JP2009004781A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板210上に、n型半導体層220と、ウェル層231とバリア層232とが少なくとも2回以上交互に積層されてなる活性層230と、p型半導体層240とがこの順に積層され、p電極250がp型半導体層上に、n電極260がn型半導体層上にそれぞれ設けられた発光ダイオードにおいて、バリア層の厚さをウェル層の厚さの少なくとも2倍以上とする。
【選択図】図4A
Description
前記バリア層は、前記p型半導体層と隣り合う第1のバリア層と、前記第1のバリア層を除く残りのバリア層としての第2のバリア層と、から構成され、前記第1のバリア層における第1の領域はn型不純物でドープされ、第2の領域はアンドープされ、前記第2のバリア層の少なくとも1層がn型不純物でドープされる。
前記第2の領域の厚さは、前記第1の領域の厚さの少なくとも1.5倍以上である。
本発明の他の実施形態によれば、基板の上にn型半導体層を形成するステップと、ウェル層とバリア層とが少なくとも2回以上交互に積層して活性層を形成するステップと、前記活性層の上にp型半導体層を形成するステップと、を含み、前記活性層を形成するステップは、前記バリア層の厚さを前記ウェル層の厚さの少なくとも2倍以上になるように形成するステップを含む発光ダイオードの製造方法が提供される。
前記活性層を形成するステップは、前記p型半導体層と隣り合う第1のバリア層は少なくとも一部をn型不純物でドープし、前記第1のバリア層を除く残りのバリア層としての第2のバリア層の少なくとも1層をn型不純物でドープするステップを含む。
また、活性層の最終的なバリア層、すなわち、p型半導体層と隣り合うバリア層は全体をドープすることなく、一部だけをドープすることにより、発光ダイオードの発光効率を高めることが可能になる。
図2Aは、本発明の第1の実施形態による発光ダイオードの断面図であり、図2Bは、活性層の拡大断面図であり、図3は、バリア層の厚さの変化による発光ダイオードのバンドギャップの変化を概略的に説明する図である。
一方、ウェル層131の厚さはそのまま維持し、バリア層132の厚さをさらに増大させて、例えば、バリア層132を300Åに形成して、前記ウェル層に対する前記バリア層の厚さの割合は1:12にしてもよい。
図6Aを参照すると、先ず、基板210を用意し、基板210の上にn型半導体層220を形成する。基板の材料210としてはサファイアやシリコンカーバイド(SiC)など種々の物質が使用可能である。
このとき、第2のバリア層232の少なくとも1層は各層の全体をn型不純物でドープし、第1のバリア層234は少なくとも一部の領域だけをn型不純物でドープする。すなわち、第1のバリア層234における第1の領域234aはn型不純物でドープし、第1のバリア層234における第2の領域234bはアンドープする。
れるものではない。
図7Aを参照すると、基板310の上に、バッファ層320と、n型半導体層330と、活性層340と、p型半導体層350及びp電極360をこの順に形成する。
図7Cを参照すると、露出されたn型半導体層330の上にn電極370を形成することにより、垂直型発光ダイオードを形成する。
Claims (12)
- n型半導体層と、
ウェル層とバリア層とが少なくとも2回以上交互に積層されてなる活性層と、
p型半導体層と、
を備え、前記バリア層の厚さは、前記ウェル層の厚さの少なくとも2倍以上であることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記バリア層の厚さは、前記ウェル層の厚さの10倍〜15倍であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層は、前記p型半導体層と隣り合う第1のバリア層と、前記第1のバリア層を除く残りのバリア層としての第2のバリア層と、から構成され、
前記第1のバリア層における第1の領域はn型不純物でドープされ、第2の領域はアンドープされ、前記第2のバリア層の少なくとも1層がn型不純物でドープされることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ダイオード。 - 前記第1のバリア層における第1の領域は前記ウェル層と隣り合う領域であり、前記第2の領域は前記p型半導体層と隣り合う領域であることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の領域の厚さは、前記第1の領域の厚さの少なくとも1.5倍以上であることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の領域は、前記第2の領域に近づくにつれて前記n型不純物の濃度が下がるようにドープされることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード。
- 基板の上にn型半導体層を形成するステップと、
ウェル層とバリア層とが少なくとも2回以上交互に積層して活性層を形成するステップと、
前記活性層の上にp型半導体層を形成するステップと、
を含み、前記活性層を形成するステップは、前記バリア層の厚さが前記ウェル層の厚さの少なくとも2倍以上になるように形成するステップを備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記活性層を形成するステップは、前記バリア層の厚さが前記ウェル層の厚さの10倍〜15倍になるように形成するステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記活性層を形成するステップは、
前記p型半導体層と隣り合う第1のバリア層は少なくとも一部をn型不純物でドープし、前記第1のバリア層を除く残りのバリア層としての第2のバリア層の少なくとも1層をn型不純物でドープするステップを含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1のバリア層の少なくとも一部をn型不純物でドープするステップは、
前記第1のバリア層が前記ウェル層と隣り合う第1の領域はn型不純物でドープし、前記第1のバリア層が前記p型半導体層と隣り合う第2の領域はアンドープするステップを含むことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1のバリア層の少なくとも一部をn型不純物でドープするステップは、
前記第2の領域の厚さが前記第1の領域の厚さの少なくとも1.5倍以上になるようにドープするステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1のバリア層の少なくとも一部をn型不純物でドープするステップは、
前記第1の領域を前記第2の領域に近づくにつれて前記n型不純物の濃度が下がるようにドープするステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
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Cited By (3)
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