JP2008546553A - キャップを備えたｍｅｍｓ用基板コンタクト及び同基板コンタクトをウェハレベルにて形成する方法 - Google Patents

Abstract

ＭＥＭＳ装置１００が提供され、同装置１００は側壁１３８を有するハンドル層１０８と、同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２と、を含み、同キャップ１３２は側壁１３８を有し、かつ導電性材料１３６が同キャップの側壁１３８及び同ハンドル層の側壁１３８の少なくとも一部に堆積され、それにより同ハンドル層１０８と同キャップ１３２とが電気的に接続される。ハンドル層１０８と同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２とからなる基板３００からＭＥＭＳ装置をウェハレベルにて製造する方法も提供される。同方法は、第一の側壁１３８を形成するためにキャップ１３２と基板３００の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程と、同第一の側壁１３８に導電性材料１３６を堆積させて、同キャップ１３２と同基板３００とを電気的に接続させる工程と、を含む。

Description

本発明は微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関し、より詳細には、ＭＥＭＳにおいて使用するためのコンタクトを構築することに関する。

多くの装置及びシステムは、種々のモニタ機能及び／又は制御機能を実施する種々の異なるタイプのセンサを含む。微小機械プロセス及びその他の微小加工プロセスにおける進歩は、多岐にわたる微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置の製造を可能にした。近年、モニタ機能及び／又は制御機能を実施するために使用されるセンサの多くは、ＭＥＭＳ装置内に組み込まれてきた。

ＭＥＭＳセンサの一つの特殊なタイプは加速度計である。典型的には、ＭＥＭＳ加速度計は、幾らかの構成部品のうちで特に、シリコン−オン−インシュレータ・ウェハ上に構成され得るプルーフマスを含む。プルーフマスは、ウェハの一つの領域に一つ以上の懸架バネにより弾性的に懸架されている。ＭＥＭＳ加速度計が加速するとプルーフマスが移動し、その移動は、加速に比例したパラメータ強度（例えば、電圧、電流、振動数等）を有する電気信号に変換される。

ＭＥＭＳ加速度計は、典型的には、多くの電子装置を有するシステム中に組み込まれる。各装置は電磁妨害波を発し、かつ仮にＭＥＭＳ加速度計が別の装置に非常に接近して配置された場合には、操作時に装置からの寄生容量を経験する。この現象を最小限に留めるために、典型的には、ＭＥＭＳ加速度計のプルーフマスを包囲するキャップが使用され、同キャップはボンディングワイヤを介してＭＥＭＳ加速度計のウェハに接地されている。

ＭＥＭＳ加速度計は、そのサイズが一層小さくなっており、微小かつ超微小なピッチと低減された直径を有するボンディングワイヤが典型的には使用されている。しかしながら、これらのボンディングワイヤはある欠点を有している。例えば、ピッチ及び直径が小さくなると、ボンディングワイヤの取り扱い及び結合が困難になる。特に、ボンディングワイヤは、ＭＥＭＳ加速度計のその他の導電性構造体と意図せずしてショートするかもしれない。加えて、ボンディングワイヤを構成部品に取り付けることは比較的費用を要するプロセスである。

従って、比較的安価で、かつ組み込みが容易で、その他の導電性構造体と意図せずしてショートすることのないＭＥＭＳ加速度計を製造する方法を提供することが望ましい。加えて、その方法は更なる製造用の設備を必要としないことが望ましい。

例示的な一実施形態において、同方法は、第一の側壁を形成するためにキャップと基板の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程と、同キャップと同基板とを電気的に接続するために同第一の側壁上に導電性材料を堆積させる工程とを含む。同方法はまた、第二の側壁と、第一の側壁及び同第二の側壁の間のトレンチと、を形成するために、キャップ及び基板の別の部分とを貫通するとともに、第一の側壁に対して所定の角度をなす第二の切断部を形成する工程を含む。第二の切断部を形成する工程は、第一の側壁に隣接した第二の側壁を形成する工程を含む。代替的に、第二の切断部を形成する工程は、第一の側壁及び第二の側壁の間にて約６０°未満の角度を形成する工程を含む。別の実施形態において、導電性材料を堆積させる工程は、トレンチに導電性材料を充填する工程を含む。別の例示的な実施形態において、基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを有し、かつ同方法は更に、第一のダイ領域を第二のダイ領域からダイシング（個別化）するために、導電性材料及び基板をソーにより切断する（ｓａｗｉｎｇ）工程を含む。

更に別の実施形態において、第一の切断部を形成する工程は、キャップと基板の一部を貫通する一つのベベル切断部を形成するために、ベベルブレードを使用する工程を含む。代替的に、第一の切断部を形成する工程は、キャップとハンドル層の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程を含む。別の実施形態において、導電性材料を堆積させる工程は、キャップの少なくとも一部を被覆し、かつ第一の側壁を露出させるために、基板上にマスクを配置させる工程を含む。代替的に、導電性材料を堆積させる工程は、第一の側壁を覆うように、導電性材料層をスパッタリングする工程を含む。別の実施形態において、基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを含み、第一の切断部を形成する工程は、第一のダイ領域と第二のダイ領域との間にて切断部を形成する工程を含む。更に別の実施形態において、基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを有し、同方法は更に第一のダイ領域を第二のダイ領域からダイシングするために、導電性材料及び基板を切断する工程を含む。

同方法の別の例示的な実施形態において、同方法は、キャップと、キャップ固定部と、活性層と、犠牲層と、ハンドル層の一部と、を貫通する第一の切断部を形成する工程と、キャップと、キャップ固定部と、活性層と、犠牲層と、ハンドル層の一部と、を貫通する第二の切断部であって、トレンチを形成するために同第一のベベル切断部に対して所定の角度をなす第二のベベル切断部を配置する工程と、キャップ、キャップ固定部及びハンドル層と接触するトレンチ内に導電性材料を堆積させる工程と、を含む。一実施形態において、第二の切断部を配置する工程は、Ｖ字型のトレンチを形成するために第一の側壁に隣接して第二のベベル切断部を配置する工程を含む。更に別の実施形態において、第二の切断部を配置する工程は、第一の切断部と第二の切断部との間に約６０°未満の角度を形成する工程を含む。更に別の実施形態において、導電性材料を堆積させる工程は、導電性のエポキシ樹脂をトレンチに充填する工程を含む。更に別の実施形態において、第一の切断部を形成する工程は、キャップ及び基板の一部を貫通する一つのベベル切断部を形成するためにベベルブレードを使用する工程を含む。代替的に、基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域と有し、かつ同方法は更に第一のダイ領域を第二のダイ領域からダイシングするために、導電性エポキシ樹脂及びハンドル層をソーにより切断する工程を含む。

ＭＥＭＳ装置は側壁を有するハンドル層と、同ハンドル層を覆うキャップとを含み、同キャップは側壁を有し、かつ導電性材料が同キャップの同側壁及び同ハンドル層の同側壁の少なくとも一部に堆積され、それにより同ハンドル層と同キャップとが電気的に接続される。一実施形態において、導電性材料は導電性エポキシ樹脂及び金属から構成される群より選択される少なくとも一つの材料を含む。

更に、本発明のその他の望ましい構成要素及び特徴は、添付した図面、上記技術分野及び背景技術と関連して、以下の詳細な説明及び添付された特許請求の範囲から明らかになるであろう。

本発明は以下の図面と関連して記載され得るが、同一の符号は同一の要素を示す。
以下の詳細な説明は、本来は例示のみのものであり、本発明又は本願及び本発明の使用を制限することを意図していない。加えて、上記した技術分野、発明の背景、簡単な概要又は以下の詳細な説明に示されたいかなる表現された又は意味された理論とも結び付けることを意図していない。この点に関して、本発明は加速度計の文脈において例示され、記載されているが、本発明は、電磁妨害から保護する必要のある基板又は任意の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置上に懸架された移動可能なプルーフマスを含む種々の装置の任意のものに少なくとも使用することができることは理解されるであろう。

詳細な説明に移ると、図１は例示的なＭＥＭＳ装置１００の断面図である。ＭＥＭＳ装置１００は加速度計のような慣性センサであり、フィールド領域１０２と、ウェハ１０６上に形成されたセンサ領域１０４と、を含む。ウェハ１０６はこれまでに使用されている種々のタイプのウェハのうちの任意のものであり得る。例えば、図１に示されるように、ウェハ１０６はＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）であり得る。そのような場合、ウェハ１０６は通常、ハンドル層１０８と、活性層１１２と、同ハンドル層１０８と同活性層１１２との間に配置された犠牲層１１４と、を含む。フィールド領域１０２及びセンサ領域１０４はいずれも活性層１１２に形成されている。フィールド領域１０２は、犠牲層１１４を介してハンドル層１０８に取り付けられた活性層１１２の一領域である。逆に、センサ領域１０４はフィールド領域１０２に連結されているが、ハンドル層１０８から部分的に離間されている。特に、センサ領域１０４は、同センサ領域１０４の下側の犠牲層１１４の一部を除去することにより、部分的にアンダーカットされている。このアンダーカットされた部分はセンサ領域１０４の一部をハンドル層１０８から解放する解放トレンチ１１６を形成する。従って、センサ領域１０４の解放部は、ウェハ１０６の上部に懸架されている。

センサ領域１０４は複数のセンサ要素を含み、同センサ要素は、例えば、組み込まれる特定のＭＥＭＳ装置１００に依存して変更され得る。しかしながら、ＭＥＭＳ装置１００が加速度計である例示された実施形態において、センサ要素は、懸架バネ１２２と、この場合は検震用マスである構造体１２４と、移動電極１２６と、固定電極１２８と、を含む。懸架バネ１２２は、ハンドル層１０８の上方で検震用マス１２４及び移動電極１２６を懸架し、かつ好ましくは比較的可撓性であるように構成されている。懸架バネ１２２、検震用マス１２４及び移動電極１２６の各々は、解放トレンチ１１６を覆っており、それらは全てウェハ１０６から解放され、かつ同ウェハ１０６の上方で懸架されている。しかしながら、固定電極１２８は、例えば、犠牲層１１４を介してウェハ１０６に固定された状態である。

例示を明瞭かつ容易にするために、当然のことながら、図１に示されるセンサ領域１０４は一つの懸架バネ１２２、一つの移動電極１２６及び一つの固定電極１２８のみを含むように示されている。しかしながら、図２により明瞭に図示され、かつ以下に詳細に記載されている特定の物理的な実施形態において、センサ領域１０４は、一対の懸架バネ１２２、複数の移動電極１２６、及び複数の固定電極１２８を含んでいる。各懸架バネ１２２はフィールド領域１０２と検震用マス１２４の間にて連結されており、同懸架バネ１２２は既に述べたように、解放時にはウェハ１０６の上方にて検震用マス１２４を弾性的に懸架する。各移動電極１２６は、検震用マス１２４に連結されており、また、解放時にはウェハ１０６の上方にて懸架されている。図２はまた、各移動電極１２６が二つの固定電極１２８の間に配置されている状態で示されている。固定電極１２８は、上記したように、解放されていない。むしろ、固定電極１２８は、複数の固定部２０２を介してウェハ１０６に固定されている。

図１に戻ると、ＭＥＭＳ装置１００の操作時における寄生容量の存在を低減するために、保護キャップ１３２及び相互連結部１３６が含まれている。保護キャップ１３２はウェハ１０６に連結され、センサ領域１０４を物理的に保護するために、少なくとも同センサ領域１０４上に延びている。好ましくは、保護キャップ１３２は、少なくともセンサ領域１０４の一部が移動できるように同センサ領域１０４から部分的に離間されている。保護キャップ１３２及びウェハ１０６は多数の方法のうちの任意の方法にて互いに連結され得る。例えば、図示された実施形態において、保護キャップ１３２はキャップ固定部１３４を介してフィールド領域１０２に連結されている。キャップ固定部１３４は、保護キャップ１３２をウェハ１０６に例えばフリットシール等にて密封して連結するための種々の適切な装置の任意の一つであり得る。代替的に、保護キャップ１３２は、例えば一つ以上の固定電極１２８のようなセンサ領域１０４の一つ以上の不動領域に連結され得る。

図１及び２に示されるＭＥＭＳ装置１００は容量タイプの加速度計として実施されている。従って、ＭＥＭＳ装置１００が加速を経験すると、検震用マス１２４は、経験される加速の強度に比例して所定の距離を移動するであろう。移動電極１２６は検震用マス１２４に連結され、同検震用マス１２４と同じ距離を移動する。移動電極１２６及び固定電極１２８により差動コンデンサが形成される。従って、ＭＥＭＳ装置１００が加速を経験する場合、移動電極１２６は固定電極１２８に向かって、又は同固定電極１２８から離間するように移動され得る。移動電極１２６が移動する距離は、固定電極１２８と移動電極１２６との間のキャパシタンスにおける比例的な変化を生ずる。キャパシタンスのこの変化は、加速の強度を決定するために測定され、かつ使用され得る。

寄生容量が上記したキャパシタンスの測定を妨害することを回避するために、相互連結部１３６は、保護キャップ１３２をハンドル層１０８に接地する。好ましくは、相互連結部１３６は、活性層１１２、犠牲層１１４、保護キャップ１３２及びキャップ固定部１３４の縁部にて画定される側壁１３８に連結され得る。相互連結部１３６は側壁１３８に接着され、それにより、少なくとも保護キャップ１３２及びハンドル層１０８は電気的に接続され得る。代替的に、相互連結部１３６は側壁１３８を超えて延び、かつ頂部のような保護キャップ１３２のその他の部分を被覆する。

相互連結部１３６は種々の導電性材料の任意の一つから形成され得る。例えば、相互連結部１３６は金属からなり、かつアルミニウムのような単一の金属層から形成され得るか、又はチタン又はクロムと、アルミニウムと、のような二重の金属層から形成され得る。当然のことながら、その他の適切な金属も同様に使用され得る。別の例において、相互連結部１３６は導電性のエポキシ樹脂である。

図３について述べると、ＭＥＭＳ装置１００を製造する例示的な方法のフローチャート３００が示されている。第一に、ハンドル層上に少なくとも一つの保護キャップを有する基板が得られる（工程３０２）。次に、側壁を形成するために、保護キャップと基板の少なくとも一部とを貫通する切断部が形成される（工程３０４）。次に、導電性材料が側壁上に堆積される（工程３０６）。

工程３０２は種々の従来技術のうちの任意の一つを使用して実施され得る。例えば、適切な基板は、既製品から得られるか、代替的に製造され得る。図４は、例示的かつ適切な基板３００の断面図を示す。基板３００はハンドル層１０８、同ハンドル層１０８上に配置された犠牲層１１４、同犠牲層１１４上に配置された活性層１１２、同活性層１１２に形成されたセンサ領域１５７及び１５９、及び保護キャップ１３２を含む。キャップ固定部１３４は保護キャップ１３２と活性層１１２との間に配置されている。基板３００はまた、点線１４２で画定された第一のダイ領域１４１と第二のダイ領域１４３とを含み、各々がセンサ領域１５７及び１５９の一つを含む。二つのダイ領域１４１及び１４３が図４では示されているが、当然のことながら、典型的にはそれ以上のダイ領域が基板に形成されている。例えば、図５に記載された基板３００の上面図に示されるように、基板３００は複数のダイ領域１４１，１４３，１４５，１４７，１４９，１５１，１５３及び１５５を含み、それぞれの領域が、同領域上に形成された、複数のセンサ領域１５７，１５９，１６１，１６３，１６５，１６７，１６９及び１７１と、結合パッド１７３，１７５，１７７，１７９，１８１，１８３，１８５及び１８７をそれぞれ含む。各ダイ領域１４１，１４３，１４５，１４７，１４９，１５１，１５３及び１５５は、図５において例えば線１４４及び１４６のような垂直に交差する点線により画定されている。各ダイ領域１４１，１４３，１４５，１４７，１４９，１５１，１５３及び１５５は長方形として示されているが、当然のことながら、ダイ領域は例えば円形、卵型、五角形、六角形、七角形等のような、その他任意の適切な形状を有し得る。

次に、ダイ領域１４１，１４３，１４５，１４７，１４９，１５１，１５３及び１５５の間に、少なくとも保護キャップ１３２とハンドル層１０８を貫通する切断部が形成される（工程３０４）。例えば、切断部は、図５に示される点線の少なくとも一つに沿って、例えば、第一の点線１４４に沿って、又は第二の点線１４６に沿って、形成され得る。代替的に、仮にダイ領域１４１，１４３，１４５，１４７，１４９，１５１，１５３及び１５５を長方形以外の形状を有する場合には、切断部は、ダイ領域１４１，１４３，１４５，１４７，１４９，１５１，１５３及び１５５の不活性領域に形成され得る。切断部は、直線状切断部又はベベル切断部を含む任意の型の切断部であるが、それらに限定されるものではない。直線状切断部が使用される実施形態において、ほぼ垂直な切断部と、同垂直な切断部の間の水平な切断部とから、Ｕ字型のトラフが形成される。ベベル切断部が使用される実施形態において、単一のベベル切断部はＶ字型のブレードを使用して形成され得る。ブレードは６０°の傾斜を有し得る。別の例示的な実施形態において、複数のベベル切断部が形成される。例えば、第一のベベル切断部が最初に形成され、次に、第二のベベル切断部が第一のベベル切断部に対して一定の角度にて形成されて、Ｖ字型のトラフが形成される。第一のベベル切断部と第二のベベル切断部との間の角度は好ましくは約６０°であるが、その他任意の適切な角度が代替的に使用され得る。

図６は、第一のダイ領域１４１と第二のダイ領域１４３との間にあるＶ字型ブレードにより形成されたベベル切断部を含む基板３００の一つの例示的な実施形態を示す。本実施形態において、ベベル切断部は、保護キャップ１３２、キャップ固定部１３４、活性層１１２、犠牲層１１４、及びハンドル層１０８を貫通して延びている。図６に示されるように、ハンドル層１０８の一部のみが切り欠かれ、それにより第一のダイ領域１４１及び第二のダイ領域１４３は互いに結合された状態にて維持される。保護キャップ１３２、キャップ固定部１３４、活性層１１２、犠牲層１１４、及びハンドル層１０８の各々は、露出された縁部を有し、それらの縁部を合わせて第一の側壁１３８及び第二の側壁１５０を画定する。第一の側壁１３８及び第二の側壁１５０はトラフ１５２を形成する。

次に、導電性材料が側壁１３８及び１５０の一方又は両方に堆積される（工程３０６）。導電性材料は、例えば、スパッタリング、真空蒸着、又はその他任意のタイプの堆積法のような従来からの方法にて堆積され得る。一つの例示的な実施形態において、適切にパターン化されたマスクを基板３００上に配置し、活性層１１２及び保護キャップ１３２の表面の少なくとも一部を保護しながら、トラフ１５２を露出させる。導電性材料を、トラフ１５２内及び第一の側壁１３８及び第二の側壁１５０上に堆積させ、各々を同導電性材料にて被覆する。代替的に、導電性材料は、トラフ１５２内に堆積させ、同トラフ１５２を同材料で満たす。そのような場合、好ましくは導電性のエポキシ樹脂が使用され、かつ引き続き硬化工程が実施され得る。

ハンドル層１０８及び保護キャップ１３２が導電性材料にて互いに電気的に接続されると、ダイ領域１４１及び１４３は互いに個別化されるべくダイシング加工される。ダイシングは例えば、ソーによる切断のような任意の従来的な方法にて起こり、かつ任意のタイプの切断、例えば直線状の切断を使用して達成され得る。いずれにしても、基板３００はダイ領域１４１及び１４３を互いに分離するために切断され、好ましくは、同切断部はトラフ１５２の領域を貫通して形成される。例えば、切断部は第一の側壁１３８及び第二の側壁１５０の間に配置され得る。

ハンドル層と同ハンドル層を覆うキャップとからなる基板から微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置を形成する方法をこれまでに記載してきた。
本発明の上記した詳細な説明においては少なくとも一つの例示的な実施形態を提示してきたが、当然のことながら種々の変更が可能である。また、当然のことながら、一つ又は複数の例示的な実施形態は単なる例のみであり、本発明の範囲、応用、又は形態をいかなる様式にても制限することを意図していない。むしろ、上記した詳細な説明は本発明の例示的な実施形態を実施するための簡便な指針を当業者に提供するものであり、添付された特許請求の範囲及びそれらの合法的な均等物に記載されている本発明の範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態において記載された要素の機能及び配置において種々の変更がなされることは理解されるであろう。

例示的なＭＥＭＳセンサの断面図である。 図１に記載された例示的なＭＥＭＳセンサの上面図である。 図１に示された例示的なＭＥＭＳセンサを製造するための例示的な方法を示すフローチャートである。 図３に示された方法に使用され得る例示的な基板の断面図である。 図４に示された例示的な基板の上面図である。 図３に示された例示的な方法の別の工程時における図４の例示的な基板の断面図である。

Claims (20)

1. ハンドル層と、前記ハンドル層を覆うキャップとからなる基板から微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置を形成する方法において、前記方法は、
   第一の側壁を形成するために、前記キャップ及び前記基板の少なくとも一部を貫通する第一の切断部を形成する工程と、
   前記第一の側壁上に導電性材料を堆積させて、前記キャップと前記基板とを電気的に接続させる工程と、
   を含む、方法。
2. 請求項１に記載の方法は、第二の側壁と、前記第一の側壁及び同第二の側壁の間のトレンチと、を形成するために、前記キャップと前記基板の別の部分とを貫通するとともに前記第一の側壁に対して所定の角度をなす第二の切断部を形成する工程を更に含む、方法。
3. 前記第二の切断部を形成する工程は、前記第一の側壁に隣接して第二の側壁を形成する工程を含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記第二の切断部を形成する工程は、前記第一の側壁と前記第二の側壁との間で約６０°未満の角度を形成する工程を含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記導電性材料を堆積させる工程は、前記トレンチに同導電性材料を充填する工程を含む、請求項２に記載の方法。
6. 前記基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを有し、かつ前記方法は、同第一のダイ領域を同第二のダイ領域からダイシングするために、前記導電性材料及び基板をソーにより切断する工程を更に含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記第一の切断部を形成する工程は、前記キャップ及び前記基板の一部を貫通する単一のベベル切断部を形成するために、ベベルブレードを使用する工程を含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記第一の切断部を形成する工程は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記導電性材料を堆積させる工程は、前記キャップの少なくとも一部を覆うとともに前記第一の側壁を露出させるマスクを前記基板上に配置させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記導電性材料を堆積させる工程は、前記第一の側壁上に導電性材料層をスパッタリングする工程を含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを有し、前記第一の切断部を形成する工程は、前記第一のダイ領域と前記第二のダイ領域との間に切断部を形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
12. 前記基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを有し、かつ前記方法は、同第一のダイ領域を同第二のダイ領域からダイシングするために、前記導電性材料及び基板を貫通して切断する工程を含む、請求項１に記載の方法。
13. ハンドル層と、前記ハンドル層上に配置される犠牲層と、前記犠牲層上に配置される活性層と、前記活性層上に配置されるキャップ固定部と、前記キャップ固定部上に配置させるキャップと、を含む基板からＭＥＭＳ装置を形成する方法であって、前記方法は、
    前記キャップ、前記キャップ固定部、前記活性層、前記犠牲層及び前記ハンドル層の一部を貫通する第一の切断部を形成する工程と、
    前記キャップ、前記キャップ固定部、前記活性層、前記犠牲層及び前記ハンドル層の少なくとも一部を貫通する第二の切断部であって、トレンチを形成するために前記第一のベベル切断部に対して所定の角度をなす第二のベベル切断部、を配置する工程と、
    前記キャップ、前記キャップ固定部及び前記ハンドル層と接触するトレンチに導電性材料を堆積させる工程と、
    を含む、方法。
14. 前記第二の切断部を配置する工程は、Ｖ字型のトレンチを形成するために、前記第一の側壁に隣接して前記第二のベベル切断部を配置する工程を含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記第二の切断部を形成する工程は、前記第一の切断部と前記第二の切断部との間に約６０°未満の角度を形成する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
16. 前記導電性材料を堆積させる工程は、前記トレンチに導電性エポキシ樹脂を充填する工程を含む、請求項１３に記載の方法。
17. 前記第一の切断部を形成する工程は、前記キャップ及び前記基板の一部を貫通する一つのベベル切断部を形成するために、ベベルブレードを使用する工程を含む、請求項１３に記載の方法。
18. 前記基板は第一のダイ領域と第二のダイ領域とを含み、かつ前記方法は、同第一のダイ領域を同第二のダイ領域からダイシングするために、前記導電性エポキシ樹脂及びハンドル層をソーにより切断する工程を更に含む、請求項１３に記載の方法。
19. ＭＥＭＳ装置であって、
    側壁を有するハンドル層と、
    前記ハンドル層を覆うとともに側壁を有するキャップと、
    導電性材料であって、前記キャップの前記側壁及び前記ハンドル層の前記側壁の少なくとも一部に配置され、それにより前記ハンドル層と前記キャップとを電気的に接続させるための導電性材料と、
    からなる、ＭＥＭＳ装置。
20. 前記導電性材料は、導電性エポキシ樹脂と金属とからなる群より選択される少なくとも一つの材料を含む、請求項１９に記載のＭＥＭＳ装置。

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