過孔２０Ａ−１の寸法および配列などにより異なり、実際のパターン領域２０Ａの設計に応じて応力緩和領域４０を設定する（後述）ことによって、より高い効果を得ることができるからである。本実施の形態では、各パターン領域２０Ａはその中央から周縁部へ向かう方向に引っ張られるように変形するため、各パターン領域２０Ａの変形Ｄを算出すると、変形Ｄは各パターン領域２０Ａの辺の中央において大きくなる。   Next, as shown in FIG. 2, the deformation amount (distortion amount) of the mask main body 20 when the mask main body 20 is pulled toward the outside of the mask main body 20 and the tension T is applied is calculated by, for example, a finite element method. Analyzing in advance. This is because the stress distribution of the mask main body 20 varies depending on the number and arrangement of the pattern areas 20A, the size and arrangement of the passage holes 20A-1, and the stress relaxation area 40 is set according to the actual design of the pattern area 20A ( This is because a higher effect can be obtained. In the present embodiment, each pattern region 20A is deformed so as to be pulled in the direction from the center toward the peripheral portion. Therefore, when the deformation D of each pattern region 20A is calculated, the deformation D is the center of the side of each pattern region 20A. At

このとき、蒸着時の熱応力によるマスク本体２０の歪み量を解析することが好ましいが、解析の順序は特に限定されず、熱応力による歪み量を解析したのちに張力Ｔによる歪み量を解析してもよく、張力Ｔによる歪み量を解析したのちに熱応力による歪み量を解析してもよい。このように、蒸着時の熱応力による歪み量を解析した場合には、マスク本体２０に与えられる張力Ｔが、上述したように、その張力Ｔによりマスク本体２０に生じる歪み量が、蒸着時の輻射熱による熱応力により生じる歪み量により相殺される大きさおよび方向に与えられるように設定することが好ましい。更に、枠体１０に対してマスク本体２０が固定されることによって枠体１０に変形が生じることも考えられるので、枠体１０の変形量、方向および分布などについても同様に有限要素法による演算処理により解析してもよい。   At this time, it is preferable to analyze the amount of distortion of the mask body 20 due to thermal stress during vapor deposition, but the order of analysis is not particularly limited, and after analyzing the amount of distortion due to thermal stress, the amount of distortion due to tension T is analyzed. Alternatively, after analyzing the strain amount due to the tension T, the strain amount due to thermal stress may be analyzed. As described above, when the strain amount due to the thermal stress at the time of vapor deposition is analyzed, the tension T applied to the mask main body 20 is, as described above, the strain amount generated in the mask main body 20 by the tension T at the time of vapor deposition. It is preferable to set the magnitude and direction so as to be offset by the amount of distortion caused by thermal stress due to radiant heat. Further, since it is conceivable that the frame body 10 is deformed when the mask body 20 is fixed to the frame body 10, the deformation amount, direction, and distribution of the frame body 10 are similarly calculated by the finite element method. You may analyze by a process.

次いで、図３に示したように、スクリーンメッシュ３０を用意し、このスクリーンメッシュ３０の中央部に、マスク本体２０を取り付けることにより、コンビネーションマスクを形成する。スクリーンメッシュ３０は、マスク本体２０よりも伸縮性が大きな材料、例えばポリエステル系やポリアミド系の合成繊維またはステンレス等の合成繊維などの紗状部材であり、その弾性（伸縮性）によってマスク本体２０に張力を与えることができるようになっている。   Next, as shown in FIG. 3, a screen mesh 30 is prepared, and a mask body 20 is attached to the center of the screen mesh 30 to form a combination mask. The screen mesh 30 is a bowl-shaped member made of a material having a higher elasticity than the mask main body 20, for example, a synthetic fiber such as a polyester-based or polyamide-based synthetic fiber or stainless steel, and the elasticity (stretchability) causes Tension can be applied.

このとき、具体的には、次のようにしてコンビネーションマスクを形成する。まず、スクリーンメッシュ３０の周縁部を、アルミニウム（Ａｌ）などからなる固定用の枠部材（図示せず）に固定したのち、例えばシアノアクリルレート系等の速乾性の接着剤を用いて、マスク本体２０をスクリーンメッシュ３０の中央部分に接着固定する。なお、スクリーンメッシュ３０が紗状であることを利用して、スクリーンメッシュ３０の下面側、すなわちマスク本体２０が取り付けられる面の反対側の面から接着材を塗布するようにして、マスク本体２０を取り付けるようにしてもよい。続いて、マスク本体２０が接着固定されたスクリーンメッシュ３０の周縁部を、更に、スクリーンメッシュ３０に張力を付加するためのスライダー機構が付されたアルミニウムなどからなる枠部材（図示せず）に取り付ける。続いて、スクリーンメッシュ３０のマスク本体２０に対向する領域、すなわちマスク本体２０と重なっている部分をレーザやカッタなどを用いて削除することにより、コンビネーションマスクを形成する。   At this time, specifically, a combination mask is formed as follows. First, after fixing the peripheral portion of the screen mesh 30 to a fixing frame member (not shown) made of aluminum (Al) or the like, for example, using a quick-drying adhesive such as cyanoacrylate, the mask body 20 is adhered and fixed to the central portion of the screen mesh 30. The mask body 20 is applied by applying an adhesive from the lower surface side of the screen mesh 30, that is, the surface opposite to the surface to which the mask body 20 is attached, by utilizing the fact that the screen mesh 30 is bowl-shaped. You may make it attach. Subsequently, the peripheral portion of the screen mesh 30 to which the mask body 20 is bonded and fixed is further attached to a frame member (not shown) made of aluminum or the like provided with a slider mechanism for applying tension to the screen mesh 30. . Subsequently, a region facing the mask main body 20 of the screen mesh 30, that is, a portion overlapping with the mask main body 20 is deleted using a laser, a cutter, or the like, thereby forming a combination mask.

次いで、図４に示したように、形成したコンビネーションマスクのマスク本体２０の周囲に、例えばレーザ、カッタなどを用いて、スクリーンメッシュ３０の一部を切り抜き開口を設けることにより、応力緩和領域４０を形成する。このとき、上述した応力解析結果に基づいて応力緩和領域４０の位置、形状などを設定する。また、蒸着時の熱応力によるマスク本体２０の歪み量や、枠体１０の変形量、方向および分布などについても解析した場合には、それらの解析結果も考慮して応力緩和領域４０の設定を行うようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 4, a part of the screen mesh 30 is cut out around the mask body 20 of the formed combination mask by using, for example, a laser, a cutter, etc., so that the stress relaxation region 40 is formed. Form. At this time, the position, shape, and the like of the stress relaxation region 40 are set based on the above-described stress analysis result. Further, when the amount of distortion of the mask main body 20 due to the thermal stress at the time of vapor deposition and the deformation amount, direction, and distribution of the frame 10 are also analyzed, the stress relaxation region 40 is set in consideration of the analysis results. You may make it perform.

例えば、上述（図２）したように、張力Ｔによって、各パターン領域２０Ａがマスク本体２０の中央から周縁部へ向かう方向に引っ張られるように変形し、その変形Ｄが、各パターン領域２０Ａの辺の中央において大きくなる。このような解析結果に基づき、変形Ｄが相対的に大きい（応力が相対的に大きい）領域で開口面積が相対的に大きく、変形Ｄが相対的に小さい（応力が相対的に小さい）領域で開口面積が相対的に小さくなるように、スクリーンメッシュ３０を切り抜いて、応力緩和領域４０を形成する。具体的には、図４に示したように、スクリーンメッシュ３０において、その中央部から周辺部に向かう方向に突出する突形状となるように形成する。例えば、パターン領域２０Ａごとに、パターン領域２０Ａに対向する辺を底辺とする三角形状となるように形成する。   For example, as described above (FIG. 2), each pattern region 20 </ b> A is deformed so as to be pulled in the direction from the center of the mask body 20 toward the peripheral edge by the tension T, and the deformation D is the side of each pattern region 20 </ b> A. In the center of Based on such an analysis result, in a region where the deformation D is relatively large (stress is relatively large), the opening area is relatively large, and in a region where the deformation D is relatively small (stress is relatively small). The screen mesh 30 is cut out to form the stress relaxation region 40 so that the opening area becomes relatively small. Specifically, as shown in FIG. 4, the screen mesh 30 is formed to have a protruding shape that protrudes in the direction from the central portion toward the peripheral portion. For example, each pattern region 20A is formed to have a triangular shape with a side opposite to the pattern region 20A as a base.

次いで、図５に示したように、上述した材料よりなる枠体１０を用意し、マスク本体２０を、例えばスポット溶接法などにより、枠体１０に対して張設する。具体的には、コンビネーションマスクのスクリーンメッシュ３０を、その面内方向の各方向に引っ張りながら、マスク本体２０の周縁領域（固着領域２１）と枠体１０を対向させて重ね合わせ、例えばスポット溶接法を用いて固着する。あるいは、セラミックス系接着剤やエポキシ樹脂接着剤を用いたり、レーザ溶接や、ビスなどの締結具を用いて固着するようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 5, the frame body 10 made of the above-described material is prepared, and the mask body 20 is stretched on the frame body 10 by, for example, a spot welding method. Specifically, while pulling the screen mesh 30 of the combination mask in each direction in the in-plane direction, the peripheral area (fixed area 21) of the mask main body 20 and the frame body 10 are opposed to each other, for example, spot welding. Use to fix. Or you may make it adhere using fasteners, such as a ceramics-type adhesive agent and an epoxy resin adhesive, laser welding, and a screw.

このとき、スクリーンメッシュ３０を、例えば上述したスライダー機構を利用して引っ張ることで、スクリーンメッシュの伸縮性により、マスク本体２０に対して張力Ｔ（図示せず）を付加することができる。また、スクリーンメッシュ３０を引っ張りながら、マスク本体２０を枠体１０に位置合わせすることで、マスク本体２０のパターン領域２０Ａの寸法や位置のずれを調整（補正）しつつ、マスク本体２０を枠体１０に対して重ね合わせることができる。この際、スクリーンメッシュ３０とマスク本体２０との伸縮性の差により、例えば、マスク本体２０でのμｍオーダーの変位を、スクリーンメッシュ３０でのｍｍオーダーの変位として調整することができる。   At this time, by pulling the screen mesh 30 using, for example, the slider mechanism described above, a tension T (not shown) can be applied to the mask body 20 due to the stretchability of the screen mesh. Further, by aligning the mask body 20 with the frame body 10 while pulling the screen mesh 30, the mask body 20 is attached to the frame body while adjusting (correcting) the size and position deviation of the pattern area 20 </ b> A of the mask body 20. 10 can be superimposed. At this time, due to the difference in elasticity between the screen mesh 30 and the mask main body 20, for example, a displacement of the order of μm in the mask main body 20 can be adjusted as a displacement of the order of mm in the screen mesh 30.

最後に、スクリーンメッシュ３０を、例えばレーザ、カッタなどを用いてマスク本体２０から切除する。以上により、図１に示した蒸着用マスク１を完成する。   Finally, the screen mesh 30 is excised from the mask main body 20 using, for example, a laser or a cutter. Thus, the vapor deposition mask 1 shown in FIG. 1 is completed.

以上のように、本実施の形態に係る蒸着用マスク１の製造方法では、スクリーンメッシュ３０にマスク本体２０を取り付けた状態で、このスクリーンメッシュ３０を引っ張りつつ、マスク本体２０を枠体１０に固着させるようにしたので、マスク本体２０にしわや弛みが生じにくくなると共に、マスク本体２０におけるμｍオーダーの微細な変位を、スクリーンメッシュ３０におけるｍｍオーダーの変位として容易に微調整することができるようになる。このとき、マスク本体２０を取り付けたスクリーンメッシュ３０に応力緩和領域４０を形成するようにしたので、マスク本体２０の各パターン領域２０Ａにかかる応力が分散され、パターン領域２０Ａの変形（歪み）を抑制することができる。また、これにより、特にμｍオーダーで通過孔２０Ａ−１を精度良く形成することが可能となる。よって、微細なパターンで精度良く成膜することが可能な蒸着用マスク１を作製することができる。   As described above, in the method for manufacturing the evaporation mask 1 according to the present embodiment, the mask body 20 is fixed to the frame body 10 while pulling the screen mesh 30 with the mask body 20 attached to the screen mesh 30. As a result, the mask main body 20 is less likely to wrinkle or sag, and a fine displacement in the order of μm in the mask main body 20 can be easily fine-tuned as a displacement in the order of mm in the screen mesh 30. Become. At this time, since the stress relaxation region 40 is formed on the screen mesh 30 to which the mask body 20 is attached, the stress applied to each pattern region 20A of the mask body 20 is dispersed, and deformation (distortion) of the pattern region 20A is suppressed. can do. This also makes it possible to accurately form the passage hole 20A-1 in the order of μm. Therefore, the vapor deposition mask 1 capable of forming a film with a fine pattern with high accuracy can be manufactured.

また、応力緩和領域４０を、スクリーンメッシュ３０に形成することで、従来のように、スクリーンメッシュを用いずにマスク本体の内部にのみ応力緩和領域を形成する場合に比べて、マスク本体のサイズを変えることなく、有効蒸着領域２２を最大限に確保することができる。これにより、大型の基板に対しても効率よく成膜することが可能となる。   Further, by forming the stress relaxation region 40 in the screen mesh 30, the size of the mask body can be reduced as compared with the conventional case where the stress relaxation region is formed only inside the mask body without using the screen mesh. The effective vapor deposition area 22 can be secured to the maximum without changing. This makes it possible to form a film efficiently even on a large substrate.

また、以上のようにして作製された蒸着用マスク１は、例えば、次のような表示装置１００の成膜工程において使用することができる。   Moreover, the vapor deposition mask 1 produced as described above can be used in, for example, the following film forming process of the display device 100.

図６は、表示装置１００の概略構成を表す断面図である。表示装置１００は、例えば薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、図６に示したように、駆動用基板１１０上に、赤色の光を発生する有機発光素子２００Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子２００Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子２００Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられ、保護膜１１７、接着層１１８を介して封止パネル１１９によって封止されている。   FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the display device 100. The display device 100 is used, for example, as a thin organic light emitting display. As shown in FIG. 6, the display device 100 generates an organic light emitting element 200R that generates red light and a green light on a driving substrate 110. The organic light emitting element 200G that emits blue light and the organic light emitting element 200B that generates blue light are sequentially provided in a matrix as a whole, and are sealed by a sealing panel 119 via a protective film 117 and an adhesive layer 118.

有機発光素子２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂは、例えば、駆動用基板１１０の側から、例えば、陽極としての第１電極１１１、絶縁膜１１２、正孔注入層１１３、正孔輸送層１１４、発光層、電子輸送層１１５、陰極としての第２電極１１６がこの順に積層されている。但し、発光層は、各素子ごとに、赤色発光層１２０Ｒ、緑色発光層１２０Ｇおよび青色発光層１２０Ｂとして形成されている。   The organic light emitting devices 200R, 200G, and 200B are, for example, from the driving substrate 110 side, for example, the first electrode 111 as an anode, the insulating film 112, the hole injection layer 113, the hole transport layer 114, the light emitting layer, and the electrons. A transport layer 115 and a second electrode 116 as a cathode are stacked in this order. However, the light emitting layer is formed as a red light emitting layer 120R, a green light emitting layer 120G, and a blue light emitting layer 120B for each element.

第１電極１１１は、有機発光素子２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１１１は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能するようになっている。第２電極１１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）などの金属元素の単体または合金、もしくはＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）などの透明電極材料により構成されている。   The first electrode 111 is formed corresponding to each of the organic light emitting elements 200R, 200G, and 200B. The first electrode 111 functions as a reflective electrode that reflects light generated in the light emitting layer. The second electrode 116 is, for example, a single element or alloy of a metal element such as aluminum (Al) or magnesium (Mg), or a transparent electrode such as ITO (indium / tin composite oxide) or IZO (indium / zinc composite oxide). It is composed of materials.

絶縁膜１１２は、隣接する第１電極１１１同士の間の領域に形成され、第１電極１１１間および第１電極１１１と第２電極１１６との間の絶縁性を確保し、発光領域を正確に所望の形状にするための電極間絶縁膜としての機能を有している。この絶縁膜１１２は、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの無機絶縁材料により構成され、第１電極１１１の発光領域に対応して開口部を有している。 The insulating film 112 is formed in a region between the adjacent first electrodes 111, and ensures insulation between the first electrodes 111 and between the first electrode 111 and the second electrode 116, so that the light emitting region can be accurately defined. It has a function as an interelectrode insulating film for obtaining a desired shape. The insulating film 112 is made of, for example, an organic material such as polyimide or an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ), and has an opening corresponding to the light emitting region of the first electrode 111.

正孔注入層１１３、正孔輸送層１１４および電子輸送層１１５は、有機発光素子２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの共通の層となっている。正孔注入層１１３は、正孔注入効率を高めるためのものであり、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）などにより構成されている。正孔輸送層１１４は、正孔輸送効率を高めるためのものであり、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。電子輸送層２１は、例えば、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3）により構成されている。なお、正孔注入層１１３、正孔輸送層１１４および電子輸送層１１５は、必要に応じて設ければよく、発光色によりそれぞれ構成が異なっていてもよい。また、電子輸送層１１５と後述の第２電極１１６との間に、電子注入効率を高めるために、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏなどにより構成される電子注入層を設けるようにしてもよい。 The hole injection layer 113, the hole transport layer 114, and the electron transport layer 115 are layers common to the organic light emitting devices 200R, 200G, and 200B. The hole injection layer 113 is for increasing the hole injection efficiency and is made of, for example, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA). The hole transport layer 114 is for increasing hole transport efficiency, and is composed of, for example, 4,4′-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl (α-NPD). The electron transport layer 21 is made of, for example, 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ) Note that the hole injection layer 113, the hole transport layer 114, and the electron transport layer 115 are formed as necessary. In order to increase the electron injection efficiency between the electron transport layer 115 and the second electrode 116 described later, an example may be used. In example, LiF, may be such as by providing a configured electron injection layer Li 2 O.

赤色発光層１２０Ｒは、例えば、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。緑色発光層１２０Ｇは、例えば、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。青色発光層１２０Ｂは、例えば、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。   For example, the red light emitting layer 120R includes 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (ADN) with 2,6≡bis [4′≡methoxydiphenylamino) styryl] ≡1,5≡dicyanonaphthalene (BSN). It is composed of a mixture of 30% by weight. The green light emitting layer 120G is configured, for example, by mixing 5% by volume of coumarin 6 with ADN. The blue light emitting layer 120B is composed of, for example, ADN mixed with 2.5% by weight of 4,4′≡bis [2≡ {4≡ (N, N≡diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi). ing.

このような構成の表示装置１００では、有機層、例えば、正孔注入層１１３、正孔輸送層１１４、赤色発光層１２０Ｒ、緑色発光層１２０Ｇ、青色発光層１２０Ｂおよび電子輸送層１１５を、上述の材料を真空蒸着法により成膜する。この際、本実施の形態に係る蒸着用マスク１が好適に使用される。このように、本実施の形態に係る蒸着用マスク１を用いて有機層を成膜することにより、各層を微細なパターンで精度良く形成することができる。よって、有機発光素子２００Ｒ，２０Ｇ，２００Ｂの輝度のばらつきや色ずれなどを抑制することができ、表示品質の優れた表示装置１００を実現することができる。また、蒸着用マスク１では有効蒸着領域が最大限に確保されているため、例えば大型の有機発光ディスプレイを効率的に製造することが可能となる。   In the display device 100 having such a configuration, the organic layers, for example, the hole injection layer 113, the hole transport layer 114, the red light emitting layer 120R, the green light emitting layer 120G, the blue light emitting layer 120B, and the electron transport layer 115 are formed as described above. The material is deposited by vacuum deposition. At this time, the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment is preferably used. Thus, by forming an organic layer using the vapor deposition mask 1 according to the present embodiment, each layer can be accurately formed with a fine pattern. Therefore, variation in luminance, color shift, and the like of the organic light emitting elements 200R, 20G, and 200B can be suppressed, and the display device 100 with excellent display quality can be realized. Moreover, since the effective vapor deposition area | region is ensured by the vapor deposition mask 1, for example, it becomes possible to manufacture a large sized organic light emitting display efficiently.

（変形例）
図７は、本実施の形態の変形例に係る蒸着用マスク２の概略構成を表す斜視図である。なお、この蒸着用マスク２では、マスク本体の構成以外は上述した蒸着用マスク１と同様の構成となっている。このため、上記蒸着様マスク１と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。 (Modification)
FIG. 7 is a perspective view showing a schematic configuration of a vapor deposition mask 2 according to a modification of the present embodiment. The vapor deposition mask 2 has the same configuration as the vapor deposition mask 1 described above except for the configuration of the mask body. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the said vapor deposition-like mask 1, and description is abbreviate | omitted.

マスク本体５０は、有効蒸着領域５１の周辺領域５２に、複数の細孔５１Ａ−１からなる応力緩和領域５１Ａと、固着領域２１とを有している。有効蒸着領域５１には、複数の通過孔５０Ａ−１をそれぞれ有する複数のパターン領域５０Ａが設けられている。本変形例では、６面のパターン領域５０Ａが、２行×３列の矩形状に配置されている。また、各パターン領域５０Ａでは、通過孔５０Ａ−１が、５行×３列の矩形状に配置されている。なお、マスク本体５０のその他の構成については、上記蒸着用マスク１のマスク本体２０と同様の構成となっている。   The mask main body 50 has a stress relaxation region 51 </ b> A including a plurality of pores 51 </ b> A- 1 and a fixing region 21 in a peripheral region 52 of the effective vapor deposition region 51. In the effective vapor deposition region 51, a plurality of pattern regions 50A each having a plurality of passage holes 50A-1 are provided. In this modification, the six-side pattern areas 50A are arranged in a rectangular shape of 2 rows × 3 columns. In each pattern region 50A, the passage holes 50A-1 are arranged in a rectangular shape of 5 rows × 3 columns. In addition, about the other structure of the mask main body 50, it is the same structure as the mask main body 20 of the said mask 1 for vapor deposition.

応力緩和領域５１Ａは、有効蒸着領域５１から固着領域２１に向かって突出する突形状となるように、複数の細孔５１Ａ−１が配列して構成されている。例えば有効蒸着領域５１側に底辺を有する三角形状や台形状となるように、複数の細孔５１Ａ−１が配置されている。なお、図７では、応力緩和領域５１Ａの細孔５１Ａ−１と、パターン領域５０Ａの通過孔５０Ａ−１とが、同一の形状で形成されているが、必ずしも同一形状および同一間隔で配列されている必要はない。但し、同一形状および同一間隔で配列されていればマスク本体５０の製造工程を簡素化することができるので好ましい。   The stress relaxation region 51 </ b> A is configured by arranging a plurality of pores 51 </ b> A- 1 so as to protrude from the effective vapor deposition region 51 toward the fixing region 21. For example, the plurality of pores 51A-1 are arranged so as to have a triangular shape or a trapezoidal shape having a base on the effective vapor deposition region 51 side. In FIG. 7, the pores 51A-1 of the stress relaxation region 51A and the passage holes 50A-1 of the pattern region 50A are formed in the same shape, but they are not necessarily arranged in the same shape and the same interval. There is no need to be. However, it is preferable that the mask body 50 is manufactured in the same shape and at the same interval because the manufacturing process of the mask body 50 can be simplified.

このような応力緩和領域５１Ａの位置および形状は、枠体１０に張設されたマスク本体５０の応力を解析した結果に基づいて設定する。マスク本体５０の応力分布はパターン領域５０Ａの数や配置、通過孔５０Ａ−１の寸法および配列などにより異なり、実際のパターン領域５０Ａの設計に応じて応力緩和領域５１Ａを設定することによって、より高い効果を得ることができるからである。これにより、この蒸着用マスク２では、マスク本体５０にかかる応力を細孔５１Ａ−１により効率良く分散させ、通過孔５０Ａ−１の位置精度を向上させることができるようになっている。   The position and shape of such a stress relaxation region 51A are set based on the result of analyzing the stress of the mask main body 50 stretched on the frame 10. The stress distribution of the mask main body 50 differs depending on the number and arrangement of the pattern areas 50A, the dimensions and arrangement of the passage holes 50A-1, and is higher by setting the stress relaxation area 51A according to the design of the actual pattern area 50A. This is because an effect can be obtained. Thereby, in this vapor deposition mask 2, the stress applied to the mask main body 50 can be efficiently dispersed by the pores 51A-1 and the positional accuracy of the passage holes 50A-1 can be improved.

更に、細孔５１Ａ−１についても、枠体１０に張設されたマスク本体５０の応力を解析した結果に基づいて、最適な大きさおよび形状にすることが可能である。例えば、図示しないが、この細孔５１Ａ−１を、マスク本体５０の有効蒸着領域５１から固着領域２１に向かって放射状に延びた長孔（スリット）としてもよい。   Furthermore, the pore 51A-1 can also have an optimum size and shape based on the result of analyzing the stress of the mask body 50 stretched on the frame 10. For example, although not shown, the pores 51 </ b> A- 1 may be long holes (slits) extending radially from the effective vapor deposition region 51 of the mask body 50 toward the fixing region 21.

また、マスク本体２０の応力緩和領域５１Ａを覆うように、蒸着材料が通過することを防止するための遮蔽部材を設けるようにしてもよい。この場合には、遮蔽部材を、例えば、枠体１０の開口１０Ａ内に薄板状に形成する。また、遮蔽部材を、枠体１０と同一の材料を用いて一体的に形成してもよい。このように、応力緩和領域５１Ａを覆う遮蔽部材を設けるようにすれば、素子基板上の意図しない領域に不要な有機層などが形成されてしまうことを防ぐことができ、パターンの位置精度をより向上させることができる。   Further, a shielding member for preventing the vapor deposition material from passing may be provided so as to cover the stress relaxation region 51A of the mask main body 20. In this case, the shielding member is formed in a thin plate shape in the opening 10 </ b> A of the frame body 10, for example. Further, the shielding member may be integrally formed using the same material as the frame body 10. Thus, if a shielding member covering the stress relaxation region 51A is provided, it is possible to prevent an unnecessary organic layer or the like from being formed in an unintended region on the element substrate, and to further increase the positional accuracy of the pattern. Can be improved.

以上のような構成を有する蒸着用マスク２は、マスク本体５０を形成する工程と、スクリーンメッシュ３０に形成する応力緩和領域４０の位置や形状を、マスク本体５０の応力解析結果に基づいて設定すること以外は、図１に示した蒸着用マスク１と同様にして作製することができる。具体的には、まず、上述したパターン領域５０Ａおよび応力緩和領域５１Ａを、金属薄膜に、例えば電気めっき法、エッチング法などを施すことによって一括して形成し、マスク本体５０を形成する。続いて、張力Ｔを付加した際のマスク本体５０の変形量（歪み量）を上述の手法により解析したのち、マスク本体５０をスクリーンメッシュ３０に上述した接着材などを用いて取り付け、コンビネーションマスクを形成する。   The vapor deposition mask 2 having the above configuration sets the step of forming the mask main body 50 and the position and shape of the stress relaxation region 40 formed on the screen mesh 30 based on the stress analysis result of the mask main body 50. Except this, it can be produced in the same manner as the vapor deposition mask 1 shown in FIG. Specifically, first, the pattern body 50A and the stress relaxation area 51A described above are collectively formed on the metal thin film by performing, for example, an electroplating method, an etching method, etc., and the mask body 50 is formed. Subsequently, after analyzing the deformation amount (distortion amount) of the mask main body 50 when the tension T is applied by the above-described method, the mask main body 50 is attached to the screen mesh 30 using the above-described adhesive or the like, and the combination mask is attached. Form.

次いで、図８に示したように、形成したコンビネーションマスクのマスク本体５０の周囲に、応力緩和領域４０を形成する。但し、応力緩和領域４０および応力緩和領域５１Ａの位置や形状は、マスク本体５０の応力解析結果に基づいて設定する。こののち、スクリーンメッシュ３０を引っ張りながら、枠体１０に対してマスク部２０を重ね合わせ、上述の手法により固着させる。以上により、図７に示した蒸着用マスク２を完成する。   Next, as shown in FIG. 8, a stress relaxation region 40 is formed around the mask body 50 of the formed combination mask. However, the positions and shapes of the stress relaxation region 40 and the stress relaxation region 51A are set based on the stress analysis result of the mask body 50. After that, while pulling the screen mesh 30, the mask portion 20 is superimposed on the frame body 10 and fixed by the above-described method. Thus, the vapor deposition mask 2 shown in FIG. 7 is completed.

このように、本変形例に係る蒸着用マスク２の作製方法では、マスク本体５０の周辺部およびスクリーンメッシュ３０に、それぞれ応力緩和領域を設けるようにしたので、枠体１０に張設する際にマスク本体５０にかかる応力をより効果的に分散させることができる。よって、より位置精度の向上したパターン領域５０Ａを形成することができるようになる。   As described above, in the method of manufacturing the vapor deposition mask 2 according to this modification, the stress relaxation regions are provided in the peripheral portion of the mask main body 50 and the screen mesh 30, respectively. The stress applied to the mask body 50 can be more effectively dispersed. Therefore, it is possible to form the pattern region 50A with improved positional accuracy.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、パターン領域の通過孔が長孔である場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、通過孔が三角形、台形、楕円形、角の丸い長方形などの他の形状である場合にも適用することができる。   While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the case where the passage hole of the pattern region is a long hole has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and the passage hole may be a triangle, a trapezoid, an ellipse, a rounded rectangle, or the like. It can also be applied to other shapes.

また、上記実施の形態では、応力緩和領域が、スクリーンメッシュのマスク本体の辺の全てに対向して形成する場合あるいはマスク本体の有効蒸着領域の辺の全てに対向して形成する場合を例に挙げて説明したが、応力緩和領域が形成される領域はこれに限定されず、例えば、通過孔の長手方向に対して平行な辺のみに対向して形成されていてもよい。これは、隣接する通過孔同士の長手方向における間隔が狭いので、長手方向に対して平行な辺の変形は、特に大きくなるからである。この場合、隣接する通過孔同士の短手方向における間隔は比較的広く、短手方向に対して平行な辺の変形は比較的小さくなるため、スクリーンメッシュを用いて張力を調整することにより、十分に変形を抑制することが可能である。   In the above embodiment, the stress relaxation region is formed so as to be opposed to all the sides of the mask body of the screen mesh, or the case is formed to be opposed to all of the sides of the effective vapor deposition region of the mask body. Although mentioned and demonstrated, the area | region in which a stress relaxation area | region is formed is not limited to this, For example, you may form facing only the side parallel to the longitudinal direction of a passage hole. This is because the distance between the adjacent through holes in the longitudinal direction is narrow, and the deformation of the side parallel to the longitudinal direction is particularly large. In this case, the distance between adjacent through holes in the short direction is relatively wide, and deformation of the side parallel to the short direction is relatively small. Therefore, by adjusting the tension using a screen mesh, It is possible to suppress deformation.

また、上記実施の形態では、応力緩和領域がパターン領域ごとに設けられた場合を例に挙げて説明したが、応力緩和領域の数や配置は、これに限定されず、例えば、複数のパターン領域に対して一つの応力緩和領域を設けるようにしてもよく、逆に一つのパターン領域に複数の応力緩和領域を設けるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the stress relaxation regions are provided for each pattern region has been described as an example. However, the number and arrangement of the stress relaxation regions are not limited to this, for example, a plurality of pattern regions. In contrast, one stress relaxation region may be provided, and conversely, a plurality of stress relaxation regions may be provided in one pattern region.

また、上記実施の形態では、マスク本体に複数のパターン領域が形成されている場合を例に挙げて説明したが、パターン領域２０Ａは少なくとも一つあればよい。   In the above embodiment, the case where a plurality of pattern areas are formed in the mask main body has been described as an example. However, at least one pattern area 20A is sufficient.

また、上記実施の形態では、マスク本体を枠体に張設する工程において、スクリーンメッシュのマスク本体が取り付けられている側を枠体に対向させて重ね合わせ、マスク本体と枠体とが隣接して固着される場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、スクリーンメッシュを間にして、マスク本体と枠体とが固着されるようにしてもよい。但し、この場合には、蒸着用マスクのマスク本体と枠体との間にスクリーンメッシュの層が残存することとなる。   Further, in the above embodiment, in the step of stretching the mask main body to the frame body, the screen mesh is attached with the mask body attached side facing the frame body, and the mask main body and the frame body are adjacent to each other. However, the present invention is not limited to this. For example, the mask body and the frame may be fixed with a screen mesh in between. However, in this case, a screen mesh layer remains between the mask body of the evaporation mask and the frame.

また、上記実施の形態では、コンビネーションマスクを形成する際に、マスク本体とスクリーンメッシュとの重なる部分（不要部分とする）を切除し、こののちに、応力緩和領域を形成するようにしたが、これに限定されず、応力緩和領域を形成したのちに不要部分を切除するようにしてもよい。   In the above embodiment, when the combination mask is formed, the overlapping portion of the mask body and the screen mesh (which is an unnecessary portion) is excised, and then the stress relaxation region is formed. However, the present invention is not limited thereto, and unnecessary portions may be removed after the stress relaxation region is formed.

また、上記実施の形態では、張設工程ののち、コンビネーションマスクのスクリーンメッシュ部分を切除するようにしたが、これに限定されず、スクリーンメッシュを切除しないようにしてもよい。但し、スクリーンメッシュを切除しない場合には、実際の蒸着の際に蒸着装置などへの負荷が大きくなる。このため、上記実施の形態のように、最終的にはスクリーンメッシュを切除することが好ましい。   In the above embodiment, the screen mesh portion of the combination mask is cut out after the stretching step. However, the present invention is not limited to this, and the screen mesh may not be cut off. However, when the screen mesh is not removed, the load on the vapor deposition apparatus or the like is increased during actual vapor deposition. For this reason, it is preferable to finally cut off the screen mesh as in the above embodiment.

また、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。   Further, the material and thickness of each layer described in the above embodiment, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used, or other film formation methods and film formation. It is good also as conditions.

また、上記実施の形態では、本発明の蒸着用マスクを有機発光素子２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂを備えた表示装置１００の有機層の成膜に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明は、半導体製造プロセスなどにも適用可能である。   Moreover, although the said embodiment demonstrated and demonstrated the case where the vapor deposition mask of this invention was applied to the film-forming of the organic layer of the display apparatus 100 provided with the organic light emitting element 200R, 200G, 200B, it demonstrated as an example. Can also be applied to semiconductor manufacturing processes and the like.

本発明の第１の実施の形態に係る蒸着用マスクの概略構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing schematic structure of the mask for vapor deposition which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図１に示したマスク本体の応力解析結果の一例を表す平面図である。It is a top view showing an example of the stress analysis result of the mask main body shown in FIG. 図１に示した蒸着用マスクの製造方法を説明するものであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The manufacturing method of the vapor deposition mask shown in FIG. 1 is demonstrated, (A) is a top view, (B) is arrow sectional drawing in the II line | wire of (A) figure. 図３に続く工程を説明する図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のII−II線における矢視断面図である。It is a figure explaining the process of following FIG. 3, (A) is a top view, (B) is arrow sectional drawing in the II-II line | wire of (A) figure. 図４に続く工程を説明する図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）図のIII−III線における矢視断面図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a process following FIG. 4, in which (A) is a plan view and (B) is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図１に示した蒸着用マスクを用いて製造することのできる表示装置の概略構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing schematic structure of the display apparatus which can be manufactured using the mask for vapor deposition shown in FIG. 変形例に係る蒸着用マスクの概略構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing schematic structure of the vapor deposition mask which concerns on a modification. 図７に示した蒸着用マスクの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the vapor deposition mask shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０…枠体、１０Ａ…開口、２０，５０…マスク本体、２０Ａ，５０Ａ…パターン領域、２０Ａ−１，５０Ａ−１…通過孔、２１…固着領域、２２，５１…有効蒸着領域、３０…スクリーンメッシュ部材、４０，５１Ａ…応力緩和領域、５１Ａ−１…細孔、２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂ…有機発光素子、１００…表示装置、１１０…駆動用基板、１１１…第１電極（陽極）、１１２…絶縁膜、１１３…正孔注入層、１１４…正孔輸送層、１１５…電子輸送層、１１６…第２電極、１１７…保護膜、１１８…接着層、１１９…封止用基板、１２０Ｒ…赤色発光層、１２０Ｇ…緑色発光層、１２０Ｂ…青色発光層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Frame body, 10A ... Opening, 20, 50 ... Mask main body, 20A, 50A ... Pattern area | region, 20A-1, 50A-1 ... Passing hole, 21 ... Adhesion area | region, 22, 51 ... Effective vapor deposition area | region, 30 ... Screen Mesh member, 40, 51A ... Stress relaxation region, 51A-1 ... Fine pore, 200R, 200G, 200B ... Organic light emitting element, 100 ... Display device, 110 ... Driving substrate, 111 ... First electrode (anode), 112 ... Insulating film, 113 ... Hole injection layer, 114 ... Hole transport layer, 115 ... Electron transport layer, 116 ... Second electrode, 117 ... Protective film, 118 ... Adhesion layer, 119 ... Substrate for sealing, 120R ... Red light emission Layer, 120G ... green light emitting layer, 120B ... blue light emitting layer.

Claims (7)

金属薄膜に、複数の通過孔を配列して少なくとも一つのパターン領域を設けることによりマスク本体を形成する工程と、
前記マスク本体を、伸縮性を有するメッシュ部に取り付けてコンビネーションマスクを形成する工程と、
前記コンビネーションマスクの前記マスク本体の周囲の領域に、応力緩和領域を形成する工程と、
前記コンビネーションマスクに応力緩和領域を形成したのち、そのメッシュ部を引っ張りつつ、前記マスク本体の周縁部を、開口を有する枠体に対して固定させる張設工程と
を含むことを特徴とする蒸着用マスクの製造方法。 Forming a mask body by arranging at least one pattern region by arranging a plurality of through holes in the metal thin film; and
Attaching the mask body to a stretchable mesh part to form a combination mask;
Forming a stress relaxation region in a region around the mask body of the combination mask;
And a tensioning step of fixing a peripheral portion of the mask main body to a frame body having an opening while forming a stress relaxation region in the combination mask and then pulling the mesh portion. Mask manufacturing method. 前記応力緩和領域は、前記枠体に張設されたマスク本体に生ずる応力を解析した結果に
基づいて、その位置および形状が設定されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着用マスクの製造方法。 2. The deposition mask according to claim 1, wherein the stress relaxation region has a position and a shape set based on a result of analyzing a stress generated in a mask main body stretched on the frame. 3. Production method. 前記パターン領域は矩形状をなし、
前記応力緩和領域を、前記パターン領域の辺に対向する領域に前記パターン領域ごとに形成する
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着用マスクの製造方法。 The pattern area is rectangular,
The method for manufacturing a deposition mask according to claim 1, wherein the stress relaxation region is formed for each of the pattern regions in a region facing a side of the pattern region. 前記応力緩和領域は、前記コンビネーションマスクの前記マスク本体に対向する側から前記メッシュ部の周縁側に向けて突出する突形状をなしている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着用マスクの製造方法。 The said stress relaxation area | region has comprised the protrusion shape which protrudes toward the peripheral side of the said mesh part from the side facing the said mask main body of the said combination mask. The manufacturing of the mask for vapor deposition of Claim 1 characterized by the above-mentioned. Method. 前記張設工程では、
前記メッシュ部を引っ張りながら、前記マスク本体に配列されたパターン領域の位置や寸法を補正しつつ、前記マスク本体を前記枠体に対して固定させる
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着用マスクの製造方法。 In the stretching step,
The deposition mask according to claim 1, wherein the mask body is fixed to the frame body while the mesh portion is pulled and the position and size of the pattern region arranged on the mask body are corrected. Manufacturing method. 前記メッシュ部は、前記マスク本体よりも伸縮性の大きな材料によって構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着用マスクの製造方法。 The method for manufacturing a deposition mask according to claim 1, wherein the mesh portion is made of a material having a larger elasticity than the mask main body. 前記マスク本体を形成する工程では、
前記マスク本体の前記パターン領域の周辺領域に、他の応力緩和領域を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着用マスクの製造方法。


In the step of forming the mask body,
The method for manufacturing a deposition mask according to claim 1, wherein another stress relaxation region is formed in a peripheral region of the pattern region of the mask body.


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