JP2009000546A - Layer arranged on implant for bone or tissue structure, such implant, and method for application of the layer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、骨または組織構造用のインプラント上に配置することができ、かつ保持を増強する目的のためにインプラントの本体と構造との間の境界または障壁を構成するように意図され、かつこの文脈で実質的な厚さを有する層に関する。本発明はまた、かかる層を持つインプラント、およびインプラント上に前記層を生成するための方法にも関する。 The present invention is intended to constitute a boundary or barrier between the body and structure of the implant for the purpose of enhancing retention and can be placed on an implant for bone or tissue structure and Relates to a layer having a substantial thickness in context. The invention also relates to an implant having such a layer and a method for producing said layer on the implant.
インプラントに関連して、様々な意図および目的のためにチタンをベースとする材料の上に多孔性表面および酸化物層を配置することは、すでによく知られている。目的によって、数オングストロームより上に広がる非常に幅広い範囲の酸化物の厚さを使用することが提案されてきた。純粋に一般的に様々な刊行物、例えば、「Journal of Biomedical Materials Resarch,第27巻、895〜900(1993年)」にDunnらによって発表された論文「硫酸ゲンタマイシン・アタッチメントおよび陽極酸化TI−6Al−4V整形外科材料からの放出」、および「Journal of Biomedical Materials Reserch、第29巻、65〜72(1995年)」におけるイシザワ・ヒトシおよび荻野マコトによる論文「CaおよびPを含む陽極酸化チタン膜の形成および特性」を参照することができる。純粋に一般的に米国特許第4,330,891号および第5,354,390号明細書、ならびに欧州特許出願95102381.1(676179)を参照することもできる。 In connection with implants, it is already well known to place porous surfaces and oxide layers on titanium-based materials for various purposes and purposes. Depending on the objective, it has been proposed to use a very wide range of oxide thicknesses extending above a few angstroms. Purely and generally in various publications such as “Journal of Biomedical Materials Research, Vol. 27, 895-900 (1993)” by Dunn et al. -4V orthopedic material release "and" Journal of Biomedical Materials Research, Vol. 29, 65-72 (1995) "by Ishizawa Hitoshi and Sugano Makoto," Ca and P-containing anodized titanium membranes " Reference can be made to "Formation and properties". Reference can also be made purely generally to U.S. Pat. Nos. 4,330,891 and 5,354,390, and to European patent application 95102381.1 (676179).
骨および組織構造、例えば顎骨におけるインプラントの一体化の過程を改善できるインプラントの生産を目的とする研究開発には、かなりの資源が費やされている。 Considerable resources are expended in research and development aimed at producing implants that can improve the process of integration of implants in bone and tissue structures such as the jawbone.
発明の概要
本発明は、この文脈で使用される酸化物層構造が、インプラントの埋入および一体化の過程を改善するために決定的な影響を持ち得るという認識に基づいている。先行技術では、酸化物層構造の実際の築盛の集合的な理解が無く、少なくとも状況によっては、非常に厚い酸化物層を使用できることが必要であった。本発明の目的は第一にこの問題を解決することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is based on the recognition that the oxide layer structure used in this context can have a decisive influence to improve the implant placement and integration process. In the prior art, there was no collective understanding of the actual build-up of the oxide layer structure and it was necessary to be able to use very thick oxide layers, at least in some circumstances. The object of the present invention is primarily to solve this problem.
骨および組織構造におけるインプラントの適用に関連して、適正な耐食性を確立し、かつ例えばフッ化水素(HF)の使用に関連して脆性の発生を回避することが重要である。また、酸化物層は、骨または等価物に装着されたインプラントの機械的応力集中、例えばエッチ表面に関連して発生し得る残留内部応力を除去するか、または大部分を打ち消すことができることも重要である。さらなる要求および要件は、骨または組織におけるインプラントの一体化の過程が改善されることである。本発明はこの問題も解決する。 In connection with the application of implants in bone and tissue structures, it is important to establish proper corrosion resistance and to avoid the occurrence of brittleness, for example in connection with the use of hydrogen fluoride (HF). It is also important that the oxide layer be able to remove or largely cancel the mechanical stress concentrations of implants attached to bone or equivalent, such as residual internal stresses that can occur in relation to the etched surface. It is. A further requirement and requirement is an improved process of implant integration in bone or tissue. The present invention also solves this problem.
インプラントに関連して、幾つかの場合(つまり1つの実施形態では)、骨成長開始および骨成長刺激剤および物質、例えばTGF−β上科に属するものを使用することができる。技術的に簡単かつ経済的に有利な方法で、薬剤または物質をインプラントに施用できることが重要である。本発明は、新規の酸化物層構造、長期および最適骨成長状況で使用できる適切な補給所、および骨または等価物におけるインプラントの一体化機能を通して、この問題およびプロセスも解決する。 In connection with implants, in some cases (ie, in one embodiment), bone growth initiation and bone growth stimulants and substances, such as those belonging to the TGF-β superfamily, can be used. It is important that the drug or substance can be applied to the implant in a technically simple and economically advantageous manner. The present invention also solves this problem and process through a novel oxide layer structure, a suitable replenishment station that can be used in long-term and optimal bone growth situations, and the integrated function of the implant in bone or equivalent.
厚い酸化物層(例えば5〜20μmの厚さ)を生成するときは、技術的に信頼でき、かつ経済的に有利な方法を提供できることが重要である。本発明はまた、当該種類の酸化物層の生成の条件を満足する方法をも提案する。この方法は、使用する電解液成分および/または電圧が決定的な重要性を持つことができるという認識に基づく。 When producing thick oxide layers (eg 5 to 20 μm thick) it is important to be able to provide a technically reliable and economically advantageous method. The present invention also proposes a method that satisfies the conditions for producing such an oxide layer. This method is based on the recognition that the electrolyte components and / or voltages used can be of critical importance.
解決法
主として本発明による層を特徴付けるものとみなすことのできる特徴は、層が実質的な多孔性を層に与えるチャンネル網を持つように設計されること、およびチャンネル網が構造の方を向いた口を持つように設計され、構造の方を向いた層の表面における口のそれぞれの断面領域が、前記表面から見て層内に下の方まで伸びるチャンネルのそれぞれの長さより実質的に小さいことである。
Solution Features that can be regarded as primarily characterizing the layer according to the invention are that the layer is designed to have a channel network that gives the layer substantial porosity and that the channel network is directed towards the structure. Designed to have a mouth, each cross-sectional area of the mouth at the surface of the layer facing the structure is substantially smaller than the respective length of the channel extending down into the layer as viewed from said surface It is.
好適な実施形態では、チャンネル網は、前記表面から見て層の少なくとも大部分を通って、インプラントの本体への遷移部内にまで伸びる隣接チャンネル分枝を備える。層は、最初からインプラント上に存在し、層の体積を増加する目的のために高い粗面度値(例えば0.4〜5μm)を有する、波状または不均一な表面上に確立することができる。チャンネル網はまた、層の深さ方向とは異なる方向(またはインプラントの半径方向)に伸びるチャンネル分枝を持つこともできる。層は、従前に提案された酸化物層構造に対してかなりの耐食性を与える厚さを持つ。1つの実施形態では、チャンネル網は骨または組織構造の方を向いた口構成を配置することもでき、チャンネル網から前記口を介しての骨成長物質の放出増加が可能になる。層には、添付の特許請求の範囲による平均厚さを与えることができる。チャンネル網の口の表面面積の大きさ、層内のチャンネルまたは細孔の総容積、表面の粗面度、および空隙率に関する好適な値は、同様に添付の特許請求の範囲で示す。 In a preferred embodiment, the channel network comprises adjacent channel branches that extend through at least the majority of the layer as viewed from the surface and into the transition to the body of the implant. The layer can be established on a wavy or non-uniform surface that is initially present on the implant and has a high roughness value (eg 0.4-5 μm) for the purpose of increasing the volume of the layer. . The channel network can also have channel branches extending in a direction different from the depth direction of the layer (or in the radial direction of the implant). The layer has a thickness that provides significant corrosion resistance to the previously proposed oxide layer structure. In one embodiment, the channel network can also be arranged with a mouth configuration facing the bone or tissue structure, allowing increased release of bone growth material from the channel network through the mouth. The layers can be given an average thickness according to the appended claims. Suitable values for the size of the surface area of the mouth of the channel network, the total volume of the channels or pores in the layer, the surface roughness, and the porosity are likewise indicated in the appended claims.
本発明によるインプラントは主として、インプラントに存在する各層が、実質的な多孔性を層に与えるチャンネル網を持つように設計されること、およびチャンネル網が構造の方を向いた口を持つように設計され、構造の方を向いた層の表面における口のそれぞれの断面領域が、前記表面から見て層内に下の方まで伸びるチャンネルのそれぞれの長さより実質的に小さいことによって特徴付けられるとみなすことができる。 The implant according to the invention is mainly designed so that each layer present in the implant has a channel network that gives the layer substantial porosity, and that the channel network has a mouth facing the structure. And is considered to be characterized by the fact that the respective cross-sectional area of the mouth at the surface of the layer facing the structure is substantially smaller than the respective length of the channel extending down into the layer as viewed from said surface be able to.
1つの実施形態では、インプラントは、骨、例えば象牙質に適用するためのスクリュー・インプラントから構成することができる。さらなる実施形態では、酸化物層は、施用される骨成長開始または骨成長刺激剤または物質の補給所を形成することができる。薬剤または物質は、濃度拡散によって補給所から骨または組織構造へ移動することができ、それは、骨または遷移構造の方を向いたチャンネル網の口構成によって最適化することができる。好適な実施形態では、層は酸化チタン層から成り、もしくはそれを含む。 In one embodiment, the implant can consist of a screw implant for application to bone, such as dentin. In a further embodiment, the oxide layer may form a bone growth initiation or bone growth stimulator or substance replenishment station to be applied. The drug or substance can be transferred from the replenishment site to the bone or tissue structure by concentration diffusion, which can be optimized by the mouth configuration of the channel network facing the bone or transition structure. In a preferred embodiment, the layer consists of or includes a titanium oxide layer.
本発明による方法は、当該インプラント材の陽極酸化から出発する。この方法は主として、この方法で使用される電解液の組成に希無機酸、希有機酸、および/または少量のフッ化水素酸または過酸化水素を加えること、およびエネルギ源を少なくとも150ボルトの電圧値で作動するように選択することによって特徴付けられる。したがって、例えば200〜400ボルトの範囲の電圧値を使用することができる。 The method according to the invention starts from the anodic oxidation of the implant material. This method primarily involves adding a dilute inorganic acid, dilute organic acid, and / or a small amount of hydrofluoric acid or hydrogen peroxide to the composition of the electrolyte used in the method, and an energy source at a voltage of at least 150 volts. Characterized by choosing to work with values. Thus, for example, voltage values in the range of 200 to 400 volts can be used.
好適な実施形態では、インプラントの同一表面面積内で異なるチャンネルまたは細孔のサイズを形成するために、同一インプラントに対して電圧は時々変化する。さらなる実施形態では、使用する電解液の組成および/または電圧の選択と共に、電解液中のインプラントの位置を変えることによって、異なる空隙率または細孔またはチャンネルの特性を得ることができる。酸化物の厚さもまた、前記パラメータによって変化させることができる。 In a preferred embodiment, the voltage varies from time to time for the same implant to form different channel or pore sizes within the same surface area of the implant. In further embodiments, different porosity or pore or channel characteristics can be obtained by changing the position of the implant in the electrolyte, along with the choice of electrolyte composition and / or voltage used. The oxide thickness can also be varied by the parameters.
利点
上で提案したものによって、改善されたインプラント埋入プロセスが得られ、提案した酸化物層の厚さの提案範囲の上限を使用することにより、本発明はこの技術分野で従来受け入れられてきた観念に逆らい、こうしてこの分野に新しい道を開く。骨成長開始および骨成長刺激物質の使用に関連する濃度拡散は、提案するチャンネル組織の構造によってかなり促進することができる。明記した特性を持つ仕上げ酸化物層を持つインプラントは市販することができ、新規の方法は、経済的に有利な層の生成およびインプラント生産の条件を満たす。
Advantages The above proposed results in an improved implant placement process, and by using the upper limit of the proposed range of the proposed oxide layer thickness, the present invention has been previously accepted in the art. Against the notion, thus opening a new path in this field. Concentration diffusion associated with bone growth initiation and the use of bone growth stimulators can be significantly facilitated by the proposed channel tissue structure. Implants with finished oxide layers with specified properties are commercially available, and the new method meets the conditions of economically advantageous layer production and implant production.
図面の簡単な説明
本発明による層、インプラント、および方法の現在提案する実施形態について、以下で添付の図面を参照しながら説明する。
図1はインプラント本体上に生成された酸化チタン層の例証的実施形態であって、インプラント本体の比較的平坦な表面から始まる酸化物層の縦断面図である。
図2は波状表面または高い粗面度を持つ表面上の酸化物層の位置の例を示す縦断面図である。
図3は酸化物層内に配置されたチャンネル網の口構成の一例を示す外側からの平面図である。
図4はインプラント本体上に生成された酸化物層のチャンネル網を示し、酸化物層が結合されたインプラントが部分的に示されている人体の骨および/または組織構造に適用され、酸化物層内に構造の方を向いた口構成を持つチャンネル網があることを示す線図表現の縦断面図である。
図5はインプラントの陽極酸化のための機器の側面図である。
図6は酸化プロセスに関連して使用される電圧および電流関数を示すグラフである。
図7は様々な酸化チタン層を形成するためのパラメータを示す表である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Presently proposed embodiments of layers, implants and methods according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative embodiment of a titanium oxide layer produced on an implant body and is a longitudinal cross-sectional view of the oxide layer starting from a relatively flat surface of the implant body.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an example of the position of an oxide layer on a wavy surface or a surface having high roughness.
FIG. 3 is a plan view from the outside showing an example of the mouth configuration of the channel network arranged in the oxide layer.
FIG. 4 shows a channel network of oxide layers generated on the implant body, applied to the bone and / or tissue structure of the human body where the oxide layer bonded implant is partially shown, FIG. 4 is a longitudinal sectional view of a diagrammatic representation showing that there is a channel network with a mouth configuration facing the structure inside.
FIG. 5 is a side view of an apparatus for anodizing an implant.
FIG. 6 is a graph showing the voltage and current functions used in connection with the oxidation process.
FIG. 7 is a table showing parameters for forming various titanium oxide layers.
実施形態の詳細説明
図1で、参照番号1は、インプラント本体の部品を示す。以下で説明する通り、インプラント本体は酸化機能で処理されており、結果として酸化物層2がその外面上に形成されている。酸化層は、図1に3で示すように最初から比較的平滑な表面構造上に形成することができる。酸化物層2はかなりの厚さTを持つ。層は、0.5から10μmの間の値を取ることができ、この範囲の上限近くの値が好ましい。本発明によると、発明は主として2〜10μmの範囲で機能するが、特定の例外的な場合には0.5μmもの低い値を使用することができる。酸化物層の外面2aは、0.4〜5μmの範囲内の粗面度を持たなければならない。以下で説明することに従って、酸化物層2は高い多孔度を持ち、特定の種類のチャンネル網を封入する。
Detailed Description of Embodiments In FIG. 1,
図2は図1のものとは異なる例を示し、そこでは酸化物層2′は、インプラントの生産後に本質的に周知の方法(例えばエッチング)で得られた、インプラント1′上に配置され比較的高い粗面度を有する表面構造3′上に形成されている。図2による実施形態は、図1による場合より比較的高い酸化物層の体積の条件を満たす。 FIG. 2 shows an example different from that of FIG. 1, in which an oxide layer 2 'is placed and compared on the implant 1' obtained in a manner known per se (eg etching) after the production of the implant. Is formed on a surface structure 3 'having a particularly high roughness. The embodiment according to FIG. 2 satisfies the condition of a relatively higher oxide layer volume than the case according to FIG.
図3は、上述したチャンネル網に通じる口3、4を酸化物層2′′の外側から示す。
FIG. 3 shows the
図1、図2、および図3には、右下の隅に尺度つまり寸法10μmの長さが各図に示されている。 1, 2, and 3, each figure shows a length of a scale or dimension of 10 μm in the lower right corner.
図4に、インプラントが1′′で示され、インプラント上に生成された酸化物層が2′′′で示される。図4では、骨または組織構造が5で象徴的に示される。構造は、例えばインプラントを骨または等価物内にねじ込むことができる顎骨から構成することができる。したがってインプラントはチタン材から構成するか、もしくはそれを含むことができ、それは層2′′′が酸化チタン層から構成されることを意味する。インプラントのねじまたはねじ山は図4には示されていないが、すでに開示されている先行技術および既知のインプラントを参照することができる。対応する顎骨5内のねじも示されていないが、ここで再び先行技術を参照することができる。かなりの厚さT′、例えば5〜25μmの範囲の厚さを持つように設計された酸化物層2′′′には、矢印6によって象徴的に示されるチャンネル網が設けられる。上記に従って、チャンネル網は口または開口3′、4′を持つ。チャンネル網は、酸化物層の外側7から見て下の方にかつ/または酸化物層内に分枝する。チャンネル網は様々なチャンネル部分、例えば8、9、10を含む。チャンネル経路は様々なチャンネル部分から成り、層2′′′の外側2a′から下の方へ、またはインプラントと酸化物層との間の遷移部の方向に走るチャンネル網を通して確立される。そのような連通チャンネル形成は、図中のチャンネル部分またはチャンネル分枝12、13、14、15により確立される。本発明によるチャンネルまたは細孔形成の特徴は、各口の表面積または直径Dが、それぞれのチャンネル境界または細孔の深さ、例えば細孔の深さHより実質的に小さいことである。上記に従って、細孔の深さまたはチャンネルの深さはかなり大きくすることができ、例えば前記厚さT′と一致させることができる。チャンネルは酸化物層2′′′の深さの方向および/またはこの方向とは異なる方向、もしくはインプラントの半径方向Rに伸長することができる。チャンネル分枝またはチャンネル部分は直線および/または曲線とすることができ、曲線チャンネル分枝は図4に16で示されている。
In FIG. 4, the implant is indicated by 1 "and the oxide layer produced on the implant is indicated by 2" '. In FIG. 4, the bone or tissue structure is shown symbolically at 5. The structure can consist of, for example, a jawbone that allows the implant to be screwed into the bone or equivalent. The implant can therefore consist of or comprise a titanium material, which means that the
そのようなチャンネル・システムが、骨の成長を刺激および/または開始する物質の補給所を構成できることは、理解されるであろう。これは図4に17で表わされている。こうしてチャンネル内に導入される物質は、濃度拡散によって、図4に矢印18で表わすように、骨または組織構造内に移動する。相応じて、骨または組織体は、前記拡散に関連してシステム内に入り込むことができる。口には様々な大きさを与えることができ、口構成の固有浸透機能(specific penetration function)により骨成長の条件を形成することができ、構造内のインプラントの一体化度(degree of incorporation)に貢献することは理解されるであろう。1×107〜1×1010個/cm2の細孔(チャンネル口)を持つ高い多孔度の酸化物層を形成することができる。直径サイズは0.1〜10μmの範囲で選択することができ、酸化物層の1つの同じ表面積に、異なる直径または表面積の細孔またはチャンネル口を持つことができる。図4によるチャンネル網の総容積は、5×10−2から10−5cm3の範囲内で選択することができる。
It will be appreciated that such a channel system can constitute a replenishment station for substances that stimulate and / or initiate bone growth. This is represented by 17 in FIG. The substance thus introduced into the channel moves into the bone or tissue structure by concentration diffusion, as represented by
上記による酸化チタン層は、電気化学的プロセスであるいわゆる陽極酸化によって生成することが好ましい。当該層を生成するための原理および手順について、図5および図6を参照しながら説明する。図5に、容器が20で示される。チタン陽極は21で示され、多孔性メッシュ陰極は22で示される。チタン陽極のテフロン絶縁体が23で示され、陽極はテフロン・カバー24を貫通して伸長する。磁気撹拌器25も含まれる。陽極および陰極のための取付部品もそれぞれ21′および22′で示される。作成すべきインプラントまたはインプラント部品は、旋削、フライス削り、研磨等によって機械的に加工することが好ましい。当該インプラントまたは部品は、電気化学的プロセスで処理されるチタン表面を含む。当該インプラントまたは部品は、電解液26から成る容器中の浴に浸漬されるホルダ上に装着される。インプラントの処理されない部分は、液密保護スリーブによってマスクするか、または代替的に、処理しない部分にラッカーを施す。インプラントまたはその前記部品は、ホルダを介して、電解液の表面より上の取付部品21′と電気的に接触する。電解液中で、前記陰極22は対向電極として機能する。この対向電極は適切な材料、例えばPt、金、またはグラファイトで作成される。対抗電極は、装置全体が連帯的に電解液浴26中に固定されるように、ホルダ上に装着することが好ましい。陽極酸化は、インプラント/インプラント部品/複数のインプラント部品と対抗電極との間に電圧を印加し、それにより当該インプラントまたはその部品または複数の部品に正電位を与えることによって得られる。インプラント、インプラント部品/複数のインプラント部品、対抗電極、および電解液は電気化学的電池を構成し、そこでインプラントまたはそのそれぞれの部品は陽極を形成する。インプラント/インプラント部品と対向電極との間の電位差は、インプラントまたはインプラント部品(対向電極)に負(正)電荷の電解イオンの流れを生じさせる。電解液を適切に選択した場合、電池内の電解反応の結果、インプラント上、またはインプラント部品の表面上に酸化物層が形成される。電極反応の結果ガスも形成されるので、電解液は適切な方法で撹拌すべきであり、それは磁気撹拌器25で行われ、ガスの気泡が電極表面上に残るのを防止する。
The titanium oxide layer according to the above is preferably generated by so-called anodic oxidation which is an electrochemical process. The principle and procedure for generating the layer will be described with reference to FIGS. In FIG. 5, a container is shown at 20. The titanium anode is indicated at 21 and the porous mesh cathode is indicated at 22. A titanium anode Teflon insulator is shown at 23 and the anode extends through the
酸化チタン層の形成およびその最終特性は、プロセスの多数のパラメータ、例えば電解液の組成および温度、印加する電圧および電流、電極の形状、ならびに処理時間によって影響される。所望の層を形成する方法について、以下でさらに詳しく説明する。プロセス・パラメータが酸化物層の様々な特性にどのように影響するか、ならびに酸化物の厚さおよび多孔性をどのように変化させることができるかについても、例を挙げる。 The formation of the titanium oxide layer and its final properties are affected by a number of process parameters such as electrolyte composition and temperature, applied voltage and current, electrode geometry, and processing time. The method for forming the desired layer is described in more detail below. Examples are also given of how process parameters affect various properties of the oxide layer and how the oxide thickness and porosity can be varied.
所望の層の特性を達成するために、例えば旋削または研磨することができる機械的に加工した表面から出発することができる。鋳造またはプレス加工されたインプラントまたはインプラント部品も使用することができる。前の生産段階からの不純物を除去するために、表面は適切な方法、例えば有機溶剤中で超音波洗浄によって洗浄される。洗浄されたインプラントまたは洗浄されたインプラント部品は前記容器に固定され、容器は対向電極と一緒にホルダ上に固定される。次いで装置は電解液中に浸漬することができる。その後、2つの電極は電圧源(図示せず)に結合され、電圧が印加され、プロセスが開始される。プロセスは、所望の時間後に、電圧の印加を中断することによって停止される。 In order to achieve the desired layer properties, one can start with a machined surface that can be turned or polished, for example. Cast or pressed implants or implant parts can also be used. In order to remove impurities from previous production stages, the surface is cleaned by a suitable method, for example ultrasonic cleaning in an organic solvent. The cleaned implant or cleaned implant part is fixed to the container, and the container is fixed on the holder together with the counter electrode. The device can then be immersed in the electrolyte. The two electrodes are then coupled to a voltage source (not shown), a voltage is applied, and the process begins. The process is stopped by interrupting the application of voltage after the desired time.
電圧は、様々な方法で印加することができる。図6も比較されたい。定電流プロセスでは、電流は一定に維持され、電圧は電池の抵抗によって変化させることができるのに対して、定電位プロセスでは、代わりに電圧が一定に維持され、電流を変化させることができる。所望の層は、定電流および定電位制御の組合せを用いることによって形成することが好ましい。定電流制御は第1段階で使用され、電圧は予め設定された値まで増加される。この電圧に達すると、プロセスは定電位制御に切り替わる。形成された酸化物層の抵抗のために、電流はこの状態で低下する。 The voltage can be applied in various ways. Compare also FIG. In the constant current process, the current is kept constant and the voltage can be changed by the resistance of the battery, whereas in the constant potential process, the voltage is kept constant and the current can be changed instead. The desired layer is preferably formed by using a combination of constant current and constant potential control. Constant current control is used in the first stage and the voltage is increased to a preset value. When this voltage is reached, the process switches to constant potential control. Due to the resistance of the oxide layer formed, the current drops in this state.
図6は、時間に対する電流27および電圧28の展開を示す。曲線の厳密な様相は、様々なプロセス・パラメータによって異なり、また酸化物層の形成およびその特性をも反映する。
FIG. 6 shows the evolution of current 27 and
電解液によって異なるが、特定の電圧までは、比較的薄い酸化物層(<0.2μm)が得られる。酸化物層の厚さは印加電圧にほぼ線形的に依存し、最大電圧に達した後の処理時間には依存しない。これらの層は基本的に閉じており、例外的な状況でのみ部分的に開口した多孔性を有する。大抵の電解液では、臨界電圧は約100ボルトである。 Depending on the electrolyte, a relatively thin oxide layer (<0.2 μm) can be obtained up to a specific voltage. The thickness of the oxide layer depends almost linearly on the applied voltage and not on the processing time after the maximum voltage is reached. These layers are basically closed and have a partially open porosity only in exceptional circumstances. For most electrolytes, the critical voltage is about 100 volts.
所望の多孔性酸化物層を達成するために、150ボルトを超えるかなり高い電圧、電解液によって異なるが一般的に200〜400ボルトを印加する必要がある。これらの電圧では、酸化物の厚さはもはや電圧に線形的に依存せず、代わりに、かなり厚い層を生成することができる。特定の電解液では、これらの電圧における酸化物の厚さは、最大電圧に達した後の処理時間にも依存する。この方法を用いて多孔層を達成するための適切な電解液として、希無機酸(例えば硫酸、リン酸、クロム酸)および/または希有機酸(例えば酢酸、クエン酸)、またはこれらの混合物がある。 In order to achieve the desired porous oxide layer, it is necessary to apply a fairly high voltage exceeding 150 volts, typically 200-400 volts, depending on the electrolyte. At these voltages, the oxide thickness is no longer linearly dependent on the voltage, and instead a much thicker layer can be produced. For certain electrolytes, the oxide thickness at these voltages also depends on the processing time after the maximum voltage is reached. Suitable electrolytes for achieving a porous layer using this method include dilute inorganic acids (eg, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid) and / or dilute organic acids (eg, acetic acid, citric acid), or mixtures thereof. is there.
硫酸で処理したインプラントは、高密度の開細孔のある表面を持つ。表面の約20%は、サイズ(直径)が好ましくは0.1〜0.5μmの範囲の細孔またはチャンネル/チャンネル分枝から成る。層の厚さは2μmとすることができる。リン酸で処理したインプラントは、同様の細孔の密度を持つ。細孔サイズ分布はかなり異なることができる。図示した事例では、細孔サイズは0.3〜0.5μmの範囲内で選択することが好ましいが、表面には大きい細孔(最高で1.5μmまで)もかなりの数存在することができる。この実施形態の酸化物の厚さは5μmである。 Implants treated with sulfuric acid have a surface with a high density of open pores. About 20% of the surface consists of pores or channel / channel branches with a size (diameter) preferably in the range of 0.1 to 0.5 μm. The thickness of the layer can be 2 μm. Implants treated with phosphoric acid have a similar pore density. The pore size distribution can vary considerably. In the case shown, the pore size is preferably selected within the range of 0.3 to 0.5 μm, but there can also be a significant number of large pores (up to 1.5 μm) on the surface. . The thickness of the oxide in this embodiment is 5 μm.
図7による表は、この方法で様々なプロセス・パラメータにより作成された酸化物層の構造を示す。示したパラメータは電解液の組成、電圧(ボルト)、電流(mA)、時間、細孔径、細孔密度、空隙率、および酸化物の厚さである。 The table according to FIG. 7 shows the structure of the oxide layer created in this way with various process parameters. The parameters shown are electrolyte composition, voltage (volts), current (mA), time, pore diameter, pore density, porosity, and oxide thickness.
本発明は、例として上述した実施形態に限定されず、特許請求の範囲内および発明の概念内で変形することができる。 The invention is not limited to the embodiments described above by way of example, but can be varied within the scope of the claims and the concept of the invention.
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