JP2009004619A - Sealing method and sealing structure of light emitting diode chip having high efficient horizontal light emitting effect - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing method and a sealing structure of a light emitting diode chip having high efficient horizontal light emitting effect. <P>SOLUTION: The sealing structure of the light emitting diode chip having high efficient horizontal light emitting effect includes a substrate unit 1, a light emitting unit and a package colloid unit 3. The substrate unit contains a substrate main body 10, and a positive electrode conductive trace 11 and a negative electrode conductive trace 12 formed on the substrate main body, respectively. The light emitting unit has a plurality of light emitting diode chips provided to the substrate main body, wherein each the light emitting diode chip has a positive electrode end and a negative electrode end electrically connected to the positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit, respectively. The package colloid unit includes a plurality of package colloids covering over these light emitting diode chips, respectively, wherein a top surface and a front surface of each package colloid have a colloid arcuate surface and a colloid light exiting surface, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造に係り、特に、高効率横型発光効果(high-efficiencylateral light-emitting effect)を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造を指すものである。   The present invention relates to a light emitting diode chip sealing method and a sealing structure thereof, and more particularly, to a light emitting diode chip sealing method having a high-efficiency lateral light-emitting effect and a sealing structure thereof. It is what you point to.

図1は、従来の発光ダイオードの第1の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードの第1の封止方法は、先ず、複数のパッケージした発光ダイオードを提供する工程(S800)と、次に、その上に正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を提供する工程(S802)と、最後に、パッケージした各発光ダイオードがその帯形の基板本体上に順次に設けられ、かつパッケージした各発光ダイオードの正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程(S804)とを含むことが分かる。   FIG. 1 is a flowchart illustrating a first sealing method of a conventional light emitting diode. From this flowchart, the first conventional method of sealing a light emitting diode is to first provide a plurality of packaged light emitting diodes (S800), and then to have a positive conductive trace and a negative conductive trace thereon. Providing a substrate body having a shape (S802), and finally, each packaged light emitting diode is sequentially provided on the substrate body of the strip shape, and the positive and negative ends of each packaged light emitting diode are formed in the strip shape. The step (S804) of electrically connecting to the positive and negative electrode conductive traces of the substrate body of FIG.

図2は、従来の発光ダイオードの第2の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードの第2の封止方法は、先ず、その上に正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を提供する工程(S900)と、次に、複数の発光ダイオードチップがその帯形の基板本体上に順次設けられ、かつ、各発光ダイオードチップの正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程(S902)と、最後に、帯形のパッケージコロイドをその帯形の基板本体およびこれらの発光ダイオードチップ上に覆い、帯形発光領域のあるライトバーを形成する工程(S904)とを含むことが分かる。   FIG. 2 is a flowchart illustrating a second method for sealing a conventional light emitting diode. From this flowchart, the second method for sealing a conventional light emitting diode includes a step of providing a strip-shaped substrate body having a positive electrode conductive trace and a negative electrode conductive trace thereon (S900); A step of sequentially providing the light emitting diode chips on the strip-shaped substrate body and electrically connecting the positive and negative electrode ends of each light-emitting diode chip to the positive and negative electrode conductive traces of the strip-shaped substrate body (S902). And finally, a step of covering the strip-shaped package colloid on the strip-shaped substrate body and these light-emitting diode chips to form a light bar having a strip-shaped light emitting region (S904).

しかしながら、上記従来の発光ダイオードの第1の封止方法については、パッケージした各発光ダイオードを発光ダイオードパッケージ全体から切断してから、表面実装技術(SMT)でパッケージした発光ダイオードをその帯形の基板本体上に設けなければならないため、製造プロセス時間を有効に低下させることは出来ず、また、発光の際に、これらのパッケージした発光ダイオードの間にダークバンド現象が存在され、使用者の視線に好ましくない効果が発生してしまう。   However, with regard to the first conventional light emitting diode sealing method, each packaged light emitting diode is cut from the entire light emitting diode package, and then the light emitting diode packaged by surface mounting technology (SMT) is used as its band-shaped substrate. Since it must be provided on the main body, the manufacturing process time cannot be effectively reduced, and a dark band phenomenon exists between these packaged light emitting diodes during light emission, which is in the eyes of the user. An undesirable effect will occur.

また、上記従来の発光ダイオードの第2の封止方法については、完成したライトバーが帯形発光領域を有するため、第2の封止方法はダークバンドの問題は発生しない。しかし、この帯形のパッケージコロイドは励起された領域が不均一であるため、ライトバーの光の効率は良くなくなる(すなわち、発光ダイオードチップに近いパッケージコロイド領域は、比較的強い励起光源が発生され、発光ダイオードチップに遠ざかるパッケージコロイド領域は、比較的弱い励起光源が発生される)。   In addition, with respect to the second conventional sealing method of the light emitting diode, the completed light bar has a band-shaped light emitting region, and thus the second sealing method does not cause a dark band problem. However, this strip-shaped package colloid has a non-uniform excited region, which reduces the light bar's light efficiency (ie, the package colloid region near the LED chip generates a relatively strong excitation light source). The package colloid region away from the light emitting diode chip generates a relatively weak excitation light source).

図3は、従来の発光ダイオードが横型発光に適用されることを示す図である。図から分かるように、従来の発光ダイオードチップDが横型発光に適用されると(例えば、ノートパソコンスクリーンに用いる導光板Mの横型光源)、ノートパソコンスクリーンの導光板Mは非常に薄いため、該発光ダイオードチップDのベースS1の長さl1は、対応的に短縮しなければならない。言い換えれば、ベースS1の長さl1が短か過ぎるため、従来の発光ダイオードチップDは効率的な散熱効果を得られず、発光ダイオードチップDが熱過ぎるため焼損されてしまう場合が発生しうる。   FIG. 3 is a diagram illustrating that a conventional light emitting diode is applied to horizontal light emission. As can be seen from the figure, when the conventional light emitting diode chip D is applied to the horizontal light emission (for example, the horizontal light source of the light guide plate M used in the notebook computer screen), the light guide plate M of the notebook computer screen is very thin. The length l1 of the base S1 of the light-emitting diode chip D must be correspondingly shortened. In other words, since the length S1 of the base S1 is too short, the conventional light emitting diode chip D cannot obtain an efficient heat dissipation effect, and the light emitting diode chip D is too hot and may be burned out.

以上のように、従来の発光ダイオードの封止方法およびその封止構造は、不便や欠点が明らかに存在され、改善が期待されていることが分かる。   As described above, it can be seen that the conventional light-emitting diode sealing method and the sealing structure clearly have inconveniences and disadvantages and are expected to be improved.

そのため、本発明者は、前記欠点が改良できるのを関心して、長年以来この領域で積み立てた経験により、専念な観察かつ研究をし、さらに学術理論の運用に合せ、やっと合理な設計且つ前記の欠点を有効に改良できた本発明を提案した。   Therefore, the present inventor was interested in improving the above-mentioned drawbacks, and made extensive observations and researches based on the experience accumulated in this area since many years. The present invention has been proposed in which the above-mentioned drawbacks can be effectively improved.

本発明が解決しようとする技術問題は、高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造を提供することにある。本発明の発光ダイオード構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド(dark band)及び光減衰(decay)の場合がなく、かつ本発明は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。また、本発明の構造設計は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などにより適用でき、いずれも本発明が適応する範囲および製品である。   A technical problem to be solved by the present invention is to provide a sealing method and a sealing structure of a light emitting diode chip having a high-efficiency lateral light emitting effect. The light emitting diode structure of the present invention forms a continuous light emitting region at the time of light emission, there is no case of dark band and light decay, and the present invention includes a COB (Chip On Board) and a die mold. With the (die mold) method, the manufacturing process time can be effectively reduced and mass production can be achieved. In addition, the structural design of the present invention can be applied by various light sources such as a backlight module, a decorative lamp, an illumination lamp, or a scanner light source, all of which are within the scope and product to which the present invention is applicable.

また、本発明に係るパッケージコロイドは、特殊な金型のダイモールド過程によって、本発明の発光ダイオードチップの封止構造が、直立の場合に横型発光の効果を発生できるため、本発明は散熱不足の場合が発生しない。言い換えれば、本発明は横型投光の機能を発生することだけではなく、さらに薄型ケース内の散熱効果への応用にも兼顧できる。   Further, the package colloid according to the present invention can generate a horizontal light emission effect when the light emitting diode chip sealing structure of the present invention is upright by a special mold die molding process. The case does not occur. In other words, the present invention can be applied not only to the function of horizontal projection but also to the application to the heat dissipation effect in the thin case.

前記技術課題を解決するため、本発明による一つの方案は、先ず、基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する基板ユニットを提供する工程を含む高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法を提供した。   In order to solve the technical problem, one solution according to the present invention includes a step of providing a substrate unit having a substrate body and a positive electrode conductive trace and a negative electrode conductive trace formed on the substrate body, respectively. A method of sealing a light emitting diode chip having a horizontal light emitting effect is provided.

次に、前記基板本体にマトリクス方式によって複数の発光ダイオードチップをそれぞれ設置し、複数列の縦方向発光ダイオードチップ列を形成し、ここで、各発光ダイオードチップが、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端及び負極端を有する。   Next, a plurality of light emitting diode chips are respectively installed in a matrix manner on the substrate body to form a plurality of rows of vertical light emitting diode chips, where each light emitting diode chip is connected to the positive and negative electrodes of the substrate unit. Each has a positive end and a negative end electrically connected to the trace.

次に、第1のモールドユニットを介して複数の帯形のパッケージコロイドで各縦方向発光ダイオードチップ列上を覆い、ここで、帯形の各パッケージコロイドの上面は、これらの発光ダイオードチップに対応する複数のコロイド弧面を有する。   Next, each longitudinal light emitting diode chip row is covered with a plurality of strip-shaped package colloids through the first mold unit, and the upper surface of each strip-shaped package colloid corresponds to these light-emitting diode chips. A plurality of colloidal arc surfaces.

最後に、本発明は、以下の2つの後続の実施態様がある。   Finally, the present invention has the following two subsequent embodiments.

第1の態様は、先ず、2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、各発光ダイオードチップの上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、ここで、各パッケージコロイドの上面はコロイド弧面であり、かつ、各パッケージコロイドは、このコロイド弧面の先端に形成されたコロイド光射出面を有し、そして、第2のモールドユニットを介してフレームユニットをこの基板本体及びこれらのパッケージコロイド上に覆うとともにこれらのパッケージコロイドの間に充填させ、最後に、2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこのフレームユニットおよび基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、かつ、このフレームユニットは、各ライトバーの上の全てのパッケージコロイドのこれらのコロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム層になるように切断される。   In the first aspect, first, a plurality of strip-shaped package colloids are cut in a transverse direction between two vertical light emitting diode chips, and a plurality of light emitting diode chips are separately covered and covered. Forming a package colloid, wherein the top surface of each package colloid is a colloid arc surface, and each package colloid has a colloid light exit surface formed at the tip of the colloid arc surface, and a second The frame unit is covered on the substrate body and the package colloid through the mold unit of the mold and filled between the package colloids, and finally, the frame is moved between two vertical light emitting diode chips. The unit and the substrate body are cut laterally to form a plurality of light bars, and this frame unit It is cut into a plurality of frames layer to expose only those colloids light exit surface of every package resin on the Itoba.

第2の態様は、2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、各発光ダイオードチップの上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、ここで、各パッケージコロイドの上面はコロイド弧面であり、かつ、各パッケージコロイドは、このコロイド弧面の先端に形成されたコロイド光射出面を有し、そして、第3のモールドユニットを介して複数の帯形のフレーム層をこの基板本体及びこれらのパッケージコロイド上に覆うとともに各パッケージコロイドの間に縦方向に充填させ、最後に、2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿ってこれらの帯形のフレーム層および基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、かつ、これらの帯形のフレーム層は、各パッケージコロイドのコロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム本体になるように切断される。   In the second embodiment, a plurality of package colloids are formed by horizontally cutting these strip-shaped package colloids between two vertical light emitting diode chips, and separately covering the respective light emitting diode chips. Wherein the upper surface of each package colloid is a colloid arc surface, and each package colloid has a colloid light exit surface formed at the tip of the colloid arc surface, and a third mold Through the unit, a plurality of strip-shaped frame layers are covered on the substrate body and the package colloids, and are vertically filled between the package colloids, and finally, between two vertical light emitting diode chips. The strip-shaped frame layer and the substrate body are cut laterally along to form a plurality of light bars, and the strip-shaped frame Layer is cut into a plurality of frame bodies to expose only the colloid light exit surface of the package resin.

前記技術課題を解決するため、本発明による他の方案は、基板ユニットと、発光ユニットと、パッケージコロイドユニットと、を含む高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造を提供した。   In order to solve the above technical problem, another method according to the present invention provides a sealing structure of a light emitting diode chip having a high-efficiency lateral light emitting effect, which includes a substrate unit, a light emitting unit, and a package colloid unit.

そのなかで、前記基板ユニットは、基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する。前記発光ユニットは、前記基板本体に設けられた複数の発光ダイオードチップを有し、各発光ダイオードチップが、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端および負極端を有する。前記パッケージコロイドユニットは、これらの発光ダイオードチップの上をそれぞれ覆う複数のパッケージコロイドを備え、ここで、各パッケージコロイドの上面及び前面はコロイド弧面及びコロイド光射出面をそれぞれ有する。   Among them, the substrate unit has a substrate body, and a positive electrode conductive trace and a negative electrode conductive trace formed on the substrate body, respectively. The light emitting unit has a plurality of light emitting diode chips provided on the substrate body, and each light emitting diode chip has a positive electrode end and a negative electrode end electrically connected to positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit, respectively. Have. The package colloid unit includes a plurality of package colloids covering the light emitting diode chips, respectively, where the upper and front surfaces of each package colloid have a colloid arc surface and a colloid light emission surface, respectively.

また、本発明の発光ダイオードチップの封止構造は、さらに、以下の2つの構造を含む。   Moreover, the sealing structure of the light-emitting diode chip of the present invention further includes the following two structures.

(一)、フレームユニットは、前記基板本体上を覆いかつ各パッケージコロイドをカバーしこれらのコロイド光射出面のみを露出させるフレーム層である。   (1) The frame unit is a frame layer that covers the substrate body and covers each package colloid and exposes only the colloid light emission surface.

(二)、フレームユニットは、これらのパッケージコロイドをそれぞれカバーしこれらのコロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム本体を有し、ここで、これらのフレーム本体は前記基板本体上にそれぞれ分離して設置されている。   (2) The frame unit has a plurality of frame bodies that respectively cover the package colloids and expose only the colloidal light emission surfaces, and these frame bodies are separated on the substrate body. Installed.

そのため、本発明の発光ダイオード構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド(dark)及び光減衰(decay)の場合が発生しない。本発明は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。また、本発明の発光ダイオードチップの封止構造が、直立の場合に横型発光の効果を発生できる。そのため、本発明は横型発光の機能を発生することだけではなく、さらに薄型ケース内の散熱効果への応用にも兼顧できる。   For this reason, the light emitting diode structure of the present invention forms a continuous light emitting region when light is emitted, and no dark band or light decay occurs. The present invention is capable of mass production by effectively reducing the manufacturing process time by using a COB (Chip On Board) and a die mold. Further, when the light emitting diode chip sealing structure of the present invention is upright, the effect of horizontal light emission can be generated. Therefore, the present invention can be applied not only to the function of horizontal light emission but also to the application to the heat dissipation effect in the thin case.

本発明が所定の目的を達成するために採用する技術、手段及びその効果をさらに詳細的で具体的に説明するために、以下に本発明に関わる詳しい説明及び添付図面を参照することにより、深く且つ具体的な理解を得られるが、それらの添付図面が参考及び説明のみに使われ、本発明の主張範囲を狭義的に局限するものではないことは言うまでもないことである。   DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to more specifically and specifically describe the techniques, means and effects adopted by the present invention to achieve a predetermined object, the following detailed description and accompanying drawings relating to the present invention will be used to describe the present invention. Moreover, although a specific understanding can be obtained, it is needless to say that the accompanying drawings are used only for reference and explanation and do not narrowly limit the scope of the present invention.

図4、図4a〜4dおよび図4A〜4Dを参照する。図4は、本発明に係る封止方法の第1の実施例を示すフローチャートであり、図4a〜4dは、それぞれ本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図であり、図4A〜4Dは、それぞれ本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。図4のフローチャートから分かるように、本発明に係る第1の実施例は、以下のステップを含む高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法を提供した。   Reference is made to FIGS. 4, 4a-4d and 4A-4D. FIG. 4 is a flowchart showing a first embodiment of the sealing method according to the present invention, and FIGS. 4a to 4d are diagrams showing package flows of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention, respectively. 4A to 4D are cross-sectional views showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. As can be seen from the flowchart of FIG. 4, the first embodiment of the present invention provides a method for encapsulating a light-emitting diode chip having a high-efficiency lateral light-emitting effect including the following steps.

先ず、図4aおよび図4Aに示すように、基板本体10と、該基板本体10にそれぞれ形成された複数の正極導電トレース11および複数の負極導電トレース12を有する基板ユニット1を提供する(S100)。そのなかで、異なる設計要求に応じて、基板本体10は、プリント回路基板(PCB)や、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板である。また、正、負極導電トレース11、12は、Al回路またはAg回路を採用し、且つ、正、負極導電トレース11、12のレイアウトは、異なる要求に応じて多少変えることができる。   First, as shown in FIGS. 4A and 4A, a substrate unit 1 having a substrate body 10 and a plurality of positive electrode conductive traces 11 and a plurality of negative electrode conductive traces 12 respectively formed on the substrate body 10 is provided (S100). . Among them, the board body 10 is a printed circuit board (PCB), a flexible board, an aluminum board, a ceramic board, or a Cu board according to different design requirements. Further, the positive and negative electrode conductive traces 11 and 12 employ an Al circuit or an Ag circuit, and the layout of the positive and negative electrode conductive traces 11 and 12 can be slightly changed according to different requirements.

次に、図4bおよび図4Bに示すように、基板本体10上にマトリクス方式により複数の発光ダイオードチップ20をそれぞれ設置し、複数列の縦方向発光ダイオードチップ列2を形成し、そのなかで、各発光ダイオードチップ20は、基板ユニットの正、負極導電トレース11、12にそれぞれ電気的に接続された正極端201及び負極端202を有する(S102)。   Next, as shown in FIGS. 4b and 4B, a plurality of light emitting diode chips 20 are respectively installed in a matrix manner on the substrate body 10 to form a plurality of rows of light emitting diode chip rows 2, and among them, Each light-emitting diode chip 20 has a positive end 201 and a negative end 202 electrically connected to the positive and negative conductive traces 11 and 12 of the substrate unit, respectively (S102).

また、本発明に係る第1の実施例においては、各発光ダイオードチップ20の正極端201及び負極端202は、2つの対応しているワイヤWを介してワイヤボンディングの方式で基板ユニット1の正、負極導電トレース11、12に電気的に接続される。また、各縦方向発光ダイオードチップ列2は、直線の配列方式で基板ユニット1の基板本体10に設けられ、かつ、各発光ダイオードチップ20は、青色発光ダイオードチップであっても良い。   In the first embodiment according to the present invention, the positive electrode end 201 and the negative electrode end 202 of each light-emitting diode chip 20 are connected to the positive electrode of the substrate unit 1 by wire bonding via two corresponding wires W. Are electrically connected to the negative electrode conductive traces 11 and 12. Further, each vertical light emitting diode chip row 2 may be provided on the substrate body 10 of the substrate unit 1 in a linear array system, and each light emitting diode chip 20 may be a blue light emitting diode chip.

もちろん、上記のこれらの発光ダイオードチップ20の電気接続方式は、本発明を限定せず、例えば、図5に示すように(この図は、本発明の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である)、各発光ダイオードチップ20’の正、負極端201’、202’が、複数の対応する半田ボールBを介してフリップチップの方式で、該基板ユニット1’の正、負極導電トレース11’、12’に電気的に接続されてもよい。また、異なる設計要求に応じて、これらの発光ダイオードチップ(図示せず)の正、負極端は、直列接続や、並列接続または直列/並列の方式で該基板ユニット(図示せず)の正、負極導電トレースに電気的に接続できる。   Of course, the electrical connection system of the light-emitting diode chips 20 is not limited to the present invention. For example, as shown in FIG. 5 (this diagram shows the electrical connection according to the flip-chip system of the light-emitting diode chip of the present invention). The positive and negative electrode ends 201 ′ and 202 ′ of each light-emitting diode chip 20 ′ are flip-chip connected via a plurality of corresponding solder balls B, and the substrate unit 1 ′. The positive and negative electrode conductive traces 11 ′ and 12 ′ may be electrically connected. Further, according to different design requirements, the positive and negative ends of these light emitting diode chips (not shown) are connected in series connection, in parallel connection or in series / parallel manner, and the substrate unit (not shown) is positive, It can be electrically connected to the negative conductive trace.

その後、図4c、図4C及び図6に示すように、第1のモールドユニットM1を介して複数の帯形のパッケージコロイド3で各縦方向発光ダイオードチップ列2上を縦方向に覆い、ここで、帯形の各パッケージコロイド3の上面は、各発光ダイオードチップ20に対応する複数のコロイド弧面300を有し、かつ、帯形の各パッケージコロイド3は、これらの対応するコロイド弧面300の先端に設けられた複数のコロイド前端面301を有する(S104)。   Thereafter, as shown in FIGS. 4c, 4C and 6, the vertical light emitting diode chip rows 2 are covered in the vertical direction with a plurality of strip-shaped package colloids 3 via the first mold unit M1, where The upper surface of each of the strip-shaped package colloids 3 has a plurality of colloid arc surfaces 300 corresponding to the respective light-emitting diode chips 20, and each of the strip-shaped package colloids 3 includes the corresponding colloid arc surfaces 300. It has a plurality of colloid front end surfaces 301 provided at the tip (S104).

そのなかで、第1のモールドユニットM1は、第1のアッパモールドM11および基板本体10を載置する第1のローモールドM12からなり、第1のアッパモールドM11は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列2に対応する複数の第1のチャンネルM110を備える。そのなかで、各第1のチャンネルM110は、複数の凹溝Gを有し、各凹溝Gの上面及び前面は、コロイド弧面300に対応するモールド弧面G100及び該コロイド前端面301に対応するモールド前端面G101をそれぞれ有する。   Among them, the first mold unit M1 includes a first upper mold M11 and a first low mold M12 on which the substrate body 10 is placed. The first upper mold M11 includes these longitudinal light emitting diode chips. A plurality of first channels M110 corresponding to the column 2 are provided. Among them, each first channel M110 has a plurality of concave grooves G, and the upper surface and the front surface of each concave groove G correspond to the mold arc surface G100 corresponding to the colloid arc surface 300 and the colloid front end surface 301. Each has a mold front end face G101.

また、これらの第1のチャンネルM110のサイズは、これらの帯形のパッケージコロイド3のサイズと同じである。さらに、帯形の各パッケージコロイド3は、異なる使用要求に応じて、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂、或いは、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂を選択できる。   The sizes of these first channels M110 are the same as the sizes of these strip-shaped package colloids 3. Furthermore, for each of the strip-shaped package colloids 3, a fluorescent resin formed by mixing silicon and fluorescent powder or a fluorescent resin formed by mixing epoxy resin and fluorescent powder is selected according to different usage requirements. it can.

続いて、図4dおよび図4Dを合せて図4cに示すように、2つずつの縦方向発光ダイオードチップ20の間に沿ってこれらの帯形のパッケージコロイド3を横方向に切断し、各発光ダイオードチップ20の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイド30を形成し、ここで、各パッケージコロイド30の上面はコロイド弧面300であり、かつ、各パッケージコロイド30は、このコロイド弧面300の先端に形成されたコロイド光射出面302を有する(S106)。   Subsequently, as shown in FIG. 4C in combination with FIG. 4D and FIG. 4D, these strip-shaped package colloids 3 are laterally cut along the space between the two vertical light emitting diode chips 20, and each light emission A plurality of package colloids 30 are formed so as to separately cover and cover the diode chip 20. Here, the upper surface of each package colloid 30 is a colloid arc surface 300, and each package colloid 30 is formed of the colloid arc surface 300. A colloidal light emission surface 302 formed at the tip of the substrate (S106).

そして、図4eおよび図4Eに示すように、第2のモールドユニットM2を介してフレームユニット4をこの基板本体10及びこれらのパッケージコロイド30上に覆うとともにこれらのパッケージコロイド30の間に充填させる(S108)。そのなかで、第2のモールドユニットM2は、第2のアッパモールドM21および基板本体10を載置する第2のローモールドM22からなり、第2のアッパモールドM21は、フレームユニット4に対応する1つの第2のチャンネルM210を備え、また、第2のチャンネルM210の高さは、これらのパッケージコロイド30の高さと同じであり、第2のチャンネルM210の幅は、フレームユニット4の幅と同じである。   4E and 4E, the frame unit 4 is covered on the substrate body 10 and the package colloids 30 via the second mold unit M2 and filled between the package colloids 30 (see FIG. 4E and FIG. 4E). S108). Among them, the second mold unit M2 includes a second upper mold M21 and a second low mold M22 on which the substrate body 10 is placed, and the second upper mold M21 corresponds to the frame unit 4. Two second channels M210, and the height of the second channel M210 is the same as the height of these package colloids 30, and the width of the second channel M210 is the same as the width of the frame unit 4. is there.

最後に、図4fおよび図4Fを合せて図4eを参照すると、2つずつの縦方向発光ダイオードチップ20の間に沿ってこのフレームユニット4および基板本体10を横方向に切断し、複数のライトバーL1を形成し、かつ、このフレームユニット4は、各ライトバーL1の上の全てのパッケージコロイド30のこれらのコロイド光射出面302のみを露出させる複数のフレーム層40になるように切断される(S110)。そのなかで、これらのフレーム層40は、光透過しないフレーム層、例えば、白色フレーム層である。   Finally, referring to FIG. 4E in combination with FIG. 4F and FIG. 4F, the frame unit 4 and the substrate body 10 are cut laterally between two vertical light emitting diode chips 20, and a plurality of lights The frame unit 4 is cut to form a plurality of frame layers 40 that form the bar L1 and expose only these colloidal light exit surfaces 302 of all package colloids 30 on each light bar L1. (S110). Among these, these frame layers 40 are frame layers that do not transmit light, for example, white frame layers.

図7、図7a〜7bおよび図7A〜7Bを参照する。図7は、本発明に係る封止方法の第2の実施例を示すフローチャートであり、図7a〜7bは、それぞれ本発明に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図7A〜7Bは、それぞれ本発明に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。図7のフローチャートから分かるように、第2の実施例のステップS200〜S206は、それぞれ第1の実施例のステップS100〜S106と同じである。すなわち、ステップS200は、第1の実施例の図4aおよび図4Aに示される説明に該当し、ステップS202は、第1の実施例の図4bおよび図4Bに示される説明に該当し、ステップS204は、第1の実施例の図4cおよび図4Cに示される説明に該当し、ステップS206は、第1の実施例の図4dおよび図4Dに示される説明に該当する。   Reference is made to FIGS. 7, 7a-7b and 7A-7B. FIG. 7 is a flowchart showing a second embodiment of the sealing method according to the present invention, and FIGS. 7a to 7b show a part of the package flow of the second embodiment of the sealing structure according to the present invention, respectively. 7A to 7B are cross-sectional views showing a part of the package flow of the second embodiment of the sealing structure according to the present invention. As can be seen from the flowchart of FIG. 7, steps S200 to S206 of the second embodiment are the same as steps S100 to S106 of the first embodiment, respectively. That is, step S200 corresponds to the description shown in FIGS. 4a and 4A of the first embodiment, step S202 corresponds to the description shown in FIGS. 4b and 4B of the first embodiment, and step S204. Corresponds to the description shown in FIGS. 4c and 4C of the first embodiment, and step S206 corresponds to the description shown in FIGS. 4d and 4D of the first embodiment.

また、ステップS206の後に、本発明の第2の実施例は、さらに、以下のステップを含む。先ず、図7aおよび図7Aに示すように、第3のモールドユニットM3を介して複数の帯形のフレーム層4’をこの基板本体10及びこれらのパッケージコロイド30上に覆うとともに各パッケージコロイド30の間に縦方向に充填させる(S208)。   In addition, after step S206, the second embodiment of the present invention further includes the following steps. First, as shown in FIGS. 7a and 7A, a plurality of strip-shaped frame layers 4 'are covered on the substrate body 10 and the package colloids 30 through the third mold unit M3, and the package colloids 30 are formed. It is filled in the vertical direction between them (S208).

そのなかで、第3のモールドユニットM3は、第3のアッパモールドM31および基板本体10を載置する第3のローモールドM32からなり、第3のアッパモールドM31は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列2に対応する複数の第3のチャンネルM310を備え、また、第3のチャンネルM310の高さは、これらのパッケージコロイド30の高さと同じであり、第3のチャンネルM310の幅は、各パッケージコロイド30の幅より大きい。   Among them, the third mold unit M3 includes a third upper mold M31 and a third row mold M32 on which the substrate body 10 is placed, and the third upper mold M31 includes these longitudinal light emitting diode chips. A plurality of third channels M310 corresponding to row 2 are provided, and the height of the third channel M310 is the same as the height of these package colloids 30, and the width of the third channel M310 is set for each package. It is larger than the width of the colloid 30.

最後に、図7bおよび図7Bを合せて図7aを参照すると、2つずつの縦方向発光ダイオードチップ20の間に沿ってこれらの帯形のフレーム層4’および基板本体10を横方向に切断し、複数のライトバーL2を形成し、かつ、これらの帯形のフレーム層4’は、各パッケージコロイド30のコロイド光射出面302のみを露出させる複数のフレーム本体40’になるように切断される(S210)。そのなかで、これらのフレーム本体40’は、光透過しないフレーム本体、例えば、白色フレーム本体である。   Finally, referring to FIG. 7a in combination with FIG. 7b and FIG. 7B, these strip-shaped frame layers 4 ′ and the substrate body 10 are cut transversely between two vertical light emitting diode chips 20 each. Then, a plurality of light bars L2 are formed, and these strip-shaped frame layers 4 ′ are cut so as to become a plurality of frame bodies 40 ′ that expose only the colloidal light emission surface 302 of each package colloid 30. (S210). Among these, these frame bodies 40 'are frame bodies that do not transmit light, for example, white frame bodies.

図8aおよび図8Aを参照する。図8aは、本発明に係る封止構造の第3の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図8Aは、本発明に係る封止構造の第3の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。第3の実施例と第1および第2実施例との違いは、第1の実施例のステップ106および第2の実施例のステップ206の初めの部分が、第3の実施例においてともに「2つずつの横方向発光ダイオードチップ20の間に沿ってこれらの帯形のパッケージコロイド3’を縦方向に切断し、」のように変えられる点である。   Please refer to FIG. 8a and FIG. 8A. FIG. 8a is a diagram showing a part of the package flow of the third embodiment of the sealing structure according to the present invention, and FIG. 8A shows a part of the third embodiment of the sealing structure according to the present invention. It is sectional drawing which shows a package flow. The difference between the third embodiment and the first and second embodiments is that the first part of step 106 of the first embodiment and the first part of step 206 of the second embodiment are both “2” in the third embodiment. These strip-shaped package colloids 3 ′ are cut in the vertical direction along the space between each lateral light emitting diode chip 20, and can be changed as follows.

さらに、第4のモールドユニットM4は、第4のアッパモールドM41および基板本体10を載置する第4のローモールドM42からなる。また、第4のモールドユニットM4が第1のモールドユニットM4と最も大きく違うのは、各第1のチャンネルM410の上面及び前面がモールド弧面300’及びモールド光射出面302’をそれぞれ有する点である。そのため、複数の帯形のパッケージコロイド3’は横方向発光ダイオードチップ2にそれぞれ横方向にカバーされる。   Further, the fourth mold unit M4 includes a fourth upper mold M41 and a fourth row mold M42 on which the substrate body 10 is placed. The fourth mold unit M4 is most different from the first mold unit M4 in that the upper surface and the front surface of each first channel M410 have a mold arc surface 300 ′ and a mold light emission surface 302 ′, respectively. is there. Therefore, the plurality of strip-shaped package colloids 3 ′ are respectively covered by the lateral light emitting diode chips 2 in the lateral direction.

図9は、本発明係る発光ダイオードチップの封止構造が横型発光に適用されることを示す図である。図から分かるように、本発明係る発光ダイオードチップDが横型発光に適用されると(例えば、ノートパソコンスクリーンに用いる導光板Mの横型光源)、発光ダイオードチップDのベースS2の長さl2は、散熱の要求に応じて長くすることができる(従来のように導光板Mの厚さに限られることはない)。言い換えれば、ベースS2の長さl2を散熱の要求に応じて長くすることができるため、本発明の発光ダイオードチップDは効率的な散熱効果を得られ、発光ダイオードチップDが熱過ぎるため焼損されてしまう場合が避けられる。   FIG. 9 is a view showing that the light emitting diode chip sealing structure according to the present invention is applied to horizontal light emission. As can be seen from the figure, when the light-emitting diode chip D according to the present invention is applied to horizontal light emission (for example, a horizontal light source of a light guide plate M used in a notebook computer screen), the length l2 of the base S2 of the light-emitting diode chip D is The length of the light guide plate M can be increased according to the demand for heat dissipation (not limited to the thickness of the light guide plate M as in the prior art). In other words, since the length l2 of the base S2 can be increased according to the heat dissipation requirement, the light emitting diode chip D of the present invention can obtain an efficient heat dissipation effect, and the light emitting diode chip D is too hot and is burned out. The case where it ends up is avoided.

以上のように、本発明の発光ダイオード構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、ダークバンド及び光減衰の場合が発生せず、かつ本発明は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。また、本発明の発光ダイオードチップの封止構造が、直立の場合に横型発光の効果を発生できるため、本発明は横型投光の機能を発生することだけではなく、さらに薄型ケース内の散熱効果への応用にも兼顧できる。   As described above, the light emitting diode structure of the present invention forms a continuous light emitting region at the time of light emission, the case of dark band and light attenuation does not occur, and the present invention includes a COB (Chip On Board) and a die mold. With the (die mold) method, the manufacturing process time can be effectively reduced and mass production can be achieved. In addition, since the sealing structure of the light emitting diode chip of the present invention can generate a horizontal light emission effect when standing upright, the present invention not only generates a function of horizontal light projection, but also a heat dissipation effect in a thin case. Can also be applied to the application.

しかし、前記の説明は、単に本発明の好ましい具体的な実施例の詳細説明及び図面に過ぎず、本発明の特許請求の範囲を局限するものではなく、本発明の主張する範囲は、下記の特許請求の範囲に基づくべき、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家が本発明の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施のことが本発明の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。   However, the foregoing description is merely a detailed description of the preferred specific embodiments and drawings of the present invention, and does not limit the scope of the claims of the present invention. Any expert who has ordinary knowledge in the field, who should be based on the scope of the claims, can make appropriate changes or modifications within the field of the present invention. It goes without saying that it should be delivered within the scope.

図1は、従来の発光ダイオードの第1の封止方法を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart illustrating a first sealing method of a conventional light emitting diode. 図2は、従来の発光ダイオードの第2の封止方法を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating a second method for sealing a conventional light emitting diode. 図3は、従来の発光ダイオードが横型発光に適用されることを示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating that a conventional light emitting diode is applied to horizontal light emission. 図4は、本発明に係る封止方法の第1の実施例を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a first embodiment of the sealing method according to the present invention. 図4aは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図である。FIG. 4a is a diagram showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4bは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図である。FIG. 4b is a diagram showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4cは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図である。FIG. 4c is a diagram showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4dは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図である。FIG. 4d is a diagram showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4eは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図である。FIG. 4e is a diagram showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4fは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す図である。FIG. 4f is a diagram showing a package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4Aは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing the package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4Bは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view showing the package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4Cは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 4C is a cross-sectional view showing the package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4Dは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 4D is a cross-sectional view showing the package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4Eは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 4E is a cross-sectional view showing the package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図4Fは、本発明に係る封止構造の第1の実施例のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 4F is a cross-sectional view showing the package flow of the first embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図5は、本発明の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing that the light emitting diode chips of the present invention are electrically connected by a flip chip method. 図6は、本発明の図4Cにコロイドを充填する前を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a state before the colloid is filled in FIG. 4C of the present invention. 図7は、本発明に係る封止方法の第2の実施例を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a second embodiment of the sealing method according to the present invention. 図7aは、本発明に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。FIG. 7a is a diagram showing a part of the package flow of the second embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図7bは、本発明に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。FIG. 7b is a diagram showing a part of the package flow of the second embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図7Aは、本発明に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 7A is a sectional view showing a part of the package flow of the second embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図7Bは、本発明に係る封止構造の第2の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 7B is a cross-sectional view showing a part of the package flow of the second embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図8aは、本発明に係る封止構造の第3の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。FIG. 8a shows a part of the package flow of the third embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図8Aは、本発明に係る封止構造の第3の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。FIG. 8A is a sectional view showing a part of the package flow of the third embodiment of the sealing structure according to the present invention. 図9は、本発明係る発光ダイオードチップの封止構造が横型発光に適用されることを示す図である。FIG. 9 is a view showing that the light emitting diode chip sealing structure according to the present invention is applied to horizontal light emission.

符号の説明Explanation of symbols

D 発光ダイオード
M 導光板
S1 ベース
l1 長さ
1 基板ユニット
10 基板本体
11 正極導電トレース
12 負極導電トレース
1’ 基板ユニット
11’ 正極導電トレース
12’ 負極導電トレース
2 縦方向発光ダイオードチップ列
20 発光ダイオードチップ
201 正極端
202 負極端
20’ 発光ダイオードチップ
201’ 正極端
202’ 負極端
3 帯形パッケージコロイド
30 パッケージコロイド
300 コロイド弧面
301 コロイド前端面
302 コロイド光射出面
3’ 帯形パッケージコロイド
300’ モールド弧面
302’ モールド光射出面
4 フレームユニット
40 フレーム層
4’ 帯形フレーム層
40’ フレーム本体
W ワイヤ
B 半田ボール
M1 第1のモールドユニット
M11 第1のアッパモールド
M12 第1のローモールド
M110 第1のチャンネル
G 凹溝
G100 モールド弧面
G101 モールド前端面
M2 第2のモールドユニット
M21 第2のアッパモールド
M22 第2のローモールド
M210 第2のチャンネル
M3 第3のモールドユニット
M31 第3のアッパモールド
M32 第3のローモールド
M310 第3のチャンネル
M4 第4のモールドユニット
M41 第4のアッパモールド
M42 第4のローモールド
M410 第4のチャンネル
L1 ライトバー
L2 ライトバー
D 発光ダイオード
M 導光板
S21 ベース
l2 長さ
D light emitting diode M light guide plate S1 base l1 length 1 substrate unit 10 substrate body 11 positive electrode conductive trace 12 negative electrode conductive trace 1 'substrate unit 11' positive electrode conductive trace 12 'negative electrode conductive trace 2 vertical light emitting diode chip array 20 light emitting diode chip 201 positive electrode end 202 negative electrode end 20 ′ light emitting diode chip 201 ′ positive electrode end 202 ′ negative electrode end 3 strip package colloid 30 package colloid 300 colloid arc surface 301 colloid front end surface 302 colloid light emitting surface 3 ′ strip package colloid 300 ′ mold arc Surface 302 'Mold light exit surface 4 Frame unit 40 Frame layer 4' Band-shaped frame layer 40 'Frame body W Wire B Solder ball M1 First mold unit M11 First upper mold M12 First loom M110 first channel G concave groove G100 mold arc surface G101 mold front end surface M2 second mold unit M21 second upper mold M22 second low mold M210 second channel M3 third mold unit M31 third mold Upper mold M32 Third row mold M310 Third channel M4 Fourth mold unit M41 Fourth upper mold M42 Fourth row mold M410 Fourth channel L1 Light bar L2 Light bar D Light emitting diode M Light guide plate S21 Base l2 length

Claims (38)

基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する基板ユニットを提供する工程と、
前記基板本体にマトリクス方式によって複数の発光ダイオードチップをそれぞれ設置し、各発光ダイオードチップが、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端及び負極端を有する複数列の縦方向発光ダイオードチップ列を形成する工程と、
第1のモールドユニットを介して複数の帯形のパッケージコロイドを各縦方向発光ダイオードチップ列上に覆い、帯形の各パッケージコロイドの上面は、各発光ダイオードチップに対応する複数のコロイド弧面を有する工程と、を含む高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
Providing a substrate unit having a substrate body and a positive electrode conductive trace and a negative electrode conductive trace respectively formed on the substrate body;
A plurality of light emitting diode chips are respectively installed in the substrate body by a matrix method, and each light emitting diode chip has a plurality of rows having a positive electrode end and a negative electrode end electrically connected to positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit, respectively. Forming a vertical light emitting diode chip array;
A plurality of strip-shaped package colloids are covered on each vertical light-emitting diode chip row via the first mold unit, and the upper surface of each strip-shaped package colloid has a plurality of colloid arc surfaces corresponding to the respective light-emitting diode chips. And a method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect.
前記基板ユニットは、プリント回路基板(PCB)、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板であることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   2. The method of encapsulating a light emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 1, wherein the substrate unit is a printed circuit board (PCB), a flexible substrate, an aluminum substrate, a ceramic substrate, or a Cu substrate. 前記正、負極導電トレースは、Al回路またはAg回路であることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   2. The method of encapsulating a light-emitting diode chip having a high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 1, wherein the positive and negative electrode conductive traces are an Al circuit or an Ag circuit. 前記各発光ダイオードチップの正、負極端は、2つの対応しているワイヤを介してワイヤボンディングの方式で前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   The positive and negative electrode ends of each light emitting diode chip are electrically connected to the positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit by wire bonding via two corresponding wires. 2. A method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to 1. 前記各発光ダイオードチップの正、負極端は、複数の対応する半田ボールを介してフリップチップの方式で、前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   The positive and negative electrode ends of each light emitting diode chip are electrically connected to positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit in a flip chip manner through a plurality of corresponding solder balls. 2. A method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to 1. 前記各縦方向発光ダイオードチップ列は、直線の配列方式で前記基板ユニットの基板本体に設けられることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   2. The method of sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to claim 1, wherein each of the vertical light-emitting diode chip rows is provided on a substrate body of the substrate unit in a linear array system. 前記帯形の各パッケージコロイドは、前記対応するコロイド弧面の先端に設けられた複数のコロイド前端面を有することを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   2. The LED chip having high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 1, wherein each of the strip-shaped package colloids has a plurality of colloid front end surfaces provided at the front ends of the corresponding colloid arc surfaces. Stop method. 前記第1のモールドユニットは、第1のアッパモールドおよび前記基板本体を載置する第1のローモールドからなり、前記第1のアッパモールドは、前記縦方向発光ダイオードチップ列に対応する複数の第1のチャンネルを備え、各第1のチャンネルは、複数の凹溝を有し、各凹溝の上面及び前面は、前記コロイド弧面に対応するモールド弧面及び前記コロイド前端面に対応するモールド前端面をそれぞれ有し、前記第1のチャンネルのサイズは、前記帯形のパッケージコロイドのサイズと同じであることを特徴とする請求項7記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   The first mold unit includes a first upper mold and a first row mold on which the substrate main body is placed. The first upper mold includes a plurality of second molds corresponding to the vertical light emitting diode chip rows. 1 channel, each first channel has a plurality of concave grooves, and the upper surface and the front surface of each concave groove are a mold arc surface corresponding to the colloid arc surface and a mold front end corresponding to the colloid front end surface. 8. The LED chip having a high efficiency lateral light emitting effect according to claim 7, wherein each of the first channel and the first channel has the same size as the band-shaped package colloid. Method. 前記帯形の各パッケージコロイドは、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   2. The method of encapsulating a light-emitting diode chip having a high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 1, wherein each of the strip-shaped package colloids is a fluorescent resin formed by mixing silicon and fluorescent powder. 前記帯形の各パッケージコロイドは、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   2. The method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 1, wherein each of the strip-shaped package colloids is a fluorescent resin formed by mixing an epoxy resin and a fluorescent powder. さらに、2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿って前記帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、各発光ダイオードチップの上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、ここで、各パッケージコロイドの上面はコロイド弧面であり、かつ、各パッケージコロイドは、前記コロイド弧面の先端に形成されたコロイド光射出面を有するステップと、
第2のモールドユニットを介してフレームユニットを前記基板本体及び前記パッケージコロイド上に覆うとともに前記パッケージコロイドの間に充填させるステップと、
2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿ってこのフレームユニットおよび基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、かつ、前記フレームユニットは、各ライトバーの上の全てのパッケージコロイドの前記コロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム層になるように切断されるステップとを含むことを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
Further, the strip-shaped package colloid is cut in a lateral direction between two vertical light emitting diode chips to form a plurality of package colloids separately covering the light emitting diode chips. A top surface of each package colloid is a colloid arc surface, and each package colloid has a colloid light emitting surface formed at a tip of the colloid arc surface;
Covering a frame unit on the substrate body and the package colloid through a second mold unit and filling the package colloid between the frame unit;
The frame unit and the substrate body are cut in a lateral direction between two vertical light emitting diode chips to form a plurality of light bars, and the frame unit includes all the light bars on each light bar. 2. The method of claim 1, further comprising cutting a plurality of frame layers exposing only the colloidal light exit surface of the package colloid. Method.
前記第2のモールドユニットは、第2のアッパモールドおよび基板本体を載置する第2のローモールドからなり、
前記第2のアッパモールドは、フレームユニットに対応する1つの第2のチャンネルを備え、
また、前記第2のチャンネルの高さは、前記パッケージコロイドの高さと同じであり、前記第2のチャンネルの幅は、前記フレームユニットの幅と同じであることを特徴とする請求項11記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
The second mold unit includes a second upper mold on which a second upper mold and a substrate body are placed,
The second upper mold includes one second channel corresponding to the frame unit,
The height of the second channel is the same as the height of the package colloid, and the width of the second channel is the same as the width of the frame unit. A method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect.
前記フレーム層は、光透過しないフレーム層であることを特徴とする請求項11記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   12. The method of encapsulating a light emitting diode chip having a high efficiency lateral light emitting effect according to claim 11, wherein the frame layer is a frame layer that does not transmit light. 前記光透過しないフレーム層は白色フレーム層であることを特徴とする請求項13記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   14. The method of sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light emitting effect according to claim 13, wherein the frame layer that does not transmit light is a white frame layer. さらに、2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿って前記帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、各発光ダイオードチップの上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、各パッケージコロイドの上面はコロイド弧面であり、かつ、各パッケージコロイドは、前記コロイド弧面の先端に形成されたコロイド光射出面を有するステップと、
第3のモールドユニットを介して複数の帯形のフレーム層をこの基板本体及び前記パッケージコロイド上に覆うとともに各パッケージコロイドの間に縦方向に充填させるステップと、
2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿って前記帯形のフレーム層および前記基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、かつ、前記帯形のフレーム層は、各パッケージコロイドのコロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム本体になるように切断されるステップと、を含むことを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
Further, the strip-shaped package colloid is cut in a lateral direction between two vertical light emitting diode chips, and a plurality of package colloids are formed to separately cover each of the light emitting diode chips. An upper surface of the package colloid is a colloid arc surface, and each package colloid has a colloid light emitting surface formed at a tip of the colloid arc surface;
Covering a plurality of strip-shaped frame layers on the substrate body and the package colloid through a third mold unit and filling the space between the package colloids in a vertical direction;
The strip-shaped frame layer and the substrate body are cut in a lateral direction between two vertical light-emitting diode chips, and a plurality of light bars are formed. 2. The method of claim 1, further comprising the step of cutting to form a plurality of frame bodies exposing only the colloidal light exit surface of the package colloid. Method.
前記第3のモールドユニットは、第3のアッパモールドおよび基板本体を載置する第3のローモールドからなり、前記第3のアッパモールドは、前記縦方向発光ダイオードチップ列に対応する複数の第3のチャンネルを備え、
また、前記第3のチャンネルの高さは、前記パッケージコロイドの高さと同じであり、前記第3のチャンネルの幅は、前記各パッケージコロイドの幅より大きいことを特徴とする請求項15記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
The third mold unit includes a third upper mold and a third row mold on which the substrate body is placed, and the third upper mold includes a plurality of third molds corresponding to the vertical light emitting diode chip rows. With channels
The height of the third channel is the same as the height of the package colloid, and the width of the third channel is larger than the width of each package colloid. A method for sealing a light-emitting diode chip having an efficient lateral light-emitting effect.
前記フレーム本体は、光透過しないフレーム本体であることを特徴とする請求項15記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   16. The method of encapsulating a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to claim 15, wherein the frame body is a frame body that does not transmit light. 前記光透過しないフレーム本体は白色フレーム本体であることを特徴とする請求項17記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   18. The method of encapsulating a light-emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 17, wherein the frame body that does not transmit light is a white frame body. 前記該第1のモールドユニットは、第1のアッパモールドおよび前記基板本体を載置する第1のローモールドからなり、前記第1のアッパモールドは、前記縦方向発光ダイオードチップ列に対応する複数の第1のチャンネルを備え、ここで、各第1のチャンネルの上面及び前面は、モールド弧面及びモールド前端面をそれぞれ有し、前記第1のチャンネルの高さ及び幅は、前記帯形のパッケージコロイドの高さ及び幅と同じであることを特徴とする請求項1記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。   The first mold unit includes a first upper mold and a first row mold on which the substrate body is placed, and the first upper mold includes a plurality of light emitting diode chip rows corresponding to the vertical light emitting diode chip rows. A first channel, wherein an upper surface and a front surface of each first channel have a mold arc surface and a mold front end surface, respectively, and the height and width of the first channel are the band-shaped package. 2. The method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 1, wherein the height and width of the colloid are the same. さらに、2つずつの横方向発光ダイオードチップの間を沿って前記帯形のパッケージコロイドを縦方向に切断し、各発光ダイオードチップの上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、各パッケージコロイドの上面はコロイド弧面であり、かつ、各パッケージコロイドは、このコロイド弧面の先端に形成されたコロイド光射出面を有するステップと、
第2のモールドユニットを介してフレームユニットをこの基板本体及び前記パッケージコロイド上に覆うとともに前記パッケージコロイドの間に充填させるステップと、
2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿ってこのフレームユニットおよび基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、かつ、前記フレームユニットは、各ライトバーの上の全てのパッケージコロイドの前記コロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム層になるように切断されるステップとを含むことを特徴とする請求項19記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
Further, the strip-shaped package colloid is longitudinally cut between two lateral light emitting diode chips, and a plurality of package colloids are formed so as to separate and cover each of the light emitting diode chips. The upper surface of the package colloid is a colloid arc surface, and each package colloid has a colloid light exit surface formed at the tip of the colloid arc surface;
Covering a frame unit on the substrate body and the package colloid through a second mold unit, and filling between the package colloid;
The frame unit and the substrate body are cut in a lateral direction between two vertical light emitting diode chips to form a plurality of light bars, and the frame unit includes all the light bars on each light bar. 20. The method of claim 19, further comprising the step of cutting a plurality of frame layers to expose only the colloidal light exit surface of the package colloid. Method.
前記第2のモールドユニットは、第2のアッパモールドおよび基板本体を載置する第2のローモールドからなり、
前記第2のアッパモールドは、フレームユニットに対応する1つの第2のチャンネルを備え、
また、前記第2のチャンネルの高さは、前記パッケージコロイドの高さと同じであり、前記第2のチャンネルの幅は、前記フレームユニットの幅と同じであることを特徴とする請求項20記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
The second mold unit includes a second upper mold on which a second upper mold and a substrate body are placed,
The second upper mold includes one second channel corresponding to the frame unit,
The height of the second channel is the same as the height of the package colloid, and the width of the second channel is the same as the width of the frame unit. A method for sealing a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect.
さらに、2つずつの横方向発光ダイオードチップの間に沿って前記帯形のパッケージコロイドを縦方向に切断し、各発光ダイオードチップの上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、各パッケージコロイドの上面はコロイド弧面であり、かつ、各パッケージコロイドは、前記コロイド弧面の先端に形成されたコロイド光射出面を有するステップと、
第3のモールドユニットを介して複数の帯形のフレーム層をこの基板本体及び前記パッケージコロイド上に覆うとともに各パッケージコロイドの間に縦方向に充填させるステップと、
2つずつの縦方向発光ダイオードチップの間に沿って前記帯形のフレーム層および基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、かつ、前記帯形のフレーム層は、各パッケージコロイドのコロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム本体になるように切断されるステップと、を含むことを特徴とする請求項19記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
Further, the strip-shaped package colloid is cut in the vertical direction along the gap between two lateral light emitting diode chips, and a plurality of package colloids are formed to cover each light emitting diode chip separately. An upper surface of the package colloid is a colloid arc surface, and each package colloid has a colloid light emitting surface formed at a tip of the colloid arc surface;
Covering a plurality of strip-shaped frame layers on the substrate body and the package colloid through a third mold unit and filling the space between the package colloids in a vertical direction;
A plurality of light bars are formed by horizontally cutting the band-shaped frame layer and the substrate main body between two vertical light emitting diode chips, and the band-shaped frame layer is formed in each package. 20. A method of encapsulating a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to claim 19, further comprising a step of cutting the colloidal light-emitting surface into a plurality of frame bodies exposing only the colloidal light exit surface. .
前記第3のモールドユニットは、第3のアッパモールドおよび基板本体を載置する第3のローモールドからなり、前記第3のアッパモールドは、前記縦方向発光ダイオードチップ列に対応する複数の第3のチャンネルを備え、
また、前記第3のチャンネルの高さは、前記パッケージコロイドの高さと同じであり、前記第3のチャンネルの幅は、前記各パッケージコロイドの幅より大きいことを特徴とする請求項22記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
The third mold unit includes a third upper mold and a third row mold on which the substrate body is placed, and the third upper mold includes a plurality of third molds corresponding to the vertical light emitting diode chip rows. With channels
The height of the third channel is the same as the height of the package colloid, and the width of the third channel is larger than the width of each package colloid. A method for sealing a light-emitting diode chip having an efficient lateral light-emitting effect.
基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する前記基板ユニットと、
前記基板本体に設けられた複数の発光ダイオードチップを有し、各発光ダイオードチップが、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端および負極端を有する発光ユニットと、
前記発光ダイオードチップの上をそれぞれ覆う複数のパッケージコロイドを備え、各パッケージコロイドの上面及び前面はコロイド弧面及びコロイド光射出面をそれぞれ有するパッケージコロイドユニットと、を含む高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
The substrate unit having a substrate body and a positive electrode conductive trace and a negative electrode conductive trace respectively formed on the substrate body;
A plurality of light emitting diode chips provided on the substrate body, each light emitting diode chip having a positive electrode end and a negative electrode end electrically connected to the positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit, and
A light emitting device having a high-efficiency horizontal light-emitting effect, comprising: a plurality of package colloids covering each of the light emitting diode chips; and a package colloid unit having a colloid arc surface and a colloid light emission surface on the top and front surfaces of each package colloid. Diode chip sealing structure.
前記基板ユニットは、プリント回路基板(PCB)、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板であることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   25. The sealing structure of a light-emitting diode chip having high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 24, wherein the substrate unit is a printed circuit board (PCB), a flexible substrate, an aluminum substrate, a ceramic substrate, or a Cu substrate. 前記正、負極導電トレースは、Al回路またはAg回路であることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   25. The sealing structure of a light emitting diode chip having a high efficiency lateral light emitting effect according to claim 24, wherein the positive and negative electrode conductive traces are an Al circuit or an Ag circuit. 前記各発光ダイオードチップの正、負極端は、2つの対応しているワイヤを介してワイヤボンディングの方式で前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   The positive and negative electrode ends of each light emitting diode chip are electrically connected to the positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit by wire bonding via two corresponding wires. 24. A light-emitting diode chip sealing structure having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to 24. 前記各発光ダイオードチップの正、負極端は、複数の対応する半田ボールを介してフリップチップの方式で、前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   The positive and negative electrode ends of each light emitting diode chip are electrically connected to positive and negative electrode conductive traces of the substrate unit in a flip chip manner through a plurality of corresponding solder balls. 24. A light-emitting diode chip sealing structure having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to 24. 前記発光ダイオードチップは、直線の配列方式で前記基板ユニットの基板本体に設けられることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   25. The sealing structure of a light emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 24, wherein the light emitting diode chip is provided on a substrate body of the substrate unit in a linear array system. 前記発光ダイオードチップは、複数本の直線の配列方式で前記基板ユニットの基板本体に設けられることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   25. The sealing structure of a light emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 24, wherein the light emitting diode chip is provided on a substrate body of the substrate unit in a plurality of linear arrangement. 前記各パッケージコロイドは、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   25. The sealing structure of a light-emitting diode chip having a high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 24, wherein each package colloid is a fluorescent resin formed by mixing silicon and fluorescent powder. 前記各パッケージコロイドは、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   25. The sealing structure of a light emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 24, wherein each of the package colloids is a fluorescent resin formed by mixing an epoxy resin and a fluorescent powder. さらに、前記基板本体上を覆いかつ各パッケージコロイドをカバーし、前記コロイド光射出面のみを露出させるフレーム層であるフレームユニットを含むことを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   The high-efficiency horizontal light-emitting effect according to claim 24, further comprising a frame unit that is a frame layer that covers the substrate body and covers each package colloid and exposes only the colloidal light emission surface. Light emitting diode chip sealing structure. 前記フレーム層は、光透過しないフレーム層であることを特徴とする請求項33記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   34. The sealing structure of a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to claim 33, wherein the frame layer is a frame layer that does not transmit light. 前記光透過しないフレーム層は白色フレーム層であることを特徴とする請求項34記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   35. The sealing structure of a light emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 34, wherein the frame layer that does not transmit light is a white frame layer. さらに、前記パッケージコロイドをそれぞれカバーし前記コロイド光射出面のみを露出させる複数のフレーム本体を有し、前記フレーム本体は前記基板本体上にそれぞれ分離して設置されているフレームユニットを含むことを特徴とする請求項24記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   And a plurality of frame bodies that cover the package colloid and expose only the colloidal light emission surface, and the frame bodies include frame units that are separately installed on the substrate body. 25. A light-emitting diode chip sealing structure having a high-efficiency lateral light-emitting effect according to claim 24. 前記フレーム本体は、光透過しないフレーム本体であることを特徴とする請求項36記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   37. The sealing structure of a light emitting diode chip having a high efficiency horizontal light emitting effect according to claim 36, wherein the frame body is a frame body that does not transmit light. 前記光透過しないフレーム本体は白色フレーム本体であることを特徴とする請求項37記載の高効率横型発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。   38. The sealing structure of a light-emitting diode chip having a high-efficiency horizontal light-emitting effect according to claim 37, wherein the frame body that does not transmit light is a white frame body.
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