JP2009009159A - 電気光学装置、駆動回路および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素110は、画素容量と、一端が画素電極に接続され他端が容量線132に接続された蓄積容量とを含む。容量線132は、1〜320行のそれぞれに対応して設けられ、容量線駆動回路150は、1〜320行のそれぞれにおいてTFT151、152の組を有する。検出回路170は、各行のそれぞれにおいてTFT176、178を有する。ここで、あるi行目の走査線が選択されたとき、TFT151、176がオンする。このとき、第1容量信号出力回路31は、第1検出線185が第1目標信号Vc1refの電圧となるように第1容量信号Vc1を第1給電線165に出力する。当該着目行より1行下の走査線が選択されたとき、TFT152、178がオンして、第2容量信号出力回路32は、第2検出線187が第2目標信号Vc 2refの電圧となるように第2容量信号Vc2を、第2給電線167に出力する。
【選択図】図1
Description
また、ノイズ等が重畳される結果、容量線が所定の電圧から乖離すると、当該容量線に対応した画素を目的とする階調で表示させることができない。1行の容量線には多数の画素に対応しており、これらの画素がすべて目標とする階調で表示できなくなる、ということは、表示に悪影響を及ぼすことになる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えるとともに、表示の悪影響を少なくした電気光学装置、その駆動回路および電子機器を提供することにある。
本発明によれば、一の容量線は、自身に対応する走査線が選択されてから、所定行だけ離間した走査線が選択されるときにかけて、電圧変化する。このときに、蓄積容量に蓄積された電荷が再配分されるので、画素容量の保持電圧が、データ信号電圧以上となる。さらに、当該一の容量線は、第1目標電圧となるように調整される。このため、容量線駆動回路の構成の複雑化を回避しつつ、データ線の電圧振幅が抑えられるとともに、容量線の電圧変動による表示の悪影響が少なくなる。
また、本発明において、前記容量線駆動回路は、当該一の容量線を、当該一の容量線に対応する走査線が選択されたとき、前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続し、当該一の走査線に対して前記所定数行だけ離間した走査線が選択されたときに第2容量信号を給電する第2給電線に接続する構成としても良いし、前記容量線の各々に対応して、第1および第2トランジスタを有し、一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続され、前記第2トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して所定数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が第2容量信号を給電する第2給電線に接続され、前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された構成としても良い。このような構成では、さらに、当該一の走査線に対して所定数行だけ離間した走査線が選択されたときに前記容量線が第2目標電圧となるように、前記第2容量信号を前記第2給電線に出力する第2容量信号出力回路を備えても良い。
一方、本発明において、前記一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、容量を介して結合する検出線を有し、前記第1容量信号出力回路は、当該一の走査線が選択される期間において、前記検出線に現れたノイズ成分を打ち消すように前記第1容量信号を出力する構成としても良い。
また、本発明において、前記容量線駆動回路は、当該一の容量線を、当該一の容量線に対応する走査線が選択されたとき、前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続し、当該一の走査線に対して前記所定数行だけ離間した走査線が選択されてから、当該一の容量線に対応する走査線が再び選択されるまで、第2容量信号を給電する第2給電線に接続する構成としても良いし、前記容量線の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタを有し、一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続され、前記第2トランジスタは、ソース電極が第2容量信号を給電する第2給電線に接続され、前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第2トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、前記第4トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して前記所定数行だけ離間した走査に接続され、ソース電極が前記第2トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、前記第3および第4トランジスタのドレイン電極が前記第2トランジスタのゲート電極に共通接続され、前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された構成としても良い。
また、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置10は、表示領域100を有し、この表示領域100の周辺に、走査線駆動回路140、容量線駆動回路150、検出回路170、データ線駆動回路190が配置した周辺回路内蔵型のパネル構成となっている。また、制御回路20、第1容量信号出力回路31および第2容量信号出力回路32は、1群の回路モジュールであり、上記周辺回路内蔵型のパネルとは、例えばFPC(flexible printed circuit)基板によって接続される。
そして、図1において最も下の321行目を除いた1〜320行目の走査線112と1〜240列目のデータ線114との交差に対応して、画素110がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素110が表示領域100において縦320行×横240列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
321行目の走査線112は、画素110に対応していないので、ダミー走査線として機能することなる。すなわち、321行目の走査線112は、表示領域100の垂直走査(走査線を順番に選択する動作)において、選択されても画素110に対する電圧書込にはなんら寄与しない。
また、1〜320行目の走査線112に対応して、それぞれ容量線132がX方向に延在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線132については、ダミーとなる321行目の走査線112を除いた1〜320行目の走査線112に対応して設けられることになる。
なお、i、(i+1)は、画素110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上320以下の整数であり、j、(j+1)は、画素110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上240以下の整数である。ここで、i、(i+1)については、画素110が配列する行を一般的に示す場合には、1以上320以下の整数であるが、走査線112の行を説明する場合には、ダミーである321行目を含める必要があるので1以上321以下の整数となる。
また、画素容量120の他端はコモン電極108である。このコモン電極108は、図1に示されるように全ての画素110にわたって共通であり、コモン信号Vcomが供給される。なお、本実施形態においてコモン信号Vcomは、後述するように時間的に電圧LCcomで一定である。
なお、図2において、Yi、Y(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の走査線112に供給される走査信号を示し、また、Ci、C(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の容量線132の電圧を示している。
なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量120において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。
表示領域100の周辺には、上述したように、走査線駆動回路140や、容量線駆動回路150、検出回路170、データ線駆動回路190などの周辺回路が設けられている。
なお、走査線駆動回路140は、図5に示されるように、制御回路20から供給されるスタートパルスDyを、クロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等によって、走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320、Y321を、この順番で出力する。また、本実施形態において1フレームの期間には、図5に示されるように、走査信号Y1がHレベルになってから走査信号Y320がLレベルになるまでの有効走査期間Faのほか、それ以外の帰線期間が含まれる。なお、1行の走査線112が選択される期間が水平走査期間(H)である。
検出回路170は、1〜320行目の容量線132に対応して設けられたnチャネル型のTFT176、178の組から構成される。ここで、i行目の容量線132に対応するTFT176、178について説明すると、当該TFT176のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのドレイン電極は、第1検出線185に接続される一方、TFT178のゲート電極は、(i+1)行目の走査線112に接続され、そのドレイン電極は、第2検出線187に接続されている。そして、TFT176、178のソース電極同士がi行目の容量線132に共通接続されている。
次の(i+1)行目の走査線112の選択により走査信号Y(i+1)がHレベルになると、i行目のTFT151がオフし、TFT152がオンするので、i行目の容量線132が第2給電線167に接続されるとともに、i行目のTFT178がオンするので、i行目の容量線132が第2検出線187に接続される。
オペアンプ300の出力端は、第1給電線165およびスイッチ311の一端に接続され、第1検出線185がスイッチ312の一端に接続されている。そして、スイッチ311、312の他端は、オペアンプ300の負入力端にそれぞれ接続されている。一方、オペアンプ300の正入力端(+)には、制御回路20から第1目標信号Vc1refが供給される。そして、オペアンプ300の出力端と負入力端(−)との間に抵抗器316が挿入されている。
スイッチ311、312は、制御回路20による期間指定信号Haの論理レベルに応じて互いに排他的にオンオフするものである。詳細には、スイッチ311は、期間指定信号HaがHレベルであればオンし、スイッチ312は、期間指定信号Hの論理レベルをNOT回路315によって反転させた信号がHレベルであればオンする。
期間指定信号Haは、図5に示されるように、水平走査期間(H)の前半期間においてHレベルとなり、後半期間においてLレベルとなるので、スイッチ311、312は、水平走査期間(H)の前半期間においてオン、オフする一方、後半期間においてオフ、オンすることになる。
第1給電線165と、第1検出線185とは、走査信号YiがHレベルとなっている期間にわたってi行目のTFT151、176がオンすることによって、i行目の容量線132を介して互いに接続された状態となる。このため、第1容量信号出力回路31は、水平走査期間(H)の前半期間において第1目標信号Vc1refの電圧をバッファリングする一方、その後半期間において、第1検出線185の電圧が、第1目標信号Vc1refの電圧となるように負帰還制御した第1容量信号Vc1を出力する。
第2給電線167と、第2検出線187とは、走査信号Y(i+1)がHレベルとなっている期間にわたってi行目のTFT152、178がオンすることによって、i行目の容量線132を介して互いに接続された状態となる。このため、第2容量信号出力回路32は、水平走査期間(H)の前半期間において第2目標信号Vc2refの電圧をバッファリングする一方、その後半期間において、第2検出線187の電圧が、第2目標信号Vc2refの電圧となるように負帰還制御した第2容量信号Vc2を出力する。
なお、抵抗器316は、帰還量を規定するが、バッファリング期間では、この抵抗器316の抵抗値が低い方が精度等の面で好ましく、そのためにスイッチ311により抵抗器316の両端を短絡する構成となっている。したがって、精度等において問題がなければ、スイッチ311は省略可能である。
なお、i行目の容量線132は、それ以外の期間では、電気的にどこの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態となる。
ここで、データ線駆動回路190は、縦320行×横240列のマトリクス配列に対応した記憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素110の階調値(明るさ)を指定する表示データDaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示データDaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路20によってアドレスとともに変更後の表示データDaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路190は、選択される走査線112に位置する画素110の表示データDaを記憶領域から読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された階調に応じた電圧であって指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線114に供給することとなる。
また、第1目標信号Vc1refは、極性指示信号PolがLレベルであるときに電圧Vslとなり、極性指示信号PolがHレベルであるときに電圧Vshとなる。一方、第2目標信号Vc2refは、本実施形態では極性指示信号Polの論理レベルにかかわらず、電圧Vslで一定である。なお、本実施形態では、電圧Vslと電圧Vshとの差をΔVとしている。
ここで、本実施形態における書込極性については、画素容量120に対して階調に応じた電圧を保持させる際に、コモン電極108の電圧LCcomよりも画素電極118の電位を高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明のない限り、電源の接地電位Gndを論理がLレベルに相当させるとともに、電圧ゼロの基準としている。
この図に示されるように、本実施形態では、TFT116、151、152、176、178は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側に位置するボトムゲート型である。詳細には、第1導電層となるゲート電極層のパターニングにより走査線112や容量線132などが形成され、その上にゲート絶縁膜(図示省略)が形成され、さらにTFT116、151、152、176、178の半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第2導電層となるITO(indium tin oxide)層がパターニングされて、矩形形状であって透明性を有する画素電極118が形成され、さらに、第3導電層となるアルミニウムなどの金属層がパターニングにされて、TFT116、151、152、176、178のソース・ドレイン電極や、データ線114、第1給電線165、第2給電線167、第1検出線185、第2検出線187等が形成されている。
また、検出回路170において、i行目に対応するTFT176のゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分であり、同じくi行目に対応するTFT178のゲート電極は、(i+1)行目の走査線112からY(上)方向にT字状に分岐した部分である。
i行目に対応するTFT151、152のドレイン電極132aは、上記第3導電層をパターニングしたものであり、上記ゲート絶縁膜および保護層を貫通するコンタクトホール(図において×印)132bを介し、ゲート電極層をパターニングした配線132cに接続される。
一方、i行目のTFT176、178のソース電極132eは、上記第3導電層をパターニングしたものであり、コンタクトホール132dを介して上記配線132cに接続される一方、コンタクトホール132fを介してi行目の容量線132に接続されている。
表示領域100において、蓄積容量130は、画素電極118の下層において幅広となるように形成された容量線132の部分と当該画素電極118とにより上記ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成である。このため、蓄積容量130の他端は、容量線132そのものとなる。
なお、画素電極118と対向するコモン電極108は、対向基板に形成されるので、素子基板の平面図を示す図3には現れない。
ICチップを素子基板側に実装する場合、走査線駆動回路140、容量線駆動回路150、検出回路170を、データ線駆動回路190とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。また、制御回路20については、第1容量信号出力回路31および第2容量信号出力回路32とともに、素子基板に造り込む構成としても良い。
また、本実施形態を透過型ではなく反射型とする場合には、画素電極118について反射性の導電層をパターニングしたものとしても良いし、別途の反射性金属層を持たせても良い。さらに、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
上述したように本実施形態では、画素の書込極性を1フレームの期間にわたって同一とした面反転方式としている。このため、制御回路20は、極性指示信号Polについて、図5に示されるように、あるフレーム(「nフレーム」と表記している)の期間においてHレベルとして正極性書込を指定し、次の(n+1)フレームの期間においてLレベルとして負極性書込を指定して、以下同様に1フレームの期間毎に書込極性を反転させる。
一方、走査信号Y1がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力されると、データ線駆動回路190は、1行目であって1、2、3、…、240列目の画素の表示データDaを読み出すとともに、当該表示データDaで指定された電圧だけ、電圧LCcomを基準に高位側とした電圧のデータ信号X1、X2、X3、…、X240に変換し、それぞれ1、2、3、…、240列のデータ線114に供給する。
これにより例えば、j列目のデータ線114には、1行j列の画素110の表示データDaで指定された電圧だけ電圧LCcomよりも高位側とした正極性の電圧がデータ信号Xjとして印加される。
さて、走査信号Y1がHレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1、X2、X3、…、X240が印加される。このため、1行1列〜1行240列の画素容量120には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。一方、走査信号Y1がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、1行目に対応するTFT151がオンするが、TFT152がオフであるので(走査信号Y2はLレベルであるので)、当該1行目の容量線132は、第1給電線165に接続された状態となって電圧Vslとなる。このため、1行1列〜1行240列の蓄積容量130には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Vslとの差電圧が書き込まれることになる。
走査信号Y1がLレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオフする。また、走査信号Y1がLレベル、走査信号Y2がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、1行目に対応するTFT151がオフし、TFT152がオンするので、当該1行目の容量線132は第2給電線167に接続された状態となるが、正極性書込を指定するnフレームにおいては、当該第2給電線167は第1給電線165と同じ電圧Vslであるために電位変動しない。
このため、極性指示信号PolがHレベルあって正極性書込が指示されていれば、走査信号Y2がHレベルになっても、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。
なお、走査信号Y2がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、2行目に対応するTFT151がオンするが、TFT152がオフであるので(走査信号Y3はLレベルであるので)、当該2行目の容量線132は電圧Vslとなり、このため、2行1列〜2行240列の蓄積容量130には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Vslとの差電圧が書き込まれることになる。
走査信号Y2がLレベルになると、容量線駆動回路150では、1行目に対応するTFT151がオフし、TFT152もオフするので、当該1行目の容量線132は、ハイ・インピーダンス状態となるが、その寄生容量によってTFT152のオフ直前の状態である電圧Vslに保持されるため、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130において保持された電圧は以後についても変化が生じないことになる。結局、1行1列〜1行240列の画素容量120は、それぞれ走査信号Y1がHレベルとなったときに画素電極118に印加されたデータ信号の電圧とコモン電極108の電圧LCcomとの差電圧、すなわち、階調に応じた電圧を保持し続けることになる。
また、走査信号Y3がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力されると、データ線駆動回路190は、3行目であって1、2、3、…、240列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号X1、X2、X3、…、X240を、それぞれ1、2、3、…、240列のデータ線114に供給する。これにより、3行1列〜3行240列の画素容量120には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Y3がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、3行目に対応するTFT151がオンするが、TFT152がオフであるので(走査信号Y4はLレベルであるので)、当該3行目の容量線132は電圧Vslとなる。このため、3行1列〜3行240列の蓄積容量130には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Vslとの差電圧が書き込まれることになる。
この(n+1)フレームの動作は、主に次の2点においてnフレームの動作と相違する。すなわち、第1に、制御回路20は、第1目標信号Vc1refを、図5に示されるように、電圧VslよりもΔVだけ高い電圧Vshとする点と、第2に、走査信号YiがHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力されると、データ線駆動回路190は、i行目であって、1、2、3、…、240列目の画素の表示データDaを読み出す点までnフレームと一緒であるが、データ信号X1、X2、X3、…、X240として、当該表示データDaに対応し、かつ、負極性に対応した電圧(この意味については後述する)とする点とにおいてnフレームの動作と相違する。
そこで、(n+1)フレームにおける動作については、この相違点を中心にしつつ、走査信号YiがHレベルとなったときにi行j列の画素容量120に書き込んだ電圧が、走査信号Y(i+1)がHレベルとなったときにどのように変化するのか、という観点で説明することにする。
まず、走査信号YiがHレベルになると、図6(a)に示されるように、i行j列のTFT116がオンするので、データ信号Xjが画素容量120の一端(画素電極118)と蓄積容量130の一端とにそれぞれ印加される。一方、走査信号YiがHレベルであれば、容量線駆動回路150においてi行目に対応するTFT151がオンし、TFT152がオフを維持するので、i行目の容量線132の電圧Ciは、第1給電線165の電圧Vshとなる。なお、コモン電極108は電圧LCcomで一定である。
したがって、このときのデータ信号Xjの電圧をVjとすれば、i行j列における画素容量120には電圧(Vj−LCcom)が充電され、蓄積容量130には電圧(Vj−Vsh)が充電される。
詳細には、画素容量120と蓄積容量130との直列接続において、画素容量120の他端(コモン電極)が電圧一定に保たれたまま、蓄積容量130の他端が電圧ΔVだけ低下するので、画素電極118の電圧も低下する。
このため、当該直列接続点である画素電極118の電圧は、
Vj−{Cs/(Cs+Cpix)}・ΔV
となり、走査信号YiがHレベルであったときのデータ信号の電圧Vjよりも、i行目の容量線132の電圧変化分ΔVに、画素容量120および蓄積容量130の容量比{Cs/(Cs+Cpix)}を乗じた値だけ低下することになる。
換言すれば、i行目の容量線132の電圧CiがΔVだけ低下すると、画素電極118の電圧は、走査信号YiがHレベルであったときのデータ信号の電圧Vjよりも、{Cs/(Cs+Cpix)}・ΔV(=ΔVpixとする)だけ低下することになる。ただし、各部の寄生容量は無視している。
これにより、負極性書込を指定する(n+1)フレームにおいて、電圧ΔVpixだけ低下したときの画素電極118の電圧は、階調に応じた負極性の電圧範囲cであって、階調が低く(暗く)なるにつれて電圧LCcomよりも低位側の電圧にシフトする。
すなわち、コモン電極108が電圧LCc omに保たれるとともに、容量線132の電圧を、各フレームにわたって一定とした構成において、画素容量120を交流駆動する場合、画素電極118に、あるフレームにおいて階調に応じて正極性の電圧Vw(+)から電圧Vb(+)までの範囲の電圧で書き込んだときには、階調に変化がなければ、次のフレームにおいて負極性に対応した電圧Vw(-)から電圧Vb(-)までの範囲であって、電圧LCcomを基準に反転させた電圧を書き込まなければならない。このため、コモン電極108の電圧が一定である構成において、容量線132の電圧一定としたとき、データ信号の電圧が図において範囲bにわたるので、データ線駆動回路190を構成する素子の耐圧も範囲bに対応させる必要がある。さらに、容量が寄生するデータ線114において範囲bで電圧が変化すると、その寄生容量により無駄に電力が消費されることにもなるが、本実施形態では、このような不都合が解消されるのである。
一方、負極性書込を指示するフレームにおいてi行目の容量線132の電圧Ciは、走査信号YiがHレベルになったときにTFT151がオンすることにより第1給電線165の電圧Vshとなり、その次の走査信号Y(i+1)がHレベルになったときにTFT152がオンすることにより第2給電線167の電圧Vslとなる。このため、i行目の容量線132の電圧Ciは、負極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったタイミングにて電圧ΔVだけ低下する。
本実施形態では、このように1行分の容量線132を駆動するのに、2つのTFT151、152で足り、さらに、別途の制御信号や制御電圧も不要である。このため、各行に対応した容量線132を駆動する容量線駆動回路150の構成が複雑化を回避することも可能である。
なお、図7は、走査信号と容量線と画素電極との電圧関係を示す図であり、i行j列の画素電極118の電圧変化をPix(i,j)で示している。
一方、容量線132は、1〜240列のデータ線114とゲート絶縁膜や保護層を介して交差する。このため、これらのデータ線114の電圧、すなわち、データ信号X1〜X240の変化が、寄生容量を介して容量線132に伝搬して、ノイズを発生させることになる。
このように各容量線132は、主に2つの要因でノイズが発生する。なお、この2つの要因のうち、どちらが支配的であるかについては、パネルの構成や駆動方法などの様々な条件が絡み合うので、一概には言えないが、いずれにしても各容量線132ではノイズが発生する、ということができる。
例えば図7に示されるように、i行目の容量線132の電圧Ciが、走査信号YiがHレベルとなる期間の終了時に電圧Vshからズレて電圧pとなった場合、走査信号YiがHレベルとなる期間から走査信号Y(i+1)がHレベルとなる期間にかけて、電圧ΔVではなく、電圧(ΔV+ΔVp)だけ変化してしまうことなる。なお、図において、電圧ΔVpは、電圧Vshから電圧pにズレたことによる電圧変化分である。
Vj−{Cs/(Cs+Cpix)}・(ΔV+ΔVp)
となり、本来の電圧よりも、
{Cs/(Cs+Cpix)}・ΔVp
だけ過剰に低下して、この電圧に応じた階調となってしまう。
この現象は、i行j列だけでなく、i行目の容量線132に対応する画素1行分について同様に発生するので、横方向横方向の表示むらとなって視認されることになる。
なお、電圧ΔVpは、i行目の走査線112が選択される期間におけるデータ信号X1〜X240の電圧変化、すなわち、i行1列からi行240列までの画素による表示内容に依存する。このため、表示内容によって画素電極の電圧が変化して、横方向の表示むらが発生することになる。
ここでは、電圧Ciが、走査信号YiがHレベルとなる期間の終了時に電圧Vshから電圧pにずれた場合について説明しているが、電圧Vshからずれなくても、走査信号Y(i+1)がHレベルとなる期間の終了時に電圧Vslから電圧qにずれてしまえば、同様な問題が発生する。
さらに、次の水平走査期間(H)である走査信号Y(i+1)がHレベルとなる期間についてはTFT178をオンさせることによってi行目の容量線132が第2検出線187に接続される。これにより、第2容量信号出力回路32は、第2検出線187を介して検出した容量線132の電圧が第2目標信号Vc2refの電圧となるように、第2容量信号Vc2を第2給電線167に出力するので、(n+1)フレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルとなる期間で、i行目の容量線132は、電圧Vslに保たれることになる。
したがって、i行目の容量線132は、走査信号YiがHレベルとなる期間から走査信号Y(i+1)がHレベルとなる期間にかけて、正しく電圧ΔVだけ変化することになる。
ここではi行目について代表して説明しているが、1〜240行目のすべての容量線132についても同様である。したがって、本実施形態では、横方向の表示むらの発生を抑えることが可能となる。
そこで、本実施形態の第1容量信号出力回路31では、水平走査期間(H)の前半期間において、スイッチ311、312をそれぞれオン、オフさせることによって、第1目標信号Vc1refを単にバッファリングした第1容量信号Vc1を出力することになる(このため、前半期間では、ノイズの発生は抑えられない)。
ただし、第1容量信号出力回路31では、水平走査期間(H)の後半期間において、スイッチ311、312をそれぞれオフ、オンさせることによって、第1検出線185の電圧が第1目標信号Vc1refの電圧となるように負帰還制御して第1容量信号Vc1を出力する構成となっているので、この後半期間においてノイズの発生が抑えられることになる。
第2容量信号出力回路32も同様な構成であることは上述した通りである。
すなわち、負極性書込が指定される(n+1)フレームにおいて、ノイズが発生しても、水平走査期間(H)の終了時までに減衰して目標電圧に達していれば、走査信号YiがHレベルとなる期間から走査信号Y(i+1)がHレベルとなる期間にかけて電圧ΔVだけ変化するので、本実施形態では、水平走査期間の前半期間においてはノイズの発生を許容しつつ、水平走査期間の後半期間においてはノイズの影響を抑える構成を採用しているのである。
これにより、本実施形態では、第1容量信号出力回路31および第2容量信号出力回路32における回路規模の肥大化防止と、これら回路における低消費電力化との両立を図ることが可能となる。
なお、例えば電気光学装置の規模が小型化されたために、蓄積容量130の容量値Csが小さければ、水平走査期間(H)の開始時からオペアンプ300の開始時から負帰還制御を行うような構成としても良い。この構成では、期間指定信号Haを生成する必要がなくなるだけでなく、スイッチ311、312、NOT回路315が不要となるので、その分、回路構成を簡素化することが可能となる。
すなわち、図9に示されるように、第2容量信号を電圧Vshで一定とすることによって、負極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに、i行目の容量線132の電圧を変化させない一方、正極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに、i行目の容量線132を電圧ΔVだけ上昇させて、走査信号YiがHレベルであったときに書き込んだ画素電極118を電圧ΔVpixだけ上昇させる構成としても良い。
この構成において、データ信号の電圧関係は、図8(a)および図8(b)を、電圧LCcomを基準に反転させるとともに、正極性書込を負極性書込に、負極性書込を正極性書込に、それぞれ読み替えれば良い。
走査線反転方式とする場合、極性指示信号Polは、図10に示されるように、水平走査期間(H)毎に反転するとともに、隣接するフレーム同士において、同一の走査信号がHレベルとなる(同一の走査線が選択される)期間でみたときにも反転した関係となる。
また、第1容量信号Vc1は、極性指示信号PolがHレベルであるときに電圧Vslとなり、極性指示信号PolがLレベルであるときに電圧Vshとなる。
これにより、図10のnフレームにおいて、奇数(1、3、5、…、319)行の容量線132は、次の偶数(2、4、6、…、320)行の走査線112への走査信号がHレベルになっても電圧変化しないが、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧ΔVだけ低下する。したがって、図10のnフレームにおいて奇数行では図8(a)と同様な正極性書込が実行される一方、偶数行では図8(b)と同様な負極性書込が実行される。
一方、図10の(n+1)フレームにおいて、奇数行の容量線132は、次の偶数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧ΔVだけ低下するが、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになっても電圧変化しない。したがって、図10の(n+1)フレームにおいて奇数行では図8(b)と同様な負極性書込が実行される一方、偶数行では図8(a)と同様な正極性書込が実行される。
なお、図10においては、第2容量信号Vc2を電圧Vslとしたが、電圧Vshとして、容量線132の電圧をΔVだけ上昇させる構成としても良い。
第2容量信号Vc2を電圧LCc omで一定とした場合、図11のnフレームにおいて、奇数行の容量線132は、次の偶数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vslから電圧LCcomに上昇し、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vshから電圧LCcomに下降する一方、(n+1)フレームにおいて、奇数行の容量線132は、次の偶数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vshから電圧LCcomに下降し、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vslから電圧LCcomに上昇する。
ここで、電圧Vslから電圧LCcomへの上昇分と、電圧LCcomから電圧Vslへの変化分を等しくΔVとしたとき、図12に示されるように、i行目の画素電極では、走査信号YiがHレベルになったときに書き込んだ電圧を、走査信号Y(i+1)がHレベルになったときにi行目の容量線132を電圧ΔVだけ変化させることによって電圧ΔVpixだけシフトさせる動作が、正極性書込と負極性書込とで1フレームの期間毎に交互に実行される。
ただし、図13における電圧範囲aは、正極性書込が指定される場合、白色w側が低位となり黒色b側が高位となるが、負極性書込が指定される場合、白色w側が高位となり黒色b側が低位となり、階調の関係が逆転する。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させなくても、容量線132の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
ここで、第1給電線165と第2給電線167との寄生容量による消費電力は、それぞれ、
C(V/2)2f
となるが、第1給電線165と第2給電線167との両方が変化するので、結局、
2C(V/2)2f=(1/2)CV2f
となって、図10の場合に比べて、第1給電線165と第2給電線167とによる消費電力を半減することが出来る。
なお、第1容量信号Vc1、第2容量信号Vc2を図14に示されるように変化させた場合に、データ信号の電圧は、例えば図13に示されるように電圧範囲を規定すれば良い。
特に、本実施形態において、走査信号Yi、Y(i+1)がいずれもLレベルであれば、i行目の容量線132は、ハイ・インピーダンス状態となるので、第1給電線165、第2給電線167が電圧変化した場合、その電圧変化が寄生容量を介して容量線132に伝搬して、ハイ・インピーダンス状態の電位を変動させてしまう可能性がある。走査信号Yi、Y(i+1)がいずれもLレベルである場合に、i行目の容量線132が電位変動すると、画素容量120において蓄積された電荷が移動して、階調に応じた電圧から外れてしまうので、このような電圧変動はできるだけ抑えたい。
そこで、特に図に示さないが、i行目のTFT151のゲート電極を(i+1)行目の走査線112ではなく、もう1行下の(i+2)行目の走査線112に接続した構造にした上で、図15に示されるように、第1容量信号Vc1として、極性指示信号PolがHレベルであるときに電圧Vslとし、極性指示信号PolがLレベルであるときに電圧Vshとしたときに、第2容量信号Vc2の電圧として、第1容量信号Vc1の電圧Vsl、Vshを入れ替えた関係としても良い。
なお、第1容量信号Vc1、第2容量信号Vc2を図15に示されるように変化させた場合に、データ信号の電圧は、例えば図13に示されるように、電圧範囲を規定すれば良い。
このため、容量線132と第1給電線165との寄生容量と、容量線132と第2給電線167との寄生容量とが同一であれば、第1給電線165の電圧変化が容量線132に及ぼす影響は、第2給電線167の電圧変化が容量線132に及ぼす影響により相殺されるので、ハイ・インピーダンス状態における容量線132の電位変動を抑えることができる。
なお、容量線132と第1給電線165との寄生容量と、容量線132と第2給電線167との寄生容量とが相違するのであれば、この寄生容量の大きさに応じて、第1容量信号Vc1の電圧振幅と第2容量信号Vc2の電圧振幅とを異ならせれば良い。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図16は、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が第1実施形態(図1参照)と主に相違する部分は、検出回路170において、各行に対応して容量179が設けられている点である。
詳細には、奇数(1、3、5、…、319)行に対応する容量179は、その一端が当該行の容量線132に接続され、その他端が第1検出線186に接続される一方、偶数(2、4、6、…、320)行に対応する容量179は、その一端が当該行の容量線132に接続され、その他端が第2検出線188に接続されている。制御回路20は、奇数行の走査線112を選択する場合にはHレベルとなり、偶数行の走査線112を選択する場合にはLレベルとなるような行指定信号Oeを出力する。
スイッチ35は、行指定信号OeがHレベルであれば、図に示されるように第1検出線186を選択する一方、行指定信号OeがLレベルであれば、第2検出線188を選択する。
第2実施形態において、第1容量信号出力回路36は、スイッチ35により選択された第1検出線186または第2検出線188に現れるノイズの反転信号を第1目標信号Vc1refに加算して、第1容量信号Vc1として出力するものである。
なお、この第2実施形態では、上述した理由により、第2容量信号出力回路32を省略しているので、第2目標信号Vc2refがそのまま第2容量信号Vc2として出力される構成となっている。
この図に示されるように、検出回路170において容量線132が幅広となるように形成されるとともに、第1検出線186および第2検出線188が、第3導電層となる金属層のパターニングによって、容量線132の幅広部分と重なるように設けられている。したがって、容量179は、容量線132と第1検出線186または第2検出線188とによりゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成となる。
一方、偶数行の走査線112が選択される水平走査期間(H)において、当該選択走査線に対応する容量線132にノイズが発生した場合、当該ノイズは、当該容量線132に対応する容量179を介して第2検出線188に伝搬する。偶数行の走査線112が選択される水平走査期間(H)では、スイッチ35は、第2検出線188を選択するので、第1容量信号出力回路36が、伝搬したノイズの反転信号を第1目標信号Vc1refに加算して第1容量信号Vc 1として出力すると、当該容量線132において発生したノイズが相殺されることになる。
これにより、第2実施形態においても、選択された走査線に対応する容量線132においてノイズが相殺されるので、横方向の表示むらの発生を抑えることが可能となる。
上述した第1、第2実施形態では、i行目の容量線132は、(i+1)行目の走査線の選択終了して走査信号Y(i+1)がLレベルになると、以降1フレームの期間経過して、再び走査信号YiがHレベルになるまで、ハイ・インピーダンス状態となる。容量線132は、交差する(または、近接する)他の配線と寄生容量を介して結合するので、これらの配線の電圧変動の影響を受けやすい(図15の例を除く)。
そこで、容量線132をハイ・インピーダンス状態とさせずに、電圧の安定化を図った第3実施形態について説明することにする。
この図に示されるように、第3実施形態では、まず、容量線駆動回路150および検出回路170の構成が第1実施形態と相違する。
詳細には、第3実施形態における容量線駆動回路150は、1〜320行目の容量線132に対し、nチャネル型のTFT151、152に加えて、TFT153、154の組から構成される。
ここで、i行目の容量線132に対応するTFT151〜154について説明すると、当該TFT151のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのソース電極は、第1給電線165に接続されているが、TFT152のゲート電極は、TFT153、154のドレイン電極に共通接続されている。なお、TFT152のソース電極は、第2給電線167に接続され、また、TFT151、152のドレイン電極同士がi行目の容量線132に共通接続されている。
i行目のTFT153(第3トランジスタ)のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのソース電極は、オフ電圧給電線161に接続され、また、TFT154のゲート電極は、(i+1)行目の走査線112に接続され、そのソース電極は、オン電圧給電線163に接続されている。
オフ電圧給電線161には信号Voffが供給され、その信号Voffの電圧は、それがTFT152のゲート電極に印加されたとしても、当該TFT152をオフ(ソース・ドレイン間が非導通)状態とさせる電圧である。また、オン電圧給電線163には信号Vonが供給され、その信号Vonの電圧は、それがTFT152のゲート電極に印加されたときに、当該TFT152をオン(ソース・ドレイン間が導通)状態とさせる電圧である。
なお、この第3実施形態では、第2容量信号出力回路32が省略されているので、第2目標信号Vc2refがそのまま第2容量信号Vc2として出力される構成となっている。
この図に示されるように、i行目のTFT153のゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分であり、同じくi行目に対応するTFT154のゲート電極は、(i+1)行目の走査線112からY(上)方向にT字状に分岐した部分である。TFT153、154の共通ドレイン電極は、コンタクトホールを介してTFT152のゲート電極に接続されている。
また、i行目のTFT176のドレイン電極は、コンタクトホール176aを介して、一旦、ゲート電極層をパターニングした配線176bに接続され、さらに、この配線176bは、コンタクトホール176cを介して、第1検出線185に接続されている。
次に、走査信号YiがLレベルとなり、走査信号Y(i+1)がHレベルになると、当該水平走査期間(H)にわたって、i行目の153がオフとなり、TFT154がオンする。このため、i行目のTFT152は、ゲート電極にオン電圧給電線163の信号Vonが印加されるので、オンとなる。このため、i行目の容量線132は、第2給電線167の第2目標信号Vc2refの電圧となる。
続いて、走査信号Y(i+1)がLレベルとなり、走査信号Y(i+2)がHレベルになると、i行目の154がオフとなるので、TFT152のゲート電極は、ハイ・インピーダンス状態となるが、その寄生容量によって、直前状態である信号Vonの電圧に保持される。このため、TFT152ではオン状態が継続されるので、i行目の容量線132は、第2給電線167の第2目標信号Vc2refの電圧を維持することになる。すなわち、i行目の容量線132は、i行目の走査線112が非選択であっても、第2容量信号Vc2の電圧を維持することになる。
ここで、非選択期間は、選択期間に比べて遙かに長いので、ノイズが発生しても、その影響を無視できるほどに減衰する。このため、第3実施形態では、第2検出線で検出した電圧が第2目標信号Vc2refの電圧となるように第2容量信号Vc2を出力する第2容量信号出力回路32について、不要しているのである。
なお、第3実施形態では、第1目標信号Vc1refおよび第2目標信号Vc2refについて、図5、図9、図10、図11で示した波形を採用することができる。すなわち、第2目標信号Vc2refとしては、電圧変化しない波形を採用することができる。
また、最終の320行目の容量線132に対応するTFT152(154)までを駆動するために、ダミーの走査線112がm行必要となる。ただし、各実施形態のようにmが「1」であれば、帰線期間をなくして、320行目の容量線132に対応するTFT152(154)のゲート電極を、1行目の走査線112に接続する構成とすれば、また、例えばmが「2」であれば、帰線期間をなくして、319、320行目の容量線132に対応するTFT152(154)のゲート電極を、それぞれ1、2行目の走査線112に接続する構成とすれば、あえてダミーの走査線を設ける必要もない。
さらに、コモン電極108の電圧Vcomを、正極性書込が指定されたときに低位とし、負極性書込が指定されたときに高位として切り替える構成でも良い。
一方、各実施形態では、垂直走査方向を図1において上から下方向に向かった方向としているので、i行目の容量線132に対応するTFT152のゲート電極を、(i+1)行目の走査線112に接続したが、垂直走査方向を下から上方向に向かった方向とした場合には(i−1)行目の走査線112に接続すれば良い。すなわち、i行目の容量線132に対応するTFT152のゲート電極については、i行目の走査線以外の走査線であって、i行目の走査線が選択された後に選択される走査線112に接続される構成であれば良い。
さらに、画素容量120はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画素で1ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別の色(例えばシアン(C))を追加し、これらの4色の画素で1ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。
さらに、蓄積容量130は、直流的には絶縁されているので、第1給電線165と第2給電線167に印加されている電位差だけが上述の関係となっていればよく、例えば電圧LCcomとの電位差は何ボルトであっても構わない。
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として有する電子機器について説明する。図20は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置10を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置10を備えるものである。なお、電気光学装置10のうち、表示領域100に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
Claims (10)
- 複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに、第1容量信号を供給し、当該一の走査線に対して所定数行だけ離間した走査線が選択されたときに、前記第1容量信号の電圧から所定値だけ変化させる容量線駆動回路と、
当該一の走査線が選択されたときに前記容量線が第1目標電圧となるように、前記第1容量信号を出力する第1容量信号出力回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。 - 前記第1容量信号出力回路は、
当該一の走査線が選択される期間の開始側である第1期間において、前記第1目標電圧をバッファリングし、
当該一の走査線が選択される期間の終了側である第2期間において、前記容量線の電圧が第1目標電圧となるように負帰還制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 前記容量線駆動回路は、
当該一の容量線を、
当該一の容量線に対応する走査線が選択されたとき、前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続し、当該一の走査線に対して前記所定数行だけ離間した走査線が選択されたときに第2容量信号を給電する第2給電線に接続する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第1および第2トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続され、
前記第2トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して所定数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が第2容量信号を給電する第2給電線に接続され、
前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 - さらに、
当該一の走査線に対して所定数行だけ離間した走査線が選択されたときに前記容量線が第2目標電圧となるように、前記第2容量信号を前記第2給電線に出力する第2容量信号出力回路を備える、
ことを特徴とする請求項3または4に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 前記一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、容量を介して結合する検出線を有し、
前記第1容量信号出力回路は、当該一の走査線が選択される期間において、前記検出線に現れたノイズ成分を打ち消すように前記第1容量信号を出力する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 前記容量線駆動回路は、
当該一の容量線を、
当該一の容量線に対応する走査線が選択されたとき、前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続し、当該一の走査線に対して前記所定数行だけ離間した走査線が選択されてから、当該一の容量線に対応する走査線が再び選択されるまで、第2容量信号を給電する第2給電線に接続する
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1容量信号を給電する第1給電線に接続され、
前記第2トランジスタは、ソース電極が第2容量信号を給電する第2給電線に接続され、
前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第2トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、
前記第4トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して前記所定数行だけ離間した走査に接続され、ソース電極が前記第2トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、
前記第3および第4トランジスタのドレイン電極が前記第2トランジスタのゲート電極に共通接続され、
前記第1および第2トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。 - 複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに、第1容量信号を供給し、当該一の走査線に対して所定数行だけ離間した走査線が選択されたときに、前記第1容量信号の電圧から所定値だけ変化させる容量線駆動回路と、
当該一の走査線が選択されたときに前記容量線が第1目標電圧となるように、前記第1容量信号を出力する第1容量信号出力回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項9に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
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