JP2009016767A - ナノマグネット、量子デバイス、及びこれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
量子ドット13と、その近傍に設けた導電性材料からなるナノコイル16と、量子ドット13の上方に配置された軟磁性材料の磁性ナノ粒子14とを備えた量子デバイス10による。ナノコイル16にパルス状の電流(7μA程度)を印加すると、量子ドット13の上方に配置された磁性ナノ粒子14によって、量子ビット13に強い磁場(0.5T程度)を印加することができる。同時にESR周波数のマイクロ波(Xバンド)を印加すれば、量子ドット13で構成された量子ビット(電子スピン)を操作できる。軟磁性材料にマイクロ波領域で高い透磁率を有する材料を用いると、より高いESR周波数を使用でき、量子ビットの操作時間を短くできる。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、本発明の第1実施形態の構成例1に係わる量子デバイスの構造を示す図である。図1(b)は図1(a)に示す量子デバイスの断面図である。図1(c)は図1(a)に示す量子デバイスのナノコイルに電流を印加したときの磁束線の様子を示す模式図である。
次に、本発明の第1実施形態の量子デバイスの構成例2について説明する。図2(a)は、本発明の第1実施形態の構成例2に係わる量子デバイスの構造を示す図である。図2(b)及び(c)は、図2(a)に示す量子デバイスを半導体基板の表面と平行な面に沿って切断した断面図である。
次に、本発明の第1実施形態の構成例3に係わる量子デバイスについて説明する。図3(a)は、本発明の第1実施形態の構成例3に係わる量子デバイスの構造を示す図である。図3(b)及び(c)は、図3(a)に示す量子デバイスを半導体基板と平行な面に沿って切断した断面図である。半導体基板の上面に沿って切断した断面を示す図であり、図3(b)は本構成例の量子デバイスを上面から見た図である。
以下、図7〜9を参照しつつ本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態の量子デバイスは、ナノコイルを上下方向に複数層積層したナノマグネットを有する。
第1実施形態の量子デバイスの製造方法と同様に、上側半導体層12bの表面であって量子ドット13の上方の位置に、AFM酸化法により局所酸化領域を形成し(図示せず)、引き続いてこの局所酸化領域を除去して、磁性ナノ粒子用の穴を形成する。AFM酸化法で磁性ナノ粒子用孔部を除いた上側半導体層12bの表面に酸化膜を形成し、磁性材料膜を形成する。その後、第1実施形態と同様のアニール処理およびリフトオフ工程により、磁性ナノ粒子14を量子ドット13の上方に形成する。磁性ナノ粒子14の周囲にAFM酸化法により図9(b)に示すように局所酸化領域46を形成し、この局所酸化領域46をウエットエッチングにより選択的に除去して、ナノコイル16及び接続配線用の溝を形成する。そして、液滴エピタキシー法により例えばAl等の導電材料を、その溝の部分に堆積させることにより、接続配線15及びナノコイル16が形成される(図8(d)I−I線部分)。同時に、接続配線15の一方の端部(ナノコイル16の一方の端部)と、垂直配線41とが図8(d)(II−II線部分)に示すように接続される。以上の工程により、図8(d)に示す構造物が完成する。
Claims (5)
- 結晶性基板の上に形成された量子ドットと、
前記量子ドットの上方に形成された磁性材料からなる磁性ナノ粒子と、
前記磁性ナノ粒子の周囲に近接して形成された導電材料からなる円弧状のナノコイルと、を備えたことを特徴とする量子デバイス。 - 更に、前記量子ドットの周囲に近接して形成された導電材料からなる円弧状の基板側ナノコイルと、
前記ナノコイルと基板側ナノコイルとを接続する垂直配線と、を備えたことを特徴とする請求項2記載の量子デバイス。 - 結晶性基板の上方に形成された磁性材料からなる磁性ナノ粒子と、
前記磁性ナノ粒子の周囲に近接して配置された導電材料からなる円弧状のナノコイルと、を備えたことを特徴とするナノマグネット。 - 結晶性基板の上に量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドットの上方に磁性材料からなる磁性ナノ粒子を形成する工程と、
前記磁性ナノ粒子の周囲に円弧状のナノコイルを形成する工程と、を有することを特徴とする量子デバイスの製造方法。 - 前記量子ドットの上方に磁性ナノ粒子を形成する工程は、
前記量子ドットを覆う第1の被覆層を形成する工程と、
前記第1の被覆層の表面であって前記量子ドットの上方の部分に孔部を形成する工程と、
前記孔部を除いた前記第1の被覆層の表面に第2の被覆層を形成する工程と、
前記第2の被覆層及び孔部を覆うように磁性材料層を形成する工程と、
前記磁性材料層をアニール処理して前記孔部に磁性ナノ粒子を形成する工程と、
前記孔部以外の磁性材料を前記第2の被覆層と共に除去する工程と、よりなることを特徴とする請求項4に記載の量子デバイスの製造方法。
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