JP2009025412A - Active matrix type display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称する)素子のような表示素子を含む表示画素をマトリクス状に配列して表示画面を構成したアクティブマトリクス型表示装置に関する。 The present invention relates to an active matrix display device in which a display screen is configured by arranging display pixels including display elements such as organic electroluminescence (hereinafter referred to as EL) elements in a matrix.
パーソナルコンピュータ、情報携帯端末あるいはテレビジョン等の表示装置として、平面型のアクティブマトリクス型表示装置が広く利用されている。近年、このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、有機EL素子のような自己発光素子を用いた有機EL表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。この有機EL表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。 2. Description of the Related Art Planar active matrix display devices are widely used as display devices for personal computers, portable information terminals, and televisions. In recent years, as such a flat-type active matrix display device, an organic EL display device using a self-luminous element such as an organic EL element has attracted attention and has been actively researched and developed. This organic EL display device does not require a backlight that obstructs the reduction in thickness and weight, is suitable for moving image reproduction because of its high-speed response, and further has a feature that it can be used even in cold regions because the luminance does not decrease at low temperatures. .
一般に、有機EL表示装置は、複数行、複数列に並んで設けられ表示画面を構成した複数の表示画素、表示画素の各行に沿って延びた複数の走査線、表示画素の各列に沿って延びた複数の信号線、各走査線を駆動する走査線駆動回路、各信号線を駆動する信号線駆動回路等を備えている(例えば、特許文献1)。 In general, an organic EL display device includes a plurality of display pixels arranged in a plurality of rows and a plurality of columns and constituting a display screen, a plurality of scanning lines extending along each row of display pixels, and a column of display pixels. A plurality of extended signal lines, a scanning line driving circuit for driving each scanning line, a signal line driving circuit for driving each signal line, and the like are provided (for example, Patent Document 1).
各表示画素は自己発光素子である有機EL素子、およびこの有機EL素子に駆動電流を供給する画素回路により構成されている。各画素回路は、走査線および信号線の交差位置近傍に配置された画素スイッチ、一対の電源線間で有機EL素子と直列に接続され薄膜トランジスタによって構成された駆動トランジスタ、および駆動トランジスタのゲート制御電圧を保持する保持容量を有している。画素スイッチは対応走査線から供給される走査信号に応答して導通し、対応信号線から供給される映像信号を取り込む。この映像信号に対応する駆動トランジスタのゲート、ソース間電位はゲート制御電圧として保持容量に書き込まれ所定期間保持される。そして、駆動トランジスタは保持容量に書き込まれたゲート制御電圧に応じた電流量を有機EL素子に供給し、発光動作を行う。
特許文献1では、カレントコピー型の回路を画素回路に採用し、この画素回路に映像信号として電流を供給するためにカレントミラー回路等が使用されている。
そして、このカレントコピー型の画素回路には、書込期間において、映像信号が電流信号Isigとして供給される。書込期間に続く保持期間では、電流Isigとほぼ等しい大きさの駆動電流が、駆動トランジスタのドレインとソースとの間に流れる。それゆえ、駆動トランジスタの閾値Vthだけでなく移動度や寸法などが駆動電流に与える影響も排除することができる。
In
The current copy type pixel circuit is supplied with the video signal as the current signal I sig in the writing period. In the holding period following the writing period, a driving current having a magnitude substantially equal to the current Isig flows between the drain and the source of the driving transistor. Therefore, not only the threshold value V th of the driving transistor but also the influence of mobility and dimensions on the driving current can be eliminated.
ところで、画素回路は1フレーム前の画素情報を保持している。そのため、大きな電流の信号、即ち明るい(高階調)信号の電流を保持する場合は、信号線の容量、画素の中にある容量、配線抵抗を含めて、1Hの中の書き込み時間と呼ばれる時間内に映像信号に書き換えることが可能である。しかし、電流が小さくなり暗い(低階調)の信号になると、上述の信号線の容量などが負担となってきて信号電流の書き込み不足が発生し、駆動トランジスタのゲート電圧を所望の値にすることができにくくなる。そのため、低階調において輝度上昇が生じてしまう。 By the way, the pixel circuit holds pixel information of one frame before. Therefore, when a large current signal, that is, a bright (high gradation) signal current is held, the signal line capacitance, the capacitance in the pixel, and the wiring resistance are included in a time called a writing time in 1H. It can be rewritten to a video signal. However, when the current becomes small and the signal becomes dark (low gradation), the above-described signal line capacitance or the like becomes a burden and insufficient writing of the signal current occurs, and the gate voltage of the driving transistor is set to a desired value. It becomes difficult to do. For this reason, an increase in luminance occurs at a low gradation.
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、低階調表示における信号電流の書き込み不足を解消し、低階調における輝度上昇を抑えて良好な表示を実現することが可能なアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is an active matrix type capable of solving a shortage of signal current writing in low gradation display and realizing good display by suppressing an increase in luminance at low gradation. An object is to provide a display device.
上記課題を達成するための本発明は、基板上にマトリクス状に配置された複数の画素部と、列毎に設けられ、各列のそれぞれの画素部と接続して当該画素部に映像信号に対応する電流信号を供給する信号線と、行毎に設けられ、各行のそれぞれの画素部と接続して当該画素部に前記映像信号に対応した行単位の画素部を選択して前記映像信号に対応する電流信号を当該画素部に書込み、保持させると共に当該画素部の表示素子の発光期間を制御する制御信号を供給する複数の制御信号線とを有し、各画素部は、前記表示素子に供給する発光電流値が前記映像信号に対応する電流信号値に1よりも小さい所定の比率を乗じた値となるように構成されているアクティブマトリックス型表示装置である。 In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of pixel portions arranged in a matrix on a substrate, and is provided for each column, and is connected to each pixel portion of each column to output a video signal to the pixel portion. A signal line for supplying a corresponding current signal and a line provided for each row, connected to each pixel portion of each row, and a pixel unit in a row unit corresponding to the video signal is selected for the pixel portion to be used as the video signal. A plurality of control signal lines for writing and holding a corresponding current signal in the pixel portion and supplying a control signal for controlling a light emission period of a display element of the pixel portion. In the active matrix display device, the light emission current value to be supplied is a value obtained by multiplying a current signal value corresponding to the video signal by a predetermined ratio smaller than 1.
本発明のアクティブマトリクス型表示装置によれば、低階調表示における信号電流の書き込み不足を解消し、低階調における輝度上昇を抑えて良好な表示を実現することができる。 According to the active matrix display device of the present invention, insufficient writing of signal current in low gradation display can be solved, and good display can be realized by suppressing an increase in luminance at low gradation.
以下、図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機EL表示装置について詳細に説明する。
図1に示すように、有機EL表示装置は、有機ELパネル1および有機ELパネル1を制御するコントローラ3を備えている。
Hereinafter, an active matrix organic EL display device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the organic EL display device includes an
有機ELパネル1は、ガラス板等の光透過性絶縁基板2上にマトリクス状に配列され表示領域7を構成したm×n個の表示画素PX、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してm本ずつ設けられた第1制御信号線Sga(1〜m)、第2制御信号線Sgb(1〜m)および第3制御信号線Sgc(1〜m)と、表示画素の列毎にそれぞれ接続されたn本の信号線X(1〜n)、第1、第2制御信号線Sga、Sgb及びSgcを表示画素の行毎に順次駆動する制御信号出力回路5、および複数の信号線X1〜Xnを駆動する信号線駆動回路6を備えている。
各表示画素PXは、自己発光素子である有機EL素子31、およびこの有機EL素子31に駆動電流を供給する画素回路8により構成されている。
The
Each display pixel PX includes an
図2は、表示画素PXの等価回路を示す図である。
画素回路8は電流信号からなる映像信号に応じて有機EL素子31の発光を制御する電流信号方式の回路である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an equivalent circuit of the display pixel PX.
The pixel circuit 8 is a current signal circuit that controls light emission of the
この画素回路は、駆動トランジスタ11、入力トランジスタ12、第1スイッチ21、第2スイッチ22、第3スイッチ23、第4スイッチ24、第5スイッチ25、第6スイッチ26、第7スイッチ27、保持容量Cs1、保持容量Cs2、保持容量Cs3、保持容量Cs4、および有機EL素子31を備えている。
駆動トランジスタ11および入力トランジスタ12、および、各スイッチは、ここでは同一導電型、例えばPチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。
This pixel circuit includes a
Here, the
駆動トランジスタ11と入力トランジスタ12のサイズは、同じである。なお、ここで「トランジスタのサイズが同じ」とはトランジスタのチャネル長及びチャネル幅が同じであることを指す。また、保持容量Cs1と保持容量Cs3の容量値は同じC1で、保持容量Cs2と保持容量Cs4の容量値はC2である。
また、本実施形態において、画素回路8を構成する薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。
The sizes of the
In this embodiment, the thin film transistors constituting the pixel circuit 8 are all formed in the same process and the same layer structure, and are top gate thin film transistors using polysilicon as a semiconductor layer.
駆動トランジスタ11、第7スイッチ27、および有機EL素子31は、第1電圧電源線Vssと第2電圧電源線Vddとの間で直列に接続されている。第1および第2電圧電源線Vss、Vddは、例えば0Vおよび+10Vの電位にそれぞれ設定される。駆動トランジスタ11は、その第1端子、ここではソースが第2電圧電源線Vddに接続されている。有機EL素子31は、一方の電極、ここではカソードが第1電圧電源線Vssに接続されている。第7スイッチ27は、ソースが駆動トランジスタ11の第2端子、ここではドレインに接続されている。また、第7スイッチ27は、ドレインが有機EL素子31のアノードに接続され、更に、ゲートが第3制御信号線Sgcに接続されている。
The
駆動トランジスタ11は、映像信号に応じた大きさの電流を有機EL素子31に出力する。第7スイッチ27は、第3制御信号線Sgcからの制御信号Sbによりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)制御され、駆動トランジスタ11と有機EL素子31との接続、非接続を制御する。
The
定電位端子、駆動トランジスタ11の制御端子間、ここでは駆動トランジスタ11のソース、ゲート間には、第2電源線Vdd側から直列に、保持容量Cs3、第5スイッチ25及び保持容量Cs4が接続されている。そして、第5スイッチ25は、第1制御信号線Sgaからの制御信号Saによりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)制御され、保持容量Cs3と保持容量Cs4との接続、非接続を制御する。
A holding capacitor Cs3, a
また、駆動トランジスタ11のゲート、ドレイン間には、第6スイッチ26が接続されている。そして、第6スイッチ26は、第1制御信号線Sgaからの制御信号Saによりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)制御され、駆動トランジスタ11のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御する。
A
一方、入力トランジスタ12、および第1スイッチ21は、第2電圧電源線Vddと信号線Xの間で直列に接続される。入力トランジスタ12は、その第1端子、ここではソースが第2電圧電源線Vddに接続され、第1スイッチ21は、ソースが入力トランジスタ12の第2端子、ここではドレインに接続されている。また、第1スイッチ21は、ドレインが信号線Xに接続され、更に、ゲートが第1制御信号線Sgaに接続されている。
On the other hand, the
定電位端子、入力トランジスタ12の制御端子間、ここでは入力トランジスタ12のソース、ゲート間には、第2電源線Vdd側から直列に、保持容量Cs1、第3スイッチ23及び保持容量Cs2が接続されている。そして、第3スイッチ23は、第1制御信号線Sgaからの制御信号Saによりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)制御され、保持容量Cs1と保持容量Cs2との接続、非接続を制御する。
A holding capacitor Cs1, a
また、入力トランジスタ12のゲート、ドレイン間には、第2スイッチ22が接続されている。そして、第2スイッチ22は、第1制御信号線Sgaからの制御信号Saよりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)制御され、入力トランジスタ12のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御する。
A
そして、保持容量Cs1の第3スイッチと接続する側の端子と、保持容量Cs4の第5スイッチと接続する側の端子間は第4スイッチ24が接続されている。そして、第4スイッチ24は、第2制御信号線Sgbからの制御信号Sbによりオン(導通状態)、オフ(非導通状態)制御され、保持容量Cs1と保持容量Cs4との接続、非接続を制御する。
A
一方、図1に示すコントローラ3は有機ELパネル1の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、制御信号出力回路5および信号線駆動回路6を制御する。コントローラ3は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生し、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ制御信号出力回路5および信号線駆動回路6に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路6に供給する。
On the other hand, the
信号線駆動回路6は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号Data1〜Datanをアナログ形式に変換し電流信号として複数の信号線Xに並列的に供給する。制御信号出力回路5は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される垂直走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素PXに3種類の制御信号、すなわち、制御信号Sa、Sb、Scを供給する。これにより、各第1、第2、第3制御信号線Sga、Sgb、Sgcは、互いに異なる1水平走査期間において、それぞれ制御信号Sa、制御信号Sb、制御信号Scにより駆動される。
The signal
以下、制御信号出力回路5および信号線駆動回路6の出力信号に基づく画素回路8の動作について説明する。
図3は、制御信号Sa、Sb、Scのタイムチャートである。制御信号Sa、Sb、Scは、画素回路8の各期間、即ち書込み期間、保持期間及び発光期間に対応して変化する。
Hereinafter, the operation of the pixel circuit 8 based on the output signals of the control
FIG. 3 is a time chart of the control signals Sa, Sb, and Sc. The control signals Sa, Sb, and Sc change corresponding to each period of the pixel circuit 8, that is, the writing period, the holding period, and the light emitting period.
図4は、書き込み期間における画素回路8の動作を説明する図である。書込み期間では、制御信号Saがローレベルに制御されることにより、第1スイッチ21、第2スイッチ22、第3スイッチ23、第5スイッチ25、第6スイッチ26がオンする。一方、制御信号Sbがハイレベルに制御されることにより、第4スイッチ24がオフし、制御信号S3がハイレベルに制御されることにより、第7スイッチ27がオフする。
この結果入力トランジスタ12には、図中の矢印の方向に信号電流Isigが流れ、この信号電流Isigに応じた入力トランジスタ12のゲート電圧が、保持容量Cs2に保持される。同時に、駆動トランジスタ11のゲートが閾値電圧になるまで、保持容量Cs4が充電され、この閾値電圧が保持容量Cs4に保持される。
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the pixel circuit 8 in the writing period. In the writing period, the
As a result, the signal current Isig flows through the
このときの入力トランジスタ12のゲート電位をVgとすると、保持容量Cs1の電位Vaは、式(1)で表される。
Va=Vdd−(Vdd−Vg)×C2/(C1+C2)
=(C1×Vdd+C2×Vg)/(C1+C2) ・・・式(1)
また、駆動トランジスタ11の閾値電圧をVthとすると、保持容量Cs3の保持容量Cs4側の電位Vbは、式(2)で表される。
Vb=Vdd−Vth×C2/(C1+C2) ・・・式(2)
また、保持容量Cs4の駆動トランジスタのゲート端子側の電位Vcは、式(3)で表される。
Vc=Vdd−Vth ・・・式(3)
したがって、保持容量Cs4の両端の電位差ΔVbcは、式(4)で表される。
ΔVbc=Vb−Vc=Vth×C1/(C1+C2) ・・・式(4)
次に、図5は、保持期間における画素回路8の動作を説明する図である。
制御信号Scがハイレベルを維持することにより、引き続き、第7スイッチ27がオフのままである。制御信号Saがハイレベルに変化することにより、第1スイッチ21、第2スイッチ22、第3スイッチ23、第5スイッチ25、第6スイッチ26がオフする。同時に、制御信号Sbがローレベルに変化することにより、第4スイッチ24がオンする。
Assuming that the gate potential of the
Va = Vdd− (Vdd−Vg) × C2 / (C1 + C2)
= (C1 × Vdd + C2 × Vg) / (C1 + C2) (1)
Further, when the threshold voltage of the
Vb = Vdd−Vth × C2 / (C1 + C2) (2)
Further, the potential Vc on the gate terminal side of the driving transistor of the storage capacitor Cs4 is expressed by Expression (3).
Vc = Vdd−Vth (3)
Therefore, the potential difference ΔVbc across the storage capacitor Cs4 is expressed by Expression (4).
ΔVbc = Vb−Vc = Vth × C1 / (C1 + C2) (4)
Next, FIG. 5 is a diagram illustrating the operation of the pixel circuit 8 in the holding period.
By maintaining the control signal Sc at the high level, the
この結果、保持容量Cs1と保持容量Cs4が接続され、保持容量Cs4の保持容量Cs1側の端子の電位は、保持容量Cs1の電位と同じになる。保持容量Cs4の端子間の電圧は保持されるので、駆動トランジスタ11のゲート電位は、保持容量Cs1の電位より、保持容量Cs4の端子間に保持された電圧差分、下がることになる。
As a result, the storage capacitor Cs1 and the storage capacitor Cs4 are connected, and the potential of the terminal on the storage capacitor Cs1 side of the storage capacitor Cs4 is the same as the potential of the storage capacitor Cs1. Since the voltage between the terminals of the holding capacitor Cs4 is held, the gate potential of the driving
したがって、駆動トランジスタ11のゲートの電位Vdは、式(5)で表される。
Vd=Va−ΔVbc
=(C1×Vdd+C2×Vg−C1×Vth)/(C1+C2)
・・・式(5)
次に、図6は、発光動作期間における画素回路8の動作を説明する図である。
制御信号Sbがローレベルを維持することにより、引き続き、第4スイッチ24がオン状態を継続する。制御信号Saがハイレベルを維持することにより、引き続き、第1スイッチ21、第2スイッチ22、第3スイッチ23、第5スイッチ25、第6スイッチ26がオフ状態を継続する。制御信号Scがローレベルに変化することにより、第7スイッチ27がオンする。
Therefore, the potential Vd of the gate of the driving
Vd = Va−ΔVbc
= (C1 * Vdd + C2 * Vg-C1 * Vth) / (C1 + C2)
... Formula (5)
Next, FIG. 6 is a diagram illustrating the operation of the pixel circuit 8 during the light emission operation period.
By maintaining the control signal Sb at the low level, the
この結果、保持容量Cs4に保持された電位により、駆動トランジスタ11には図中の矢印方向に電流が流れ、この電流により有機EL素子31が発光する。
As a result, a current flows in the
ここで、駆動トランジスタ11のドレイン電流、すなわち、発光電流IELは、トランジスタの電流式から、式(6)で表される。
IEL=β×(Vdd−Vd−Vth)2 ・・・式(6)
この式(6)のゲートの電位Vdに、式(5)を代入すると式(7)を得る。
Here, the drain current of the driving
IEL = β × (Vdd−Vd−Vth) 2 Formula (6)
By substituting equation (5) into the gate potential Vd of equation (6), equation (7) is obtained.
IEL=β×{(Vdd−Vg−Vth)×C2/(C1+C2)}2
・・・式(7)
また、駆動トランジスタ11と入力トランジスタ12は同じサイズであるので、信号電流Isigは、式(8)で表される。
Isig=β×(Vdd−Vg−Vth)2 ・・・式(8)
したがって、発光電流IELは、式(9)で表される。
IEL=Isig×{C2/(C1+C2)}2
=Isig/N ・・・式(9)
ここで、Nは1以上の実数である。
IEL = β × {(Vdd−Vg−Vth) × C2 / (C1 + C2)} 2
... Formula (7)
Further, since the
Isig = β × (Vdd−Vg−Vth) 2 Formula (8)
Therefore, the light emission current IEL is expressed by the equation (9).
IEL = Isig × {C2 / (C1 + C2)} 2
= Isig / N (9)
Here, N is a real number of 1 or more.
この式は、発光電流が、トランジスタの閾値や移動度によらず、信号電流の1/N倍となることを示している。
すなわち、所望の発光電流で有機EL素子を発光させるのに、N倍の信号電流を流すことになる。
This equation indicates that the light emission current is 1 / N times the signal current regardless of the threshold value and mobility of the transistor.
That is, N times the signal current is passed to cause the organic EL element to emit light with a desired light emission current.
従来では、低階調表示のような小さい信号電流の場合、信号線の負荷容量の影響により、書き込み不足が発生し、所望の発光電流より大きな電流が流れ、輝度上昇が生じていた。しかし、本発明の実施形態では、低階調表示でも、所望の発光電流を流すのに、N倍の信号電流を流すことになり、従来より大きな信号電流を流すため、書き込み不足が低減され、輝度上昇が低減できる。 Conventionally, in the case of a small signal current such as low gradation display, writing is insufficient due to the influence of the load capacity of the signal line, and a current larger than a desired light emission current flows, resulting in an increase in luminance. However, in the embodiment of the present invention, even in a low gradation display, a signal current that is N times larger than a conventional signal current is allowed to flow in order to pass a desired light emission current. Brightness increase can be reduced.
その他、本発明は前述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することできる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。 In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.
前述した実施形態では、画素回路を構成する薄膜トランジスタを全て同一の導電型、ここではPチャネル型で構成する場合について説明したが、これに限定されず、全てをNチャネル型の薄膜トランジスタで構成することも可能である。また、画素回路を異なる導電型の薄膜トランジスタを混在して形成することも可能である。 In the above-described embodiment, the case where all the thin film transistors constituting the pixel circuit are formed of the same conductivity type, here, the P channel type is described. However, the present invention is not limited to this, and all the thin film transistors are formed of N channel type thin film transistors. Is also possible. In addition, the pixel circuit can be formed by mixing thin film transistors of different conductivity types.
更に、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機EL素子に限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用可能である。 Furthermore, the semiconductor layer of the thin film transistor is not limited to polysilicon, but may be composed of amorphous silicon. The self-luminous elements constituting the display pixels are not limited to organic EL elements, and various display elements capable of self-luminance are applicable.
3…コントローラ、5…制御信号出力回路、6…信号線駆動回路、31…有機EL素子、8…画素回路、11…駆動トランジスタ、12…入力トランジスタ、21…第1スイッチ、22…第2スイッチ、23…第3スイッチ、24…第4スイッチ、25…第5スイッチ、26…第6スイッチ、27…第7スイッチ、Cs1…保持容量、Cs2…保持容量、Cs3…保持容量、Cs4…保持容量、PX…表示画素、Vdd…第2電圧電源線、Vss…第1電圧電源線、Sga…第1制御信号線、Sgb…第2制御信号線、Sgc…第3制御信号線、X…信号線、Sa…第1制御信号、S2…第2制御信号、S3…第3制御信号。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
列毎に設けられ、各列のそれぞれの画素部と接続して当該画素部に映像信号に対応する電流信号を供給する信号線と、
行毎に設けられ、各行のそれぞれの画素部と接続して当該画素部に前記映像信号に対応した行単位の画素部を選択して前記映像信号に対応する電流信号を当該画素部に書込み、保持させると共に当該画素部の表示素子の発光期間を制御する制御信号を供給する複数の制御信号線とを有し、
各画素部は、前記表示素子に供給する発光電流値が前記映像信号に対応する電流信号値に1よりも小さい所定の比率を乗じた値となるように構成されていることを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置。 A plurality of pixel portions arranged in a matrix on the substrate;
A signal line provided for each column and connected to each pixel portion of each column to supply a current signal corresponding to the video signal to the pixel portion;
Provided for each row, connected to each pixel portion of each row, and selects a pixel unit in a row unit corresponding to the video signal in the pixel unit, and writes a current signal corresponding to the video signal to the pixel unit; A plurality of control signal lines for holding and supplying a control signal for controlling the light emission period of the display element of the pixel portion;
Each pixel unit is configured such that a light emission current value supplied to the display element is a value obtained by multiplying a current signal value corresponding to the video signal by a predetermined ratio smaller than 1. Matrix type display device.
第1の電源に第1の端子が接続された入力トランジスタと、前記入力トランジスタの第2の端子と前記信号線との間に接続された第1のスイッチと、前記入力トランジスタの制御端子と第2の端子との間に接続された第2のスイッチと、前記入力トランジスタの第1の端子と制御端子との間に第1の端子側から直列に接続された第1の容量、第3のスイッチ及び第2の容量と、
第1の電源に第1の端子が接続された駆動トランジスタと、第2の電源に第1の端子が接続された前記表示素子の第2の端子と前記駆動トランジスタの第1の端子との間に接続された第7のスイッチと、前記駆動トランジスタの制御端子と第2の端子との間に接続された第6のスイッチと、前記駆動トランジスタの第1の端子と制御端子との間に第1の端子側から直列に接続された第3の容量、第5のスイッチ及び第4の容量と、
前記第1の容量の前記第3のスイッチ側の端子と前記第4の容量の前記第5のスイッチ側の端子との間に接続する第4のスイッチとを備え、
前記入力トランジスタと、前記駆動トランジスタとは同じサイズであり、前記第1の容量と第3の容量、前記第2の容量と前記第4の容量が同じ容量値であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリックス型表示装置。 Each display pixel is
An input transistor having a first terminal connected to a first power supply; a first switch connected between the second terminal of the input transistor and the signal line; a control terminal of the input transistor; A second switch connected between two terminals, a first capacitor connected in series from the first terminal side between the first terminal and the control terminal of the input transistor, a third capacitor A switch and a second capacitor;
A driving transistor having a first terminal connected to a first power source, and a second terminal of the display element having a first terminal connected to a second power source and the first terminal of the driving transistor. A seventh switch connected to the drive transistor, a sixth switch connected between the control terminal and the second terminal of the drive transistor, and a first switch between the first terminal and the control terminal of the drive transistor. A third capacitor, a fifth switch, and a fourth capacitor connected in series from one terminal side;
A fourth switch connected between the terminal on the third switch side of the first capacitor and the terminal on the fifth switch side of the fourth capacitor;
The input transistor and the drive transistor have the same size, and the first capacitor and the third capacitor, and the second capacitor and the fourth capacitor have the same capacitance value. 2. An active matrix display device according to 1.
第1の制御線は、前記第1のスイッチ、第2のスイッチ、第3のスイッチ、第5のスイッチ及び第6のスイッチの導通、非導通を制御し、
第2の制御線は、前記第4のスイッチの導通、非導通を制御し、
第3の制御線は、前記第7のスイッチの導通、非導通を制御すること
を特徴とする請求項3に記載のアクティブマトリックス型表示装置。 The plurality of control lines are provided in three rows,
The first control line controls conduction and non-conduction of the first switch, the second switch, the third switch, the fifth switch, and the sixth switch,
The second control line controls conduction and non-conduction of the fourth switch,
4. The active matrix display device according to claim 3, wherein the third control line controls conduction and non-conduction of the seventh switch.
前記制御信号出力部は、
前記映像信号に対応する電流信号を各画素部に書込む際、前記第1の制御線に各スイッチを導通する制御信号、前記第2及び第3の制御線に各スイッチを非導通する制御信号を供給し、
前記映像信号に対応する電流信号を各画素部に保持させる際、前記第1及び第3の制御線に各スイッチを非導通する制御信号、前記第2の制御線に各スイッチを導通する制御信号を供給し、
前記表示素子を発光させる際、前記第1の制御線に各スイッチを非導通する制御信号、前記第2及び第3の制御線に各スイッチを導通する制御信号を供給すること
を特徴とする請求項4に記載のアクティブマトリックス型表示装置。 A control signal output unit for supplying a control signal for conducting and non-conducting each switch connected to the plurality of control lines;
The control signal output unit is
When writing a current signal corresponding to the video signal to each pixel unit, a control signal for turning on each switch to the first control line, and a control signal for turning off each switch to the second and third control lines Supply
When each pixel unit holds a current signal corresponding to the video signal, a control signal that makes each switch non-conductive to the first and third control lines, and a control signal that makes each switch conductive to the second control line Supply
When the display element is caused to emit light, a control signal for turning off each switch is supplied to the first control line, and a control signal for turning on each switch is supplied to the second and third control lines. Item 5. The active matrix display device according to Item 4.
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