JP2009026870A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 応力により電子部品がダメージを受けるおそれのない電子装置を実現する。
【解決手段】 回路基板２に実装されたＩＣチップ３の上には、ヒートシンク６が熱伝導性シリコーンゲル５によって取付けられている。ヒートシンク６と対向するハウジング本体８の裏面８ｈには凹部８ａが形成されており、ヒートシンク６の上端が凹部８ａの内部に配置されている。ヒートシンク６と凹部８ａの底面との間には複数のバネ７が介在されている。環境温度の変化により回路基板２に反りが発生し、ＩＣチップ３を押し上げる応力が作用してもヒートシンク６が凹部８ａ内を上方へ変位するため、回路基板２からＩＣチップ３に作用する応力およびハウジング９からヒートシンク６を介してＩＣチップ３に作用する応力を緩和することができる。
【選択図】 図１

Description

この発明は、ハウジングに収容された回路基板に実装された電子部品から発生する熱をハウジングを介して放熱する電子装置およびその製造方法に関する。
図１５は、従来の電子装置の要部を示す説明図である。回路基板２の表面には、ＩＣチップ３が実装されている。ＩＣチップ３と回路基板表面との間には、アンダーフィル（封止材料）４が充填されている。ＩＣチップ３の表面には、アルミニウムまたは銅により形成されたヒートシンク（熱伝導部材）２１が熱伝導性シリコーンゲル（熱伝導性材料）５によって取付けられている。ヒートシンク２１の表面は、ハウジング２０の裏面２０ａと接触している。
そして、ＩＣチップ３から発生した熱は、熱伝導性シリコーンゲル５を介してヒートシンク２１へ伝導し、さらにヒートシンク２１からハウジング２０に伝導して放熱される。
特開２００３−１５２３６８号公報（第１６段落、図１）
しかし、従来の電子装置は、回路基板２をハウジング２０の内部に組付ける場合に、回路基板２が反っていたり、ＩＣチップ３の実装高さのばらつきがあったりすると、ＩＣチップ３に対して回路基板２およびヒートシンク２１から応力が作用し、ＩＣチップ３にクラックが入るおそれがある。また、回路基板２をハウジング２０に取付けた後で、環境温度の変化により回路基板２に反りが発生した場合も同様に上記応力が作用し、ＩＣチップ３にクラックが入るおそれがある。
つまり、従来の電子装置では、応力によりＩＣチップがダメージを受けるおそれがある。
そこでこの発明は、応力により電子部品がダメージを受けるおそれのない電子装置を実現することを目的とする。
この発明の第１の特徴は、発熱する電子部品（３）が実装された回路基板（２）と、熱伝導性材料（５）によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を伝導するための熱伝導部材（６）と、前記回路基板が収容されたハウジング（９）と、を備えており、前記熱伝導部材に伝導した熱を前記ハウジングを介して放熱する電子装置（１）において、前記熱伝導部材の表面（６ａ）と、前記ハウジングの裏面（８ｈ）との間に前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材（７，１２，１６）が介在されてなることにある。
環境温度の変化により回路基板の基板面に発生した反りに起因する応力が電子部品に及んだ場合であっても、熱伝導部材が弾性部材の弾性力に抗しながらハウジングの裏面に向けて変位する（逃げる）ことができるため、回路基板から電子部品に作用する応力およびハウジングから熱伝導部材を介して電子部品に作用する応力を緩和することができる。
従って、応力による電子部品のダメージをなくすことができる電子装置を実現することができる。
また、電子部品に作用する応力を弾性部材によって緩和することができることから、熱伝導性材料の厚さを薄くすることができるため、その分、熱伝導性材料における熱伝導率を高めることができるので、放熱効果を高めることができる。
また、この発明の第２の特徴は、発熱する電子部品（３）が実装された回路基板（２）と、熱伝導性材料（５）によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を伝導するための熱伝導部材（６）と、前記回路基板が収容されたハウジング（９）と、を備えており、前記熱伝導部材に伝導した熱を前記ハウジングを介して放熱する電子装置（１）において、前記熱伝導部材の表面（６ａ）と対向する前記ハウジングの裏面（８ｈ）には凹部（８ａ）が形成されており、前記熱伝導部材の上端が、前記凹部の内部に配置されており、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材（７，１２，１６）が、前記熱伝導部材の表面と前記凹部の底面（８ｋ）との間に介在されてなることにある。
環境温度の変化により回路基板の基板面に発生した反りに起因する応力が電子部品に及んだ場合であっても、熱伝導部材が弾性部材の弾性力に抗しながらハウジングの裏面に向けて変位する（逃げる）ことができるため、回路基板から電子部品に作用する応力およびハウジングから熱伝導部材を介して電子部品に作用する応力を緩和することができる。
従って、応力による電子部品のダメージをなくすことができる電子装置を実現することができる。
また、電子部品に作用する応力を弾性部材によって緩和することができることから、熱伝導性材料の厚さを薄くすることができるため、その分、熱伝導性材料における熱伝導率を高めることができるので、放熱効果を高めることができる。
さらに、熱伝導部材の上端が、凹部の内部に配置されているため、熱伝導部材が上方へ変位するために必要な隙間をハウジングの裏面と熱伝導部材との間に形成する必要がないのでハウジングの厚さを薄くすることができる。
また、この発明の第３の特徴は、前述の第２の特徴において、前記熱伝導部材（６）が、前記凹部（８ａ）の内壁面（８ｂ）と接触してなることにある。
さらに、熱伝導部材が凹部の内壁面と接触しているため、熱伝導部材に伝導した熱を凹部の内壁面に伝導させ、ハウジングから放熱することができる。
従って、熱伝導部材に伝導した熱を弾性部材のみに伝導させる構造よりも放熱効率を高めることができる。
また、この発明の第４の特徴は、前述の第１ないし第３の特徴のいずれかにおいて、前記熱伝導性材料（５）より低い弾性率のシート状部材（１０）が、前記熱伝導部材（６）と前記熱伝導性材料との間に介在されており、かつ、前記シート状部材の少なくとも両端が前記電子部品（３）の配置されている側の前記ハウジング（９）に取り付けられてなることにある。
環境温度の変化により回路基板の基板面に発生した反りに起因する応力が電子部品に及んだ場合であっても、熱伝導部材が弾性部材およびシート状部材の各弾性力に抗しながらハウジングの裏面に向けて変位する（逃げる）ことができるため、回路基板から電子部品に作用する応力およびハウジングから熱伝導部材を介して電子部品に作用する応力を緩和することができる。
また、この発明の第５の特徴は、前述の第１ないし第４の特徴のいずれかにおいて、弾性部材（７，１２，１６）は、熱伝導性材料（５）よりも熱伝導率が高いことにある。
弾性部材は、熱伝導性材料よりも熱伝導率が高いため、熱伝導部材とハウジングとの間に弾性部材を介在させることにより、放熱効率が低下するおそれがない。
また、この発明の第６の特徴は、発熱する電子部品（３）が実装された回路基板（２）と、前記電子部品の表面に配置された熱伝導性材料（５）と、この熱伝導性材料によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を放熱させるための熱伝導部材（６）と、前記回路基板が収容されたハウジング（９）と、を備えた電子装置（１）の製造方法において、前記電子部品の表面に前記熱伝導性材料が配置された前記回路基板と、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材（７，１２，１６）と、前記熱伝導部材と、前記電子装置を前記ハウジングの内部に収容した際に前記熱伝導部材の表面と対向する部位に形成され、前記熱伝導部材を挿入可能な開口部（８ｊ）が形成された前記ハウジングとを用意し、前記回路基板を前記ハウジングの内部に収容する第１工程と、前記熱伝導部材を前記ハウジングの外部から前記開口部を介して前記電子部品の表面に配置する第２工程と、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材を前記開口部から挿入して前記熱伝導部材の表面に配置する第３工程と、蓋（８ｉ）で前記開口部を覆い、前記蓋の裏面（８ｋ）と前記熱伝導部材の表面（６ａ）との間で前記弾性部材が圧縮された状態にする第４工程と、を有することにある。
回路基板をハウジングの内部に収容した後に、ハウジングの開口部から熱伝導部材を挿入して電子部品の表面に配置することができるため、電子部品の傾きや実装高さの誤差などに起因する応力がハウジングから熱伝導部材を介して電子部品に作用するおそれがない。
また、この発明の第７の特徴は、発熱する電子部品（３）が実装された回路基板（２）と、前記電子部品の表面に配置された熱伝導性材料（５）と、この熱伝導性材料によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を放熱させるための熱伝導部材（６）と、前記回路基板が収容されたハウジング（９）と、を備えた電子装置（１）の製造方法において、前記回路基板と、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材（７，１２，１６）と、底面に前記熱伝導性材料が配置された前記熱伝導部材と、前記電子装置を前記ハウジングの内部に収容した際に前記熱伝導部材の表面と対向する部位に形成され、前記熱伝導部材を挿入可能な開口部（８ｊ）が形成された前記ハウジングとを用意し、前記回路基板を前記ハウジングの内部に収容する第１工程と、前記熱伝導部材を前記ハウジングの外部から前記開口部を介して前記電子部品の表面に配置する第２工程と、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材を前記開口部から挿入して前記熱伝導部材の表面に配置する第３工程と、蓋（８ｉ）で前記開口部を覆い、前記蓋の裏面と前記熱伝導部材の表面との間で前記弾性部材が圧縮された状態にする第４工程と、を有することにある。
回路基板をハウジングの内部に収容した後に、ハウジングの開口部から熱伝導部材を挿入して電子部品の表面に配置することができるため、電子部品の傾きや実装高さの誤差などに起因する応力がハウジングから熱伝導部材を介して電子部品に作用するおそれがない。また、熱伝導性材料を熱伝導部材の底面に配置してから熱伝導部材を電子部品の表面に配置するため、熱伝導性材料の性状が最適なときに熱伝導部材を電子部品の表面に配置することができる。例えば、空気と接触してから相当時間経過後に硬化する性質の熱伝導性材料を用いる場合は、予め電子部品の表面に塗布しておく方法では、回路基板をハウジングの内部に収容するのに時間がかかると、熱伝導性材料が硬化してしまうおそれがあるが、熱伝導性材料を熱伝導部材の底面に塗布してから熱伝導部材を電子部品の表面に配置する方法によれば、熱伝導性材料が硬化する前に熱伝導部材を電子部品の表面に配置することができる。
また、この発明の第８の特徴は、前述の第６または第７の特徴において、前記開口部（８ｊ）の裏面は、前記熱伝導性材料（５）より低い弾性率を有するとともに前記熱伝導部材（６）の自重によって変形する性質のシート状部材（１０）によって覆われており、前記第２工程は、前記熱伝導部材を前記ハウジング（９）の外部から前記開口部（８ｊ）を介して前記シート状部材の上に載置し、その熱伝導部材が載置された前記シート状部材を変形させて前記電子部品（３）の表面に到達させることにより、前記熱伝導部材を前記シート状部材を介して前記電子部品の表面に配置する工程であることにある。
熱伝導部材をハウジングの外部から開口部に挿入してシート状部材の上に載置するだけで自動的に熱伝導部材を電子部品の表面に配置することができる。
また、シート状部材は熱伝導部材の自重によって変形する性質を有するため、回路基板の歪み、あるいは、実装誤差などによって電子部品の表面が傾いている場合であっても、シート状部材は、その傾きに追従して変形するので、熱伝導部材をその底面が電子部品の表面に沿うように取付けることができる。
なお、上記括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
＜第１実施形態＞
この発明に係る実施形態について図を参照して説明する。図１は、この実施形態に係る電子装置の内部構造を示す説明図である。図２は、図１に示す電子装置の要部の説明図である。図３は、ヒートシンクの取付工程を示す説明図であり、（ａ）はヒートシンクを取付ける前の電子装置の内部構造を示す説明図、（ｂ）はハウジングの開口部の説明図、（ｃ）はハウジングの開口部からヒートシンクを挿入したところの説明図である。なお、図１５に示した従来の電子装置と同じ構成については同じ符号を用いる。
［電子装置の構造］
図１に示すように、電子装置１は、ハウジング９を備えており、ハウジング本体８の内部に回路基板２が収容されている。ハウジング本体８は、アルミニウムまたは鉄系の比較的熱伝導効率の高い素材により、箱状に形成されている。回路基板２は、ガラスエポキシまたはセラミックなどの素材により板状に形成されている。
ハウジング本体８の内部角部には、回路基板２を固定するための取付部８ｃが設けられており、回路基板２の端部は、ネジやボルトなどの固定部材１１によって取付部８ｃに固定されている。
回路基板２の表面２ａには、ＩＣチップ３、抵抗ＲおよびコンデンサＣなどの電子部品が実装されており、裏面２ｂにも抵抗Ｒが実装されている。ＩＣチップ３は、ベアチップ実装方法におけるフリップチップ実装方法により、回路基板２の表面２ａにフェイスダウン実装方法により実装される。ＩＣチップ３は、例えば、パワーＩＣまたは複合ＩＣなど、熱を発生するもので、効率良い放熱を必要とするものである。
図２に示すように、ＩＣチップ３と回路基板２の表面２ａとの間には、アンダーフィル４が充填されている。
ヒートシンク６の表面６ａと対向するハウジング本体８の裏面８ｈには、凹部８ａが形成されている。この凹部８ａは、ハウジング本体８に開口形成された開口部８ｊ（図３）の外側開口面を蓋８ｉによって閉塞することにより形成される。開口部８ｊは、ハウジング本体８の外部からヒートシンク６を挿入してＩＣチップ３の上に配置するためのものである。開口部８ｊは、ヒートシンク６の表面６ａと対向するハウジング本体８の裏面８ｈに開口形成されている。
開口部８ｊはヒートシンク６を底面から挿通できる大きさに形成されており、開口部８ｊの横断面形状は、ヒートシンク６の横断面形状と合致している。例えば、ヒートシンク６は直方体形状である。
開口部８ｊから挿入され、ＩＣチップ３の上に配置されたヒートシンク６の上端は凹部８ａ内に挿入されており、その上端側面は凹部８ａの内壁面８ｂと接触している。ヒートシンク６の表面６ａと蓋８ｉの裏面９ａとの間には、コイル状の複数のバネ７が配置されている。各バネ７は、そのバネ力によってヒートシンク６をＩＣチップ３の方に付勢している。ハウジング９を構成する蓋８ｉは、ハウジング本体８と同じ材料により形成されている。各バネ７は鋼などの熱伝導率の高い材料により形成されている。
ヒートシンク６の底面６ｂは、シート１０の上に配置されており、シート１０は、薄い層厚の熱伝導性シリコーンゲル５によってＩＣチップ３の表面に取付けられている。シート１０は熱伝導性シリコーンゲル５よりも弾性率が低く、ヒートシンク６と熱伝導性シリコーンゲル５との間に介在されており、かつ、シート１０の少なくとも両端がＩＣチップ３の配置されている側のハウジング本体８の裏面に取り付けられてなる。
つまり、ヒートシンク６は、各バネ７の付勢力によって熱伝導性シリコーンゲル５およびシート１０を介してＩＣチップ３の上に押圧されている。
シート１０は、ヒートシンク６を開口部８ｊからＩＣチップ３の上に配置する際に使用するもので、弾性を有する熱伝導性材料、例えば、銅系、シリコンゴム、シリコンゲル、カーボンなどの材料によりシート状に形成されている。
図３（ｂ）に示すように、ヒートシンク６を開口部８ｊから挿入する前のシート１０は、開口部８ｊを閉塞するようにハウジング本体８の裏面８ｈに配置されている。また、図３（ｃ）に示すように、シート１０の端部１０ｃのみがハウジング本体８の裏面８ｈに接着されている。シート１０の中央には、ヒートシンク６を載置する載置部１０ａが形成されており、その載置部１０ａの表面にヒートシンク６の裏面６ｂが密着している。シート１０は、ヒートシンク６の自重によって下方に伸び、載置部１０ａの裏面が熱伝導性シリコーンゲル５に接着される弾性率を有する。
また、総てのバネ７が作用したときのバネ全体の弾性率は、熱伝導性シリコーンゲル５の弾性率よりも低く設定されている。つまり、ＩＣチップ３に対してそれを押し上げる応力が作用した場合であっても、ヒートシンク６が各バネ７の付勢力に抗して凹部８ａ内を上方へ変位することにより上記の応力を緩和することができるように構成されている。例えば、回路基板２の反りにより、ＩＣチップ３の姿勢が傾いたり、ＩＣチップ３の実装高さが高い方にずれたりしていることにより上記応力がＩＣチップ３に作用した場合であっても、その応力を緩和することができる。
また、ＩＣチップ３から発生した熱は、熱伝導性シリコーンゲル５を介してシート１０に伝導し、さらにシート１０からヒートシンク６に伝導し、ヒートシンク６から各バネ７を介して蓋８ｉに伝導して放熱される。さらに、ヒートシンク６に伝導した熱は、ヒートシンク６の上端と接触している凹部８ａの内壁面８ｂに伝導して放熱される。
［ヒートシンク６の取付方法］
次に、ヒートシンク６の取付方法について図３を参照して説明する。
図３（ａ）に示すように、回路基板２が内部に固定され、各開口部８ｊの裏面側開口面がシート１０によって閉塞されたハウジング本体８を用意する。回路基板２の表面２ａに実装されたＩＣチップ３の表面には、予め熱伝導性シリコーンゲル５が塗布されている。
そして、ヒートシンク６をハウジング本体８の外部から開口部８ｊに挿入し、シート１０の載置部１０ａの上の載置する。すると、図３（ｃ）に示すように、シート１０の取付部１０ｃと載置部１０ａとを接続する接続部１０ｂが、ヒートシンク６の自重によって下方に伸び、図１に示すように、シート１０の載置部１０ａの裏面が熱伝導性シリコーンゲル５に接着される。
つまり、ヒートシンク６をハウジング本体８の開口部８ｊから挿入し、シート１０の載置部１０ａの上に載置するだけで自動的にヒートシンク６を熱伝導性シリコーンゲル５によってＩＣチップ３の表面に取付けることができる。
上述のように、シート１０はヒートシンク６の自重によって撓む弾性を有する。このため、回路基板２の歪み、あるいは、実装誤差などによってＩＣチップ３の表面が傾いている場合であっても、シート１０は、その傾きに追従して変形するので、ヒートシンク６をその底面６ｂがＩＣチップ３の表面に沿うように取付けることができる。
また、ヒートシンク６を載置したときにおけるシート１０の伸び量（変形量）の最大値、つまり載置部１０ａの下降到達点は、端部１０ｃの接着面積を変更し、接続部１０ｂの長さを変更することによって調整することができる。端部１０ｃのハウジング本体８の裏面８ｈに対する接着幅Ｌ（図３（ｃ））を短くすると、接続部１０ｂの長さが長くなるため、載置部１０ａの下降到達点が下方へ移動し、下降距離Ｈが長くなる。また逆に、端部１０ｃの接着幅Ｌを長くすると、接続部１０ｂの長さが短くなるため、載置部１０ａの下降到達点が上方へ移動し、下降距離Ｈが短くなる。
また、ヒートシンク６を載置したときにおけるシート１０の伸び量（変形量）の最大値、つまり載置部１０ａの下降到達点は、シート１０の弾性率を変更することによっても調整することができる。弾性率の低いシート１０に変更すると、接続部１０ｂの延びが長くなるため、載置部１０ａの下降到達点が下方へ移動し、下降距離Ｈが長くなる。また逆に、弾性率の高いシート１０に変更すると、接続部１０ｂの延びが短くなるため、載置部１０ａの下降到達点が上方へ移動し、下降距離Ｈが短くなる。
つまり、シート１０の端部１０ｃのうち変形可能な部分の面積およびシート１０の弾性率の少なくとも一方を変更することにより、載置部１０ａの下降距離Ｈを調整することができる。
従って、ＩＣチップ３の厚さ、または、実装高さが変更された場合、あるいは、ＩＣチップ３の表面が傾斜している場合であっても、ヒートシンク６を熱伝導性シリコーンゲル５を介してＩＣチップ３の上にバランス良く配置することができる。
次に、複数のバネ７をヒートシンク６の表面６ａに均等に配置し、蓋８ｉによって開口部８ｊを閉塞する（図１）。蓋８ｉは、ハウジング本体８の表面のうち、開口部８ｊの周縁に接着剤またはボルトやネジなどの取付手段によって取付ける。これにより、各バネ７は、蓋８ｉとヒートシンク６との間で圧縮された状態となり、各バネ７の復元力によってヒートシンク６がＩＣチップ３の表面に向けて押圧された状態になる。
これにより、ヒートシンク６がシート１０の載置部１０ａの表面に密着され、載置部１０ａが熱伝導性シリコーンゲル５を押圧するため、ヒートシンク６が載置部１０ａおよび熱伝導性シリコーンゲル５を介してＩＣチップ３の上に固定される。
また、ＩＣチップ３、シート１０およびヒートシンク６の密着度が高まり、ＩＣチップ３から発生した熱のヒートシンク６に対する伝導率が高くなる。また、ヒートシンク６に伝導した熱を各バネ７を通じて蓋８ｉに伝導させ、蓋８ｉを通じてハウジング本体８から放熱することができる。さらに、ヒートシンク６の配置姿勢が崩れるおそれがない。
また、ヒートシンク６の上端は、凹部８ａの中に突出した状態になり、ヒートシンク６の上端の側面が凹部８ａの内壁面８ｂと接触した状態になる。これにより、ヒートシンク６に伝導した熱を内壁面８ｂを通じてハウジング本体８に伝導させることができるため、放熱効率を高めることができる。さらに、各バネ７は鋼などの熱伝導率の高い材料により形成されているため、ヒートシンク６の熱を各バネ７を介してハウジング９に効率良く伝導して放熱することができる。
［第１実施形態の効果］
（１）上述のように、第１実施形態の電子装置１は、ヒートシンク６の表面６ａと、その表面６ａと対向するハウジング本体８の裏面８ｈに形成された凹部８ａの底面８ｋとの間に熱伝導性シリコーンゲル５より低い弾性率の複数のバネ７が介在されてなる。また、熱伝導性シリコーンゲル５より低い弾性率のシート１０が、ヒートシンク６と熱伝導性シリコーンゲル５との間に介在されており、かつ、シート１０の少なくとも両端がＩＣチップ３の配置されている側のハウジング本体８の裏面８ｈに取り付けられてなる。
このため、環境温度の変化により回路基板２の基板面に発生した反りに起因する応力がＩＣチップ３に及んだ場合であっても、ヒートシンク６がバネ７およびシート１０の各弾性力に抗しながらハウジング本体８の裏面８ｈに向けて変位する（逃げる）ことができるため、回路基板２からＩＣチップ３に作用する応力およびハウジング９からヒートシンク６を介してＩＣチップ３に作用する応力を緩和することができる。
従って、応力によるＩＣチップ３のダメージをなくすことができる電子装置を実現することができる。
（２）また、回路基板２をハウジング本体８の内部に収容した後に、ハウジング本体８の開口部８ｊからヒートシンク６を挿入してＩＣチップ３の表面に取付けることができるため、ＩＣチップ３の傾きや実装高さの誤差などに起因する応力がハウジング９からヒートシンク６を介してＩＣチップ３に作用するおそれがない。
（３）さらに、ヒートシンク６をハウジング９の外部から開口部８ｊに挿入してシート１０の上に載置するだけで自動的にヒートシンク６をＩＣチップ３の表面に配置することができる。
（４）さらに、シート１０はヒートシンク６の自重によって変形する性質を有するため、回路基板２の歪み、あるいは、実装誤差などによってＩＣチップ３の表面が傾いている場合であっても、シート１０は、その傾きに追従して変形するので、ヒートシンク６をその底面がＩＣチップ３の表面に沿うように取付けることができる。
（５）さらに、ＩＣチップ３に作用する応力をバネ７およびシート１０によって緩和することができることから、熱伝導性シリコーンゲル５の厚さを薄くすることができるため、その分、熱伝導性シリコーンゲル５における熱伝導率を高めることができるので、放熱効果を高めることができる。
（６）さらに、ヒートシンク６の上端が、凹部８ａの内部に配置されているため、ヒートシンク６が上方へ変位するために必要な隙間をハウジング本体８の裏面８ｈとヒートシンク６の表面６ａとの間に形成する必要がないのでハウジング９の厚さを薄くすることができる。
（７）さらに、ヒートシンク６が凹部８ａの内壁面８ｂと接触しているため、ヒートシンク６に伝導した熱を内壁面８ｂに伝導させ、ハウジング９から放熱することができる。
従って、ヒートシンク６に伝導した熱をバネ７のみに伝導させる構造よりも放熱効率を高めることができる。
（８）さらに、バネ７は、熱伝導性シリコーンゲル５よりも熱伝導率が高いため、ヒートシンク６とハウジング本体８との間にバネ７を介在させることにより、放熱効率が低下するおそれがない。
＜第２実施形態＞
次に、この発明の第２実施形態について図４を参照して説明する。
図４は、この第２実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。なお、以下に説明する各実施形態では、第１実施形態の電子装置１と同じ部分の説明を省略し、同じ構成については同じ符号を用いて説明する。
凹部８ａは、その底部８ｋの幅よりも開口面の幅の方が狭くなるように形成されている。つまり、内壁面８ｂが、開口面に近付くにつれて径が小さくなるテーパ面を形成している。また、ヒートシンク６の上端には鍔状に形成された鍔部６ｃが形成されており、その鍔部６ｃの側面は、上端に近付くにつれて径が大きくなるテーパ面を形成している。
ヒートシンク６をハウジング本体８の開口部８ｊから挿入し、シート１０の載置部１０ａに載置すると、載置部１０ａはヒートシンク６の自重によって下降する。このとき、ヒートシンク６は、自身の鍔部６ｃが凹部８ａの内壁面８ｂと重なったときに下降を停止する。
ヒートシンク６の下降停止位置は、ヒートシンク６が載置された載置部１０ａが熱伝導性シリコーンゲル５に充分に接着され、かつ、ＩＣチップ３にヒートシンク６の過度の荷重が掛からない程度の位置に設定されている。ヒートシンク６の下降停止位置は、鍔部６ｃおよび内壁面８ｂの各テーパ面の傾斜角度を変更することによって調整することができる。
このように、ヒートシンク６の下降位置を制限することができる。このため、シート１０の端部１０ｃの接着幅Ｌが不足していたり、接続部１０ｂの弾性率が不足しているなど、シート１０が所期の効果を発揮できなくなっている場合であっても、ヒートシンク６が下降時にＩＣチップ３にダメージを与えるおそれがない。
また、この第２実施形態の電子装置は、凹部８ａおよびヒートシンク６の形状以外は前述の第１実施形態の電子装置１と同じ構造であるため、第１実施形態の効果（１）ないし（８）と同じ効果を奏することができる。
＜第３実施形態＞
次に、この発明の第３実施形態について図５を参照して説明する。
図５は、この第３実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。
この電子装置は、発熱量が大きいＩＣチップに対応して比較的大型で重量のあるヒートシンクを備える構成である。凹部８ａの開口面の周縁には、薄板状の薄板部８ｄが形成されている。ヒートシンク６の上端には鍔状に形成された鍔部６ｄが形成されており、鍔部６ｄは薄板部８ｄの上に係止されている。
ヒートシンク６をハウジング本体８の開口部８ｊから挿入し、シート１０の載置部１０ａに載置すると、載置部１０ａはヒートシンク６の自重によって下降する。このとき、ヒートシンク６は、自身の鍔部６ｄが凹部８ａの薄板部８ｄと重なったときに下降を停止する。
ヒートシンク６の下降停止位置は、ヒートシンク６が載置された載置部１０ａが熱伝導性シリコーンゲル５に充分に接着され、かつ、ＩＣチップ３にヒートシンク６の過度の荷重が掛からない程度の位置に設定されている。
薄板部８ｄはヒートシンク６の下降位置を制限するとともに、上下方向に撓む弾性を有する。このため、シート１０の端部１０ｃの接着幅Ｌが不足していたり、シート１０の弾性が不足していたりするなど、シート１０が所期の効果を発揮できなくなっている場合であっても、ヒートシンク６が下降時にＩＣチップ３にダメージを与えるおそれがない。
また、ヒートシンク６の鍔部６ｄを薄板状に形成し、薄板部８ｄおよび鍔部６ｄの各弾性率の少なくとも一方を変更することにより、ヒートシンク６の重量が掛かったときの弾性力を調整することができる。また、この第３実施形態の電子装置は、凹部８ａおよびヒートシンク６の形状、大きさおよび重量以外は前述の第１実施形態の電子装置１と同じ構造であるため、第１実施形態の効果（１）ないし（６）および（８）と同じ効果を奏することができる。さらに、ヒートシンク６の鍔部６ｄが凹部８ａの薄板部８ｄと接触しているため、ヒートシンク６に伝導した熱をハウジング９から放熱することができる。従って、ヒートシンク６に伝導した熱をバネ７のみに伝導させる構造よりも放熱効率を高めることができる。
＜第４実施形態＞
次に、この発明の第４実施形態について図６を参照して説明する。
図６は、この第４実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。
シート１０は、中央部が開口形成されており、その周縁１０ｄがヒートシンク６の表面６ａに予め取付けられている。シート１０は蓋８ｉとハウジング本体８との間に挟まれることにより固定されており、ヒートシンク６はシート１０の周縁１０ｄから延びる接続部１０ｅによって吊り下げられている。
一方の手で摘むことができるような突起部などをヒートシンク６の表面６ａに設けておき、その突起部を摘んでヒートシンク６の底面を開口部８ｊに挿入した状態を作る。
そして、他方の手でシート１０をハウジング本体８の表面に押さえ付け、突起部を摘んでいる手をゆっくりと放す。すると、ヒートシンク６は下降するが、シート１０の接続部１０ｅの弾性によってＩＣチップ３の上に衝撃なく接着される。ヒートシンク６の接着が終了したら、バネ７および蓋９を取付けるが、シート１０を挾んだ状態で蓋９をハウジング本体８に取付けても良いし、シート１０の接続部１０ｅを切断し、シート１０をハウジング本体８の表面に残さないようにしても良い。
上記のように、第４実施形態の電子装置によれば、シート１０をハウジング本体８の裏面８ｈに取り付けておく作業が不要である。また、ヒートシンク６と熱伝導性シリコーンゲル５との間にシート１０の載置部１０ａが介在されないため、ＩＣチップ３とヒートシンク６との間の熱伝導率を高めることができる。さらに、ヒートシンク６とＩＣチップ３との接着力を高めることもできる。また、上記の第４実施形態の電子装置は、ヒートシンク６およびシート１０の構造以外は前述の第１実施形態の電子装置１と同じ構造であるため、第１実施形態の効果（１）、（２）および（４）ないし（８）と同じ効果を奏することができる。
＜第５実施形態＞
次に、この発明の第５実施形態について図７を参照して説明する。
図７は、この第５実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。
凹部８ａには、熱伝導性のゴム１２が介在されている。ゴム１２は、高温時は低弾性で低温時は高弾性であるゴムの特性を活かすことができる。つまり、回路基板２をハウジング本体８に収容するときは、ＩＣチップ３は発熱しておらず、ゴム１２は低温で高弾性の状態である。このため、回路基板２の歪みなどを起因とするＩＣチップ３に対する応力を、ヒートシンク６がゴム１２の弾性力に抗しながら上方へ変位することにより緩和することができる。また、回路基板２に実装された回路が動作中であり、ＩＣチップ３が発熱しているときは、ヒートシンク６の熱がゴム１２に伝導し、ゴム１２が高温で低弾性に変化する。このため、ゴム１２によって適度の押圧力がヒートシンク６に掛かるため、ヒートシンク６およびＩＣチップ３の密着度を高めることができる。
上記の第５実施形態の電子装置によれば、ゴム１２の厚さおよび素材を変更することにより、ＩＣチップ３に及ぶ応力の大きさの変化に応じてゴム１２の弾性率を調整することができる。また、上記の第５実施形態の電子装置は、バネ７に代えてゴムが凹部に介在された構造以外は前述の第１実施形態の電子装置１と同じ構造であるため、バネ７をゴム１２に読み替える第１実施形態の効果（１）ないし（７）と同じ効果を奏することができる。
＜第６実施形態＞
次に、この発明の第６実施形態について図８を参照して説明する。
図８は、この第６実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。
ハウジング本体８には、バネ７を挿入するための挿入口８ｅが貫通形成されている。ハウジング本体８の裏面８ｈに取付けたシート１０の載置部１０ａの上に予めヒートシンク６を載置しておく。また、接続部１０ｂは、回路基板２をハウジング本体８の内部に取付けたときにヒートシンク６を載置した載置部１０ａがＩＣチップ３上の熱伝導性シリコーンゲル５に接着され、かつ、ヒートシンク６とハウジング本体８との間に空間８ｇが形成される長さに設定しておく。
そして、ヒートシンク６をＩＣチップ３の上に配置した後、挿入口８ｅからバネ７を挿入し、挿入口８ｅを蓋１５によって閉塞する。このとき、バネ７は蓋１５とヒートシンク６との間で圧縮され、そのバネ力によってヒートシンク６が押圧され、ヒートシンク６、載置部１０ａ、熱伝導性シリコーンゲル５およびＩＣチップ３が相互に密着される。また、ヒートシンク６に伝導した熱は、シート１０およびバネ７を介してハウジング９から放熱される。
上記の第６実施形態の電子装置によれば、予めシート１０の載置部１０ａにヒートシンク６を載置しておくため、回路基板２をハウジング本体８の内部に取付けた後にハウジング本体８の開口部からヒートシンク６を挿入して取付ける作業が不要である。また、ヒートシンク６を挿入するための開口部をハウジング本体８に形成する必要がない。また、上記の第６実施形態の電子装置は、第１実施形態の効果（１）、（４）、（５）および（８）を奏することができる。
＜第７実施形態＞
次に、この発明の第７実施形態について図９を参照して説明する。
図９は、この第７実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。
前述の第６実施形態の電子装置を構成する空間８ｇに弾性体のペースト１６が注入されている。このように、ヒートシンク６とハウジング本体８との間に形成された空間８ｇに弾性体のペースト１６を注入することにより、バネ７の弾性力不足を補うことができる。また、この第７実施形態の電子装置は、第６実施形態と同じ効果を奏することができる。なお、ペースト１６は弾性体の性能を持つ熱伝導性ペーストでも良い。
＜第８実施形態＞
次に、この発明の第８実施形態について図１０を参照して説明する。
図１０は、この第８実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。
前述の第６実施形態の電子装置を構成するバネ７の下端には、少なくとも裏面が平面に形成された熱伝導性の板状部材１７が取付けられている。また、板状部材１７の裏面とヒートシンク６との間には、熱伝導性で球状のベアリング１８が転動自在に介在されている。ベアリング１８は、ヒートシンク６の表面に形成された球面状の窪みに収容されている。つまり、バネ７とヒートシンク６とを接続する部分がベアリング１８によって遊動状態になっている。
従って、回路基板２の反りによる応力あるいは実装誤差によりＩＣチップ３が傾いている場合であっても、バネ７とヒートシンク６とを接続する部分が傾きに追従して姿勢を変化させるため、バネ７のバネ力がヒートシンク６に正確に伝達されなってしまうおそれがない。また、この第８実施形態の電子装置は、第６実施形態と同じ効果を奏することができる。
なお、ベアリング１８はヒートシンク６の表面に形成された球面状の窪みに転動不能に固定しても良い。また、ベアリング１８を用いずに、ヒートシンク６の表面または板状部材１７の裏面の一方に球状などの突起部を形成しても良い。
＜第９実施形態＞
次に、この発明の第９実施形態について図１１を参照して説明する。
図１１は、この第９実施形態に係る電子装置におけるシート１０の構造を示す説明図である。
シート１０の載置部１０ａが複数回折り返され、蛇腹状に形成されている。このように形成することにより、接続部１０ｂの長さを調節することができる。また、載置部１０ａの弾性力を調節することもできる。さらに、載置部１０ａにおける折り返しの回数を変更することにより、接続部１０ｂの長さおよび載置部１０ａの弾性力を微調整することができる。このシート１０の構造は、前述の第４実施形態を除く第１ないし第８実施形態の電子装置に適用することができ、各実施形態の効果を喪失させるものではない。
＜第１０実施形態＞
次に、この発明の第１０実施形態について図１２を参照して説明する。
図１２は、この第１０実施形態に係る電子装置の説明図であり、（ａ）は要部の説明図、（ｂ）はシート１０の構造を示す説明図である。
図１に示したように、回路基板２に大きさの異なるＩＣチップ３が実装される場合は、ヒートシンク６はＩＣチップ３の大きさに対応して大きさおよび重量が異なる。このような場合は、同じシート１０によっては総てのヒートシンク６の取付けに対応することができない場合が起こりうる。そこで、シート１０にスリット１０ｆを形成することにより、シート１０の弾性率を調節し、重量の異なるヒートシンク６に対応する。
図１２（ｂ）に示すように、シート１０は四角形に形成されており、その中央に四角形の載置部１０ａが形成されている。シート１０の外周を形成する各辺と、載置部１０ａの外周を形成する各辺との間にスリット１０ｆがそれぞれ形成されている。隣接するスリット１０ｆ間には接続部１０ｂが形成されている。つまり、載置部１０ａは、各接続部１０ｂによってシート１０の端部１０ｃと接続されている。
スリット１０ｆの大きさを変更することによって接続部１０ｂの短手方向の幅（断面積）を調節し、接続部１０ｂの延びる長さ、つまり載置部１０ａに載置されたヒートシンク６の下降量の最大値を調節することができる。また、スリット１０ｆの大きさを変更することによって載置部１０ａの大きさを調節し、ヒートシンク６の大きさに対応することができる。例えば、相対的に重量の重いヒートシンク６の配置に適用する場合は、接続部１０ｂの短手方向の幅が広くなるように各スリット１０ｆを形成し、逆に、重量の軽いヒートシンク６の場合は、接続部１０ｂの短手方向の幅が狭くなるように各スリット１０ｆを形成する。
この実施形態の電子装置は上記の構造であるため、同じ回路基板上に大きさまたは重量の異なるヒートシンク６を配置する場合であっても、シート１０にスリットを形成して各ヒートシンク６の配置に対応することができるので、ヒートシンク毎にシート１０を製造する必要がないので製造コストを削減することができる。このシート１０の構造は、前述の第４実施形態を除く第１ないし第９実施形態の電子装置に適用することができ、各実施形態の効果を喪失させるものではない。
なお、幅の広いスリット１０ｆを１つ形成する代わりに幅の狭いスリット１０ｆを複数形成しても良い。また、スリットに代えて貫通孔を形成しても良い。さらに、シート１０はメッシュ状でも良く、網目の粗さを変更することにより、弾性率を調整することもできる。
＜第１１実施形態＞
次に、この発明の第１１実施形態について図１３を参照して説明する。
図１３は、この第１１実施形態に係る電子装置の要部を示す説明図である。
ヒートシンク６がゴム１４によってハウジング本体８と接続されている。ヒートシンク６は、ハウジング本体８に開口部８ｊ（凹部８ａ）を形成したときにハウジング本体８から削除されたものである。つまり、開口部８ｊをプレス加工によって打ち抜いて形成する場合は、その打抜き片をヒートシンク６として利用する。
先ず開口部８ｊの向かい合う２辺を打ち抜く。次に、その打ち抜いた辺を跨ぐようにしてゴム１４の両端をハウジング本体８の表面に取付ける作業を打ち抜いた２辺に対してそれぞれ行う。つまり、ヒートシンク６として打ち抜く部分とハウジング本体８とをゴム１４によって繋ぎ止める。そして、残りの向かい合う２辺を打ち抜く。次に、その打ち抜いた辺を跨ぐようにしてゴム１４の両端をハウジング本体８の裏面８ｈに取付ける作業を打ち抜いた２辺に対してそれぞれ行う。
このように、ハウジング本体８に開口部８ｊを形成するときにハウジング本体８から削除されたものをヒートシンク６として利用するため、ヒートシンク６を別途製造する必要がなく、電子装置の製造コストを低減することができる。このヒートシンク６の製造方法は、前述の第２および第３実施形態を除く第１ないし第１０実施形態の電子装置に適用することができ、各実施形態の効果を喪失させるものではない。なお、ゴム１４は紐状でも良いし、シート状でも良い。
＜第１２実施形態＞
次に、この発明の第１２実施形態について図１４を参照して説明する。
図１４は、この第１２実施形態に係る電子装置の説明図であり、（ａ）は変形前のヒートシンクの説明図、（ｂ）は変形後のヒートシンクの説明図、（ｃ）は要部を示す説明図である。
ヒートシンク６の両側面の相対向する上端からは、薄肉で板状のバネ６ｅがそれぞれ外方へ延出している。各バネ６ｅはヒートシンク６の一部を加工して形成される。各バネ６ｅはウィング状に形成されており、図１４（ｂ）に示すように、各バネ６ｅの先端が上方を向くように変形させ、各バネ６ｅの先端間が近付いた状態にすることができる。この状態になると、ヒートシンク６をハウジング本体８の開口部８ｊから挿入可能になる。
また、ハウジング本体８の裏面８ｈには、各バネ６ｅの先端を係止するための係止部１３がそれぞれ配置されている。
例えば各バネ６ｅの先端を指などで摘んで上記の状態を維持しながらヒートシンク６を開口部８ｊから挿入する。そして、各バネ６ｅの先端が開口部８ｊを通過したときに、各バネ６ｅの先端を摘んでいた指を先端から放すと、各バネ６ｅは復元力によって元の形状に復帰しようとし、各バネ６ｅの先端が係止部１３にそれぞれ係止される。
このとき、既にヒートシンク６の底面がシート１０を介して熱伝導性シリコーンゲル５を押圧しているため、各バネ６ｅが元の形状に復帰しようとするバネ力がヒートシンク６を下降させる力に変化し、ヒートシンク６がシート１０を介して熱伝導性シリコーンゲル５を押圧する。これにより、ヒートシンク６、シート１０、熱伝導性シリコーンゲル５およびＩＣチップ３が相互に密着した状態になる。
このように、第１２実施形態の電子装置によれば、ヒートシンク６自身がバネ７の役割をも果たすため、バネ７を別途製造する必要がないので製造コストを削減することができる。また、ヒートシンク６を開口部８ｊから挿入し、各バネ６ｅの先端を係止部１３に係止するだけでヒートシンク６自身がバネ７の作用をするため、ヒートシンク配置後にバネ７を配置する作業が不要である。さらに、開口部８ｊを閉塞する蓋の製造および取付が不要であるため、電子装置の製造コストをより一層削減することができ、かつ、製造効率をより一層高めることができる。なお、ヒートシンク６を配置する際に特にシート１０を使用しなくても良い。また、蓋で開口部８ｊを閉塞しても良い。
＜他の実施形態＞
（１）前述の各実施形態では、フリップチップ実装方法により実装されたＩＣチップにヒートシンクが配置された構造に本発明を適用した場合を説明したが、本発明は、ＣＳＰ(Chip Size Package)、ＰＳＯＰ(Power Small Outline Package)、ＰＱＦＰ(Power Quad Flat Package)およびＢＧＡ(Ball Grid Array)などの多種パッケージにも適用することができる。
（２）バネ７は、板バネなど、コイル状以外の形状のバネでも良い。また、ゴムなどの弾性体を点在させた構造でも良い。
（３）第５実施形態において、蓋８ｉおよびゴム１２を一体形成することもできる。また、蓋８ｉおよびゴム１２からなる部分をゴムによって一体形成し、そのゴムの弾力によって開口部に栓をする方法でも良い。
（４）前述の各実施形態では、予め熱伝導性シリコーンゲル５をＩＣチップ３の表面に塗布してからヒートシンク６をＩＣチップ３の表面に取付ける方法を説明したが、ヒートシンク６の底面に熱伝導性シリコーンゲル５を塗布してからヒートシンク６をＩＣチップ３の表面に取付ける方法でも良い。
この方法を採用した場合も前述の各実施形態と同じ効果を奏することができる。また、熱伝導性シリコーンゲル５をヒートシンク６の底面に塗布してからヒートシンク６をＩＣチップ３の表面に取付けるため、熱伝導性シリコーンゲル５の性状が最適なときにヒートシンク６をＩＣチップ３の表面に取付けることができる。例えば、空気と接触してから相当時間経過後に硬化する性質の熱伝導性材料を用いる場合は、熱伝導性材料が硬化する前にヒートシンク６をＩＣチップ３の表面に取付けることができる。
（５）前述の各実施形態において記載した各種の材料、各部材の形状および大きさなどは、一例であり、本発明の効果を奏することができる範囲内で変更することができる。
本発明の実施形態に係る電子装置の内部構造を示す説明図である。 図１に示す電子装置の要部の説明図である。 ヒートシンクの取付工程を示す説明図であり、（ａ）はヒートシンクを取付ける前の電子装置の内部構造を示す説明図、（ｂ）はハウジングの開口部の説明図、（ｃ）はハウジングの開口部からヒートシンクを挿入したところの説明図である。 第２実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第３実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第４実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第５実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第６実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第７実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第８実施形態に係る電子装置の構造の要部を示す説明図である。 第９実施形態に係る電子装置におけるシート１０の構造を示す説明図である。 第１０実施形態に係る電子装置の説明図であり、（ａ）は要部の説明図、（ｂ）はシート１０の構造を示す説明図である。 第１１実施形態に係る電子装置の要部を示す説明図である。 第１２実施形態に係る電子装置の説明図であり、（ａ）は変形前のヒートシンクの説明図、（ｂ）は変形後のヒートシンクの説明図、（ｃ）は要部を示す説明図である。 従来の電子装置の要部を示す説明図である。
符号の説明
１・・電子装置、２・・回路基板、３・・ＩＣチップ（電子部品）、
４・・アンダーフィル、５・・熱伝導性シリコーンゲル（熱伝導性材料）、
６・・ヒートシンク（熱伝導部材）、７・・バネ（弾性部材）、８ａ・・凹部、
８ｉ・・蓋、９・・ハウジング、１０・・シート（シート状部材）。

Claims (8)

  1. 発熱する電子部品が実装された回路基板と、
    熱伝導性材料によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を伝導するための熱伝導部材と、
    前記回路基板が収容されたハウジングと、を備えており、前記熱伝導部材に伝導した熱を前記ハウジングを介して放熱する電子装置において、
    前記熱伝導部材の表面と、前記ハウジングの裏面との間に前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材が介在されてなることを特徴とする電子装置。
  2. 発熱する電子部品が実装された回路基板と、
    熱伝導性材料によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を伝導するための熱伝導部材と、
    前記回路基板が収容されたハウジングと、を備えており、前記熱伝導部材に伝導した熱を前記ハウジングを介して放熱する電子装置において、
    前記熱伝導部材の表面と対向する前記ハウジングの裏面には凹部が形成されており、
    前記熱伝導部材の上端が、前記凹部の内部に配置されており、
    前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材が、前記熱伝導部材の表面と前記凹部の底面との間に介在されてなることを特徴とする電子装置。
  3. 前記熱伝導部材が、前記凹部の内壁面と接触してなることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
  4. 前記熱伝導性材料より低い弾性率のシート状部材が、前記熱伝導部材と前記熱伝導性材料との間に介在されており、かつ、前記シート状部材の少なくとも両端が前記電子部品の配置されている側の前記ハウジングに取り付けられてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の電子装置。
  5. 前記弾性部材は、前記熱伝導性材料よりも熱伝導率が高いことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載の電子装置。
  6. 発熱する電子部品が実装された回路基板と、
    前記電子部品の表面に配置された熱伝導性材料と、
    この熱伝導性材料によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を放熱させるための熱伝導部材と、
    前記回路基板が収容されたハウジングと、を備えた電子装置の製造方法において、
    前記電子部品の表面に前記熱伝導性材料が配置された前記回路基板と、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材と、前記熱伝導部材と、前記電子装置を前記ハウジングの内部に収容した際に前記熱伝導部材の表面と対向する部位に形成され、前記熱伝導部材を挿入可能な開口部が形成された前記ハウジングとを用意し、
    前記回路基板を前記ハウジングの内部に収容する第１工程と、
    前記熱伝導部材を前記ハウジングの外部から前記開口部を介して前記電子部品の表面に配置する第２工程と、
    前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材を前記開口部から挿入して前記熱伝導部材の表面に配置する第３工程と、
    蓋で前記開口部を覆い、前記蓋の裏面と前記熱伝導部材の表面との間で前記弾性部材が圧縮された状態にする第４工程と、
    を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  7. 発熱する電子部品が実装された回路基板と、
    前記電子部品の表面に配置された熱伝導性材料と、
    この熱伝導性材料によって前記電子部品の表面に取付けられており、前記電子部品から発生する熱を放熱させるための熱伝導部材と、
    前記回路基板が収容されたハウジングと、を備えた電子装置の製造方法において、
    前記回路基板と、前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材と、底面に前記熱伝導性材料が配置された前記熱伝導部材と、前記電子装置を前記ハウジングの内部に収容した際に前記熱伝導部材の表面と対向する部位に形成され、前記熱伝導部材を挿入可能な開口部が形成された前記ハウジングとを用意し、
    前記回路基板を前記ハウジングの内部に収容する第１工程と、
    前記熱伝導部材を前記ハウジングの外部から前記開口部を介して前記電子部品の表面に配置する第２工程と、
    前記熱伝導性材料より低い弾性率の熱伝導性の弾性部材を前記開口部から挿入して前記熱伝導部材の表面に配置する第３工程と、
    蓋で前記開口部を覆い、前記蓋の裏面と前記熱伝導部材の表面との間で前記弾性部材が圧縮された状態にする第４工程と、
    を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  8. 前記開口部の裏面は、前記熱伝導性材料より低い弾性率を有するとともに前記熱伝導部材の自重によって変形する性質のシート状部材によって覆われており、
    前記第２工程は、
    前記熱伝導部材を前記ハウジングの外部から前記開口部を介して前記シート状部材の上に載置し、その熱伝導部材が載置された前記シート状部材を変形させて前記電子部品の表面に到達させることにより、前記熱伝導部材を前記シート状部材を介して前記電子部品の表面に配置する工程であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電子装置の製造方法。
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