JP2009026669A - Electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device capable of suppressing irregularities in emitting characteristics, and to provide an electronic equipment equipped with the same. <P>SOLUTION: An organic EL device 11 has a glass substrate, a circuit-device layer, a light-emitting element layer, and a negative electrode. The light-emitting element layer consists of a function layer formed on a pixel electrode 32, and a bank 34 partitioning the function layer. The bank 34 has a first lower bank 41, a second lower bank 42, and an upper bank 43. Further, the bank 34 is formed in a track having emitting regions 12 with different aspect ratios and regions of circular arcs 44 formed at the short side of the emitting region 12. The first lower bank 41, the second lower bank 42, and the upper bank 43 are formed stepwise in the region of each circular arc 44. The first lower bank 41 and the upper bank 43 are formed stepwise in the region of the line 45. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、バンクの開口部に機能層が形成された電気光学装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus in which a functional layer is formed in an opening of a bank.

上記した電気光学装置の一つに、有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置がある。有機EL装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機EL装置の製造方法としては、例えば、発光材料をインク化し、インクジェット法を用いてインクを基板上の発光領域に吐出する工程を有して形成される。基板上の発光領域には、所定部分にインクを充填するための、例えば、有機材料(例えば、アクリル樹脂)からなるバンクが形成されている。   One of the electro-optical devices described above is an organic EL (electroluminescence) device. The organic EL device has a structure in which a light emitting layer made of a light emitting material is sandwiched between an anode and a cathode. As a manufacturing method of the organic EL device, for example, the method includes forming a light emitting material into an ink and discharging the ink to a light emitting region on a substrate using an ink jet method. In the light emitting region on the substrate, for example, a bank made of an organic material (for example, acrylic resin) for filling ink in a predetermined portion is formed.

バンクは、発光領域に相当する領域において、例えば、長辺と短辺とを有するトラック状の開口部が形成されている。短辺側に形成されている円弧の内側は、インクの濡れ性が悪く、インクが充填しにくいという問題がある。これにより、開口部に吐出されたインクの厚みにばらつきが生じ、その結果、均一な発光を得ることができない。   In the bank, in a region corresponding to the light emitting region, for example, a track-shaped opening having a long side and a short side is formed. The inside of the arc formed on the short side has a problem that ink wettability is poor and ink is difficult to fill. This causes variations in the thickness of the ink ejected to the opening, and as a result, uniform light emission cannot be obtained.

そこで、例えば、特許文献1に記載のように、バンクの開口部にインクを充填させやすくするための無機材料(例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜)を、アクリル樹脂のバンクの下側に二層(以下、「二層バンク」と称する。)、階段状に露出させて形成することにより、円弧の領域におけるインクの濡れ性を向上させてバンク内の膜厚を均一にさせる方法が知られている。   Thus, for example, as described in Patent Document 1, an inorganic material (for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film) for facilitating filling of the opening of the bank with two inks is provided below the acrylic resin bank. A method is known in which a layer (hereinafter referred to as a “two-layer bank”) is exposed stepwise to improve ink wettability in a circular arc region and to make the film thickness uniform in the bank. ing.

特開2005−158494号公報JP 2005-158494 A

しかしながら、高精細化に伴って発光領域が小さくなってくると、バンクの開口部を小さくする必要があり、特に開口部における幅が狭い側(長辺側)に露出する二層バンクの張り出し量の精度によって、吐出されたインクの厚みにばらつきが生じる。その結果、均一に発光することができない(発光特性にばらつきが生じる)という問題がある。また、階段状に二層バンクを形成することにより、発光領域側に張り出す量が多くなり、特に開口部における幅が狭い側の開口率が低下するという問題がある。   However, as the light emitting area becomes smaller with higher definition, it is necessary to make the opening of the bank smaller, and in particular, the amount of overhang of the two-layer bank exposed on the narrow side (long side) of the opening Depending on the accuracy, the thickness of the ejected ink varies. As a result, there is a problem that light cannot be emitted uniformly (the light emission characteristics vary). In addition, by forming the two-layer bank in a stepped manner, there is a problem that the amount of protrusion to the light emitting region side is increased, and in particular, the aperture ratio on the narrow side of the opening portion is lowered.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、複数の発光領域を有する電気光学装置であって、基板と、前記基板上のうち前記発光領域を除いた領域に形成されると共に、前記発光領域を取り囲むように形成されたバンクと、前記バンクに囲まれた開口部に配置された機能層と、を備え、前記バンクは、上層バンクと、前記上層バンクより濡れ性の高い複数層の下層バンクとを有し、前記下層バンクは、前記開口部における第1領域に露出する前記下層バンクの層数と比較して、第2領域に露出する前記下層バンクの層数が少ないことを特徴とする。   Application Example 1 An electro-optical device according to this application example is an electro-optical device having a plurality of light emitting regions, and is formed on a substrate and a region on the substrate excluding the light emitting region. A bank formed so as to surround the light emitting region, and a functional layer disposed in an opening surrounded by the bank, the bank including an upper layer bank and a plurality of layers having higher wettability than the upper layer bank. A lower layer bank, and the lower layer bank has a smaller number of layers of the lower layer bank exposed in the second region than a number of layers of the lower layer bank exposed in the first region in the opening. And

この構成によれば、開口部における第1領域に少なくとも下層バンクが形成されているので、第1領域の下層バンクに液体を馴染ませることが可能となり、第1領域に液体を充填させることができる。よって、発光領域において液体の厚みのばらつきを抑えることができ、液体から機能層を形成した際に、厚みのばらつきが抑えられた機能層を得ることが可能となる。その結果、発光領域において均一に発光させることができる。更に、第2領域に露出する下層バンクの層数が少ないので、下層バンクの端部の張り出し量に起因する液体の厚みのばらつきを抑えることが可能となる。加えて、第2領域の開口面積を広くすることができる。   According to this configuration, since at least the lower layer bank is formed in the first region in the opening, the liquid can be made to conform to the lower layer bank of the first region, and the first region can be filled with the liquid. . Therefore, variation in the thickness of the liquid in the light emitting region can be suppressed, and when the functional layer is formed from the liquid, it is possible to obtain a functional layer in which the variation in thickness is suppressed. As a result, light can be emitted uniformly in the light emitting region. Furthermore, since the number of layers of the lower layer bank exposed in the second region is small, it is possible to suppress variations in the thickness of the liquid due to the amount of protrusion at the end of the lower layer bank. In addition, the opening area of the second region can be increased.

[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口部は、法線方向から見てコーナーを有し、前記第1領域は、前記開口部のうち前記コーナーの一部を含む領域であることが好ましい。   Application Example 2 In the electro-optical device according to the application example, the opening has a corner when viewed from the normal direction, and the first region includes a part of the corner of the opening. It is preferable that

この構成によれば、コーナーの一部を含む領域に少なくとも下層バンクが形成されているので、この領域の下層バンクに液体を馴染ませることが可能となり、液体が比較的充填しにくいコーナーの一部を含む領域に液体を充填させることができる。   According to this configuration, since at least the lower layer bank is formed in a region including a part of the corner, it becomes possible to allow the liquid to become familiar with the lower layer bank in this region, and a part of the corner that is relatively difficult to fill with liquid. The region containing can be filled with liquid.

[適用例3]上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口部は、法線方向から見て円弧を有し、前記第1領域は、前記開口部のうち前記円弧の一部を含む領域であることが好ましい。   Application Example 3 In the electro-optical device according to the application example, the opening has an arc when viewed from the normal direction, and the first region includes a part of the arc in the opening. It is preferable that

この構成によれば、円弧の一部を含む領域(円弧の内側の一部など)に少なくとも下層バンクが形成されているので、この領域の下層バンクに液体を馴染ませることが可能となり、液体が比較的充填しにくい円弧の一部の領域に液体を充填させることができる。   According to this configuration, since at least the lower layer bank is formed in a region including a part of the arc (such as a part inside the arc), it becomes possible to adjust the liquid to the lower layer bank in this region. The liquid can be filled into a partial region of the arc that is relatively difficult to fill.

[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口部は、法線方向から見て短辺と長辺とを有し、前記第1領域は、前記開口部のうち前記短辺側の領域であり、前記第2領域は、前記開口部のうち前記長辺側の領域であることが好ましい。   Application Example 4 In the electro-optical device according to the application example, the opening has a short side and a long side when viewed from the normal direction, and the first region includes the short side of the opening. It is preferable that the second region is a region on the long side of the opening.

この構成によれば、短辺側の領域に少なくとも下層バンクが形成されているので、長辺側の領域と比べて開口部の幅が狭く液体が比較的充填しにくい短辺側(第1領域)に液体を充填することができる。加えて、長辺側(第2領域)の領域に露出する下層バンクの層数が少ないので、長辺で挟まれた幅の狭い方向の開口率を高くすることができる。   According to this configuration, since at least the lower layer bank is formed in the region on the short side, the width of the opening is narrow compared to the region on the long side, and the short side (first region) is relatively difficult to fill with liquid. ) Can be filled with liquid. In addition, since the number of lower-layer banks exposed in the region on the long side (second region) is small, the aperture ratio in the narrow direction sandwiched between the long sides can be increased.

[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置において、前記下層バンクは、前記基板側から第1下層バンクと第2下層バンクとを有し、前記第2下層バンクの液体に対する接触角が、前記第1下層バンクの液体に対する接触角に比べて小さいことが好ましい。   Application Example 5 In the electro-optical device according to the application example, the lower layer bank includes a first lower layer bank and a second lower layer bank from the substrate side, and a contact angle with respect to the liquid of the second lower layer bank is The contact angle with respect to the liquid of the first lower layer bank is preferably small.

この構成によれば、第1領域に第1下層バンクより液体の接触角の小さい第2下層バンクが形成されているので、第1領域の液体の充填性を向上させることができる。   According to this configuration, since the second lower layer bank having a liquid contact angle smaller than that of the first lower layer bank is formed in the first region, the liquid filling property of the first region can be improved.

[適用例6]上記適用例に係る電気光学装置において、前記第1下層バンクは、シリコン酸化膜であり、前記第2下層バンクは、シリコン窒化膜であることが好ましい。   Application Example 6 In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the first lower layer bank is a silicon oxide film, and the second lower layer bank is a silicon nitride film.

この構成によれば、シリコン酸化膜と、シリコン酸化膜に比べて濡れ性の高いシリコン窒化膜であるので、2つの膜質の下層バンクを選択して形成することにより、液体の充填性、また、絶縁性、表面処理の好適性などを考慮することができる。   According to this configuration, since the silicon oxide film and the silicon nitride film having higher wettability than the silicon oxide film, by selecting and forming the lower bank of two film qualities, the liquid filling property, Insulation properties, suitability for surface treatment, and the like can be considered.

[適用例7]上記適用例に係る電気光学装置において、前記第1領域は、前記第2下層バンクが露出して形成されていることが好ましい。   Application Example 7 In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the first region is formed so that the second lower layer bank is exposed.

この構成によれば、比較的液体が充填しにくい第1領域に濡れ性の高い第2下層バンクを形成するので、第1領域に液体を充填させることができる。   According to this configuration, since the second lower layer bank having high wettability is formed in the first region that is relatively difficult to fill with liquid, the first region can be filled with liquid.

[適用例8]上記適用例に係る電気光学装置において、前記第1領域は、前記第1下層バンク及び前記第2下層バンクが露出して形成され、前記第2領域は、前記第1下層バンク又は前記第2下層バンクのどちらかが露出して形成されていることが好ましい。   Application Example 8 In the electro-optical device according to the application example, the first region is formed by exposing the first lower layer bank and the second lower layer bank, and the second region is the first lower layer bank. Alternatively, it is preferable that either one of the second lower layer banks is exposed.

この構成によれば、比較的液体が充填しにくい第1領域に二層の下層バンクが形成されているので、第1領域に液体を充填させることができる。一方、第2領域において第1下層バンクのみが形成されている場合、濡れ性の高い第2下層バンクを形成した場合のように、第2下層バンク上に無駄な液体が多くのることを抑えることができる。よって、効率良く液体を使用することができる。また、第2領域において第2下層バンクのみが形成されている場合、第2下層バンクに液体をより馴染ませることが可能となり、発光領域において液体の平坦性を向上させることができる。   According to this configuration, since the two-layer lower layer bank is formed in the first region that is relatively difficult to fill with liquid, the first region can be filled with liquid. On the other hand, when only the first lower layer bank is formed in the second region, it is possible to prevent a lot of wasted liquid on the second lower layer bank as in the case where the second lower layer bank having high wettability is formed. be able to. Therefore, the liquid can be used efficiently. Further, when only the second lower layer bank is formed in the second region, it becomes possible to make the liquid more familiar with the second lower layer bank, and the flatness of the liquid can be improved in the light emitting region.

[適用例9]本適用例に係る電気光学装置は、複数の発光領域を有する電気光学装置であって、基板と、前記基板上のうち前記発光領域を除いた領域に形成されると共に、前記発光領域を取り囲むように形成されたバンクと、前記バンクに囲まれた開口部に配置された機能層と、を備え、前記バンクは、上層バンクと、前記上層バンクより濡れ性の高い下層バンクとを有し、前記下層バンクは、前記開口部における第1領域において露出し、第2領域において露出していないことを特徴とする。   Application Example 9 An electro-optical device according to this application example is an electro-optical device having a plurality of light emitting regions, and is formed on a substrate and a region on the substrate excluding the light emitting region. A bank formed to surround the light emitting region, and a functional layer disposed in an opening surrounded by the bank, the bank including an upper layer bank and a lower layer bank having higher wettability than the upper layer bank, The lower layer bank is exposed in the first region in the opening and is not exposed in the second region.

この構成によれば、開口部における第1領域に下層バンクが露出しているので、第1領域の下層バンクに液体を馴染ませることが可能となり、第1領域に液体を充填させることができる。よって、発光領域において液体の厚みのばらつきを抑えることができ、液体から機能層を形成した際に、厚みのばらつきが抑えられた機能層を得ることが可能となる。その結果、発光領域において均一に発光させることができる。更に、第2領域に下層バンクが露出していないので、下層バンクの端部の張り出し量に起因する液体の厚みのばらつきを抑えることが可能となる。加えて、第2領域の開口面積を広くすることができる。   According to this configuration, since the lower layer bank is exposed in the first region in the opening, the liquid can be made to conform to the lower layer bank of the first region, and the liquid can be filled in the first region. Therefore, variation in the thickness of the liquid in the light emitting region can be suppressed, and when the functional layer is formed from the liquid, it is possible to obtain a functional layer in which the variation in thickness is suppressed. As a result, light can be emitted uniformly in the light emitting region. Furthermore, since the lower layer bank is not exposed in the second region, it is possible to suppress variations in the thickness of the liquid due to the amount of protrusion at the end of the lower layer bank. In addition, the opening area of the second region can be increased.

[適用例10]上記適用例に係る電気光学装置において、前記複数の発光領域の各々に対応して、前記基板の一方の面に形成された画素電極と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に設けられた共通電極とをさらに備え、前記機能層は少なくとも発光層を有することが好ましい。   Application Example 10 In the electro-optical device according to the application example, a pixel electrode formed on one surface of the substrate corresponding to each of the plurality of light emitting regions, and the pixel electrode sandwiching the functional layer It is preferable that the functional layer has at least a light emitting layer.

この構成によれば、発光層を挟んで配置された画素電極と共通電極とを有する、例えば、有機EL装置において、均一に発光を行うことができる。   According to this configuration, for example, in an organic EL device having a pixel electrode and a common electrode arranged with a light emitting layer interposed therebetween, light can be emitted uniformly.

[適用例11]本適用例に係る電子機器は、上記した電気光学装置を備えることを特徴とする。   Application Example 11 Electronic equipment according to this application example includes the above-described electro-optical device.

この構成によれば、開口率を向上させることができると共に、均一に発光させることが可能な電気光学装置を得ることができる。   According to this configuration, it is possible to obtain an electro-optical device that can improve the aperture ratio and emit light uniformly.

以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しながら説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の電気光学装置としての有機EL装置の一部の構造を示す模式断面図である。図2は、有機EL装置におけるバンクが形成された段階でのバンクの構造を示す模式図である。(a)は、有機EL装置を上方から見た模式平面図である。(b)は、(a)に示す有機EL装置のA−A断面に沿う模式断面図である。(c)は、(a)に示す有機EL装置のB−B断面に沿う模式断面図である。なお、図1は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、相対関係は度外視されている。以下、有機EL装置の構造を、図1、図2を参照しながら説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a partial structure of an organic EL device as an electro-optical device according to the first embodiment. FIG. 2 is a schematic diagram showing the bank structure at the stage where the bank is formed in the organic EL device. (A) is the schematic top view which looked at the organic electroluminescent apparatus from the upper direction. (B) is a schematic cross section along the AA section of the organic EL device shown in (a). (C) is a schematic cross section which follows the BB cross section of the organic electroluminescent apparatus shown to (a). In addition, FIG. 1 shows the cross-sectional positional relationship of each component, and the relative relationship is exaggerated. Hereinafter, the structure of the organic EL device will be described with reference to FIGS.

図1に示すように、有機EL装置11は、発光領域12において発光が行われ、基板13と、基板13上に形成された回路素子層14と、回路素子層14上に形成された発光素子層15と、発光素子層15上に形成された陰極(共通電極)16とを有する。基板13としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる(以下、「ガラス基板13」と称する。)。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 11 emits light in a light emitting region 12, a substrate 13, a circuit element layer 14 formed on the substrate 13, and a light emitting element formed on the circuit element layer 14. The layer 15 and the cathode (common electrode) 16 formed on the light emitting element layer 15 are included. Examples of the substrate 13 include a glass substrate having translucency (hereinafter referred to as “glass substrate 13”).

回路素子層14には、ガラス基板13上にシリコン酸化膜(SiO2)からなる下地保護膜17が形成され、下地保護膜17上にTFT(Thin Film Transistor)素子18が形成されている。詳しくは、下地保護膜17上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜19が形成されている。半導体膜19には、ソース領域21及びドレイン領域22が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域23となっている。 In the circuit element layer 14, a base protective film 17 made of a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on a glass substrate 13, and a TFT (Thin Film Transistor) element 18 is formed on the base protective film 17. Specifically, an island-shaped semiconductor film 19 made of a polysilicon film is formed on the base protective film 17. A source region 21 and a drain region 22 are formed in the semiconductor film 19 by introducing impurities. A portion where no impurity is introduced is a channel region 23.

更に、回路素子層14には、下地保護膜17及び半導体膜19を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜24が形成されている。ゲート絶縁膜24上には、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)などからなるゲート電極25(走査線)が形成されている。ゲート絶縁膜24及びゲート電極25上には、透明な第1層間絶縁膜26及び第2層間絶縁膜27が形成されている。第1層間絶縁膜26及び第2層間絶縁膜27は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)、チタン酸化膜(TiO2)などから構成されている。ゲート電極25は、半導体膜19のチャネル領域23に対応する位置に設けられている。 Further, a transparent gate insulating film 24 made of a silicon oxide film or the like covering the base protective film 17 and the semiconductor film 19 is formed on the circuit element layer 14. On the gate insulating film 24, a gate electrode 25 (scanning line) made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), or the like is formed. A transparent first interlayer insulating film 26 and second interlayer insulating film 27 are formed on the gate insulating film 24 and the gate electrode 25. The first interlayer insulating film 26 and the second interlayer insulating film 27 are composed of, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ), a titanium oxide film (TiO 2 ), or the like. The gate electrode 25 is provided at a position corresponding to the channel region 23 of the semiconductor film 19.

半導体膜19のソース領域21は、第1層間絶縁膜26及びゲート絶縁膜24を貫通して設けられたコンタクトホール28を介して、第1層間絶縁膜26上に形成された信号線29と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域22は、第2層間絶縁膜27、第1層間絶縁膜26、ゲート絶縁膜24を貫通して設けられたコンタクトホール31を介して、第2層間絶縁膜27上に形成された画素電極32と電気的に接続されている。   The source region 21 of the semiconductor film 19 is electrically connected to the signal line 29 formed on the first interlayer insulating film 26 through a contact hole 28 provided through the first interlayer insulating film 26 and the gate insulating film 24. Connected. On the other hand, the drain region 22 is formed on the second interlayer insulating film 27 through a contact hole 31 provided through the second interlayer insulating film 27, the first interlayer insulating film 26, and the gate insulating film 24. The pixel electrode 32 is electrically connected.

画素電極32は、発光領域12ごとに形成されている。また、画素電極32は、透明のITO(Indium Tin Oxide)膜からなり、例えば、平面方向から見て略矩形の形状となっている(図2参照)。なお、回路素子層14には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスタが形成されている。このようにして、回路素子層14には、各画素電極32に接続された駆動用のトランジスタが形成されている。   The pixel electrode 32 is formed for each light emitting region 12. The pixel electrode 32 is made of a transparent ITO (Indium Tin Oxide) film, and has, for example, a substantially rectangular shape when viewed from the plane direction (see FIG. 2). In the circuit element layer 14, a storage capacitor and a switching transistor (not shown) are formed. In this manner, the driving transistor connected to each pixel electrode 32 is formed in the circuit element layer 14.

発光素子層15は、マトリックス状に配置された発光素子を具備してガラス基板13上に形成されている。詳述すると、発光素子層15は、画素電極32上に形成された機能層33と、機能層33を区画するバンク34とを主体として構成されている。機能層33上には、陰極16が配置されている。画素電極32と、機能層33と、陰極16とによって発光素子が構成されている。   The light emitting element layer 15 includes light emitting elements arranged in a matrix and is formed on the glass substrate 13. More specifically, the light emitting element layer 15 is mainly composed of a functional layer 33 formed on the pixel electrode 32 and a bank 34 that partitions the functional layer 33. On the functional layer 33, the cathode 16 is disposed. The pixel electrode 32, the functional layer 33, and the cathode 16 constitute a light emitting element.

バンク34は、例えば、平面に見て開口部35がトラック状に形成されている(図2(a)参照)。詳述すると、バンク34の開口部35は、アスペクト比の異なる発光領域12と、発光領域12の短辺側(Y方向)に形成された第1領域としての円弧44の領域とを有する。ここで、円弧44の領域とは、開口部35における円弧44の形状で囲われた領域を指す。また、円弧側の領域ともいう。   In the bank 34, for example, an opening 35 is formed in a track shape when viewed in plan (see FIG. 2A). More specifically, the opening 35 of the bank 34 has a light emitting region 12 having different aspect ratios and a region of an arc 44 as a first region formed on the short side (Y direction) of the light emitting region 12. Here, the region of the arc 44 refers to a region surrounded by the shape of the arc 44 in the opening 35. It is also referred to as an arc side region.

開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と、第2下層バンク42と、上層バンク43とが、端部を露出すると共に階段状に積層されて構成されている(図2(b)参照)。   The region of the arc 44 in the opening 35 is configured by laminating a first lower layer bank 41, a second lower layer bank 42, and an upper layer bank 43 from the glass substrate 13 side, stepwise while exposing the end portion. (See FIG. 2 (b)).

第1下層バンク41は、隣り合う画素電極32間の絶縁性を確保するために、画素電極32の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、画素電極32と第1下層バンク41は、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。第1下層バンク41の材料としては、例えば、無機材料であるシリコン酸化膜(SiO2)が挙げられる。 The first lower layer bank 41 is formed so as to run on the peripheral edge of the pixel electrode 32 in order to ensure insulation between adjacent pixel electrodes 32. That is, the pixel electrode 32 and the first lower layer bank 41 have a structure arranged so as to partially overlap in plan view. Examples of the material of the first lower layer bank 41 include a silicon oxide film (SiO 2 ) that is an inorganic material.

第2下層バンク42は、機能性液体(例えば、正孔注入層51のインク)との濡れ性をより向上させるために、第1下層バンク41上に形成されている。第2下層バンク42の材料としては、シリコン酸化膜より濡れ性の高い、例えば、無機材料であるシリコン窒化膜(SiN)が挙げられる。また、シリコン窒化膜は、シリコン酸化膜と比較して、誘電率が高い。   The second lower layer bank 42 is formed on the first lower layer bank 41 in order to further improve the wettability with the functional liquid (for example, the ink of the hole injection layer 51). As a material of the second lower layer bank 42, for example, a silicon nitride film (SiN) which is higher in wettability than a silicon oxide film, for example, is an inorganic material. Further, the silicon nitride film has a higher dielectric constant than the silicon oxide film.

上層バンク43は、機能層33を区画するために用いられ、第1下層バンク41層及び第2下層バンク42層の上に形成されている。上層バンク43の材料としては、有機材料であるアクリル系樹脂が挙げられる。上層バンク43は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状に形成されている。   The upper layer bank 43 is used to partition the functional layer 33 and is formed on the first lower layer bank 41 layer and the second lower layer bank 42 layer. An example of the material of the upper layer bank 43 is an acrylic resin that is an organic material. The upper layer bank 43 is formed, for example, in a trapezoidal shape having an inclined surface when viewed in cross section.

開口部35における第2領域としての直線45の領域(長辺側)は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と、上層バンク43とが、端部を露出すると共に階段状に積層されて構成されている(図2(c)参照)。ここで、直線45の領域とは、開口部35における直線部分から発光領域12に係る一部の領域を指す。また、直線部分の領域ともいう。直線部分の領域において第2下層バンク42は露出していない。また、第1下層バンク41及び上層バンク43の材料などは、上記したものと同じである。   In the region of the straight line 45 (long side) as the second region in the opening 35, the first lower layer bank 41 and the upper layer bank 43 are stacked from the glass substrate 13 side in a stepped manner with the end portions exposed. It is configured (see FIG. 2C). Here, the region of the straight line 45 indicates a partial region related to the light emitting region 12 from the straight line portion in the opening 35. It is also referred to as a straight line region. The second lower layer bank 42 is not exposed in the region of the straight line portion. The materials of the first lower layer bank 41 and the upper layer bank 43 are the same as described above.

このように、開口部35における円弧44の領域に、第1下層バンク41と共に濡れ性の高いシリコン窒化膜からなる第2下層バンク42が積層されていることにより、特に第2下層バンク42にインクを馴染ませることが可能となり、比較的インクが充填しにくい円弧44の領域にインクを充填させることができる。   As described above, the second lower layer bank 42 made of a silicon nitride film having high wettability is laminated together with the first lower layer bank 41 in the region of the arc 44 in the opening 35, so that the ink is particularly applied to the second lower layer bank 42. In this case, the ink can be filled in the region of the arc 44 that is relatively difficult to fill with ink.

また、開口部35における直線45の領域は、円弧44の領域より下層バンク46が一層少ない第1下層バンク41のみが形成されているので、下層バンク46の発光領域12への張り出し量のばらつきを抑えることが可能となり、インクの厚みを均一にすることができる。更に、下層バンク46が第1下層バンク41の1層のみで構成されているので、この領域(X方向の領域)の開口率を向上させることができる。   Further, since the region of the straight line 45 in the opening portion 35 is formed with only the first lower layer bank 41 having the lower layer bank 46 that is smaller than the region of the arc 44, the variation in the amount of protrusion of the lower layer bank 46 to the light emitting region 12 is reduced. Therefore, the thickness of the ink can be made uniform. Furthermore, since the lower layer bank 46 is composed of only one layer of the first lower layer bank 41, the aperture ratio of this region (region in the X direction) can be improved.

ここで、「濡れ性が高い」とは、インクとの接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、濡れ性を高くした円弧側の領域(図2(a)参照)に、インクが充填しやすくなったと言える。   Here, “high wettability” refers to a relatively small contact angle with ink. In other words, it can be said that the region on the arc side with high wettability (see FIG. 2A) can be easily filled with ink.

機能層33は、例えば、正孔注入層51と機能層としての発光層52とがバンク34に囲まれた領域、すなわち開口部35(発光領域12)に形成されている。正孔注入層51は、画素電極32を底部とし、バンク34(41,42,43)を側壁とする凹部に形成されている(図2(b),(c)参照)。   The functional layer 33 is formed, for example, in a region where the hole injection layer 51 and the light emitting layer 52 as a functional layer are surrounded by the bank 34, that is, in the opening 35 (the light emitting region 12). The hole injection layer 51 is formed in a recess having the pixel electrode 32 as a bottom and banks 34 (41, 42, 43) as side walls (see FIGS. 2B and 2C).

また、正孔注入層51は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層51は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT−PSS)などから構成することができる。   The hole injection layer 51 is composed of a conductive polymer layer containing a dopant in a conductive polymer material. Such a hole injection layer 51 can be composed of, for example, 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT-PSS) containing polystyrene sulfonic acid as a dopant.

円弧44の領域に形成された第2下層バンク42の存在により、例えば、正孔注入層51を形成する際に吐出される機能液は、開口部35における円弧44の内側に濡れ広がりやすくなる(充填しやすくなる)。よって、正孔注入層51を容易にバンク34の中に形成することができ、正孔注入層51の厚さを均一にすることができる。   Due to the presence of the second lower layer bank 42 formed in the region of the arc 44, for example, the functional liquid discharged when forming the hole injection layer 51 is likely to spread and spread inside the arc 44 in the opening 35 ( Easier to fill). Therefore, the hole injection layer 51 can be easily formed in the bank 34, and the thickness of the hole injection layer 51 can be made uniform.

発光層52は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層であり、正孔注入層51の上に形成されている。   The light emitting layer 52 is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon, and is formed on the hole injection layer 51.

陰極16は、発光層52及び上層バンク43の上に形成されている。言い換えれば、陰極16は、発光層52を挟んで画素電極32の反対側に形成されている。陰極16は、例えば、カルシウム(Ca)及びアルミニウム(Al)の積層体である。陰極16の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材(図示せず)が積層されている。なお、発光素子層15と陰極16とによって表示素子53が構成される。   The cathode 16 is formed on the light emitting layer 52 and the upper layer bank 43. In other words, the cathode 16 is formed on the opposite side of the pixel electrode 32 with the light emitting layer 52 interposed therebetween. The cathode 16 is, for example, a laminated body of calcium (Ca) and aluminum (Al). On the cathode 16, a sealing member (not shown) made of resin or the like for preventing water and oxygen from entering is laminated. The light emitting element layer 15 and the cathode 16 constitute a display element 53.

上述した発光層52は、上記したように、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極32と陰極16との間に電圧を印加することによって、発光層52には、正孔注入層51から正孔が、また、陰極16から電子が注入される。発光層52は、これらが結合したときに光を発する。   As described above, the light emitting layer 52 described above is a layer of an organic light emitting material that exhibits an electroluminescence phenomenon. By applying a voltage between the pixel electrode 32 and the cathode 16, holes are injected from the hole injection layer 51 and electrons are injected from the cathode 16 into the light emitting layer 52. The light emitting layer 52 emits light when they are combined.

この有機EL装置11は、例えば、機能層33からガラス基板13側に発した光が、回路素子層14及びガラス基板13を透過してガラス基板13の下側に出射されると共に、機能層33からガラス基板13の反対側に発した光が陰極16により反射されて、回路素子層14及びガラス基板13を透過してガラス基板13の下側に出射されるようになっている。なお、陰極16として透明な材料を用いることにより、陰極16側から発光する光を出射させることもできる。   In the organic EL device 11, for example, light emitted from the functional layer 33 to the glass substrate 13 side is transmitted through the circuit element layer 14 and the glass substrate 13 and emitted to the lower side of the glass substrate 13. The light emitted from the opposite side of the glass substrate 13 is reflected by the cathode 16, passes through the circuit element layer 14 and the glass substrate 13, and is emitted to the lower side of the glass substrate 13. Note that by using a transparent material for the cathode 16, light emitted from the cathode 16 side can be emitted.

図3は、有機EL装置の製造方法を示す工程図である。以下、有機EL装置の製造方法を、図1〜図3を参照しながら説明する。   FIG. 3 is a process diagram illustrating a method for manufacturing an organic EL device. Hereinafter, a method for manufacturing the organic EL device will be described with reference to FIGS.

図3に示すように、有機EL装置11の製造方法は、ステップS1〜ステップS6によってバンクを形成し、ステップS11〜ステップS16によって有機EL素子を形成する。まずステップS1では、ガラス基板13上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層14を形成する。ステップS2では、回路素子層14上に、ITOからなる画素電極32を形成する。   As shown in FIG. 3, in the method for manufacturing the organic EL device 11, a bank is formed by steps S1 to S6, and an organic EL element is formed by steps S11 to S16. First, in step S1, the circuit element layer 14 is formed on the glass substrate 13 using a known film forming technique. In step S <b> 2, the pixel electrode 32 made of ITO is formed on the circuit element layer 14.

ステップS3では、回路素子層14及び画素電極32上に、第1下層バンク41を形成する。詳しくは、まず、第1下層バンク41の材料となる、例えば、酸化シリコン(SiO2)からなる第1下層バンク層を、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により、回路素子層14及び画素電極32上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第1下層バンク層のうち発光領域12に対応する領域に開口部41a(図1参照)を形成する。 In step S <b> 3, the first lower layer bank 41 is formed on the circuit element layer 14 and the pixel electrode 32. Specifically, first, a first lower bank layer made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), which is a material of the first lower bank 41, is formed on the circuit element layer 14 and the pixel electrode 32 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like. It is formed so as to cover the top. Next, an opening 41a (see FIG. 1) is formed in a region corresponding to the light emitting region 12 in the first lower bank layer by using a photolithography technique and an etching technique.

ステップS4では、第1下層バンク41の上に第2下層バンク42を形成する。詳しくは、第1下層バンク41を含むガラス基板13上に、第2下層バンク42を形成するためのシリコン窒化膜を積層する。積層する方法としては、例えば、蒸着法が挙げられる。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第2下層バンク42が開口部35における円弧側の領域のみ露出するようにパターンニングする。   In step S <b> 4, the second lower layer bank 42 is formed on the first lower layer bank 41. Specifically, a silicon nitride film for forming the second lower layer bank 42 is laminated on the glass substrate 13 including the first lower layer bank 41. As a method of laminating, for example, a vapor deposition method is exemplified. Next, using the photolithography technique and the etching technique, the second lower layer bank 42 is patterned so that only the arc-side region in the opening 35 is exposed.

ステップS5では、第2下層バンク42の上に上層バンク43を形成する。詳しくは、第1下層バンク41、第2下層バンク42を含むガラス基板13上に、上層バンク43を形成するためのアクリル系樹脂を積層する。積層する方法としては、例えば、蒸着法が挙げられる。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、発光領域12に対応する領域に開口部43a(図1参照)を形成する。   In step S <b> 5, the upper layer bank 43 is formed on the second lower layer bank 42. Specifically, an acrylic resin for forming the upper layer bank 43 is laminated on the glass substrate 13 including the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42. As a method of laminating, for example, a vapor deposition method is exemplified. Next, an opening 43a (see FIG. 1) is formed in a region corresponding to the light emitting region 12 by using a photolithography technique and an etching technique.

以上により、開口部35における円弧44の領域には、上層バンク43の下側に第1下層バンク41及び第2下層バンク42が階段状に露出する。一方、開口部35における直線45の領域には、上層バンク43の下側に第1下層バンク41のみが露出する。   As described above, the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 are exposed stepwise below the upper layer bank 43 in the region of the arc 44 in the opening 35. On the other hand, only the first lower layer bank 41 is exposed below the upper layer bank 43 in the region of the straight line 45 in the opening 35.

ステップS6では、バンク34にプラズマ処理を施す。詳しくは、第1下層バンク41及び第2下層バンク42には、例えば、酸素(O2)ガスを用いた酸素プラズマ処理を行う。一方、上層バンク43には、例えば、テトラフルオロメタンを用いた四フッ化炭素(CF4)プラズマ処理を行う。 In step S6, the bank 34 is subjected to plasma processing. Specifically, the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 are subjected to, for example, oxygen plasma treatment using oxygen (O 2 ) gas. On the other hand, for example, carbon tetrafluoride (CF 4 ) plasma treatment using tetrafluoromethane is performed on the upper layer bank 43.

詳述すると、第1下層バンク41及び第2下層バンク42への酸素プラズマ処理は、例えばプラズマパワー100kW〜800kW、酸素ガス流量50ml/min〜100ml/min、板搬送速度0.5mm/sec〜10mm/sec、基板温度70℃〜90℃の条件で処理することで、第1下層バンク41及び第2下層バンク42を親液化(撥液性を低く)することができる。   More specifically, the oxygen plasma treatment to the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 is performed, for example, with a plasma power of 100 kW to 800 kW, an oxygen gas flow rate of 50 ml / min to 100 ml / min, and a plate conveyance speed of 0.5 mm / sec to 10 mm. / Sec and the substrate temperature of 70 ° C. to 90 ° C. makes it possible to make the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 lyophilic (low liquid repellency).

一方、上層バンク43への四フッ化炭素プラズマ処理は、例えば、プラズマパワー100kW〜800kW、テトラフルオロメタンガス流量50ml/min〜100ml/min、基板搬送速度0.5mm/sec〜10mm/sec、基板温度70℃〜90℃の条件で処理することで、上層バンク43を撥液化(撥液性を高く)することができる。   On the other hand, the carbon tetrafluoride plasma treatment for the upper layer bank 43 includes, for example, a plasma power of 100 kW to 800 kW, a tetrafluoromethane gas flow rate of 50 ml / min to 100 ml / min, a substrate transfer speed of 0.5 mm / sec to 10 mm / sec, and a substrate temperature. By processing under conditions of 70 ° C. to 90 ° C., the upper bank 43 can be made liquid repellent (high liquid repellency).

以上により、インクとの接触角が30°である第2下層バンク42と、インクとの接触角が90°である上層バンク43とを有するバンク34が完成する。円弧44の領域にこの第2下層バンク42が形成されているので、円弧44の領域にインクを濡れ広がらせることができる。一方、上層バンク43の接触角が大きいので、直線部分の領域からインクが溢れることを抑えることができる。   As described above, the bank 34 having the second lower layer bank 42 having an ink contact angle of 30 ° and the upper layer bank 43 having an ink contact angle of 90 ° is completed. Since the second lower layer bank 42 is formed in the area of the arc 44, the ink can be wetted and spread in the area of the arc 44. On the other hand, since the contact angle of the upper layer bank 43 is large, it is possible to prevent the ink from overflowing from the region of the straight line portion.

引き続くステップS11では、画素電極32上におけるバンク34によって囲まれた発光領域12に、正孔注入層51の材料を含んだ機能液を液滴吐出法(例えば、インクジェット法)により吐出する。詳しくは、機能液の液滴を、画素電極32を底部としバンク34(41,42,43)を側壁とする凹部に向けて吐出する。正孔注入層51の機能液としては、例えば、PEDOT−PSS分散液を用いることができる。PEDOT−PSS分散液の一例としては、PEDOTとPSSとの重量比が1:10、かつ固形分濃度が0.5%であり、ジエチレングリコールを50%含み、残量が純水であるものを用いることができる。   In the subsequent step S11, a functional liquid containing the material of the hole injection layer 51 is discharged onto the light emitting region 12 surrounded by the bank 34 on the pixel electrode 32 by a droplet discharge method (for example, an ink jet method). Specifically, the liquid droplets of the functional liquid are discharged toward the concave portion having the pixel electrode 32 as the bottom and the bank 34 (41, 42, 43) as the side wall. As the functional liquid of the hole injection layer 51, for example, a PEDOT-PSS dispersion liquid can be used. As an example of the PEDOT-PSS dispersion, a PEDOT / PSS weight ratio of 1:10, a solid content concentration of 0.5%, a diethylene glycol content of 50%, and a remaining amount of pure water is used. be able to.

ステップS12では、機能液を乾燥させて正孔注入層51を形成する。詳しくは、機能液を高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液に含まれるPEDOT−PSSを固形化させることにより、バンク34内に正孔注入層51を形成する。乾燥の条件としては、例えば200℃の環境下で、ガラス基板13を10分間放置する。これにより、50nmの正孔注入層51が形成される。   In step S12, the functional liquid is dried to form the hole injection layer 51. Specifically, the hole injection layer 51 is formed in the bank 34 by drying or baking the functional liquid in a high temperature environment to evaporate the solvent and solidify PEDOT-PSS contained in the functional liquid. As a drying condition, for example, the glass substrate 13 is allowed to stand for 10 minutes in an environment of 200 ° C. As a result, a 50 nm hole injection layer 51 is formed.

ステップS13では、正孔注入層51上に、発光層52の材料を含んだ機能液を液滴吐出法により吐出する。発光層52の機能液としては、例えば、赤色蛍光材料を固形分濃度0.8%で含み、シクロヘキシルベンゼンを溶媒とするものを用いることができる。   In step S13, the functional liquid containing the material of the light emitting layer 52 is discharged onto the hole injection layer 51 by a droplet discharge method. As the functional liquid of the light emitting layer 52, for example, a liquid containing a red fluorescent material at a solid content concentration of 0.8% and using cyclohexylbenzene as a solvent can be used.

上述したように、開口部35の円弧44の領域に第1下層バンク41及び濡れ性の高い第2下層バンク42が階段状に形成されているので、特に第2下層バンク42にインクを馴染ませることが可能となり、比較的充填しにくい円弧44の領域(短辺側の領域)にインクを充填させることができる。加えて、インクを乾燥させた際に、インクが後退することを抑えることができる。これにより、バンク34内の発光層52の厚みが不均一になることを抑えることができる。加えて、円弧44の内側の領域は、発光領域12から離れている領域なので、第1下層バンク41及び第2下層バンク42の2層を形成したとしても、開口率を低下させることがない。   As described above, since the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 with high wettability are formed in a stepped manner in the region of the arc 44 of the opening 35, the ink is particularly adapted to the second lower layer bank 42. This makes it possible to fill the region of the arc 44 that is relatively difficult to fill (region on the short side) with ink. In addition, it is possible to prevent the ink from retreating when the ink is dried. Thereby, it can suppress that the thickness of the light emitting layer 52 in the bank 34 becomes non-uniform | heterogenous. In addition, since the region inside the arc 44 is a region away from the light emitting region 12, even if two layers of the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 are formed, the aperture ratio is not lowered.

ステップS14では、機能液を乾燥させて、発光層52を形成する。詳しくは、機能液を高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液に含まれる赤色蛍光材料を固形化させることにより発光層52を形成する。乾燥させる条件としては、例えば100℃の環境下でガラス基板13を1時間放置する。形成された発光層52の膜厚としては、例えば、100nmである。こうして形成された発光層52は、正孔注入層51より大きな面積を有しているため、発光層52のうち比較的平坦な領域を発光に用いることができる。   In step S14, the functional liquid is dried to form the light emitting layer 52. Specifically, the light emitting layer 52 is formed by drying or baking the functional liquid in a high temperature environment to evaporate the solvent and solidify the red fluorescent material contained in the functional liquid. As a condition for drying, for example, the glass substrate 13 is allowed to stand for 1 hour in an environment of 100 ° C. The film thickness of the formed light emitting layer 52 is, for example, 100 nm. Since the light emitting layer 52 thus formed has a larger area than the hole injection layer 51, a relatively flat region of the light emitting layer 52 can be used for light emission.

ステップS15では、発光層52の形成されたガラス基板13上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極16を形成する。形成されたカルシウム膜は、例えば、5nmである。形成されたアルミニウム膜は、例えば、300nmである。   In step S15, the cathode 16 is formed by laminating a calcium film and an aluminum film in this order, for example, by vapor deposition on substantially the entire glass substrate 13 on which the light emitting layer 52 is formed. The formed calcium film is, for example, 5 nm. The formed aluminum film is, for example, 300 nm.

ステップS16では、陰極16上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行って、有機EL素子が形成され、有機EL装置11が完成する。   In step S16, sealing is performed on the cathode 16 using, for example, an adhesive and a glass substrate to form an organic EL element, and the organic EL device 11 is completed.

図4は、上記した有機EL装置を備えた電子機器の一例として携帯電話機を示す模式図である。以下、有機EL装置を備えた携帯電話機を、図4を参照しながら説明する。   FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a mobile phone as an example of an electronic apparatus including the organic EL device described above. Hereinafter, a mobile phone including the organic EL device will be described with reference to FIG.

図4に示すように、携帯電話機61は、表示部62及び操作ボタン63を有している。表示部62は、内部に組み込まれた有機EL装置11によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機EL装置11は、上記携帯電話機61の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。   As shown in FIG. 4, the mobile phone 61 has a display unit 62 and operation buttons 63. The display unit 62 can perform high-quality display such as uniform light emission by the organic EL device 11 incorporated therein. The organic EL device 11 described above can be used in various electronic devices such as a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, an in-vehicle device, and an audio device in addition to the mobile phone 61.

以上詳述したように、第1実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.

(1)第1実施形態によれば、充填しにくい円弧44の領域に、第1下層バンク41に加えて濡れ性の高いシリコン窒化膜からなる第2下層バンク42が形成されているので、開口部35の中にインクを吐出した際に、円弧44の領域にインクを濡れ広がらせることが可能となる。よって、開口部35の中のインクの厚みを均一にすることが可能となり、その結果、均一に発光させることができる。   (1) According to the first embodiment, the second lower layer bank 42 made of a silicon nitride film having high wettability is formed in addition to the first lower layer bank 41 in the region of the arc 44 that is difficult to fill. When ink is ejected into the portion 35, it is possible to wet and spread the ink in the region of the arc 44. Therefore, the thickness of the ink in the opening 35 can be made uniform, and as a result, the light can be emitted uniformly.

(2)第1実施形態によれば、直線45の領域に、第1下層バンク41のみを形成するので、下層バンク46を2層形成する場合のように、下層バンク46の発光領域12側への張り出し量に起因して膜厚のばらつきが発生することを抑えることができる。よって、膜厚を均一にすることが可能となり、その結果、均一に発光させることができる。更に、下層バンク46を第1下層バンク41の1層のみで構成するので、幅の狭い直線45で挟まれた領域(X方向)の開口率を向上させることができる。また、第1下層バンク41は、シリコン窒化膜と比べて濡れ性が低いものの、インクとの濡れ性がよいシリコン酸化膜で構成されているので、インクの濡れ性によって直線部分の領域へインクを充填させることができる。   (2) According to the first embodiment, since only the first lower layer bank 41 is formed in the region of the straight line 45, as in the case of forming two lower layer banks 46, the light emitting region 12 side of the lower layer bank 46. It is possible to suppress the occurrence of variations in film thickness due to the amount of overhang. Therefore, the film thickness can be made uniform, and as a result, the light can be emitted uniformly. Furthermore, since the lower layer bank 46 is composed of only one layer of the first lower layer bank 41, the aperture ratio of the region (X direction) sandwiched between the narrow straight lines 45 can be improved. In addition, the first lower layer bank 41 is composed of a silicon oxide film that has low wettability compared to the silicon nitride film, but has good wettability with ink. Can be filled.

(3)第1実施形態によれば、直線45の領域の下層バンク46が一層で構成されているので、この領域(X方向)の開口幅が広くなる。これにより、インクを吐出した際に、インクが広く盛られ、直線部分の領域からインクが溢れることを抑えることができる。   (3) According to the first embodiment, since the lower layer bank 46 in the region of the straight line 45 is composed of one layer, the opening width of this region (X direction) is widened. Accordingly, when ink is ejected, the ink is widely spread, and it is possible to prevent the ink from overflowing from the region of the straight line portion.

(第2実施形態)
図5は、第2実施形態のバンクの構造を示す模式図である。(a)は、バンクを上方から見た模式平面図である。(b)は、(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図である。(c)は、(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図である。以下、バンクの構造を、図5を参照しながら説明する。なお、第2実施形態のバンクの構造は、円弧側の領域において上層バンクの下側に第1下層バンクが形成され、直線部分の領域において下層バンクが形成されていない部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating the structure of the bank according to the second embodiment. (A) is the schematic top view which looked at the bank from the upper direction. (B) is a schematic cross section which follows the AA cross section of the bank shown to (a). (C) is a schematic cross section which follows the BB cross section of the bank shown to (a). Hereinafter, the bank structure will be described with reference to FIG. The bank structure of the second embodiment is such that the first lower layer bank is formed below the upper layer bank in the arc side region, and the portion where the lower layer bank is not formed in the straight line region is the first embodiment. Is different. Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図5に示すように、開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが、階段状に積層されて構成されている。開口部35における直線45の領域は、上層バンク43のみが形成されている。   As shown in FIG. 5, the region of the arc 44 in the opening 35 is configured by stacking a first lower layer bank 41 and an upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. In the region of the straight line 45 in the opening 35, only the upper layer bank 43 is formed.

このように、開口部35における円弧44の領域に、第1下層バンク41が形成されていることにより、シリコン窒化膜に比べて濡れ性が低下するものの、第1下層バンク41にインクを馴染ませることが可能となり、比較的インクが充填しにくい円弧44の領域にインクを充填させることができる。   As described above, the first lower layer bank 41 is formed in the region of the arc 44 in the opening 35, so that the wettability is lower than that of the silicon nitride film, but the ink is adapted to the first lower layer bank 41. Thus, the ink can be filled in the region of the arc 44 that is relatively difficult to fill with ink.

以上詳述したように、第2実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the second embodiment, in addition to the effect (1) of the first embodiment described above, the following effects can be obtained.

(4)第2実施形態によれば、開口部35における直線45の領域は、上層バンク43のみが形成され、下層バンク46が形成されていないので、この領域(X方向の領域)の開口率を向上させることができる。更に、この直線45の領域の開口部35が広くなるので、インクを吐出した際に、インクが広い範囲に盛られ、よりインクが溢れにくくなる。加えて、上記したように、円弧44の領域にインクを充填させることができる。   (4) According to the second embodiment, in the area of the straight line 45 in the opening 35, only the upper layer bank 43 is formed, and the lower layer bank 46 is not formed. Therefore, the aperture ratio of this area (area in the X direction) Can be improved. Further, since the opening 35 in the region of the straight line 45 is widened, when ink is ejected, the ink is accumulated in a wide range, and the ink is more unlikely to overflow. In addition, as described above, the area of the arc 44 can be filled with ink.

(第3実施形態)
図6は、第3実施形態のバンクの構造を示す模式図である。(a)は、バンクを上方から見た模式平面図である。(b)は、(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図である。(c)は、(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図である。以下、バンクの構造を、図6を参照しながら説明する。なお、第3実施形態のバンクの構造は、直線部分の領域において上層バンクの下側に第2下層バンクのみが形成されている部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
(Third embodiment)
FIG. 6 is a schematic diagram showing the structure of the bank according to the third embodiment. (A) is the schematic top view which looked at the bank from the upper direction. (B) is a schematic cross section which follows the AA cross section of the bank shown to (a). (C) is a schematic cross section which follows the BB cross section of the bank shown to (a). Hereinafter, the bank structure will be described with reference to FIG. Note that the bank structure of the third embodiment differs from that of the first embodiment in that only the second lower layer bank is formed below the upper layer bank in the region of the straight line portion. Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図6に示すように、開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。   As shown in FIG. 6, the region of the arc 44 in the opening 35 is configured by laminating a first lower layer bank 41, a second lower layer bank 42, and an upper layer bank 43 in a step shape from the glass substrate 13 side.

開口部35における直線45の領域は、ガラス基板13側から第2下層バンク42と上層バンク43とが形成されている。また、第2下層バンク42は、画素電極32の絶縁性を確保するために、画素電極32の周縁部を乗り上げるように形成されている。   In the region of the straight line 45 in the opening 35, the second lower layer bank 42 and the upper layer bank 43 are formed from the glass substrate 13 side. The second lower layer bank 42 is formed so as to run over the peripheral edge of the pixel electrode 32 in order to ensure the insulation of the pixel electrode 32.

このように、開口部35における円弧44の領域に、第1下層バンク41に加えて第2下層バンク42が形成されていることにより、特に第2下層バンク42にインクを馴染ませることが可能となり、比較的インクが充填しにくい円弧44の領域にインクを充填させることができる。   Thus, in addition to the first lower layer bank 41, the second lower layer bank 42 is formed in the region of the arc 44 in the opening 35, so that it is possible to make the ink particularly accustomed to the second lower layer bank 42. Ink can be filled in the region of the arc 44 that is relatively difficult to fill with ink.

以上詳述したように、第3実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the third embodiment, in addition to the effect (1) of the first embodiment described above, the following effects can be obtained.

(5)第3実施形態によれば、直線45の領域においてシリコン窒化膜からなる第2下層バンク42が形成されているので、第2下層バンク42にインクを馴染ませることが可能となり、発光領域12においてインクの平坦性を向上させることができる。これにより、均一に発光させることができる。更に、画素電極32の周縁部にシリコン窒化膜が乗り上げるように形成されているので、画素電極32の絶縁性を確保することができる。   (5) According to the third embodiment, since the second lower layer bank 42 made of the silicon nitride film is formed in the region of the straight line 45, it becomes possible to make the second lower layer bank 42 fit the ink, and the light emitting region. 12, the flatness of the ink can be improved. Thereby, it is possible to emit light uniformly. Further, since the silicon nitride film is formed on the peripheral edge of the pixel electrode 32, the insulation of the pixel electrode 32 can be ensured.

(第4実施形態)
図7は、第4実施形態のバンクの構造を示す模式図である。(a)は、バンクを上方から見た模式平面図である。(b)は、(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図である。(c)は、(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図である。以下、バンクの構造を、図7を参照しながら説明する。なお、第4実施形態のバンクの構造は、直線部分の領域において上層バンクの下側に下層バンクが形成されていない部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 is a schematic diagram showing the structure of the bank according to the fourth embodiment. (A) is the schematic top view which looked at the bank from the upper direction. (B) is a schematic cross section which follows the AA cross section of the bank shown to (a). (C) is a schematic cross section which follows the BB cross section of the bank shown to (a). Hereinafter, the bank structure will be described with reference to FIG. Note that the bank structure of the fourth embodiment differs from that of the first embodiment in that the lower layer bank is not formed below the upper layer bank in the straight line region. Hereinafter, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified here.

図7に示すように、開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。開口部35における直線45の領域は、上層バンク43のみが形成されている。   As shown in FIG. 7, the region of the arc 44 in the opening 35 is configured by stacking a first lower layer bank 41, a second lower layer bank 42, and an upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. In the region of the straight line 45 in the opening 35, only the upper layer bank 43 is formed.

このように、開口部35における円弧44の領域に、第1下層バンク41に加えて第2下層バンク42が形成されていることにより、特に第2下層バンク42にインクを馴染ませることが可能となり、比較的インクが充填しにくい円弧44の領域にインクを充填させることができる。   Thus, in addition to the first lower layer bank 41, the second lower layer bank 42 is formed in the region of the arc 44 in the opening 35, so that it is possible to make the ink particularly accustomed to the second lower layer bank 42. Ink can be filled in the region of the arc 44 that is relatively difficult to fill with ink.

以上詳述したように、第4実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the fourth embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effect (1) of the first embodiment described above.

(6)第4実施形態によれば、開口部35における直線45の領域は、上層バンク43のみで下層バンク46が形成されていないので、この領域(X方向の領域)の開口率を向上させることができる。更に、この直線部分の領域の開口部が広くなるので、インクを吐出した際に、インクが広い範囲で盛られ、よりインクが溢れることを抑えることができる。   (6) According to the fourth embodiment, since the area of the straight line 45 in the opening 35 is only the upper layer bank 43 and the lower layer bank 46 is not formed, the aperture ratio of this area (area in the X direction) is improved. be able to. Further, since the opening of the straight line region becomes wide, when ink is ejected, the ink is accumulated in a wide range, and it is possible to prevent the ink from overflowing.

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。   In addition, embodiment is not limited above, It can also implement with the following forms.

(変形例1)
上記した第1実施形態〜第4実施形態のバンク34の構造に限定されず、例えば、図8及び図9に示すバンクの構造であってもよい。図8(a)は、バンクを上方から見た模式平面図である。図8(b)は、図8(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図である。図8(c)は、図8(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図である。図8に示すバンク34の構造は、円弧44の領域において、第1下層バンク41を覆うように第2下層バンク42が形成されている部分が、第1実施形態と異なっている。開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。ただし、第2下層バンク42が第1下層バンク41を覆うように形成されているので、露出する下層バンク46は、第2下層バンク42のみとなる。第1下層バンク41は、画素電極32の周縁部に乗り上げるように形成されている。開口部35における直線45の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが形成されている。
(Modification 1)
It is not limited to the structure of the bank 34 of the first to fourth embodiments described above, but may be the structure of the bank shown in FIGS. 8 and 9, for example. FIG. 8A is a schematic plan view of the bank as viewed from above. FIG. 8B is a schematic cross-sectional view along the AA cross section of the bank shown in FIG. FIG. 8C is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the bank shown in FIG. The structure of the bank 34 shown in FIG. 8 is different from that of the first embodiment in that the second lower layer bank 42 is formed so as to cover the first lower layer bank 41 in the region of the arc 44. The region of the arc 44 in the opening 35 is configured by stacking a first lower layer bank 41, a second lower layer bank 42, and an upper layer bank 43 in a step shape from the glass substrate 13 side. However, since the second lower layer bank 42 is formed so as to cover the first lower layer bank 41, the exposed lower layer bank 46 is only the second lower layer bank 42. The first lower layer bank 41 is formed to run on the peripheral edge of the pixel electrode 32. In the region of the straight line 45 in the opening 35, the first lower layer bank 41 and the upper layer bank 43 are formed from the glass substrate 13 side.

このバンク34の構造によれば、円弧44の領域においてシリコン窒化膜からなる第2下層バンク42のみが露出して形成されているので、シリコン酸化膜からなる第1下層バンク41と比較して、第2下層バンク42にインクをより馴染ませることが可能となり、比較的充填しにくい円弧44の領域にインクを充填させることができる。また、第1下層バンク41が画素電極32の周縁部に乗り上げるように形成されているので、画素電極32の絶縁性を確保することができる。更に、直線45の領域においてシリコン酸化膜からなる第1下層バンク41が形成されているので、シリコン窒化膜からなる濡れ性の高い第2下層バンク42を形成した場合のように、第2下層バンク42上に無駄なインクが多くのることを抑えることができる。よって、効率良くインクを使用することができる。   According to the structure of this bank 34, only the second lower layer bank 42 made of a silicon nitride film is exposed and formed in the region of the arc 44. Therefore, compared with the first lower layer bank 41 made of a silicon oxide film, The second lower layer bank 42 can be made more familiar with ink, and the ink can be filled in the region of the arc 44 that is relatively difficult to fill. In addition, since the first lower layer bank 41 is formed so as to run over the peripheral edge of the pixel electrode 32, the insulating property of the pixel electrode 32 can be ensured. Further, since the first lower layer bank 41 made of a silicon oxide film is formed in the region of the straight line 45, the second lower layer bank 42 is formed as in the case where the second lower layer bank 42 made of a silicon nitride film and having high wettability is formed. It is possible to suppress a large amount of wasted ink on 42. Therefore, ink can be used efficiently.

図9(a)は、バンクを上方から見た模式平面図である。図9(b)は、図9(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図である。図9(c)は、図9(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図である。図9に示すバンク34の構造は、円弧44の領域において上層バンク43の下側に第1下層バンク41のみが形成され、直線45の領域において上層バンク43の下側に第2下層バンク42のみが形成されている部分が、第1実施形態と異なっている。開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが、階段状に積層されて構成されている。第1下層バンク41は、画素電極32の周縁部に乗り上げるように形成されている。開口部35における直線45の領域は、ガラス基板13側から第2下層バンク42と上層バンク43とが階段状に積層されて構成されている。第2下層バンク42は、画素電極32の周縁部に乗り上げるように形成されている。   FIG. 9A is a schematic plan view of the bank as viewed from above. FIG. 9B is a schematic cross-sectional view along the AA cross section of the bank shown in FIG. FIG. 9C is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the bank shown in FIG. In the structure of the bank 34 shown in FIG. 9, only the first lower layer bank 41 is formed below the upper layer bank 43 in the region of the arc 44, and only the second lower layer bank 42 is formed below the upper layer bank 43 in the region of the straight line 45. The part in which is formed is different from the first embodiment. The region of the arc 44 in the opening 35 is configured by stacking the first lower layer bank 41 and the upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. The first lower layer bank 41 is formed to run on the peripheral edge of the pixel electrode 32. The region of the straight line 45 in the opening 35 is configured by stacking the second lower layer bank 42 and the upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. The second lower layer bank 42 is formed so as to run over the peripheral edge of the pixel electrode 32.

このバンク34の構造によれば、円弧44の領域において第1下層バンク41が形成されていることにより、円弧44の領域にインクを充填させることができることに加えて、シリコン窒化膜からなる濡れ性の高い第2下層バンク42を形成した場合のように、第2下層バンク42上に無駄なインクが多くのることを抑えることができる。よって、効率良くインクを使用することができる。更に、直線45の領域においてシリコン窒化膜からなる第2下層バンク42が形成されているので、第2下層バンク42にインクを馴染ませることが可能となり、発光領域12においてインクの平坦性を向上させることができる。これにより、均一に発光させることができる。   According to the structure of the bank 34, the first lower layer bank 41 is formed in the region of the arc 44, so that the ink can be filled in the region of the arc 44, and the wettability made of the silicon nitride film. As in the case where the second lower layer bank 42 having a high height is formed, it is possible to suppress a large amount of wasted ink on the second lower layer bank 42. Therefore, ink can be used efficiently. Furthermore, since the second lower layer bank 42 made of a silicon nitride film is formed in the region of the straight line 45, it becomes possible to make the ink fit into the second lower layer bank 42 and improve the flatness of the ink in the light emitting region 12. be able to. Thereby, it is possible to emit light uniformly.

(変形例2)
上記したバンク34の開口部35の形状(ガラス基板13の法線方向から見た形状)は、平面に見てトラック状に限定されず、例えば、図10〜図13に示すような形状でもよい。図10に示すバンク71は、複数の発光素子を含む画素領域を区画する共通バンク(以下、「共通バンク71」と称する。)を示す図である。開口部35における円弧44の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。また、開口部35における画素電極32と画素電極32との間は、第1下層バンク41及び第2下層バンク42が形成されている。開口部35における直線45の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが、階段状に積層されて構成されている。つまり、開口部35の形状が異なるのみで、下層バンク46の構成は、第1実施形態と同じである。なお、このバンク71の構成に限定されず、第2実施形態〜第4実施形態、変形例1に示す下層バンク46の構造を、この共通バンク71に適用するようにしてもよい。これによれば、機能液が充填しにくい円弧44の領域に機能液を充填させることができると共に、X方向の開口率を向上させることができる。
(Modification 2)
The shape of the opening 35 of the bank 34 described above (the shape seen from the normal direction of the glass substrate 13) is not limited to a track shape when seen in a plan view, and may be, for example, a shape as shown in FIGS. . A bank 71 shown in FIG. 10 is a diagram showing a common bank (hereinafter referred to as “common bank 71”) that partitions a pixel region including a plurality of light emitting elements. The region of the arc 44 in the opening 35 is configured by stacking a first lower layer bank 41, a second lower layer bank 42, and an upper layer bank 43 in a step shape from the glass substrate 13 side. A first lower layer bank 41 and a second lower layer bank 42 are formed between the pixel electrode 32 and the pixel electrode 32 in the opening 35. The region of the straight line 45 in the opening 35 is formed by stacking a first lower layer bank 41 and an upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. That is, only the shape of the opening 35 is different, and the configuration of the lower layer bank 46 is the same as that of the first embodiment. The structure of the lower layer bank 46 shown in the second to fourth embodiments and the first modification may be applied to the common bank 71 without being limited to the configuration of the bank 71. According to this, the functional liquid can be filled in the region of the arc 44 that is difficult to fill with the functional liquid, and the aperture ratio in the X direction can be improved.

図11に示すバンク75は、アスペクト比の異なる長方形であり、バンク75の開口部76において、長辺の直線77及び短辺の直線78と、それぞれの直線77,78を結ぶコーナーに円弧79が形成されている部分が第1実施形態のバンク34と異なっている。開口部76における円弧79の領域を含む短辺側の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。一方、長辺側の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが、階段状に積層されて構成されている。なお、この下層バンク46の構成に限定されず、第2実施形態〜第4実施形態、変形例1に示す下層バンク46の構造を、このバンク75に適用するようにしてもよい。また、2層の下層バンク46(41,42)を形成する領域を、円弧79の領域のみに形成するようにしてもよい。また、円弧79の一部の領域のみに形成するようにしてもよい。これによれば、少なくとも機能液が充填しにくい円弧79の部分に、機能液を充填させることができる。   A bank 75 shown in FIG. 11 is a rectangle having a different aspect ratio, and an arc 79 is formed at a corner connecting the straight line 77 of the long side and the straight line 78 of the short side and the straight lines 77 and 78 in the opening 76 of the bank 75. The formed part is different from the bank 34 of the first embodiment. The region on the short side including the region of the arc 79 in the opening 76 is configured by stacking the first lower layer bank 41, the second lower layer bank 42, and the upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. On the other hand, the region on the long side is formed by stacking a first lower layer bank 41 and an upper layer bank 43 in a step shape from the glass substrate 13 side. The structure of the lower layer bank 46 is not limited to the configuration of the lower layer bank 46, and the structure of the lower layer bank 46 shown in the second to fourth embodiments and the first modification may be applied to the bank 75. Alternatively, the region for forming the two lower layer banks 46 (41, 42) may be formed only in the region of the arc 79. Further, it may be formed only in a partial area of the arc 79. According to this, it is possible to fill at least the portion of the arc 79 that is difficult to fill with the functional liquid with the functional liquid.

図12に示すバンク81は、アスペクト比の異なる長方形であり、コーナーに円弧がない部分が図11に示すバンク75と異なっている。開口部82における短辺側の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。一方、長辺側の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが、階段状に積層されて構成されている。なお、この下層バンク46の構成に限定されず、第2実施形態〜第4実施形態、変形例1に示す下層バンク46の構造を、このバンク81に適用するようにしてもよい。また、2層の下層バンク46(41,42)を形成する領域を、コーナーの一部を含む領域に形成するようにしてもよい。これによれば、少なくとも機能液が充填しにくいコーナーの部分に、機能液を充填させることができる。   A bank 81 shown in FIG. 12 is a rectangle having a different aspect ratio, and a portion having no arc at a corner is different from the bank 75 shown in FIG. The region on the short side in the opening 82 is configured by laminating a first lower layer bank 41, a second lower layer bank 42, and an upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. On the other hand, the region on the long side is formed by stacking a first lower layer bank 41 and an upper layer bank 43 in a step shape from the glass substrate 13 side. The structure of the lower layer bank 46 is not limited to the structure of the lower layer bank 46, and the structure of the lower layer bank 46 shown in the second to fourth embodiments and the first modification may be applied to the bank 81. In addition, the region for forming the two lower layer banks 46 (41, 42) may be formed in a region including a part of the corner. According to this, the functional liquid can be filled at least in the corner portion where the functional liquid is difficult to be filled.

図13に示すバンク85は、アスペクト比が同じ(正方形)である部分が、図12に示すバンク81と異なっている。開口部86におけるコーナーの領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41、第2下層バンク42、上層バンク43が、階段状に積層されて構成されている。一方、それ以外の領域は、ガラス基板13側から第1下層バンク41と上層バンク43とが、階段状に積層されて構成されている。なお、この下層バンク46の構成に限定されず、第2実施形態〜第4実施形態、変形例1に示す下層バンク46の構造を、このバンク85に適用するようにしてもよい。また、2層の下層バンク46(41,42)を形成する領域を、コーナーの一部を含む領域に形成するようにしてもよい。これによれば、少なくとも機能液が充填しにくいコーナーの部分に、機能液を充填させることができる。なお、上記した種々の形状の開口部において、撥液性を低くしなくても親液性を満足することができる部分(又は、親液性が変わらない部分)であれば、下層バンク46を形成しないようにしてもよい。   A bank 85 shown in FIG. 13 is different from the bank 81 shown in FIG. 12 in that the aspect ratio is the same (square). The corner area in the opening 86 is formed by stacking the first lower layer bank 41, the second lower layer bank 42, and the upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. On the other hand, the other region is configured by stacking the first lower layer bank 41 and the upper layer bank 43 in a stepped manner from the glass substrate 13 side. The structure of the lower layer bank 46 is not limited to the configuration of the lower layer bank 46, and the structure of the lower layer bank 46 shown in the second to fourth embodiments and the first modification may be applied to the bank 85. In addition, the region for forming the two lower layer banks 46 (41, 42) may be formed in a region including a part of the corner. According to this, the functional liquid can be filled at least in the corner portion where the functional liquid is difficult to be filled. If the openings having various shapes described above can satisfy the lyophilicity (or the lyophilicity does not change) even if the liquid repellency is not lowered, the lower layer bank 46 is formed. It may not be formed.

(変形例3)
上記した第2実施形態及び第4実施形態において、直線45の領域の上層バンク43の下側に第1下層バンク41及び第2下層バンク42が形成されないとしたが、開口部35に露出しない状態で画素電極32の周縁部に第1下層バンク41及び第2下層バンク42の少なくとも一方が乗り上げるように形成されていてもよい。これによれば、画素電極32の絶縁性を確保することができる。
(Modification 3)
In the second and fourth embodiments described above, the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 are not formed below the upper layer bank 43 in the region of the straight line 45, but are not exposed to the opening 35. Thus, at least one of the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 may be formed on the peripheral edge of the pixel electrode 32. According to this, the insulation of the pixel electrode 32 can be ensured.

(変形例4)
上記したように、下層バンク46が第1下層バンク41及び第2下層バンク42で構成されることに限定されず、例えば、更に多い複数層で構成するようにしてもよい。また、第1下層バンク41及び第2下層バンク42の少なくともどちらかを露出させる選択方法として、絶縁性、インクの充填性、表面処理の好適性などを考慮して決定することが好ましい。
(Modification 4)
As described above, the lower layer bank 46 is not limited to being configured by the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42. For example, the lower layer bank 46 may be configured by a plurality of layers. In addition, it is preferable that the selection method for exposing at least one of the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 is determined in consideration of insulation, ink filling property, surface treatment suitability, and the like.

(変形例5)
上記したように、第1下層バンク41と第2下層バンク42とを別々にパターニングすることに限定されず、例えば、シリコン酸化膜からなる第1下層バンク41と、シリコン窒化膜からなる第2下層バンク42とのエッチングレートの差を利用して階段状にエッチングするようにしてもよい。
(Modification 5)
As described above, the first lower layer bank 41 and the second lower layer bank 42 are not limited to patterning separately. For example, the first lower layer bank 41 made of a silicon oxide film and the second lower layer bank made of a silicon nitride film are used. Etching may be performed stepwise using the difference in etching rate with the bank 42.

(変形例6)
上記したように、第2下層バンク42がシリコン窒化膜で構成されることに限定されず、例えば、誘電率の高い材料であるタンタルオキサイド、酸化マグネシウムなどを用いるようにしてもよい。
(Modification 6)
As described above, the second lower layer bank 42 is not limited to being formed of a silicon nitride film. For example, tantalum oxide, magnesium oxide, or the like, which is a material having a high dielectric constant, may be used.

(変形例7)
上記したように、発光領域12に機能液を充填させる方法として液滴吐出法に限定されず、例えば、ディスペンサ塗布法を用いるようにしてもよい。
(Modification 7)
As described above, the method for filling the light emitting region 12 with the functional liquid is not limited to the droplet discharge method, and for example, a dispenser coating method may be used.

(変形例8)
上記したように、電気光学装置として有機EL装置11を例に挙げたことに限定されず、製造する際、バンクにインクを充填させる工程を有するものであればよく、例えば、カラーフィルタを有する液晶装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパーなどに適用することができる。
(Modification 8)
As described above, the electro-optical device is not limited to the organic EL device 11 as an example, and any electro-optical device may be used as long as it has a step of filling a bank with ink when manufacturing, for example, a liquid crystal having a color filter. It can be applied to devices, plasma displays, electronic paper, and the like.

第1実施形態に係る有機EL装置の一部の構造を示す模式断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing a partial structure of an organic EL device according to a first embodiment. 有機EL装置におけるバンクの構造を示す模式図であり、(a)は有機EL装置を上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示す有機EL装置のA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示す有機EL装置のB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the structure of the bank in an organic electroluminescent apparatus, (a) is a schematic top view which looked at the organic electroluminescent apparatus from upper direction, (b) is a schematic in alignment with the AA cross section of the organic electroluminescent apparatus shown to (a). Sectional drawing and (c) are schematic sectional drawings which follow the BB cross section of the organic electroluminescent apparatus shown to (a). 有機EL装置の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置を備えた携帯電話機を示す模式図。1 is a schematic diagram illustrating a mobile phone including an organic EL device. 第2実施形態に係る有機EL装置におけるバンクの構造を示す模式図であり、(a)は有機EL装置を上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示す有機EL装置のA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示す有機EL装置のB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the structure of the bank in the organic EL device which concerns on 2nd Embodiment, (a) is a schematic top view which looked at the organic EL device from the upper part, (b) is A of the organic EL device shown to (a). A schematic cross-sectional view along the -A cross section, (c) is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the organic EL device shown in (a). 第3実施形態に係る有機EL装置におけるバンクの構造を示す模式図であり、(a)は有機EL装置を上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示す有機EL装置のA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示す有機EL装置のB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the structure of the bank in the organic EL device which concerns on 3rd Embodiment, (a) is a schematic top view which looked at the organic EL device from the upper part, (b) is A of the organic EL device shown to (a). A schematic cross-sectional view along the -A cross section, (c) is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the organic EL device shown in (a). 第4実施形態に係る有機EL装置におけるバンクの構造を示す模式図であり、(a)は有機EL装置を上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示す有機EL装置のA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示す有機EL装置のB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the structure of the bank in the organic EL device which concerns on 4th Embodiment, (a) is a schematic top view which looked at the organic EL device from the upper part, (b) is A of the organic EL device shown to (a). A schematic cross-sectional view along the -A cross section, (c) is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the organic EL device shown in (a). バンクの構造の変形例を示す模式図であり、(a)はバンクを上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the modification of the structure of a bank, (a) is a schematic top view which looked at the bank from the upper part, (b) is a schematic cross section along the AA cross section of the bank shown to (a), (c ) Is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the bank shown in FIG. バンクの構造の変形例を示す模式図であり、(a)はバンクを上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the modification of the structure of a bank, (a) is a schematic top view which looked at the bank from the upper part, (b) is a schematic cross section along the AA cross section of the bank shown to (a), (c ) Is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the bank shown in FIG. バンクの構造の変形例を示す模式図であり、(a)はバンクを上方から見た模式平面図、(b)は(a)に示すバンクのA−A断面に沿う模式断面図、(c)は(a)に示すバンクのB−B断面に沿う模式断面図。It is a schematic diagram which shows the modification of the structure of a bank, (a) is a schematic top view which looked at the bank from the upper part, (b) is a schematic cross section along the AA cross section of the bank shown to (a), (c ) Is a schematic cross-sectional view along the BB cross section of the bank shown in FIG. バンク形状の変形例を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the modification of bank shape. バンク形状の変形例を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the modification of bank shape. バンク形状の変形例を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the modification of bank shape.

符号の説明Explanation of symbols

11…電気光学装置としての有機EL装置、12…発光領域、13…基板としてのガラス基板、14…回路素子層、15…発光素子層、16…陰極、17…下地保護膜、18…TFT素子、19…半導体膜、21…ソース領域、22…ドレイン領域、23…チャネル領域、24…ゲート絶縁膜、25…ゲート電極、26…第1層間絶縁膜、27…第2層間絶縁膜、28…コンタクトホール、29…信号線、31…コンタクトホール、32…画素電極、33…機能層、34,75,81,85…バンク、35,41a,76,82,86…開口部、41…第1下層バンク、42…第2下層バンク、43…上層バンク、44,79…円弧、45,77,78…直線、46…下層バンク、51…正孔注入層、52…発光層、53…表示素子、61…電子機器としての携帯電話機、62…表示部、63…操作ボタン、71…共通バンク。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Organic electroluminescent apparatus as an electro-optical device, 12 ... Light emission area | region, 13 ... Glass substrate as a board | substrate, 14 ... Circuit element layer, 15 ... Light emitting element layer, 16 ... Cathode, 17 ... Base protective film, 18 ... TFT element , 19 ... Semiconductor film, 21 ... Source region, 22 ... Drain region, 23 ... Channel region, 24 ... Gate insulating film, 25 ... Gate electrode, 26 ... First interlayer insulating film, 27 ... Second interlayer insulating film, 28 ... Contact hole, 29 ... signal line, 31 ... contact hole, 32 ... pixel electrode, 33 ... functional layer, 34, 75, 81, 85 ... bank, 35, 41a, 76, 82, 86 ... opening, 41 ... first Lower layer bank 42 ... Second lower layer bank 43 ... Upper layer bank 44,79 ... Arc, 45,77,78 ... Straight line 46 ... Lower layer bank 51 ... Hole injection layer 52 ... Light emitting layer 53 ... Display element 61 ... A mobile phone as a child equipment, 62 ... display unit, 63 ... operation button, 71 ... common bank.

Claims (11)

複数の発光領域を有する電気光学装置であって、
基板と、
前記基板上のうち前記発光領域を除いた領域に形成されると共に、前記発光領域を取り囲むように形成されたバンクと、
前記バンクに囲まれた開口部に配置された機能層と、を備え、
前記バンクは、上層バンクと、前記上層バンクより濡れ性の高い複数層の下層バンクとを有し、
前記下層バンクは、前記開口部における第1領域に露出する前記下層バンクの層数と比較して、第2領域に露出する前記下層バンクの層数が少ないことを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device having a plurality of light emitting regions,
A substrate,
A bank formed on the substrate excluding the light emitting region and formed so as to surround the light emitting region;
A functional layer disposed in an opening surrounded by the bank,
The bank has an upper layer bank and a plurality of lower layer banks having higher wettability than the upper layer bank,
The electro-optical device, wherein the lower layer bank has a smaller number of layers of the lower layer bank exposed in the second region than a number of layers of the lower layer bank exposed in the first region in the opening.
請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記開口部は、法線方向から見てコーナーを有し、
前記第1領域は、前記開口部のうち前記コーナーの一部を含む領域であることを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1,
The opening has a corner when viewed from the normal direction;
The electro-optical device, wherein the first region is a region including a part of the corner of the opening.
請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記開口部は、法線方向から見て円弧を有し、
前記第1領域は、前記開口部のうち前記円弧の一部を含む領域であることを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1,
The opening has an arc when viewed from the normal direction;
The electro-optical device, wherein the first region is a region including a part of the arc in the opening.
請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記開口部は、法線方向から見て短辺と長辺とを有し、
前記第1領域は、前記開口部のうち前記短辺側の領域であり、
前記第2領域は、前記開口部のうち前記長辺側の領域であることを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1,
The opening has a short side and a long side when viewed from the normal direction,
The first region is a region on the short side of the opening,
The electro-optical device, wherein the second region is a region on the long side of the opening.
請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記下層バンクは、前記基板側から第1下層バンクと第2下層バンクとを有し、
前記第2下層バンクの液体に対する接触角が、前記第1下層バンクの液体に対する接触角に比べて小さいことを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 4,
The lower layer bank has a first lower layer bank and a second lower layer bank from the substrate side,
An electro-optical device, wherein a contact angle with respect to the liquid of the second lower layer bank is smaller than a contact angle with respect to the liquid of the first lower layer bank.
請求項5に記載の電気光学装置であって、
前記第1下層バンクは、シリコン酸化膜であり、
前記第2下層バンクは、シリコン窒化膜であることを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 5,
The first lower layer bank is a silicon oxide film,
The electro-optical device, wherein the second lower layer bank is a silicon nitride film.
請求項5又は請求項6に記載の電気光学装置であって、
前記第1領域は、前記第2下層バンクが露出して形成されていることを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 5 or 6,
The electro-optical device, wherein the first region is formed by exposing the second lower layer bank.
請求項5又は請求項6に記載の電気光学装置であって、
前記第1領域は、前記第1下層バンク及び前記第2下層バンクが露出して形成され、
前記第2領域は、前記第1下層バンク又は前記第2下層バンクのどちらかが露出して形成されていることを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 5 or 6,
The first region is formed by exposing the first lower layer bank and the second lower layer bank,
The electro-optical device, wherein the second region is formed by exposing either the first lower layer bank or the second lower layer bank.
複数の発光領域を有する電気光学装置であって、
基板と、
前記基板上のうち前記発光領域を除いた領域に形成されると共に、前記発光領域を取り囲むように形成されたバンクと、
前記バンクに囲まれた開口部に配置された機能層と、を備え、
前記バンクは、上層バンクと、前記上層バンクより濡れ性の高い下層バンクとを有し、
前記下層バンクは、前記開口部における第1領域において露出し、第2領域において露出していないことを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device having a plurality of light emitting regions,
A substrate,
A bank formed on the substrate excluding the light emitting region and formed so as to surround the light emitting region;
A functional layer disposed in an opening surrounded by the bank,
The bank has an upper layer bank and a lower layer bank having higher wettability than the upper layer bank,
The electro-optical device, wherein the lower layer bank is exposed in a first region of the opening and is not exposed in a second region.
請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記複数の発光領域の各々に対応して、前記基板の一方の面に形成された画素電極と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に設けられた共通電極とをさらに備え、前記機能層は少なくとも発光層を有することを特徴とする電気光学装置。
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 8,
Corresponding to each of the plurality of light emitting regions, further comprising: a pixel electrode formed on one surface of the substrate; and a common electrode provided on the opposite side of the pixel electrode across the functional layer, The electro-optical device, wherein the functional layer includes at least a light emitting layer.
請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 10.
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