JP2009016538A - Wafer surface protective tape, and wafer grinding method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer surface protective tape capable of being excellently peeled from a wafer surface without causing peeling defects or the chipping or cracking of a wafer or the like, since the sensor recognition property of the sensor recognition part of the wafer in a peeling process is excellent, positioning defects or the like are hardly caused and adhesion of a base material film back surface to a peeling tape is high. <P>SOLUTION: The wafer surface protective tape 10 is used in the process of sticking the surface side of a base material film to the surface of the wafer provided with the sensor recognition part and grinding the back surface of the wafer. The back surface of the base material film has a coarse region 20 where center line average roughness (Ra) is 1-9 μm and flat regions 22 and 24 where the center line average roughness (Ra) is ≤0.5 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエハ表面保護テープおよびそれを用いたウエハ研削方法に関し、さらに詳しくは、各種半導体の製造工程におけるウエハの研削工程においてウエハ表面を保護するために用いるウエハ表面保護テープおよびそれを用いたウエハ研削方法に関する。   The present invention relates to a wafer surface protection tape and a wafer grinding method using the same, and more specifically, a wafer surface protection tape used for protecting a wafer surface in a wafer grinding process in various semiconductor manufacturing processes, and the same. The present invention relates to a wafer grinding method.

半導体ウエハ製造工程において、ウエハ表面にパターンを形成した後、ウエハ裏面を所定厚さまで研削するいわゆるバックグラインド工程が行なわれる。その際、一般的には、ウエハ表面を保護する目的で、ウエハ表面にウエハ表面保護テープを貼り合わせ、その状態でウエハ裏面が研削される。ウエハ表面保護テープは、例えば特開2002−338911号公報(特許文献1)に開示されているように、基材フィルムの表面側に粘着層が設けられ、必要に応じて粘着層上にセパレータを有するものであり(特許文献1の0013、図1参照)、セパレータを剥離した状態で、基材フィルムの表面側を粘着層によってウエハ表面に貼り合わせて用いられる。   In the semiconductor wafer manufacturing process, after forming a pattern on the wafer surface, a so-called back grinding process is performed in which the back surface of the wafer is ground to a predetermined thickness. At that time, in general, for the purpose of protecting the wafer surface, a wafer surface protection tape is bonded to the wafer surface, and the wafer back surface is ground in that state. As disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-338911 (Patent Document 1), the wafer surface protective tape is provided with an adhesive layer on the surface side of the base film, and a separator is provided on the adhesive layer as necessary. It is used (see Patent Document 1 0013, FIG. 1), and in a state where the separator is peeled off, the surface side of the base film is adhered to the wafer surface with an adhesive layer.

ウエハ表面保護テープは、一般的にはバックグラインド工程以降の工程では不要となり、バックグラインド工程後には、例えば特開平5−62950号公報(特許文献2)に開示されているように、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面(外方に露出している最外表面)に剥離テープを貼り付け、その剥離テープをウエハに対して鋭角的にめくり上げることで、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離している(特許文献2の0019、図5参照)。   The wafer surface protection tape is generally unnecessary in the steps after the back grinding process, and after the back grinding process, for example, as disclosed in JP-A-5-62950 (Patent Document 2), the wafer surface protection tape is used. Affix the release tape to the back of the tape base film (the outermost surface exposed to the outside), and peel off the wafer surface protection tape from the wafer by turning the release tape sharply with respect to the wafer. (See Patent Document 2 0019, FIG. 5).

上述したウエハ表面保護テープの剥離工程は、一般的には、真空吸着固定器によりウエハの裏面を真空吸着固定した状態で行う。また、そのウエハ裏面の真空吸着固定、剥離テープの貼り付けおよび剥離テープの剥離は、例えばウエハの外周上の一部に設けられたセンサ認識部(後記図3参照)をセンサで認識して、その真空吸着固定位置、貼り付け位置および剥離位置等を決定している。   The above-described wafer surface protective tape peeling step is generally performed in a state where the back surface of the wafer is vacuum-fixed and fixed by a vacuum suction-fixing device. In addition, the vacuum suction fixing of the back surface of the wafer, the application of the release tape, and the release of the release tape are performed by, for example, recognizing with a sensor a sensor recognition unit (see FIG. 3 described later) provided in a part on the outer periphery of the wafer The vacuum suction fixing position, the attaching position, the peeling position, etc. are determined.

特開2002−338911号公報JP 2002-338911 A 特開平5−62950号公報JP-A-5-62950

前記バックグラインド工程において、ウエハ裏面の研削で発生する研削屑(シリコンダスト等)は、ウエハ表面保護テープの最外表面である基材フィルム裏面上に付着し、以下の問題を引き起こす。すなわち、研削屑が基材フィルム裏面上に付着した状態でウエハがウエハ表面保護テープ剥離工程に供されると、研削屑が前記センサ認識部を覆っているためセンサの認識性が低下し、剥離工程においてウエハの位置決め不良が起こり、その結果、ウエハ表面保護テープを剥離できなくなったり、テープの剥離不良が起こったりすることがある。また、極端な場合は、ずれた位置で固定されたウエハに対して剥離による無理な外力が伝わる結果、ウエハが欠けたり、割れたりすることもある。   In the back grinding process, grinding dust (silicon dust or the like) generated by grinding the back surface of the wafer adheres to the back surface of the substrate film, which is the outermost surface of the wafer surface protective tape, and causes the following problems. That is, when the wafer is subjected to the wafer surface protection tape peeling step with the grinding dust adhered to the back surface of the base film, the sensor recognition is reduced because the grinding dust covers the sensor recognition unit, and the wafer is peeled off. Wafer positioning failure occurs in the process, and as a result, the wafer surface protection tape may not be peeled off or tape peeling failure may occur. In an extreme case, an excessive external force due to peeling is transmitted to the wafer fixed at the shifted position, and the wafer may be chipped or cracked.

さらに、前記剥離工程においては、ウエハ表面保護テープの基材フィルム裏面と剥離テープとの接着力は重要であり、それらの間の接着力が不十分であると、ウエハ表面保護テープの剥離不良が起こる。   Furthermore, in the peeling step, the adhesive force between the back surface of the base film of the wafer surface protective tape and the peeling tape is important. If the adhesive force between them is insufficient, the wafer surface protective tape may be poorly peeled. Occur.

本発明は、前述した事情に鑑みてなされたもので、ウエハ表面を保護するために用いるウエハ表面保護テープであって、剥離工程におけるウエハのセンサ認識部のセンサ認識性が良好で、位置決め不良等が起こりにくく、かつ、基材フィルム裏面と剥離テープとの接着力が高いことから、剥離不良、ウエハの欠けや割れ等を起こさずにウエハ表面から良好に剥離することができるウエハ表面保護テープおよびそれを用いたウエハ研削方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and is a wafer surface protective tape used for protecting the wafer surface, in which the sensor recognizability of the sensor recognition unit of the wafer in the peeling process is good, positioning failure, etc. Wafer surface protection tape that can be easily peeled off from the wafer surface without causing defective peeling, chipping or cracking of the wafer, and the like. An object is to provide a wafer grinding method using the same.

本発明者らは、前述した目的を達成するために鋭意検討を行った結果、ウエハ表面保護テープの基材フィルム裏面の中心線平均粗さ(Ra)は、研削屑(シリコンダスト等)のウエハ表面保護テープの基材フィルム裏面上への付着、およびセンサ認識性に大きく影響し、さらには剥離テープとの密着性に大きく影響することを見出し、本発明に至った。   As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventors have found that the center line average roughness (Ra) on the back surface of the base film of the wafer surface protective tape is a wafer of grinding dust (silicon dust or the like). The present inventors have found that the adhesion of the surface protection tape to the back surface of the base film and the sensor recognizability are greatly affected, and further the adhesiveness with the release tape is greatly affected.

本発明は、前記目的を達成するため、基材フィルムの表面側をセンサ認識部を具備するウエハの表面に貼り合わせてウエハの裏面を研削する工程に用いるウエハ表面保護テープであって、前記基材フィルムの裏面が、中心線平均粗さ(Ra)が1〜9μmの粗化領域と、中心線平均粗さ(Ra)が0.5μm以下の平坦領域とを有することを特徴とするウエハ表面保護テープを提供する。   In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer surface protective tape used in a process of bonding the front surface side of a base film to the surface of a wafer having a sensor recognition unit and grinding the back surface of the wafer. The wafer surface, wherein the back surface of the material film has a roughened region having a centerline average roughness (Ra) of 1 to 9 μm and a flat region having a centerline average roughness (Ra) of 0.5 μm or less. Provide protective tape.

また、本発明は、センサ認識部を具備するウエハの表面にウエハ表面保護テープを貼り合わせてウエハの裏面を研削するウエハ研削方法であって、
前記ウエハ表面保護テープとして、上記本発明のウエハ表面保護テープを用いるとともに、
前記ウエハのセンサ認識部に前記平坦領域の少なくとも一部が重なるように、前記ウエハの表面に前記基材フィルムの表面側を貼り合わせる工程と、
前記ウエハの裏面を研削する工程と、
ウエハの裏面を研削した後、前記基材フィルムの裏面の粗化領域の少なくとも一部に剥離テープを貼り付ける工程と、
前記剥離テープをウエハに対してめくり上げることにより、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離する工程とを行うことを特徴とするウエハ研削方法を提供する。
Further, the present invention is a wafer grinding method for grinding a back surface of a wafer by laminating a wafer surface protective tape on the surface of a wafer having a sensor recognition unit,
While using the wafer surface protection tape of the present invention as the wafer surface protection tape,
Bonding the surface side of the base film to the surface of the wafer so that at least a part of the flat region overlaps the sensor recognition unit of the wafer;
Grinding the backside of the wafer;
After grinding the back surface of the wafer, applying a release tape to at least a part of the roughened region of the back surface of the base film,
There is provided a wafer grinding method characterized by performing a step of peeling the wafer surface protection tape from the wafer by turning up the peeling tape on the wafer.

本発明ウエハ表面保護テープにおける基材フィルム裏面の平坦領域は、Raが0.5μm以下であるため、バックグラインド工程等の研削により発生する研削屑(シリコンダスト等)が表面に付着しにい。したがって、ウエハのセンサ認識部に上記平坦領域の少なくとも一部が重なるように、ウエハの表面に基材フィルムの表面側を貼り合わせることにより、剥離工程におけるウエハのセンサ認識部のセンサ認識性が良好になり、ウエハの位置決め不良等を起こりにくくすることができるため、テープの剥離不良、ウエハの欠けや割れ等が生じることを防止することができる。また、本発明ウエハ表面保護テープにおける基材フィルム裏面の粗化領域は、Raが1〜9μmであるため、その表面と剥離テープとの接着力が高くなる。したがって、上記粗化領域の少なくとも一部に剥離テープを貼り付け、この剥離テープをウエハに対してめくり上げることにより、剥離不良を生じさせることなく、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離することができる。   In the flat region on the back surface of the base film in the wafer surface protection tape of the present invention, Ra is 0.5 μm or less, so that grinding dust (silicon dust or the like) generated by grinding in a back grinding process or the like is difficult to adhere to the surface. Therefore, the sensor recognizability of the wafer sensor recognition unit in the peeling process is good by bonding the surface side of the base film to the surface of the wafer so that at least a part of the flat region overlaps the sensor recognition unit of the wafer. Therefore, it is possible to make it difficult for a wafer positioning failure to occur, so that it is possible to prevent the occurrence of tape peeling failure, chipping or cracking of the wafer. Moreover, since Ra is 1-9 micrometers in the roughening area | region of the base film back surface in this invention wafer surface protection tape, the adhesive force of the surface and peeling tape becomes high. Therefore, the wafer surface protective tape can be peeled from the wafer without causing a peeling failure by applying a peeling tape to at least a part of the roughened area and turning the peeling tape over the wafer. .

本発明に係るウエハ表面保護テープおよびウエハ研削方法によれば、剥離工程におけるウエハのセンサ認識部のセンサ認識性が良好で、位置決め不良等が起こりにくく、かつ、ウエハ表面保護テープの基材フィルム裏面と剥離テープとの接着力が高いことから、剥離不良、ウエハの欠けや割れ等を起こさずにウエハ表面からウエハ表面保護テープを良好に剥離することができる。   According to the wafer surface protective tape and the wafer grinding method according to the present invention, the sensor recognizing part of the wafer sensor recognition part in the peeling step is good, positioning failure and the like are unlikely to occur, and the back surface of the base film of the wafer surface protective tape Since the adhesive strength between the wafer surface and the peeling tape is high, the wafer surface protective tape can be favorably peeled from the wafer surface without causing defective peeling and chipping or cracking of the wafer.

以下、本発明につきさらに詳しく説明する。図1は本発明に係るウエハ表面保護テープの一実施形態を示す一部断面図である。本例のウエハ表面保護テープ10は、図1に示すように、基材フィルム12上に粘着層14が設けられている。また、必要に応じて、粘着層14上にはセパレータ16を積層することができる。ウエハ表面保護テープ10は、平板状とすることもでき、ロール状に巻いたテープ状とすることもできる。なお、基材フィルム12において、粘着層14と接する面と反対側の面が基材フィルム12の裏面18、すなわちウエハに貼り付けたときに最外表面となる面である。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail. FIG. 1 is a partial sectional view showing an embodiment of a wafer surface protection tape according to the present invention. As shown in FIG. 1, the wafer surface protective tape 10 of this example is provided with an adhesive layer 14 on a base film 12. Moreover, the separator 16 can be laminated | stacked on the adhesion layer 14 as needed. The wafer surface protection tape 10 can be formed in a flat plate shape or a tape shape wound in a roll shape. In addition, in the base film 12, the surface opposite to the surface in contact with the adhesive layer 14 is the back surface 18 of the base film 12, that is, the surface that becomes the outermost surface when attached to the wafer.

基材フィルム12の材料は、特に制限されるものではないが、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびこれらの架橋体などのポリマーが挙げられる。前記ポリマーは単体で用いてもよく、必要に応じて数種をブレンドしてもよく、また多層構造として用いてもよい。   Although the material of the base film 12 is not particularly limited, for example, low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra-low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene , Polyolefins such as homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) Polymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, polyurethane, polyester such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyether ether ketone, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, fluororesin, cellulose resin, and Polymers such as those crosslinked products thereof. The polymer may be used alone, or several kinds may be blended as necessary, or may be used as a multilayer structure.

基材フィルム12の厚さは、通常10〜300μm、より好ましくは30〜200μm程度である。基材フィルム12は、従来より公知の製膜方法により製膜することができる。例えば、湿式キャスティング法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法などが利用できる。基材フィルム12は、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。   The thickness of the base film 12 is usually about 10 to 300 μm, more preferably about 30 to 200 μm. The base film 12 can be formed by a conventionally known film forming method. For example, a wet casting method, an inflation extrusion method, a T-die extrusion method, or the like can be used. The base film 12 may be used without stretching or may be subjected to uniaxial or biaxial stretching treatment as necessary.

本発明に係るウエハ表面保護テープ10では、基材フィルム12の裏面18が、Raが1〜9μmの粗化領域と、Raが0.5μm以下の平坦領域とを有する。粗化領域のRaはさらに好ましくは1.5〜8μm、平坦領域のRaはさらに好ましくは0.3μm以下である。   In the wafer surface protection tape 10 according to the present invention, the back surface 18 of the base film 12 has a roughened region with Ra of 1 to 9 μm and a flat region with Ra of 0.5 μm or less. Ra of the roughened region is more preferably 1.5 to 8 μm, and Ra of the flat region is more preferably 0.3 μm or less.

前記粗化領域のRaが1μmに満たないか、あるいは9μmを超えると、剥離テープと粗化領域表面との接着力が不十分となり、ウエハからのウエハ表面保護テープの剥離不良が発生することがある。前記平坦領域のRaが0.5μmを超えると、研削で発生する研削屑(シリコンダスト等)がウエハ表面保護テープの基材フィルム裏面上に付着しやすくなり、半導体ウエハのセンサ認識部を覆って、センサ認識性が低下し、剥離工程において、位置決め不良が起こり、その結果、ウエハ表面保護テープが剥離できなくなったり、剥離不良が起こったりすることがある。   If Ra of the roughened region is less than 1 μm or exceeds 9 μm, the adhesive force between the peeling tape and the surface of the roughened region becomes insufficient, and a peeling failure of the wafer surface protection tape from the wafer may occur. is there. When the Ra of the flat region exceeds 0.5 μm, grinding dust (silicon dust, etc.) generated by grinding tends to adhere to the back surface of the base film of the wafer surface protection tape, covering the sensor recognition part of the semiconductor wafer. The sensor recognizability is lowered, and a positioning failure occurs in the peeling process. As a result, the wafer surface protection tape may not be peeled off or a peeling failure may occur.

前記粗化領域および平坦領域のそれぞれの位置、形状、面積比率等について特に制限はないが、例えば、図2のように平坦領域20を帯状に設け、その両側の領域を粗化領域22、24とする実施形態が挙げられる。図2の実施形態は、帯状の平坦領域20を形成できる平坦部と、その両側の領域に粗化領域22、24を形成できる粗化部とを有するロールで基材フィルムを押圧または圧延することにより、容易に製造することができる。   The position, shape, area ratio, etc. of each of the roughened region and the flat region are not particularly limited. For example, as shown in FIG. 2, the flat region 20 is provided in a strip shape, and the regions on both sides thereof are roughened regions 22, 24. And an embodiment. In the embodiment of FIG. 2, the base film is pressed or rolled with a roll having a flat portion that can form a belt-like flat region 20 and roughened portions that can form roughened regions 22 and 24 on both sides of the flat portion. Thus, it can be easily manufactured.

また、前記粗化領域および平坦領域を設ける方法は特に制限されず、上述したロールを用いる方法の他、例えば、エンボス加工法、サンドプラスト法、エッチング法、放電加工法、梨地処理法、マット処理法などの各種方法により行うことができる。粗化領域および平坦領域を設ける処理は、基材フィルムの製膜時、製膜後のいずれのときに施されていてもよい。   In addition, the method for providing the roughened region and the flat region is not particularly limited. In addition to the method using the roll described above, for example, an embossing method, a sand plast method, an etching method, an electric discharge machining method, a satin treatment method, a mat treatment. It can be performed by various methods such as a method. The process which provides a roughening area | region and a flat area | region may be given at any time after film forming at the time of film forming of a base film.

また、基材フィルムの裏面の前記平坦領域の透過率が高いほど、センサ認識性がさらに向上し、剥離工程において、位置決め不良、剥離不良をさらに低減できるので、好ましい。透過率とは、基材フィルムの裏面の前記平坦領域におけるウエハ表面保護テープ全体厚みでの透過率であり、センサに用いる光源の波長域における全光線透過率を分光光度計で測定した値である。なお、光源としては、例えば、波長が610nm付近の赤色の単色光、540nm付近の緑色の単色光、450nm付近の青色の単色光、あるいはそれら3波長からなる白色光等が挙げられる。   In addition, the higher the transmittance of the flat region on the back surface of the base film, the better the sensor recognizability, and in the peeling step, it is possible to further reduce positioning failure and peeling failure, which is preferable. The transmittance is the transmittance at the entire thickness of the wafer surface protective tape in the flat region on the back surface of the base film, and is a value obtained by measuring the total light transmittance in the wavelength region of the light source used for the sensor with a spectrophotometer. . Examples of the light source include red monochromatic light having a wavelength of about 610 nm, green monochromatic light of about 540 nm, blue monochromatic light of about 450 nm, or white light having these three wavelengths.

粘着層14の材料は、特に制限されるものではないが、例えば、通常のアクリル系粘着剤などが適用可能である。アクリル系粘着剤は、(メタ)アクリル系共重合体および硬化剤を成分とするものである。(メタ)アクリル系共重合体は、例えば、(メタ)アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、(メタ)アクリル酸エステル系共重合体の(メタ)アクリル系重合体、および(メタ)アクリル酸エステルと官能性単量体との共重合体、ならびにこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては、重量平均分子量が50万〜100万程度の高分子量のものが一般的に適用される。   Although the material of the adhesion layer 14 is not specifically limited, For example, a normal acrylic adhesive etc. are applicable. The acrylic pressure-sensitive adhesive contains a (meth) acrylic copolymer and a curing agent as components. Examples of the (meth) acrylic copolymer include a polymer having (meth) acrylic acid ester as a polymer constituent unit, a (meth) acrylic polymer of a (meth) acrylic acid ester copolymer, and (meth) ) A copolymer of an acrylate ester and a functional monomer, and a mixture of these polymers. As the molecular weight of these polymers, those having a weight average molecular weight of about 500,000 to 1,000,000 are generally applied.

また、上記硬化剤は、(メタ)アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。硬化剤としては、例えば、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)トルエン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)ベンゼン、N,N,N,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミンなどの分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネートなどの分子中に2個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−(2−メチルアジリジン)プロピオネートなどの分子中に2個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、好ましくは(メタ)アクリル系共重合体100質量部に対して0.1〜5.0質量部である。   Moreover, the said hardening | curing agent is used in order to make it react with the functional group which a (meth) acrylic-type copolymer has, and to adjust adhesive force and cohesion force. Examples of the curing agent include 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N -Diglycidylaminomethyl) benzene, N, N, N, N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine and other epoxy compounds having two or more epoxy groups in the molecule, 2,4-tolylene diisocyanate, 2, 6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate and other isocyanate compounds having two or more isocyanate groups in the molecule, tetramethylol-tri -Β-aziridinylpropionate, trimethylol-tri-β-aziridinyl Aziridine compounds having two or more aziridinyl groups in the molecule such as lopionate, trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate, etc. Can be mentioned. What is necessary is just to adjust the addition amount of a hardening | curing agent according to desired adhesive force, Preferably it is 0.1-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (meth) acrylic-type copolymers.

粘着層14の厚さは適宜選定することができるが、一般には1〜300μm程度以下、好ましくは3〜200μm、さらに好ましくは5〜100μmである。   Although the thickness of the adhesion layer 14 can be selected suitably, generally it is about 1-300 micrometers or less, Preferably it is 3-200 micrometers, More preferably, it is 5-100 micrometers.

セパレータ16は、必要に応じて設けられる。セパレータ16の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムなどが挙げられる。セパレータ16の表面には、粘着層14からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の離型処理が施されていてもよい。セパレータ16の厚さは、通常10〜200μm、好ましくは25〜100μm程度である。   The separator 16 is provided as necessary. Examples of the constituent material of the separator 16 include synthetic resin films such as paper, polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. The surface of the separator 16 may be subjected to release treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, fluorine treatment, etc., as necessary, in order to improve the peelability from the adhesive layer 14. The thickness of the separator 16 is usually about 10 to 200 μm, preferably about 25 to 100 μm.

本発明に係るウエハ研削方法は、前述したように、ウエハのセンサ認識部に上述したウエハ表面保護テープの平坦領域の少なくとも一部が重なるように、ウエハの表面に基材フィルムの表面側を貼り合わせる工程と、ウエハの裏面を研削する工程と、ウエハの裏面を研削した後、基材フィルムの裏面の粗化領域の少なくとも一部に剥離テープを貼り付ける工程と、剥離テープをウエハに対してめくり上げることにより、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離する工程とを行う。   In the wafer grinding method according to the present invention, as described above, the surface side of the base film is attached to the surface of the wafer so that at least a part of the flat area of the wafer surface protection tape described above overlaps the sensor recognition unit of the wafer. A step of grinding, a step of grinding the back surface of the wafer, a step of pasting the release tape on at least a part of the roughened region of the back surface of the base film after grinding the back surface of the wafer, The process of peeling off the wafer surface protective tape from the wafer is performed by turning up.

この場合、ウエハとしては、例えば図3に示すものを用いることができる。図3のウエハ26は、外周の一部にセンサ認識部としてV字状の切り込み(Vノッチ)28を形成したものである。ただし、センサ認識部の形状、構造は適宜設定することができる。   In this case, for example, the wafer shown in FIG. 3 can be used as the wafer. The wafer 26 in FIG. 3 is formed by forming a V-shaped cut (V notch) 28 as a sensor recognition part in a part of the outer periphery. However, the shape and structure of the sensor recognition unit can be set as appropriate.

ウエハにウエハ表面保護テープを貼り合わせる工程では、ウエハのセンサ認識部にウエハ表面保護テープの平坦領域の少なくとも一部が重なるように貼り合わせることによって、研削により発生する研削屑(シリコンダスト等)が基材フィルム裏面上のセンサ認識部に対応する箇所に付着しにくくなる。したがって、剥離工程においてウエハのセンサ認識部のセンサ認識性が良好で、位置決め不良等が起こりにくくなり、ウエハの欠けや割れ等を起こさずにウエハ表面からウエハ表面保護テープを良好に剥離できるようになる。   In the process of attaching the wafer surface protection tape to the wafer, the wafer scraping tape (silicon dust, etc.) generated by grinding is bonded to the sensor recognition unit of the wafer so that at least a part of the flat area of the wafer surface protection tape overlaps. It becomes difficult to adhere to the part corresponding to the sensor recognition part on the back surface of the base film. Therefore, the sensor recognizability of the wafer sensor recognition part is good in the peeling process, it is difficult to cause positioning failure, etc., so that the wafer surface protection tape can be peeled off from the wafer surface without causing wafer chipping or cracking. Become.

また、ウエハ表面保護テープに剥離テープを貼り付ける工程では、ウエハ表面保護テープの粗化領域の少なくとも一部に剥離テープを貼り付けることによって、ウエハ表面保護テープと剥離テープとの接着力が高くなり、ウエハ表面からウエハ表面保護テープを良好に剥離できるようになる。   Also, in the process of applying the release tape to the wafer surface protection tape, the adhesive force between the wafer surface protection tape and the release tape is increased by applying the release tape to at least a part of the roughened area of the wafer surface protection tape. Thus, the wafer surface protective tape can be satisfactorily peeled from the wafer surface.

前記ウエハのセンサ認識部にウエハ表面保護テープの平坦領域の少なくとも一部が重なるように貼り合わせる工程、そのウエハの裏面を研削する工程、ウエハ表面保護テープの粗化領域の少なくとも一部に剥離テープを貼り付ける工程、その剥離テープをウエハに対してめくり上げることでウエハからウエハ表面保護テープを剥離する工程を行う方法について特に限定はないが、例えば、ウエハにウエハ表面保護テープを貼り合わせる工程では、図4に示すように、帯状に平坦領域20が設けられ、その他の領域は粗化領域22、24とされたウエハ表面保護テープ10を、ウエハ26のセンサ認識部28に上記帯状の平坦領域20の一部が重なるように貼り合わせればよい。   Bonding the wafer sensor recognition unit so that at least part of the flat area of the wafer surface protection tape overlaps, grinding the back surface of the wafer, peeling tape on at least part of the roughened area of the wafer surface protection tape There is no particular limitation on the method of performing the process of peeling the wafer surface protection tape from the wafer by turning up the release tape on the wafer, but for example, in the process of bonding the wafer surface protection tape to the wafer As shown in FIG. 4, the wafer surface protective tape 10 in which the flat region 20 is provided in a band shape and the other regions are roughened regions 22 and 24 is applied to the sensor recognition unit 28 of the wafer 26. What is necessary is just to bond together so that a part of 20 may overlap.

また、例えば、ウエハ表面保護テープに剥離テープを貼り付ける工程では、図5に示すように、帯状に平坦領域20が設けられ、その他の領域は粗化領域22、24とされたウエハ表面保護テープ10がウエハ26に貼り合わされた状態で、ウエハ表面保護テープ10の粗化領域22、24の一部にかかるように剥離テープ30を貼り付ければよい。その際に、剥離テープ30の粗化領域22、24にかかる面積が大きいほど、剥離テープ30とウエハ表面保護テープ10との接着力が高くなり好ましい。   Further, for example, in the step of attaching the release tape to the wafer surface protection tape, as shown in FIG. 5, the wafer surface protection tape is provided with a flat region 20 in a strip shape and the other regions are roughened regions 22 and 24. In a state where 10 is bonded to the wafer 26, the release tape 30 may be applied so as to cover a part of the roughened regions 22 and 24 of the wafer surface protection tape 10. At that time, the larger the area of the roughening regions 22, 24 of the release tape 30, the higher the adhesive force between the release tape 30 and the wafer surface protection tape 10, which is preferable.

また、本発明に係るウエハ研削方法に用いる剥離テープに特に限定はないが、ウエハとウエハ表面保護テープとの接着力に対して、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面と剥離テープとの接着力の方が相対的に高いことが好ましい。   Further, the release tape used in the wafer grinding method according to the present invention is not particularly limited, but the adhesion between the back surface of the base film of the wafer surface protection tape and the release tape with respect to the adhesive force between the wafer and the wafer surface protection tape. It is preferable that the force is relatively high.

次に、本発明を実施例および比較例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものでない。まず、以下のようにして、ウエハ表面保護テープの作製、ウエハ表面保護テープの貼り合わせ、ウエハ裏面研削、センサ認識性試験、剥離テープによる剥離性試験を行い、本発明の効果を確認した。   EXAMPLES Next, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to the following Example. First, production of a wafer surface protective tape, bonding of a wafer surface protective tape, wafer back grinding, sensor recognition test, and peelability test using a release tape were performed as follows to confirm the effect of the present invention.

(ウエハ表面保護テープの作製)
エチレン−メタクリル酸メチル共重合体(EMMA)フィルム(「アクリフトWD−210」(商品名、住友化学(株)製))の一方の面に対して、Raが表1に示した値になるように、ロールで押圧加工した。その基材フィルムの非加工面上にアクリル系粘着剤(アクリル酸エステル共重合体が100質量部、硬化剤(「コロネートL」(商品名、日本ポリウレタン(株)製)が2質量部)を塗布、乾燥し、基材フィルム上に厚さ30μmの粘着層を設けたウエハ表面保護テープ1〜10を作製した。なお、Raは、JIS B0601に基づき任意の10点につき東京精密ハンディサーフE−30Aを用いて測定し、平均化した値である。
(Production of wafer surface protection tape)
For one surface of an ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA) film (“ACRIFT WD-210” (trade name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)), Ra has the value shown in Table 1. Then, it was pressed with a roll. On the non-processed surface of the base film, an acrylic pressure-sensitive adhesive (acrylic acid ester copolymer is 100 parts by mass, curing agent ("Coronate L" (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) is 2 parts by mass). Coating and drying were carried out to produce wafer surface protective tapes 1 to 10 having a 30 μm-thick adhesive layer on a base film, where Ra is a Tokyo Seimitsu Handy Surf E− per 10 points according to JIS B0601. It is the value measured and averaged using 30A.

(ウエハ表面保護テープの貼り合わせ、ウエハ裏面研削)
上記の方法にて得られたウエハ表面保護テープを、図3に示したようなセンサ認識部(Vノッチ)を有する厚さ650μmの8インチシリコンウエハの表面に貼合し、ディスコ(株)製グラインダー「DFG8560」(商品名)にて面粗さ「#2000」で最終仕上げ厚さ200μmになるようウエハ裏面研削を行った。
(Lamination of wafer surface protection tape, wafer back surface grinding)
The wafer surface protective tape obtained by the above method is bonded to the surface of a 650 μm thick 8-inch silicon wafer having a sensor recognition part (V notch) as shown in FIG. Wafer backside grinding was performed with a grinder “DFG8560” (trade name) to a surface roughness of “# 2000” and a final finished thickness of 200 μm.

(センサ認識性試験)
上記研削後のウエハの裏面を真空吸着固定器により真空吸着固定した状態で、ウエハのセンサ認識部をセンサで認識するかどうか評価した。センサの光源には三波長蛍光灯を用いた。結果を表1に示す。表中の◎はセンサによる認識性が非常に優れること、○はセンサによる認識性が実用上問題ないレベルであること、×はセンサによる認識性に問題があることを示す。
(Sensor recognition test)
Whether or not the sensor recognition part of the wafer was recognized by the sensor was evaluated in a state where the back surface of the wafer after grinding was vacuum suction fixed by a vacuum suction fixing device. A three-wavelength fluorescent lamp was used as the sensor light source. The results are shown in Table 1. In the table, ◎ indicates that the recognizability by the sensor is very excellent, ○ indicates that the recognizability by the sensor is at a level that does not cause a problem in practice, and × indicates that there is a problem in the recognizability by the sensor.

(剥離テープによる剥離性)
その後、図5に示したようなウエハのセンサ認識部に対する剥離テープの相対位置で、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面に剥離テープを貼り付け、剥離テープをウエハに対してめくり上げることで、ウエハからのウエハ表面保護テープの剥離性を評価した。なお、剥離テープとしては、ウエハとウエハ表面保護テープとの接着力に対して、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面と剥離テープとの接着力の方が相対的に高いものを用いた。結果を表1に示す。表中の◎は全く問題なくウエハからウエハ表面保護テープを剥離できること、○はウエハ表面保護テープと剥離テープ間で一部剥離するものの、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離できること、×はウエハからウエハ表面保護テープを剥離できないことを示す。
(Peelability with peeling tape)
Then, at the relative position of the release tape to the sensor recognition part of the wafer as shown in FIG. 5, the release tape is attached to the back surface of the base film of the wafer surface protection tape, and the release tape is turned up with respect to the wafer. The peelability of the wafer surface protective tape from the wafer was evaluated. As the release tape, a tape having a relatively higher adhesive force between the back surface of the base film of the wafer surface protection tape and the release tape than the adhesive force between the wafer and the wafer surface protection tape was used. The results are shown in Table 1. ◎ in the table indicates that the wafer surface protective tape can be peeled off from the wafer without any problem, ○ indicates that the wafer surface protective tape can be peeled off from the wafer, although x is partially peeled between the wafer surface protective tape and the peeling tape, and x indicates that the wafer is peeled off from the wafer. Indicates that the surface protection tape cannot be peeled off.

Figure 2009016538
Figure 2009016538

表1により、センサ認識性に関し、表面保護テープの基材フィルムの裏面のRaが0.5μm以下であればセンサ認識性が良好であり、さらに0.3μm以下であればセンサ認識性がより優れることが分かる。また、剥離性に関し、表面保護テープの基材フィルムの裏面のRaが1〜9μmであれば剥離性が良好であり、さらに1.5〜8μm以下であれば剥離性がより優れることが分かる。   According to Table 1, with respect to sensor recognizability, the sensor recognizability is good if Ra on the back surface of the base film of the surface protection tape is 0.5 μm or less, and the sensor recognizability is more excellent if it is 0.3 μm or less. I understand that. Moreover, regarding the peelability, it can be seen that if the Ra on the back surface of the base film of the surface protective tape is 1 to 9 μm, the peelability is good, and if it is 1.5 to 8 μm or less, the peelability is more excellent.

(実施例1)
エチレン−メタクリル酸メチル共重合体(EMMA)フィルム(「アクリフトWD−210」(商品名、住友化学(株)製))の一方の面に対して、図3のように、8インチウエハに貼り合わせたときにウエハのセンサ認識部に重なるRa0.2μmの帯状の平坦領域と、その両側のRa2μmの粗化領域とを、ロールで押圧加工した。その基材フィルムの非加工面上にアクリル系粘着剤(アクリル酸エステル共重合体が100質量部、硬化剤(「コロネートL」(商品名、日本ポリウレタン(株)製)が2質量部)を塗布、乾燥し、基材フィルム上に30μmの粘着層を設けたウエハ表面保護テープを作製した。
Example 1
Affixed to an 8-inch wafer as shown in FIG. 3 on one side of an ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA) film (“ACRIFT WD-210” (trade name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)). A band-shaped flat area of Ra 0.2 μm that overlaps the sensor recognition part of the wafer when combined, and a roughened area of Ra 2 μm on both sides thereof were pressed with a roll. On the non-processed surface of the base film, an acrylic pressure-sensitive adhesive (acrylic ester copolymer is 100 parts by mass, curing agent ("Coronate L" (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) is 2 parts by mass). The wafer surface protection tape which apply | coated and dried and provided the 30 micrometer adhesion layer on the base film was produced.

得られたウエハ表面保護テープを、図3に示すようなセンサ認識部(Vノッチ)を有する厚さ650μmの8インチシリコンウエハの表面に、図4のようにウエハのセンサ認識部に前記帯状の平坦領域の一部が重なるように貼り合わせた。その後、ディスコ(株)製グラインダー「DFG8560」(商品名)にて面粗さ「#2000」で最終仕上げ厚さ200μmになるようウエハ裏面研削を行った。   The obtained wafer surface protective tape is applied to the surface of a 650 μm thick 8-inch silicon wafer having a sensor recognition portion (V notch) as shown in FIG. Bonding was performed so that part of the flat region overlapped. Thereafter, the wafer back surface was ground with a surface roughness “# 2000” and a final finished thickness of 200 μm using a disco grinder “DFG8560” (trade name).

上記研削後のウエハの裏面を真空吸着固定器により真空吸着固定した状態で、ウエハのセンサ認識部をセンサで認識するかどうか評価したところ、認識性が非常に優れていた。   Whether or not the sensor recognition part of the wafer is recognized by the sensor in a state where the back surface of the wafer after grinding is vacuum suction fixed by a vacuum suction fixing device was evaluated, the recognizability was very excellent.

その後、図5に示すようなウエハのセンサ認識部に対する剥離テープの相対位置で、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面に剥離テープを貼り付け、剥離テープをウエハに対してめくり上げることでウエハからのウエハ表面保護テープの剥離性を評価したところ、全く問題なくウエハからウエハ表面保護テープを剥離できた。なお、剥離テープとしては、ウエハとウエハ表面保護テープとの接着力に対して、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面と剥離テープとの接着力の方が相対的に高いものを用いた。   Then, at the relative position of the release tape to the sensor recognition part of the wafer as shown in FIG. 5, the release tape is attached to the back surface of the base film of the wafer surface protection tape, and the release tape is turned up against the wafer. When the peelability of the wafer surface protection tape was evaluated, the wafer surface protection tape could be peeled from the wafer without any problem. As the release tape, a tape having a relatively higher adhesive force between the back surface of the base film of the wafer surface protection tape and the release tape than the adhesive force between the wafer and the wafer surface protection tape was used.

(比較例1)
エチレン−メタクリル酸メチル共重合体(EMMA)フィルム(「アクリフトWD−210」(商品名、住友化学(株)製))の一方の面の全面に対して、Raが0.2μmとなるようにロールで押圧加工した以外は、実施例1と同様にウエハ表面保護テープを作製した。
(Comparative Example 1)
Ra is 0.2 μm with respect to the entire surface of one side of an ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA) film (“ACRIFT WD-210” (trade name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)). A wafer surface protective tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressing process was performed using a roll.

得られたウエハ表面保護テープを、図3に示すようなセンサ認識部(Vノッチ)を有する厚さ650μmの8インチシリコンウエハの表面に貼り合わせ、その後、ディスコ(株)製グラインダー「DFG8560」(商品名)にて面粗さ「#2000」で最終仕上げ厚さ200μmになるようウエハ裏面研削を行った。   The obtained wafer surface protective tape was bonded to the surface of a 650 μm-thick 8-inch silicon wafer having a sensor recognition portion (V notch) as shown in FIG. 3, and then a disco grinder “DFG8560” ( Under the trade name, the wafer back surface was ground so that the surface finish was “# 2000” and the final finished thickness was 200 μm.

上記研削後のウエハの裏面を真空吸着固定器により真空吸着固定した状態で、ウエハのセンサ認識部をセンサで認識するかどうか評価したところ、認識性が非常に優れていた。   Whether or not the sensor recognition part of the wafer is recognized by the sensor in a state where the back surface of the wafer after grinding is vacuum suction fixed by a vacuum suction fixing device was evaluated, the recognizability was very excellent.

その後、実施例1と同じ剥離テープを用いて、図5に示すようなウエハのセンサ認識部に対する剥離テープの相対位置で、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面に剥離テープを貼り付け、剥離テープをウエハに対してめくり上げることでウエハからのウエハ表面保護テープの剥離性を評価したところ、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離できなかった。   Then, using the same release tape as in Example 1, the release tape was attached to the back surface of the base film of the wafer surface protective tape at the relative position of the release tape to the sensor recognition portion of the wafer as shown in FIG. When the peelability of the wafer surface protection tape from the wafer was evaluated by turning the tape over the wafer, the wafer surface protection tape could not be peeled from the wafer.

(比較例2)
エチレン−メタクリル酸メチル共重合体(EMMA)フィルム(「アクリフトWD−210」(商品名、住友化学(株)製))の一方の面の全面に対して、Raが2μmとなるようにロールで押圧加工した以外は、実施例1と同様にウエハ表面保護テープを作製した。
(Comparative Example 2)
Roll with an ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA) film (“ACRIFT WD-210” (trade name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)) with a roll so that Ra is 2 μm with respect to the entire surface of one side. A wafer surface protective tape was prepared in the same manner as in Example 1 except that the pressing process was performed.

得られたウエハ表面保護テープを、図3に示すようなセンサ認識部(Vノッチ)を有する厚さ650μmの8インチシリコンウエハの表面に貼り合わせ、その後、ディスコ製グラインダー「DFG8560」(商品名)にて面粗さ「#2000」で最終仕上げ厚さ200μmになるようウエハ裏面研削を行った。   The obtained wafer surface protective tape was bonded to the surface of a 650 μm thick 8-inch silicon wafer having a sensor recognition part (V notch) as shown in FIG. 3, and then a disco grinder “DFG8560” (trade name) The wafer backside grinding was performed so that the final finish thickness was 200 μm with a surface roughness of “# 2000”.

上記研削後のウエハの裏面を真空吸着固定器により真空吸着固定した状態で、ウエハのセンサ認識部をセンサで認識するかどうか評価したところ、センサによる認識性に問題があった。   Whether or not the sensor recognition unit of the wafer was recognized by the sensor in a state where the back surface of the wafer after grinding was vacuum suction fixed by a vacuum suction fixing device was evaluated, there was a problem in recognition by the sensor.

その後、実施例と同じ剥離テープを用いて、図5に示すようなウエハのセンサ認識部に対する剥離テープの相対位置で、ウエハ表面保護テープの基材フィルムの裏面に剥離テープを貼り付け、剥離テープをウエハに対してめくり上げることでウエハからのウエハ表面保護テープの剥離性を評価したところ、全く問題なくウエハからウエハ表面保護テープを剥離できた。   Then, using the same release tape as in the example, the release tape was attached to the back surface of the base film of the wafer surface protection tape at the relative position of the release tape to the sensor recognition portion of the wafer as shown in FIG. When the peelability of the wafer surface protection tape from the wafer was evaluated by turning up the wafer with respect to the wafer, the wafer surface protection tape could be peeled from the wafer without any problem.

本発明に係るウエハ表面保護テープの一実施形態を示す一部断面図である。It is a partial sectional view showing one embodiment of a wafer surface protection tape concerning the present invention. 図1のウエハ表面保護テープの平面図である。It is a top view of the wafer surface protection tape of FIG. センサ認識部を具備するウエハの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the wafer which comprises a sensor recognition part. 図1のウエハ表面保護テープを図3のウエハの表面に貼り合わせた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which bonded the wafer surface protection tape of FIG. 1 on the surface of the wafer of FIG. ウエハの表面に貼り合わせたウエハ表面保護テープに剥離テープを貼り付けた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which affixed the peeling tape on the wafer surface protection tape bonded together on the surface of the wafer.

符号の説明Explanation of symbols

10 ウエハ表面保護テープ
12 基材フィルム
14 粘着層
16 セパレータ
18 基材フィルムの裏面
20 平坦領域
22 粗化領域
24 粗化領域
26 ウエハ
28 センサ認識部
30 剥離テープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer surface protection tape 12 Base film 14 Adhesion layer 16 Separator 18 Back surface 20 of base film Flat area 22 Rough area 24 Rough area 26 Wafer 28 Sensor recognition part 30 Release tape

Claims (2)

基材フィルムの表面側をセンサ認識部を具備するウエハの表面に貼り合わせてウエハの裏面を研削する工程に用いるウエハ表面保護テープであって、前記基材フィルムの裏面が、中心線平均粗さ(Ra)が1〜9μmの粗化領域と、中心線平均粗さ(Ra)が0.5μm以下の平坦領域とを有することを特徴とするウエハ表面保護テープ。   A wafer surface protective tape used in a process of bonding a front surface side of a base film to a front surface of a wafer having a sensor recognition unit and grinding the back surface of the wafer, wherein the back surface of the base film has a center line average roughness A wafer surface protective tape comprising a roughened region (Ra) of 1 to 9 μm and a flat region having a center line average roughness (Ra) of 0.5 μm or less. センサ認識部を具備するウエハの表面にウエハ表面保護テープを貼り合わせてウエハの裏面を研削するウエハ研削方法であって、
前記ウエハ表面保護テープとして、請求項1に記載のウエハ表面保護テープを用いるとともに、
前記ウエハのセンサ認識部に前記平坦領域の少なくとも一部が重なるように、前記ウエハの表面に前記基材フィルムの表面側を貼り合わせる工程と、
前記ウエハの裏面を研削する工程と、
ウエハの裏面を研削した後、前記基材フィルムの裏面の粗化領域の少なくとも一部に剥離テープを貼り付ける工程と、
前記剥離テープをウエハに対してめくり上げることにより、ウエハからウエハ表面保護テープを剥離する工程とを行うことを特徴とするウエハ研削方法。
A wafer grinding method for grinding a back surface of a wafer by attaching a wafer surface protective tape to the surface of a wafer having a sensor recognition unit,
While using the wafer surface protection tape according to claim 1 as the wafer surface protection tape,
Bonding the surface side of the base film to the surface of the wafer so that at least a part of the flat region overlaps the sensor recognition unit of the wafer;
Grinding the backside of the wafer;
After grinding the back surface of the wafer, applying a release tape to at least a part of the roughened region of the back surface of the base film,
And a step of peeling the wafer surface protection tape from the wafer by turning up the peeling tape on the wafer.
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